JP2007333558A - 赤外線検出装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1に形成された凹部空間4の上方に受光部5を梁3a,3bで支持する検出素子(画素)を、基板上に複数配列した赤外線検出装置1において、基板上の光軸位置に対する検出素子の位置に応じて、受光部5の受光面を光軸の方向を向くように傾斜させたことにより、赤外線検出装置1の周辺画素における光量の低下を抑制するようにした。受光面である表面側に形成された圧縮応力を有する層と裏面側に形成された引張応力を有する層とを受光部5に形成することで、表裏面間の応力差により受光部5が傾く。
【選択図】図1
Description
請求項7の発明は、 光学系からの赤外線が入射する受光部と、基板に形成された凹部の上方に前記受光部を支持する梁とを備えた検出素子を、前記基板上に複数配列した赤外線検出装置に適用され、基板上の光軸位置に対する検出素子の位置に応じて、受光部周縁の内の光軸から遠い領域に、光学系側に突出する受光面を形成したことを特徴とする。
請求項12の発明は、 光学系からの赤外線が入射する受光部と、基板に形成された凹部の上方に受光部を支持する梁とを備えた検出素子を、基板上に複数配列した赤外線検出装置に適用され、受光部の受光面を入射赤外線方向に盛り上がった凸状面としたことを特徴とする。
−第1の実施の形態−
図1、2は本発明による赤外線検出装置の第1の実施の形態を示す図である。図1は赤外線検出装置1の斜視図であり、(a)は赤外線検出装置を示したもので、(b)は赤外線検出装置の画素13を構成する赤外線検出素子を抜き出して示したものである。また、図2は梁3a,3bの形状を示すための平面図であり、受光部5が傾斜していない状態で示した。赤外線検出装置1は、赤外線検出素子(以下では画素と呼ぶことにする)を2次元的に多数配置して構成されるイメージセンサであるが、ここでは、縦5画素×横5画素の25画素から成るものとして説明する。
次に、製造方法の概略について図を参照しながら説明する。なお、断面図に関しては、図3のB−B断面を示している。図6(a)に示す第1の工程では、シリコン基板100の表面に、ポリシリコン層110をCVD等により形成する。シリコン基板100はその基板表面が面方位(100)となるように形成されており、その(100)面上にポリシリコン層110が形成される。図6(b)に示す第2の工程では、ポリシリコン層110の矩形状の領域110aを囲む領域110bにボロンをイオン注入し、エッチングストッパを形成する。この矩形状の領域110aは、後述するようにエッチング犠牲層として機能する。以下では、領域110aをエッチング犠牲層と呼び、領域110bをエッチングストッパと呼ぶことにする。
図9は、本発明による赤外線検出装置の第2の実施形態を示す斜視図である。図9において、(a)は赤外線検出装置を示し、(b)は赤外線検出装置の画素22を構成する赤外線検出素子を抜き出して示したものであり、(c)は受光部5と入射光束との関係を示す図である。なお、図9においても、図1と同様の構成には同一の符合を付して示した。以下では、第1の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
図12は、本発明による赤外線検出装置の第3の実施形態を示す斜視図である。図12において、(a)は赤外線検出装置を示し、(b)は赤外線検出装置の画素11を構成する赤外線検出素子を抜き出して示したものであり、(c)は受光部5と入射光束との関係を示す図である。なお、図12においても、図1と同様の構成には同一の符合を付して示した。以下では、第1の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
図16は第3の実施の形態の変形例を示す斜視図であり、(a)は赤外線検出装置を示し、(b)は画素11を抜き出して示したもので、(c)は光束との関係を示す図である。なお、図12と同様の構成には同一の符合を付した。図12に示した赤外線検出装置では受光部5を階段状に形成したが、図16に示す変形例では、受光部5をピラミッド型の段形状とした。この場合も、光軸から周辺方向に離れるに従って段数が増加し、かつ、各段が光軸から遠い位置に偏って配置されている。
図17は、本発明による赤外線検出装置の第4の実施形態を示す斜視図である。図17において、(a)は赤外線検出装置を示し、(b)は赤外線検出装置の1画素を抜き出して光束との関係を示したものである。また、図18は、梁3a,3bの形状を示すための平面図である。図17(a)に示すように、受光部5は配列中央の画素33を除き、画素配列中心からの放射直線に対し直交方向に中心軸を有したアーチ(円筒)型に形成され、画素が配列中央から周辺に近づくに従い、受光面の曲率が大きくなると共に、受光面の頂点の位置が配列周辺部方向にシフトしている。
(1) 光学系からの赤外線が入射する受光部5と、基板1に形成された凹部4の上方に受光部5を支持する梁3a,3bとを備えた検出素子(画素)を、基板上に複数配列した赤外線検出装置1において、基板上の光軸位置に対する検出素子(画素)の位置に応じて、受光部5の受光面を光軸の方向を向くように傾斜させたことにより、赤外線検出装置1の周辺画素における光量の低下を抑制することができる。例えば、受光面である表面側に形成された圧縮応力を有する層と裏面側に形成された引張応力を有する層とを受光部5に形成し、表裏面間の応力差により受光部5を傾けてその受光面を傾斜させるようにすれば良い。
(2)また、基板上における検出素子(画素)と光軸との距離が大きいほど傾斜の角度を大きくすることにより、赤外線の入射角度に応じた周辺減光の補正が可能となり、受光面全域にわたって光量の均一化を図ることができる。例えば、受光部の重心に対して梁の支点の中点を光軸の方向へとシフトさせるとともに、そのシフト量を基板上における検出素子と光軸との距離が大きいほど大きくすることで、傾斜の角度を周辺画素ほど大きくすることができる。
(3)傾斜の角度を周辺画素ほど大きくする方法としては、光軸に近い方の梁3dを他の梁3cより短くするとともに、それらの長さの差を基板上における検出素子(画素)と光軸との距離が大きいほど大きくする方法や、光軸に近い方の梁3fを他の梁3eより細くするとともに、それらの太さの差を基板上における検出素子(画素)と光軸との距離が大きいほど大きくする方法がある。
(4) 光学系からの赤外線が入射する受光部5と、基板1に形成された凹部4の上方に受光部5を支持する梁3a,3bとを備えた検出素子(画素)を、基板上に複数配列した赤外線検出装置1において、基板上の光軸位置に対する検出素子の位置に応じて、受光部周縁の内の光軸からより遠い領域に、光学系側に突出する受光面5a,5bを形成したことにより、受光面積が増加して受光量が増加し、周辺画素の光量低下を軽減することができる。例えば、受光面5a,5bを受光部から垂直に突出させる。また、基板上における検出素子と光軸との距離が大きいほど突出量を大きくすることで、周辺部の画素ほど受光量の改善効果が得られ、受光量の均一化を図れる。
(5)また、受光部5を階段状に形成して受光面を傾斜させるようにしても良い。さらに、階段状に形成された受光部5の段の高さを、基板上における検出素子と光軸との距離が大きいほど大きくすることで、周辺部の画素ほど受光量の改善効果が大きくなり、受光量の均一化を図れる。
(6)さらに、受光部の受光面を入射赤外線方向に盛り上がった凸状面としても良い。そして、基板上における検出素子と光軸との距離が大きいほど凸状面の曲率を大きくすることで、周辺部の画素ほど受光量の改善効果が大きくなり、受光量の均一化を図れる。また、頂点の位置を受光部中央から光軸と反対の方向にシフトさせ、そのシフト量を、基板上における検出素子と光軸との距離が大きいほど大きくすることで、周辺部の改善効果がより一層高まる。
Claims (14)
- 光学系からの赤外線が入射する受光部と、基板に形成された凹部の上方に前記受光部を支持する梁とを備えた検出素子を、前記基板上に複数配列した赤外線検出装置において、
前記基板上の光軸位置に対する前記検出素子の位置に応じて、前記受光部の受光面を前記光軸の方向を向くように傾斜させたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項1に記載の赤外線検出装置において、
前記受光部は、受光面である表面側に形成された圧縮応力を有する層と裏面側に形成された引張応力を有する層とを有し、表裏面間の応力差により前記受光部を傾けてその受光面を傾斜させたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項1または2に記載の赤外線検出装置において、
前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど前記傾斜の角度を大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項2に記載の赤外線検出装置において、
前記受光部の重心に対して前記梁の支点の中点を前記光軸の方向へとシフトさせるとともに、そのシフト量を前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項2に記載の赤外線検出装置において、
前記受光部は長さの異なる一対の梁で支持され、
前記一対の梁の前記光軸に近い方をより短くし、それらの長さの差を前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項2に記載の赤外線検出装置において、
前記受光部は太さの異なる一対の梁で支持され、
前記一対の梁の前記光軸に近い方をより細くし、それらの太さの差を前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 光学系からの赤外線が入射する受光部と、基板に形成された凹部の上方に前記受光部を支持する梁とを備えた検出素子を、前記基板上に複数配列した赤外線検出装置において、
前記基板上の光軸位置に対する前記検出素子の位置に応じて、受光部周縁の内の前記光軸からより遠い領域に、光学系側に突出する受光面を形成したことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項7に記載の赤外線検出装置において、
前記受光面は、前記光軸に沿って前記受光部から垂直に突出することを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項7または8に記載の赤外線検出装置において、
前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど前記受光面の突出量を大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項1に記載の赤外線検出装置において、
前記受光部を階段状に形成して受光面を傾斜させたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項10に記載の赤外線検出装置において、
前記階段状に形成された受光部の段の高さを、前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 光学系からの赤外線が入射する受光部と、基板に形成された凹部の上方に前記受光部を支持する梁とを備えた検出素子を、前記基板上に複数配列した赤外線検出装置において、
前記受光部の受光面を入射赤外線方向に盛り上がった凸状面としたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項12に記載の赤外線検出装置において、
前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど前記凸状面の曲率を大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。 - 請求項12または13に記載の赤外線検出装置において、
前記頂点の位置を受光部中央から光軸と反対の方向にシフトさせ、そのシフト量を、前記基板上における前記検出素子と前記光軸との距離が大きいほど大きくしたことを特徴とする赤外線検出装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009200487A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | 温度センサを有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
JP2011159967A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-08-18 | Panasonic Corp | 固体撮像装置、撮像装置、及び分光素子 |
JP2013529295A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-07-18 | マイクロセンス エレクトロニク サン.ヴェ ティク.エー.エス. | 非冷却赤外線検出装置及びその製造方法 |
WO2014141824A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | オムロン株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線センサチップ |
WO2019235115A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6138429A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-24 | Tekken Kensetsu Co Ltd | 輻射赤外線式火災検出装置 |
JPS6396617A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPH09218088A (ja) * | 1996-12-02 | 1997-08-19 | Nec Corp | 赤外線撮像素子とその製造方法 |
JPH1019667A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線センサ |
JP2000146684A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Nec Corp | 傾斜したダイアフラム構造を有する熱型赤外線検出素子 |
JP2003065842A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検出器 |
JP2005064060A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置 |
JP2005303325A (ja) * | 2002-06-24 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2006064604A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子 |
JP2006138747A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
-
2006
- 2006-06-15 JP JP2006165599A patent/JP4775128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6138429A (ja) * | 1984-07-30 | 1986-02-24 | Tekken Kensetsu Co Ltd | 輻射赤外線式火災検出装置 |
JPS6396617A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Canon Inc | 撮像装置 |
JPH1019667A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外線センサ |
JPH09218088A (ja) * | 1996-12-02 | 1997-08-19 | Nec Corp | 赤外線撮像素子とその製造方法 |
JP2000146684A (ja) * | 1998-11-12 | 2000-05-26 | Nec Corp | 傾斜したダイアフラム構造を有する熱型赤外線検出素子 |
JP2003065842A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検出器 |
JP2005303325A (ja) * | 2002-06-24 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイス及びその製造方法 |
JP2005064060A (ja) * | 2003-08-18 | 2005-03-10 | Sony Corp | 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び固体撮像装置 |
JP2006064604A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子 |
JP2006138747A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子およびその製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009200487A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Asml Netherlands Bv | 温度センサを有するリソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
US8072575B2 (en) | 2008-02-21 | 2011-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with temperature sensor and device manufacturing method |
JP2011159967A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-08-18 | Panasonic Corp | 固体撮像装置、撮像装置、及び分光素子 |
US8792027B2 (en) | 2010-01-06 | 2014-07-29 | Panasonic Corporation | Solid-state image pickup device, imaging device, and dispersing element |
JP2013529295A (ja) * | 2010-04-12 | 2013-07-18 | マイクロセンス エレクトロニク サン.ヴェ ティク.エー.エス. | 非冷却赤外線検出装置及びその製造方法 |
US8941064B2 (en) | 2010-04-12 | 2015-01-27 | Mikrosens Elektronik San. Ve Tic. A.S. | Uncooled infrared detector and methods for manufacturing the same |
KR101528968B1 (ko) * | 2010-04-12 | 2015-06-15 | 미크로센스 엘렉트로니크 싼. 베 틱. 아.쎄. | 비냉각형 적외선 검출기 및 이를 제작하기 위한 방법 |
WO2014141824A1 (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | オムロン株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線センサチップ |
WO2019235115A1 (ja) * | 2018-06-05 | 2019-12-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
JP7362602B2 (ja) | 2018-06-05 | 2023-10-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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