JP2008204978A - 撮像素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 可視光検出器と熱型赤外線検出器を同一基板上に配列配置し、可視光検出器は、フォトダイオードを光検出部とし、熱型赤外線検出器は、可視域から近赤外域の光を透過する赤外線吸収部と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、赤外線吸収部は温度検出部と離間されて支持され、さらに温度検出部は前記支持脚のみによって半導体基板と接続される構造であり、赤外線吸収部が可視光検出器の上部を覆う構造を特徴とするものである。
【選択図】 図2
Description
本発明は、光学系を介して可視赤外撮像素子の撮像領域に入射する光の成分のうち、赤外線吸収部で吸収すべき赤外線と可視光検出器で吸収すべき可視域の光とを分離して利用することとしたものである。以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1において、赤外画像の取得は、熱型赤外線検出器1、赤外駆動走査回路3、赤外信号走査回路4、赤外出力アンプ5の構成によって行われる。また、可視画像の取得は、Siのpn接合フォトダイオードを光電気変換素子とする量子型の可視光検出器2、可視駆動走査回路6、可視信号走査回路7、可視出力アンプ8の構成によって行われる。
また、可視光検出器2の信号は、可視駆動走査回路6と可視信号走査回路7とにより読み出され、可視出力アンプ8より素子外部へ出力される。
従って、可視、赤外それぞれの駆動走査回路と信号走査回路とのスキャン動作によって、アレイ状に配置された熱型赤外線検出器1と可視光検出器2の検出器出力が時系列に読み出され、赤外画像信号と可視画像信号とが同時に得られる。
赤外画像と可視画像は、撮像領域の隣接する検出器によって撮像しているため、赤外画像と可視画像の位置の差は画素ピッチ分のずれでありほぼ一致した画像が取得できる。
可視光検出器2は、バルクSi10上に作製されたフォトダイオード12を検出器の主要構成要素としている。フォトダイオード12上には誘電体膜21が形成され、誘電体膜21を透過して可視光から近赤外線までの光がフォトダイオード12へ到達する。フォトダイオード12では光電変換によって信号が発生し、読み出し回路11へこの信号が転送される。読み出し回路11は、信号読み出し用トランジスタと行および列選択用トランジスタを含む回路であり、可視光検出器2としての出力を発生させる。
熱型赤外線検出器1は、赤外線吸収部9と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、前記赤外線吸収部は温度検出部と離間されて支持され、さらに温度検出部は支持脚のみによって半導体基板と接続された構造である。
図3を参照して、熱型赤外線検出器1は、SOI(Silicon On Insulator)基板の埋め込み酸化膜(以下、BOX酸化膜という)15の上に作製されたSOIダイオード16を温度検出部とした構成である。SOIダイオード16は熱を電気信号へ変換する素子として機能する。また、BOX酸化膜15の下のバルクSi10の部分は、エッチングにより空隙14が形成されており、図示しない支持脚を介して基板10から温度検出部(SOIダイオード16)が離間されて支持されている。そのため、温度検出部から基板10への熱伝導を低減する構造となっている。この構造は、マイクロマシニング技術を用いて作製される。したがって、素子へ入射する赤外線によって断熱構造体上の検知部分温度が上昇し、その温度上昇を熱電気変換素子で検出し、電気信号として出力することが可能となる。
上述の実施の形態1では、SOI基板のバルクSi10上にフォトダイオード12を形成した例を説明したが、本実施の形態ではバルクSiの替わりに、エピタキシャルSi23とその下部に高濃度バルクSi22がある基板を使用した例を説明する。すなわち、表層から順にSOI層、BOX酸化膜、エピタキシャルSi層、高濃度バルクSiとなっている基板を使用する。なお、使用する基板の構成が実施の形態1と異なる他は実施の形態1と同様の構成である。そのため、以下に説明する本実施形態に特有の構成に起因する効果の他に実施の形態1と同様の効果も奏する。ここで、本実施の形態でいうエピタキシャルSiとは、1014〜1016cm-3程度の不純物濃度のエピタキシャルSi層をいい、また、高濃度バルクSiとは、1017〜1018cm-3程度の不純物濃度のSi基板をいう。
図6は、本実施形態の可視赤外撮像素子の画素部を拡大した平面図であり、撮像領域中の隣り合う熱型赤外線検出器1および可視光検出器2の配置を示した図である。また、理解を容易にするために、赤外線吸収部9を透視して表示している。なお、画素の構成が実施の形態1と異なる他は実施の形態1と同様の構成である。そのため、以下に説明する本実施形態に特有の構成に起因する効果の他は実施の形態1と同様の効果も奏する。
Claims (6)
- 可視光検出器と熱型赤外線検出器とが互いに隣接して周期的に並んで半導体基板の上に配置された撮像素子であって、
前記可視光検出器は、フォトダイオードを光検出部とし、
前記熱型赤外線検出器は、可視域から近赤外域の光を透過する赤外線吸収部と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、前記赤外線吸収部は前記温度検出部と離間されて支持され、さらに前記温度検出部は前記支持脚のみによって前記半導体基板と接続される構造であり、前記赤外線吸収部が前記可視光検出器の上部を覆う構造であることを特徴とする撮像素子。 - 赤外線吸収部は、可視域から近赤外域の光を透過し中遠赤外領域の赤外線を吸収する膜を含む構造であることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- フォトダイオード上を除いて可視光検出器のほぼ全面に光を反射する反射膜を前記可視光検出器の表面に形成したことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- SOI基板の埋め込み酸化膜の下にエピタキシャルSi層と更にその下に前記エピタキシャルSi層よりも高濃度のバルクSi層を有したSOI基板を使用して、前記エピタキシャルSi層にフォトダイオードを形成したことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 可視光検出器および熱型赤外線検出器がマトリクス状に配列され、行及び列方向にそれぞれ半ピッチだけ互いにずれて配置されたことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 互いに隣接する赤外線吸収部間の間隙の直下にフォトダイオードの受光部分を配置したことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
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