JP2009229260A - 赤外線センサ素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】支持部の断熱性の低下を抑制し、残留応力による歪みが少なく機械的剛性の強い支持部を備えた非冷却型赤外線センサ素子を提供する。
【解決手段】表面に凹部51が設けられた半導体基板5と、凹部が設けられた領域と異なる半導体基板の領域上に設けられ、第1信号配線部3aと、前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に前記第1配線部と交差するように設けられ、第2信号配線31bを含む第2信号配線部3bと、前記凹部51の上方に配置され、第1信号配線と一端が電気的に接続される第1配線10aおよび第1配線と互いに絶縁されるとともに並列に配置され一端が電気的に接続される第2配線10bを含む支持配線部10を有する支持部1と、第1および第2配線の他端と電気的に接続された熱電変換部21と、熱電変換部の上方に設けられそれと熱的に接続された赤外線吸収層とを有し、凹部の上方に支持された検出セル部2を備えている。
【選択図】図1
【解決手段】表面に凹部51が設けられた半導体基板5と、凹部が設けられた領域と異なる半導体基板の領域上に設けられ、第1信号配線部3aと、前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に前記第1配線部と交差するように設けられ、第2信号配線31bを含む第2信号配線部3bと、前記凹部51の上方に配置され、第1信号配線と一端が電気的に接続される第1配線10aおよび第1配線と互いに絶縁されるとともに並列に配置され一端が電気的に接続される第2配線10bを含む支持配線部10を有する支持部1と、第1および第2配線の他端と電気的に接続された熱電変換部21と、熱電変換部の上方に設けられそれと熱的に接続された赤外線吸収層とを有し、凹部の上方に支持された検出セル部2を備えている。
【選択図】図1
Description
本発明は非冷却型の赤外線センサ素子に関する。
非冷却型(熱型)赤外線センサ素子は、赤外線吸収層によって赤外線を吸収して熱に変換し、この熱を熱電変換素子によって電気信号に変換する素子である。非冷却型赤外線センサ素子では、赤外線吸収層及び熱電変換素子を外系と熱的に隔離するように、表面微細構造またはバルク微細構造の形成技術が活用される。冷却型(量子型)赤外線センサ素子が効果で大きな冷却器を必要とするのに対し、非冷却型赤外線センサ素子は小型で安価というメリットがある。
この非冷却型赤外線センサ素子の感度を向上するための方法の一つに、赤外線吸収層によって変換された熱を、熱電変換素子から外系へ逃がさないようにする方法がある。一般的に、真空パッケージに実装される非冷却型赤外線センサ素子においては、半導体基板の空洞部上に熱電変換素子が支持部によって中空構造に支持されているため、熱電変換素子から外系への熱輸送は、支持部の熱伝導によるものが支配的である。従って、熱電変換素子の断熱性を高めるには、低熱伝導率の材料からなる支持部の断面積をより小さく(例えば、特許文献1参照)、長さをより長くレイアウトする(例えば、特許文献2参照)ことが行なわれている。
特開2006−162470号公報
特開2006−300816号公報
前述したように、非冷却型赤外線センサにおける支持部の断熱特性向上のためには、支持部の断面積をより小さく、長さをより長くレイアウトすることが必要となるが、すでに微細構造の形成が行われており、支持部のレイアウトでの工夫によって、これ以上の大幅な感度向上を実現するのは難しい。
従来の非冷却型赤外線センサ素子において、例えば、特許文献1に示されるような薄膜化した支持部は、断熱特性の向上に有効と考えられるものの、より高感度化のために支持部の断面積を更に小さくさせた場合、残留応力による予期しない歪みが生じる可能性がある。また、機械的剛性も弱くなるため、外部からの衝撃や経時劣化による予期しない破壊の可能性もあり、信頼性に課題がある。また、特許文献2に示されるような支持部を回転対称でレイアウトすることは、中心部にかかる内部応力が釣り合うため支持部の歪み防止に対して有効と考えられるものの、特に支持部形成プロセスのマスク合わせずれよって、中心部にかかる内部応力が釣り合わず歪みが生じてしまう。例えば、支持部の幅を1μmとして配線部が0.1μm偏った場合でも大きな歪みを生じるため、0.1μm未満の合わせ精度が要求される。歪みや機械的剛性の改善手段として支持部の厚膜化があるが、断熱特性向上の方法と相反するため、感度が低下する。
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、支持部の断熱性の低下を可及的に抑制し、残留応力による歪みが少なく且つ機械的剛性の強い支持部を備えた非冷却型赤外線センサ素子を提供することを目的とする。
本発明の一態様による赤外線センサ素子は、表面に凹部が設けられた半導体基板と、前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に設けられ、第1信号配線を含む第1信号配線部と、前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に前記第1配線部と交差するように設けられ、第2信号配線を含む第2信号配線部と、前記凹部の上方に配置され、前記第1信号配線と一端が電気的に接続される第1配線および前記第1配線と互いに絶縁されるとともに並列に配置され前記第2信号配線と一端が電気的に接続される第2配線を含む支持配線部を有する支持部と、前記第1および第2配線のそれぞれの他端と電気的に接続された熱電変換部と、前記熱電変換部の上方に設けられ前記熱電変換部と熱的に接続され赤外線を吸収する赤外線吸収層とを有し、前記凹部の上方に配置され、前記支持部によって支持された検出セル部と、を備えていることを特徴とする。
本発明によれば、支持部の断熱性の低下を可及的に抑制し、残留応力による歪みが少なく且つ機械的剛性の強い支持部を備えた非冷却型赤外線センサ素子を提供することができる。
本発明の一実施形態による赤外線センサ素子を図1(a)、1(b)に示す。図1(a)は本実施形態による赤外線センサ素子の平面図、図1(b)は図1(a)に示す切断線A−Aで切断した断面図である。なお、図1(a)では、全体の構成がわかるように、赤外線吸収部6の記載は省略している。本実施形態の赤外線センサ素子は支持部1と、検出セル部2と、格子状に配列された信号配線部3a、3bとを備えている。信号配線部3aは半導体基板5上に絶縁膜を介して図1(a)では縦方向に複数本形成され、信号配線部3bは、信号配線部3aと交差するように、図1(a)では横方向に複数本形成される。なお、信号配線部3aには、保護絶縁膜7に覆われた信号線31aが設けられ、信号配線部3bには、同様に保護絶縁膜7に覆われた信号線31bが設けられている。信号線31aと、信号線31bとは交差部において保護絶縁膜7によって絶縁されている。信号配線部3a、3bによって囲まれた、半導体基板5の表面には、空洞部(凹部)51が設けられている。そして、支持部1および検出セル部2は、凹部51の上方に配置される。支持部1は、九十九折り状の形状を有し、その一端が信号配線部3aに連結され、他端が検出セル部2に連結している。検出セル部2は、支持部1のみによって、凹部51の中空に浮いた状態で支持された構成となっている。支持部1には、保護絶縁膜7によって覆われた配線部10が設けられ、この配線部10は、保護絶縁膜7によって絶縁された2本の配線10a、10bを有している。配線10aは、一端が信号線31aと電気的に接続され、他端が検出セル部2と電気的に接続される。配線10bは、一端が検出セル部2と電気的に接続され、他端が信号線31bと電気的に接続される。本実施形態においては、凹部51は信号配線部3a、3bの交差領域毎に設けられ、支持部1および検出セル部2は凹部51に対応して設けられている。すなわち、検出セル部2はマトリクス状に配列され、各検出セル部2毎に凹部51が設けられている。
検出セル部2は、熱電変換部21と、セル配線部20と、それらの周囲を被覆する絶縁材料からなる保護絶縁膜7と、を有している。実際には、熱電変換部21とセル配線部20とは電気的に導通しているが、図1(b)では省略している。検出セル2部の上方には信号配線部3a、3bまでを覆うように傘構造の赤外線吸収部6が形成されている。赤外線吸収部6は二酸化シリコン、窒化シリコンなどの絶縁材料によって形成され、検出セル部2と保護絶縁膜7を介して熱的に接続されている。
赤外線素子の全体は真空パッケージされ、赤外線吸収部6と検出セル部2との間、および空洞部51は真空となっている。このように、半導体基板5から分離された検出セル部2を真空中に置くことにより検出セル部2の断熱性を向上させ、感度を高めるようにしている。
熱電変換部21はpn接合を有し、pn接合の順方向特性の温度依存性を利用し、電流または電圧一定の条件化で順方向電圧または電流の変化を読み出す。単位面積当たりの入射赤外線パワーをIlight、吸収効率をγ、単位画素当たりの赤外線吸収面積をAD、検出セル部2から半導体基板5への熱コンダクタンスをGth、pn接合の熱電変換係数をdV/dTとすると、熱電変換部21の出力信号は(1)式で表される。
(IlightADγ/Gth)(dV/dT) ・・・(1)
(1)式において、Gthは支持部1の熱コンダクタンスであり、(2)式で表される。
Gth =κNA/L ・・・(2)
(2)式において、κは支持部1の材料に依存する熱伝導率、Aは支持部1の断面積、Lは支持部1の長さ、Nは支持部1の本数である。
(IlightADγ/Gth)(dV/dT) ・・・(1)
(1)式において、Gthは支持部1の熱コンダクタンスであり、(2)式で表される。
Gth =κNA/L ・・・(2)
(2)式において、κは支持部1の材料に依存する熱伝導率、Aは支持部1の断面積、Lは支持部1の長さ、Nは支持部1の本数である。
赤外線センサ素子の感度は、(1)式から明らかなように、検出セル部2と半導体基板5との間の熱コンダクタンスGthに反比例する。したがって、半導体基板5の表面に設けられた空洞部51により、検出セル部2および支持部1を半導体基板5および信号配線部3a、3bから熱分離することで、赤外線センサ素子の感度を向上できる。
また、(2)式から明らかなように、熱コンダクタンスは支持部1の構造に大きく依存しており、本実施形態のように1本の支持部1で検出セル部2を支持する赤外線センサ素子は、例えば、2本の支持部で検出セル部を支持する赤外線センサ素子に比べ、熱コンダクタンスを等しくすると、支持部1幅が2倍の広さで形成できるため、機械的強度の向上や歪みの抑制を図ることができる。また、本実施形態のように、支持部1を九十九折り形状としてその長さLを長くすることが可能となるので、熱コンダクタンスを小さくすることができ、優れた断熱特性を有することになる。この結果、信頼性が高くかつ感度の高い赤外線センサ素子を得ることができる。なお、配線10a、10bは、熱伝導率の低いチタンまたは窒化チタンから形成されることが好ましい。
次に、本実施形態の赤外線センサ素子の製造方法を図2乃至図7を参照して説明する。図2乃至図7は、本実施形態の赤外線センサ素子の製造工程を示す断面図である。
まず、半導体基板5上に絶縁膜7aを形成し、この絶縁膜7a上に熱電変換部21を形成し、この熱電変換部21を覆うように、絶縁膜7bを形成する(図2)。半導体基板5としてSOI基板を用いた場合には、SOI基板の埋め込み酸化膜を絶縁膜7aとして用いてもよい。熱電変換部21は、例えば単結晶シリコンを材料とするpnダイオードである。熱電変換部21を覆うよう形成される絶縁膜7bは、例えば二酸化シリコンで形成され、素子分離領域として作用する。絶縁膜7a、7bが保護絶縁膜7を構成する。
次に、絶縁膜7b上に導電性材料膜を形成しパターニングすることにより複数本の信号線31b(図示せず)を形成した後、これらの信号線31bを覆うように第1絶縁膜(図示せず)を形成する。そして、この絶縁膜上に導電性材料膜を形成しパターニングすることにより複数本の信号線31a、セル配線部20、および配線部10を形成する。なお、配線部10は、配線10aと、配線10bとを備えている。これらの信号線31a、セル配線部20、および配線部10は、第2絶縁膜7cによって覆われる。絶縁膜7a、7b、第1絶縁膜、および第2絶縁膜7cが保護絶縁膜7を構成する。
次に、空洞部51を形成するために、半導体基板5の表面に達するエッチングホール4を、例えばRIE等の異方性エッチングによって保護絶縁膜7に形成し、半導体基板5の表面を露出させる(図4)。この工程により、検出セル2部が形成される領域と、支持部1が形成される領域とが互いに分離されるとともに、信号配線部3a、3bが画定する。また、この工程によって、支持部1のパターニングが行われる。このパターニングは図1(b)に示す支持部1の形状のほか、検出セル部2のサイズ、赤外線センサ素子サイズ、支持部1の幅等の条件に応じて形成しても良い。このエッチングホール4を形成するためのレジスト露光工程は、一般的には、厳しいマスク合わせ精度が要求される。さらに、支持部1の保護絶縁膜7の一部を深さ方向に、RIE等の異方性エッチングによって削ってもよい。これにより、支持部1の熱コンダクタンスを低減させることができる。
次に、図5に示すように、エッチングホール4を埋め込むように、全面に犠牲層8を形成し、その後、検出セル部2上の犠牲層8を一部除去することにより開口を形成する。続いて、この開口を埋め込むように、絶縁材料の膜を形成し、パターニングすることにより、検出セル部2および犠牲層8上に絶縁材料からなる赤外線吸収部6が形成される。赤外線吸収部6は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン等の絶縁材料が用いられるが、この他に赤外線(〜10μm)に吸収感度を持つ材料でも良い。
次に、図6に示すように、犠牲層8をエッチングすることで、赤外線吸収部6は傘構造に形成され、検出セル部2のみと保護絶縁膜7を介して接続した構造となる。犠牲層8の除去後は、エッチングホール4の底面から半導体基板5を徐々にエッチングし、空洞部51を形成する。この工程に用いられるエッチング液として、例えばTMAHやKOH等の異方性エッチング溶液が用いられる。
空洞部51を形成した後、必要に応じて、支持部1を構成する支持配線部10の形状を成形するスリミング処理を行う(図7参照)。例えば、保護絶縁膜7が二酸化シリコンの場合、フッ酸処理によりスリミングを行い、熱コンダクタンスを低下させる。なお、配線10a、10bは、図8に示すように保護絶縁膜7によって完全に覆われるように構成してもよいし、図9に示すように配線10a、10bのそれぞれの片方の側面のみが露出するように構成してもよいし、図10に示すようにそれぞれの片方の側面のみならず、配線10a、10bの上下面の一部が露出するように構成してもよいし、図11に示すように配線10a、10bのそれぞれの片方の側面と、それぞれの上面(または下面)の一部のみが露出するように構成してもよい。これらの構成は、保護絶縁膜7の膜剥がれや機械的強度が仕様に耐えられる範囲で行うことが必要である。なお、図8乃至図11に示す構成は、スリミング処理にフッ酸を用いる場合、支持部1の配線10a、10bと保護絶縁膜7とにエッチングレートの選択比があるため、処理時間を長くすることで、容易に形成できる。
このように、本実施形態では、検出セル部2を電気的に分離した2本の支持配線部10を含む支持部1が1本のみで支持するため、熱コンダクタンスが低下することなく支持部1の幅が広く形成でき、機械的強度を増すことが可能となる。この結果、支持部1の熱的短絡による熱コンダクタンスの低下の恐れもなくなる。したがって、検出セル部2の感度が低下する恐れも無く、ロバストな非冷却型赤外線センサ素子を作製できる。
また、支持部1の形成の際に、マスク合わせずれによって支持部1の断面の対称性が失われたとしても、支持部1の幅が広いため従来よりも応力歪みが緩和され、特にフッ酸処理でのスリミングによって支持配線部10の側面が露呈している断面構造については、水平方向への応力歪みがなく、かつ支持部1の熱的短絡の恐れが無いため、支持部1を形成する際のマスク合わせ精度がそれほど要求されず、製造工程の簡略化と歩留まり向上が図れる。
さらに付加的な効果としては、本実施形態の支持部1の幅が従来の2本の支持部によって支持される赤外線センサ素子の2本の支持部幅の和よりも狭く、支持部1を形成するエッチングホール4領域の面積も減るため、熱コンダクタンスを低減することなく赤外線センサ素子の微細化が可能となり、コストの低下を図ることができる。
なお、本実施形態においては、支持部1は、形状が九十九折り形状であって、信号配線部3aとの接続が、信号配線部3aと、信号配線部3bとの交差部の近辺で行われていたが、図12に示す第1変形例のように、信号配線部3aとの接続を信号配線部3aの中央近辺で行い、かつ九十九折り形状の長さを約半分程度となるように構成してもよい。また、図13に示す第2変形例のように、支持部1を検出セル部2の周囲の3辺を取り囲むように構成してもよい。また、図14に示す第3変形例のように、信号配線部3aと、信号配線部3bとの両方に連結するように構成してもよい。
1 支持部
2 検出セル部
3a 信号配線部
3b 信号配線部
4 エッチングホール
5 半導体基板
6 赤外線吸収部
7 保護絶縁膜
8 犠牲層
10 配線部
10a 配線
10b 配線
20 セル配線部
21 熱電変換部
31a 信号配線
31b 信号配線
51 空洞部(凹部)
2 検出セル部
3a 信号配線部
3b 信号配線部
4 エッチングホール
5 半導体基板
6 赤外線吸収部
7 保護絶縁膜
8 犠牲層
10 配線部
10a 配線
10b 配線
20 セル配線部
21 熱電変換部
31a 信号配線
31b 信号配線
51 空洞部(凹部)
Claims (8)
- 表面に凹部が設けられた半導体基板と、
前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に設けられ、第1信号配線を含む第1信号配線部と、
前記凹部が設けられた領域と異なる前記半導体基板の領域上に前記第1配線部と交差するように設けられ、第2信号配線を含む第2信号配線部と、
前記凹部の上方に配置され、前記第1信号配線と一端が電気的に接続される第1配線および前記第1配線と互いに絶縁されるとともに並列に配置され前記第2信号配線と一端が電気的に接続される第2配線を含む支持配線部を有する支持部と、
前記第1および第2配線のそれぞれの他端と電気的に接続された熱電変換部と、前記熱電変換部の上方に設けられ前記熱電変換部と熱的に接続され赤外線を吸収する赤外線吸収層とを有し、前記凹部の上方に配置され、前記支持部によって支持された検出セル部と、
を備えていることを特徴とする赤外線センサ素子。 - 前記支持部は前記支持配線部の上下に形成された絶縁膜を有し、前記支持部の側面に、2本の前記配線の対向する側の側面と反対側の側面が露出していることを特徴とする請求項1記載の赤外線センサ素子。
- 前記支持配線部の上下の絶縁膜のうち、少なくとも一方の絶縁膜の幅が、前記支持部の最大幅の0.5倍以上から1倍以下であることを特徴とする請求項2記載の赤外線センサ素子。
- 前記第1および第2配線は、チタンまたは窒化チタンから形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の赤外線センサ素子。
- 前記支持部は九十九折り形状であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の赤外線センサ素子。
- 前記支持部は前記第1信号配線部のみと連結され、その連結箇所は前記第1および第2信号配線部との交差領域に近接していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の赤外線センサ素子。
- 前記支持部は前記検出セル部の3方の周囲を取り囲むように形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の赤外線センサ素子。
- 前記第1および第2信号配線部はそれぞれ複数個設けられ、前記凹部は前記第1および第2信号配線部に囲まれた領域に設けられ、前記支持部および前記検出セル部は前記凹部に対応して設けられていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の赤外線センサ素子。
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