JPWO2019176723A1 - 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019176723A1 JPWO2019176723A1 JP2020506446A JP2020506446A JPWO2019176723A1 JP WO2019176723 A1 JPWO2019176723 A1 JP WO2019176723A1 JP 2020506446 A JP2020506446 A JP 2020506446A JP 2020506446 A JP2020506446 A JP 2020506446A JP WO2019176723 A1 JPWO2019176723 A1 JP WO2019176723A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal core
- core material
- resist film
- layer
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims abstract description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 107
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 107
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 61
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000000866 electrolytic etching Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 poly (p-phenylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000003262 carboxylic acid ester group Chemical group [H]C([H])([*:2])OC(=O)C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000000804 electron spin resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 125000002130 sulfonic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
- H01G2/12—Protection against corrosion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0032—Processes of manufacture formation of the dielectric layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
- H01G9/0036—Formation of the solid electrolyte layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/0425—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material specially adapted for cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/055—Etched foil electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/15—Solid electrolytic capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/07—Dielectric layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
固体電解コンデンサ１００は、弁機能を有する柱状の金属芯材１９と、金属芯材１９の一方側端面と他方側端面のそれぞれに接続された第１の外部端子１４、１５と、第１の外部端子１４、１５とは極性の異なる第２の外部端子１６とを備える。金属芯材１９の端面の面積は、長さ方向における中央部の、軸方向に直交する方向の断面の面積よりも大きい。金属芯材１９の表面の一部に酸化膜を備えた多孔質層１９ｂが配置され、多孔質層１９ｂは、導電性高分子を含む導電体層である陰極層２２を介して第２の外部端子１６と接続されている。
Description
本発明は、固体電解コンデンサおよびその製造方法に関する。
固体電解コンデンサは、デカップリング回路や電源回路において一般的なコンデンサとして用いられるばかりでなく、高周波ノイズを除去するノイズフィルタとしても有利に用いられる。
固体電解コンデンサの一例として、特許文献１には、陽極導出線がコンデンサ素子の端面に引き出され、陽極導出線と接続されるように、コンデンサ素子の端面に外部電極を形成した構造を有する固体電解コンデンサが記載されている。外部電極は、陽極導出線の端面と接続されている。
しかしながら、特許文献１に記載の固体電解コンデンサでは、陽極導出線と外部電極との接続面積が小さいため、接続抵抗が大きくなり、ＥＳＲ（等価直列抵抗）が大きいという問題が生じる。
本発明は、上記課題を解決するものであり、ＥＳＲを低減した固体電解コンデンサ、および、そのような固体電解コンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の固体電解コンデンサは、
弁機能を有する柱状の金属芯材と、
前記金属芯材の一方側端面と他方側端面のそれぞれに接続された第１の外部端子と、
前記第１の外部端子とは極性の異なる第２の外部端子と、
を備え、
前記金属芯材の端面の面積は、前記金属芯材の長さ方向における中央部の、軸方向に直交する方向の断面の面積よりも大きく、
前記金属芯材の表面の一部に酸化膜を備えた多孔質層が配置され、
前記多孔質層は、導電性高分子を含む導電体層である陰極層を介して前記第２の外部端子と接続されている、
ことを特徴とする。
弁機能を有する柱状の金属芯材と、
前記金属芯材の一方側端面と他方側端面のそれぞれに接続された第１の外部端子と、
前記第１の外部端子とは極性の異なる第２の外部端子と、
を備え、
前記金属芯材の端面の面積は、前記金属芯材の長さ方向における中央部の、軸方向に直交する方向の断面の面積よりも大きく、
前記金属芯材の表面の一部に酸化膜を備えた多孔質層が配置され、
前記多孔質層は、導電性高分子を含む導電体層である陰極層を介して前記第２の外部端子と接続されている、
ことを特徴とする。
前記金属芯材の端面の面積は、前記中央部の断面の面積より１％以上大きくてもよい。
前記金属芯材の表面のうち、前記多孔質層が設けられていない部分にレジスト膜が配置されていてもよい。
前記レジスト膜は、ポリイミドおよびエポキシの少なくとも一方を含む樹脂であってもよい。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、
弁機能を有する柱状の金属芯材を準備する工程と、
前記金属芯材の表面にレジスト膜を配置する工程と、
前記金属芯材の長さ方向において、所定間隔ごとに前記レジスト膜が配置される態様で前記レジスト膜を除去する工程と、
前記金属芯材の表面のうち、前記レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層を化成処理する工程と、
前記化成処理後の前記金属芯材の表面に、導電性高分子を含む材料を塗工して導電性高分子層を形成する工程と、
前記金属芯材を前記レジスト膜が配置されている位置で分割して個片化する工程と、
個片化された個体ごとに、前記金属芯材の両端面に外部端子を設ける工程と、
を備えることを特徴とする。
弁機能を有する柱状の金属芯材を準備する工程と、
前記金属芯材の表面にレジスト膜を配置する工程と、
前記金属芯材の長さ方向において、所定間隔ごとに前記レジスト膜が配置される態様で前記レジスト膜を除去する工程と、
前記金属芯材の表面のうち、前記レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層を化成処理する工程と、
前記化成処理後の前記金属芯材の表面に、導電性高分子を含む材料を塗工して導電性高分子層を形成する工程と、
前記金属芯材を前記レジスト膜が配置されている位置で分割して個片化する工程と、
個片化された個体ごとに、前記金属芯材の両端面に外部端子を設ける工程と、
を備えることを特徴とする。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、
弁機能を有する柱状の金属芯材を準備する工程と、
前記金属芯材の表面に、長さ方向において所定間隔ごとにレジスト膜を配置する工程と、
前記金属芯材の表面のうち、前記レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層を化成処理する工程と、
前記化成処理後の前記金属芯材の表面に、導電性高分子を含む材料を塗工して導電性高分子層を形成する工程と、
前記金属芯材を前記レジスト膜が配置されている位置で分割して個片化する工程と、
個片化された個体ごとに、前記金属芯材の両端面に外部端子を設ける工程と、
を備えることを特徴とする。
弁機能を有する柱状の金属芯材を準備する工程と、
前記金属芯材の表面に、長さ方向において所定間隔ごとにレジスト膜を配置する工程と、
前記金属芯材の表面のうち、前記レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層を化成処理する工程と、
前記化成処理後の前記金属芯材の表面に、導電性高分子を含む材料を塗工して導電性高分子層を形成する工程と、
前記金属芯材を前記レジスト膜が配置されている位置で分割して個片化する工程と、
個片化された個体ごとに、前記金属芯材の両端面に外部端子を設ける工程と、
を備えることを特徴とする。
前記レジスト膜は、ポリイミドおよびエポキシの少なくとも一方を含む樹脂であってもよい。
上記固体電解コンデンサの製造方法は、
前記導電性高分子層の上にカーボン層を形成する工程と、
前記カーボン層の上に銀層を形成する工程と、
をさらに備えていてもよい。
前記導電性高分子層の上にカーボン層を形成する工程と、
前記カーボン層の上に銀層を形成する工程と、
をさらに備えていてもよい。
本発明の固体電解コンデンサによれば、金属芯材の両端面に第１の外部端子が接続される構成であって、金属芯材の端面の面積は、金属芯材の長さ方向における中央部の断面の面積よりも大きいので、金属芯材と第１の外部端子との接続面積を大きくすることができる。そのような構成により、ＥＳＲを低減することができる。
本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、金属芯材の表面にレジスト膜を配置した後、所定間隔ごとにレジスト膜が配置される態様でレジスト膜を除去し、金属芯材の表面のうち、レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する。そして、レジスト膜が配置されている位置で金属芯材を分割して個片化し、個片化された個体ごとに、金属芯材の両端面に外部端子を設ける。これにより、金属芯材の端面の面積は、長さ方向における中央部の断面の面積よりも大きくなるので、金属芯材と第１の外部端子との接続面積を大きくすることができ、ＥＳＲを低減することができる。
また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、金属芯材の表面に、長さ方向において所定間隔ごとにレジスト膜を配置し、金属芯材の表面のうち、レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する。そして、レジスト膜が配置されている位置で金属芯材を分割して個片化し、個片化された個体ごとに、金属芯材の両端面に外部端子を設ける。これにより、金属芯材の端面の面積は、長さ方向における中央部の断面の面積よりも大きくなるので、金属芯材と第１の外部端子との接続面積を大きくすることができ、ＥＳＲを低減することができる。
以下に本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところを具体的に説明する。
図１は、一実施形態における固体電解コンデンサ１００の外観を示す斜視図である。図２は、図１に示す固体電解コンデンサ１００を切断線ＩＩ−ＩＩで切断した場合の断面図であり、図３は、図２に示す固体電解コンデンサ１００を切断線ＩＩＩ−ＩＩＩで切断した場合の断面図である。また、図４は、図１に示す固体電解コンデンサ１００の底面図である。
一実施形態における固体電解コンデンサ１００は、直方体形状の本体１０と、本体１０の一方側の端面１１に配置された第１の陽極端子１４、および、他方側の端面１２に配置された第２の陽極端子１５と、本体１０の底面１３に配置された陰極端子１６とを備える。第１の陽極端子１４および第２の陽極端子１５は、第１の外部端子を構成し、陰極端子１６は、第２の外部端子を構成する。
本体１０は、コンデンサ素子１８と、コンデンサ素子１８を覆う封止材１７とを備える。
コンデンサ素子１８は、弁機能を有する柱状の金属芯材１９を備える。金属芯材１９を構成する弁作用金属として、例えば、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、またはこれらの少なくとも１種を含む合金が用いられる。
金属芯材１９は、この実施形態では、円柱状である。ただし、金属芯材１９の形状が円柱状に限定されることはなく、例えば四角柱であってもよい。安価で入手が容易な点で、好ましくは、金属芯材１９として、アルミニウムワイヤが用いられる。
金属芯材１９は、当該金属芯材１９の軸線方向に延びる芯部１９ａと、芯部１９ａの表面の一部に設けられた多孔質状の多孔質層１９ｂと、からなる。
多孔質層１９ｂは、例えば、アルミニウムワイヤからなる金属芯材１９の表面にエッチング処理を施し、それによって表面が粗面化されることにより形成される。
多孔質層１９ｂには、図５に模式的に示すように、外方に向く開口を有する多数の細孔２０が形成されている。多孔質層１９ｂの孔径は、例えば０．０１μｍ以上１００μｍ以下である。なお、図３において、多孔質層１９ｂは、点線で挟まれた、網掛けを施した領域である。
本実施形態では、金属芯材１９の端面の面積Ｃ１は、金属芯材１９の長さ方向における中央部の、軸方向に直交する方向の断面の面積Ｃ２よりも大きい（図２参照）。好ましくは、金属芯材１９の端面の面積Ｃ１は、金属芯材１９の長さ方向における中央部の断面の面積Ｃ２よりも１％以上大きい。金属芯材１９の端面の面積Ｃ１が中央部の断面の面積Ｃ２よりも大きいことにより、金属芯材１９と第１の陽極端子１４との間、および、金属芯材１９と第２の陽極端子１５との間の接続面積が大きくなるので、ＥＳＲを低減することができる。また、金属芯材１９の端面の面積Ｃ１が中央部の断面の面積Ｃ２より１％以上大きいことにより、効果的にＥＳＲを低減することができる。
図５に示すように、多孔質層１９ｂの表面には、酸化膜である誘電体層２１が設けられている。より詳しくは、誘電体層２１は、多孔質層１９ｂの細孔２０の内周面に沿って形成されている。なお、図５において、誘電体層２１は太線で示されている。
誘電体層２１は、例えば、多孔質層１９ｂが形成された金属芯材１９の表面を酸化することによって形成される。誘電体層２１を構成する酸化膜の厚みは、例えば０．００３μｍ以上５μｍ以下である。
コンデンサ素子１８は、さらに、誘電体層２１上にある陰極層２２を備えている。導電体層である陰極層２２は、固体電解質としての導電性高分子層２３、導電性高分子層２３の上のカーボン層２４、およびカーボン層２４の上の銀層２５を備える。
導電性高分子層２３に含まれる導電性高分子としては、π共役系導電性高分子を使用することができる。π共役系導電性高分子としては、置換または無置換の、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）およびポリ（チエニレンビニレン）、並びにそれらの誘導体などが挙げられる。
置換基としては、水素原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、フェニル基、ビニル基、ハロゲン原子、アシル基、アミノ基、スルホン酸基、スルホニル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸エステル基、アルコキシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、これらの置換基を有してもよいＣ１〜Ｃ１８のアルキル基、これらの置換基を有してもよいＣ５〜Ｃ１２のシクロアルキル基、これらの置換基を有してもよいＣ６〜Ｃ１４のアリール基、これらの置換基を有してもよいＣ７〜Ｃ１８のアラルキル基などが挙げられる。
この中でも、導電性高分子としては、ポリピロール、ポリチオフェンおよびポリアニリン、並びにそれらの誘導体からなる群から選択される少なくとも一種を含む導電性高分子であることが好ましい。また、導電性高分子は、熱安定性の観点から、３，４−エチレンジオキシチオフェンまたはその誘導体の繰り返し単位を含むことがより好ましい。導電性高分子は、単独重合体でもよいし、共重合体でもよい。また、これらの導電性高分子は、１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
導電性高分子層２３の厚みに特に制約はないが、例えば低抵抗が求められる場合には、各層の体積抵抗の観点から薄膜の方が好ましく、適宜求められる特性よって、任意の厚みに調整することが好ましい。
導電性高分子層２３は、図５に示すように、多孔質層１９ｂの細孔２０の少なくとも一部を充填するように設けられている。導電性高分子層２３は、多孔質層１９ｂの全周面を覆っている必要はないが、全周面を覆うことにより、導電性高分子層２３と誘電体層２１とを広い面積で接触させることができる。なお、後述するレジスト膜３０上に付着した導電性高分子は、レーザ等により除去されるか、または、マスクなどを配置することで、導電性高分子がレジスト膜３０上に塗布されないようにしてもよい。これにより、陽極端子１４、１５と陰極端子１６との間の絶縁性が担保される。
なお、陰極層２２のうちカーボン層２４と銀層２５とは、コンデンサ素子１８の陰極層として機能する。陰極層は、導電性を有する層であればよい。本実施形態では、陰極層はカーボン層２４と銀層２５の複数層としているが、陰極層は、銀層２５だけで構成されていてもよい。
多孔質層１９ｂは、陰極層２２を介して、陰極端子１６と電気的に接続される。陰極層２２、より特定的には、銀層２５は、導電性接着剤２６（図３参照）を介して、陰極端子１６と接続されている。
金属芯材１９の芯部１９ａの両端面は、封止材１７から露出している。金属芯材１９の一方側端面は、第１の陽極端子１４と接続されており、他方側端面は、第２の陽極端子１５と接続されている。
第１の陽極端子１４および第２の陽極端子１５は、金属芯材１９の芯部１９ａの端面上に形成されためっき膜または導電性樹脂膜により構成される。めっき膜は、例えばニッケル、亜鉛、銅、錫、金、銀、パラジウムまたは鉛などの金属、あるいはこれら金属の少なくとも１種を含有する合金を含む。導電性樹脂膜は、エポキシなどの樹脂内に、例えば銀、銅、ニッケル、錫およびパラジウムの少なくとも１種の金属粒子を導電成分として含む。
第１の陽極端子１４および第２の陽極端子１５は、めっき膜と導電性樹脂膜とを含む多層構造とされていてもよい。例えば、第１の陽極端子１４および第２の陽極端子１５は、二層のめっき層とこれらめっき層の間にある導電性樹脂層とを備えていてもよい。
金属芯材１９の表面であって、多孔質層１９ｂが設けられていない領域には、電気絶縁性樹脂からなるレジスト膜３０が配置されている。レジスト膜３０は、例えば、ポリイミドおよびエポキシの少なくとも一方を含む樹脂である。なお、レジスト膜３０と陰極層２２との間に段差は必須ではない。陰極層２２の厚みがレジスト膜３０より厚くてもよい。また、レジスト膜３０の一部が陰極層２２を覆っていてもよい。
封止材１７は、樹脂を含む。封止材１７は樹脂に加えて、アルミナやシリカ等のフィラーや、磁性材料を含んでいてもよい。封止材１７が上述したフィラーを含むことによって、封止材１７の機械的強度や加工性を調節することができる。また、所望の線膨張係数を有するフィラーを選択することによって、熱収縮性を調節することができる。
封止材１７が磁性材料を含む場合、コンデンサのインピーダンスを意図的に高めることができる。例えば、インピーダンスの低いコンデンサを複数並列実装して用いる場合に反共振が発生する可能性がある。このとき、封止材が磁性材料を含むと、反共振を抑制することができる。磁性材料としては、例えば、鉄の粉、鉄を含む合金の粉、あるいは、フェライトの粉などの磁性粉が用いられる。磁性材料は、異なる粒径の、あるいは、異なる組成の２種以上の粉の混合物であってもよい。封止材１７は、上述したように、要求機能に応じて、所望のフィラーや磁性材料を選択して用いることが好ましい。
（固体電解コンデンサの製造方法）
上述した構成を有する固体電解コンデンサ１００の製造方法について、図６および図７を参照しながら説明する。
上述した構成を有する固体電解コンデンサ１００の製造方法について、図６および図７を参照しながら説明する。
弁機能を有する柱状の金属芯材１９として、アルミワイヤを準備する（図６のステップＳ１）。アルミワイヤの直径は、例えば０．０２ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である。上述したように、アルミワイヤの形状に特に制約はなく、円柱状でもよいし、四角柱状でもよい。
続いて、図７（ａ）に示すように、金属芯材１９であるアルミワイヤの長さ方向に沿って、所定間隔Ｌ１ごとにレジスト膜３０を配置する（図６のステップＳ２）。レジスト膜３０として、例えば、ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂のうちの一方の樹脂を用いることができる。これにより、アルミワイヤの表面に、所定間隔Ｌ１ごとに、所定領域にレジスト膜３０が配置される。
ここで、所定間隔Ｌ１は、例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。また、レジスト膜３０が配置される所定領域の長さは、例えば０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である。
なお、図６のステップＳ２の工程の代わりに、金属芯材１９であるアルミワイヤの全表面にレジスト膜３０を配置する工程と、アルミワイヤの長さ方向において、所定間隔Ｌ１ごとに所定領域のレジスト膜３０を残す態様でレジスト膜３０を除去する工程と、を設けるようにしてもよい。
続いて、アルミワイヤの表面に対してエッチング処理を施すことによって、多孔質層１９ｂを形成する（図６のステップＳ３）。図７（ｂ）に示すように、多孔質層１９ｂは、レジスト膜３０が配置されていない領域に形成される。エッチング処理として、例えば交流電解エッチング、直流電解エッチング、化学的に行う腐食などの方法を用いることができる。
上述したように、アルミワイヤの表面に対してエッチング処理を施すことによって、レジスト膜３０が配置されていない領域に多孔質層１９ｂが形成される。後の工程で、アルミワイヤは、レジスト膜３０が配置されている位置で分割されて個片化されるため、最終的に作製される固体電解コンデンサにおいて、レジスト膜３０が配置されている位置は、金属芯材１９の端部となる。したがって、上述した工程により、金属芯材１９の端面の面積Ｃ１は、中央部の断面の面積Ｃ２よりも大きくなる。
続いて、化成処理により、アルミワイヤの表面に誘電体層２１を形成する（図６のステップＳ４）。化成処理では、化成液として、例えばアジピン酸アンモニウムを用いる。すなわち、アジピン酸アンモニウムの水溶液中でアルミワイヤの表面を電気化学的に酸化させて、誘電体層２１を構成する酸化膜を形成する。レジスト膜３０が配置されている領域は、化成液に触れていないので、酸化膜は形成されない。
なお、レジスト膜３０をレーザなどで除去してから、化成処理を行うようにしてもよい。その場合、レジスト膜３０が配置されていた領域に形成される酸化膜をレーザなどで除去してもよいし、除去せずにそのまま残しておいてもよい。
続いて、アルミワイヤの表面に導電性高分子を含む材料を塗工する（図６のステップＳ５）。具体的には、固体電解質として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が分散した導電性高分子溶液を多孔質層１９ｂに浸透させながら塗布し、その後乾燥させることによって、導電性高分子層２３を形成する。
ここでは、多孔質層１９ｂの細孔２０に導電性高分子を含む材料を充填させるため、アルミワイヤを導電性高分子溶液に浸漬する。アルミワイヤの表面のうち、レジスト膜３０が配置されている領域には、導電性高分子層２３は形成されない。
なお、多孔質層１９ｂ上に、導電性高分子溶液を選択的に塗布するようにしてもよい。
また、金属芯材１９の表面のうち、多孔質層１９ｂが形成されていない領域に導電性高分子を含む材料が付着した場合、付着した導電性高分子を含む材料をレーザなどにより除去するようにしてもよい。
続いて、導電性高分子層２３の上にカーボン層２４を形成する（図６のステップＳ６）。カーボン層２４は、例えばカーボンペーストを用いて、塗布、浸漬、印刷、転写などの方法により形成することができる。
続いて、カーボン層２４の上に、銀層２５を形成する（図６のステップＳ７）。銀層２５は、例えば銀ペーストを用いて、塗布、浸漬、印刷、転写などの方法により形成することができる。
上述したように、導電性高分子層２３、カーボン層２４および銀層２５が陰極層２２を構成する（図７（ｃ）参照）。
続いて、陰極端子１６となる電極が配置された基板を準備し、陰極端子１６となる電極と、陰極層２２とを、導電性接着剤２６を用いて接着する（図６のステップＳ８）。
そして、陰極端子１６の外側に向く面、および、金属芯材１９の両端面が露出するような態様で、金属芯材１９の周囲を樹脂でモールドする（図６のステップＳ９）。この樹脂が封止材１７を構成する。
続いて、アルミワイヤを、レジスト膜３０が配置されている位置で分割して個片化する（図６のステップＳ１０）。より具体的には、アルミワイヤを、図７（ｃ）の破線で示す、長さ方向におけるレジスト膜３０の中央の位置で分割することによって、個片化する（図７（ｄ）参照）。個片化は、例えば、ダイシング、押し切り、または表面に切れ目を入れて分割する方法など、任意の方法で行うことができる。
続いて、個片化された固体ごとに、封止材１７から露出する、金属芯材１９の両端面に接続されるように、第１の陽極端子１４および第２の陽極端子１５を形成する（図６のステップＳ１１）。第１の陽極端子１４および第２の陽極端子１５は、例えば、金属芯材１９の両端面にめっき処理を施すことによって形成する。めっき処理は、例えば電解めっきまたは無電解めっきにより行うことができる。
ここで、アルミニウムは容易に酸化膜を形成する性質を有しているが、酸化膜は、めっき膜の密着を阻害する要因となる。本実施形態では、金属芯材１９としてアルミワイヤを用いているので、密着性の高いめっき膜を形成するために、ジンケート処理を行ってからめっき処理を行う。具体的には、金属芯材１９に、Ｐｄを含んだ溶液を塗布し、ジンケート処理によりＮｉを置換反応にて析出させて、Ｎｉめっきの上にＳｎめっきを施す。
上述した工程により、固体電解コンデンサ１００を製造することができる（図７（ｅ）参照）。
（ＥＳＲの測定）
上述した方法によって、金属芯材１９の中央部の断面の面積Ｃ２に対する端面の面積Ｃ１の割合Ｋが異なる複数種類の固体電解コンデンサを作製した。そして、KEY SIGHT TECHNOLOGIES社製の測定器（E4980A）を用いて、作製した複数種類の固体電解コンデンサのＥＳＲを測定した。
上述した方法によって、金属芯材１９の中央部の断面の面積Ｃ２に対する端面の面積Ｃ１の割合Ｋが異なる複数種類の固体電解コンデンサを作製した。そして、KEY SIGHT TECHNOLOGIES社製の測定器（E4980A）を用いて、作製した複数種類の固体電解コンデンサのＥＳＲを測定した。
また、ＥＳＲの測定後に、金属芯材１９の中央部の断面の面積Ｃ２に対する端面の面積Ｃ１の割合Ｋ（Ｋ＝Ｃ１／Ｃ２）を求めた。
ここでは、上記割合Ｋが異なる複数種類の固体電解コンデンサごとに、１０個の固体電解コンデンサを用意してそれぞれのＥＳＲおよび上記割合Ｋを求め、１０個の固体電解コンデンサのＥＳＲの平均値および割合Ｋの平均値を求めた。
金属芯材１９の中央部の断面の面積Ｃ２に対する端面の面積Ｃ１の割合Ｋと、ＥＳＲとの関係を表１に示す。
表１に示すように、金属芯材１９の中央部の断面の面積Ｃ２と端面の面積Ｃ１とが同じ場合、すなわち、上記割合Ｋが１の場合を基準とすると、割合Ｋが１より大きくなると、ＥＳＲが低くなった。例えば、割合Ｋが１の場合のＥＳＲは２７０ｍΩであるが、割合Ｋが１．０１の場合、すなわち、金属芯材１９の端面の面積Ｃ１が中央部の断面の面積Ｃ２より１％大きい場合のＥＳＲは２５３ｍΩとなった。また、割合Ｋが大きくなるほど、すなわち、金属芯材１９の中央部の断面の面積Ｃ２に対する端面の面積Ｃ１が大きくなるほど、ＥＳＲは低くなった。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
１０ 本体
１１ 本体の一方側の端面
１２ 本体の他方側の端面
１３ 本体の底面
１４ 第１の陽極端子
１５ 第２の陽極端子
１６ 陰極端子
１７ 封止材
１８ コンデンサ素子
１９ 金属芯材
１９ａ 芯部
１９ｂ 多孔質層
２０ 細孔
２１ 誘電体層
２２ 陰極層
２３ 導電性高分子層
２４ カーボン層
２５ 銀層
２６ 導電性接着剤
３０ レジスト膜
１００ 固体電解コンデンサ
１１ 本体の一方側の端面
１２ 本体の他方側の端面
１３ 本体の底面
１４ 第１の陽極端子
１５ 第２の陽極端子
１６ 陰極端子
１７ 封止材
１８ コンデンサ素子
１９ 金属芯材
１９ａ 芯部
１９ｂ 多孔質層
２０ 細孔
２１ 誘電体層
２２ 陰極層
２３ 導電性高分子層
２４ カーボン層
２５ 銀層
２６ 導電性接着剤
３０ レジスト膜
１００ 固体電解コンデンサ
Claims (8)
- 弁機能を有する柱状の金属芯材と、
前記金属芯材の一方側端面と他方側端面のそれぞれに接続された第１の外部端子と、
前記第１の外部端子とは極性の異なる第２の外部端子と、
を備え、
前記金属芯材の端面の面積は、前記金属芯材の長さ方向における中央部の、軸方向に直交する方向の断面の面積よりも大きく、
前記金属芯材の表面の一部に酸化膜を備えた多孔質層が配置され、
前記多孔質層は、導電性高分子を含む導電体層である陰極層を介して前記第２の外部端子と接続されている、
ことを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 前記金属芯材の端面の面積は、前記中央部の断面の面積より１％以上大きいことを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記金属芯材の表面のうち、前記多孔質層が設けられていない部分にレジスト膜が配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記レジスト膜は、ポリイミドおよびエポキシの少なくとも一方を含む樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の固体電解コンデンサ。
- 弁機能を有する柱状の金属芯材を準備する工程と、
前記金属芯材の表面にレジスト膜を配置する工程と、
前記金属芯材の長さ方向において、所定間隔ごとに前記レジスト膜が配置される態様で前記レジスト膜を除去する工程と、
前記金属芯材の表面のうち、前記レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層を化成処理する工程と、
前記化成処理後の前記金属芯材の表面に、導電性高分子を含む材料を塗工して導電性高分子層を形成する工程と、
前記金属芯材を前記レジスト膜が配置されている位置で分割して個片化する工程と、
個片化された個体ごとに、前記金属芯材の両端面に外部端子を設ける工程と、
を備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 弁機能を有する柱状の金属芯材を準備する工程と、
前記金属芯材の表面に、長さ方向において所定間隔ごとにレジスト膜を配置する工程と、
前記金属芯材の表面のうち、前記レジスト膜が配置されていない部分に多孔質層を形成する工程と、
前記多孔質層を化成処理する工程と、
前記化成処理後の前記金属芯材の表面に、導電性高分子を含む材料を塗工して導電性高分子層を形成する工程と、
前記金属芯材を前記レジスト膜が配置されている位置で分割して個片化する工程と、
個片化された個体ごとに、前記金属芯材の両端面に外部端子を設ける工程と、
を備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。 - 前記レジスト膜は、ポリイミドおよびエポキシの少なくとも一方を含む樹脂であることを特徴とする請求項５または６に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
- 前記導電性高分子層の上にカーボン層を形成する工程と、
前記カーボン層の上に銀層を形成する工程と、
をさらに備えることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の固体電解コンデンサの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018045580 | 2018-03-13 | ||
| JP2018045580 | 2018-03-13 | ||
| PCT/JP2019/009092 WO2019176723A1 (ja) | 2018-03-13 | 2019-03-07 | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2019176723A1 true JPWO2019176723A1 (ja) | 2021-03-11 |
| JP7465547B2 JP7465547B2 (ja) | 2024-04-11 |
Family
ID=67907199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020506446A Active JP7465547B2 (ja) | 2018-03-13 | 2019-03-07 | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11270846B2 (ja) |
| EP (1) | EP3767654A4 (ja) |
| JP (1) | JP7465547B2 (ja) |
| CN (2) | CN116759237A (ja) |
| WO (1) | WO2019176723A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021125045A1 (ja) * | 2019-12-18 | 2021-06-24 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
| CN115398577B (zh) * | 2020-04-10 | 2023-09-29 | 株式会社村田制作所 | 电解电容器以及电解电容器的制造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS266076B1 (ja) * | 1950-08-11 | 1951-10-09 | ||
| JPS5175954A (ja) * | 1974-12-26 | 1976-06-30 | New Nippon Electric Co | |
| JPH0684716A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2005340794A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | コンデンサ用電極箔の製造方法、コンデンサ用電極箔、積層型電解コンデンサ及び巻回型電解コンデンサ |
| JP2009105370A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Young Joo Oh | 金属キャパシタ及びその製造方法 |
| JP2010239065A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| WO2017154374A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2017183555A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000082640A (ja) | 1998-09-07 | 2000-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アルミ電解コンデンサおよびその製造方法 |
| CN1950915A (zh) * | 2004-04-27 | 2007-04-18 | 昭和电工株式会社 | 电容器电极箔的制造方法、电容器电极箔、层叠型电解电容器以及缠绕型电解电容器 |
| JP2006005309A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Shinko Electric Ind Co Ltd | キャパシタ装置 |
| JP4739148B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-08-03 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
| JP2009094475A (ja) | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Panasonic Corp | チップ形固体電解コンデンサ |
| JP2009267232A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | コンデンサ及びその製造方法 |
| CN103430261B (zh) * | 2011-04-20 | 2016-08-17 | 株式会社村田制作所 | 固体电解电容器的制造方法以及固体电解电容器 |
| TWI431650B (zh) * | 2011-07-18 | 2014-03-21 | Apaq Technology Co Ltd | 固態電解電容器的製作方法及其固態電解電容器 |
-
2019
- 2019-03-07 WO PCT/JP2019/009092 patent/WO2019176723A1/ja unknown
- 2019-03-07 CN CN202310980523.6A patent/CN116759237A/zh active Pending
- 2019-03-07 JP JP2020506446A patent/JP7465547B2/ja active Active
- 2019-03-07 EP EP19767469.0A patent/EP3767654A4/en active Pending
- 2019-03-07 CN CN201980018782.2A patent/CN111837211B/zh active Active
-
2020
- 2020-09-09 US US17/015,354 patent/US11270846B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS266076B1 (ja) * | 1950-08-11 | 1951-10-09 | ||
| JPS5175954A (ja) * | 1974-12-26 | 1976-06-30 | New Nippon Electric Co | |
| JPH0684716A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| JP2005340794A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-12-08 | Showa Denko Kk | コンデンサ用電極箔の製造方法、コンデンサ用電極箔、積層型電解コンデンサ及び巻回型電解コンデンサ |
| JP2009105370A (ja) * | 2007-10-19 | 2009-05-14 | Young Joo Oh | 金属キャパシタ及びその製造方法 |
| JP2010239065A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
| WO2017154374A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2017183555A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 株式会社村田製作所 | 固体電解コンデンサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11270846B2 (en) | 2022-03-08 |
| WO2019176723A1 (ja) | 2019-09-19 |
| JP7465547B2 (ja) | 2024-04-11 |
| CN116759237A (zh) | 2023-09-15 |
| CN111837211A (zh) | 2020-10-27 |
| US20200402724A1 (en) | 2020-12-24 |
| CN111837211B (zh) | 2023-08-22 |
| EP3767654A1 (en) | 2021-01-20 |
| EP3767654A4 (en) | 2022-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10991515B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| JP6819691B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP3276113B1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| CN100466124C (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
| JP4479050B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP6710085B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| WO2004077466A1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US11270846B2 (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing solid electrolytic capacitor | |
| JP4911611B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4899758B2 (ja) | 固体電解コンデンサ用リードフレーム部材 | |
| JP5571753B2 (ja) | ソケット及び該ソケットを用いたコンデンサ素子製造用治具 | |
| US20240087817A1 (en) | Electrolytic capacitor | |
| JP6925577B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2004088073A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP3168584B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP5642508B2 (ja) | 表面実装薄型コンデンサ | |
| JP2005311014A (ja) | ニオブ固体電解コンデンサ | |
| JP2002289471A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2002367866A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2011258998A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| CN104701021A (zh) | 固体电解电容器 | |
| JPH08316102A (ja) | アルミ固体コンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200910 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20210325 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20210325 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211102 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20211228 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220120 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220607 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220906 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220906 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220929 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20221004 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20221111 |
|
| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20221115 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231225 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240325 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7465547 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |