JPWO2019175708A5

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Publication number: JPWO2019175708A5
Application number: JP2020505554A
Authority: JP
Filing date: 2019-03-05
Publication date: 2022-03-11
Anticipated expiration: 2039-03-05

Claims

半導体層と、第１の絶縁層と、第１の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記半導体層上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層上に設けられ、
前記半導体層は、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層と重なる第１の領域と、前記第１の導電層とは重ならず、前記第１の絶縁層と重なる第２の領域と、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層の両方と重ならない第３の領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の上面及び側面に接する領域と、前記第１の絶縁層の上面及び側面に接する領域と、前記第３の領域の上面及び側面に接する領域と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、第１の元素を含み、
前記第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、及びマグネシウムから選ばれる一以上の元素であり、
前記第１の元素は、酸素と結合した状態で存在する、半導体装置。
半導体層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記半導体層上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層上に設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第１の導電層上に設けられ、
前記半導体層は、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層と重なる第１の領域と、前記第１の導電層とは重ならず、前記第１の絶縁層と重なる第２の領域と、前記第２の絶縁層と接する第３の領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の上面及び側面に接する領域と、前記第１の絶縁層の上面及び側面に接する領域と、前記第３の領域の上面及び側面に接する領域と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも水素を多く含み、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、第１の元素を含み、
前記第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、及びマグネシウムから選ばれる一以上の元素であり、
前記第１の元素は、酸素と結合した状態で存在する、半導体装置。
半導体層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、第１の導電層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記半導体層上に設けられ、
前記第１の導電層は、前記第１の絶縁層上に設けられ、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第１の導電層上に設けられ、
前記半導体層は、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層と重なる第１の領域と、前記第１の導電層とは重ならず、前記第１の絶縁層と重なる第２の領域と、前記第２の絶縁層と接する第３の領域と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記第１の導電層の上面及び側面に接する領域と、前記第１の絶縁層の上面及び側面に接する領域と、前記第３の領域の上面及び側面に接する領域と、を有し、
前記半導体層は、金属酸化物を含み、
前記第２の絶縁層は、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、クロム、またはルテニウムから選ばれる一以上の元素と、窒素とを含み、
前記第２の領域及び前記第３の領域は、第１の元素を含み、
前記第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、及びマグネシウムから選ばれる一以上の元素であり、
前記第１の元素は、酸素と結合した状態で存在する、半導体装置。
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層及び前記第１の領域と重なる第４の領域と、前記第２の領域と重なる第５の領域と、を有し、
前記第５の領域は、前記第１の元素を含み、
前記第５の領域において、前記第１の元素は、酸素と結合した状態で存在する、半導体装置。
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、酸化物を含む、半導体装置。
請求項２乃至４のいずれか一において、
前記第２の絶縁層は、窒化物を含む、半導体装置。
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層の側面よりも突出した部分を有し、
平面視において、前記第１の導電層の端部は、前記第１の絶縁層の端部よりも内側に位置する、半導体装置。
請求項１乃至７のいずれか一において、
第２の導電層と、第３の絶縁層と、をさらに有し、
前記第３の絶縁層は、前記第２の導電層を覆って設けられ、
前記半導体層は、前記第３の絶縁層上に設けられ、
前記第２の導電層は、前記第３の絶縁層を介して前記半導体層、前記第１の絶縁層、及び前記第１の導電層と重畳する部分を有する、半導体装置。
金属酸化物を含む半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に、酸化物を含む第１の絶縁膜と、第１の導電膜とを形成する第２の工程と、
前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜をエッチングして、第１の導電層と、当該第１の導電層の側面よりも突出した部分を有する第１の絶縁層とを形成すると共に、前記半導体層の、前記第１の絶縁層に覆われない部分を形成する第３の工程と、
前記第１の導電層をマスクとして、前記第１の絶縁層及び前記半導体層中に第１の元素を供給する第４の工程と、
前記半導体層の、前記第１の絶縁層に覆われない部分に接して、水素を含む第２の絶縁層をプラズマＣＶＤ法により成膜し、加熱処理を行なって水素を供給する第５の工程と、を有し、
前記第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、またはマグネシウムである、半導体装置の作製方法。
請求項９において、
前記第４の工程において、
前記第１の元素は、プラズマイオンドーピング法またはイオン注入法を用いて供給される、半導体装置の作製方法。
金属酸化物を含む半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に、酸化物を含む第１の絶縁膜と、第１の導電膜とを形成する第２の工程と、
前記第１の導電膜及び前記第１の絶縁膜をエッチングして、第１の導電層と、当該第１の導電層の側面よりも突出した部分を有する第１の絶縁層とを形成すると共に、前記半導体層の、前記第１の絶縁層に覆われない部分を形成する第３の工程と、
前記第１の導電層をマスクとして、前記第１の絶縁層及び前記半導体層中に第１の元素を供給する第４の工程と、
前記半導体層の、前記第１の絶縁層に覆われない部分に接して、第１の層を形成した後に、加熱処理を行なう第５の工程と、を有し、
前記第１の元素は、ホウ素、リン、アルミニウム、またはマグネシウムであり、
前記第１の層は、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、クロム、またはルテニウムから選ばれる一以上の元素と、窒素とを含む、半導体装置の作製方法。
請求項１１において、
前記第４の工程において、
前記第１の元素は、プラズマイオンドーピング法またはイオン注入法を用いて供給される、半導体装置の作製方法。
請求項１１または１２において、
前記加熱処理は、窒素を含む雰囲気下において、２００℃以上４５０℃以下の温度で行う、半導体装置の作製方法。