JPWO2019171488A1 - 電磁波センサ - Google Patents
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Abstract
電磁波センサ1は第1の基板2と、第1の基板2と対向して位置し、第1の基板2との間に内部空間7を形成する、赤外線を透過する第2の基板3と、内部空間7に設けられ、第2の基板3に支持された複数のボロメータ膜8と、第1の基板2に形成された局所熱源9と、第1の基板2を第2の基板3に接続する第1の電気接続部材5と、第2の基板3上または第2の基板3内を延び、第1の電気接続部材5をボロメータ膜8に接続するリード10と、を有している。
Description
2 第1の基板
3 第2の基板
4 側壁
5 第1の電気接続部材
5a 第1の行電気接続部材
5b 第1の列電気接続部材
6 第2の電気接続部材
6a 第2の行電気接続部材
6b 第2の列電気接続部材
7 内部空間
8 ボロメータ膜
9 局所熱源
10 リード
10a 行リード
10b 列リード
11 選択トランジスタ
12 輻射シールド
13 支持部材
14 第1の反射防止膜
15 第2の反射防止膜
16 熱拡散板
17 ゲッタ膜
21 反射膜
31 フィルタ膜
41 第1の凸状領域
43 第2の凸状領域
51 ブラインドセル
53 赤外線遮蔽部
61 コンデンサ
X 第1の方向
Y 第2の方向
Z 第3の方向
図1は本発明の第1の実施形態の赤外線センサ1の概略側面図、図2は図1の赤外線センサ1のボロメータ膜8とリード10と第1及び第2の電気接続部材5,6だけを示す、Z方向上方から見た平面図である。図3は図1の赤外線センサ1の分解斜視図であり、第1の基板2と第2の基板3を離して示している。赤外線センサ1は、第1の基板2と、第1の基板2に対向して位置する第2の基板3と、第1の基板2と第2の基板3とを接続する側壁4と、を有している。第1の基板2と第2の基板3と側壁4は密閉された内部空間7を形成しており、内部空間7は負圧ないしは真空にされている。これによって、内部空間7での気体の対流が防止または抑制され、ボロメータ膜8への熱的影響を軽減することができる。内部空間7は大気圧とすることもできる。この場合ボロメータ膜8への熱的影響は増加するが、本発明の効果を得ることは可能である。
図5は本発明の第2の実施形態の赤外線センサ1の概略側面図である。ここでは主に第1の実施形態との違いを説明する。説明を省略した構成及び効果については第1の実施形態と同様である。赤外線センサ1は、ボロメータ膜8の第1の基板2と対向する面8aに形成された反射膜21を有している。第2の基板3の窓領域3cから入射した赤外線はボロメータ膜8で吸収されるが、一部の赤外線はボロメータ膜8を透過する。反射膜21は透過した赤外線を反射し、ボロメータ膜8に裏側から入射させる。これによって赤外線の入射効率を高めることができる。反射膜21と第2の基板3との間隔は入射される赤外線の波長λの1/4程度、すなわち2〜3.5μm程度が好ましく、赤外線の入射効率が最大となる2.5〜3.0μm程度がさらに好ましい。このため、入射する赤外線と反射する赤外線の干渉が避けられ赤外線を効率的にボロメータ膜8に取り込むことができる。後述するように、ボロメータ膜8は第2の基板3と同一のウエハ工程で作成されるため、ボロメータ膜8と第2の基板3のZ方向の間隔は精密に制御できる。従って、ボロメータ膜8に積層される反射膜21と第2の基板3との間隔も同様に精密に制御できる。
図6は本発明の第3の実施形態の赤外線センサ1の図2と同様の平面図である。ここでは主に第1の実施形態との違いを説明する。説明を省略した構成及び効果については第1の実施形態と同様である。ボロメータ膜8は第1の実施形態と同様、行Rと列Cからなるアレイをなしている。本実施形態では、複数の行リード10aの行Rにそれぞれ接続される複数の第1の行電気接続部材5aの一部が行Rの一端側に位置し、他の第1の行電気接続部材5aが行Rの他端側に位置している。複数の第1の行電気接続部材5aは複数の行Rの一端側と他端側とに交互に位置している。同様に、複数の列リード10bの列Cにそれぞれ接続される複数の第1の列電気接続部材5bの一部が列Cの一端側に位置し、他の第1の列電気接続部材5bが列Cの他端側に位置している。複数の第1の列電気接続部材5bは複数の列Cの一端側と他端側とに交互に位置している。前述したとおり、第1の電気接続部材5は第2の電気接続部材6より断面積が大きい。このため、ボロメータ膜8の大きさ(間隔)によっては第1の電気接続部材5が十分な断面積を確保できない可能性がある。十分な断面積を確保するためにボロメータ膜8の間隔を広げると、赤外線センサ1のサイズが増加する可能性がある。本実施形態では、複数の第1の電気接続部材5a(5b)が、リード10a(10b)の複数の行R(列C)の一端側と他端側とに一つおきに配置されるため、2つの行R(列C)の領域に一つの第1の電気接続部材5a(5b)を設置することが可能である。このため、第1の電気接続部材5の設置領域が実質的に2倍になる。従って、本実施形態では、第1の電気接続部材5の十分な断面積を確保しつつ、赤外線センサ1のサイズの増加を抑制することができる。
図8は本発明の第4の実施形態の赤外線センサ1の概略側面図である。ここでは主に第1の実施形態との違いを説明する。説明を省略した構成及び効果については第1の実施形態と同様である。本実施形態では第2の基板3の外側表面に、選択トランジスタ11のエネルギーバンドギャップより大きいエネルギーを持つ波長の光を減衰させまたは遮断するフィルタ膜31が形成されている。第2の基板3が選択トランジスタ11のエネルギーバンドギャップより大きなエネルギーを持つ光を受けると、第2の基板3に形成されている選択トランジスタ11が誤動作する可能性がある。フィルタ膜31はこのような光を遮断し、または透過を抑制し、選択トランジスタ11の誤作動を起こりにくくする。フィルタ膜31は第2の基板3の側面に形成してもよい。フィルタ膜31は第2の基板3の一部として形成してもよい。フィルタ膜31は例えばGe,Si,カルコゲナイド,YF,ZnS,ZnSeなどから形成することができる。フィルタ膜31は第1の反射防止膜14の一部として形成してもよい。
図9は本発明の第5の実施形態の赤外線センサ1の第2の基板3の付近の概略側面図である。ここでは主に第1の実施形態との違いを説明する。説明を省略した構成及び効果については第1の実施形態と同様である。第2の基板3の外側表面は第1の凸状領域41がアレイ状に配列したマイクロレンズ構造を有している。各第1の凸状領域41は対応するボロメータ膜8と対向する位置に形成されている。第1の凸状領域41は微小な凸レンズであり、各ボロメータ膜8の実効開口径Deffを増加させる(図1と比較されたい)。第2の基板3が平板である場合、窓領域3cはリード10(行リード10a及び列リード10b)や選択トランジスタ11が設置されていない領域の大きさで決まる。換言すれば、ボロメータ膜8の受光部の大きさはリード10や選択トランジスタ11の設置スペースで制約される。これに対し、第2の基板3にマイクロレンズ構造を採用した本実施形態では、リード10や選択トランジスタ11と対向する領域、つまりボロメータ膜8が設置されていない領域から入射する赤外線もボロメータ膜8に取り込むことができ、赤外線の受光効率を高めることができる。
図11Aは本発明の第6の実施形態の赤外線センサ1の概略側面図である。ここでは主に第1の実施形態との違いを説明する。説明を省略した構成及び効果については第1の実施形態と同様である。赤外線センサ1は、アクティブセル52であるボロメータ膜8の出力の温度補正を行うためのブラインドセル51を有している。ブラインドセル51はアクティブセル52であるボロメータ膜8と同様の構成を有し、アクティブセル52と同様の態様で第2の基板3に支持されている。ブラインドセル51は周辺構造物、例えば第1の基板2や第2の基板3からアクティブセル52と同様の輻射を受けるが、外部からの赤外線の輻射を受けない。このため、ブラインドセル51は、外部からの赤外線の輻射以外の要因で発生するバックグランドノイズを取り除くための校正用セルとして用いられる。このため、ブラインドセル51は外部からの赤外線の輻射を受けないように構成されることが必要である。本実施形態では、第2の基板3のブラインドセル51と対向する領域に赤外線遮蔽部53が形成されている。図11Bの比較例に示すように、従来のブラインドセル161は第1の基板2に形成された遮蔽部164で覆われている。しかしながら、このような遮蔽部164は製造プロセスが複雑であり、製造コスト増加の要因となっている。本実施形態では、第2の基板3の製造工程の中で赤外線遮蔽部53を容易に作成することができるため、製造コストへの影響が抑えられる。
図12は本発明の第7の実施形態の赤外線センサ1の概略側面図である。ここでは主に第1の実施形態との違いを説明する。説明を省略した構成及び効果については第1の実施形態と同様である。第2の電気接続部材6はコンデンサ61を有している。具体的には、コンデンサ61は第2の行電気接続部材6a及び第2の列電気接続部材6bに挿入され、第2の行電気接続部材6a及び第2の列電気接続部材6bをZ方向に分断している。第2の電気接続部材6a,6bはセンス電流を供給するため、導電性の材料で形成されている。このため熱伝導率も絶縁材料より高く、リード10a,10bを伝達してくる熱をボロメータ膜8に伝える可能性がある。本実施形態ではコンデンサ61が熱伝導を遮断または抑制するため、リード10a,10bからの熱がボロメータ膜8に伝わりにくくなる。なお、本実施形態ではセンス電流は交流で供給されるため、ボロメータ膜8の状態は電界の変化として出力される。コンデンサ61は第2の行電気接続部材6aと第2の列電気接続部材6bの双方に設けられるが、いずれか一方のみに設けることもできる。
次に、図13、14A〜14Jを参照して本発明の赤外線センサ1の製造方法の一例を示す。赤外線センサ1はウエハプロセスによって製造されるため、以下の説明において、第1の基板2、第2の基板3、シリコン基板3aはウエハを意味する。図13は赤外線センサ1の製造方法の概略フローを示している。本発明の赤外線センサ1は第1の基板2にROIC等を形成する工程1と、第2の基板3にボロメータ膜8等を形成する工程2と、第1の基板2と第2の基板3を貼り合わせる工程3と、によって製造される。工程3は真空雰囲気中で行われる。第1の基板2の製造工程は特に説明を要しないため、詳細は割愛する。以下では主に第2の基板3にボロメータ膜8等を形成する工程を説明する。
Claims (22)
- 第1の基板と、
前記第1の基板と対向して位置し、前記第1の基板との間に 内部空間を形成する、赤外線を透過する第2の基板と、
前記内部空間に設けられ、前記第2の基板に支持された複数のボロメータ膜と、
前記第1の基板に形成された局所熱源と、
前記第1の基板を前記第2の基板に接続する第1の電気接続部材と、
前記第2の基板上または前記第2の基板内を延び、前記第1の電気接続部材を前記ボロメータ膜に接続するリードと、を有する電磁波センサ。 - 前記第2の基板から前記第1の基板に向けて延びる第2の電気接続部材を有し、前記ボロメータ膜は、前記第2の電気接続部材によって、前記第2の基板から間隔をおいて支持されている、請求項1に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の電気接続部材はコンデンサを有している、請求項2に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板に形成され、前記複数のボロメータ膜から一つのボロメータ膜を選択する複数の選択トランジスタを有している、請求項1から3のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記選択トランジスタは前記第2の基板の前記ボロメータ膜と対向する領域を避けて配置されている、請求項4に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板の外側表面に形成され、前記選択トランジスタのエネルギーバンドギャップよりエネルギーが大きい光を減衰させるフィルタ膜を有している、請求項4または5に記載の電磁波センサ。
- 前記複数のボロメータ膜は少なくとも第1の方向に一定の間隔で行をなして配列され、前記第1の電気接続部材は前記複数のボロメータ膜の前記行の一端側または他端側に位置し、前記第1の電気接続部材に最も近接する前記ボロメータ膜と前記第1の電気接続部材とを接続する前記リードの長さは前記間隔より長い、請求項1から6のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記複数のボロメータ膜は、複数の前記行と、前記第1の方向と交差する第2の方向に一定の間隔で配列された前記複数のボロメータ膜の複数の列と、からなるアレイをなしており、複数の前記第1の電気接続部材の一部が前記複数の行の一端側と他端側に交互に位置し、前記複数の第1の電気接続部材の残りが前記複数の列の一端側と他端側に交互に位置している、請求項7に記載の電磁波センサ。
- 前記行の前記一端側に位置する複数の前記第1の電気接続部材と、前記行の前記他端側に位置する複数の前記第1の電気接続部材の少なくとも一方は、前記第1の方向に関し相互にずらされている、請求項8に記載の電磁波センサ。
- 前記列の前記一端側に位置する複数の前記第1の電気接続部材と、前記列の前記他端側に位置する複数の前記第1の電気接続部材の少なくとも一方は、前記第2の方向に関し相互にずらされている、請求項8または9に記載の電磁波センサ。
- 前記ボロメータ膜と前記第1の基板との間に位置し、前記第1の基板からの輻射を減衰させる第1の輻射シールドを有している、請求項1から10のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板から前記第1の基板に向けて延びる支持部材を有し、前記第1の輻射シールドは前記支持部材によって支持されている、請求項11に記載の電磁波センサ。
- 前記第1の輻射シールドの前記ボロメータ膜と対向する面は赤外線を反射する反射面となっており、前記反射面と前記ボロメータ膜との間隔は2〜3.5μmである、請求項11または12に記載の電磁波センサ。
- 前記内部空間に位置するゲッタ膜を有している、請求項1から13のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板の外側表面の少なくとも一部を形成する第1の反射防止膜を有している、請求項1から14のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板の内側表面の少なくとも一部を形成する第2の反射防止膜を有している、請求項1から15のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の反射防止膜は複数の絶縁膜の積層膜からなり、前記リードは前記積層膜の内部に位置している、請求項16に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板の外側表面の前記ボロメータ膜と対向する領域に第1の凸状領域が形成されている、請求項1から17のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記第2の基板の前記外側表面の前記ボロメータ膜と対向しない領域に前記第1の凸状領域より外側に突き出た第2の凸状領域が形成されている、請求項18に記載の電磁波センサ。
- 前記ボロメータ膜からの出力の温度補正を行うためのブラインドセルと、前記第2の基板の前記ブラインドセルと対向する領域に形成された電磁波遮蔽部と、を有している、請求項1から19のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
- 前記ブラインドセルと前記第1の基板との間に第1の基板からの輻射を抑制する第2の輻射シールドが配置されている、請求項20に記載の電磁波センサ。
- 前記第1の基板の前記複数のボロメータ膜と対向する領域に形成され、前記第1の基板より熱伝導率の高い熱拡散板を有している、請求項1から21のいずれか1項に記載の電磁波センサ。
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