JPWO2019186323A1 - 記憶装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一形態に係わる記憶装置の構成例について説明する。本発明の一形態に係わる記憶装置は、半導体特性を利用することで機能しうる記憶装置であり、メモリとも呼ばれている。
図1は、本発明の一形態に係わるメモリ100の構成例を示すブロック図である。メモリ100は、周辺回路111、およびメモリセルアレイ201(図1には、「Memory Cell Array」と表記)を有する。周辺回路111は、ローデコーダ121、ワード線ドライバ回路122、ビット線ドライバ回路130、出力回路140、負電位生成回路150、負電位生成回路151、コントロールロジック回路160を有する。なお、本明細書等で説明する図面において、主な信号の流れを矢印または線で示しており、電源線等は省略する場合がある。
図2(B)は、メモリセル211の構成例を示す回路図である。
なお、メモリセル211は、上記の構成に限られるものではない。図3(A)に示すメモリセル212は、メモリセル211の別の構成例である。
また、メモリセル212を、3トランジスタ1容量素子のゲインセル型のメモリセルとしてもよい。メモリセル212を、3トランジスタ1容量素子のゲインセル型のメモリセルとした場合の構成例を、図3(C)に示す。
図4(A)は、ワード線ドライバ回路122の構成例を示すブロック図である。
図4(B)は、回路LVBの構成例を示す回路図である。
図5(A)は、ワード線ドライバ回路122の入出力の一例を示す図である。
次に、負電位生成回路150および負電位生成回路151に適用可能な、回路54および回路55の構成例を、図6(A)および図6(B)に示す。
上述したように、トランジスタM11、トランジスタM12、およびトランジスタM14に、バックゲートを有するOSトランジスタを用いることができる。OSトランジスタは、バックゲートに電位を印加することで、しきい値電圧を増減することができる。具体的には、OSトランジスタの、バックゲートに印加する電位を高くすることで、しきい値電圧はマイナスにシフトし、バックゲートに印加する電位を低くすることで、しきい値電圧はプラスにシフトする。
本実施の形態では、メモリ100に含まれるメモリセルアレイ201の構成例と、その動作例について説明する。
図8に、J列目のメモリセル221、プリチャージ回路132、センスアンプ133、および入出力回路134の回路構成例を示す。
プリチャージ回路132(j)は、nチャネル型のトランジスタTr21乃至トランジスタTr23を有する。なお、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23は、pチャネル型であってもよい。トランジスタTr21のソース又はドレインの一方は配線BILa(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線PREと接続されている。トランジスタTr22のソース又はドレインの一方は配線BILb(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線PREと接続されている。トランジスタTr23のソース又はドレインの一方は配線BILa(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線BILb(j)と接続されている。トランジスタTr21のゲート、トランジスタTr22のゲート、及びトランジスタTr23のゲートは、配線PLと接続されている。プリチャージ回路PRCは、配線BILa(j)及び配線BILb(j)の電位を初期化する機能を有する。
センスアンプ133(j)は、pチャネル型のトランジスタTr31及びトランジスタTr32と、nチャネル型のトランジスタTr33及びトランジスタTr34を有する。トランジスタTr31のソース又はドレインの一方は配線SPと接続され、ソース又はドレインの他方はトランジスタTr32のゲート、トランジスタTr34のゲート、及び配線BILa(j)と接続されている。トランジスタTr33のソース又はドレインの一方はトランジスタTr32のゲート、トランジスタTr34のゲート、及び配線BLa(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線SNと接続されている。トランジスタTr32のソース又はドレインの一方は配線SPと接続され、ソース又はドレインの他方はトランジスタTr31のゲート、トランジスタTr33のゲート、及び配線BLb(j)と接続されている。トランジスタTr34のソース又はドレインの一方はトランジスタTr31のゲート、トランジスタTr33のゲート、及び配線BLb(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線SNと接続されている。センスアンプ133(j)は、配線BLa(j)、BILb(j)の電位を増幅する機能を有する。なお、センスアンプ133(j)は、ラッチ型のセンスアンプとして機能する。
入出力回路134(j)は、nチャネル型のトランジスタTr41及びトランジスタTr42を有する。なお、トランジスタTr41及びトランジスタTr42は、pチャネル型であってもよい。トランジスタTr41のソース又はドレインの一方は配線BILa(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線SALa(j)と接続されている。トランジスタTr42のソース又はドレインの一方は配線BILb(j)と接続され、ソース又はドレインの他方は配線SALb(j)と接続されている。トランジスタTr41のゲート及びトランジスタTr42のゲートは、配線CSELと接続されている。
図8に示すメモリセル221[i,j]、プリチャージ回路132(j)、センスアンプ133(j)、および入出力回路134(j)を用いて、メモリ100の動作モードについて説明する。また、配線BGL(i)に−3Vが供給されているものとする。
まず、メモリセル221[i,j]からデータを読み出す際のセンスアンプ133(j)の動作例について、図9に示したタイミングチャートを用いて説明する。
期間T11において、プリチャージ回路132(j)を動作させ、配線BILa(j)及び配線BILb(j)の電位を初期化する。具体的には、配線PLの電位をハイレベル(VH_PL)とし、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオン状態にする。これにより、配線BILa(j)及び配線BILb(j)に、配線PREの電位Vpreが供給される。なお、電位Vpreは、例えば(VH_SP+VL_SN)/2とすることができる。VH_SPは、配線SPに供給されるハイレベル電位であり、VL_SNは、配線SNに供給されるローレベル電位である。
期間T12において、配線PLの電位をローレベル(VL_PL)とし、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオフ状態にする。また、配線WL(i)を選択する。具体的には、配線WL(i)の電位をハイレベル(VH_WL)とすることにより、メモリセル221[i,j]が有するトランジスタM11をオン状態にする。これにより、メモリセル221[i,j]において配線BILa(j)と容量素子CAがトランジスタM11を介して導通状態となり、容量素子CAに保持されている電荷の量に応じて配線BILa(j)の電位が変動する。
期間T13において、配線SPの電位をハイレベル(VH_SP)まで変化させ、配線SNの電位をローレベル(VL_SN)まで変化させる。すると、センスアンプ133(j)が動作状態になる。センスアンプ133(j)は、配線BILa(j)と配線BILb(j)の電位差(図9においてはΔV1)を増幅させる機能を有する。センスアンプ133(j)が動作状態になることにより、配線BILa(j)の電位は、Vpre+ΔV1から配線SPの電位(VH_SP)に近づく。また、配線BILb(j)の電位は、Vpreから配線SNの電位(VL_SN)に近づく。
期間T14において、配線CSELの電位を制御することにより、入出力回路134(j)をオン状態にする。具体的には、配線CSELの電位をハイレベル(VH_CSEL)とすることにより、トランジスタTr41とトランジスタTr42をオン状態にする。これにより、配線BILa(j)の電位が配線SALa(j)に供給され、配線BILb(j)の電位が配線SALb(j)に供給される。
期間T15において、配線CSELの電位を制御することにより、入出力回路134(j)をオフ状態にする。具体的には、配線CSELの電位をローレベル(VL_CSEL)とすることにより、トランジスタTr41、トランジスタTr42をオフ状態にする。
次に、メモリセル221[i,j]にデータを書き込む際のセンスアンプ133(j)の動作例について、図10に示したタイミングチャートを用いて説明する。メモリセル221[i+1,j]へのデータの書き込みは、上記と同様の原理で行うことができる。
期間T21において、プリチャージ回路132(j)が有するトランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオン状態にして、配線BILa(j)及び配線BILb(j)の電位を初期化する。具体的には、配線PLの電位をハイレベル(VH_PL)とし、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオン状態にする。これにより、配線BILa(j)及び配線BILb(j)に、配線PREの電位Vpreが供給される。なお、電位Vpreは、例えば(VH_SP+VL_SN)/2とすることができる。
期間T22において、その後、配線PLの電位をローレベル(VL_PL)とし、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオフ状態にする。また、データの書き込みを行うメモリセル221[i,j]と接続された配線WL(i)を選択する。具体的には、配線WL(i)の電位をハイレベル(VH_WL)とし、メモリセル221[i,j]が有するトランジスタM11をオン状態にする。これにより、メモリセル221[i,j]において配線BILa(j)と容量素子CAがトランジスタM11を介して導通状態になる。
期間T23において、配線SPの電位をハイレベル(VH_SP)とし、配線SNの電位をローレベル(VL_SN)とし、センスアンプ133(j)を動作状態にする。
期間T24において、配線CSELの電位を制御することにより、入出力回路134(j)をオン状態にする。これにより、配線BILa(j)と配線SALa(j)とが導通状態となり、配線BILb(j)と配線SALb(j)とが導通状態となる。
期間T25において、配線WL(i)にVL_WLを供給し、配線WL(i)を非選択の状態とする。これにより、メモリセル221[i,j]に書き込まれた電荷が保持される。配線WL(i)の電位上昇に合わせて配線BGL(i)の電位も上昇させた場合、配線WL(i)の電位がVL_WLになるのに合わせて、配線BGL(i)の電位を下げる。例えば、配線BGL(i)に−3Vを供給する。
メモリセル221[i,j]に書き込まれたデータを維持するため。一定期間毎にリフレッシュ動作(再書き込み動作)を行なう。リフレッシュ動作時のセンスアンプ133(j)の動作例について、図11に示したタイミングチャートを用いて説明する。なお、リフレッシュ動作も上記と同様の原理で行うことができる。
期間T31において、プリチャージ回路132(j)が有するトランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオン状態にして、配線BILa(j)及び配線BILb(j)の電位を初期化する。具体的には、配線PLの電位をハイレベル(VH_PL)とし、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオン状態にする。これにより、配線BILa(j)及び配線BILb(j)に、配線PREの電位Vpreが供給される。
期間T32において、配線PLの電位をローレベル(VL_PL)とし、トランジスタTr21乃至トランジスタTr23をオフ状態にする。また、データの書き込みを行うメモリセル221[i,j]と接続された配線WL(i)を選択する。具体的には、配線WL(i)の電位をハイレベル(VH_WL)とし、メモリセル221[i,j]が有するトランジスタM11をオン状態にする。これにより、メモリセル221[i,j]において配線BILa(j)と容量素子CAがトランジスタM11を介して導通状態になる。
期間T33において、配線SPの電位をハイレベル(VH_SP)とし、配線SNの電位をローレベル(VL_SN)とし、センスアンプ133(j)を動作状態にする。センスアンプ133(j)が動作状態になることにより、配線BILa(j)の電位は、Vpre+ΔV1から配線SPの電位(VH_SP)に近づく。また、配線BILb(j)の電位は、Vpreから配線SNの電位(VL_SN)に近づく。なお、本明細書などにおいて、期間T33に要する時間を「書き込み時間」という。
期間T34において、配線WL(i)にVL_WLを供給し、配線WL(i)を非選択の状態とする。具体的には、配線WL(i)の電位をローレベル(VL_WL)とすることにより、メモリセル221[i,j]が有するトランジスタをオフ状態にする。これにより、配線BLaの電位(VH_SP)に応じた電荷量がメモリセル221[i,j]が有する容量素子CAに保持される。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した周辺回路111に適用可能なSiトランジスタ、およびメモリセル211に適用可能なOSトランジスタの構成例について説明する。なお、本実施の形態では、前記SiトランジスタおよびOSトランジスタを合わせて、半導体装置と呼ぶ。
図12に示す半導体装置は、トランジスタ300と、トランジスタ500、および容量素子600を有している。図13(A)はトランジスタ500のチャネル長方向の断面図であり、図13(B)はトランジスタ500のチャネル幅方向の断面図であり、図13(C)はトランジスタ300のチャネル幅方向の断面図である。
なお、本実施の形態に示す半導体装置のトランジスタ500は、上記の構造に限られるものではない。以下、トランジスタ500に用いることができる構造例について説明する。
図14(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Aの構造例を説明する。図14(A)はトランジスタ510Aの上面図である。図14(B)は、図14(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図14(C)は、図14(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図14(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図15(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Bの構造例を説明する。図15(A)はトランジスタ510Bの上面図である。図15(B)は、図15(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図15(C)は、図15(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図15(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図16(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Cの構造例を説明する。図16(A)はトランジスタ510Cの上面図である。図16(B)は、図16(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図16(C)は、図16(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図16(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図17(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Dの構造例を説明する。図17(A)はトランジスタ510Dの上面図である。図17(B)は、図17(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図17(C)は、図17(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図17(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図18(A)乃至図18(C)を用いてトランジスタ510Eの構造例を説明する。図18(A)はトランジスタ510Eの上面図である。図18(B)は、図18(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図18(C)は、図18(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図18(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
また、図12及び図13(A)、(B)では、ゲートとして機能する導電体560が、絶縁体580の開口の内部に形成されている構造例について説明したが、例えば、当該導電体の上方に、当該絶縁体が設けられた構造を用いることもできる。このようなトランジスタの構造例を、図19(A)、(B)、図20(A)、(B)に示す。
次に、OSトランジスタの電気特性について説明する。以下では一例として、第1のゲート及び第2のゲートを有するトランジスタについて説明する。第1のゲート及び第2のゲートを有するトランジスタは、第1のゲートと第2のゲートに異なる電位を印加することで、しきい値電圧を制御することができる。例えば、第2のゲートに負の電位を印加することにより、トランジスタのしきい値電圧を0Vより大きくし、オフ電流を低減することができる。つまり、第2のゲートに負の電位を印加することにより、第1の電極に印加する電位が0Vのときのドレイン電流を小さくすることができる。
図21(A)および図21(C)は、電気特性の評価に用いたトランジスタの断面図である。なお、図21(A)および図21(C)では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図21(A)に示すトランジスタ、および図21(C)に示すトランジスタにおいて、Id−Vg特性を計算し、トランジスタの電気特性を評価した。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタに用いることができる金属酸化物の構成について説明する。
本明細書等において、CAAC(c−axis aligned crystal)、及びCAC(Cloud−Aligned Composite)と記載する場合がある。なお、CAACは結晶構造の一例を表し、CACは機能、または材料の構成の一例を表す。
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、CAAC−OS(c−axis aligned crystalline oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した記憶装置を用いることができる製品イメージ、および電子機器の一例について説明する。
まず、本発明の一形態に係わる記憶装置に用いることができる製品イメージを図22に示す。図22に示す領域701は高い温度特性(High T operate)を表し、領域702は高い周波数特性(High f operate)を表し、領域703は低いオフ特性(Ioff)を表し、領域704は、領域701、領域702、及び領域703が重なった領域を表す。
本発明の一形態に係わる記憶装置は、様々な電子機器に搭載することができる。特に、本発明の一形態に係わる記憶装置は、電子機器に内蔵されるメモリとして用いることができる。電子機器の例としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ(Digital Signage:電子看板)、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
評価は、25℃の環境温度下で、VDDHとVSSLの電位差を3.3Vとして、複数種類のVDDH.VSSL、およびVbgの組み合わせについて行った。
Claims (7)
- ドライバ回路と、
複数のメモリセルと、を有する記憶装置であって、
前記メモリセルは、トランジスタと、容量素子とを有し、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有し、
前記トランジスタは、第1ゲートおよび第2ゲートを有し、
前記第1ゲートおよび第2ゲートは、チャネル形成領域を間に介して互いに重なる領域を有し、
前記ドライバ回路は、前記第1ゲートを駆動する機能を有し、
前記メモリセルがデータを保持している期間において、前記ドライバ回路は、前記第1ゲートに、前記トランジスタのソースおよびドレインに印加される電位より低い第1の電位を出力し、
前記第2ゲートには、前記トランジスタのソースおよびドレインに印加される電位より低い第2の電位が印加される、記憶装置。 - 請求項1において、
前記第2の電位は、前記第1の電位より、低い電位である、記憶装置。 - ドライバ回路と、
複数のメモリセルと、を有する記憶装置であって、
前記メモリセルは、トランジスタと、容量素子とを有し、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有し、
前記トランジスタは、第1ゲートおよび第2ゲートを有し、
前記第1ゲートおよび第2ゲートは、チャネル形成領域を間に介して互いに重なる領域を有し、
前記ドライバ回路は、前記第1ゲートおよび前記第2ゲートを駆動する機能を有し、
前記メモリセルがデータを保持している期間において、前記ドライバ回路は、前記第1ゲートに、前記トランジスタのソースおよびドレインに印加される電位より低い第1の電位を出力し、
前記メモリセルがデータを保持している期間において、前記ドライバ回路は、前記第2ゲートに、前記トランジスタのソースおよびドレインに印加される電位より低い第2の電位を出力する、記憶装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、少なくともIn(インジウム)またはZn(亜鉛)の一方または双方を含む、記憶装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、Ga(ガリウム)を含む、記憶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の記憶装置を有する電子機器。
- 半導体装置の駆動方法であって、
前記半導体装置は、ドライバ回路と、メモリセルとを有し、
前記メモリセルは、トランジスタと、容量素子とを有し、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記容量素子の一方の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタは、チャネル形成領域を間に介して、互いに重なる第1ゲートおよび第2ゲートを有し、
前記駆動方法は、
前記第1ゲートに、第1の電位が印加され、前記トランジスタのソースおよびドレインの他方に、第2の電位が印加される第1のステップと、
前記第1ゲートに、第3の電位が印加される第2のステップと、を有し、
前記第3の電位は、前記トランジスタのソースおよびドレインの電位より低く、
前記第1および第2のステップを通して、前記第2ゲートには、前記トランジスタのソースおよびドレインの電位より低い第4の電位が印加される、駆動方法。
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US11440680B2 (en) * | 2019-07-09 | 2022-09-13 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tether management system for a tethered UAV |
JP2021100025A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置、撮像装置の駆動方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998058382A1 (fr) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a circuit integre transistorise |
JP2015181159A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2019111088A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、および電子機器 |
WO2019162802A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置およびその動作方法 |
Family Cites Families (47)
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---|---|---|---|---|
JP4534163B2 (ja) | 1997-06-16 | 2010-09-01 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
DE102004005667B4 (de) * | 2004-02-05 | 2006-02-09 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Halbleiterspeicher mit temperaturabhängiger Spannungserzeugung und Verfahren zum Betrieb |
JP4798342B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-10-19 | カシオ計算機株式会社 | 表示駆動装置及びその駆動制御方法、並びに、表示装置及びその駆動制御方法 |
US7907137B2 (en) | 2005-03-31 | 2011-03-15 | Casio Computer Co., Ltd. | Display drive apparatus, display apparatus and drive control method thereof |
JP5240534B2 (ja) * | 2005-04-20 | 2013-07-17 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその駆動制御方法 |
JP2009070480A (ja) | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Nec Electronics Corp | 半導体記憶装置 |
JP5627071B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2014-11-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US11605630B2 (en) * | 2009-10-12 | 2023-03-14 | Monolithic 3D Inc. | 3D integrated circuit device and structure with hybrid bonding |
WO2011055660A1 (en) * | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8339837B2 (en) * | 2010-08-26 | 2012-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of semiconductor device |
KR101928897B1 (ko) | 2010-08-27 | 2018-12-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 기억 장치, 반도체 장치 |
WO2012029638A1 (en) | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9111795B2 (en) * | 2011-04-29 | 2015-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film |
US20150123117A1 (en) * | 2012-05-14 | 2015-05-07 | Sharp Kabushshiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US9385592B2 (en) * | 2013-08-21 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Charge pump circuit and semiconductor device including the same |
US9054696B2 (en) * | 2013-10-12 | 2015-06-09 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Gate driving circuit, and array substrate and display panel using the same |
WO2015132694A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel |
KR102330412B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2021-11-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기 |
CN110310962A (zh) * | 2014-06-13 | 2019-10-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US9455337B2 (en) * | 2014-06-18 | 2016-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2016067159A1 (en) * | 2014-10-28 | 2016-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, method for manufacturing the same, module, data processing device |
US9589611B2 (en) * | 2015-04-01 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device, semiconductor device, and electronic device |
US9935633B2 (en) * | 2015-06-30 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device |
US10501003B2 (en) * | 2015-07-17 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, lighting device, and vehicle |
CN108028202B (zh) * | 2015-09-24 | 2021-05-25 | 夏普株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
JP6807725B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2021-01-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示パネル、及び電子機器 |
US9953695B2 (en) * | 2015-12-29 | 2018-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and semiconductor wafer |
US20170221899A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microcontroller System |
WO2017130082A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic component, and electronic device |
JP6906978B2 (ja) * | 2016-02-25 | 2021-07-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、半導体ウェハ、および電子機器 |
US10014325B2 (en) * | 2016-03-10 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US10032492B2 (en) * | 2016-03-18 | 2018-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, driver IC, computer and electronic device |
US10236875B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for operating the semiconductor device |
JP2017224676A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置及び表示装置 |
KR102367787B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2022-02-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 동작 방법 |
KR102458660B1 (ko) * | 2016-08-03 | 2022-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
CN109690661B (zh) * | 2016-09-02 | 2021-01-01 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板和具备有源矩阵基板的显示装置 |
US10147681B2 (en) * | 2016-12-09 | 2018-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JPWO2018167588A1 (ja) * | 2017-03-13 | 2020-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、および半導体装置の作製方法 |
US10312239B2 (en) * | 2017-03-16 | 2019-06-04 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory including semiconductor oxie |
US11152366B2 (en) * | 2017-06-08 | 2021-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving semiconductor device |
KR102391585B1 (ko) * | 2017-08-25 | 2022-04-28 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
KR102579972B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2023-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI794340B (zh) * | 2017-12-07 | 2023-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 |
WO2019186323A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、および電子機器 |
US10748931B2 (en) * | 2018-05-08 | 2020-08-18 | Micron Technology, Inc. | Integrated assemblies having ferroelectric transistors with body regions coupled to carrier reservoirs |
US10657899B2 (en) * | 2018-06-22 | 2020-05-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Pixel compensation circuit, driving method for the same and amoled display panel |
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Patent Citations (4)
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WO1998058382A1 (fr) * | 1997-06-16 | 1998-12-23 | Hitachi, Ltd. | Dispositif a circuit integre transistorise |
JP2015181159A (ja) * | 2014-03-07 | 2015-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2019111088A1 (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置、および電子機器 |
WO2019162802A1 (ja) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶装置およびその動作方法 |
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