JPWO2019123812A1 - 弾性波装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(1.1)弾性波装置の全体構成
以下、実施形態1に係る弾性波装置1について、図面を参照して説明する。
次に、弾性波装置1の各構成要素について、図面を参照して説明する。
積層型基板2は、図2Bに示すように、高音速支持基板21と、低音速膜23と、圧電体部24と、を含む。高音速支持基板21では、圧電体部24を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜23は、高音速支持基板21上に設けられている。ここにおいて、「高音速支持基板21上に設けられている」とは、高音速支持基板21上に直接的に設けられている場合と、高音速支持基板21上に間接的に設けられている場合と、を含む。低音速膜23では、圧電体部24を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電体部24は、低音速膜23上に設けられている。ここにおいて、「低音速膜23上に設けられている」とは、低音速膜23上に直接的に設けられている場合と、低音速膜23上に間接的に設けられている場合と、を含む。圧電体部24は、高音速支持基板21上に間接的に設けられている。この場合、弾性波装置1では、高音速支持基板21と圧電体部24との間に低音速膜23が設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中する。したがって、弾性波装置1では、圧電体部24内及び弾性波が励振されているIDT電極3内への弾性波エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。そのため、弾性波装置1では、低音速膜23が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Q値を高めることができる。
2つの反射器8は、圧電体部24の一の主面241上に設けられている。ここで、2つの反射器8は、第2方向D2においてIDT電極3の両側に1つずつ配置されている。
IDT電極3は、アルミニウム、銅、白金、金、銀、チタン、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、IDT電極3は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。IDT電極3の厚さは、例えば、150nmである。
図5は、実施形態1に係る弾性波装置1の表面(IDT電極3の表面及び圧電体部24の一の主面241を含む)の電荷分布を示す。図5に示す電荷分布の前提条件は、IDT電極3に係る領域で表面弾性波の励振現象が生じていること、反射器8が電気的に短絡している(短絡グレーティングである)こと、及び、反射器8に係る領域で表面弾性波の励振現象が生じていないこと(反射器8は電気的に短絡しているため、圧電効果を引き起こす駆動電圧は零となる)、である。ここにおいて、図5に示す電荷分布が生じる原理は以下の通りである。表面弾性波の励振が生じている領域と励振が生じていない領域の境界領域にて、エッジ効果(Edge effect;縁端効果ともいう)が生じる。エッジ効果により、同境界領域の電荷量は、同境界領域の周辺領域の電荷量に比べて、局所的に大きくなる。したがって、弾性波装置1では、図5に示すような電荷分布が生じる。
実施形態1に係る弾性波装置1は、第1端子11と、第2端子12と、圧電体部24と、IDT電極3と、反射器8と、を備える。第2端子12は、第1端子11の電位よりも低い電位になる。IDT電極3は、圧電体部24上に設けられており、第1端子11及び第2端子12と電気的に接続されている。反射器8は、圧電体部24上に設けられており、第2端子12と電気的に接続されている。IDT電極3は、第1バスバー4と、第2バスバー5と、複数の第1電極指6と、複数の第2電極指7と、を有する。第1バスバー4は、第1端子11と電気的に接続されている。第2バスバー5は、第1方向D1において第1バスバー4に対向しており、第2端子12と電気的に接続されている。複数の第1電極指6は、第1バスバー4に接続され第1方向D1において第1バスバー4から第2バスバー5側に延びている。複数の第2電極指7は、第2バスバー5に接続され第1方向D1において第2バスバー5から第1バスバー4側に延びている。複数の第1電極指6と複数の第2電極指7とが、第1方向D1に直交する第2方向D2において、互いに離隔して並んでいる。複数の第1電極指6と第2バスバー5とが離れている。複数の第2電極指7と第1バスバー4とが離れている。複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7それぞれの少なくとも1つの電極指(第1電極指6、第2電極指7)の先端部61、71が、この少なくとも1つの電極指(第1電極指6、第2電極指7)の第1方向D1の中央部60、70よりも第2方向D2の幅が大きな太幅部62、72を含む。第1バスバー4及び第2バスバー5の各々は、開口部40、50と、内側バスバー部42、52と、外側バスバー部41、51と、連結部43、53と、を含む。内側バスバー部42、52は、第1方向D1において開口部40、50よりも複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7側に位置している。外側バスバー部41、51は、第1方向D1において開口部40、50から見て内側バスバー部42、52とは反対側に位置している。連結部43、53は、第1方向D1において内側バスバー部42、52と外側バスバー部41、51とを連結している。複数の第1電極指6と複数の第2電極指7とを含む一群の電極指のうち第2方向D2における一方の端に位置する電極指(第2電極指7L又は第2電極指7R)を第1端電極指とし、他方の端に位置する電極指(第2電極指7R又は第2電極指7L)を第2端電極指とした場合に、第1端電極指(第2電極指7L又は第2電極指7R)は、少なくとも先端部(先端部71)に太幅部(太幅部72)を有している。第1端電極指(第2電極指7L又は第2電極指7R)は、第2方向D2において、反射器8と第2端電極指(第2電極指7R又は第2電極指7L)との間に位置している。第1バスバー4と第2バスバー5とのうち第1端電極指(第2電極指7L又は第2電極指7R)に接続されていないバスバー(第1バスバー4)の内側バスバー部(内側バスバー部42)は、第1方向D1において第1端電極指(第2電極指7L又は第2電極指7R)の太幅部(太幅部72)と重ならないように、第2方向D2において第1端電極指(第2電極指7L又は第2電極指7R)の太幅部(太幅部72)よりも内側に位置している。
図6に示す実施形態1の変形例1に係る弾性波装置1aでは、第2方向D2において、内側バスバー部42の左端の辺42Lが、第2電極指7Lの太幅部72の右側の辺72LRと第2電極指7Lの右隣りの第1電極指6の太幅部64との間に位置している。変形例1に係る弾性波装置1aの他の構成は実施形態1に係る弾性波装置1と同様なので図示及び説明を省略する。
IDT電極3における複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7それぞれの数は特に限定されない。ここにおいて、IDT電極3では、第1端電極指及び第2端電極指それぞれが第2電極指7である場合に限らない。例えば、第1端電極指と第2端電極指との一方が第2電極指7で、他方が第1電極指6であってもよい。この場合、第1端電極指を構成する第2電極指7には、第1バスバー4の内側バスバー部42が近接し、第2端電極指を構成する第1電極指6には、第2バスバー5の内側バスバー部52が近接する。また、第1端電極指及び第2端電極指それぞれが、第1電極指6であってもよい。この場合、第1端電極指及び第2端電極指それぞれを構成する第1電極指6には、第2バスバー5の内側バスバー部52が近接する。これらのいずれの変形例の弾性波装置でも、ピストンモードの阻害を抑制しつつESD耐性の向上を図ることが可能となる。また、IDT電極3における複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7それぞれにおいては、少なくとも1つの第1電極指6及び第2電極指7が太幅部62、72を有していればよい。
(2.1)弾性波装置の全体構成
以下、実施形態2に係る弾性波装置1bについて、図面を参照して説明する。
次に、弾性波装置1bの各構成要素について、図面を参照して説明する。
実施形態2に係る弾性波装置1bでは、圧電体部24が圧電膜であり、複数のIDT電極3は、圧電体部24を有する積層型基板2b上に形成されている。積層型基板2bにおける高音速支持基板21(図9参照)の平面視形状(高音速支持基板21を厚さ方向から見たときの外周形状)は、長方形状であるが、長方形状に限らず、例えば正方形状であってもよい。
2つの反射器8は、圧電体部24上に設けられている。ここで、2つの反射器8は、第2方向D2において3つのIDT電極3のうち両側のIDT電極3それぞれにおける真ん中のIDT電極3とは反対側に、1つずつ配置されている。以下では、説明の便宜上、3つのIDT電極3を区別する場合に、複数のIDT電極3のうち第2方向D2において隣り合う2つのIDT電極3の一方を第1IDT電極3A、他方を第2IDT電極3Bと称することもある。図7及び8の例では、3つのIDT電極3のうち真ん中のIDT電極3を第1IDT電極3Aと称し、両端のIDT電極3を第2IDT電極3Bと称する。
実施形態2に係る弾性波装置1bでは、3つのIDT電極3は、第2方向D2において並んでいる。3つのIDT電極3の各々は、第1バスバー4と、第2バスバー5と、複数の第1電極指6と、複数の第2電極指7と、を有する。
図7及び8では、説明の便宜上、IDT電極3において第1端子(例えば、信号端子)11に電気的に接続されている部分(高電位側部分)に「H」の記号を表記し、第2端子(例えば、グラウンド端子)12に電気的に接続されている部分(低電位側部分)に「E」の記号を表記してある。高電位側部分と低電位側部分とは電位が異なる。高電位側部分は、低電位側部分よりも高電位となる部分である。「H」、「E」の表記は、符号ではないし、実際にあるわけでもない。
実施形態2に係る弾性波装置1bは、第1端子11と、第2端子12と、圧電体部24と、複数のIDT電極3と、を備える。第2端子12は、第1端子11の電位よりも低い電位になる。複数のIDT電極3は、圧電体部24上に設けられており、第1端子11及び第2端子12と電気的に接続されている。複数のIDT電極3の各々は、第1バスバー4と、第2バスバー5と、複数の第1電極指6と、複数の第2電極指7と、を有する。第2バスバー5は、第1方向D1において第1バスバー4に対向している。複数の第1電極指6は、第1バスバー4に接続され第1方向D1において第1バスバー4から第2バスバー5側に延びている。複数の第2電極指7は、第2バスバー5に接続され第1方向D1において第2バスバー5から第1バスバー4側に延びている。複数の第1電極指6と複数の第2電極指7とが、第1方向D1に直交する第2方向D2において、互いに離隔して並んでいる。複数の第1電極指6と第2バスバー5とが離れている。複数の第2電極指7と第1バスバー4とが離れている。複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7それぞれの少なくとも1つの電極指(第1電極指6、第2電極指7)の先端部61、71が、この少なくとも1つの電極指(第1電極指6、第2電極指7)の第1方向D1の中央部(中央部60、70)よりも第2方向D2の幅が大きな太幅部(太幅部62、72)を含む。第1バスバー4及び第2バスバー5の各々は、開口部40、50と、内側バスバー部42、52と、外側バスバー部41、51と、連結部43、53と、を含む。内側バスバー部42、52は、第1方向D1において開口部40、50よりも複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7側に位置している。外側バスバー部41、51は、第1方向D1において開口部40、50から見て内側バスバー部42、52とは反対側に位置している。連結部43、53は、第1方向D1において内側バスバー部42、52と外側バスバー部41,51とを連結している。複数のIDT電極3のうち第2方向D2において隣り合う2つのIDT電極3の一方を第1IDT電極3A、他方を第2IDT電極3Bとしたとき、第1IDT電極3Aの複数の第1電極指6と複数の第2電極指7とを含む一群の電極指のうち第2方向D2において第2IDT電極3B側の端に位置する電極指(第1電極指6)を第1IDT電極3Aの第1端電極指とし、第2IDT電極3Bとは逆側の端に位置する電極指(第1電極指6)を第1IDT電極3Aの第2端電極指とし、第2IDT電極3Bの複数の第1電極指6と複数の第2電極指7とを含む一群の電極指のうち第2方向D2において第1IDT電極3A側の端に位置する電極指(第1電極指6)を第2IDT電極3Bの第1端電極指とし、第1IDT電極3Aとは逆側の端に位置する電極指(第1電極指6)を第2IDT電極3Bの第2端電極指とした場合に、第1IDT電極3Aの第1端電極指が、第1端子11に接続されており、第2IDT電極3Bの第1端電極指が、第2端子12に接続されている。第1IDT電極3Aの第1端電極指と第2IDT電極3Bの第1端電極指との少なくとも一方が、少なくとも先端部に太幅部を有している。第1IDT電極3Aと第2IDT電極3Bとのうち少なくとも1つのIDT電極3では、上記少なくとも1つのIDT電極3において第1端子11と第2端子12とのうち第1端電極指と異なる端子に電気的に接続されている内側バスバー部は、第1方向D1において上記少なくとも1つのIDT電極3の第1端電極指の太幅部と重ならないように、第2方向D2において上記少なくとも1つのIDT電極3の第1端電極指の太幅部よりも内側に位置している。
図12に示す実施形態2の変形例1に係る弾性波装置1cでは、少なくとも1つのIDT電極3では、第2方向D2において第1端電極指と異なる電位となるバスバーの内側バスバー部52が外側バスバー部51よりも内側に位置している。具体的には、複数のIDT電極3の各々における内側バスバー部52が、外側バスバー部51よりも内側に位置している。複数のIDT電極3の各々における外側バスバー部51が、弾性波装置1cの厚さ方向からの平面視で、第2方向D2における両端の第1電極指6にも、第1方向D1において重なっている。変形例1に係る弾性波装置1cの他の構成は実施形態2に係る弾性波装置1bと同様なので図示及び説明を省略する。
実施形態2の変形例2に係る弾性波装置1dでは、図13に示すように、第1IDT電極3Aの内側バスバー部52及び外側バスバー部51が第1方向D1において第1IDT電極3Aの第1電極指6の太幅部62に重なっている点が、実施形態2に係る弾性波装置1b(図8〜11参照)と相違する。変形例2に係る弾性波装置1dの他の構成は実施形態2に係る弾性波装置1bと同様なので図示及び説明を省略する。
実施形態2の変形例3に係る弾性波装置1eでは、図14に示すように、積層型基板2eが、高音速膜22と、低音速膜23と、圧電体部24と、を含む。高音速膜22は、支持基板20上に設けられている。ここにおいて、「支持基板20上に設けられている」とは、支持基板20上に直接的に設けられている場合と、支持基板20上に間接的に設けられている場合と、を含む。高音速膜22では、圧電体部(圧電膜)24を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である。低音速膜23は、高音速膜22上に設けられている。ここにおいて、「高音速膜22上に設けられている」とは、高音速膜22上に直接的に設けられている場合と、高音速膜22上に間接的に設けられている場合と、を含む。低音速膜23では、圧電体部24を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。圧電体部24は、低音速膜23上に設けられている。ここにおいて、「低音速膜23上に設けられている」とは、低音速膜23上に直接的に設けられている場合と、低音速膜23上に間接的に設けられている場合と、を含む。変形例3に係る弾性波装置1eに関し、実施形態2に係る弾性波装置1b(図8〜11参照)と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
実施形態2の変形例4に係る弾性波装置1fでは、図15に示すように、圧電体部24fが、圧電基板により構成されており、実施形態2に係る弾性波装置1bにおける高音速支持基板21及び低音速膜23を備えていない。変形例4に係る弾性波装置1fに関し、実施形態2に係る弾性波装置1b(図8〜11参照)と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
複数のIDT電極3の各々における複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7それぞれの数は特に限定されない。ここにおいて、第1IDT電極3Aでは、一群の電極指のうち第2方向D2の両方の端それぞれに位置する第1端電極指及び第2端電極指は、第1電極指6である場合に限らない。例えば、第1端電極指と第2端電極指との一方が第1電極指6で、他方が第2電極指7であってもよい。この場合、第1端電極指を構成する第1電極指6には、第2バスバー5の内側バスバー部52が近接し、第2端電極指を構成する第2電極指7には、第1バスバー4の内側バスバー部42が近接する。また、第1端電極指及び第2端電極指それぞれが、第2電極指7であってもよい。この場合、第1端電極指及び第2端電極指それぞれを構成する第2電極指7には、第1バスバー4の内側バスバー部42が近接する。また、一群の電極指は、複数の第1電極指6と複数の第2電極指7とが、第1方向D1に直交する第2方向D2において、離隔して並んでいる構成であればよい。例えば、一変形例の弾性波装置において、第1電極指6と第2電極指7とが1本ずつ離隔して並んでいる領域と、第1電極指6又は第2電極指7が第2方向D2において2つ並んでいる領域と、とが混在してもよい。これらのいずれの変形例の弾性波装置でも、ピストンモードの阻害を抑制しつつESD耐性の向上を図ることが可能となる。また、IDT電極3における複数の第1電極指6及び複数の第2電極指7それぞれにおいては、少なくとも1つの第1電極指6及び第2電極指7が太幅部62、72を有していればよい。
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
2、2b、2e 積層型基板
20 支持基板
21 高音速支持基板
211 第1主面
212 第2主面
22 高音速膜
23 低音速膜
24、24f 圧電体部
241、241f 一の主面
3 IDT電極
3A 第1IDT電極
3B 第2IDT電極
31 ギャップ
32 ギャップ
4 第1バスバー
40 開口部
41 外側バスバー部
42 内側バスバー部
42L 辺
5 第2バスバー
50 開口部
51 外側バスバー部
52 内側バスバー部
6 第1電極指
6X 中心線
60 中央部
60L 辺
61 先端部
62 太幅部
63 基端部
64 太幅部
7 第2電極指
7X 中心線
7L 第2電極指(左側の端に位置している第2電極指)
7R 第2電極指(右側の端に位置している第2電極指)
70 中央部
71 先端部
72 太幅部
72LR 辺
73 基端部
74 太幅部
8 反射器
9 電極指
11 第1端子
11(11A) 第1端子
11(11B) 第1端子
12 第2端子
12(12A) 第2端子
12(12B) 第2端子
13 第1配線層
14 第2配線層
13(13A) 第1配線層
13(13B) 第1配線層
14(14A) 第2配線層
14(14B) 第2配線層
15 電気絶縁層
16 電気絶縁層
D1 第1方向
D2 第2方向
A1 領域(外側バスバー領域)
A2 領域(連結領域)
A3 領域(内側バスバー領域)
A4 領域(ギャップ領域)
A5 領域(太幅領域)
A6 領域(中央領域)
A7 領域(太幅領域)
A8 領域(ギャップ領域)
A9 領域(内側バスバー領域)
A10 領域(連結領域)
A11 領域(外側バスバー領域)
Claims (7)
- 第1端子と、
前記第1端子の電位よりも低い電位になる第2端子と、
圧電体部と、
前記圧電体部上に設けられており、前記第1端子及び前記第2端子と電気的に接続されているIDT電極と、
前記圧電体部上に設けられており、前記第2端子と電気的に接続されている反射器と、
を備え、
前記IDT電極は、
前記第1端子と電気的に接続されている第1バスバーと、
第1方向において前記第1バスバーに対向しており、前記第2端子と電気的に接続されている第2バスバーと、
前記第1バスバーに接続され前記第1方向において前記第1バスバーから前記第2バスバー側に延びている複数の第1電極指と、
前記第2バスバーに接続され前記第1方向において前記第2バスバーから前記第1バスバー側に延びている複数の第2電極指と、を有し、
前記複数の第1電極指と前記複数の第2電極指とが、前記第1方向に直交する第2方向において、互いに離隔して並んでおり、
前記複数の第1電極指と前記第2バスバーとが離れており、
前記複数の第2電極指と前記第1バスバーとが離れており、
前記複数の第1電極指及び前記複数の第2電極指それぞれの少なくとも1つの電極指の先端部が、前記少なくとも1つの電極指の前記第1方向の中央部よりも前記第2方向の幅が大きな太幅部を含み、
前記第1バスバー及び前記第2バスバーの各々は、
開口部と、
前記第1方向において前記開口部よりも前記複数の第1電極指及び前記複数の第2電極指側に位置している内側バスバー部と、
前記第1方向において前記開口部から見て前記内側バスバー部とは反対側に位置している外側バスバー部と、
前記第1方向において前記内側バスバー部と前記外側バスバー部とを連結する連結部と、を含み、
前記複数の第1電極指と前記複数の第2電極指とを含む一群の電極指のうち前記第2方向における一方の端に位置する電極指を第1端電極指とし、他方の端に位置する電極指を第2端電極指とした場合に、前記第1端電極指は、少なくとも先端部に前記太幅部を有しており、
前記第1端電極指は、前記第2方向において、前記反射器と前記第2端電極指との間に位置しており、
前記第1バスバーと前記第2バスバーとのうち前記第1端電極指に接続されていないバスバーの内側バスバー部は、前記第1方向において前記第1端電極指の前記太幅部と重ならないように、前記第2方向において前記第1端電極指の前記太幅部よりも内側に位置している、
弾性波装置。 - 前記反射器を2つ備え、
前記2つの反射器は、前記第2方向において前記IDT電極の両隣に1つずつ配置され、
前記第2端電極指は、少なくとも先端部に前記太幅部を有しており、
前記第1バスバーと前記第2バスバーとのうち前記第1端電極指に接続されていないバスバーの内側バスバー部は、前記第1方向において前記第1端電極指の前記太幅部及び前記第2端電極指の前記太幅部と重ならないように、前記第2方向において前記第1端電極指の前記太幅部及び前記第2端電極指の前記太幅部よりも内側に位置している、
請求項1に記載の弾性波装置。 - 前記IDT電極では、前記第2方向において前記内側バスバー部が前記外側バスバー部よりも内側に位置している、
請求項1又は2に記載の弾性波装置。 - 第1端子と、
前記第1端子の電位よりも低い電位になる第2端子と、
圧電体部と、
前記圧電体部上に設けられており、前記第1端子及び前記第2端子と電気的に接続されている、複数のIDT電極と、を備え、
前記複数のIDT電極の各々は、
第1バスバーと、
第1方向において前記第1バスバーに対向している第2バスバーと、
前記第1バスバーに接続され前記第1方向において前記第1バスバーから前記第2バスバー側に延びている複数の第1電極指と、
前記第2バスバーに接続され前記第1方向において前記第2バスバーから前記第1バスバー側に延びている複数の第2電極指と、を有し、
前記複数の第1電極指と前記複数の第2電極指とが、前記第1方向に直交する第2方向において、互いに離隔して並んでおり、
前記複数の第1電極指と前記第2バスバーとが離れており、
前記複数の第2電極指と前記第1バスバーとが離れており、
前記複数の第1電極指及び前記複数の第2電極指それぞれの少なくとも1つの電極指の先端部が、前記少なくとも1つの電極指の前記第1方向の中央部よりも前記第2方向の幅が大きな太幅部を含み、
前記第1バスバー及び前記第2バスバーの各々は、
開口部と、
前記第1方向において前記開口部よりも前記複数の第1電極指及び前記複数の第2電極指側に位置している内側バスバー部と、
前記第1方向において前記開口部から見て前記内側バスバー部とは反対側に位置している外側バスバー部と、
前記第1方向において前記内側バスバー部と前記外側バスバー部とを連結する連結部と、を含み、
前記複数のIDT電極のうち前記第2方向において隣り合う2つのIDT電極の一方を第1IDT電極、他方を第2IDT電極としたとき、
前記第1IDT電極の前記複数の第1電極指と前記複数の第2電極指とを含む一群の電極指のうち前記第2方向において前記第2IDT電極側の端に位置する電極指を前記第1IDT電極の第1端電極指とし、前記第2IDT電極とは逆側の端に位置する電極指を前記第1IDT電極の第2端電極指とし、前記第2IDT電極の前記複数の第1電極指と前記複数の第2電極指とを含む一群の電極指のうち前記第2方向において前記第1IDT電極側の端に位置する電極指を前記第2IDT電極の第1端電極指とし、前記第1IDT電極とは逆側の端に位置する電極指を前記第2IDT電極の第2端電極指とした場合に、
前記第1IDT電極の前記第1端電極指が、前記第1端子に接続されており、
前記第2IDT電極の前記第1端電極指が、前記第2端子に接続されており、
前記第1IDT電極の前記第1端電極指と前記第2IDT電極の前記第1端電極指との少なくとも一方が、少なくとも先端部に前記太幅部を有しており、
前記第1IDT電極と前記第2IDT電極とのうち少なくとも1つのIDT電極では、前記少なくとも1つのIDT電極において前記第1端子と前記第2端子とのうち前記第1端電極指と異なる端子に電気的に接続されている内側バスバー部は、前記第1方向において前記少なくとも1つのIDT電極の前記第1端電極指の前記太幅部と重ならないように、前記第2方向において前記少なくとも1つのIDT電極の前記第1端電極指の前記太幅部よりも内側に位置している、
弾性波装置。 - 前記第1IDT電極と前記第2IDT電極との2つのIDT電極の各々では、前記少なくとも1つのIDT電極において前記第1端子と前記第2端子とのうち前記第1端電極指と異なる端子に電気的に接続されている内側バスバー部は、前記第1方向において前記少なくとも1つのIDT電極の前記第1端電極指の前記太幅部と重ならないように、前記第2方向において前記少なくとも1つのIDT電極の前記第1端電極指の前記太幅部よりも内側に位置している、
請求項4に記載の弾性波装置。 - 前記少なくとも1つのIDT電極では、前記第2方向において前記第1端電極指と異なる電位となるバスバーの内側バスバー部が外側バスバー部よりも内側に位置している、
請求項4又は5に記載の弾性波装置。 - 前記弾性波装置は、前記弾性波装置の厚さ方向からの平面視で、前記第1方向にいて互いに異なる複数の領域を有し、
前記複数の領域は、
前記第1方向において中央に位置しており、前記複数の第1電極指の中央部と前記複数の第2電極指の中央部とを含む中央領域と、
前記第1バスバーの前記外側バスバー部及び前記第2バスバーの前記外側バスバー部をそれぞれ含む2つの外側バスバー領域と、
前記第1バスバーの前記内側バスバー部及び前記第2バスバーの前記内側バスバー部をそれぞれ含む2つの内側バスバー領域と、
前記第1バスバーの連結部と開口部及び前記第2バスバーの連結部と開口部をそれぞれ含む2つの連結領域と、
前記複数の第1電極指と前記第2バスバーとの間のギャップ及び前記複数の第2電極指と前記第1バスバーとの間のギャップそれぞれを含む2つのギャップ領域と、
前記複数の第1電極指の少なくとも1つの電極指の太幅部及び前記複数の第2電極指の少なくとも1つの電極指の太幅部それぞれを含む2つの太幅領域と、を含み、
前記2つの外側バスバー領域では、前記中央領域よりも弾性波の音速が遅くなり、
前記2つの内側バスバー領域では、前記中央領域よりも弾性波の音速が遅くなり、
前記2つの連結領域では、前記2つの外側バスバー領域及び前記中央領域よりも弾性波の音速が速くなり、
前記2つのギャップ領域では、前記2つの内側バスバー領域及び前記中央領域よりも弾性波の音速が速くなり、
前記2つの太幅領域では、前記中央領域よりも弾性波の音速が遅くなる、
請求項1〜6のいずれか一項に記載の弾性波装置。
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CN115777176A (zh) * | 2020-07-17 | 2023-03-10 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
KR20230054462A (ko) * | 2020-09-29 | 2023-04-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 종결합 공진자형 탄성파 필터 및 탄성파 필터 |
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CN112968687A (zh) * | 2021-02-18 | 2021-06-15 | 浙江大学 | 一种高品质因数声表面波谐振器 |
CN113437947B (zh) * | 2021-07-06 | 2023-03-28 | 电子科技大学 | 一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器 |
US20230133161A1 (en) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave (saw) structures with transverse mode suppression |
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CN118100862B (zh) * | 2024-04-29 | 2024-08-06 | 无锡频岢微电子有限公司 | 一种用于消除poi衬底上纵耦合谐振器横模的结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005295049A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタおよびその弾性表面波フィルタ用いた通信用フィルタ |
JP2011101350A (ja) * | 2009-09-22 | 2011-05-19 | Triquint Semiconductor Inc | ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法 |
WO2014192755A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
WO2014192756A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2016192696A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子,分波器および通信装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3121516A1 (de) * | 1981-05-29 | 1983-01-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Pulskompressionsfilter nach art einer dispersiven verzoegerungsleitung |
JP2001189639A (ja) * | 1998-12-29 | 2001-07-10 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
JP3729081B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2005-12-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3382920B2 (ja) * | 2000-06-30 | 2003-03-04 | 沖電気工業株式会社 | 共振器型弾性表面波フィルタ |
JP2003198317A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波共振子及び弾性表面波フィルタ |
JP3764731B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2006-04-12 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器 |
WO2008146524A1 (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性波フィルタ装置 |
DE102010005596B4 (de) * | 2010-01-25 | 2015-11-05 | Epcos Ag | Elektroakustischer Wandler mit verringerten Verlusten durch transversale Emission und verbesserter Performance durch Unterdrückung transversaler Moden |
WO2011099532A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
DE112015001771B4 (de) * | 2014-04-11 | 2019-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Filtervorrichtung für elastische Wellen |
KR101838085B1 (ko) * | 2014-05-26 | 2018-03-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
KR101944722B1 (ko) * | 2014-11-28 | 2019-02-01 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
WO2016170982A1 (ja) * | 2015-04-24 | 2016-10-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005295049A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 弾性表面波フィルタ素子、弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタおよびその弾性表面波フィルタ用いた通信用フィルタ |
JP2011101350A (ja) * | 2009-09-22 | 2011-05-19 | Triquint Semiconductor Inc | ピストンモード音響波装置と高結合係数を提供する方法 |
WO2014192755A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ装置 |
WO2014192756A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2016192696A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子,分波器および通信装置 |
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