JPWO2019142839A1 - 光学異方体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され、下記要件（１）〜（３）を満たす第一領域及び第二領域を含む光学異方性層を備える光学異方体。（１）光学異方性層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な光学異方性層の断面において、第一領域が、光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第一遅相軸を有する。（２）前記断面において、第二領域が、光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第二遅相軸を有する。（３）前記断面において、第一遅相軸と第二遅相軸とがなす角度Δθが、４０°〜８０°である。

Description

本発明は、光学異方体及びその製造方法に関する。

光学部材の一つとして、液晶性化合物を用いて製造される光学異方体が知られている。この光学異方体は、一般に、液晶性化合物を含む液晶組成物を配向させ、その配向状態を維持したままで硬化させた硬化物で形成された領域を含む光学異方性層を備える。このような光学異方体として、特許文献１に記載のものが提案されている。

特許第５３６３０２２号公報

光学異方体が備える光学異方性層は、通常、液晶性化合物によって生じる面内レターデーションを有する。よって、光学異方体は、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（以下、適宜「有機ＥＬ表示パネル」ということがある。）に設けられる円偏光板及び楕円偏光板等の偏光板に適用することができる。この偏光板は、通常、直線偏光子と光学異方体とを組み合わせて含む。このような偏光板は、反射抑制能力を有する反射抑制フィルムとして機能できるので、有機ＥＬ表示パネルの表示面に設けることにより、表示面の正面方向において外光の反射を抑制することができる。

また、表示面の傾斜方向において外光の反射を抑制して優れた視野角特性を得る観点から、光学異方性層は、その厚み方向において複屈折を適切に調整することが好ましい。厚み方向における光学異方性層の複屈折を調整することにより、当該光学異方性層の傾斜方向におけるレターデーションが調整される。よって、このような光学異方性層を備えた光学異方体を用いれば、傾斜方向において外光の反射の抑制が可能な偏光板を得ることができる。厚み方向における複屈折の調整のためには、例えば、光学異方性層に含まれる液晶性化合物の分子を、当該光学異方性層の層平面に対して傾斜させることが考えられる。

液晶性化合物の分子を光学異方性層の層平面に対して傾斜させる技術については、特許文献１に記載されたように、従来から様々に検討がなされている。ところが、従来の技術で得られる光学異方体の光学異方性層の傾斜方向のレターデーションには、方位依存性があった。ここで、レターデーションの方位依存性とは、レターデーションが方位によって異なる性質をいう。

よって、従来の光学異方性層は、傾斜方向のレターデーションが一定ではなく、その傾斜方向の方位毎に異なっていた。特に、光学異方性層の面内遅相軸に垂直な傾斜方向と、光学異方性層の面内進相軸に垂直な傾斜方向との間で、レターデーションが大きく異なる傾向があった。そのため、従来の光学異方体を反射抑制フィルムに適用した場合、傾斜方向における反射抑制能力には、方位依存性が生じていた。反射抑制能力の方位依存性とは、反射抑制能力が方位によって異なる性質をいう。

また、光学異方性層の傾斜方向のレターデーションの方位依存性は、反射抑制フィルム以外の用途においても、課題を生じることがあった。例えば、光学異方体を位相差板、波長板、光学補償フィルム等の光学部材として液晶表示装置に設けた場合、傾斜方向のレターデーションが方位毎に異なることで、傾斜方向から見た黒輝度等の表示性能には方位依存性が生じることがあった。「黒輝度」とは、黒表示状態の時の表示面の輝度のことをいう。黒表示状態とは、表示面の全面に黒色を表示した状態のことをいう。また、表示性能の方位依存性とは、表示性能が方位によって異なる性質をいう。

以上のような事情から、傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を抑制できる技術の開発が求められている。
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を抑制できる光学異方性層を備えた光学異方体及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した。その結果、本発明者は、光学異方性層が、当該光学異方性層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な光学異方性層の断面において、下記の要件（１）〜（３）を満たす第一領域及び第二領域の組み合わせを含むことにより、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
（１）第一領域が、光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第一遅相軸を有する。
（２）第二領域が、光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第二遅相軸を有する。
（３）第一遅相軸と第二遅相軸とがなす角度Δθが、所定の範囲にある。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。

〔１〕 液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され下記要件（１）〜（３）を満たす第一領域及び第二領域、を含む光学異方性層を備える、光学異方体。
（１）前記光学異方性層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な前記光学異方性層の断面において、前記第一領域が、前記光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第一遅相軸を有する。
（２）前記断面において、前記第二領域が、前記光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第二遅相軸を有する。
（３）前記断面において、前記第一遅相軸と前記第二遅相軸とがなす角度Δθが、４０°〜８０°である。
〔２〕 前記第一領域の面内遅相軸と前記第二領域の面内遅相軸とがなす角度が、０°〜５°である、〔１〕記載の光学異方体。
〔３〕 前記光学異方性層の前記断面において、前記第一領域の第一遅相軸が前記光学異方性層の面内方向に対してなす角度θ１が、２０°〜４０°であり、
前記光学異方性層の前記断面において、前記第二領域の第二遅相軸が前記光学異方性層の面内方向に対してなす角度θ２が、２０°〜４０°である、〔１〕又は〔２〕に記載の光学異方体。
〔４〕 測定波長５５０ｎｍでの前記光学異方性層の面内レターデーションが、１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の光学異方体。
〔５〕 測定波長５５０ｎｍでの前記光学異方性層の面内レターデーションが、２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下である、〔１〕〜〔３〕のいずれか一項に記載の光学異方体。
〔６〕 測定波長５５０ｎｍでの前記第一領域の面内レターデーション及び前記第二領域の面内レターデーションの両方が、３０ｎｍ以上である、〔４〕記載の光学異方体。
〔７〕 測定波長５５０ｎｍでの前記第一領域の面内レターデーション及び前記第二領域の面内レターデーションの両方が、６０ｎｍ以上である、〔５〕記載の光学異方体。
〔８〕 位相差フィルムである、〔１〕〜〔７〕のいずれか一項に記載の光学異方体。
〔９〕 〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の光学異方体の製造方法であって、
液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された層を用意する工程と、
前記層を貼り合わせる工程と、を含む、光学異方体の製造方法。
〔１０〕 〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の光学異方体の製造方法であって、
液晶性化合物を含む液晶組成物で形成された層を用意する工程と、
前記層を貼り合わせる工程と、
貼り合わせられた前記層を硬化させる工程と、を含む光学異方体の製造方法。
〔１１〕 〔１〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の光学異方体及び直線偏光子を備える、偏光板。

本発明によれば、傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を抑制できる光学異方性層を備えた光学異方体及びその製造方法を提供できる。

図１は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体を模式的に示す斜視図である。 図２は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体の光学異方性層を模式的に示す断面図である。 図３は、面内遅相軸に平行で且つ厚み方向に対して非平行な平面で切られた一例としての光学異方性層の一部を模式的に示す斜視図である。 図４は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体の光学異方性層を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体の光学異方性層を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体の光学異方性層を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体の光学異方性層を模式的に示す断面図である。 図８は、本発明の第二実施形態に係る光学異方体を模式的に示す斜視図である。 図９は、本発明の第二実施形態に係る光学異方体の光学異方性層を模式的に示す断面図である。

以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、ある層の「面内方向」とは、別に断らない限り、層平面に平行な方向を表す。

以下の説明において、ある層の「厚み方向」とは、別に断らない限り、層平面に垂直な方向を表す。よって、別に断らない限り、ある層の面内方向と厚み方向とは、垂直である。

以下の説明において、ある層の「傾斜方向」とは、別に断らない限り、層平面に平行でも垂直でもない方向を表し、具体的には前記層平面の極角が５°以上８５°以下の範囲の方向を指す。

以下の説明において、ある層の傾斜方向の「方位」とは、別に断らない限り、その傾斜方向の、層平面に平行な成分を表す。

以下の説明において、ある面の「正面方向」とは、別に断らない限り、その面の法線方向を表し、具体的には前記面の極角０°の方向を指す。

以下の説明において、ある面の「傾斜方向」とは、別に断らない限り、その面に平行でも垂直でもない方向を表し、具体的には前記面の極角が５°以上８５°以下の範囲の方向を指す。

以下の説明において、ある層の「面内遅相軸」とは、別に断らない限り、面内方向の遅相軸をいう。

以下の説明において、ある層の「面内進相軸」とは、別に断らない限り、面内方向の進相軸をいう。

以下の説明において、ある要素が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）「傾斜している」とは、その要素が前記面内方向に対して（即ち、層平面に対して）平行でも垂直でもないことを表す。前記の要素が前記面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度は、通常、５°以上８５°以下の範囲にある。

以下の説明において、要素の方向が「平行」及び「垂直」とは、別に断らない限り、本発明の効果を損なわない範囲内、例えば±４°、好ましくは±３°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

以下の説明において、別に断らない限り、ある層に含まれる液晶性化合物の分子の「チルト角」とは、その液晶性化合物の分子が層平面に対してなす角度を表す。このチルト角は、液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において最大の屈折率の方向が層平面となす角度のうち、最大の角度に相当する。よって、屈折率楕円体において最大の屈折率の方向が一つである場合は、その方向が層平面となす角度が、チルト角に相当する。また、屈折率楕円体において最大の屈折率の方向が複数ある場合は、それらの方向のうち層平面となす角度が最大になる方向と層平面とがなす角度が、チルト角に相当する。

以下の説明において、逆波長分散性の複屈折とは、別に断らない限り、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ１）を満たす複屈折をいう。このような逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、大きい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＜Δｎ（５５０） （Ｎ１）

以下の説明において、順波長分散性の複屈折とは、別に断らない限り、波長４５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける複屈折Δｎ（５５０）が、下記式（Ｎ２）を満たす複屈折をいう。このような順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物は、通常、測定波長が長いほど、小さい複屈折を発現できる。
Δｎ（４５０）＞Δｎ（５５０） （Ｎ２）

以下の説明において、ある層の面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、層の前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。面内レターデーションＲｅは、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて測定できる。

以下の説明において、固有複屈折値が正の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなる樹脂を意味する。また、固有複屈折値が負の樹脂とは、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなる樹脂を意味する。固有複屈折値は、誘電率分布から計算できる。

以下の説明において、置換基を有する基の炭素原子数には、別に断らない限り、前記置換基の炭素原子数を含めない。よって、例えば「置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基」との記載は、置換基の炭素原子数を含まないアルキル基自体の炭素原子数が１〜２０であることを表す。

［１．光学異方体の第一実施形態］
（１．１．第一領域の第一遅相軸と第二領域の第二遅相軸の説明）
図１は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体１０を模式的に示す斜視図である。図１に示すように、本発明の第一実施形態に係る光学異方体１０は、光学異方性層１００を備える。光学異方性層１００は、当該光学異方性層１００の面内方向のうち屈折率が最大となる面内遅相軸Ａ１と、当該光学異方性層１００の面内方向のうち屈折率が最小となる面内進相軸Ａ２とを有する。また、図１においては、光学異方性層１００の厚み方向を矢印Ａ３で示す。さらに、光学異方性層１００の層平面の極角φ１、面内遅相軸Ａ１に対する方位角φ２の傾斜方向を矢印Ａ４で示し、その矢印Ａ４で示す傾斜方向の方位を矢印Ａ５で示す。

図２は、本発明の第一実施形態に係る光学異方体１０の光学異方性層１００を模式的に示す断面図である。図２では、光学異方性層１００を、当該光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１（図１参照）及び厚み方向Ａ３（図１参照）の両方に平行な平面で切った断面１００Ｓを示す。以下の説明において、ある層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な当該層の断面を、「特定断面」ということがある。

図２に示すように、光学異方性層１００は、液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された第一領域１１０及び第二領域１２０を含む。第一領域１１０及び第二領域１２０は、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に平行に（即ち、層平面に平行に）広がる層状の領域である。また、第一領域１１０と第二領域１２０とは、光学異方性層１００の厚み方向Ａ３（図１参照）において異なる位置にある。本実施形態では、光学異方性層１００の全体が液晶組成物の硬化物で形成された層であり、その一部が第一領域１１０、その残りの部分が第二領域１２０となっている例を示して説明する。以下の説明において、液晶組成物の硬化層によって形成された層を、適宜「液晶硬化層」ということがある。よって、本実施形態に示す例では、第一領域１１０は、光学異方性層１００としての液晶硬化層の厚み方向のある範囲に含まれる領域であり、第二領域１２０は、その液晶硬化層の厚み方向の別の範囲に含まれる領域である。

第一領域１１０は、液晶組成物の硬化物で形成されているので、液晶性化合物を含む。液晶組成物の硬化物に含まれる「液晶性化合物」には、重合した液晶性化合物も含まれる。第一領域１１０では、前記の液晶性化合物の少なくとも一部の分子（図示せず）が、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向している。そのため、第一領域１１０は、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓにおいて、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）傾斜した第一遅相軸Ａ１１０を有する（要件（１））。この第一遅相軸Ａ１１０は、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓに平行な方向のうち、第一領域１１０の屈折率が最大の方向である。

他方、第二領域１２０も、液晶組成物の硬化物で形成されているので、液晶性化合物を含む。また、第二領域１２０でも、前記の液晶性化合物の少なくとも一部の分子（図示せず）が、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）傾斜している。そのため、第二領域１２０は、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓにおいて、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）傾斜した第二遅相軸Ａ１２０を有する（要件（２））。この第二遅相軸Ａ１２０は、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓに平行な方向のうち、第二領域１２０の屈折率が最大の方向である。

さらに、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓにおいて、第一遅相軸Ａ１１０と第二遅相軸Ａ１２０とは、所定の範囲の角度Δθをなす。具体的には、角度Δθは、通常４０°以上、好ましくは５０°以上、より好ましくは５５°以上であり、通常８０°以下、好ましくは７０°以下、特に好ましくは６５°以下である。

液晶組成物の硬化物で形成された第一領域１１０及び第二領域１２０の傾斜方向Ａ４におけるレターデーションには、一般に、方位依存性がある。しかし、上述した第一遅相軸Ａ１１０を有する第一領域１１０と第二遅相軸Ａ１２０を有する第二領域１２０とを組み合わせることにより、第一領域１１０のレターデーションの方位依存性と、第二領域１２０のレターデーションの方位依存性とを、相殺することができる。よって、第一領域１１０及び第二領域１２０を含む光学異方性層１００の全体としては、傾斜方向Ａ４におけるレターデーションの方位依存性を抑制できる。したがって、いずれの方位Ａ５（図１参照）においても、通常は近い値のレターデーションを得ることができ、好ましくは同じ値のレターデーションを得ることができる。そのため、例えば、この光学異方性層１００を備える光学異方体１０を直線偏光子と組み合わせて偏光板を得た場合に、傾斜方向Ａ４における反射抑制能力の方位依存性を抑制できる。

レターデーションの方位依存性を効果的に抑制する観点では、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓにおいて第一領域１１０の第一遅相軸Ａ１１０が光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、角度θ１は、好ましくは２０°以上、より好ましくは２５°以上、特に好ましくは２７°以上であり、好ましくは４０°以下、より好ましくは３５°以下、特に好ましくは３３°以下である。これにより、例えば光学異方体１０を直線偏光子と組み合わせて偏光板を得た場合に、反射抑制能力の方位依存性を効果的に抑制できる。

レターデーションの方位依存性を効果的に抑制する観点では、光学異方性層１００の特定断面１００Ｓにおいて第二領域１２０の第二遅相軸Ａ１２０が光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２は、所定の範囲に収まることが好ましい。具体的には、角度θ２は、好ましくは２０°以上、より好ましくは２５°以上、特に好ましくは２７°以上であり、好ましくは４０°以下、より好ましくは３５°以下、特に好ましくは３３°以下である。これにより、例えば光学異方体１０を直線偏光子と組み合わせて偏光板を得た場合に、反射抑制能力の方位依存性を効果的に抑制できる。

さらに、レターデーションの方位依存性を効果的に抑制する観点では、特定断面１００Ｓにおいて、第一領域１１０の第一遅相軸Ａ１１０と、第二領域１２０の第二遅相軸Ａ１２０とは、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に平行な（即ち、層平面に平行な）対称面に対して面対称に近い関係にあることが好ましい。よって、角度θ１と角度θ２とは、近い値であることが好ましく、同じ値であることが更に好ましい。具体的には、角度θ１と角度θ２との差の絶対値｜θ１−θ２｜は、好ましくは２０°以下、より好ましくは１５°以下、特に好ましくは１０°以下である。

光学異方性層１００の特定断面１００Ｓにおける第一領域１１０の第一遅相軸Ａ１１０及び第二領域１２０の第二遅相軸Ａ１２０は、光学異方性層１００を面内遅相軸Ａ１に平行な平面で切って現れる断面を含む切片を偏光観察することにより、測定できる。

通常は、光学異方性層１００を、当該光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１及び厚み方向Ａ３の両方に平行な平面で切って、特定断面１００Ｓを形成する。そして、この特定断面１００Ｓを含む切片の偏光観察を行う。偏光観察は、偏光顕微鏡を用いてクロスニコルにて行うことができる。この際、偏光観察を、特定断面１００Ｓに垂直な軸を中心にして光学異方性層１００を回転させながら行って、第一領域１１０及び第二領域１２０の消光位を特定する。そして、特定された消光位から、特定断面１００Ｓにおける第一領域１１０の第一遅相軸Ａ１１０及び第二領域１２０の第二遅相軸Ａ１２０を得ることができる。

ところで、第一領域１１０及び第二領域１２０は、一般に、薄い。そのため、前記のように特定断面１００Ｓを含む切片を観察して消光位を特定しようとしても、偏光顕微鏡の倍率が不足することもありえる。この場合、図３に示すように、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１に平行で且つ厚み方向Ａ３に対して非平行に光学異方性層１００を切って得られる大きな評価用断面１００Ｅを利用して、特定断面１００Ｓにおける第一領域１１０の第一遅相軸Ａ１１０及び第二領域１２０の第二遅相軸Ａ１２０を測定してもよい。この図３は、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１に平行で且つ厚み方向Ａ３に対して非平行な平面で切られた一例としての光学異方性層１００の一部を模式的に示す斜視図である。具体的には、評価用断面１００Ｅを含む切片の偏光観察によって、第一領域１１０及び第二領域１２０の消光位を特定する。特定された消光位から、評価用断面１００Ｅにおける第一領域１１０の遅相軸Ａ１３０及び第二領域１２０の遅相軸Ａ１４０を得る。そして、この評価用断面１００Ｅにおける遅相軸Ａ１３０及び遅相軸Ａ１４０から、計算により、特定断面１００Ｓにおける第一遅相軸Ａ１１０及び第二遅相軸Ａ１２０を求めることができる。

（１．２．第一領域及び第二領域における液晶性化合物の分子の配向状態の説明）
光学異方性層１００の第一領域１１０及び第二領域１２０は、前記のように、液晶組成物の硬化物によって形成されている。液晶組成物の硬化は、通常、当該液晶組成物が含む重合性の化合物の重合によって達成されるので、液晶性化合物が重合性を有する場合には、液晶組成物の硬化時に液晶性化合物が重合しうる。このように重合した液晶性化合物も、液晶組成物の硬化物に含まれる液晶性化合物に含める。液晶組成物の硬化物においては、通常、液晶性化合物の分子の配向状態は固定されている。

光学異方性層１００の第一領域１１０及び第二領域１２０が、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向した液晶性化合物の分子を含むので、特定断面１００Ｓにおける第一領域１１０の第一遅相軸Ａ１１０及び第二領域１２０の第二遅相軸Ａ１２０は、図２に示すように、光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）傾斜している。この際、液晶性化合物の分子の配向状態は、所望の第一遅相軸Ａ１１０及び第二遅相軸Ａ１２０が得られる範囲で、任意である。

図４は、液晶性化合物の分子１１１及び１２１の配向状態の例を示すため、本発明の第一実施形態に係る光学異方体１０の光学異方性層１００を模式的に示す断面図である。図４に示すように、光学異方性層１００の第一領域１１０に含まれる液晶性化合物の分子１１１は、チルト角が均一であってもよい。この場合、通常は、第一領域１１０に含まれる液晶性化合物の分子１１１のチルト角が、特定断面１００Ｓにおいて第一遅相軸Ａ１１０が光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１に一致する。また、光学異方性層１００の第二領域１２０に含まれる液晶性化合物の分子１２１は、チルト角が均一であってもよい。この場合、通常は、第二領域１２０に含まれる液晶性化合物の分子１２１のチルト角が、特定断面１００Ｓにおいて第二遅相軸Ａ１２０が光学異方性層１００の面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２に一致する。

図５〜図７は、それぞれ、液晶性化合物の分子１１１及び１２１の配向状態の例を示すため、本発明の第一実施形態に係る光学異方体１０の光学異方性層１００を模式的に示す断面図である。図５〜図７に示すように、光学異方性層１００の第一領域１１０及び第二領域１２０に含まれる液晶性化合物の分子１１１及び液晶性化合物の分子１２１は、チルト角が不均一であってもよい。例えば、厚み方向Ａ３において液晶性化合物の分子のチルト角が異なる配向があり（例えば、特許第５３６３０２２号公報、国際公開第２０１８／１７３７７８号（又は特願２０１７−０６０１２２号）、特開２０１８−１６３２１８号公報（又は特願２０１７−０５９３２７号）、特開２０１８−１６２３７９号公報（又は特願２０１７−０６０１５４号）、国際公開第２０１８／１７３７７３号（又は特願２０１７−０６０１５９号））、このような配向を第一領域１１０及び第二領域１２０に適用してもよい。

チルト角が不均一である場合、第一領域１１０の一側と他側とで液晶性化合物の分子１１１のチルト角が異なることがありえる。また、チルト角が不均一である場合、第二領域１２０の一側と他側とで液晶性化合物の分子１２１のチルト角が異なることがありえる。このような場合、第一領域１１０の向きと第二領域１２０の向きとの組み合わせは、任意である。例えば、第一領域１１０と第二領域１２０とは、図５に示すように、第一領域１１０のチルト角が小さい側の界面と、第二領域１２０のチルト角が小さい側の界面とが対向する向きで、設けられていてもよい。また、例えば、第一領域１１０と第二領域１２０とは、図６に示すように、第一領域１１０のチルト角が大きい側の界面と、第二領域１２０のチルト角が大きい側の界面とが対向する向きで、設けられていてもよい。さらに、例えば、第一領域１１０と第二領域１２０とは、図７に示すように、第一領域１１０のチルト角が大きい側の界面と、第二領域１２０のチルト角が小さい側の界面とが対向する向きで、設けられていてもよい。また、例えば、第一領域１１０と第二領域１２０とは、第一領域１１０のチルト角が小さい側の界面と、第二領域１２０のチルト角が大きい側の界面とが対向する向きで、設けられていてもよい。

（１．３．面内遅相軸の説明）
光学異方性層１００を厚み方向Ａ３から見た場合、第一領域１１０の面内遅相軸（図示せず）と第二領域１２０の面内遅相軸（図示せず）とがなす角度は、通常０°〜５°、好ましくは０°〜４°、より好ましくは０°〜３°、特に好ましくは０°〜１°である。このように、厚み方向Ａ３から見て、第一領域１１０の面内遅相軸と第二領域１２０の面内遅相軸とは、平行又は平行に近いことが好ましい。これにより、光学異方性層１００の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を効果的に抑制できる。

光学異方性層１００を厚み方向Ａ３から見た場合、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１と第一領域１１０の面内遅相軸（図示せず）とがなす角度は、通常０°〜５°、好ましくは０°〜４°、より好ましくは０°〜３°、特に好ましくは０°〜１°である。また、光学異方性層１００を厚み方向Ａ３から見た場合、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１と第二領域１２０の面内遅相軸（図示せず）とがなす角度は、通常０°〜５°、好ましくは０°〜４°、より好ましくは０°〜３°、特に好ましくは０°〜１°である。このように、厚み方向Ａ３から見て、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１と第一領域１１０の面内遅相軸とは、通常、平行又は平行に近い。さらに、厚み方向Ａ３から見て、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１と第二領域１２０の面内遅相軸とは、通常、平行又は平行に近い。このような場合に、光学異方性層１００の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を効果的に抑制できる。

（１．４．面内レターデーションの説明）
光学異方性層１００のレターデーションは、通常、光学異方体１０の用途に応じて適切な範囲に設定される。
例えば、測定波長５５０ｎｍでの光学異方性層１００の面内レターデーションは、１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下であってもよい。このような範囲の面内レターデーションを有する光学異方性層１００は、１／４波長板として機能することが可能である。より詳細に説明すると、１／４波長板として機能できる光学異方性層１００の測定波長５５０ｎｍでの面内レターデーションは、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは１１０ｎｍ以上、特に好ましくは１２０ｎｍ以上であり、好ましくは１８０ｎｍ以下、より好ましく１７０ｎｍ以下、特に好ましくは１６０ｎｍ以下である。

例えば、測定波長５５０ｎｍでの光学異方性層１００の面内レターデーションは、２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下であってもよい。このような範囲の面内レターデーションを有する光学異方性層１００は、１／２波長板として機能することが可能である。より詳細に説明すると、１／２波長板として機能できる光学異方性層１００の測定波長５５０ｎｍでの面内レターデーションは、好ましくは２４０ｎｍ以上、より好ましくは２５０ｎｍ以上、特に好ましくは２６０ｎｍ以上であり、好ましくは３２０ｎｍ以下、より好ましくは３１０ｎｍ以下、特に好ましくは３００ｎｍ以下である。

光学異方性層１００の面内レターデーションは、逆波長分散性であってもよく、順波長分散性であってもよい。逆波長分散性の面内レターデーションとは、波長４５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（４５０）及び波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅ（５５０）が、下記式（Ｎ３）を満たす面内レターデーションをいう。また、順波長分散性の面内レターデーションとは、前記の面内レターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）が、下記式（Ｎ４）を満たす面内レターデーションをいう。中でも、広い波長範囲において反射抑制能力を発揮できるようにする観点では、光学異方性層１００の面内レターデーションは、逆波長分散性であることが好ましい。
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＜１．００ （Ｎ３）
Ｒｅ（４５０）／Ｒｅ（５５０）＞１．００ （Ｎ４）

第一領域１１０の面内レターデーションは、所定値以上の値であることが好ましい。第一領域１１０の面内レターデーションが所定値以上に大きいことにより、第一領域１１０と第二領域１２０との間でのレターデーションの方位依存性の相殺を、効果的に行うことができる。具体的には、測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションは、通常３０ｎｍ以上である。さらには、第一領域１１０の面内レターデーションは、光学異方性層１００の面内レターデーションに応じて、更に適切な範囲にあることがより好ましい。

例えば、光学異方性層１００が１／４波長板として機能できる面内レターデーションを有している場合、測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションは、好ましくは３０ｎｍ以上、より好ましくは４０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上である。このように大きい面内レターデーションを第一領域１１０が有していることにより、第一領域１１０と第二領域１２０との間でのレターデーションの方位依存性の相殺を、効果的に行うことができる。よって、光学異方性層１００の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を、効果的に抑制することが可能である。測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションの上限は、光学異方性層１００の面内レターデーションを所望の範囲に収められるように設定でき、好ましくは１２０ｎｍ以下、より好ましくは１１０ｎｍ以下、特に好ましくは９５ｎｍ以下である。

例えば、光学異方性層１００が１／２波長板として機能できる面内レターデーションを有している場合、測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションは、好ましくは６０ｎｍ以上、より好ましくは８０ｎｍ以上、特に好ましくは１００ｎｍ以上である。このように大きい面内レターデーションを第一領域１１０が有していることにより、第一領域１１０と第二領域１２０との間でのレターデーションの方位依存性の相殺を、効果的に行うことができる。よって、光学異方性層１００の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を、効果的に抑制することが可能である。測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションの上限は、光学異方性層１００の面内レターデーションを所望の範囲に収められるように設定でき、好ましくは２４０ｎｍ以下、より好ましくは２２０ｎｍ以下、特に好ましくは１９０ｎｍ以下である。

第一領域１１０の面内レターデーションは、逆波長分散性であってもよく、順波長分散性であってもよい。中でも、逆波長分散性の面内レターデーションを有する光学異方性層１００を得る観点から、第一領域１１０の面内レターデーションは、逆波長分散性であることが好ましい。

第二領域１２０の面内レターデーションは、所定値以上の値であることが好ましい。第二領域１２０の面内レターデーションが所定値以上に大きいことにより、第一領域１１０と第二領域１２０との間でのレターデーションの方位依存性の相殺を、効果的に行うことができる。具体的には、測定波長５５０ｎｍにおける第二領域１２０の面内レターデーションは、通常３０ｎｍ以上である。さらには、第二領域１２０の面内レターデーションは、光学異方性層１００の面内レターデーションに応じて、更に適切な範囲にあることがより好ましい。具体的には、測定波長５５０ｎｍにおける第二領域１２０の面内レターデーションは、測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションの範囲として説明したのと同じ範囲にあることが好ましい。さらには、第一領域１１０の面内レターデーション及び第二領域１２０の面内レターデーションの両方が、測定波長５５０ｎｍにおける第一領域１１０の面内レターデーションの範囲として説明したのと同じ範囲にあることが好ましい。これにより、第一領域１１０と第二領域１２０との間でのレターデーションの方位依存性の相殺を、特に効果的に行うことができる。

第二領域１２０の面内レターデーションは、逆波長分散性であってもよく、順波長分散性であってもよい。中でも、逆波長分散性の面内レターデーションを有する光学異方性層１００を得る観点から、第二領域１２０の面内レターデーションは、逆波長分散性であることが好ましい。

測定波長５５０ｎｍにおいて、第一領域１１０の面内レターデーションと第二領域１２０の面内レターデーションとの差は、小さいことが好ましい。具体的には、前記の差は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、更に好ましくは３０ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以下である。このように差が小さいことにより、第一領域１１０と第二領域１２０との間でのレターデーションの方位依存性の相殺を、特に効果的に行うことができる。

（１．５．光学異方性層の特性の説明）
光学異方性層１００は、傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性が抑制されている。よって、光学異方性層１００のレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）の方位角方向における最大値と最小値の差を、小さくできる。前記のレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）の方位角方向における最大値と最小値の差は、光学異方性層１００の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性の程度を表す。具体的には、光学異方性層１００のレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）の方位角方向における最大値と最小値の差は、好ましくは０．２０以下、より好ましくは０．１０以下、特に好ましくは０．０５以下であり、理想的には０．００である。

前記のＲ（５０°）とは、入射角が５０°での光学異方性層１００のレターデーションを表す。また、Ｒ（０°）は、入射角０°での光学異方性層１００のレターデーションを表す。通常は、レターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）は、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１及び面内進相軸Ａ２の一方に対して垂直な方位で最大となり、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１及び面内進相軸Ａ２の他方に対して垂直な方位で最小となる。よって、これらの方位間でのレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）の差を測定することで、レターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）の方位角方向における最大値と最小値の差を求めることができる。

優れた視野角特性を実現する観点から、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１に対して垂直な測定方向、及び、光学異方性層１００の面内進相軸Ａ２に対して垂直な測定方向、の少なくとも一方の測定方向で測定された当該光学異方性層１００の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）が、１．００に近いことが好ましい。具体的には、前記の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）は、好ましくは０．９０以上、より好ましくは０．９５以上であり、また、好ましくは１．１０以下、より好ましくは１．０５以下である。Ｒ（±５０°）とは、入射角が−５０°及び＋５０°での光学異方性層１００のレターデーションＲ（−５０°）及びＲ（＋５０°）の平均値を表す。また、Ｒ（０°）は、前記の通り、入射角０°での光学異方性層１００のレターデーションを表す。

一般に、画像表示装置の表示面に入射角「＋φ」で入射する外光は、出射角「−φ」で反射する。よって、表示面に設けられる偏光板が光学異方体を含む場合、表示面の傾斜方向において外光は入射角「＋φ」での往路と出射角「−φ」での復路とを含む経路で光学異方性層１００を通過する。光学異方性層１００の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）が１．００に近い前記の範囲にあることにより、光学異方体を含む偏光板によって、傾斜方向における外光の反射を効果的に抑制できる。具体的には、外光が光学異方性層１００を入射時及び反射時の２回通る間に、その偏光状態を適切に変換して、偏光板の直線偏光子による効果的な遮断を実現することが可能となる。よって、このような光学異方体は、直線偏光子と組み合わせて偏光板を得た場合に、その偏光板による反射抑制能力を広い入射角範囲において発揮できるので、特に優れた視野角特性を得ることができる。

さらには、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１に対して垂直な測定方向で測定された平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）、及び、光学異方性層１００の面内進相軸Ａ２に対して垂直な測定方向で測定された平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）の両方が、１．００に近い前記の範囲にあることが好ましい。一般に、光学異方性層１００の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）は、光学異方性層１００の面内遅相軸Ａ１に垂直な方位の測定方向において最小又は最大の一方となり、光学異方性層１００の面内進相軸Ａ２に垂直な方位の測定方向において最小又は最大の他方となる。よって、面内遅相軸Ａ１に対して垂直な測定方向及び面内進相軸Ａ２に対して垂直な測定方向の両方で、光学異方性層１００の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）が１．００に近い範囲にあれば、全ての方位において、光学異方性層１００の平均レターデーション比Ｒ（±５０°）／Ｒ（０°）を１．００に近い値にできる。したがって、反射抑制能力の方位依存性を、特に効果的に抑制できる。

（１．６．厚みの説明）
第一領域１１０の厚み及び第二領域１２０の厚みは、それぞれ独立に、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．３μｍ以上であり、好ましくは９μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下である。第一領域１１０の厚み及び第二領域１２０の厚みが前記の範囲にあることにより、面内レターデーション等の特性を所望の範囲に容易に調整することができる。

光学異方性層１００の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。このような厚みの光学異方性層１００は、有機ＥＬ表示パネルの反射抑制フィルム用の偏光板に用いられてきた従来の位相差フィルムよりも薄いので、有機ＥＬ表示パネルの薄型化に貢献できる。

（１．７．光学異方体の特性及び形状）
光学異方体１０は、透明性に優れることが好ましい。具体的には、光学異方体１０の全光線透過率は、好ましくは８０％以上、より好ましくは８５％以上、特に好ましくは８８％以上である。また、光学異方体１０のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。全光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて、波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲で測定できる。また、ヘイズは、ヘイズメーターを用いて測定できる。

光学異方体１０の形状は任意であるが、フィルム状であることが好ましい。この場合、光学異方性層１００が面内レターデーションを有していることから、光学異方体１０は、位相差フィルムとして用いることができる。

（１．８．製造方法）
上述した光学異方体１０の製造方法は、特に制限は無い。例えば、光学異方体１０は、
（ｉ）液晶性化合物を含む液晶組成物で形成された層（以下、適宜「液晶組成物層」ということがある。）を用意する工程と、
（ii）液晶組成物層を貼り合わせる工程と、
（iii）貼り合わせられた液晶組成物層を硬化させる工程と、
を含む製造方法によって、製造できる。

工程（ｉ）では、通常、適切な支持面に、液晶組成物によって液晶組成物層を形成する。支持面としては、液晶組成物層を支持できる任意の面を用いうる。この支持面としては、光学異方性層の面状態を良好にする観点から、凹部及び凸部の無い平坦面を用いることが好ましい。また、光学異方性層の生産性を高める観点から、前記の支持面としては、長尺の基材の表面を用いることが好ましい。ここで「長尺」とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。

基材としては、通常、樹脂フィルム又はガラス板を用いる。特に、高い温度で配向処理を行う場合、その温度に耐えられる基材を選択するのが好ましい。樹脂としては、通常、熱可塑性樹脂を用いる。中でも、配向規制力の高さ、機械的強度の高さ、及びコストの低さといった観点から、樹脂としては、正の固有複屈折値を有する樹脂が好ましい。更には、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、ノルボルネン系樹脂等の、脂環式構造含有重合体を含む樹脂を用いることが好ましい。基材に含まれる樹脂の好適な例を商品名で挙げると、ノルボルネン系樹脂として、日本ゼオン社製「ゼオノア」を挙げられる。

支持面としての基材の表面には、液晶組成物層における液晶性化合物の分子の配向を促進するため、配向規制力を付与するための処理が施されていることが好ましい。配向規制力とは、液晶組成物に含まれる液晶性化合物の分子を配向させることができる、面の性質をいう。支持面に配向規制力を付与するため処理としては、例えば、光配向処理、ラビング処理、配向膜形成処理、イオンビーム配向処理、延伸処理などが挙げられる。

液晶組成物層を形成する工程（ｉ）において、液晶組成物は、通常、流体状で用意される。そのため、通常は、支持面に液晶組成物を塗工して、液晶組成物層を形成する。液晶組成物を塗工する方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ギャップコーティング法、及びディッピング法が挙げられる。

液晶組成物層を形成した後で、必要に応じて、液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を配向させる工程（iv）を行ってもよい。配向を行う際には、通常、液晶組成物層を、所定の温度条件に所定の時間だけ保持する。これにより、液晶組成物層において、液晶性化合物の分子が配向する。

通常、面内方向においては、液晶性化合物の分子は、支持面の配向規制力に応じた方向に配向する。また、条件が適切である場合、厚み方向においては、液晶性化合物の分子は、少なくとも一部が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向する。前記の条件を適切に調整する方法としては、液晶組成物の組成を適切に調製する方法、液晶性化合物の分子を面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向させる配向規制力を有する支持面を用いる方法、磁界を印加する方法、配向時の温度条件を適切に調整する方法、等が挙げられる。これらの方法としては、例えば、特許第５３６３０２２号公報、国際公開第２０１８／１７３７７８号（又は特願２０１７−０６０１２２号）、特開２０１８−１６３２１８号公報（又は特願２０１７−０５９３２７号）、特開２０１８−１６２３７９号公報（又は特願２０１７−０６０１５４号）、国際公開第２０１８／１７３７７３号（又は特願２０１７−０６０１５９号）に記載の方法を適用してもよい。

中でも、配向時の温度条件を適切に調整する方法が好ましい。この方法では、前記の配向を、液晶組成物層の温度条件が、試験組成物の残留分粘度が８００ｃｐ（センチポアズ）以下となる温度条件と同一になるように、行う。前記の試験組成物とは、液晶組成物から重合開始剤を除いた組成を有する組成物である。また、試験組成物の残留分粘度とは、配向時の液晶組成物層と同一温度条件における、試験組成物の残留成分の粘度である。また、試験組成物の残留成分とは、試験組成物に含まれる成分のうち、配向時の液晶組成物層と同一温度条件において気化せずに残留した成分である。このような要件を満たすように配向を行うことで、液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を面内方向に対して（即ち、層平面に対して）大きく傾斜するように配向させることができる。

配向時の液晶組成物層と同一温度条件における試験組成物の残留分粘度は、下記の方法によって測定できる。
液晶組成物から重合開始剤を除いた試験組成物を用意する。この試験組成物をロータリーエバポレーターで減圧濃縮して溶媒を除去し、残留成分を得る。この残留成分について、予め、測定温度を変化させながら粘度を測定し、測定温度とその測定温度での粘度との情報を得る。この情報を、以下、適宜「温度−粘度情報」という。この「温度−粘度情報」から、配向時の液晶組成物層の温度における粘度を、残留分粘度として読み取る。

配向時の液晶組成物層と同一温度条件において試験組成物の残留分粘度を上述した範囲に収める方法としては、例えば、配向時の液晶組成物層の温度を、適切に調整する方法が挙げられる。この方法では、通常、液晶組成物層の温度を十分に高温にすることで、この温度と同一温度条件での試験組成物の残留分粘度を低くして、上述した範囲となるように調整する。

液晶性化合物の分子を配向させる工程（iv）において、液晶組成物層の温度を所定の温度条件に保持する時間は、所望の光学異方性層１００が得られる範囲で任意に設定でき、例えば３０秒間〜５分間でありうる。

液晶組成物層を用意し、必要に応じて液晶性化合物の分子を配向させた後で、液晶組成物層を貼り合わせる工程（ii）を行う。本実施形態で例示したように全体が液晶組成物で形成された光学異方性層１００を得ようとする場合、液晶組成物層の貼り合わせは直接に行う。液晶組成物層の貼り合わせが「直接」とは、貼り合わせられる液晶組成物層の間に他の層がないことをいう。

前記の貼り合わせでは、例えば、１つの液晶組成物層を用意した後で、その液晶組成物層を折り曲げて、貼り合わせてもよい。この場合、折り目の一側にある液晶組成物層が第一領域１１０に対応し、折り目の他側にある液晶組成物層が第二領域１２０に対応する。

また、前記の貼り合わせでは、例えば、複数の液晶組成物層を用意した後で、それらの液晶組成物層を貼り合わせてもよい。この場合、少なくとも一の液晶組成物層が第一領域１１０に対応し、別の少なくとも一の液晶組成物層が第二領域１２０に対応する。

液晶組成物層の貼り合わせを行った後で、液晶組成物層を硬化させて、液晶硬化層としての光学異方性層１００を得る工程（iii）を行う。この工程（iii）では、通常、液晶性化合物の一部又は全部を重合させて、液晶組成物層を硬化させる。このように硬化させることで、貼り合わせられた液晶組成物層の界面において液晶組成物層同士が結着する。よって、液晶組成物層が硬化した領域としての第一領域１１０及び第二領域１２０を含む液晶硬化層として、光学異方性層１００が得られる。重合の際、液晶性化合物は、一般に、その分子の配向状態を維持したままで重合する。よって、前記の重合により、通常は、重合前の液晶組成物に含まれていた液晶性化合物の配向状態は固定される。

重合方法としては、液晶組成物に含まれる成分の性質に適合した方法を選択しうる。重合方法としては、例えば、活性エネルギー線を照射する方法、及び、熱重合法が挙げられる。中でも、加熱が不要であり、室温で重合反応を進行させられるので、活性エネルギー線を照射する方法が好ましい。ここで、照射される活性エネルギー線には、可視光線、紫外線、及び赤外線等の光、並びに電子線等の任意のエネルギー線が含まれうる。

なかでも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。紫外線照射時の温度は、基材のガラス転移温度以下とすることが好ましく、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１００℃以下、特に好ましくは８０℃以下である。紫外線照射時の温度の下限は、１５℃以上としうる。紫外線の照射強度は、好ましくは０．１ｍＷ／ｃｍ^２以上、より好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１００００ｍＷ／ｃｍ^２以下、より好ましくは５０００ｍＷ／ｃｍ^２以下である。紫外線の照射量は、好ましくは０．１ｍＪ／ｃｍ^２以上、より好ましくは０．５ｍＪ／ｃｍ^２以上であり、好ましくは１００００ｍＪ／ｃｍ^２以下、より好ましくは５０００ｍＪ／ｃｍ^２以下である。

前記の例に係る製造方法では、光学異方性層１００に含まれる液晶組成物層を一度に硬化させたが、硬化の態様はこの例に限定されない。例えば、第一領域１１０に対応する液晶組成物層の一部を先行して硬化させてもよく、第二領域１２０に対応する液晶組成物層の一部を先行して硬化させてもよい。例えば、
（ｖ）液晶組成物の硬化物によって形成された層を用意する工程と、
（vi）この層の表面に、直接に、液晶組成物層を形成する工程と、
（vii）液晶組成物層を貼り合わせる工程と、
（viii）貼り合わせられた液晶組成物層を硬化させる工程と、
を含む製造方法を、行ってもよい。以下の説明では、工程（ｖ）で用意される液晶組成物の硬化物によって形成された層を、光学異方性層１００としての液晶硬化層全体と区別するために、適宜「第一の単位硬化層」ということがある。ここで、ある層の表面に別の層を形成する態様が「直接に」とは、これら２層の間に他の層が無いことをいう。

工程（ｖ）は、通常、適切な支持面に、液晶組成物によって液晶組成物層を形成する工程、必要に応じて液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を配向させる工程、液晶組成物層を硬化させて第一の単位硬化層を得る工程、を含む。これらの工程における具体的な操作は、上述した工程（ｉ）、（iv）及び（iii）と同じにできる。この工程（ｖ）により、液晶組成物の硬化物によって形成された第一の単位硬化層が得られる。第一の単位硬化層に含まれる液晶性化合物の分子は、通常、その面内方向においては一方向に配向する。また、第一の単位硬化層に含まれる液晶性化合物の分子は、通常、その厚み方向においては、少なくとも一部が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向する。

第一の単位硬化層を用意した後で、第一の単位硬化層の表面に、直接に、液晶組成物層を形成する工程（vi）を行う。この工程により、第一の単位硬化層上に形成された層として、液晶組成物層が用意される。液晶組成物層の形成は、通常、第一の単位硬化層の表面に液晶組成物を塗工することによって、行う。塗工方法は、工程（ｉ）の項で説明したのと同じ方法を用いてもよい。液晶組成物を塗工する前に、第一の単位硬化層の表面には、ラビング処理等の配向規制力を付与するための処理を施してもよい。しかし、第一の単位硬化層の表面は、通常は、特段の処理を施さなくても、当該表面上に形成される液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を適切に配向させる配向規制力を有する。よって、工程数を減らして製造を効率的に進める観点では、工程（vi）は、第一の単位硬化層の表面にラビング処理を施さないことが好ましい。

第一の単位硬化層の表面に液晶組成物層を形成した後で、必要に応じて、液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を配向させる工程（ix）を行ってもよい。この工程（ix）における具体的な操作は、上述した工程（iv）と同じにできる。これにより、液晶組成物層において、液晶性化合物の分子が配向する。通常、面内方向においては、液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子は、第一の単位硬化層の表面の配向規制力により、第一の単位硬化層に含まれる液晶性化合物の配向方向と同じ方向に配向する。他方、厚み方向においては、液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子は、少なくとも一部が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向する。特に、逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物（以下、適宜「逆分散液晶性化合物」ということがある。）を含む第一の単位硬化層は、当該第一の単位硬化層の表面に形成される液晶組成物層に含まれる逆分散液晶性化合物の分子を、面内方向に対して（即ち、層平面に対して）大きく傾斜させる配向膜として機能できる。よって、第一遅相軸Ａ１１０及び第二遅相軸Ａ１２０が面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及びθ２が大きい光学異方性層１００を容易に得ることができる。

液晶組成物層を用意し、必要に応じて液晶性化合物の分子を配向させた後で、液晶組成物層を貼り合わせる工程（vii）を行う。この貼り合わせは、通常、直接に行う。
前記の貼り合わせでは、例えば、第一の単位硬化層及び当該第一の単位硬化層上に形成された液晶組成物層を備える１つの中間フィルムを用意した後で、その中間フィルムを折り曲げて、貼り合わせてもよい。この場合、折り目の一側にある第一の単位硬化層及び液晶組成物層が第一領域１１０に対応し、折り目の他側にある第一の単位硬化層及び液晶組成物層が第二領域１２０に対応する。
また、前記の貼り合わせでは、例えば、第一の単位硬化層及び当該第一の単位硬化層上に形成された液晶組成物層を備える２つの中間フィルムを用意した後で、それらの液晶組成物層を貼り合わせてもよい。この場合、一方の中間フィルムの第一の単位硬化層及び液晶組成物層が第一領域１１０に対応し、他方の中間フィルムの第一の単位硬化層及び液晶組成物層が第二領域１２０に対応する。

液晶組成物層の貼り合わせを行った後で、液晶組成物層を硬化させて、液晶硬化層としての光学異方性層１００を得る工程（viii）を行う。以下の説明では、第一の単位硬化層上に形成された液晶組成物層が硬化した層を、光学異方性層１００としての液晶硬化層全体及び第一の単位硬化層と区別するために、適宜「第二の単位硬化層」ということがある。この工程（viii）における具体的な操作は、工程（iii）と同じにできる。これにより、液晶組成物層の界面において液晶組成物層同士が結着する。よって、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層を含む層としての第一領域１１０と、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層を含む層としての第二領域１２０とを含む液晶硬化層として、光学異方性層１００が得られる。

以上のような製造方法により、光学異方性層１００を得ることができる。したがって、上述した製造方法で光学異方性層１００を製造することを含む方法により、光学異方体１０を得ることができる。この製造方法は、上述した工程に組み合わせて、更に任意の工程を含んでいてもよい。

上述した製造方法では、通常、基材を含む光学異方体１０が得られる。そこで、例えば、上述した製造方法は、基材を剥離する工程を含んでいてもよい。これにより、光学異方性層１００自体を、光学異方体１０として得ることができる。

また、上述した製造方法は、例えば、基材上に設けられた光学異方性層１００を、任意のフィルム層に転写する工程を含んでいてもよい。よって、例えば、光学異方体１０の製造方法は、基材上に形成された光学異方性層１００と任意のフィルム層とを貼り合わせた後で、必要に応じて基材を剥離して、光学異方性層１００及び任意のフィルム層を含む光学異方体１０を得る工程を含んでいてもよい。この際、貼り合わせには、適切な粘着剤又は接着剤を用いてもよい。

さらに、上述した製造方法は、例えば、得られた光学異方体１０に更に任意の層を設ける工程を含んでいてもよい。

［２．光学異方体の第二実施形態］
第一実施形態では、液晶組成物の硬化物のみからなる光学異方性層１００を備えた光学異方体１０を説明したが、光学異方体は、液晶組成物の硬化物のみからなるものに限られない。以下、その実施形態を、例を示して説明する。

図８は、本発明の第二実施形態に係る光学異方体２０を模式的に示す斜視図である。また、図９は、本発明の第二実施形態に係る光学異方体２０の光学異方性層２００を模式的に示す断面図である。図９では、光学異方性層２００を、当該光学異方性層２００の面内遅相軸Ａ１（図８参照）及び厚み方向Ａ３（図８参照）の両方に平行な平面で切った断面２００Ｓを示す。また、第二実施形態に係る光学異方体２０では、第一実施形態に係る光学異方体１０と同様の部位は、同様の符号を付して示す。

図８及び図９に示すように、本発明の第二実施形態に係る光学異方体２０は、光学異方性層２００が、第一領域１１０及び第二領域１２０の間に液晶組成物の硬化物以外の材料で形成された非液晶領域２３０を含むこと以外は、第一実施形態に係る光学異方体１０と同じに設けられている。第一領域１１０、第二領域１２０及び非液晶領域２３０は、光学異方性層２００の面内方向Ａ６に平行に（即ち、層平面に平行に）広がる層状の領域である。また、第一領域１１０、第二領域１２０及び非液晶領域２３０は、光学異方性層２００の厚み方向Ａ３において異なる位置にある。このような光学異方体２０は、第一実施形態に係る光学異方体１０と同じ特性を有し、第一実施形態に係る光学異方体１０と同じ効果を発揮できる。

非液晶領域２３０の材料としては、例えば、ガラス、樹脂等が挙げられる。また、非液晶領域２３０の材料は、１種類でもよく、２種類以上でもよい。中でも、非液晶領域２３０の材料は、樹脂が好ましく、特に、粘着剤又は接着剤として用いられる樹脂が好適である。これらの粘着剤又は接着剤を用いることにより、光学異方体２０の製造を容易に行うことができる。

非液晶領域２３０は、面内レターデーションを有する光学異方性の領域であってもよいが、実質的に面内レターデーションを有さない光学等方性の領域であることが好ましい。非液晶領域２３０が光学等方性の領域であることにより、光学異方性層２００の全体としてレターデーションの方位依存性を抑制できるとの効果を、より効果的に発揮できる。

非液晶領域２３０が光学等方性の領域である場合、測定波長５５０ｎｍにおける当該非液晶領域２３０の具体的な面内レターデーションは、好ましくは１０ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下、特に好ましくは３ｎｍ以下である。

上述した光学異方体２０の製造方法は、特に制限は無い。例えば、粘着剤又は接着剤で形成された非液晶領域２３０を備える光学異方体２０は、
（ｘ）液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された液晶硬化層を用意する工程と、
（xi）液晶硬化層を貼り合わせる工程と、
を含む製造方法によって、製造できる。

工程（ｘ）は、通常、適切な支持面に、液晶組成物によって液晶組成物層を形成する工程、必要に応じて液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を配向させる工程、液晶組成物層を硬化させて液晶硬化層を得る工程、を含む。これらの工程における具体的な操作は、第一実施形態で説明した工程（ｉ）、（iv）及び（iii）と同じにできる。この工程（ｘ）により、液晶組成物の硬化物によって形成された液晶硬化層が得られる。液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子は、通常、その面内方向においては一方向に配向している。また、液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子は、通常、その厚み方向においては、少なくとも一部が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜するように配向する。

また、工程（ｘ）は、第一の単位硬化層を用意する工程、第一の単位硬化層の表面に、直接に、液晶組成物層を形成する工程、必要に応じて液晶組成物層に含まれる液晶性化合物の分子を配向させる工程、及び、液晶組成物層を硬化させて液晶硬化層を得る工程、を含んでいてもよい。これらの工程における具体的な操作は、第一実施形態で説明した工程（ｖ）、（vi）、（ix）及び（iii）と同じにできる。この工程（ｘ）により、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層を含む液晶硬化層を得ることができる。このような第一の単位硬化層と第二の単位硬化層との組み合わせによれば、逆分散液晶性化合物を用いた場合に、第一実施形態で説明したように、第一遅相軸Ａ１１０及び第二遅相軸Ａ１２０が面内方向Ａ６に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及びθ２が大きい光学異方性層２００を容易に得ることができる。

液晶硬化層を用意した後で、その液晶硬化層を貼り合わせる工程を行う。この貼り合わせは、接着剤又は粘着剤を用いて行う。

前記の貼り合わせでは、例えば、１つの液晶硬化層を用意した後で、その液晶硬化層を折り曲げて、貼り合わせてもよい。この場合、折り目の一側にある液晶硬化層としての第一領域１１０、折り目の他側にある液晶硬化層としての第二領域１２０、及び、それらの間にある接着剤又は粘着剤の層としての非液晶領域２３０を備えた光学異方性層２００が得られる。

また、前記の貼り合わせでは、例えば、複数の液晶硬化層を用意した後で、それらの液晶硬化層を貼り合わせてもよい。この場合、少なくとも一の液晶硬化層としての第一領域１１０、別の少なくとも一の液晶硬化層としての第二領域１２０、及び、それらの間にある接着剤又は粘着剤の層としての非液晶領域２３０を備えた光学異方性層２００が得られる。

以上のような製造方法により、光学異方性層２００を得ることができる。したがって、上述した製造方法で光学異方性層２００を製造することを含む方法により、光学異方体２０を得ることができる。この製造方法は、上述した工程に組み合わせて、更に任意の工程を含んでいてもよい。任意の工程としては、例えば、第一実施形態で説明した工程が挙げられる。

［３．光学異方体のその他の実施形態］
光学異方体は、上述した第一実施形態及び第二実施形態から更に変更して実施してもよい。
第一実施形態では、第一領域１１０及び第二領域１２０のみを含む液晶硬化層を光学異方性層１００として用いた例を示したが、例えば、光学異方性層１００としての液晶硬化層は、第一領域１１０及び第二領域１２０に組み合わせて、任意の領域を含んでいてもよい。光学異方性層１００としての液晶硬化層が含みうる任意の領域としては、例えば、液晶性化合物の分子が厚み方向に配向した領域が挙げられる。

また、第一実施形態及び第二実施形態では、第一領域１１０及び第二領域１２０の組みを１組のみ備えた光学異方性層１００及び２００の例を示したが、例えば、一つの光学異方性層１００及び２００が、２組以上の第一領域１１０及び第二領域１２０を含んでいてもよい。

さらに、光学異方体１０及び２０は、光学異方性層１００及び２００に組み合わせて、更に任意の層を含んでいてもよい。任意の層としては、例えば、光学異方性層１００及び２００の製造に用いる基材；位相差フィルム；フィルムの滑り性を良くするマット層；耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層；反射防止層；防汚層；等が挙げられる。

［４．液晶組成物］
液晶組成物は、液晶性化合物を含む材料である。この液晶組成物は、２種類以上の成分を含む材料だけでなく、１種類の液晶性化合物のみを含む材料を包含する。光学異方性層の第一領域及び第二領域は、この液晶組成物の硬化物によって形成される。第一領域の形成に用いられる液晶組成物と第二領域の形成に用いられる液晶組成物は、同じでもよく、異なっていてもよい。よって、第一領域に含まれる液晶性化合物等の成分と、第二領域に含まれる液晶性化合物等の成分とは、同じでもよく、異なっていてもよい。さらに、第一領域及び第二領域が、それぞれ第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層のような複数の層によって形成される場合、これら複数の層の形成に用いられる液晶組成物は、同じでもよく、異なっていてもよい。よって、これら複数の層に含まれる液晶性化合物等の成分は、同じでもよく、異なっていてもよい。

液晶性化合物は、液晶性を有する化合物であり、通常、当該液晶性化合物を配向させた場合に、液晶相を呈することができる。液晶性化合物は、重合性を有することが好ましい。よって、液晶性化合物は、その分子が、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基等の重合性基を含むことが好ましい。重合性を有する液晶性化合物は、液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向状態を維持したまま重合体となることができる。よって、液晶組成物の硬化物において液晶性化合物の配向状態を固定したり、液晶性化合物の重合度を高めて光学異方性層の機械的強度を高めたりすることが可能である。

液晶性化合物の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは５００以上、特に好ましくは８００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。このような範囲の分子量を有する液晶性化合物を用いることにより、液晶組成物の塗工性を特に良好にできる。

測定波長５５０ｎｍにおける液晶性化合物の複屈折Δｎは、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、好ましくは０．１５以下、より好ましくは０．１０以下である。このような範囲の複屈折Δｎを有する液晶性化合物を用いることにより、通常は、配向欠陥の少ない光学異方性層を得やすい。

液晶性化合物の複屈折は、例えば、下記の方法により測定できる。
液晶性化合物の層を作製し、その層に含まれる液晶性化合物をホモジニアス配向させる。その後、その層の面内レターデーションを測定する。そして、「（層の面内レターデーション）÷（層の厚み）」から、液晶性化合物の複屈折を求めることができる。この際、面内レターデーション及び厚みの測定を容易にするために、ホモジニアス配向させた液晶性化合物の層は、硬化させてもよい。

液晶性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。また、液晶性化合物としては、逆波長分散性の複屈折を発現できる逆分散液晶性化合物を用いてもよく、順波長分散性の複屈折を発現できる順分散液晶性化合物を用いてもよく、逆分散液晶性化合物と順分散液晶性化合物との組み合わせを用いてもよい。逆波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物とは、当該液晶性化合物の層を形成し、その層において液晶性化合物を配向させた際に、逆波長分散性の複屈折を発現する液晶性化合物をいう。また、順波長分散性の複屈折を発現できる液晶性化合物とは、当該液晶性化合物の層を形成し、その層において液晶性化合物を配向させた際に、順波長分散性の複屈折を発現する液晶性化合物をいう。通常は、液晶性化合物をホモジニアス配向させた場合に、液晶性化合物の層が逆波長分散性及び順波長分散性のいずれの複屈折を示すかを調べることで、その液晶性化合物が逆波長分散性及び順波長分散性のいずれの複屈折を発現するかを確認できる。液晶性化合物をホモジニアス配向させる、とは、当該液晶性化合物を含む層を形成し、その層における液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において最大の屈折率の方向を、前記層の層平面に平行なある一の方向に配向させることをいう。

中でも、広い波長範囲において反射抑制能力を発揮できる偏光板を実現する観点から、液晶性化合物としては、逆分散液晶性化合物が好ましい。逆分散液晶性化合物の複屈折は、当該逆分散液晶性化合物の分子の屈折率楕円体において、最大の屈折率を示す方向の屈折率と、この方向に交差する別の方向の屈折率との差として発現する。また、逆分散液晶性化合物の分子構造に応じて、前記の各方向の屈折率の波長分散性は、異なりうる。よって、例えば、屈折率が相対的に大きいある方向では、長波長で測定した屈折率は、短波長で測定した屈折率よりも小さくなるが、それらの差は小さい。他方、屈折率が相対的に小さい別の方向では、長波長で測定した屈折率は、短波長で測定した屈折率よりも小さくなり、且つ、それらの差は大きい。このような例における前記方向間での屈折率差は、測定波長が短いと小さく、測定波長が長いと大きくなる。その結果、逆波長分散性の複屈折を発現できる。

逆分散液晶性化合物の例としては、下記式（Ｉ）で表されるものが挙げられる。

式（Ｉ）において、Ａｒは、下記式（II−１）〜式（II−７）のいずれかで表される基を示す。式（II−１）〜式（II−７）において、＊は、Ｚ^１又はＺ^２との結合位置を表す。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｅ^１及びＥ^２は、それぞれ独立して、−ＣＲ^１１Ｒ^１２−、−Ｓ−、−ＮＲ^１１−、−ＣＯ−及び−Ｏ−からなる群より選ばれる基を表す。また、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して、水素原子、又は、炭素原子数１〜４のアルキル基を表す。中でも、Ｅ^１及びＥ^２は、それぞれ独立して、−Ｓ−であることが好ましい。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ^１〜Ｄ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、または、置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｄ^１〜Ｄ^３が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、２〜１００である。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基の炭素原子数は、６〜３０が好ましい。Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素環基としては、フェニル基がより好ましい。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数１〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ａは、炭素原子数１〜６のアルキル基；並びに、炭素原子数１〜６のアルキル基若しくは炭素原子数１〜６のアルコキシ基を置換基として有していてもよい、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｂは、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；及び、置換基を有していてもよい炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基の炭素原子数は、好ましくは１〜１２、より好ましくは４〜１０である。Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、およびｎ−イコシル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チエニル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾール−２−イルチオ基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；及び、ベンゾジオキサニル基；等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基の炭素原子数は、好ましくは２〜１２である。Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、およびイコセニル基等が挙げられる。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。中でも、シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基が好ましい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；等が挙げられる。中でも、シクロアルキル基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；および、フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素環基としては、フェニル基が好ましい。

Ｒ^ｂにおける炭素原子数６〜１２の芳香族炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ_３；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；等が挙げられる。中でも、芳香族炭化水素環基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；ニトロ基；フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアルキル基；−ＯＣＦ_３；が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族複素環基の炭素原子数は、２〜３０が好ましい。Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、イミダゾリル基、インドリニル基、フラザニル基、オキサゾリル基、キノリル基、チアジアゾリル基、チアゾリル基、チアゾロピラジニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピリダジニル基、チアゾロピリミジニル基、チエニル基、トリアジニル基、トリアゾリル基、ナフチリジニル基、ピラジニル基、ピラゾリル基、ピラニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピロリル基、フタラジニル基、フラニル基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾトリアジニル基、ベンゾトリアゾリル基、およびベンゾピラゾリル基等が挙げられる。中でも、芳香族複素環基としては、フラニル基、ピラニル基、チエニル基、オキサゾリル基、フラザニル基、チアゾリル基、及びチアジアゾリル基等の、単環の芳香族複素環基；並びに、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キノリル基、１−ベンゾフラニル基、２−ベンゾフラニル基、フタルイミド基、ベンゾ［ｃ］チエニル基、ベンゾ［ｂ］チエニル基、チアゾロピリジル基、チアゾロピラジニル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基、及びベンゾチアジアゾリル基等の、縮合環の芳香族複素環基；がより好ましい。

Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ^４〜Ｄ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい非環状基を表す。Ｄ^４及びＤ^５は、一緒になって環を形成していてもよい。Ｄ^４〜Ｄ^５が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、１〜１００である。

Ｄ^４〜Ｄ^５における非環状基の炭素原子数は、１〜１３が好ましい。Ｄ^４〜Ｄ^５における非環状基としては、例えば、炭素原子数１〜６のアルキル基；シアノ基；カルボキシル基；炭素原子数１〜６のフルオロアルキル基；炭素原子数１〜６のアルコキシ基；−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３；−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^ｘ；が挙げられる。中でも、非環状基としては、シアノ基、カルボキシル基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨＰｈ、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ_２Ｈ_５、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣ_４Ｈ_９、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ（ＣＨ_３）_２、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）−ＯＣＨ_３、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）_２−ＯＨ、及び−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ_４Ｈ_９、が好ましい。前記のＰｈは、フェニル基を表す。また、前記のＲ^ｘは、炭素原子数１〜１２の有機基を表す。Ｒ^ｘの具体例としては、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、または、水酸基で置換されていてもよい炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。

Ｄ^４〜Ｄ^５における非環状基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｄ^４及びＤ^５が一緒になって環を形成している場合、前記のＤ^４及びＤ^５によって環を含む有機基が形成される。この有機基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。下記式において、＊は、各有機基が、Ｄ^４及びＤ^５が結合する炭素と結合する位置を表す。

Ｒ^＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。
Ｒ^＊＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基、及び、置換基を有していてもよいフェニル基からなる群より選ばれる基を表す。
Ｒ^＊＊＊は、炭素原子数１〜３のアルキル基、及び、置換基を有していてもよいフェニル基からなる群より選ばれる基を表す。
Ｒ^＊＊＊＊は、水素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基、水酸基、及び、−ＣＯＯＲ^１３からなる群より選ばれる基を表す。Ｒ^１３は、炭素原子数１〜３のアルキル基を表す。
フェニル基が有しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、シアノ基及びアミノ基が挙げられる。中でも、置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シアノ基及びアルコキシ基が好ましい。フェニル基が有する置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

前記の式（II−１）〜式（II−７）において、Ｄ^６は、−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈ、−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ^ｇ）Ｒ^ｈ、及び、−Ｃ（Ｒ^ｆ）＝Ｎ−Ｎ＝Ｒ^ｉからなる群より選ばれる基を表す。Ｄ^６が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、通常、３〜１００である。

Ｒ^ｆは、水素原子；並びに、メチル基、エチル基、プロピル基、及びイソプロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｇは、水素原子；並びに、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０の有機基；からなる群より選ばれる基を表す。

Ｒ^ｇにおける置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０の有機基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルケニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０のアルキニル基；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基；置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−ＣＳ−ＮＨ−Ｒ^ｂ；が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基の好ましい炭素原子数の範囲及び例示物は、Ｒ^ｂにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基と同じである。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；トリアゾリル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の、炭素原子数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の、炭素原子数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基；１個以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素原子数１〜１２のフルオロアキル基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；−ＳＲ^ｂ；−ＳＲ^ｂで置換された炭素原子数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；等が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基の好ましい炭素原子数の範囲及び例示物は、Ｒ^ｂにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基と同じである。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基等が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜２０のアルキニル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、Ｒ^ｂにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基と同じ例が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基が有しうる置換基としては、例えば、Ｒ^ｇにおける炭素原子数１〜２０のアルキル基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

Ｒ^ｇにおける炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基が有しうる置換基としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における芳香族炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

上述したものの中でも、Ｒ^ｇとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；置換基を有していてもよい炭素原子数３〜１２のシクロアルキル基；置換基を有していてもよい炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基；並びに、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基；が好ましい。その中でも、Ｒ^ｇとしては、置換基を有していてもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基；並びに、炭素原子数１〜２０のアルキル基に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも一つが、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基（ただし、−Ｏ−または−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く）；が特に好ましい。

Ｒ^ｈは、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、有機基を表す。

Ｒ^ｈの好ましい例としては、（１）１以上の炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素原子数６〜４０の炭化水素環基、が挙げられる。この芳香族炭化水素環を有する炭化水素環基を、以下、適宜「（１）炭化水素環基」ということがある。（１）炭化水素環基の具体例としては、下記の基が挙げられる。

（１）炭化水素環基は、置換基を有していてもよい。（１）炭化水素環基が有しうる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、および、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの別の好ましい例としては、（２）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素原子数２〜４０の複素環基が挙げられる。この芳香環を有する複素環基を、以下、適宜「（２）複素環基」ということがある。（２）複素環基の具体例としては、下記の基が挙げられる。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。

（２）複素環基は、置換基を有していてもよい。（２）複素環基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの更に別の好ましい例としては、（３）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数１〜１２のアルキル基が挙げられる。この置換されたアルキル基を、以下、適宜「（３）置換アルキル基」ということがある。

（３）置換アルキル基における「炭素原子数１〜１２のアルキル基」としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基などが挙げられる。
（３）置換アルキル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。
（３）置換アルキル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

（３）置換アルキル基は、更に置換基を有していてもよい。（３）置換アルキル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの更に別の好ましい例としては、（４）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数２〜１２のアルケニル基が挙げられる。この置換されたアルケニル基を、以下、適宜「（４）置換アルケニル基」ということがある。

（４）置換アルケニル基における「炭素原子数２〜１２のアルケニル基」としては、例えば、ビニル基、アリル基などが挙げられる。
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。
（４）置換アルケニル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

（４）置換アルケニル基は、更に置換基を有していてもよい。（４）置換アルケニル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの更に別の好ましい例としては、（５）炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基からなる群より選ばれる１以上の基で置換された、炭素原子数２〜１２のアルキニル基が挙げられる。この置換されたアルキニル基を、以下、適宜「（５）置換アルキニル基」ということがある。

（５）置換アルキニル基における「炭素原子数２〜１２のアルキニル基」としては、例えば、エチニル基、プロピニル基などが挙げられる。
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環基と同じ例が挙げられる。
（５）置換アルキニル基における「炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基」としては、例えば、Ｄ^１〜Ｄ^３における炭素原子数２〜３０の芳香族複素環基と同じ例が挙げられる。

（５）置換アルキニル基は、更に置換基を有していてもよい。（５）置換アルキニル基が有しうる置換基としては、例えば、（１）炭化水素環基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｈの好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。

Ｒ^ｈの更に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。

Ｒ^ｈの特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。

上述したＲ^ｈの具体例は、更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等の、ハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の、炭素原子数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の、炭素原子数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の、炭素原子数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；−ＯＣＦ_３；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^ｂ；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｒ^ｂ；−ＳＯ_２Ｒ^ａ；等が挙げられる。Ｒ^ａ及びＲ^ｂの意味は、上述した通りである。これらの中でも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、および、炭素原子数１〜６のアルコキシ基が好ましい。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ｒ^ｉは、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、有機基を表す。

Ｒ^ｉの好ましい例としては、１以上の炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環を有する、炭素原子数６〜４０の炭化水素環基が挙げられる。
また、Ｒ^ｉの別の好ましい例としては、炭素原子数６〜３０の芳香族炭化水素環及び炭素原子数２〜３０の芳香族複素環からなる群より選ばれる１以上の芳香環を有する、炭素原子数２〜４０の複素環基が挙げられる。

Ｒ^ｉの特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。Ｒの意味は、上述した通りである。

式（II−１）〜式（II−７）のいずれかで表される基は、Ｄ^１〜Ｄ^６以外に更に置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基、炭素原子数１〜６のＮ−アルキルアミノ基、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数１〜６のアルキルスルフィニル基、カルボキシル基、炭素原子数１〜６のチオアルキル基、炭素原子数１〜６のＮ−アルキルスルファモイル基、炭素原子数２〜１２のＮ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｉ）におけるＡｒの好ましい例としては、下記の式（III−１）〜式（III−１０）で表される基が挙げられる。また、式（III−１）〜式（III−１０）で表される基は、置換基として炭素原子数１〜６のアルキル基を有していてもよい。下記式中、＊は、結合位置を表す。

式（III−１）及び式（III−４）の特に好ましい具体例としては、下記の基が挙げられる。下記式中、＊は、結合位置を表す。

式（Ｉ）において、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｓ−、−Ｓ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２１−、−ＣＦ_２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＦ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＦ_２−ＣＦ_２−、−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ_３）−、−Ｃ（ＣＨ_３）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｎ−、及び、−Ｃ≡Ｃ−、からなる群より選ばれるいずれかを表す。Ｒ^２１は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。

式（Ｉ）において、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい環状脂肪族基、及び、置換基を有していてもよい芳香族基、からなる群より選ばれる基を表す。Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２が表す基の炭素原子数（置換基の炭素原子数を含む。）は、それぞれ独立して、通常、３〜１００である。中でも、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素原子数５〜２０の環状脂肪族基、または、置換基を有していてもよい炭素原子数２〜２０の芳香族基が好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における環状脂肪族基としては、例えば、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、１，４−シクロヘプタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等の、炭素原子数５〜２０のシクロアルカンジイル基；デカヒドロナフタレン−１，５−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基等の、炭素原子数５〜２０のビシクロアルカンジイル基；等が挙げられる。中でも、置換されていてもよい炭素原子数５〜２０のシクロアルカンジイル基が好ましく、シクロヘキサンジイル基がより好ましく、シクロヘキサン−１，４−ジイル基が特に好ましい。環状脂肪族基は、トランス体であってもよく、シス体であってもよく、シス体とトランス体との混合物であってもよい。中でも、トランス体がより好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における環状脂肪族基が有しうる置換基としては、例えば、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における芳香族基としては、例えば、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、４，４’−ビフェニレン基等の、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基；フラン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基等の、炭素原子数２〜２０の芳香族複素環基；等が挙げられる。中でも、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素環基が好ましく、フェニレン基がさらに好ましく、１，４−フェニレン基が特に好ましい。

Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における芳香族基が有しうる置換基としては、例えば、Ａ^１、Ａ^２、Ｂ^１及びＢ^２における環状脂肪族基が有しうる置換基と同じ例が挙げられる。置換基の数は、一つでもよく、複数でもよい。また、複数の置換基は、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。

式（Ｉ）において、Ｙ^１〜Ｙ^４は、それぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２２−、及び、−ＮＲ^２２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２３−、からなる群より選ばれるいずれかを表す。Ｒ^２２及びＲ^２３は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。

式（Ｉ）において、Ｇ^１及びＧ^２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基；並びに、炭素原子数３〜２０の脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基（−ＣＨ_２−）の１以上が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換された基；からなる群より選ばれる有機基を表す。Ｇ^１及びＧ^２の前記有機基に含まれる水素原子は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、または、ハロゲン原子に置換されていてもよい。ただし、Ｇ^１及びＧ^２の両末端のメチレン基（−ＣＨ_２−）が−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されることはない。

Ｇ^１及びＧ^２における炭素原子数１〜２０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素原子数１〜２０のアルキレン基が挙げられる。

Ｇ^１及びＧ^２における炭素原子数３〜２０の脂肪族炭化水素基の具体例としては、炭素原子数３〜２０のアルキレン基が挙げられる。

式（Ｉ）において、Ｐ^１及びＰ^２は、それぞれ独立して、重合性基を表す。Ｐ^１及びＰ^２における重合性基としては、例えば、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基等の、ＣＨ_２＝ＣＲ^３１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基；ビニル基；ビニルエーテル基；ｐ−スチルベン基；アクリロイル基；メタクリロイル基；カルボキシル基；メチルカルボニル基；水酸基；アミド基；炭素原子数１〜４のアルキルアミノ基；アミノ基；エポキシ基；オキセタニル基；アルデヒド基；イソシアネート基；チオイソシアネート基；等が挙げられる。Ｒ^３１は、水素原子、メチル基、又は塩素原子を表す。中でも、ＣＨ_２＝ＣＲ^３１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（アクリロイルオキシ基）、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−（メタクリロイルオキシ基）がより好ましく、アクリロイルオキシ基が特に好ましい。

式（Ｉ）において、ｐ及びｑは、それぞれ独立して、０又は１を表す。

式（Ｉ）で表される逆分散液晶性化合物は、例えば、国際公開第２０１２／１４７９０４号に記載される、ヒドラジン化合物とカルボニル化合物との反応により製造しうる。

液晶組成物は、任意の成分として、界面活性剤を含んでいてもよい。特に、配向性に優れた液晶硬化層を安定して得る観点から、界面活性剤としては、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤が好ましい。以下の説明において、分子中にフッ素原子を含む界面活性剤を、適宜「フッ素系界面活性剤」ということがある。

界面活性剤はノニオン系界面活性剤であることが好ましい。界面活性剤がイオン性基を含まないノニオン系界面活性剤である場合に、液晶硬化層の面状態及び配向性を、特に良好にすることができる。

界面活性剤は、重合性を有さなくてもよく、重合性を有していてもよい。重合性を有する界面活性剤は、液晶組成物層を硬化させる工程で重合できるので、通常は、液晶組成物の硬化物においては重合体の分子の一部に含まれる。

界面活性剤としては、例えば、ＡＧＣセイミケミカル社製のサーフロンシリーズ（Ｓ４２０など）、ネオス社製のフタージェントシリーズ（２５１、ＦＴＸ−２１２Ｍ、ＦＴＸ−２１５Ｍ、ＦＴＸ−２０９など）、ＤＩＣ社製のメガファックシリーズ（Ｆ−４４４、Ｆ−５６２など）等のフッ素系界面活性剤が挙げられる。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

界面活性剤の量は、液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．０３重量部以上、より好ましくは０．０５重量部以上であり、好ましくは０．５０重量部以下、より好ましくは０．３０重量部以下である。界面活性剤の量が前記の範囲にあることにより、配向性に優れた液晶硬化層を得ることができる。

液晶組成物は、任意の成分として、重合開始剤を含んでいてもよい。重合開始剤の種類は、液晶組成物に含まれる重合性の化合物の種類に応じて選択しうる。例えば、重合性の化合物がラジカル重合性であれば、ラジカル重合開始剤を使用しうる。また、重合性の化合物がアニオン重合性であれば、アニオン重合開始剤を使用しうる。さらに、重合性の化合物がカチオン重合性であれば、カチオン重合開始剤を使用しうる。重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合開始剤の量は、液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下である。重合開始剤の量が前記範囲に収まることにより、重合を効率的に進行させることができる。

液晶組成物は、任意の成分として、溶媒を含んでいてもよい。溶媒としては、液晶性化合物を溶解できるものが好ましい。このような溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン溶媒；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル溶媒；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル溶媒；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒；が挙げられる。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、好ましくは６０℃〜２５０℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃である。

溶媒の量は、液晶性化合物１００重量部に対して、好ましくは２００重量部以上、より好ましくは２５０重量部以上、特に好ましくは３００重量部以上であり、好ましくは６５０重量部以下、より好ましくは５５０重量部以下、特に好ましくは４５０重量部以下である。溶媒の量を、前記範囲の下限値以上にすることにより異物発生の抑制ができ、前記範囲の上限値以下にすることにより乾燥負荷の低減ができる。

液晶組成物が含みうるその他の任意の成分としては、例えば、金属；金属錯体；酸化チタン等の金属酸化物；染料、顔料等の着色剤；蛍光材料、燐光材料等の発光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；等が挙げられる。これらの成分の量は、液晶性化合物の合計１００重量部に対して、各々０．１重量部〜２０重量部としうる。

［５．偏光板］
上述した光学異方体を用いることにより、偏光板を得ることができる。この偏光板は、通常、光学異方体及び直線偏光子を備える。偏光板は、円偏光板又は楕円偏光板として機能できることが好ましい。このような偏光板は、有機ＥＬ表示パネルに設けることにより、有機ＥＬ表示パネルの表示面の正面方向において外光の反射を抑制できる。

また、光学異方体の光学異方性層は、特定断面において面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜した第一遅相軸及び第二遅相軸を有する第一領域及び第二領域を含むことから分かるように、その面内方向だけでなく厚み方向においても複屈折を適切に調整されることができる。よって、偏光板は、有機ＥＬ表示パネルの表示面の正面方向だけでなく傾斜方向においても外光の反射を抑制できる。

さらに、上述した光学異方体は、第一領域及び第二領域を含む光学異方性層の全体として、レターデーションの方位依存性を抑制できる。よって、偏光板は、傾斜方向における反射抑制能力の方位依存性を抑制できる。

したがって、光学異方体を備えた偏光板によれば、広い範囲の方位において優れた視野角を有する有機ＥＬ表示パネルを実現することができる。

直線偏光子としては、例えば、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるフィルム；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるフィルム；が挙げられる。また、直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子などの、偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうち、直線偏光子としては、ポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。この直線偏光子の偏光度は特に限定されないが、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。
また、直線偏光子の厚みは、好ましくは５μｍ〜８０μｍである。

偏光板を円偏光板として機能させたい場合、厚み方向から見て直線偏光子の偏光吸収軸に対して光学異方性層の面内遅相軸がなす角度は、４５°またはそれに近い角度であることが好ましい。前記の角度は、具体的には、好ましくは４５°±５°（即ち４０°〜５０°）、より好ましくは４５°±４°（即ち４１°〜４９°）、特に好ましくは４５°±３°（即ち４２°〜４８°）である。

偏光板は、直線偏光子、光学異方体以外に、更に任意の層を含んでいてもよい。任意の層としては、例えば、直線偏光子と光学異方体とを貼り合わせるための接着層；直線偏光子を保護するための偏光子保護フィルム層；などが挙げられる。

［６．有機ＥＬ表示パネル］
上述した偏光板は、反射抑制フィルムとして、有機ＥＬ表示パネルに設けてもよい。このような有機ＥＬ表示パネルは、通常、表示素子として有機ＥＬ素子を含み、この有機ＥＬ素子の視認側に、偏光板が設けられる。また、偏光板は、有機ＥＬ素子と直線偏光子との間に光学異方体が設けられるように、配置される。

以下、偏光板が円偏光板として機能する場合を例に挙げて、反射抑制の仕組みを説明する。装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子を通過し、次にそれが光学異方体の光学異方性層を通過することにより、円偏光となる。円偏光は、有機ＥＬ表示パネル内の光を反射する構成要素（有機ＥＬ素子の反射電極等）により反射され、再び光学異方体の光学異方性層を通過することにより、入射した直線偏光の振動方向と直交する振動方向を有する直線偏光となり、直線偏光子を通過しなくなる。ここで、直線偏光の振動方向とは、直線偏光の電場の振動方向を意味する。これにより、反射抑制の機能が達成される。このような反射抑制の原理は、特開平９−１２７８８５号公報を参照してよい。

有機ＥＬ素子は、通常、透明電極層、発光層及び電極層をこの順に備え、透明電極層及び電極層から電圧を印加されることにより発光層が光を生じうる。有機発光層を構成する材料の例としては、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリフルオレン系、およびポリビニルカルバゾール系の材料を挙げることができる。また、発光層は、複数の発光色が異なる層の積層体、あるいはある色素の層に異なる色素がドーピングされた混合層を有していてもよい。さらに、有機ＥＬ素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、等電位面形成層、電荷発生層等の機能層を備えていてもよい。

また、有機ＥＬ表示パネルにおいて、光学異方体は、反射抑制フィルム以外の用途で設けられていてもよい。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。

以下の説明において、レターデーションの測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍであった。また、以下の実施例及び比較例で用いた粘着剤及び光学等方性の樹脂フィルムは、光学等方性を有するので、レターデーションの測定結果に影響を与えない。

後述する実施例１〜１７において、液晶組成物層に含まれる液晶性化合物を配向させる際の加熱条件は、いずれも、使用した液晶組成物に対応する試験組成物の残留分粘度が８００ｃＰ以下となる温度条件であった。

［特定断面において遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度の測定方法］
液晶硬化層を、当該液晶硬化層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な特定断面が現れるように切った。現れた特定断面を含む切片を、偏光顕微鏡を用いてクロスニコルにて偏光観察した。この偏光観察は、前記特定断面に垂直な軸を中心にして液晶硬化層を回転させながら行った。この偏光観察により、消光位を特定した。特定された消光位から、前記特定断面における液晶硬化層の遅相軸を測定した。その後、この遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を求めた。

また、特に実施例１３では、液晶硬化層の全体の遅相軸を測定するのではなく、液晶硬化層の第一領域の第一遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１と、第二領域の第二遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２とを、それぞれ測定した。

［面内レターデーションＲｅの測定方法］
液晶硬化層の面内レターデーションは、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて測定した。

［波長分散性の測定方法］
測定波長４５０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける液晶硬化層の面内レターデーションＲｅ（４５０）及びＲｅ（５５０）を測定した。測定結果から、下記の基準により、波長分散性を判定した。
「逆波長分散性」：Ｒｅ（４５０）＜Ｒｅ（５５０）
「順波長分散性」：Ｒｅ（４５０）＞Ｒｅ（５５０）

［視野角特性の評価方法］
（視野角Ｆ）
光学異方体のレターデーションを、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、入射角が−５０°〜＋５０°の範囲で測定した。この測定は、測定方向が光学異方性層の面内遅相軸に対して垂直になるように、光学異方体を、光学異方性層の面内遅相軸に平行な回転軸を中心に回転させて行った。

入射角が−５０°、０°及び＋５０°のレターデーションＲ（−５０°）、Ｒ（０°）及びＲ（＋５０°）から、下記の式（Ｘ１）により、視野角評価用のＦ値を求めた。
Ｆ値＝［｛Ｒ（−５０°）／２｝＋｛Ｒ（＋５０°）／２｝］／Ｒ（０°） （Ｘ１）

得られたＦ値に対し、下記の基準により、評価点を与えた。
１点：Ｆ＜０．９０
２点：０．９０≦Ｆ＜０．９５
３点：０．９５≦Ｆ≦１．０５
２点：１．０５＜Ｆ≦１．１０
１点：１．１０＜Ｆ

（視野角Ｓ）
光学異方体のレターデーションを、位相差計（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製「ＡｘｏＳｃａｎ」）を用いて、入射角が−５０°〜＋５０°の範囲で測定した。この測定は、測定方向が光学異方体の面内進相軸に対して垂直になるように、光学異方体を、当該光学異方体の面内進相軸に平行な回転軸を中心に回転させて行った。

入射角が−５０°、０°及び＋５０°のレターデーションＲ（−５０°）、Ｒ（０°）及びＲ（＋５０°）から、下記の式（Ｘ２）により、視野角評価用のＳ値を求めた。
Ｓ値＝［｛Ｒ（−５０°）／２｝＋｛Ｒ（＋５０°）／２｝］／Ｒ（０°） （Ｘ２）

得られたＳ値に対し、下記の基準により、評価点を与えた。
１点：Ｓ＜０．９０
２点：０．９０≦Ｓ＜０．９５
３点：０．９５≦Ｓ≦１．０５
２点：１．０５＜Ｓ≦１．１０
１点：１．１０＜Ｓ

（視野角の総合評価）
前記のＦ値に対する評価点とＳ値に対する評価点とを合計した。そして、得られた評価点の合計に基づき、下記の基準によって視野角の総合評価を行った。
「Ａ」：評価点の合計が６点以上。
「Ｂ」：Ｆ値の評価点及びＳ値の評価点の一方が３点以上、かつ、評価点の合計が４点以上６点未満。
「Ｃ」：Ｆ値の評価点及びＳ値の評価点の両方が３点未満、かつ、評価点の合計が４点以上６点未満。
「Ｄ」：評価点の合計が４点未満。

［レターデーションの方位角方向における最大値と最小値の差の評価方法］
前記の光学異方体の、面内遅相軸に対して垂直な測定方向で測定したレターデーションＲ（−５０°）及びＲ（＋５０°）、並びに、面内進相軸に対して垂直な測定方向で測定したレターデーションＲ（−５０°）及びＲ（＋５０°）を、入射角５０°でのレターデーションＲ（５０°）として求めた。そして、これらのレターデーションＲ（５０°）を、入射角０°でのレターデーションＲ（０°）でそれぞれ割って、光学異方性層１００のレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）を求めた。求められたレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）のうち、最大値と最小値との差を計算して、光学異方性層のレターデーション比Ｒ（５０°）／Ｒ（０°）の方位角方向における最大値と最小値の差ΔＲ（５０°）／Ｒ（０°）を得た。この最大値と最小値の差ΔＲ（５０°）／Ｒ（０°）が小さいほど、光学異方性層の傾斜方向におけるレターデーションの方位角方向における最大値と最小値の差が効果的に抑制されているので、すなわち、光学異方性層の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性が抑制されていることを表す。

［実施例１］
（液晶組成物の製造）
下記式で表される重合性を有する逆分散液晶性化合物Ａを１００重量部、フッ素系界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「Ｓ４２０」）０．１５重量部、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０４」）４．３重量部、並びに、溶媒としてシクロペンタノン１６２．３重量部及び１，３−ジオキソラン２４３．５重量部を混合して、液晶組成物を製造した。

（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）
支持基材として、ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡社製「Ａ４１００」、厚み１００μｍ；以下、適宜「ＰＥＴフィルム」ということがある。）を用意した。このＰＥＴフィルムは、片面に易滑処理が施されたフィルムである。

このＰＥＴフィルムの非易滑処理面に、ラビング処理を施した。その後、ＰＥＴフィルムのラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、前記の液晶組成物を塗工して、液晶組成物層を形成した。
前記の液晶組成物層を、１３５℃で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。
その後、液晶組成物層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物層を硬化させて、厚さ０．４μｍの第一の単位硬化層を形成した。

この第一の単位硬化層の表面に、ラビング処理を施した。そして、第一の単位硬化層のラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、前記第一の単位硬化層の形成に用いた残りの液晶組成物を塗工して、液晶組成物層を形成した。
前記の液晶組成物層を、１３５℃で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。
その後、液晶組成物層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物層を硬化させて、第二の単位硬化層を形成した。

これにより、ＰＥＴフィルムと、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層を含む液晶硬化層と、を備えた中間フィルムを得た。この液晶硬化層に含まれる液晶性化合物の分子は、当該液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）傾斜しているが、そのチルト角は不均一である。具体的には、液晶硬化層のＰＥＴフィルム側の面において液晶性化合物の分子のチルト角が相対的に小さく、液晶硬化層の空気側の面において液晶性化合物の分子のチルト角が相対的に大きい。得られた中間フィルムを用いて、上述した方法により、液晶硬化層の評価を行った。

（光学異方体の製造）
前記の中間フィルムから、第一フィルム片及び第二フィルム片という２枚のフィルム片を切り取った。第一フィルム片の液晶硬化層と第二フィルム片の液晶硬化層とを、粘着剤（日東電工社製「ＣＳ９６２１Ｔ」）によって貼り合わせた。以下の説明において、第一フィルム片の液晶硬化層を「第一液晶硬化層」、第二フィルム片の液晶硬化層を「第二液晶硬化層」ということがある。また、前記の貼り合わせは、下記の条件（Ｘ３）及び（Ｘ４）を満たすように行った。
（Ｘ３）第一液晶硬化層の面内遅相軸と、第二液晶硬化層の面内遅相軸とが、平行になる。
（Ｘ４）得られる光学異方体の光学異方性層を、光学異方性層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な平面で切った特定断面において、第一液晶硬化層の遅相軸と、第二液晶硬化層の遅相軸とが、表１に示す交差角度Δθをなす。

その後、第一フィルム片のＰＥＴフィルムを剥がした。ＰＥＴフィルムを剥がしたことで現れた第一液晶硬化層の面と、光学等方性の樹脂フィルム（日本ゼオン社製のノルボルネン樹脂フィルム「ゼオノアフィルム」）とを、前記の粘着剤によって貼り合わせた。そして、第二フィルム片のＰＥＴフィルムを剥がして、「樹脂フィルム／粘着剤層／第一液晶硬化層／粘着剤層／第二液晶硬化層」の層構成を有する光学異方体を得た。この光学異方体において、「第一液晶硬化層／粘着剤層／第二液晶硬化層」の部分が、光学異方性層に相当し、第一液晶硬化層が第一領域に相当し、第二液晶硬化層が第二領域に相当する。よって、実施例１で得られた光学異方性層においては、第一領域のチルト角が大きい側の面と、第二領域のチルト角が大きい側の面とが、対向している（図６参照）。
得られた光学異方体を、上述した方法で評価した。

［実施例２］
実施例２は、第一領域に相当する第一液晶硬化層と第二領域に相当する第二液晶硬化層との貼り合わせの向きを実施例１から変更した実施例である。この実施例２の具体的操作は、下記の通りである。

実施例１で製造した中間フィルムから、第一フィルム片及び第二フィルム片という２枚のフィルム片を切り取った。第二フィルム片の第二液晶硬化層と、光学等方性の樹脂フィルムとを、前記の粘着剤によって貼り合わせた。その後、ＰＥＴフィルムを剥がして、樹脂フィルム／粘着剤層／第二液晶硬化層の層構成を有する複層フィルムを得た。

その後、この複層フィルムの第二液晶硬化層と、第一フィルム片の第一液晶硬化層とを、前記の粘着剤によって貼り合わせた。この貼り合わせは、実施例１で説明した条件（Ｘ３）及び（Ｘ４）を満たすように行った。次いで、第一フィルム片のＰＥＴフィルムを剥がして、「第一液晶硬化層／粘着剤層／第二液晶硬化層／粘着層／樹脂フィルム」の層構成を有する光学異方体を得た。この光学異方体において、「第一液晶硬化層／粘着剤層／第二液晶硬化層」の部分が、光学異方性層に相当し、第一液晶硬化層が第一領域に相当し、第二液晶硬化層が第二領域に相当する。よって、実施例２で得られた液晶硬化層においては、第一領域のチルト角が大きい側の面と、第二領域のチルト角が小さい側の面とが、対向している（図７参照）。
得られた光学異方体を、上述した方法で評価した。

［実施例３］
実施例３は、第一領域に相当する第一液晶硬化層と第二領域に相当する第二液晶硬化層との貼り合わせの向きを実施例１から変更した実施例である。この実施例３の具体的操作は、下記の通りである。

実施例１で製造した中間フィルムから、第一フィルム片及び第二フィルム片という２枚のフィルム片を切り取った。
第一フィルム片の第一液晶硬化層を、光学等方性の樹脂フィルムに、前記の粘着剤によって貼り合わせた。その後、ＰＥＴフィルムを剥がして、「樹脂フィルム／粘着剤層／第一液晶硬化層」の層構成を有する複層フィルムを得た。
また、同様に、第二フィルム片の第二液晶硬化層を、光学等方性の樹脂フィルムに、前記の粘着剤によって貼り合わせた。その後、ＰＥＴフィルムを剥がして、「樹脂フィルム／粘着剤層／第二液晶硬化層」の層構成を有する複層フィルムを得た。

その後、これらの複層フィルムの第一液晶硬化層と第二液晶硬化層とを、前記の粘着剤によって貼り合わせた。この貼り合わせは、実施例１で説明した条件（Ｘ３）及び（Ｘ４）を満たすように行った。これにより、樹脂フィルム／粘着剤層／第一液晶硬化層／粘着剤層／第二液晶硬化層／粘着剤層／樹脂フィルムの層構成を有する光学異方体を得た。この光学異方体において、「第一液晶硬化層／粘着剤層／第二液晶硬化層」の部分が、光学異方性層に相当し、第一液晶硬化層が第一領域に相当し、第二液晶硬化層が第二領域に相当する。よって、実施例３で得られた液晶硬化層においては、第一領域のチルト角が小さい側の面と、第二領域のチルト角が小さい側の面とが、対向している（図５参照）。
得られた光学異方体を、上述した方法で評価した。

［実施例４］
実施例４は、第一領域の第一遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及び第二領域の第二遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２を実施例１から変更した実施例である。この実施例４の具体的操作は、下記の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更し、さらに配向時の温度を１２０℃に変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、２０°に変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例５］
実施例５は、第一領域の第一遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及び第二領域の第二遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２を実施例１から変更した実施例である。この実施例５の具体的操作は、下記の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更し、さらに配向時の温度を１３０℃に変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、２５°に変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例６］
実施例６は、使用する液晶性化合物の種類を実施例１から変更し、第一領域の第一遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及び第二領域の第二遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２を実施例１から変更した実施例である。この実施例６の具体的操作は、下記の通りである。

液晶性化合物の種類を、逆分散液晶性化合物Ａから、下記式で表される重合性を有する順分散液晶性化合物Ｂに変更した。さらに、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、３５°に変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例７］
実施例７は、使用する液晶性化合物の種類を実施例１から一部変更し、更に、第一領域の第一遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及び第二領域の第二遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２を実施例１から変更した実施例である。この実施例７の具体的操作は、以下の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更し、さらに配向時の温度を１３０℃に変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、２５°に変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

他方、液晶性化合物の種類を、逆分散液晶性化合物Ａから、順分散液晶性化合物Ｂに変更した。さらに、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、３５°に変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り出した。

実施例１で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例８］
実施例８は、使用する液晶性化合物の種類を実施例１から一部変更し、更に、第一領域の第一遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ１及び第二領域の第二遅相軸が面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度θ２を実施例１から変更した実施例である。この実施例８の具体的操作は、以下の通りである。

液晶性化合物の種類を、逆分散液晶性化合物Ａから、順分散液晶性化合物Ｂに変更した。さらに、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、３５°に変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

他方、液晶組成物の塗工厚みを変更して第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更し、さらに配向時の温度を１３０℃に変更することにより、液晶硬化層の特定断面において液晶硬化層の遅相軸が液晶硬化層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度を、２５°に変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り出した。

実施例１で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例９］
実施例９は、第一領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーション及び第二領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーションを実施例１から変更した実施例である。この実施例９の具体的操作は、以下の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを９１ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

他方、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを５３ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り出した。

実施例１で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１０］
実施例１０は、第一領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーション及び第二領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーションを実施例１から変更した実施例である。この実施例１０の具体的操作は、以下の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを５３ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

他方、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを９１ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り出した。

実施例１で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１１］
実施例１１は、第一領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーション及び第二領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーションを実施例１から変更した実施例である。この実施例１１の具体的操作は、以下の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを１０８ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

他方、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを３８ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り出した。

実施例１で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１２］
実施例１２は、第一領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーション及び第二領域に相当する液晶硬化層の面内レターデーションを実施例１から変更した実施例である。この実施例１２の具体的操作は、以下の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを３８ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

他方、液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを１０８ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り出した。

実施例１で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片及び第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１３］
実施例１３は、粘着剤層を含まない、液晶硬化層のみを含む光学異方性層を製造した実施例である。この実施例１３の具体的操作は、下記の通りである。

実施例１と同じく、支持基材としてのＰＥＴフィルムの非易滑処理面に、ラビング処理を施した。その後、ＰＥＴフィルムのラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、実施例１で製造した液晶組成物を塗工して、液晶組成物層を形成した。前記の液晶組成物層を、１３５℃で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。その後、液晶組成物層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物層を硬化させて、第一の単位硬化層を形成した。この第一の単位硬化層の表面に、ラビング処理を施した。そして、第一の単位硬化層のラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、前記第一の単位硬化層の形成に用いた残りの液晶組成物を塗工して、液晶組成物層を形成した。前記の液晶組成物層を、１３５℃で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。これにより、「ＰＥＴフィルム／第一の単位硬化層／液晶組成物層」の層構成を有する中間フィルムが得られた。

その後、中間フィルムを半分に折り返した。この折り返しにより、折り目の一側にある液晶組成物層と、折り目の他側にある液晶組成物層とが、直接に貼り合わせられた。以下の説明では、折り目の一側にある中間フィルムの部分を「第一の部分」、折り目の他側にある中間フィルムの部分を「第二の部分」ということがある。前記の折り返しは、第一の部分の第一の単位硬化層及び液晶組成物層の面内遅相軸と、第二の部分の第一の単位硬化層及び液晶組成物層の面内遅相軸とが平行となるように行った。

その後、液晶組成物層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物層を硬化させて、光学異方性層としての液晶硬化層を得た。この液晶硬化層は、「第一の部分の第一の単位硬化層／第一の部分の液晶組成物層が硬化して得られた第二の単位硬化層／第二の部分の液晶組成物層が硬化して得られた第二の単位硬化層／第二の部分の第一の単位硬化層」の層構成を有していた。このうち、「第一の部分の第一の単位硬化層／第一の部分の液晶組成物層が硬化して得られた第二の単位硬化層」の部分が、第一領域に相当する。また、「第二の部分の液晶組成物層が硬化して得られた第二の単位硬化層／第二の部分の第一の単位硬化層」の部分が、第二領域に相当する。

その後、液晶硬化層の第一領域に接していた範囲のＰＥＴフィルムを剥がした。ＰＥＴフィルムを剥がしたことで現れた液晶硬化層の第一領域の表面と、光学等方性の樹脂フィルムとを、前記の粘着剤によって貼り合わせた。そして、ＰＥＴフィルムの残りの範囲を剥がして、「樹脂フィルム／粘着剤層／光学異方性層」の層構成を有する光学異方体を得た。
得られた光学異方体を、上述した方法で評価した。また、光学異方体が含む液晶硬化層の評価も、行った。

［実施例１４］
実施例１４は、使用する液晶性化合物の種類を実施例１から一部変更した実施例である。この実施例１４の具体的操作は、以下の通りである。

液晶性化合物の種類を、逆分散液晶性化合物Ａから、下記式で表される重合性を有する逆分散液晶性化合物Ｃに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第一中間フィルムを得た。こうして得られた第一中間フィルムから、第一フィルム片を切り取った。

実施例１で用意した第一フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第一フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１５］
実施例１５は、使用する液晶性化合物の種類を実施例１から一部変更した実施例である。この実施例１５の具体的操作は、以下の通りである。

液晶性化合物の種類を、逆分散液晶性化合物Ａから、逆分散液晶性化合物Ｃに変更した。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）及び工程（液晶硬化層を含む中間フィルムの製造）と同じ操作を行って、第二中間フィルムを得た。こうして得られた第二中間フィルムから、第二フィルム片を切り取った。

実施例１で用意した第二フィルム片の代わりに、本実施例で用意した第二フィルム片を用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１６］
実施例１６は、使用する液晶性化合物の種類を実施例１から変更した実施例である。この実施例１６の具体的操作は、以下の通りである。

液晶性化合物の種類を、逆分散液晶性化合物Ａから、逆分散液晶性化合物Ｃに変更したこと以外は、実施例１と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［実施例１７］
実施例１７は、光学異方性層全体の面内レターデーションを実施例１から変更した実施例である。この実施例１７の具体的操作は、以下の通りである。

液晶組成物の塗工厚みを変更して、第一の単位硬化層及び第二の単位硬化層の厚みを変更することにより、液晶硬化層の面内レターデーションを１３９ｎｍに変更した。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［比較例１］
フッ素系界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「Ｓ４２０」）０．１５重量部の代わりに、フッ素系界面活性剤（ＤＩＣ社製「Ｆ５６２」）０．３０重量部を用いた。以上の事項以外は、実施例１の工程（液晶組成物の製造）と同じ操作を行って、液晶組成物を得た。

実施例１と同じく、支持基材としてのＰＥＴフィルムの非易滑処理面に、ラビング処理を施した。その後、ＰＥＴフィルムのラビング処理面に、ワイヤーバーを使用して、本比較例で用意した液晶組成物を塗工して、液晶組成物層を形成した。
前記の液晶組成物層を、１１０℃で４分間加熱して、層内の液晶性化合物を配向させた。前記の加熱条件は、使用した液晶組成物に対応する試験組成物の残留分粘度が８００ｃＰより大きくなる温度条件であった。
その後、液晶組成物層に窒素雰囲気下で５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、液晶組成物層を硬化させて、厚さ１．０μｍの液晶硬化層を形成した。
これにより、ＰＥＴフィルムと液晶硬化層とを備えた中間フィルムを得た。得られた中間フィルムを用いて、上述した方法により、液晶硬化層の評価を行った。

実施例１で用意した中間フィルムの代わりに、本比較例で用意した中間フィルムを用いたこと以外は、実施例１の工程（光学異方体の製造）と同じ操作を行って、光学異方体の製造及び評価を行った。

［結果］
前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表１及び表２に示す。下記の表において、略称の意味は、下記の通りである。
空／空：第一領域に相当する液晶硬化層の空気側の面と、第二領域に相当する液晶硬化層の空気側の面とを貼り合わせたもの。
基／空：第一領域に相当する液晶硬化層の空気側の面と、第二領域に相当する液晶硬化層のＰＥＴフィルム側の面とを貼り合わせたもの。
基／基：第一領域に相当する液晶硬化層のＰＥＴフィルム側の面と、第二領域に相当する液晶硬化層のＰＥＴフィルム側の面とを貼り合わせたもの。
液晶「Ａ」：逆分散液晶性化合物Ａ。
液晶「Ｂ」：順分散液晶性化合物Ｂ。
液晶「Ｃ］：逆分散液晶性化合物Ｃ。
θ１：光学異方性層の特定断面において、光学異方性層の第一領域の遅相軸が当該光学異方性層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度。
Ｔ１：光学異方性層の第一領域の厚み。
Ｒｅ１：光学異方性層の第一領域の面内レターデーション。
波長分散性「逆」：逆波長分散性。
波長分散性「順」：順波長分散性。
θ２：光学異方性層の特定断面において、光学異方性層の第二領域の遅相軸が当該光学異方性層の面内方向に対して（即ち、層平面に対して）なす角度。
Ｔ２：光学異方性層の第二領域の厚み。
Ｒｅ２：光学異方性層の第二領域の面内レターデーション。
Δθ：光学異方性層の特定断面において、第一領域の遅相軸と第二領域の遅相軸とがなす角度。

［検討］
表１から分かるように、特定断面における第一領域の第一遅相軸と第二領域の第二遅相軸との交差角度Δθが所定の範囲にある場合には、光学異方性層の傾斜方向におけるレターデーションの方位依存性を抑制できる。したがって、面内遅相軸に垂直な方位及び面内進相軸に垂直な方位のいずれにおいても、優れた反射抑制能力を実現できる。よって、実施例の結果から、本発明の光学異方体によれば、傾斜方向における反射抑制能力の方位依存性を抑制できる偏光板を実現可能なことが確認された。

１０ 光学異方体
２０ 光学異方体
１００ 光学異方性層
１００Ｅ 評価用断面
１００Ｓ 特定断面
１１０ 第一領域
１１１ 液晶性化合物の分子
１２０ 第二領域
１２１ 液晶性化合物の分子
２００ 光学異方性層
２００Ｓ 特定断面
２３０ 非液晶領域
Ａ１ 面内遅相軸
Ａ２ 面内進相軸
Ａ３ 厚み方向
Ａ４ 傾斜方向
Ａ５ 方位
Ａ６ 面内方向
Ａ１１０ 第一遅相軸
Ａ１２０ 第二遅相軸
Ａ１３０ 遅相軸
Ａ１４０ 遅相軸
φ１ 極角
φ２ 方位角

Claims (11)

1. 液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成され下記要件（１）〜（３）を満たす第一領域及び第二領域、を含む光学異方性層を備える、光学異方体。
   （１）前記光学異方性層の面内遅相軸及び厚み方向の両方に平行な前記光学異方性層の断面において、前記第一領域が、前記光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第一遅相軸を有する。
   （２）前記断面において、前記第二領域が、前記光学異方性層の面内方向に対して傾斜した第二遅相軸を有する。
   （３）前記断面において、前記第一遅相軸と前記第二遅相軸とがなす角度Δθが、４０°〜８０°である。
2. 前記第一領域の面内遅相軸と前記第二領域の面内遅相軸とがなす角度が、０°〜５°である、請求項１記載の光学異方体。
3. 前記光学異方性層の前記断面において、前記第一領域の第一遅相軸が前記光学異方性層の面内方向に対してなす角度θ１が、２０°〜４０°であり、
   前記光学異方性層の前記断面において、前記第二領域の第二遅相軸が前記光学異方性層の面内方向に対してなす角度θ２が、２０°〜４０°である、請求項１又は２に記載の光学異方体。
4. 測定波長５５０ｎｍでの前記光学異方性層の面内レターデーションが、１００ｎｍ以上１８０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学異方体。
5. 測定波長５５０ｎｍでの前記光学異方性層の面内レターデーションが、２４０ｎｍ以上３２０ｎｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学異方体。
6. 測定波長５５０ｎｍでの前記第一領域の面内レターデーション及び前記第二領域の面内レターデーションの両方が、３０ｎｍ以上である、請求項４記載の光学異方体。
7. 測定波長５５０ｎｍでの前記第一領域の面内レターデーション及び前記第二領域の面内レターデーションの両方が、６０ｎｍ以上である、請求項５記載の光学異方体。
8. 位相差フィルムである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学異方体。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学異方体の製造方法であって、
   液晶性化合物を含む液晶組成物の硬化物で形成された層を用意する工程と、
   前記層を貼り合わせる工程と、を含む、光学異方体の製造方法。
10. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学異方体の製造方法であって、
    液晶性化合物を含む液晶組成物で形成された層を用意する工程と、
    前記層を貼り合わせる工程と、
    貼り合わせられた前記層を硬化させる工程と、を含む光学異方体の製造方法。
11. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学異方体及び直線偏光子を備える、偏光板。

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