JP7362602B2 - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7362602B2 JP7362602B2 JP2020523572A JP2020523572A JP7362602B2 JP 7362602 B2 JP7362602 B2 JP 7362602B2 JP 2020523572 A JP2020523572 A JP 2020523572A JP 2020523572 A JP2020523572 A JP 2020523572A JP 7362602 B2 JP7362602 B2 JP 7362602B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature detection
- detection element
- layer
- infrared
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 246
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 714
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 215
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 89
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 682
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 87
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 46
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 41
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 34
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 29
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 17
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 14
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N odevixibat Chemical class C12=CC(SC)=C(OCC(=O)N[C@@H](C(=O)N[C@@H](CC)C(O)=O)C=3C=CC(O)=CC=3)C=C2S(=O)(=O)NC(CCCC)(CCCC)CN1C1=CC=CC=C1 XULSCZPZVQIMFM-IPZQJPLYSA-N 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N (3s)-n-[(3s,5s,6r)-6-methyl-2-oxo-1-(2,2,2-trifluoroethyl)-5-(2,3,6-trifluorophenyl)piperidin-3-yl]-2-oxospiro[1h-pyrrolo[2,3-b]pyridine-3,6'-5,7-dihydrocyclopenta[b]pyridine]-3'-carboxamide Chemical class C1([C@H]2[C@H](N(C(=O)[C@@H](NC(=O)C=3C=C4C[C@]5(CC4=NC=3)C3=CC=CN=C3NC5=O)C2)CC(F)(F)F)C)=C(F)C=CC(F)=C1F QIVUCLWGARAQIO-OLIXTKCUSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYOOGWWGECJQPI-NSHDSACASA-N n-[(1s)-1-(5-fluoropyrimidin-2-yl)ethyl]-3-(3-propan-2-yloxy-1h-pyrazol-5-yl)imidazo[4,5-b]pyridin-5-amine Chemical class N1C(OC(C)C)=CC(N2C3=NC(N[C@@H](C)C=4N=CC(F)=CN=4)=CC=C3N=C2)=N1 AYOOGWWGECJQPI-NSHDSACASA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004297 night vision Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0853—Optical arrangements having infrared absorbers other than the usual absorber layers deposited on infrared detectors like bolometers, wherein the heat propagation between the absorber and the detecting element occurs within a solid
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/20—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only
- H04N23/23—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from infrared radiation only from thermal infrared radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J2005/0077—Imaging
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
- G01J2005/202—Arrays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0803—Arrangements for time-dependent attenuation of radiation signals
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット、及び、
第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット、
を備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って隣接する第1温度検出素子及び第2温度検出素子から構成されており、
各赤外線吸収層ユニットは、第2の方向に沿って隣接する第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1温度検出素子は、第1Aの領域、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域と接する第1Bの領域を有しており、
第2温度検出素子は、第2Aの領域、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域と接する第2Bの領域を有しており、
第1赤外線吸収層は、第1Aの領域及び第2Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第1温度検出素子と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層は、第1Bの領域及び第2Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第2温度検出素子と熱的に接続されている。
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニットを備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向及び第2の方向のいずれかの方向に沿って隣接する温度検出素子及びゲイン測定用素子から構成されており、
温度検出素子及びゲイン測定用素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して、赤外線吸収層が配設されており、
赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、且つ、ゲイン測定用素子と熱的に接続されていない。
2以上の温度検出素子から構成された温度検出素子ユニットが、複数、配列されて成り、
各温度検出素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子と熱的に接続された赤外線吸収層を備えており、
温度検出素子ユニットにおいて、赤外線吸収層の正射影像の大きさは温度検出素子毎に異なっている。
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット、及び、
第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット、
を備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1温度検出素子ユニット、及び、第1温度検出素子ユニットと第1の方向に沿って並置された第2温度検出素子ユニットから構成されており、
第1温度検出素子ユニット及び第2温度検出素子ユニットのそれぞれは、第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子を備えており、
各赤外線吸収層ユニットは、第1温度検出素子ユニットに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設された第1赤外線吸収層ユニット、及び、第2温度検出素子ユニットに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設された第2赤外線吸収層ユニットから構成されており、
第1赤外線吸収層ユニットは、第2の方向に沿って延び、第1の方向に沿って並置された複数の赤外線吸収層から構成されており、
第1温度検出素子ユニットを構成する一の温度検出素子は、第1赤外線吸収層ユニットを構成する一の赤外線吸収層と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層ユニットは、第1の方向に沿って延び、第2の方向に沿って並置された複数の赤外線吸収層から構成されており、
第2温度検出素子ユニットを構成する一の温度検出素子は、第2赤外線吸収層ユニットを構成する一の赤外線吸収層と熱的に接続されている。
温度検出素子が、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、複数、配列されて成る温度検出素子アレイを備えており、
各温度検出素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子と熱的に接続された赤外線吸収層を備えており、
温度検出素子の中心の正射影像から赤外線吸収層の中心の正射影像までの距離は、温度検出素子アレイの中心部に位置する温度検出素子よりも、温度検出素子アレイの周辺部に位置する温度検出素子の方が長い。
温度検出素子が、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、複数、配列されて成る温度検出素子アレイを備えており、
各温度検出素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子と熱的に接続された赤外線吸収層を備えており、
赤外線吸収層の大きさは、温度検出素子アレイの中心部に位置する温度検出素子よりも、温度検出素子アレイの周辺部に位置する温度検出素子の方が大きい。
1.本開示の第1の態様~第6の態様に係る撮像装置、全般に関する説明
2.実施例1(本開示の第1の態様に係る撮像装置)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(実施例1~実施例2の変形)
5.実施例4(実施例3の変形)
6.実施例5(本開示の第2の態様に係る撮像装置)
7.実施例6(本開示の第3の態様に係る撮像装置)
8.実施例7(本開示の第4の態様に係る撮像装置)
9.実施例8(本開示の第5の態様に係る撮像装置)
10.実施例9(本開示の第6の態様に係る撮像装置)
11.実施例10(実施例1~実施例9において説明した撮像装置の詳細)
12.実施例11(本開示の撮像装置の応用例)
13.その他
本開示の第1の態様に係る撮像装置において、
第1赤外線吸収層の正射影像は、少なくとも第1Aの領域の一部及び第2Aの領域の一部と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、少なくとも第1Bの領域の一部及び第2Bの領域の一部と重なっている形態とすることができる。そして、この場合、
第1赤外線吸収層の正射影像は、第1Aの領域及び第2Aの領域と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、第1Bの領域及び第2Bの領域と重なっている形態とすることができる。
赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第1赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、ゲイン測定用素子と熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、ゲイン測定用素子と熱的に接続されていない形態とすることができる。そして、この場合、
温度検出素子及びゲイン測定用素子は、第2の方向に沿って隣接しており、
温度検出素子ユニットは、更に、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bを備えており、
温度検出素子及び温度検出素子-Aは、第1の方向に沿って配設されており、
ゲイン測定用素子及び温度検出素子-Bは、第1の方向に沿って配設されており、
赤外線吸収層-A及び赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、第2の方向に沿って、赤外線吸収層-Bと離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、温度検出素子-Aと熱的に接続されており、
赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-Bと熱的に接続されている形態とすることができる。
赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第1赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、ゲイン測定用素子と熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されておらず、且つ、ゲイン測定用素子と熱的に接続されていない形態とすることができる。そして、この場合、
温度検出素子及びゲイン測定用素子は、第2の方向に沿って隣接しており、
温度検出素子ユニットは、更に、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bを備えており、
温度検出素子及び温度検出素子-Aは、第1の方向に沿って配設されており、
ゲイン測定用素子及び温度検出素子-Bは、第1の方向に沿って配設されており、
赤外線吸収層-A及び赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、第2の方向に沿って、赤外線吸収層-Bと離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、温度検出素子-Aと熱的に接続されており、
赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-Bと熱的に接続されている形態とすることができる。
第1温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って配置された第1温度検出素子及び第2温度検出素子、並びに、第2の方向に沿って、第1温度検出素子に隣接して配置された第3温度検出素子、及び、第2温度検出素子に隣接して配置された第4温度検出素子から構成されており、
第2温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って配置された第5温度検出素子及び第6温度検出素子、並びに、第2の方向に沿って、第5温度検出素子に隣接して配置された第7温度検出素子、及び、第6温度検出素子に隣接して配置された第8温度検出素子から構成されており、
第1温度検出素子は、第1Aの領域、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域と接する第1Bの領域を有しており、
第2温度検出素子は、第2Aの領域、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域と接する第2Bの領域を有しており、
第3温度検出素子は、第3Aの領域、及び、第2の方向に沿って第3Aの領域と接する第3Bの領域を有しており、
第4温度検出素子は、第4Aの領域、及び、第2の方向に沿って第4Aの領域と接する第4Bの領域を有しており、
第5温度検出素子は、第5Aの領域、及び、第1の方向に沿って第5Aの領域と接する第5Bの領域を有しており、
第6温度検出素子は、第6Aの領域、及び、第1の方向に沿って第6Aの領域と接する第6Bの領域を有しており、
第7温度検出素子は、第7Aの領域、及び、第1の方向に沿って第7Aの領域と接する第7Bの領域を有しており、
第8温度検出素子は、第8Aの領域、及び、第1の方向に沿って第8Aの領域と接する第8Bの領域を有しており、
第1赤外線吸収層ユニットは、第1赤外線吸収層、第2赤外線吸収層、第3赤外線吸収層及び第4赤外線吸収層から構成されており、
第2赤外線吸収層ユニットは、第5赤外線吸収層、第6赤外線吸収層、第7赤外線吸収層及び第8赤外線吸収層から構成されており、
第1赤外線吸収層は、第1Aの領域及び第2Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第1温度検出素子と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層は、第1Bの領域及び第2Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第2温度検出素子と熱的に接続されており、
第3赤外線吸収層は、第3Aの領域及び第4Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第3温度検出素子と熱的に接続されており、
第4赤外線吸収層は、第3Bの領域及び第4Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第4温度検出素子と熱的に接続されており、
第5赤外線吸収層は、第5Aの領域及び第6Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第5温度検出素子と熱的に接続されており、
第6赤外線吸収層は、第5Bの領域及び第6Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第6温度検出素子と熱的に接続されており、
第7赤外線吸収層は、第7Aの領域及び第8Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第7温度検出素子と熱的に接続されており、
第8赤外線吸収層は、第7Bの領域及び第8Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第8温度検出素子と熱的に接続されている形態とすることができる。
0.75×λIR/2≦L0≦1.25×λIR/2
又は、
0.75×λIR/4≦L0≦1.25×λIR/4
を満足する構成とすることができる。λIRとして、8μm乃至14μmを例示することができる。
0.75×λIR/4≦L1≦1.25×λIR/4
0.75×λIR/4≦L2≦1.25×λIR/4
を満足する構成とすることができる。λIRとして、8μm乃至14μmを例示することができる。
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット20A,20B、及び、
第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット40A,40B、
を備えており、
各温度検出素子ユニット20A,20Bは、第1の方向に沿って隣接する第1温度検出素子21及び第2温度検出素子22から構成されており、
各赤外線吸収層ユニット40A,40Bは、第2の方向に沿って隣接する第1赤外線吸収層41及び第2赤外線吸収層42から構成されており、
第1温度検出素子21は、第1Aの領域211、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域211と接する第1Bの領域212を有しており、
第2温度検出素子22は、第2Aの領域221、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域221と接する第2Bの領域222を有しており、
第1赤外線吸収層41は、第1Aの領域211及び第2Aの領域221に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第1温度検出素子21と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層42は、第1Bの領域212及び第2Bの領域222に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第2温度検出素子22と熱的に接続されている。
第1赤外線吸収層41の正射影像は、少なくとも第1Aの領域211の一部及び第2Aの領域221の一部と重なっており、
第2赤外線吸収層42の正射影像は、少なくとも第1Bの領域212の一部及び第2Bの領域222の一部と重なっている。具体的には、
第1赤外線吸収層41の正射影像は、第1Aの領域211及び第2Aの領域221と重なっており、
第2赤外線吸収層42の正射影像は、第1Bの領域212及び第2Bの領域222と重なっている。
0.5≦α11≦1.0
0.5≦α22≦1.0
を例示することができる。また、K21/K11,K22/K12の値として、
0.5≦K21/K11≦2.0
0.5≦K22/K12≦2.0
を例示することができるが、これらの値、範囲に限定するものではない。
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニットを備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向及び第2の方向のいずれかの方向に沿って(具体的には、図示した例では、第1の方向に沿って)隣接する温度検出素子23及びゲイン測定用素子33から構成されており、
温度検出素子23及びゲイン測定用素子33に対して赤外線入射方向に沿って離間して、赤外線吸収層43が配設されており、
赤外線吸収層43は、温度検出素子23と熱的に接続されており、且つ、ゲイン測定用素子33と熱的に接続されていない。
赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層44b1及び第2赤外線吸収層44b2から構成されており、
第1赤外線吸収層44b1の正射影像は、温度検出素子24bと重なっており、更には、ゲイン測定用素子34bの一部と重なっており、
第2赤外線吸収層44b2の正射影像は、ゲイン測定用素子34bの一部と重なっており、温度検出素子24bとは重なっておらず、
第1赤外線吸収層44b1は、接続部44b1’において温度検出素子24bと熱的に接続されており、ゲイン測定用素子34bと熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層44b2は、温度検出素子24bと熱的に接続されておらず、ゲイン測定用素子34bとも熱的に接続されていない。第2赤外線吸収層44b2は、2箇所に設けられた支持部44b2’によって隔壁63に支持されている。第1赤外線吸収層44b1の平面形状は、第2赤外線吸収層44b2の平面形状よりも大きい。
赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層45a及び第2赤外線吸収層45bから構成されており、
第1赤外線吸収層45aの正射影像は、温度検出素子25a及びゲイン測定用素子35aと重なっており、
第2赤外線吸収層45bの正射影像は、温度検出素子25a及びゲイン測定用素子35aと重なっており、
第1赤外線吸収層45aは、接続部45a’において温度検出素子25aと熱的に接続されており、ゲイン測定用素子35aと熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層45bは、接続部45b’において温度検出素子25aと熱的に接続されており、ゲイン測定用素子35aと熱的に接続されていない。そして、
温度検出素子25a及びゲイン測定用素子35aは、第2の方向に沿って隣接しており、
温度検出素子ユニットは、更に、温度検出素子-A(25c)及び温度検出素子-B(25d)を備えており、
温度検出素子25a及び温度検出素子-A(25c)は、第1の方向に沿って配設されており、
ゲイン測定用素子35a及び温度検出素子-B(25d)は、第1の方向に沿って配設されており、
赤外線吸収層-A(45c)及び赤外線吸収層-B(45d)は、温度検出素子-A(25c)及び温度検出素子-B(25d)に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、
赤外線吸収層-A(45c)は、第2の方向に沿って、赤外線吸収層-B(45d)と離間して配設されており、
赤外線吸収層-A(45c)は、接続部45c’において温度検出素子-A(25c)と熱的に接続されており、
赤外線吸収層-Bは、接続部45d’において温度検出素子-B(25d)と熱的に接続されている。
赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層46a及び第2赤外線吸収層46bから構成されており、
第1赤外線吸収層46aの正射影像は、温度検出素子26a及びゲイン測定用素子36aと重なっており、
第2赤外線吸収層46bの正射影像は、温度検出素子26a及びゲイン測定用素子36aと重なっており、
第1赤外線吸収層46aは、温度検出素子26aと熱的に接続されており、ゲイン測定用素子36aと熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層46bは、温度検出素子26aと熱的に接続されておらず、且つ、ゲイン測定用素子36aと熱的に接続されていない。第2赤外線吸収層46bは、2箇所に設けられた支持部46b’によって隔壁63に支持されている。そして、この場合、
温度検出素子26a及びゲイン測定用素子36aは、第2の方向に沿って隣接しており、
温度検出素子ユニットは、更に、温度検出素子-A(26c)及び温度検出素子-B(26d)を備えており、
温度検出素子26a及び温度検出素子-A(26c)は、第1の方向に沿って配設されており、
ゲイン測定用素子31及び温度検出素子-B(26d)は、第1の方向に沿って配設されており、
赤外線吸収層-A(46c)及び赤外線吸収層-B(46d)は、温度検出素子-A(26c)及び温度検出素子-B(26d)に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、
赤外線吸収層-A(46c)は、第2の方向に沿って、赤外線吸収層-B(46d)と離間して配設されており、
赤外線吸収層-A(46c)は、接続部46c’において温度検出素子-A(26c)と熱的に接続されており、
赤外線吸収層-B(46d)は、接続部46d’において温度検出素子-B(26d)と熱的に接続されている。
2以上(実施例6においては、具体的には、2つ)の温度検出素子27a,27bから構成された温度検出素子ユニットが、複数、配列されて成り、
各温度検出素子27a,27bに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子27a,27bと熱的に接続された赤外線吸収層47a,47bを備えており、
温度検出素子ユニットにおいて、赤外線吸収層47a,47bの正射影像の大きさは温度検出素子毎に異なっている。図示した例では、赤外線吸収層47aの正射影像の大きさは、赤外線吸収層47bの正射影像の大きさよりも大きい。
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット、及び、
第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット、
を備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1温度検出素子ユニット、及び、第1温度検出素子ユニットと第1の方向に沿って並置された第2温度検出素子ユニットから構成されており、
第1温度検出素子ユニット及び第2温度検出素子ユニットのそれぞれは、第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子(121,122,123,124、及び、125,126,127,128)を備えており、
各赤外線吸収層ユニットは、第1温度検出素子ユニットに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設された第1赤外線吸収層ユニット、及び、第2温度検出素子ユニットに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設された第2赤外線吸収層ユニットから構成されており、
第1赤外線吸収層ユニットは、第2の方向に沿って延び、第1の方向に沿って並置された複数の赤外線吸収層(141,142,143,144)から構成されており、
第1温度検出素子ユニットを構成する一の温度検出素子は、第1赤外線吸収層ユニットを構成する一の赤外線吸収層と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層ユニットは、第1の方向に沿って延び、第2の方向に沿って並置された複数の赤外線吸収層(145,146,147,148)から構成されており、
第2温度検出素子ユニットを構成する一の温度検出素子は、第2赤外線吸収層ユニットを構成する一の赤外線吸収層と熱的に接続されている。
第1温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って配置された第1温度検出素子121及び第2温度検出素子122、並びに、第2の方向に沿って、第1温度検出素子121に隣接して配置された第3温度検出素子123、及び、第2温度検出素子122に隣接して配置された第4温度検出素子124から構成されており、
第2温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って配置された第5温度検出素子125及び第6温度検出素子126、並びに、第2の方向に沿って、第5温度検出素子125に隣接して配置された第7温度検出素子127、及び、第6温度検出素子126に隣接して配置された第8温度検出素子128から構成されている。
第1温度検出素子121は、第1Aの領域1211、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域1211と接する第1Bの領域1212を有しており、
第2温度検出素子122は、第2Aの領域1221、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域1221と接する第2Bの領域1222を有しており、
第3温度検出素子123は、第3Aの領域1231、及び、第2の方向に沿って第3Aの領域1231と接する第3Bの領域1232を有しており、
第4温度検出素子124は、第4Aの領域1241、及び、第2の方向に沿って第4Aの領域1241と接する第4Bの領域1242を有しており、
第5温度検出素子125は、第5Aの領域1251、及び、第1の方向に沿って第5Aの領域1251と接する第5Bの領域1252を有しており、
第6温度検出素子126は、第6Aの領域1261、及び、第1の方向に沿って第6Aの領域1261と接する第6Bの領域1262を有しており、
第7温度検出素子127は、第7Aの領域1271、及び、第1の方向に沿って第7Aの領域1271と接する第7Bの領域1272を有しており、
第8温度検出素子128は、第8Aの領域1281、及び、第1の方向に沿って第8Aの領域1281と接する第8Bの領域1282を有しており、
第1赤外線吸収層ユニットは、第1赤外線吸収層141、第2赤外線吸収層142、第3赤外線吸収層143及び第4赤外線吸収層144から構成されており、
第2赤外線吸収層ユニットは、第5赤外線吸収層145、第6赤外線吸収層146、第7赤外線吸収層147及び第8赤外線吸収層148から構成されており、
第1赤外線吸収層141は、第1Aの領域1211及び第2Aの領域1221に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第1温度検出素子121と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層142は、第1Bの領域1212及び第2Bの領域1222に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第2温度検出素子122と熱的に接続されており、
第3赤外線吸収層143は、第3Aの領域1231及び第4Aの領域1241に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第3温度検出素子123と熱的に接続されており、
第4赤外線吸収層144は、第3Bの領域1232及び第4Bの領域1242に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第4温度検出素子124と熱的に接続されており、
第5赤外線吸収層は、第5Aの領域1251及び第6Aの領域1261に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第5温度検出素子125と熱的に接続されており、
第6赤外線吸収層は、第5Bの領域1252及び第6Bの領域1262に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第6温度検出素子126と熱的に接続されており、
第7赤外線吸収層は、第7Aの領域1271及び第8Aの領域1281に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第7温度検出素子127と熱的に接続されており、
第8赤外線吸収層は、第7Bの領域1272及び第8Bの領域1282に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第8温度検出素子128と熱的に接続されている。
温度検出素子221が、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、複数、配列されて成る温度検出素子アレイを備えており、
各温度検出素子221に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子221と熱的に接続された赤外線吸収層241を備えており、
温度検出素子221の中心の正射影像から赤外線吸収層241の中心の正射影像までの距離は、温度検出素子アレイの中心部に位置する温度検出素子221よりも、温度検出素子アレイの周辺部に位置する温度検出素子221の方が長い。
温度検出素子321が、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、複数、配列されて成る温度検出素子アレイを備えており、
各温度検出素子321に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子321と熱的に接続された赤外線吸収層341を備えており、
赤外線吸収層341の大きさは、温度検出素子アレイの中心部に位置する温度検出素子321よりも、温度検出素子アレイの周辺部に位置する温度検出素子321の方が大きい。
第1構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
温度制御層は温度検出素子アレイ領域に形成されている構成とすることができるし、あるいは又、
温度制御層は、温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する被覆層の領域に形成されている構成とすることができるし、あるいは又、
駆動回路は、アナログ-デジタル変換回路(ADC)を備えており、
温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する駆動基板の領域には、アナログ-デジタル変換回路が配設されていない構成とすることができる。アナログ-デジタル変換回路は発熱量が多いので、このような構成を採用することで、より一層温度の均一化を図ることができる。尚、このような温度制御層の配設は、温度検出素子ではなく周知の受光素子(可視光を受光する受光素子)が形成された構造に対して適用することもできる。また、場合によっては、温度制御層は赤外線反射層を兼ねていてもよい。
第1構造体60及び第2構造体70から構成されており、
第1構造体60は、
第1基板61、
第1基板61に設けられ、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子15、並びに、
温度検出素子15に接続された駆動線52及び信号線51、
を備えており、
第2構造体70は、
第2基板71、及び、
第2基板71に設けられ、被覆層(層間絶縁層)73によって被覆された駆動回路、
を備えており、
第1基板61は、被覆層73と接合されており、
温度検出素子15と被覆層73との間には、空所69が設けられており、
駆動線52及び信号線51は、駆動回路と電気的に接続されている。
0.75×λIR/2≦L0≦1.25×λIR/2
又は、
0.75×λIR/4≦L0≦1.25×λIR/4
を満足する。実施例10において、具体的には、
L0=λIR/4
を満足する。λIRの値は、8μm乃至14μmであり、実施例10において、具体的には、限定するものではないが、λIR=10μmとした。ウィング状の赤外線吸収層16は、隣接する温度検出素子15の上方に延びている。
表面に第1シリコン層91が形成され、第1シリコン層91の下にSiO2層92が形成されたSOI基板90を準備する。SiO2層92の下に位置するSOI基板90を構成するシリコン半導体基板の部分を、便宜上、『第2シリコン層93』と呼ぶ。そして、先ず、隔壁63の側壁64を形成すべきSOI基板90の第2シリコン層93の部分をエッチングして溝部を形成し、側壁64を構成する材料で溝部を埋め込む(図33A参照)。その後、SOI基板90の表面の第1シリコン層91をパターニングすることで、pn接合ダイオード67を形成すべき第1シリコン層91の領域を残す。次いで、周知の方法に基づき、第1シリコン層91にpn接合ダイオード67を形成する(図33B参照)。
その後、周知の方法に基づき、SiO2層92の上、及び、pn接合ダイオード67の一部の上に、配線68、信号線51を形成する(図33C参照)。次に、全面に、SiO2から成る絶縁膜66、コンタクトホール53、駆動線52を形成した後、絶縁膜66をパターニングする(図33D参照)。但し、コンタクトホール53、駆動線52は、図33D以降の図面には図示していない。
その後、第1犠牲層94の形成(図34A参照)、赤外線吸収層16の形成、第2犠牲層95の形成(図34B参照)を行った後、第2犠牲層95に支持基板96を貼り付ける(図34C参照)。
次に、SOI基板90の第2シリコン層93を、CMP法によって薄くする(図35A参照)。第2シリコン層93の厚さによってL0が規定される。それ故、L0の値を正確に規定することが可能である。こうして図35Bに示す構造を得ることができるが、側壁64の内側の部分の第2シリコン層93が隔壁63に相当し、便宜上、この部分のハッチングを第2シリコン層93のハッチングと異ならせた。
駆動回路が設けられた第2構造体70を準備する。尚、被覆層73には、赤外線反射層74を形成しておく。そして、周知の方法で、第2シリコン層93と被覆層73とを接合する(図36A参照)。そして、周辺領域12,14において、駆動線52及び信号線51を、駆動回路と、例えば、図示しないスルーシリコンビヤ(TSV)によって電気的に接続する。
その後、支持基板96を除去し、エッチング法に基づき第2犠牲層95及び第1犠牲層94を除去する(図36B参照)。更には、pn接合ダイオード67の下方に位置する第2シリコン層93を、エッチング法に基づき除去する。こうして、図1Aに示した撮像装置10を得ることができる。SiO2層92によって、ダイヤフラム部65A、絶縁材料層65B、第1スタッド部65C、第2スタッド部65Dが構成される。尚、pn接合ダイオード67の下方に位置する第2シリコン層93が、全てが除去されていなくともよい。
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニットを備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向及び第2の方向のいずれかの方向に沿って(図31に示す例では第2の方向に沿って)隣接する温度検出素子28及びゲイン測定用素子38から構成されており、
温度検出素子28及びゲイン測定用素子38に対して赤外線入射方向に沿って離間して、赤外線吸収層48a,48bが配設されており、
赤外線吸収層48bは、接続部48b’において温度検出素子28と熱的に接続されており、且つ、ゲイン測定用素子38と熱的に接続されていない。赤外線吸収層48aは、接続部48a’において温度検出素子28と熱的に接続されている。また、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向及び第2の方向のいずれかの方向に沿って(図31に示す例では第2の方向に沿って)隣接する温度検出素子29及びゲイン測定用素子38から構成されており、
温度検出素子29及びゲイン測定用素子38に対して赤外線入射方向に沿って離間して、赤外線吸収層48c,48bが配設されており、
赤外線吸収層48cは、接続部48c’において温度検出素子29と熱的に接続されており、且つ、ゲイン測定用素子38と熱的に接続されていない。赤外線吸収層48bは、第2の方向に沿って隣接する温度検出素子28と、接続部48b’において熱的に接続されており、且つ、ゲイン測定用素子38と熱的に接続されていない。
IIRフィルタ処理により、補正対象画素の近傍の参照画素の信号値の平均値を算出する第1工程と、
IIRフィルタ処理により、補正対象画素の近傍の参照画素の信号値の分散値を算出する第2工程と、
参照画素の平均値と分散値を入力し、平均値と分散値を適用したエッジ保存平滑化処理を実行する第3工程と、
第1工程と第2工程において適用するIIRフィルタ係数を、画像を構成する画素の信号値に応じて更新する第4工程、
から構成されたノイズ低減処理を挙げることができる。
[A01]《撮像装置:第1の態様》
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット、及び、
第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット、
を備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って隣接する第1温度検出素子及び第2温度検出素子から構成されており、
各赤外線吸収層ユニットは、第2の方向に沿って隣接する第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1温度検出素子は、第1Aの領域、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域と接する第1Bの領域を有しており、
第2温度検出素子は、第2Aの領域、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域と接する第2Bの領域を有しており、
第1赤外線吸収層は、第1Aの領域及び第2Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第1温度検出素子と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層は、第1Bの領域及び第2Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第2温度検出素子と熱的に接続されている撮像装置。
[A02]第1赤外線吸収層の正射影像は、少なくとも第1Aの領域の一部及び第2Aの領域の一部と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、少なくとも第1Bの領域の一部及び第2Bの領域の一部と重なっている[A01]に記載の撮像装置。
[A03]第1赤外線吸収層の正射影像は、第1Aの領域及び第2Aの領域と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、第1Bの領域及び第2Bの領域と重なっている[A02]に記載の撮像装置。
[A04]第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層は、実質的に隙間無く、第1温度検出素子及び第2温度検出素子を覆っている[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[A05]温度検出素子ユニットの間に、ゲイン測定用素子が配設されている[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[A06]第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層は、実質的に隙間無く第1温度検出素子及び第2温度検出素子を覆っており、ゲイン測定用素子を覆っていない[A05]に記載の撮像装置。
[A07]第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層は、実質的に隙間無く第1温度検出素子、第2温度検出素子及びゲイン測定用素子を覆っている[A05]に記載の撮像装置。
[B01]《撮像装置:第2の態様》
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニットを備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向及び第2の方向のいずれかの方向に沿って隣接する温度検出素子及びゲイン測定用素子から構成されており、
温度検出素子及びゲイン測定用素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して、赤外線吸収層が配設されており、
赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、且つ、ゲイン測定用素子と熱的に接続されていない撮像装置。
[B02]赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第1赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、ゲイン測定用素子と熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、ゲイン測定用素子と熱的に接続されていない[B01]に記載の撮像装置。
[B03]温度検出素子及びゲイン測定用素子は、第2の方向に沿って隣接しており、
温度検出素子ユニットは、更に、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bを備えており、
温度検出素子及び温度検出素子-Aは、第1の方向に沿って配設されており、
ゲイン測定用素子及び温度検出素子-Bは、第1の方向に沿って配設されており、
赤外線吸収層-A及び赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、第2の方向に沿って、赤外線吸収層-Bと離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、温度検出素子-Aと熱的に接続されており、
赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-Bと熱的に接続されている[B02]に記載の撮像装置。
[B04]赤外線吸収層は、第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、温度検出素子及びゲイン測定用素子と重なっており、
第1赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されており、ゲイン測定用素子と熱的に接続されておらず、
第2赤外線吸収層は、温度検出素子と熱的に接続されておらず、且つ、ゲイン測定用素子と熱的に接続されていない[B01]に記載の撮像装置。
[B05]温度検出素子及びゲイン測定用素子は、第2の方向に沿って隣接しており、
温度検出素子ユニットは、更に、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bを備えており、
温度検出素子及び温度検出素子-Aは、第1の方向に沿って配設されており、
ゲイン測定用素子及び温度検出素子-Bは、第1の方向に沿って配設されており、
赤外線吸収層-A及び赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-A及び温度検出素子-Bに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、第2の方向に沿って、赤外線吸収層-Bと離間して配設されており、
赤外線吸収層-Aは、温度検出素子-Aと熱的に接続されており、
赤外線吸収層-Bは、温度検出素子-Bと熱的に接続されている[B04]に記載の撮像装置。
[C01]《撮像装置:第3の態様》
2以上の温度検出素子から構成された温度検出素子ユニットが、複数、配列されて成り、
各温度検出素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子と熱的に接続された赤外線吸収層を備えており、
温度検出素子ユニットにおいて、赤外線吸収層の正射影像の大きさは温度検出素子毎に異なっている撮像装置。
[D01]《撮像装置:第4の態様》
第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット、及び、
第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット、
を備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1温度検出素子ユニット、及び、第1温度検出素子ユニットと第1の方向に沿って並置された第2温度検出素子ユニットから構成されており、
第1温度検出素子ユニット及び第2温度検出素子ユニットのそれぞれは、第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子を備えており、
各赤外線吸収層ユニットは、第1温度検出素子ユニットに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設された第1赤外線吸収層ユニット、及び、第2温度検出素子ユニットに対して赤外線入射方向に沿って離間して配設された第2赤外線吸収層ユニットから構成されており、
第1赤外線吸収層ユニットは、第2の方向に沿って延び、第1の方向に沿って並置された複数の赤外線吸収層から構成されており、
第1温度検出素子ユニットを構成する一の温度検出素子は、第1赤外線吸収層ユニットを構成する一の赤外線吸収層と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層ユニットは、第1の方向に沿って延び、第2の方向に沿って並置された複数の赤外線吸収層から構成されており、
第2温度検出素子ユニットを構成する一の温度検出素子は、第2赤外線吸収層ユニットを構成する一の赤外線吸収層と熱的に接続されている撮像装置。
[D02]第1温度検出素子ユニット及び第2温度検出素子ユニットは、第1の方向及び第2の方向に沿って、市松状に配置されている[D01]に記載の撮像装置。
[D03]第1温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って配置された第1温度検出素子及び第2温度検出素子、並びに、第2の方向に沿って、第1温度検出素子に隣接して配置された第3温度検出素子、及び、第2温度検出素子に隣接して配置された第4温度検出素子から構成されており、
第2温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って配置された第5温度検出素子及び第6温度検出素子、並びに、第2の方向に沿って、第5温度検出素子に隣接して配置された第7温度検出素子、及び、第6温度検出素子に隣接して配置された第8温度検出素子から構成されており、
第1温度検出素子は、第1Aの領域、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域と接する第1Bの領域を有しており、
第2温度検出素子は、第2Aの領域、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域と接する第2Bの領域を有しており、
第3温度検出素子は、第3Aの領域、及び、第2の方向に沿って第3Aの領域と接する第3Bの領域を有しており、
第4温度検出素子は、第4Aの領域、及び、第2の方向に沿って第4Aの領域と接する第4Bの領域を有しており、
第5温度検出素子は、第5Aの領域、及び、第1の方向に沿って第5Aの領域と接する第5Bの領域を有しており、
第6温度検出素子は、第6Aの領域、及び、第1の方向に沿って第6Aの領域と接する第6Bの領域を有しており、
第7温度検出素子は、第7Aの領域、及び、第1の方向に沿って第7Aの領域と接する第7Bの領域を有しており、
第8温度検出素子は、第8Aの領域、及び、第1の方向に沿って第8Aの領域と接する第8Bの領域を有しており、
第1赤外線吸収層ユニットは、第1赤外線吸収層、第2赤外線吸収層、第3赤外線吸収層及び第4赤外線吸収層から構成されており、
第2赤外線吸収層ユニットは、第5赤外線吸収層、第6赤外線吸収層、第7赤外線吸収層及び第8赤外線吸収層から構成されており、
第1赤外線吸収層は、第1Aの領域及び第3Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第1温度検出素子と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層は、第1Bの領域及び第3Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第3温度検出素子と熱的に接続されており、
第3赤外線吸収層は、第2Aの領域及び第4Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第2温度検出素子と熱的に接続されており、
第4赤外線吸収層は、第2Bの領域及び第4Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第4温度検出素子と熱的に接続されており、
第5赤外線吸収層は、第5Aの領域及び第6Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第5温度検出素子と熱的に接続されており、
第6赤外線吸収層は、第5Bの領域及び第6Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第6温度検出素子と熱的に接続されており、
第7赤外線吸収層は、第7Aの領域及び第8Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第7温度検出素子と熱的に接続されており、
第8赤外線吸収層は、第7Bの領域及び第8Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設されており、第8温度検出素子と熱的に接続されている[D01]又は[D02]に記載の撮像装置。
[E01]《撮像装置:第5の態様》
温度検出素子が、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、複数、配列されて成る温度検出素子アレイを備えており、
各温度検出素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子と熱的に接続された赤外線吸収層を備えており、
温度検出素子の中心の正射影像から赤外線吸収層の中心の正射影像までの距離は、温度検出素子アレイの中心部に位置する温度検出素子よりも、温度検出素子アレイの周辺部に位置する温度検出素子の方が長い撮像装置。
[E02]《撮像装置:第6の態様》
温度検出素子が、第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って、複数、配列されて成る温度検出素子アレイを備えており、
各温度検出素子に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、温度検出素子と熱的に接続された赤外線吸収層を備えており、
赤外線吸収層の大きさは、温度検出素子アレイの中心部に位置する温度検出素子よりも、温度検出素子アレイの周辺部に位置する温度検出素子の方が大きい撮像装置。
[F01]第1構造体及び第2構造体から構成されており、
第1構造体は、
第1基板、
第1基板に設けられ、赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子、並びに、
温度検出素子に接続された駆動線及び信号線、
を備えており、
第2構造体は、
第2基板、及び、
第2基板に設けられ、被覆層によって被覆された駆動回路、
を備えており、
第1基板は、被覆層と接合されており、
温度検出素子と被覆層との間には、空所が設けられており、
駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている[A01]乃至[E02]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F02]第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に配列された複数の温度検出素子、
を備えており、
第1の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の駆動線、及び、
第2の方向に沿って配設され、それぞれに複数の温度検出素子が接続された複数の信号線、
を更に備えており、
第1構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を有しており、
周辺領域において、駆動線及び信号線は、駆動回路と電気的に接続されている[F01]に記載の撮像装置。
[F03]1次元に配列されたQ個(但し、Q≧1)の温度検出素子を備えている[F01]に記載の撮像装置。
[F04]温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第1基板の部分には、隔壁が形成されており、
隔壁の底部は、被覆層と接合されている[F01]乃至[F03]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F05]空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されており、
隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されている[F04]に記載の撮像装置。
[F06]空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されている[F04]に記載の撮像装置。
[F07]隔壁の側壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されている[F04]又は[F06]に記載の撮像装置。
[F08]赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている[F04]乃至[F07]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F09]赤外線吸収層は、温度検出素子の上方に形成されている[F08]に記載の撮像装置。
[F10]赤外線反射層は、被覆層の頂面又は被覆層の内部に形成されている[F08]又は[F09]に記載の撮像装置。
[F11]赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離L0は、
0.75×λIR/2≦L0≦1.25×λIR/2
又は、
0.75×λIR/4≦L0≦1.25×λIR/4
を満足する[F08]乃至[F10]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F12]赤外線が入射する温度検出素子の側には、第1赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており、
空所と対向する温度検出素子の側には、第2赤外線吸収層が形成されている[F04]乃至[F07]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F13]第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第1赤外線吸収層と第2赤外線吸収層との光学的距離L1とし、第2赤外線吸収層と赤外線反射層との光学的距離をL2としたとき、
0.75×λIR/4≦L1≦1.25×λIR/4
0.75×λIR/4≦L2≦1.25×λIR/4
を満足する[F12]に記載の撮像装置。
[F14]温度検出素子と温度検出素子との間に位置する第1基板の部分と被覆層との間には、第1基板と独立して隔壁が形成されており、
隔壁の底部は、被覆層と接合されている[F01]乃至[F03]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F15]空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されており、
隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されている[F14]に記載の撮像装置。
[F16]空所に露出した被覆層の露出面は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されている[F14]に記載の撮像装置。
[F17]隔壁は、絶縁材料層、金属材料層、合金材料層及び炭素材料層から成る群から選択された少なくとも1種類の材料層から構成されている[F14]又は[F16]に記載の撮像装置。
[F18]赤外線が入射する温度検出素子の側には、赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されている[F14]乃至[F17]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F19]赤外線反射層は、被覆層の頂面又は被覆層の内部に形成されている[F18]に記載の撮像装置。
[F20]赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとしたとき、赤外線吸収層と赤外線反射層との間の光学的距離L0は、
0.75×λIR/2≦L0≦1.25×λIR/2
又は、
0.75×λIR/4≦L0≦1.25×λIR/4
を満足する[F18]又は[F19]に記載の撮像装置。
[F21]赤外線が入射する温度検出素子の側には、第1赤外線吸収層が形成されており、
空所の底部に位置する被覆層の領域には、赤外線反射層が形成されており、
空所と対向する温度検出素子の側には、第2赤外線吸収層が形成されている[F14]乃至[F17]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F22]第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層が吸収すべき赤外線の波長をλIRとし、第1赤外線吸収層と第2赤外線吸収層との光学的距離L1とし、第2赤外線吸収層と赤外線反射層との光学的距離をL2としたとき、
0.75×λIR/4≦L1≦1.25×λIR/4
0.75×λIR/4≦L2≦1.25×λIR/4
を満足する[F21]に記載の撮像装置。
[F23]赤外線が入射する第1基板の面側に保護基板が配設されている[F14]乃至[F20]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F24]赤外線に基づき温度を検出する温度検出素子ユニットを備えており、
温度検出素子ユニットは、赤外線の入射に沿って上下に配設された2つの温度検出素子から成り、
温度検出素子ユニットにおいて、各温度検出素子が検出する赤外線の波長は同じであり、又は、異なっており、又は、各温度検出素子の赤外線吸収量は異なっている[F01]乃至[F03]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F25]被覆層には熱伝導層が形成されている[F01]乃至[F23]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F26]被覆層には温度制御層が形成されており、
温度検知手段を更に有する[F01]乃至[F25]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F27]温度制御層はヒータとして機能する[F26]に記載の撮像装置。
[F28]温度制御層は配線を兼ねている[F27]に記載の撮像装置。
[F29]温度検知手段の温度検知結果に基づき、駆動回路は温度制御層を制御する[F26]乃至[F28]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F30]第1構造体は、温度検出素子を備えた温度検出素子アレイ領域、及び、温度検出素子アレイ領域を取り囲む周辺領域を備えており、
温度制御層は温度検出素子アレイ領域に形成されている[F26]乃至[F29]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F31]温度制御層は、温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する被覆層の領域に形成されている[F26]乃至[F29]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F32]駆動回路は、アナログ-デジタル変換回路を備えており、
温度検出素子アレイ領域の正射影像が存在する駆動基板の領域には、アナログ-デジタル変換回路が配設されていない[F01]乃至[F29]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F33]温度検出素子は、pn接合ダイオード、ボロメータ素子、サーモパイル素子、金属膜抵抗素子、金属酸化物抵抗素子、セラミック抵抗素子、サーミスタ素子から成る[A01]乃至[F32]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F34]集光素子を更に備えている[A01]乃至[F33]のいずれか1項に記載の撮像装置。
[F35]遮光部を更に備えている[A01]乃至[F34]のいずれか1項に記載の撮像装置。
Claims (7)
- 第1の方向、及び、第1の方向とは異なる第2の方向に沿って配列された複数の温度検出素子ユニット、及び、第1の方向及び第2の方向に沿って配列された複数の赤外線吸収層ユニット、を備えており、
各温度検出素子ユニットは、第1の方向に沿って隣接する第1温度検出素子及び第2温度検出素子から構成されており、
各赤外線吸収層ユニットは、第2の方向に沿って隣接する第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層から構成されており、
第1温度検出素子は、第1Aの領域、及び、第2の方向に沿って第1Aの領域と接する第1Bの領域を有しており、
第2温度検出素子は、第2Aの領域、及び、第2の方向に沿って第2Aの領域と接する第2Bの領域を有しており、
第1赤外線吸収層は、第1Aの領域及び第2Aの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第1の接続部を介して第1温度検出素子と熱的に接続されており、
第2赤外線吸収層は、第1Bの領域及び第2Bの領域に対して赤外線入射方向に沿って離間して配設され、且つ、第2の接続部を介して第2温度検出素子と熱的に接続されている
撮像装置。 - 第1赤外線吸収層の正射影像は、少なくとも第1Aの領域の一部及び第2Aの領域の一部と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、少なくとも第1Bの領域の一部及び第2Bの領域の一部と重なっている
請求項1に記載の撮像装置。 - 第1赤外線吸収層の正射影像は、第1Aの領域及び第2Aの領域と重なっており、
第2赤外線吸収層の正射影像は、第1Bの領域及び第2Bの領域と重なっている請求項2に記載の撮像装置。 - 第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層は、実質的に隙間無く、第1温度検出素子及び第2温度検出素子を覆っている請求項1に記載の撮像装置。
- 温度検出素子ユニットの間に、ゲイン測定用素子が配設されている請求項1に記載の撮像装置。
- 第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層は、実質的に隙間無く第1温度検出素子及び第2温度検出素子を覆っており、ゲイン測定用素子を覆っていない請求項5に記載の撮像装置。
- 第1赤外線吸収層及び第2赤外線吸収層は、実質的に隙間無く第1温度検出素子、第2温度検出素子及びゲイン測定用素子を覆っている請求項5に記載の撮像装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018107750 | 2018-06-05 | ||
JP2018107750 | 2018-06-05 | ||
PCT/JP2019/018222 WO2019235115A1 (ja) | 2018-06-05 | 2019-05-07 | 撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019235115A1 JPWO2019235115A1 (ja) | 2021-07-08 |
JP7362602B2 true JP7362602B2 (ja) | 2023-10-17 |
Family
ID=68769961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020523572A Active JP7362602B2 (ja) | 2018-06-05 | 2019-05-07 | 撮像装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210265415A1 (ja) |
EP (1) | EP3805718B1 (ja) |
JP (1) | JP7362602B2 (ja) |
WO (1) | WO2019235115A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7433278B2 (ja) * | 2021-09-01 | 2024-02-19 | 日立ジョンソンコントロールズ空調株式会社 | センサ装置および空気調和機 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000146686A (ja) | 1997-01-27 | 2000-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2002296117A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Toshiba Corp | 撮像素子 |
JP2007333558A (ja) | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出装置 |
JP2008204978A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 撮像素子 |
JP2009133825A (ja) | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子およびその製造方法 |
JP2009156614A (ja) | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Nissan Motor Co Ltd | 偏光赤外線検出素子およびその製造方法、並びに偏光赤外線検出素子アレイ |
JP2010276516A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子及びその製造方法 |
WO2011036708A1 (ja) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 株式会社 東芝 | 赤外線撮像素子及びこれを用いた赤外線撮像装置 |
JP2011169857A (ja) | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子 |
CN102386268A (zh) | 2010-08-30 | 2012-03-21 | 中国科学院微电子研究所 | 红外焦平面阵列器件及其制作方法 |
JP2012154762A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線センサおよび赤外線センサアレイ |
JP2018040791A (ja) | 2016-09-02 | 2018-03-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5288649A (en) * | 1991-09-30 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming uncooled infrared detector |
JPH08122144A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線検出器 |
JPH08122143A (ja) * | 1994-10-27 | 1996-05-17 | Murata Mfg Co Ltd | 赤外線検出器 |
JP3866069B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 赤外線固体撮像装置 |
JP4158830B2 (ja) | 2005-11-25 | 2008-10-01 | 松下電工株式会社 | 熱型赤外線検出装置の製造方法 |
US7825379B2 (en) * | 2007-11-09 | 2010-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Thermal-type infrared image sensing device and method of producing the same |
JP2014135571A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | V Technology Co Ltd | 撮像装置 |
FR3026483A1 (fr) * | 2014-09-26 | 2016-04-01 | Commissariat Energie Atomique | Detecteur bolometrique a structures mim de dimensions differentes |
SG11201705483YA (en) * | 2015-01-09 | 2017-08-30 | Apple Inc | Polarization selective, frequency selective, and wide dynamic range detectors, imaging arrays, readout integrated circuits, and sensor systems |
-
2019
- 2019-05-07 WO PCT/JP2019/018222 patent/WO2019235115A1/ja unknown
- 2019-05-07 US US17/059,003 patent/US20210265415A1/en active Pending
- 2019-05-07 JP JP2020523572A patent/JP7362602B2/ja active Active
- 2019-05-07 EP EP19815265.4A patent/EP3805718B1/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000146686A (ja) | 1997-01-27 | 2000-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線固体撮像素子 |
JP2002296117A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Toshiba Corp | 撮像素子 |
JP2007333558A (ja) | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出装置 |
JP2008204978A (ja) | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 撮像素子 |
JP2009133825A (ja) | 2007-11-09 | 2009-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子およびその製造方法 |
JP2009156614A (ja) | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Nissan Motor Co Ltd | 偏光赤外線検出素子およびその製造方法、並びに偏光赤外線検出素子アレイ |
JP2010276516A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子及びその製造方法 |
WO2011036708A1 (ja) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 株式会社 東芝 | 赤外線撮像素子及びこれを用いた赤外線撮像装置 |
JP2011169857A (ja) | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線撮像素子 |
CN102386268A (zh) | 2010-08-30 | 2012-03-21 | 中国科学院微电子研究所 | 红外焦平面阵列器件及其制作方法 |
JP2012154762A (ja) | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線センサおよび赤外線センサアレイ |
JP2018040791A (ja) | 2016-09-02 | 2018-03-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3805718A1 (en) | 2021-04-14 |
US20210265415A1 (en) | 2021-08-26 |
JPWO2019235115A1 (ja) | 2021-07-08 |
EP3805718B1 (en) | 2024-06-26 |
EP3805718A4 (en) | 2021-11-10 |
WO2019235115A1 (ja) | 2019-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7019347B2 (ja) | 撮像装置 | |
KR100386484B1 (ko) | 개구율이 높아지도록 실드를 구비한 열형 적외선 검출기 | |
US8648304B1 (en) | Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method | |
JP3703480B2 (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
JP7175905B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP7132235B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2005043381A (ja) | 熱型赤外線検出器およびその製造方法 | |
JP7362602B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP5708122B2 (ja) | 熱型赤外線固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP7237506B2 (ja) | 撮像装置 | |
JP2008039570A (ja) | 熱型赤外線固体撮像装置及び赤外線カメラ | |
JP5691502B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 | |
JP5707930B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 | |
US20150122999A1 (en) | Thermal detector, thermal detection device, electronic instrument, and thermal detector manufacturing method | |
JP5655556B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 | |
WO2011121706A1 (ja) | 赤外線撮像素子および赤外線撮像装置 | |
JP5672056B2 (ja) | 熱型光検出器、熱型光検出装置、電子機器および熱型光検出器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20210818 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220502 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231004 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7362602 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |