JPWO2018194012A1 - モジュール - Google Patents

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Abstract

部品が他の部品から発生した不要電磁波による影響を受けにくくして、安定した動作を行うことを可能にする。モジュール１は、基板２と、基板２の一方主面２ａに実装された第１部品３及び第２部品４と、第１部品３と第２部品４を封止する封止樹脂層５と、封止樹脂層５の一部を覆うシールド層６とを備え、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３と第２部品４との間には、封止樹脂層５の上面５ａを含む面から一方主面２ａに向かって封止樹脂層５に凹み１５が形成されており、シールド層６は、封止樹脂層５の凹み１５には設けられていない。

Description

本発明は、基板に実装された部品間の不要電磁波による干渉を抑える構造を有するモジュールに関する。
基板に複数の部品が実装されたモジュールでは、部品間の不要電磁波による干渉を抑えるために、部品間にシールド部が設けられる場合がある。このような部品間にシールド部が設けられたモジュールとして、例えば、図１３に示す特許文献１に記載の回路モジュール１００がある。
回路モジュール１００は、配線基板１１０と、配線基板１１０上に配置された複数の電子部品１２０と、各電子部品１２０を封止する封止層１３０と、封止層１３０を被覆する導電性シールド１４０とを備える。
導電性シールド１４０は第１のシールド部１４１と第２のシールド部１４２と第３のシールド部１４３とを有する。第１のシールド部１４１及び第２のシールド部１４２は封止層１３０の外表面（封止層１３０の上面及び側面を含む表面）を被覆するように構成され、回路モジュール１００の外装シールドとして機能する。第３のシールド部１４３は封止層１３０の溝部１３１に設けられ、回路モジュール１００の内装シールドとして機能する。
特開２０１６−７２４１１号公報（段落００４３、００６０、図２参照）
しかしながら、上記した回路モジュール１００では、封止層１３０の溝部１３１に第３のシールド部１４３が設けられており、例えば電子部品１２０から発せられた不要電磁波が回路モジュール１００内に留まり、他の電子部品１２０がその不要電磁波による影響を受けて安定して動作しない虞がある。
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品が他の部品から発生した不要電磁波による影響を受けにくくして、安定した動作を行うことを可能にするモジュールを提供することを目的とする。
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、基板と、前記基板の一方主面に実装された第１部品及び第２部品と、前記第１部品と前記第２部品を封止する封止樹脂層と、前記封止樹脂層の一部を覆うシールド層とを備え、前記封止樹脂層には、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、少なくとも前記第１部品と前記第２部品との間に、前記封止樹脂層における前記一方主面に対向する面と反対側の面から、前記一方主面に向かって凹みが形成されており、前記シールド層は、前記封止樹脂層の凹み内部以外に形成されていることを特徴としている。
この構成によれば、第１部品と第２部品との間に設けられた凹みには、シールド層が設けられていない。このため、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品が発した不要電磁波が、封止樹脂層に形成された凹みから効果的にモジュール外に出て行き、第１部品及び第２部品のうちの他方の部品に到達しにくくなる。これにより、他方の部品が、一方の部品から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記一方主面には電極が形成されており、前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記封止樹脂層の前記電極に重なる領域では、前記一方主面にまで達しているとしてもよい。この構成によれば、基板の一方主面に形成された電極から発生した不要電磁波が封止樹脂層の凹みからモジュール外に出て行きやすくなり、第１部品及び第２部品が、基板の一方主面に形成された電極から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記第１部品の外側に、前記第１部品と前記第２部品との間を通って、当該第１部品の全周を囲むように形成されているとしてもよい。この構成によれば、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品から発生した不要電磁波が第１部品及び第２部品のうちの他方の部品に到達しにくくなり、他方の部品は、一方の部品から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記基板の前記一方主面には、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記凹みの側壁面のうちの前記第１部品側の側壁面より内側であって、前記第１部品と前記第２部品との間に、実装されたシールド部品をさらに備え、前記シールド部品は、当該シールド部品の前記一方主面に対向する面から、当該シールド部品の当該対向する面と反対側の面にかけて導通部を有しており、当該導通部は前記シールド部品の前記対向する面側で前記基板に形成されたグランド電極と繋がっており、前記封止樹脂層には、さらに、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記シールド部品と重なる領域の少なくとも一部には、前記封止樹脂層における前記一方主面に対向する面と反対側の面から、前記シールド部品の前記反対側の面に向かって、前記シールド部品に到達する貫通孔が形成されており、前記シールド層は、当該貫通孔において、前記シールド部品と繋がっているとしてもよい。この構成によれば、シールド層はシールド部品を介してグランド電極に接続されているため、第１部品で発生する不要電磁波が外部に漏れにくくなる。また、シールド部品とシールド層のうちの貫通孔を被覆する部分とにより、第２部品は、第１部品から発生した不要電磁波の影響をさらに受けにくくなり、さらに安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記封止樹脂層の一の側面から他の側面にまで前記第１部品と前記第２部品との間を通るように形成されているとしてもよい。この構成によれば、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品から発生した不要電磁波が第１部品及び第２部品のうちの他方の部品に到達しにくくなり、他方の部品は、一方の部品から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記シールド層は、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記凹みで分けられることにより形成された、前記第１部品に重なる第１領域と前記第２部品に重なる第２領域のうち、一方には設けられていないとしてもよい。この構成によれば、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品から発生した不要電磁波が凹み形成面における凹みで分けられる第１領域及び第２領域のうちのシールド層が設けられていない領域からもモジュール外に出て行き、第１部品及び第２部品のうちの他方の部品により到達しにくくなり、他方の部品はより安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記シールド層は、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記第１部品を前記凹みとともに取り囲む第１側面部と前記第２部品を前記凹みとともに取り囲む第２側面部のうち、一方には設けられていないとしてもよい。この構成によれば、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品から発生した不要電磁波が封止樹脂層の側面における凹みで分けられる第１側面部及び第２側面部のうちのシールド層が設けられていない方からもモジュール外に出て行き、第１部品及び第２部品のうちの他方の部品により到達しにくくなり、他方の部品はより安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記封止樹脂層の一の側面から他の側面に向かって当該他の側面に達しない位置にまで、前記第１部品と前記第２部品との間を通るように形成されており、前記シールド層は、前記封止樹脂層の前記一の側面には設けられていないとしてもよい。この構成によれば、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品から発生した不要電磁波が封止樹脂層の一の側面からもモジュール外に出て行き、第１部品及び第２部品のうちの他方の部品により到達しにくくなり、他方の部品はより安定した動作を行うことが可能になる。
また、前記基板の他方主面に実装された第３部品と、前記第３部品を封止する他の封止樹脂層とを備えるとしてもよい。この構成によれば、基板の一方主面及び他方主面に部品が実装されるモジュールにおいても、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品から発生した不要電磁波が第１部品及び第２部品のうちの他方の部品に到達しにくくなり、他方の部品が、一方の部品から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
本発明によれば、封止樹脂層には一方主面に垂直な方向から見た平面視において少なくとも第１部品と第２部品との間に凹みが形成されており、封止樹脂層の凹み内部以外にシールド層が形成されている。このため、第１部品及び第２部品のうちの一方の部品が発した不要電磁波が、封止樹脂層に形成された凹みから効果的にモジュール外に出て行き、第１部品及び第２部品のうちの他方の部品に到達しにくくなる。これにより、他方の部品が、一方の部品から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
（ａ）は本発明の第１実施形態に係るモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 本発明の第１実施形態の変形例１に係るモジュールの平面図である。 本発明の第２実施形態に係るモジュールの断面図である。 本発明の第３実施形態に係るモジュールの平面図である。 本発明の第４実施形態に係るモジュールの平面図である。 （ａ）は本発明の第５実施形態に係るモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。 （ａ）は本発明の第６実施形態に係るモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。 （ａ）は本発明の第７実施形態に係るモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。 本発明の第７実施形態の変形例１に係るモジュールの平面図である。 （ａ）は本発明の第８実施形態に係るモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。 本発明の第９実施形態に係るモジュールの断面図である。 （ａ）は本発明の第１０実施形態に係るモジュールの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。 従来のモジュールの断面図である。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係るモジュール１について図１を参照して説明する。なお、図１（ａ）は第１実施形態に係るモジュール１の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
第１実施形態に係るモジュール１は、例えば、電子機器のマザー基板等に搭載されるものである。モジュール１は、基板２と、基板２の一方主面２ａに実装された第１部品３及び第２部品４を含む複数の部品と、第１部品３及び第２部品４を含む各部品等を封止する封止樹脂層５と、封止樹脂層５の表面の一部及び基板２の側面２ｃを被覆するシールド層６とを有している。
基板２は、例えば低温同時焼成セラミックスやガラスエポキシ樹脂等で形成される。基板２の一方主面２ａには複数のランド電極７が形成され、他方主面２ｂには複数の外部電極８が形成され、内部には複数の内部電極（配線電極、グランド電極）９及びビア導体１０が形成されている。例えば、ランド電極７はビア導体１０を介して内部電極（配線電極、グランド電極）９に接続され、外部電極８はビア導体１０を介して内部電極（配線電極、グランド電極）９に接続されている。なお、グランド電極は基板２の側面２ｃから露出してシールド層６と接触している。
各ランド電極７、各外部電極８、各内部電極（配線電極、グランド電極）９は、それぞれ、ＣｕやＡｇ、Ａｌ等の電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体１０は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。
第１実施形態では、基板２の一方主面２ａに実装された複数の部品のうち第１部品３は、電磁波を発生する部品であり、例えばパワーアンプ、スイッチＩＣ、インダクタである。また、基板２の一方主面２ａに実装された複数の部品のうち第２部品４は、電磁波の影響を受ける部品であり、例えばスイッチＩＣ、ベースバンドＩＣである。第１部品３及び第２部品４を含む各部品は、例えば接続端子が基板２の一方主面２ａに形成されたランド電極７に半田１１を用いて接続されることによって、基板２の一方主面２ａに実装されている。
封止樹脂層５は、一方主面２ａ並びに第１部品３及び第２部品４を含む各部品を覆うように、封止する。封止樹脂層５は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、アルミナフィラー等の熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂等の樹脂を使用することもできる。
封止樹脂層５には、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３と第２部品４との間に、封止樹脂層５の一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）５ａを含む面から一方主面２ａに向かって凹み１５が形成されている。この凹み１５の上面５ａを含む面からの深さは、凹み１５が一方主面２ａに達しない深さとなっている。なお、この凹み１５の深さは、特に限定されるものではなく、例えば、凹み１５が一方主面２ａに達する深さになっていてもよいし、第１部品３の回路実装面又は第２部品４の回路実装面を含む面と一方主面２ａとの間の所定位置に達する深さとなっていてもよい。
シールド層６は、封止樹脂層５の上面５ａ及び側面５ｂ並びに基板２の側面２ｃを被覆している。そして、シールド層６は、封止樹脂層５の凹み１５内部以外に形成されている。すなわち、封止樹脂層５の凹み１５にはシールド層６が設けられていない。
シールド層６は、例えば封止樹脂層５の上面５ａ及び側面５ｂ並びに基板２の側面２ｃに積層された密着層と、密着層に積層された導電層と、導電層に積層された耐食層とを有する多層構造で形成することができる。密着層は、導電層と封止樹脂層５等との密着強度を高めるために設けられるものであり、例えば、ＳＵＳ等の金属で形成することができる。導電層は、シールド層６の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。耐食層は、導電層が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられるものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。シールド層６の形成に、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いることができる。
（モジュールの製造方法）
次に、モジュール１の製造方法について説明する。
まず、一方主面２ａに複数のランド電極７が形成され、他方主面２ｂに複数の外部電極８が形成されるとともに、内部に複数の内部電極（配線電極、グランド電極）９及び複数のビア導体１０等が形成された基板２の集合体を用意する。各ランド電極７、各外部電極８、及び各内部電極（配線電極、グランド電極）９については、ＣｕやＡｇ、Ａｌ等の金属を含有する導電性ペーストをスクリーン印刷するなどしてそれぞれ形成することができる。また、各ビア導体１０については、レーザ等を用いてビアホールを形成した後、周知の方法により形成することができる。
次に、基板２の一方主面２ａに、周知の表面実装技術を用いて第１部品３及び第２部品４を含む複数の部品を実装する。例えば、基板２のランド電極７のうち所望のランド電極７上に半田１１を形成しておき、半田１１が形成されているランド電極７のうちの対応するランド電極７に各部品を実装し、各部品を実装した後、リフロー処理を行う。なお、リフロー処理後に必要に応じて基板２の集合体の洗浄を行う。
次に、基板２の一方主面２ａとこの一方主面２ａに実装された第１部品３及び第２部品４を含む各部品とを覆うように、基板２の一方主面２ａに封止樹脂層５の元となる仮の封止樹脂層を形成する。仮の封止樹脂層の形成に、例えば、トランスファーモールド方式、コンプレッションモールド方式、液状樹脂工法、シート樹脂工法等を用いることができる。ここで、仮の封止樹脂層に、一般的なシリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用されている樹脂を用いることができる。なお、仮の封止樹脂層に高い熱伝導性を持たせるために、アルミナフィラー等の熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。なお、仮の封止樹脂層の形成前に、必要に応じて基板２の集合体のプラズマ洗浄を行う。
次に、仮の封止樹脂層の一方主面２ａに対向する面と反対側の面のうちの、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３と第２部品４との間の所定領域にレーザを照射して樹脂を除去し、これにより凹み１５が設けられた封止樹脂層５が形成される。ここで、レーザとして、例えば、ＵＶレーザ、ＣＯ２レーザ、Ｇｒｅｅｎレーザなどを使用することができる。
次に、ダイサーまたはレーザ加工により、モジュール１の元となるシールド層６形成前の仮のモジュールを個片化する。
次に、仮のモジュールに対して、封止樹脂層５の上面５ａ及び側面５ｂ並びに基板２の側面２ｃを被覆するシールド層６を形成し、モジュール１の製造工程が終了する。なお、例えば、仮のモジュールに対して封止樹脂層５の凹み１５にマスクをかけ、この状態で、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いてシールド層６を形成する。
上記した第１実施形態によれば、封止樹脂層５には一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３と第２部品４との間に凹み１５が形成されており、封止樹脂層５の凹み１５にはシールド層６が設けられていない。このため、第１部品３が発した不要電磁波が、凹み１５から効果的にモジュール１外に出て行き、第２部品４に到達しにくくなる。これにより、第２部品４が、第１部品３から発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
＜変形例１＞
本発明の第１実施形態の変形例１に係るモジュール１Ａについて図２を参照して説明する。なお、図２は第１実施形態の変形例１に係るモジュール１Ａの平面図である。
第１実施形態の変形例１に係るモジュール１Ａが図１を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図２に示すように、封止樹脂層５Ａの２箇所に凹み１５，１５Ａが設けられている点である。なお、第１実施形態に係るモジュール１と同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ａには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３と第２部品４との間に、封止樹脂層５Ａの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）から一方主面２ａに向かって凹み１５が形成されている。また、封止樹脂層５Ａには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３と第２部品４との間以外の部分である第１部品３と第２部品４Ａとの間に、封止樹脂層５Ａの上面を含む面から一方主面２ａに向かって凹み１５Ａが形成されている。なお、第２部品４Ａは電磁波の影響を受ける部品であるとする。凹み１５，１５Ａの封止樹脂層５Ａの上面を含む面からの深さは、凹み１５，１５Ａが一方主面２ａに達しない深さとなっている。なお、凹み１５，１５Ａの深さは、特に限定されるものではなく、例えば、凹み１５，１５Ａが一方主面２ａに達する深さになっていてもよいし、第１部品３の回路実装面又は第２部品４の回路実装面を含む面と一方主面２ａとの間の所定位置に達する深さとなっていてもよい。
モジュール１Ａのシールド層６は、封止樹脂層５Ａの上面及び側面並びに基板２の側面２ｃを被覆している。但し、封止樹脂層５Ａの凹み１５，１５Ａにはシールド層６が設けられていない。
なお、変形例１において、第１部品３が電磁波の影響を受ける部品であるとし、第２部品４，４Ａが電磁波を発生する部品であるとしてもよい。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態に係るモジュール１Ｂについて図３を参照して説明する。なお、図３は第２実施形態に係るモジュール１Ｂの断面図である。
第２実施形態に係るモジュール１Ｂが図１を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図３に示すように、封止樹脂層５Ｂには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、基板２の一方主面２ａに形成されたランド電極７Ｂに重なる領域に、ランド電極７Ｂが封止樹脂層５Ｂから露出するように凹み１５Ｂが設けられている点である。なお、第１実施形態に係るモジュール１と同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｂには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、基板２の一方主面２ａに形成されたランド電極７Ｂに重なるように、封止樹脂層５Ｂの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）５Ｂａを含む面から一方主面２ａに向かって一方主面２ａに達する位置にまで凹み１５Ｂが形成されている。これにより、ランド電極７Ｂは封止樹脂層５Ｂから露出することになる。なお、ランド電極７Ｂは本発明の「電極」に相当する。
シールド層６は、封止樹脂層５Ｂの上面５Ｂａ及び側面５Ｂｂ並びに基板２の側面２ｃを被覆している。但し、封止樹脂層５Ｂの凹み１５Ｂと、一方主面２ａのうちの封止樹脂層５Ｂに覆われていない領域２ａ１にはシールド層６が設けられていない。つまり、一方主面２ａのうちの領域２ａ１に形成されたランド電極７Ｂは外部に露出している。
一方主面２ａに形成され、外部に露出しているランド電極７Ｂは例えばビア導体１１Ｂを介して配線電極９Ｂに電気的に接続されている。
上記した第２実施形態によれば、基板２の一方主面２ａに形成されたランド電極７Ｂから発生した不要電磁波は、封止樹脂層５Ｂの凹み１５Ｂからモジュール１Ｂ外に出て行きやすくなる。これにより、電磁波の影響を受ける第２部品４は、基板２の一方主面２ａのうちの領域２ａ１に形成されたランド電極７Ｂから発生した不要電磁波の影響を受けにくくなり、安定した動作を行うことが可能になる。
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態に係るモジュール１Ｃについて図４を参照して説明する。なお、図４は第３実施形態に係るモジュール１Ｃの平面図である。
第３実施形態に係るモジュール１Ｃが図１を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図４に示すように、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、封止樹脂層５Ｃの一の側面５Ｃｂ１から他の側面５Ｃｂ２にまで第１部品３と第２部品４，４Ｃとの間を通るように凹み１５Ｃが封止樹脂層５Ｃに形成されている点である。なお、第１実施形態に係るモジュール１と同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｃには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、封止樹脂層５Ｃの一の側面５Ｃｂ１から当該一の側面５Ｃｂ１に交わる他の側面５Ｃｂ２にまで第１部品３と第２部品４、４Ｃとの間を通るように、封止樹脂層５Ｃの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）から一方主面２ａに向かって凹み１５Ｃが形成されている。なお、第２部品４Ｃは電磁波の影響を受ける部品であるとする。凹み１５Ｃの封止樹脂層５Ｃの上面を含む面からの深さは、凹み１５Ｃが一方主面２ａに達しない深さとなっている。なお、凹み１５Ｃの深さは、特に限定されるものではなく、例えば、凹み１５Ｃが一方主面２ａに達する深さになっていてもよいし、第１部品３の回路実装面又は第２部品４，４Ｃの回路実装面を含む面と一方主面２ａとの間の所定位置に達する深さとなっていてもよい。
モジュール１Ｃのシールド層６は、封止樹脂層５Ｃの上面及び側面（側面５Ｃｂ１，５Ｃｂ２を含む）並びに基板２の側面２ｃを被覆している。但し、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃにはシールド層６が設けられていない。
上記した第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第３実施形態において、第１部品３が電磁波の影響を受ける部品であるとし、第２部品４，４Ｃが電磁波を発生する部品であるとしてもよい。また、封止樹脂層５Ｃに、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１から当該側面５Ｃｂ１に対向する側面にまで第１部品３と第２部品４、４Ｃとの間を通るように凹み１５Ｃが形成されるようにしてもよい。
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態に係るモジュール１Ｄについて図５を参照して説明する。なお、図５は第４実施形態に係るモジュール１Ｄの平面図である。
第４実施形態に係るモジュール１Ｄが図１を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図５に示すように、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３の外側に、第１部品３と第２部品４，４Ｄとの間を通って、第１部品３の全周を囲むように凹み１５Ｄが設けられている点である。なお、第１実施形態に係るモジュール１と同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｄには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３の外側に第１部品３と第２部品４，４Ｄとの間を通って、第１部品３の全周を囲むように、封止樹脂層５Ｄの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）から一方主面２ａに向かって凹み１５Ｄが形成されている。なお、第２部品４Ｄは電磁波の影響を受ける部品であるとする。凹み１５Ｄの封止樹脂層５Ｄの上面を含む面からの深さは、凹み１５Ｄが一方主面２ａに達しない深さとなっている。なお、凹み１５Ｄの深さは、特に限定されるものではなく、例えば、凹み１５Ｄが一方主面２ａに達する深さになっていてもよいし、第１部品３の回路実装面又は第２部品４，４Ｄの回路実装面を含む面と一方主面２ａとの間の所定位置に達する深さとなっていてもよい。
モジュール１Ｄのシールド層６は、封止樹脂層５Ｄの上面及び側面並びに基板２の側面２ｃを被覆している。但し、封止樹脂層５Ｄの凹み１５Ｄにはシールド層６が設けられていない。
上記した第４実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第４実施形態では、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波を発生する第１部品３の外側に、第１部品３と電磁波の影響を受ける第２部品４，４Ｄとの間を通って、第１部品３の全周を囲むように凹み１５Ｄが封止樹脂層５Ｄに設けられているが、これに限定されるものではなく、例えば次のようなものであってもよい。一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波の影響を受ける部品の外側に、電磁波の影響を受ける部品と電磁波を発生する部品との間を通って、電磁波の影響を受ける部品の全周を囲むように凹みが封止樹脂層に設けられるようにしてもよい。
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態に係るモジュール１Ｅについて図６を参照して説明する。なお、図６（ａ）は第５実施形態に係るモジュール１Ｅの平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
本発明の第５実施形態に係るモジュール１Ｅが図４を用いて説明した第３実施形態に係るモジュール１Ｃと異なる点は、図６に示すように、シールド層６Ｅは封止樹脂層５Ｃの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）５Ｃａの一部を覆っていない点である。なお、第３実施形態に係るモジュール１Ｃと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａは、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、凹み１５Ｃによって第１部品３に重なる側の第１領域５Ｃａ１と第２部品４，４Ｃに重なる側の第２領域５Ｃａ２に分かれている。
シールド層６Ｅは、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第２領域５Ｃａ２及び側面５Ｃｂ（側面５Ｃｂ１，５Ｃｂ２を含む）並びに基板２の側面２ｃを被覆している。但し、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃ及び封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第１領域５Ｃａ１にはシールド層６Ｅが設けられていない。
上記した第５実施形態によれば、第１部品３から発生した電磁波は、凹み１５Ｃからモジュール１Ｅ外に出て行くとともに封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａのうちのシールド層６Ｅが設けられていない第１領域５Ｃａ１からもモジュール１Ｅ外に出て行き、第２部品４，４Ｃにより到達しにくくなる。これにより、第２部品４，４Ｃが第１部品３から発生した不要電磁波の影響をより受けにくくなり、より安定した動作を行うことが可能になる。
なお、第５実施形態では、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａにおいて、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波の影響を受ける第２部品４，４Ｃに重なる側の第２領域５Ｃａ２にはシールド層６Ｅが設けられ、電磁波を発生する第１部品３に重なる側の第１領域５Ｃａ１にはシールド層６Ｅが設けられていないが、これに限定されるものではなく、例えば次のようなものであってもよい。一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波を発生する第１部品３に重なる側の第１領域５Ｃａ１にはシールド層６Ｅが設けられ、電磁波の影響を受ける第２部品４，４Ｃに重なる側の第２領域５Ｃａ２にはシールド層６Ｅが設けられていないとしてもよい。この場合、第１部品３から発生した不要電磁波が、凹み１５Ｃを経由して、封止樹脂層５Ｃの第２部品４，４Ｃを覆う部分に入ってきたとしても、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａのうちのシールド層６Ｅが設けられていない第２領域５Ｃａ２からモジュール１Ｅ外に出て行き、第２部品４，４Ｃにより到達しにくくなる。これにより、第２部品４，４Ｃが第１部品３から発生した不要電磁波の影響をより受けにくくなり、より安定した動作を行うことが可能になる。
＜第６実施形態＞
本発明の第６実施形態に係るモジュール１Ｆについて図７を参照して説明する。なお、図７（ａ）は第６実施形態に係るモジュール１Ｆの平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
本発明の第６実施形態に係るモジュール１Ｆが図５を用いて説明した第４実施形態に係るモジュール１Ｄと異なる点は、図７に示すように、シールド層６Ｆは封止樹脂層５Ｄの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２１ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）５Ｄａの一部を覆っていない点である。なお、第４実施形態に係るモジュール１Ｄと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｄの上面５Ｄａは、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、凹み１５Ｄによって第１部品３に重なる側の第１領域５Ｄａ１と第２部品４，４Ｄに重なる側の第２領域５Ｄａ２に分かれている。
シールド層６Ｆは、封止樹脂層５Ｄの上面５Ｄａの第２領域５Ｄａ２及び側面５Ｄｂ並びに基板２の側面２ｃを被覆している。但し、封止樹脂層５Ｄの凹み１５Ｄ及び封止樹脂層５Ｄの上面５Ｄａの第１領域５Ｄａ１にはシールド層６Ｆが設けられていない。
上記した第６実施形態によれば、第５実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第６実施形態では、封止樹脂層５Ｄの上面５Ｄａにおいて、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波の影響を受ける第２部品４，４Ｄに重なる側の第２領域５Ｄａ２にはシールド層６Ｆが設けられ、電磁波を発生する第１部品３に重なる側の第１領域５Ｄａ１にはシールド層６Ｆが設けられていないが、これに限定されるものではなく、例えば次のようなものであってもよい。一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波を発生する第１部品３に重なる側の第１領域５Ｄａ１にはシールド層６Ｆが設けられ、電磁波の影響を受ける第２部品４，４Ｄに重なる側の第２領域５Ｄａ２にはシールド層６Ｆが設けられていないとしてもよい。
また、第６実施形態では、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波を発生する第１部品３の外側に、第１部品３と電磁波の影響を受ける第２部品４，４Ｄとの間を通って、第１部品３の全周を囲むように凹み１５Ｄが封止樹脂層５Ｄに設けられているが、これに限定されるものではなく、例えば次のようなものであってもよい。一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波の影響を受ける部品の外側に、電磁波の影響を受ける部品と電磁波を発生する部品との間を通って、電磁波の影響を受ける部品の全周を囲むように凹みが封止樹脂層に設けられるようにしてもよい。この場合において、封止樹脂層の一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）は、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、凹みによって電磁波を発生する部品に重なる側の第１領域と電磁波の影響を受ける部品に重なる側の第２領域に分かれている。第２領域にはシールド層が設けられ、第１領域にはシールド層が設けられていないとしてもよい。または、第１領域にはシールド層が設けられ、第２領域にはシールド層が設けられていないとしてもよい。
また、第６実施形態及びその変形例において、シールド層６Ｆは封止樹脂層５Ｄの側面５Ｄｂを被覆しないとしてもよい。
＜第７実施形態＞
本発明の第７実施形態に係るモジュール１Ｇについて図８を参照して説明する。なお、図８（ａ）は第７実施形態に係るモジュール１Ｇの平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
本発明の第７実施形態に係るモジュール１Ｇが図４を用いて説明した第３実施形態に係るモジュール１Ｃと異なる点は、図８に示すように、シールド層６Ｇは封止樹脂層５Ｃの側面のうちの、第１部品３を凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる部分を覆っていない点である。なお、第３実施形態に係るモジュール１Ｃと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃがつながっている側面５Ｃｂ１は、凹み１５Ｃによって第１部品３側の第１領域５Ｃｂ１１と第２部品４側の第２領域５Ｃｂ１２に分かれている。また、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃがつながっている側面５Ｃｂ２は、凹み１５Ｃによって第１部品３側の第１領域５Ｃｂ２１と第２部品４Ｃ側の第２領域５Ｃｂ２２に分かれている。
シールド層６Ｇは、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａと、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と、基板２の側面２ｃの一部とを被覆している。このシールド層６Ｇにより被覆されている基板２の側面２ｃの一部は、側面２ｃのうちの、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、一方主面２ａの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ３と重なる部分と、他方主面２ｂの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ３と重なる部分との間の領域である（図８（ｂ）の基板２の側面２ｃ４など）。但し、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃと、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１、並びに側面５Ｃｂ１及び側面５Ｃｂ２それぞれの凹み１５Ｃの底面の端と一方主面２ａとの間の部分と、基板２の側面２ｃの上記一部を除く残り部分にはシールド層６Ｇが設けられていない。なお、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１を含む部分が、本発明の「第１側面部」に相当する。また、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４を含む部分が本発明の「第２側面部」に相当する。
上記した第７実施形態によれば、第１部品３から発生した電磁波は、凹み１５Ｃからモジュール１Ｇ外に出て行くとともに、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂのうちの第１領域５Ｃｂ１１及び第１領域５Ｃｂ２１からもモジュール１Ｇ外に出て行き、第２部品４，４Ｃにより到達しにくくなる。これにより、第２部品４，４Ｃが第１部品３から発生した不要電磁波の影響をより受けにくくなり、より安定した動作を行うことが可能になる。
なお、第７実施形態において、シールド層６Ｇは、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂに関して、電磁波を発生する部品である第１部品３を、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１には設けられておらず、電磁波の影響を受ける部品である第２部品４，４Ｃを、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４には設けられているとしているが、これに限定されるものではなく、例えば次のようなものであってもよい。シールド層６Ｇは、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂに関して、電磁波を発生する部品である第１部品３を、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１には設けられ、電磁波の影響を受ける部品である第２部品４，４Ｃを、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４には設けられていないとしてもよい。この場合、第１部品３から発生する不要電磁波が、凹み１５Ｃを経由して、封止樹脂層５Ｃのうちの第２部品４，４Ｃを覆う部分に入ってきたとしても、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂのうちのシールド層６Ｇが設けられていない側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４からモジュール１Ｇ外に出て行き、第２部品４，４Ｃに到達しにくくなる。これにより、第２部品４，４Ｃが第１部品３から発生した不要電磁波の影響をより受けにくくなり、より安定した動作を行うことが可能になる。
＜変形例１＞
本発明の第７実施形態に係るモジュール１Ｈについて図９を参照して説明する。なお、図９は第７実施形態の変形例１に係るモジュール１Ｈの平面図である。
本発明の第７実施形態の変形例１に係るモジュール１Ｈが図８を用いて説明した第７実施形態に係るモジュール１Ｇと異なる点は、図９に示すように、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、封止樹脂層５Ｈの一の側面５Ｈｂ１から他の側面５Ｈｂ３に向かって、第１部品３と第２部品４との間を通るように、他の側面５Ｈｂ３に達しない位置にまで凹み１５Ｈが封止樹脂層５Ｈに形成され、シールド層６Ｈは凹み１５Ｈがつながった封止樹脂層５Ｈの側面５Ｈｂ１全体を被覆していない点である。なお、第７実施形態に係るモジュール１Ｇと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｈには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、封止樹脂層５Ｈの一の側面５Ｈｂ１から他の側面５Ｈｂ３に向かって、第１部品３と第２部品４との間を通るように、他の側面５Ｈｂ３に達しない位置にまで、封止樹脂層５Ｈの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）から一方主面２ａに向かって凹み１５Ｈが形成されている。凹み１５Ｈの封止樹脂層５Ｈの上面を含む面からの深さは、凹み１５Ｈが一方主面２ａに達しない深さとなっている。なお、凹み１５Ｈの深さは、特に限定されるものではなく、例えば、凹み１５Ｈが一方主面２ａに達する深さになっていてもよいし、第１部品３の回路実装面又は第２部品４の回路実装面を含む面と一方主面２ａとの間の所定位置に達する深さとなっていてもよい。
シールド層６Ｈは、封止樹脂層５Ｈの上面及び側面５Ｈｂ２，５Ｈｂ３，５Ｈｂ４並びに基板２の側面２ｃの一部を被覆している。このシールド層６Ｈにより被覆されている基板２の側面２ｃの一部は、側面２ｃのうちの、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、一方主面２ａの側面５Ｈｂ２，５Ｈｂ３，５Ｈｂ４と重なる部分と、他方主面２ｂの側面５Ｈｂ２，５Ｈｂ３，５Ｈｂ４と重なる部分との間の領域である。但し、封止樹脂層５Ｈの凹み１５Ｈ、封止樹脂層５Ｈの側面５Ｈｂ１、及び基板２の側面２ｃの上記一部を除く残り部分にはシールド層６Ｈが設けられていない。
＜第８実施形態＞
本発明の第８実施形態に係るモジュール１Ｉについて図１０を参照して説明する。なお、図１０（ａ）は第８実施形態に係るモジュール１Ｉの平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
本発明の第８実施形態に係るモジュール１Ｉが図８を用いて説明した第７実施形態に係るモジュール１Ｇと異なる点は、図１０に示すように、シールド層６Ｉは封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの一部を覆っていない点である。なお、第７実施形態に係るモジュール１Ｇと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａは、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、凹み１５Ｃによって、第１部品３に重なる側の第１領域５Ｃａ１と第２部品４，４Ｃに重なる側の第２領域５Ｃａ２に分かれている。また、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃがつながっている側面５Ｃｂ１は、凹み１５Ｃによって、第１部品３側の第１領域５Ｃｂ１１と第２部品４側の第２領域５Ｃｂ１２に分かれている。また、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃがつながっている側面５Ｃｂ２は、凹み１５Ｃによって、第１部品３側の第１領域５Ｃｂ２１と第２部品４Ｃ側の第２領域５Ｃｂ２２に分かれている。
シールド層６Ｉは、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第２領域５Ｃａ２と、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と、基板２の側面２ｃの一部とを被覆している。このシールド層６Ｉにより被覆されている基板２の側面２ｃの一部は、側面２ｃのうちの、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、一方主面２ａの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ３と重なる部分と、他方主面２ｂの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ３と重なる部分との間の領域である（図１０（ｂ）の基板２の側面２ｃ４など）。但し、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃと、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第１領域５Ｃａ１と、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１、並びに側面５Ｃｂ１及び側面５Ｃｂ２それぞれの凹み１５Ｃの底面の端と一方主面２ａとの間の部分と、基板２の側面２ｃの上記一部を除く残り部分にはシールド層６Ｉが設けられていない。
上記した第８実施形態によれば、第１部品３から発生した電磁波は、凹み１５Ｃからモジュール１Ｉ外に出て行くとともに、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂのうちの第１領域５Ｃｂ１１及び第１領域５Ｃｂ２１、並びに封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第１領域５Ｃａ１からもモジュール１Ｉ外に出て行き、第２部品４，４Ｃにより到達しにくくなる。これにより、第２部品４，４Ｃが第１部品３から発生した不要電磁波の影響をより受けにくくなり、より安定した動作を行うことが可能になる。
なお、第８実施形態において、シールド層６Ｉは、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂに関して、電磁波を発生する部品である第１部品３を、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１には設けられておらず、電磁波の影響を受ける部品である第２部品４，４Ｃを、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４には設けられているとし、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａに関して、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波を発生する部品である第１部品３と重なる側の第１領域５Ｃａ１には設けられておらず、電磁波の影響を受ける部品である第２部品４，４Ｃと重なる側の第２領域５Ｃａ２には設けられているとしているが、これに限定されるものではなく、例えば次のようなものであってもよい。シールド層６Ｉは、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂに関して、電磁波を発生する部品である第１部品３を、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１には設けられ、電磁波の影響を受ける部品である第２部品４，４Ｃを、凹み１５Ｃとともに取り囲んでいる封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４には設けられていないとし、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａに関して、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、電磁波を発生する部品である第１部品３と重なる側の第１領域５Ｃａ１には設けられ、電磁波の影響を受ける部品である第２部品４，４Ｃと重なる側の第２領域５Ｃａ２には設けられていないとしてもよい。この場合、第１部品３から発生する不要電磁波が、凹み１５Ｃを経由して、封止樹脂層５Ｃのうちの第２部品４，４Ｃを覆う部分に入ってきたとしても、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂのうちのシールド層６Ｉが設けられていない側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４、並びに、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａのうちのシールド層６Ｉが設けられていない第２領域５Ｃａ２からモジュール１Ｉ外に出て行き、第２部品４，４Ｃに到達しにくくなる。これにより、第２部品４，４Ｃが第１部品３から発生した不要電磁波の影響をより受けにくくなり、より安定した動作を行うことが可能になる。
＜第９実施形態＞
本発明の第９実施形態に係るモジュール１Ｊについて図１１を参照して説明する。なお、図１１は第９実施形態に係るモジュール１Ｊの断面図である。
第９実施形態に係るモジュール１Ｊが図１を用いて説明した第１実施形態に係るモジュール１と異なる点は、図１１に示すように、基板２の一方主面２ａ及び他方主面２ｂの双方に部品が実装される点である。なお、第１実施形態に係るモジュール１と同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
基板２の一方主面２ａには複数のランド電極７が形成され、他方主面２ｂには複数のランド電極２４が形成され、内部には複数の内部電極（配線電極、グランド電極）９及びビア導体１０が形成されている。なお、各ランド電極２４は、それぞれ、ＣｕやＡｇ、Ａｌ等の電極として一般的に採用される金属で形成されている。
第３部品２１は、例えば接続端子が基板２の他方主面２ｂに形成されたランド電極２４に半田１１を用いて接続されることによって、基板２の他方主面２ｂに実装されている。
封止樹脂層２２は、他方主面２ｂ並びに第３部品２１を覆うように、他方主面２ｂ及び第３部品２１を封止する。封止樹脂層２２は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、封止樹脂層５にアルミナフィラー等の熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂等の樹脂を使用することもできる。なお、封止樹脂層２２は本発明の「他の封止樹脂層」に相当する。
封止樹脂層２２には、封止樹脂層２２の他方主面２ｂに対向する面と反対側の面（以下、「下面」と記載する。）２２ａから他方主面２ｂに形成されたランド電極２４にまで延びる複数の接続導体２３が設けられている。各接続導体２３の一端面は封止樹脂層２２の下面２２ａから露出して外部機器に電気的に接続される。また、各接続導体２３の他端面は他方主面２ｂに形成されたランド電極２４に電気的に接続されている。各接続導体２３は銅等の金属でできている。
シールド層６Ｊは、封止樹脂層５の上面５ａ及び側面５ｂ、基板２の側面２ｃ、並びに、封止樹脂層２２の側面２２ｂを被覆している。但し、封止樹脂層５の凹み１５及び封止樹脂層２２の下面２２ａにはシールド層６Ｊが設けられていない。
上記した第９実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、第９実施形態では、基板２の他方主面２ｂ側の封止樹脂層２２には凹みが設けられていないが、これに限定されるものではなく、例えば、他方主面２ｂ側に電磁波を発する部品と電磁波の影響を受ける部品とが実装されている場合には、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、両部品の間に凹みを封止樹脂層２２に設けるようにしてもよい。
＜第１０実施形態＞
本発明の第１０実施形態に係るモジュール１Ｋについて図１２を参照して説明する。なお、図１２（ａ）は第１０実施形態に係るモジュール１Ｋの平面図であり、図１２（ｂ）は図１０（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
本発明の第１０実施形態に係るモジュール１Ｋが図５を用いて説明した第４実施形態に係るモジュール１Ｄと異なる点は、図１２に示すように、凹み１５Ｋ１より内側であって、第１部品３と第２部品４、４Ｃとの間に、第１部品３の上部に存在する第１シールド部６Ｋ１を基板２に設けられたグランド電極に電気的に接続するシールド部品３０が設けられている点である。なお、第４実施形態に係るモジュール１Ｄと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
基板２の一方主面２ａには、第１部品３、第２部品４，４Ｄの他に、第１部品３と第２部品４，４Ｄの間にシールド部品３０が実装されている。なお、シールド部品３０については後述する。
封止樹脂層５Ｋには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、第１部品３の外側に第１部品３と第２部品４，４Ｄとの間を通って第１部品３の全周を囲むように、封止樹脂層５Ｋの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）５Ｋａから一方主面２ａに向かって凹み１５Ｋ１が形成されている。封止樹脂層５Ｋの上面５Ｋａは、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、凹み１５Ｋ１によって第１部品３に重なる側の第１領域５Ｋａ１と第２部品４，４Ｄに重なる側の第２領域５Ｋａ２に分かれている。凹み１５Ｋ１の封止樹脂層５Ｋの上面５Ｋａを含む面からの深さは、凹み１５Ｋ１が一方主面２ａに達しない深さとなっている。なお、凹み１５Ｋ１の深さは、特に限定されるものではなく、例えば、凹み１５Ｋ１が一方主面２ａに達する深さになっていてもよいし、第１部品３の回路実装面又は第２部品４，４Ｄの回路実装面を含む面と一方主面２ａとの間の所定位置に達する深さとなっていてもよい。
また、封止樹脂層５Ｋには、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、シールド部品３０と重なる領域の少なくとも一部には、封止樹脂層５Ｋの第１領域５Ｋａ１を含む面から、シールド部品３０の一方主面２ａと対向する面（以下、「下面」と記載する。）３０ａと反対側の面（以下、「上面」と記載する。）３０ｂに向かって、上面３０ｂに達する位置にまで貫通孔１５Ｋ２が形成されている。貫通孔１５Ｋ２は、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、封止樹脂層５Ｋの第１領域５Ｋａ１からシールド部品３０の上面３０ｂに向かうにつれて、面積が小さくなっている。
モジュール１Ｋには、第１シールド部６Ｋ１と第２シールド部６Ｋ２とを有するシールド層６Ｋが設けられている。第１シールド部６Ｋ１は、封止樹脂層５Ｋの第１領域５Ｋａ１及び貫通孔１５Ｋ２並びにシールド部品３０の上面３０ｂのうちの封止樹脂層５Ｋから露出している部分を被覆するためのものである。また、第２シールド部６Ｋ２は、封止樹脂層５Ｋの第２領域５Ｋａ２及び側面５Ｋｂ並びに基板２の側面２ｃを被覆するためのものである。但し、封止樹脂層５Ｋの凹み１５Ｋ１にはシールド層６Ｋが設けられていない。なお、第１シールド部６Ｋ１は本発明の「シールド部分」に相当する。
シールド部品３０は、金属ブロックである。シールド部品３０は、凹み１５Ｋ１の側壁面のうちの第１部品３側の側壁面よりも内側に配置されている。シールド部品３０の下面３０ａは半田１１を用いてランド電極７に接続されて、その上面３０ｂはシールド層６Ｋの第１シールド部６Ｋ１に接続されている。シールド部品３０の下面３０ａが接続されたランド電極７は基板２に形成されたグランド電極に接続されている。このように、第１シールド部６Ｋ１はシールド部品３０を介してグランド電極に電気的に繋がっている。なお、シールド部品３０全体が本発明の「導通部」に相当する。
上記した第１０実施形態によれば、第４実施形態と同様の効果が得られる。また、凹み１５Ｋ１よりも内側にある第１シールド部６Ｋ１はシールド部品３０を介してグランド電極に電気的に接続されている。これにより、第１シールド部６Ｋ１はシールド膜として機能するため、第１部品３で発生する不要電磁波が外部に漏れにくくなる。また、第１シールド部６Ｋ１と第２シールド部６Ｋ２のうちの貫通孔１５Ｋ２を被覆する部分とはシールド壁として機能するため、第２部品４，４Ｄが、第１部品３から発生した不要電磁波の影響をさらに受けにくくなり、さらに安定した動作を行うことが可能になる。
なお、第１０実施形態では、シールド部品３０を金属ブロックとしているが、これに限定されるものではなく、例えば、次のようなものであってもよい。シールド部品３０は、上面３０ｂから下面３０ａにかけて導通部を有するものであればよい。導通部は、例えば、シールド部品３０の側面に形成されていてもよいし、上面３０ｂから下面３０ａにかけての貫通孔の壁面または当該貫通孔を埋めるように形成されていてもよい。この場合も、第１シールド部６Ｋ１はシールド部品３０の導通部を介してグランド電極に電気的に接続されることになる。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行うことができる。例えば、上記した各実施形態の内容及び変形例の内容を組み合わせてもよい。
本発明は、基板に実装された部品間の不要電磁波による干渉を抑える構造を有するモジュールに適用することができる。
１，１Ａ〜１Ｋ モジュール
２ 基板
３ 第１部品
４，４Ｃ，４Ｄ 第２部品
５，５Ａ〜５Ｄ，５Ｈ，２２ 封止樹脂層
６，６Ｅ〜６Ｊ，６Ｋ シールド層
６Ｋ１ 第１シールド部
６Ｋ２ 第１シールド部
７Ｂ ランド電極
１５，１５Ａ〜１５Ｄ，１５Ｈ，１５Ｋ１ 凹み
１５Ｋ２ 貫通孔
３０ シールド部品
本発明の第６実施形態に係るモジュール１Ｆが図５を用いて説明した第４実施形態に係るモジュール１Ｄと異なる点は、図７に示すように、シールド層６Ｆは封止樹脂層５Ｄの一方主面２ａに対向する面と反対側の一方主面２ａから最も離れた面（以下、「上面」と記載する。）５Ｄａの一部を覆っていない点である。なお、第４実施形態に係るモジュール１Ｄと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。
シールド層６Ｇは、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａと、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と、基板２の側面２ｃの一部とを被覆している。このシールド層６Ｇにより被覆されている基板２の側面２ｃの一部は、側面２ｃのうちの、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、一方主面２ａの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と重なる部分と、他方主面２ｂの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と重なる部分との間の領域である（図８（ｂ）の基板２の側面２ｃ４など）。但し、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃと、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１、並びに側面５Ｃｂ１及び側面５Ｃｂ２それぞれの凹み１５Ｃの底面の端と一方主面２ａとの間の部分と、基板２の側面２ｃの上記一部を除く残り部分にはシールド層６Ｇが設けられていない。なお、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１を含む部分が、本発明の「第１側面部」に相当する。また、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４を含む部分が本発明の「第２側面部」に相当する。
＜変形例１＞
本発明の第７実施形態の変形例１に係るモジュール１Ｈについて図９を参照して説明する。なお、図９は第７実施形態の変形例１に係るモジュール１Ｈの平面図である。
シールド層６Ｉは、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第２領域５Ｃａ２と、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と、基板２の側面２ｃの一部とを被覆している。このシールド層６Ｉにより被覆されている基板２の側面２ｃの一部は、側面２ｃのうちの、一方主面２ａに垂直な方向から見た平面視において、一方主面２ａの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と重なる部分と、他方主面２ｂの側面５Ｃｂ１の第２領域５Ｃｂ１２、側面５Ｃｂ２の第２領域５Ｃｂ２２、側面５Ｃｂ３及び側面５Ｃｂ４と重なる部分との間の領域である（図１０（ｂ）の基板２の側面２ｃ４など）。但し、封止樹脂層５Ｃの凹み１５Ｃと、封止樹脂層５Ｃの上面５Ｃａの第１領域５Ｃａ１と、封止樹脂層５Ｃの側面５Ｃｂ１の第１領域５Ｃｂ１１及び側面５Ｃｂ２の第１領域５Ｃｂ２１、並びに側面５Ｃｂ１及び側面５Ｃｂ２それぞれの凹み１５Ｃの底面の端と一方主面２ａとの間の部分と、基板２の側面２ｃの上記一部を除く残り部分にはシールド層６Ｉが設けられていない。
封止樹脂層２２は、他方主面２ｂ並びに第３部品２１を覆うように、他方主面２ｂ及び第３部品２１を封止する。封止樹脂層２２は、シリカフィラー入りのエポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。また、高熱伝導のため、封止樹脂層２２にアルミナフィラー等の熱伝導率が高いフィラー入りのエポキシ樹脂等の樹脂を使用することもできる。なお、封止樹脂層２２は本発明の「他の封止樹脂層」に相当する。
＜第１０実施形態＞
本発明の第１０実施形態に係るモジュール１Ｋについて図１２を参照して説明する。なお、図１２（ａ）は第１０実施形態に係るモジュール１Ｋの平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
本発明の第１０実施形態に係るモジュール１Ｋが図５を用いて説明した第４実施形態に係るモジュール１Ｄと異なる点は、図１２に示すように、凹み１５Ｋ１より内側であって、第１部品３と第２部品４、４Ｄとの間に、第１部品３の上部に存在する第１シールド部６Ｋ１を基板２に設けられたグランド電極に電気的に接続するシールド部品３０が設けられている点である。なお、第４実施形態に係るモジュール１Ｄと同様の構成には同一符号を付すことによりその説明を省略する。

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板の一方主面に実装された第１部品及び第２部品と、
    前記第１部品と前記第２部品を封止する封止樹脂層と、
    前記封止樹脂層の一部を覆うシールド層と
    を備え、
    前記封止樹脂層には、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、少なくとも前記第１部品と前記第２部品との間に、前記封止樹脂層における前記一方主面に対向する面と反対側の面から、前記一方主面に向かって凹みが形成されており、
    前記シールド層は、前記封止樹脂層の凹み内部以外に形成されている
    ことを特徴とするモジュール。
  2. 前記一方主面には電極が形成されており、
    前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記封止樹脂層の前記電極に重なる領域では、前記一方主面にまで達している
    ことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
  3. 前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記第１部品の外側に、前記第１部品と前記第２部品との間を通って、当該第１部品の全周を囲むように形成されている
    ことを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
  4. 前記基板の前記一方主面には、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記凹みの側壁面のうちの前記第１部品側の側壁面より内側であって、前記第１部品と前記第２部品との間に、実装されたシールド部品をさらに備え、
    前記シールド部品は、当該シールド部品の前記一方主面に対向する面から、当該シールド部品の当該対向する面と反対側の面にかけて導通部を有しており、当該導通部は前記シールド部品の前記対向する面側で前記基板に形成されたグランド電極と繋がっており、
    前記封止樹脂層には、さらに、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記シールド部品と重なる領域の少なくとも一部には、前記封止樹脂層における前記一方主面に対向する面と反対側の面から、前記シールド部品の前記反対側の面に向かって、前記シールド部品に到達する貫通孔が形成されており、
    前記シールド層は、当該貫通孔において、前記シールド部品と繋がっている
    ことを特徴とする請求項３に記載のモジュール。
  5. 前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記封止樹脂層の一の側面から他の側面にまで前記第１部品と前記第２部品との間を通るように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
  6. 前記シールド層は、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記凹みで分けられることにより形成された、前記第１部品に重なる第１領域と前記第２部品に重なる第２領域のうち、一方には設けられていないことを特徴とする請求項３または５に記載のモジュール。
  7. 前記シールド層は、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記第１部品を前記凹みとともに取り囲む第１側面部と前記第２部品を前記凹みとともに取り囲む第２側面部のうち、一方には設けられていないことを特徴とする請求項５または６に記載のモジュール。
  8. 前記凹みは、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において、前記封止樹脂層の一の側面から他の側面に向かって当該他の側面に達しない位置にまで、前記第１部品と前記第２部品との間を通るように形成されており、
    前記シールド層は、前記封止樹脂層の前記一の側面には設けられていないことを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
  9. 前記基板の他方主面に実装された第３部品と、
    前記第３部品を封止する他の封止樹脂層と
    を備えることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のモジュール。
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