CN114964513A - 热敏电阻元件及电磁波传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明的热敏电阻元件具备：热敏电阻膜；一对第一电极，与热敏电阻膜的一面接触地设置；绝缘膜，设置于一对第一电极的与热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和至少一个以上的开口部，位于在俯视时与一对第一电极分别重叠的区域内，贯通绝缘膜，第一电极具有：位于在俯视时与开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及第一部分和第二部分之间，与热敏电阻膜的一面接触而设置。
Description
技术领域
本发明涉及热敏电阻元件及电磁波传感器。
背景技术
例如有使用了热敏电阻元件的温度传感器(例如，参照下述专利文献1。)。另外，有使用了热敏电阻元件的电磁波传感器(例如，参照下述专利文献2。)。
热敏电阻元件具有的热敏电阻膜根据热敏电阻膜的温度变化而变化。在电磁波传感器中，入射到热敏电阻膜的红外线(电磁波)被热敏电阻膜或热敏电阻膜周围的材料吸收，从而热敏电阻膜的温度发生变化。由此，热敏电阻元件检测红外线(电磁波)。
在此，根据斯特藩＝玻尔兹曼法则，在测定对象的温度和从该测定对象通过热辐射放出的红外线(辐射热)之间存在相关关系。因此，通过使用热敏电阻元件检测从测定对象释放的红外线，可以通过非接触来测定测定对象的温度。
另外，这样的热敏电阻元件通过呈阵列状排列有多个，被应用于二维地检测(拍摄)测定对象的温度分布的红外线拍摄元件(红外线图像传感器)等电磁波传感器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-156274号公报
专利文献2：国际公开第2019/171488号
发明内容
发明所要解决的问题
但是，作为上述的热敏电阻元件的元件结构，有在热敏电阻膜的面内方向流通电流的CIP(Current-In-Plane)结构、和在热敏电阻膜的法线方向上流通电流的CPP(Current-Perpendicular-to-Plane)结构。
其中，在CIP结构中，热敏电阻膜的电阻值变高。另一方面，在CPP结构中，热敏电阻膜可以比CIP结构低电阻化。
但是，例如，在上述专利文献1所记载的热敏电阻元件中，电极通过贯通绝缘膜的开口部与热敏电阻膜接触。该情况下，不能充分取得电极和热敏电阻膜的接触面积，在可靠性方面存在问题。
本发明是鉴于这种现有的情况而提出的，其目的在于，提供能够增大电极和热敏电阻膜的接触面积的热敏电阻元件、以及通过具备这样的热敏电阻元件而能够提高可靠性的电磁波传感器。
用于解决问题的技术方案
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案。
[1]一种热敏电阻元件，其特征在于，
具备：
热敏电阻膜；
一对第一电极，与所述热敏电阻膜的一面接触地设置；
绝缘膜，设置于所述一对第一电极的与所述热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和
至少一个以上的开口部，位于在俯视时与所述一对第一电极分别重叠的区域内，贯通所述绝缘膜，
所述第一电极具有：位于在俯视时与所述开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与所述开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及所述第一部分和所述第二部分之间，与所述热敏电阻膜的所述一面接触而设置。
[2]根据上述[1]所述的热敏电阻元件，其特征在于，
具备：配线层，与所述第一电极电连接，
所述配线层与所述第一部分接触而设置。
[3]根据上述[2]所述的热敏电阻元件，其特征在于，
所述配线层由选自铝、钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、氮化铬及氮化锆中的至少一种构成。
[4]根据上述[1]～[3]中任一项所述的热敏电阻元件，其特征在于，
具备：第二电极，与所述热敏电阻膜的另一面接触地设置。
[5]根据上述[1]～[4]中任一项所述的热敏电阻元件，其特征在于，
在俯视时，所述开口部的面积小于所述第二部分的面积。
[6]一种电磁波传感器，其特征在于，
具备上述[1]～[5]中任一项所述的热敏电阻元件。
[7]根据权利要求[6]所述的电磁波传感器，其特征在于，
所述热敏电阻元件呈阵列状排列有多个。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种能够增大电极和热敏电阻膜的接触面积的热敏电阻元件、以及通过具备这种热敏电阻元件而能够提高可靠性的电磁波传感器。
附图说明
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的电磁波传感器的结构的俯视图。
图2是表示图1所示的电磁波传感器的结构的分解立体图。
图3是表示图1所示的电磁波传感器的结构的截面图。
图4是表示电磁波传感器所具备的热敏电阻元件的结构的俯视图。
图5是由图4中所示线段A-A截取的热敏电阻元件的截面图。
图6A～图6C是表示开口部的变形例的俯视图。
图7是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图8是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图9是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图10是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图11是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图12是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图13是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图14是用于依次说明图4所示的热敏电阻元件的制造工序的截面图。
图15是表示热敏电阻元件的另一结构的截面图。
图16是表示热敏电阻元件的另一结构的截面图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。
另外，在以下说明中使用的附图中，为了容易观察各构成要素，有时根据构成要素使尺寸的比例尺不同而进行表示，不限于各构成要素的尺寸比例等与实际相同。另外，以下的说明中例示的材料等是一例，本发明未必限定于此，能够在不变更其主旨的范围内适当地变更来实施。
另外，在以下所示的附图中，设定XYZ正交坐标系，将X轴方向设为电磁波传感器的特定的面内的第一方向X，将Y轴方向设为在电磁波传感器的特定的面内与第一方向X正交的第二方向Y，将Z轴方向设为与电磁波传感器的特定的面内正交的第三方向Z来分别表示。
〔电磁波传感器〕
首先，作为本发明的一个实施方式，例如对图1～图3所示的电磁波传感器1进行说明。
此外，图1是表示电磁波传感器1的结构的俯视图。图2是表示电磁波传感器1的结构的分解立体图。图3是表示电磁波传感器1的结构的截面图。
本实施方式的电磁波传感器1是在通过检测从测定对象放出的红外线(电磁波)而二维地检测(拍摄)该测定对象的温度分布的红外线拍摄元件(红外线图像传感器)中应用了本发明的电磁波传感器。
红外线是波长为0.75μm以上、1000μm以下的电磁波。红外线图像传感器作为红外线照相机除了被用于室内或室外的暗视等之外，还作为非接触式的温度传感器被用于人或物体的温度测定等。
具体而言，如图1～图3所示，该电磁波传感器1具备相互相对地配置的第一基板2及第二基板3、和配置在这些第一基板2和第二基板3之间的多个热敏电阻元件4。
第一基板2及第二基板3由相对于具有某特定波长的电磁波(在本实施方式中为波长8～14μm的长波长红外线(以下称为“红外线”。)IR具有透射性的硅基板构成。另外，作为相对于红外线IR具有透射性的基板，可以使用锗基板等。
第一基板2及第二基板3通过将相互相对的面的周围用密封材料(未图示。)密封，在其间构成密闭的内部空间K。另外，内部空间K被减压为高真空。由此，在电磁波传感器1中，抑制内部空间K中的对流产生的热的影响，排除了从测定对象放出的红外线IR以外的热对热敏电阻元件4的影响。
此外，本实施方式的电磁波传感器1未必限定于对上述密闭的内部空间K进行减压的结构，也可以是具有在大气压下密闭或开放的内部空间K的结构。
热敏电阻元件4具备检测红外线IR的热敏电阻膜5、与热敏电阻膜5的一面接触地设置的一对第一电极6a、6b、与热敏电阻膜5的另一面接触地设置的第二电极6c、以及覆盖热敏电阻膜5的绝缘膜7a、7b、7c，具有在热敏电阻膜5的法线方向上流通电流的CPP(Current-Perpendicular-to-Plane)结构。绝缘膜7b设置在与一对第一电极6a、6b的热敏电阻膜5接触的一侧相反侧。
即，在该热敏电阻元件4中，能够从一个第一电极6a朝向第二电极6c在热敏电阻膜5的法线方向上流通电流，并且从第二电极6c朝向另一个第一电极6b在热敏电阻膜5的法线方向上流通电流。
作为热敏电阻膜5，可以使用例如氧化钒、非晶硅、多晶硅、含有锰的尖晶石型晶体结构的氧化物、氧化钛、或钇-钡-氧化铜等。
作为第一电极6a、6b及第二电极6c，可以使用例如铂(Pt)、金(Au)、钯(Pd)、钌(Ru)、银(Ag)、镭(Rh)、铱(Ir)、铯(Os)等的导电膜。
作为绝缘膜7a、7b、7c，可以使用例如氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化钽、氧化铌、氧化铪、氧化锆、氧化锗、氧化钇、氧化钨、氧化铋、氧化钙、氮氧化铝、氮氧化硅、镁铝氧化物、硼化硅、氮化硼或赛隆(硅和铝的氮氧化物)等。
绝缘膜7a、7b、7c只要是被设置为至少覆盖热敏电阻膜5的至少一部分的结构即可。在本实施方式中，设置绝缘膜7a、7b、7c以覆盖热敏电阻膜5的两面。
多个热敏电阻元件4以在俯视时彼此相同的大小形成。另外，多个热敏电阻元件4在与第一基板2及第二基板3平行的面内(以下称为“特定的面内”。)呈阵列状排列。即，这些多个热敏电阻元件4在特定的面内相互交叉(在本实施方式中为正交)的第一方向X和第二方向Y上呈矩阵状排列配置。
另外，各热敏电阻元件4以第一方向X为行方向，以第二方向Y为列方向，在第一方向X上以一定的间隔排列配置，并且在第二方向Y上以一定的间隔排列配置。
此外，作为上述热敏电阻元件4的矩阵数，可举出例如640行×480列、1024行×768列等，但未必限定于这些矩阵数，可以适当地变更。
在第一基板2侧设置有第一绝缘体层8、与后述的电路部15电连接的配线部9、以及将各热敏电阻元件4和配线部9之间电连接的第一连接部10。
第一绝缘体层8由在第一基板2的一面(与第二基板3相对的面)侧层叠的绝缘膜构成。作为绝缘膜，可以使用例如氮化铝、氮化硅、氧化铝、氧化硅、氧化镁、氧化钽、氧化铌、氧化铪、氧化锆、氧化锗、氧化钇、氧化钨、氧化铋、氧化钙、氮氧化铝、氮氧化硅、镁铝氧化物、硼化硅、氮化硼或赛隆(硅和铝的氮氧化物)等。
配线部9具有多个第一引线9a和多个第二引线9b。第一引线9a及第二引线9b由例如铜或金等导电膜构成。
多个第一引线9a和多个第二引线9b被配置成位于在第一绝缘体层8的第三方向Z上不同的层内且立体地交叉。其中，多个第一引线9a在第一方向X上延伸，且在第二方向Y上以一定的间隔排列设置。另一方面，多个第二引线9b在第二方向Y上延伸，且在第一方向X上以一定的间隔排列设置。
各热敏电阻元件4在俯视时对由多个第一引线9a和多个第二引线9b划分的每个区域设置。在各热敏电阻膜5和第一基板2的厚度方向上相对的区域(在俯视时重叠的区域)，在第一基板2和热敏电阻膜5之间存在使红外线IR透过的窗部W。
第一连接部10具有对应于多个热敏电阻元件4中的各个而设置的一对第一连接构件11a、11b。另外，一对第一连接构件11a、11b具有一对臂部12a、12b和一对腿部13a、13b。
各臂部12a、12b例如由选自铝、钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、氮化铬及氮化锆中的至少一种构成。各臂部12a、12b是与第一电极6a或第一电极6b电连接的配线层，由在俯视时沿着热敏电阻膜5的周围形成的折弯线状的导体图案和形成于在俯视时与热敏电阻膜5重叠的位置且与一个第一电极6a或另一个第一电极6b连接的导体部形成。各腿部13a、13b作为与第一引线9a或第二引线9b电连接的接触插头，通过镀敷例如铜、金、FeCoNi合金或NiFe合金(坡莫合金)等，由向第三方向Z延伸形成的截面圆形状的导体柱形成。
一个第一连接构件11a具有与一个第一电极6a电连接的一个臂部12a、和将该一个臂部12a与第一引线9a之间电连接的一个腿部13a，并将一个第一电极6a和第一引线9a之间电连接。
另一个第一连接构件11b具有与另一个第一电极6b电连接的另一个臂部12b、和将该另一个臂部12c与第二引线9b之间电连接的另一个腿部13b，并将另一个第一电极6b和第二引线9b之间电连接。
由此，热敏电阻元件4以通过位于其面内的对角方向的一对第一连接构件11a、11b向第三方向Z悬吊的状态被支撑。另外，在热敏电阻元件4和第一绝缘体层8之间设置有空间G。
在第一基板2的一面(与第二基板3相对的面)侧设置有省略图示的用于从多个热敏电阻元件4中选择一个热敏电阻元件4的多个选择用晶体管(未图示。)。多个选择用晶体管被设置在第一基板2的与多个热敏电阻元件4中的各个对应的位置。另外，各选择用晶体管为了防止红外线IR的漫反射及入射效率的降低，被设置在避开上述的窗部W的位置。
在第二基板3侧设置有第二绝缘体层14、检测从热敏电阻元件4输出的电压的变化并转换为亮度温度的电路部15、以及将各热敏电阻元件4和电路部15之间电连接的第二连接部16。
第二绝缘体层14由在第二基板3的一面(与第一基板2相对的面)侧层叠的绝缘膜构成。作为绝缘膜，可以使用与上述第一绝缘体层8中示例的绝缘膜相同的绝缘膜。
电路构件15由读取集成电路(ROIC：Read Out Integrated Circuit)、调节器、A/D转换器(Analog-to-Digital Converter)、多路复用器等构成，且设置在第二绝缘体层14的层内。
另外，在第二绝缘体层14的面上设置有与多个第一引线9a及多个第二引线9b中的各个对应的多个连接端子17a、17b。连接端子17a、17b由例如铜或金等的导电膜构成。
一个连接端子17a位于围绕电路部15的周围的第一方向X的一侧的区域，在第二方向Y上以一定的间隔排列设置。另一个连接端子17b位于围绕电路部15的周围的第二方向Y的一侧的区域，在第一方向X上以一定的间隔排列设置。
第二连接部16具有与多个第一引线9a及多个第二引线9b分别对应地设置的多个第二连接构件18a、18b。多个第二连接构件18a、18b通过例如镀铜或金等，由向第三方向Z延伸而形成的截面圆形状的导体柱构成。
一个第二连接构件18a将第一引线9a的一端侧和一个连接端子17a之间电连接。另一个第二连接构件18b将第二引线9b的一端侧和另一个连接端子17b之间电连接。由此，多个第一引线9a和电路部15之间经由一个第二连接构件18a和一个连接端子17a电连接。另外，多个第二引线9b和电路部15之间经由另一个第二连接构件18b及另一个连接端子17b电连接。
在具有上述结构的本实施方式的电磁波传感器1中，从测定对象放出的红外线IR从第一基板2侧通过窗部W入射到热敏电阻元件4。
在热敏电阻元件4中，入射到形成于热敏电阻膜5附近的绝缘膜7a、7b、7c的红外线IR被绝缘膜7a、7b、7c吸收、以及入射到热敏电阻膜5的红外线IR被热敏电阻膜5吸收，从而热敏电阻膜5的温度发生变化。另外，在热敏电阻元件4中，由于该热敏电阻膜5的电阻相对于热敏电阻膜5的温度变化而变化，从而一对第一电极6a、6b之间的输出电压发生变化。在本实施方式的电磁波传感器1中，热敏电阻元件4作为辐射热计元件起作用。
在本实施方式的电磁波传感器1中，在通过多个热敏电阻元件4平面地检测从测定对象放出的红外线IR之后，将从各热敏电阻元件4输出的电信号(电压信号)变换为亮度温度，由此可以二维地检测(拍摄)测定对象的温度分布(温度图像)。
此外，在热敏电阻元件4中，在将恒压施加于热敏电阻膜5时，还可以相对于该热敏电阻膜5的温度变化检测流向热敏电阻膜5的电流的变化，将其转换为亮度温度。
〔热敏电阻元件〕
接着，作为本发明的一个实施方式，例如对图4以及图5所示的热敏电阻元件4进行说明。
此外，图4是表示热敏电阻元件4的结构的俯视图。图5是由图4所示的线段A-A截取的热敏电阻元件4的截面图。
如图4及图5所示，本实施方式的热敏电阻元件4具有具备热敏电阻膜5、与热敏电阻膜5的一面(图5中为下表面)接触地设置的一对第一电极6a、6b、以及与热敏电阻膜5的另一面(图5中为上表面)接触地设置的第二电极6c的CPP结构。
在本实施方式的热敏电阻元件4中，例如，作为热敏电阻膜5，使用包含钴、锰、镍的尖晶石型晶体结构的氧化物(以下称为“Co-Mn-Ni氧化物”。)，作为第一电极6a、6b及第二电极6c，使用铂(Pt)。该热敏电阻元件4是电阻随着被称为NTC(Negative TemperatureCoefficient)的温度上升而降低的元件。
在具有上述结构的本实施方式的热敏电阻元件4中，可以从一个第一电极6a朝向第二电极6c在热敏电阻膜5的法线方向上流通电流，并且可以从第二电极6c朝向另一个第一电极6b在热敏电阻膜5的法线方向上流通电流。
CPP结构中的热敏电阻膜5的电阻值取决于该热敏电阻膜5的厚度、第一电极6a、6b与第二电极6c的相对面积的大小。因此，通过采用上述的CPP结构，能够实现热敏电阻膜5的低电阻化。
但是，在本实施方式的热敏电阻元件4中，设置有一对开口部20a、20b，其位于在俯视时与一对第一电极6a、6b分别重叠的区域内，在与成为配线层的臂部12a、12b之间贯通绝缘膜7b。具体而言，在本实施方式中，在俯视时与第一电极6a、6b分别重叠的区域内的大致中央部分别设置有矩形形状的开口部20a、20b。
第一电极6a、6b具有位于在俯视时与该开口部20a、20b重叠的区域内的第一部分61和位于在俯视时与开口部20a、20b重叠的区域外的第二部分62。在第一电极6a、6b中的各个中，第一部分61和第二部分62被电连接。由此，第一电极6a、6b遍及第一部分61和第二部分62之间，与热敏电阻膜5的一面接触而设置。
由此，在本实施方式的热敏电阻元件4中，能够增大第一电极6a、6b和热敏电阻膜5的接触面积，且可以提高热敏电阻元件4的可靠性。另外，在本实施方式的CPP结构即热敏电阻元件4中，由于能够增大第一电极6a、6b和第二电极6c的相对面积，所以能够防止一个第一电极6a和第二电极6c之间的热敏电阻膜5的电阻值、及第二电极6c和另一个第一电极6b之间的热敏电阻膜5的电阻值变得过大。
另外，在本实施方式的热敏电阻元件4中，各臂部12a、12b(配线层)与各第一电极6a、6b的第一部分61接触。另一方面，各第一电极6a、6b的第二部分62夹在设置于各臂部12a、12b(配线层)之上的绝缘膜7b和热敏电阻膜5的一面之间。
另外，在本实施方式的热敏电阻元件4中，如图4所示，在俯视时，开口部20a、20b(第一部分61)的面积小于第二部分62的面积。热敏电阻膜5中在俯视时与开口部20a、20b重叠的部分有膜质变差的倾向，但在本实施方式的热敏电阻元件4中，由于在俯视时，开口部20a、20b(第一部分61)的面积小于第二部分62的面积，所以能够以良好的膜质形成热敏电阻膜5。
另外，在本实施方式的热敏电阻元件4中，如图4所示，在俯视时在第二电极6c的与热敏电阻膜5接触的区域内分别存在一对第一电极6a、6b的与热敏电阻膜5接触的区域。
由此，在本实施方式的热敏电阻元件4中，即使在第一电极6a、6b的面内的配置上产生偏差，由于第一电极6a、6b和第二电极6c的相对面积不变，所以也能够抑制热敏电阻膜5的电阻值的偏差。
此外，在本实施方式中，示例了热敏电阻膜5、一对第一电极6a、6b及第二电极6c在俯视时形成为大致矩形的情况，但这些热敏电阻膜5、一对第一电极6a、6b及第二电极6c的形状可以适宜变更。
另外，开口部20a、20b未必限定于上述结构，例如也可以为图6A～图6C所示的结构，能够适宜变更其形状及配置、数量等。
具体而言，在图6A所示的结构中，在俯视时与第一电极6a、6b分别重叠的区域的长度方向的端部附近设置有开口部20a、20b。
另一方面，在图6B所示的结构中，在俯视时与第一电极6a、6b分别重叠的区域内，分别排列设置有多个(本实施方式中为3个)开口部20a、20b。
另一方面，在图6C所示的结构中，遍及在俯视时与第一电极6a、6b分别重叠的区域的大半设置有长条的开口部20a、20b。
接着，参照图7～图14说明上述热敏电阻元件4的制造工序。
此外，图7～图14是用于依次说明热敏电阻元件4的制造工序的截面图。
在制造上述热敏电阻元件4时，首先，如图7所示，在有机材料层30上，遍及整个面成膜由例如Al2O3构成的绝缘膜7a。
接着，如图8所示，在其上遍及整个面成膜了由例如Ti构成的导电膜52之后，使用光刻技术进行构图，由此形成一对臂部12a、12b。
接着，如图9所示，在一对臂部12a、12b之上，遍及整个面成膜由例如Al2O3构成的绝缘膜7b。
接着，如图10所示，通过使用光刻技术进行构图，在一对臂部12a、12b之上形成分别形成贯通绝缘膜7b的开口部20a、20b。
接着，如图11所示，在其上遍及整个面成膜了由例如Pt构成的导电膜53之后，使用光刻技术进行构图，由此形成第一电极6a、6b。
接着，如图12所示，在其上遍及整个面成膜了由例如Co-Mn-Ni氧化物构成的热敏电阻材料膜54之后，在该热敏电阻材料膜54上，遍及整个面成膜由例如Pt构成的导电膜55。
接着，如图13所示，通过使用光刻技术进行构图，形成构图为彼此相同的形状的第二电极6c及热敏电阻膜5。然后，在氧中实施热(退火)处理。
接着，如图14所示，遍及整个面成膜由例如SiO2构成的绝缘膜7c。然后，通过灰化除去有机材料层30。通过以上的工序，能够制作上述热敏电阻元件4。
此外，本发明未必限定于上述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内可以进行各种变更。
例如，在上述热敏电阻元件4中，围绕上述开口部20a、20b的周围的绝缘膜7b由垂直于膜面的面构成，但是，例如如图15所示，围绕开口部20a、20b的周围的绝缘膜7b也可以由倾斜面70构成。
该情况下，也可以增大第一电极6a、6b和热敏电阻膜5的接触面积，可以提高热敏电阻元件4的可靠性。另外，能够防止一个第一电极6a和第二电极6c之间的热敏电阻膜5的电阻值、及第二电极6c和另一个第一电极6b之间的热敏电阻膜5的电阻值变得过大。
另外，在上述热敏电阻元件4中，上述的第一电极6a、6b中的第一部分61的厚度比围绕开口部20a、20b的周围的绝缘膜7b的厚度小。与此相对，如图16所示，也可以构成为使第一电极6a、6b中的第一部分61的厚度比围绕开口部20a、20b的周围的绝缘膜7b的厚度大。
另外，上述热敏电阻元件4具有CPP结构，与之相对，也可以为具有省略了第二电极6c的CIP结构的结构。该情况下，能够增大第一电极6a、6b和热敏电阻膜5的接触面积，可以提高热敏电阻元件4的可靠性。
此外，应用了本发明的电磁波传感器未必限定于将上述多个热敏电阻元件4呈阵列状排列的红外线图像传感器的结构，对于单独使用热敏电阻元件4的电磁波传感器、或将多个热敏电阻元件4呈线状并排排列的电磁波传感器等也可以应用本发明。另外，还可以使用热敏电阻元件4作为测定温度的温度传感器。
另外，就应用了本发明的电磁波传感器而言，未必限定于检测作为电磁波的上述红外线的传感器，例如也可以为检测波长为30μm以上、3mm以下的太赫兹波的传感器。
符号说明
1…电磁波传感器；2…第一基板；3…第二基板；4、4A、4B…热敏电阻元件；5…热敏电阻膜；6a、6b…第一电极；6c…第二电极；7a，7b、7c…绝缘膜；8…第一绝缘体层；9…配线部；9a…第一引线；9b…第二引线；10…第一连接部；11a、11b…第一连接构件；12a、12b…臂部(配线层)；13a、13b…腿部；14…第二绝缘体层；15…电路部；16…第二连接部；17a、17b…连接端子；18a、18b…第二连接构件；20a、20b…开口部；61…第一部分；62…第二部分；IR…红外线(电磁波)；G…空间
Claims (7)
1.一种热敏电阻元件，其特征在于，
具备：
热敏电阻膜；
一对第一电极，与所述热敏电阻膜的一面接触地设置；
绝缘膜，设置于所述一对第一电极的与所述热敏电阻膜接触的一侧的相反侧；和
至少一个以上的开口部，位于在俯视时与所述一对第一电极分别重叠的区域内，贯通所述绝缘膜，
所述第一电极具有：位于在俯视时与所述开口部重叠的区域内的第一部分；和位于在俯视时与所述开口部重叠的区域外的第二部分，并且，遍及所述第一部分和所述第二部分之间，与所述热敏电阻膜的所述一面接触而设置。
2.根据权利要求1所述的热敏电阻元件，其特征在于，
具备：配线层，与所述第一电极电连接，
所述配线层与所述第一部分接触而设置。
3.根据权利要求2所述的热敏电阻元件，其特征在于，
所述配线层由选自铝、钨、钛、钽、氮化钛、氮化钽、氮化铬及氮化锆中的至少一种构成。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的热敏电阻元件，其特征在于，
具备：第二电极，与所述热敏电阻膜的另一面接触地设置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的热敏电阻元件，其特征在于，
在俯视时，所述开口部的面积小于所述第二部分的面积。
6.一种电磁波传感器，其特征在于，
具备权利要求1～5中任一项所述的热敏电阻元件。
7.根据权利要求6所述的电磁波传感器，其特征在于，
所述热敏电阻元件呈阵列状排列有多个。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |