JP2012154762A - 赤外線センサおよび赤外線センサアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】赤外線を検出する赤外線センサ100において、中空部2を有する基板1と、中空部の上に設けられ、検知膜5を含む温度検知部4と、温度検知部に接続され、中空部の上に温度検知部を保持する支持脚3と、温度検知部の上に設けられ、板状の吸収傘を含む傘構造部20と、を含み、吸収傘は、一定の間隔で平行に配置された複数のスリット11を有し、入射した赤外線の、スリットの長手方向に垂直な方向の電界成分を選択的に吸収する。また、赤外線センサアレイは、アレイ状に配置された赤外線センサを含む。
【選択図】図2
Description
図1は、全体が100で表される、本発明の実施の形態1にかかる熱型赤外線センサの上面図であり、図2は、図1をI−I方向に見た場合の断面図である。
図6は、全体が200で表される、本発明の実施の形態2にかかる熱型赤外線センサアレイの上面図であり、図1に示す熱型赤外線センサ100をアレイ状(マトリックス状)に配置したものである。図6では、説明を簡単にするために、2行×2列の合計4個の熱型赤外線センサ100からなる熱型赤外線センサアレイ200を示しているが、配置される熱型赤外線センサ100の個数に制限は無い。
図7は、全体が300で表される、本発明の実施の形態3にかかる熱型赤外線センサアレイの上面図であり、図8は、図7をVII−VII方向に見た場合の断面図である。
図9は全体が400で表される、本発明の実施の形態4にかかる熱型赤外線センサアレイの上面図である。図9においては、支持柱9の凹部は省略している。
(2)熱型赤外線センサ150、160によって検知される偏光角度は、Φまたは−Φとなる(図11参照)。
(3)45−Φ>0ならば偏光角はθ、45−Φ<0ならば偏光角は−θである。
図12は、全体が500で表される、本発明の実施の形態5にかかる熱型赤外線センサアレイの上面図である。図12においては、支持柱9の凹部は省略している。
図13は、本発明の実施の形態6にかかる熱型赤外線センサの温度検知部4の断面図である。温度検知部4以外の構造は、図2と同様であり、温度検知部4は支持脚3で中空部2の上部に支持される。
Claims (7)
- 赤外線を検出する赤外線センサであって、
中空部を有する基板と、
該中空部の上に設けられ、検知膜を含む温度検知部と、
該温度検知部に接続され、該中空部の上に該温度検知部を保持する支持脚と、
該温度検知部の上に設けられ、板状の吸収傘を含む傘構造部と、を含み、
該吸収傘は、一定の間隔で平行に配置された複数のスリットを有し、入射した赤外線の、該スリットの長手方向に垂直な方向の電界成分を選択的に吸収することを特徴とする赤外線センサ。 - 上記吸収傘が、上記温度検知部の上に直接配置されたことを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。
- 請求項1または2に記載された赤外線センサをアレイ状に配置した赤外線センサアレイ。
- 第1および第2の赤外線センサを含み、
該第1の赤外線センサに設けられたスリットと、該第2の赤外線センサに設けられたスリットとの深さが異なることを特徴とする請求項3に記載の赤外線センサアレイ。 - 互いに長手方向が異なるスリットを有する第1、第2、第3および第4の赤外線センサを含み、
該第1の赤外線センサに設けられたスリットの長手方向と該第2の赤外線センサに設けられたスリットの長手方向とが直交し、該第3の赤外線センサに設けられたスリットの長手方向と該第4の赤外線センサに設けられたスリットの長手方向とが直交することを特徴とする請求項3に記載の赤外線センサアレイ。 - 上記第1の赤外線センサに設けられたスリットの長手方向と上記第3の赤外線センサに設けられたスリットの長手方向とが、45°の角度をなすことを特徴とする請求項5に記載の赤外線センサアレイ。
- 請求項5または6に記載の第1、第2、第3および第4の赤外線センサを1つのユニットとし、複数の該ユニットがアレイ状に配置されたことを特徴とする赤外線センサアレイ。
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---|---|
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014224810A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-12-04 | 三菱電機株式会社 | 電磁波センサ装置 |
JP2019074350A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 日置電機株式会社 | 解析装置および解析方法 |
CN109813449A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种集成偏振非制冷红外探测器及制作方法 |
WO2019235115A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
WO2023105577A1 (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ、撮像装置、および電子機器 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0961234A (ja) * | 1995-08-28 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
JPH1050674A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Nissan Motor Co Ltd | 光吸収膜の形成方法 |
JPH1090054A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-04-10 | Commiss Energ Atom | 赤外線検出器及びその製造方法 |
JP2000501832A (ja) * | 1995-12-04 | 2000-02-15 | ロッキード マーティン アイアール イメージング システムズ インコーポレーテッド | 縮小された活性領域を有する赤外放射検出器 |
JP2001320074A (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-16 | Loral Vought Systems Corp | 起電力型赤外線検知セル |
JP2002538475A (ja) * | 1999-03-01 | 2002-11-12 | オーティーエム テクノロジーズ リミテッド | 偏光感知検出器 |
JP2003507904A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-02-25 | キネティック リミテッド | マイクロ−ブリッジ構造体 |
US6624416B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-09-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Uncooled niobium trisulfide midwavelength infrared detector |
US20040211901A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-28 | Raytheon Company | Integrated spectroscopic microbolometer with microfilter arrays |
JP2005233671A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 熱型赤外センサ素子および熱型赤外センサアレイ |
US20060000974A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Lockheed Martin Corporation | Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector |
JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
JP2007248141A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | 受光素子及び光配線lsi |
JP2008053615A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Canon Inc | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2009156614A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Nissan Motor Co Ltd | 偏光赤外線検出素子およびその製造方法、並びに偏光赤外線検出素子アレイ |
JP2009180574A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子の製造方法および赤外線撮像素子 |
JP2010210293A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Nec Corp | 熱型赤外線センサ、及び熱型赤外線センサの製造方法 |
JP2010263158A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Sony Corp | 2次元固体撮像装置、及び、2次元固体撮像装置における偏光光データ処理方法 |
JP2012208104A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子および半導体光装置 |
-
2011
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Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001320074A (ja) * | 1994-03-15 | 2001-11-16 | Loral Vought Systems Corp | 起電力型赤外線検知セル |
JPH0961234A (ja) * | 1995-08-28 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
JP2000501832A (ja) * | 1995-12-04 | 2000-02-15 | ロッキード マーティン アイアール イメージング システムズ インコーポレーテッド | 縮小された活性領域を有する赤外放射検出器 |
JPH1050674A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Nissan Motor Co Ltd | 光吸収膜の形成方法 |
JPH1090054A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-04-10 | Commiss Energ Atom | 赤外線検出器及びその製造方法 |
JP2002538475A (ja) * | 1999-03-01 | 2002-11-12 | オーティーエム テクノロジーズ リミテッド | 偏光感知検出器 |
JP2003507904A (ja) * | 1999-08-24 | 2003-02-25 | キネティック リミテッド | マイクロ−ブリッジ構造体 |
US6624416B1 (en) * | 2001-07-26 | 2003-09-23 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Uncooled niobium trisulfide midwavelength infrared detector |
US20040211901A1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-10-28 | Raytheon Company | Integrated spectroscopic microbolometer with microfilter arrays |
JP2005233671A (ja) * | 2004-02-17 | 2005-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 熱型赤外センサ素子および熱型赤外センサアレイ |
US20060000974A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Lockheed Martin Corporation | Polarization and wavelength-selective patch-coupled infrared photodetector |
JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
JP2007248141A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Toshiba Corp | 受光素子及び光配線lsi |
JP2008053615A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Canon Inc | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2009156614A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Nissan Motor Co Ltd | 偏光赤外線検出素子およびその製造方法、並びに偏光赤外線検出素子アレイ |
JP2009180574A (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子の製造方法および赤外線撮像素子 |
JP2010210293A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-24 | Nec Corp | 熱型赤外線センサ、及び熱型赤外線センサの製造方法 |
JP2010263158A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-11-18 | Sony Corp | 2次元固体撮像装置、及び、2次元固体撮像装置における偏光光データ処理方法 |
JP2012208104A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子および半導体光装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN7014002869; プラズモン共鳴を利用した新しい赤外光源の開発に成功 -ナノ構造による熱放射制御が高効率な環境測定への , 20080118 * |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014224810A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-12-04 | 三菱電機株式会社 | 電磁波センサ装置 |
JP2019074350A (ja) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | 日置電機株式会社 | 解析装置および解析方法 |
JP7032096B2 (ja) | 2017-10-13 | 2022-03-08 | 日置電機株式会社 | 解析装置および解析方法 |
WO2019235115A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
JPWO2019235115A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2021-07-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
JP7362602B2 (ja) | 2018-06-05 | 2023-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
CN109813449A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种集成偏振非制冷红外探测器及制作方法 |
WO2023105577A1 (ja) * | 2021-12-06 | 2023-06-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | センサ、撮像装置、および電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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