JP2874595B2 - 高周波回路装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波電子部品を多層
基板に実装した高周波回路装置に関し、特に、高周波信
号の漏洩防止を図ることができる高周波回路装置に関す
る。
基板に実装した高周波回路装置に関し、特に、高周波信
号の漏洩防止を図ることができる高周波回路装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】複数の高周波電子部品を有する高周波回
路装置では、各高周波電子部品、及び、これらを接続す
る高周波回路パターンから輻射される高周波信号によっ
て、各高周波回路ブロックが相互に干渉してしまい、ま
た、高周波回路装置の周辺に設置した他の機器とも干渉
してしまうという不都合が生じる。このため、従来から
高周波回路装置では、装置を構成する高周波電子部品等
から輻射される高周波信号の漏洩を防止する手段が講じ
られていた。
路装置では、各高周波電子部品、及び、これらを接続す
る高周波回路パターンから輻射される高周波信号によっ
て、各高周波回路ブロックが相互に干渉してしまい、ま
た、高周波回路装置の周辺に設置した他の機器とも干渉
してしまうという不都合が生じる。このため、従来から
高周波回路装置では、装置を構成する高周波電子部品等
から輻射される高周波信号の漏洩を防止する手段が講じ
られていた。
【０００３】例えば、図１０は第一従来例に係る高周波
回路装置を示すものであり、同図（ａ）は側面断面図，
同図（ｂ）は同図（ａ）の部分拡大図である。図１０
（ａ）において、第一従来例に係る高周波回路装置１０
０は、両面基板１１０の両面に、複数の高周波回路ブロ
ック１１１を形成し、両面基板１１０全体を金属製の筐
体１２０によって覆うことにより、外部への高周波信号
の漏洩を防止していた。
回路装置を示すものであり、同図（ａ）は側面断面図，
同図（ｂ）は同図（ａ）の部分拡大図である。図１０
（ａ）において、第一従来例に係る高周波回路装置１０
０は、両面基板１１０の両面に、複数の高周波回路ブロ
ック１１１を形成し、両面基板１１０全体を金属製の筐
体１２０によって覆うことにより、外部への高周波信号
の漏洩を防止していた。
【０００４】また、図１０（ｂ）に示すように、筐体１
２０内において各高周波回路ブロック１１１を金属製の
仕切板１２１によって仕切り、各高周波回路ブロック１
１１間の干渉を防止していた。
２０内において各高周波回路ブロック１１１を金属製の
仕切板１２１によって仕切り、各高周波回路ブロック１
１１間の干渉を防止していた。
【０００５】また、図１１は第二従来例に係る高周波回
路装置を示す側面断面図である。この高周波回路装置２
００は、両面基板２１０の両面に、複数の高周波回路ブ
ロック２１１を形成するとともに、これら高周波回路ブ
ロック２１１間を複数のビアホール２１２によって仕切
り、さらに、これらビアホール２１２と対応する壁部２
２１を有する金属製の筐体２２０によって基板全体を覆
うことにより、外部への高周波信号の漏洩、及び、各高
周波回路ブロック２１１間の干渉を防止していた。
路装置を示す側面断面図である。この高周波回路装置２
００は、両面基板２１０の両面に、複数の高周波回路ブ
ロック２１１を形成するとともに、これら高周波回路ブ
ロック２１１間を複数のビアホール２１２によって仕切
り、さらに、これらビアホール２１２と対応する壁部２
２１を有する金属製の筐体２２０によって基板全体を覆
うことにより、外部への高周波信号の漏洩、及び、各高
周波回路ブロック２１１間の干渉を防止していた。
【０００６】さらに、特開平５−１９１０５６号では、
図１２に示すように、金属製の筐体を用いずに高周波信
号の漏洩を防止できる高周波回路装置が提案されてい
る。
図１２に示すように、金属製の筐体を用いずに高周波信
号の漏洩を防止できる高周波回路装置が提案されてい
る。
【０００７】同図において、この高周波回路装置３００
は、基板３１０の両面に、電源線，接地線としての銅箔
パターン層３１１と、紫外線硬化樹脂からなる絶縁層３
１２ａ，３１２ｂとをそれぞれ積層し、この基板３１０
の表面側の絶縁層３１２ａ，３１２ｂの間に複数の高周
波回路パターン３２０を形成するとともに、これら高周
波回路パターン３２０の間に側溝３２１を設け、さら
に、最上層と最下層の絶縁層３１２ｂ上に、無電解銅メ
ッキによって遮蔽層３３０ａ，３３０ｂを形成した構成
としてあった。
は、基板３１０の両面に、電源線，接地線としての銅箔
パターン層３１１と、紫外線硬化樹脂からなる絶縁層３
１２ａ，３１２ｂとをそれぞれ積層し、この基板３１０
の表面側の絶縁層３１２ａ，３１２ｂの間に複数の高周
波回路パターン３２０を形成するとともに、これら高周
波回路パターン３２０の間に側溝３２１を設け、さら
に、最上層と最下層の絶縁層３１２ｂ上に、無電解銅メ
ッキによって遮蔽層３３０ａ，３３０ｂを形成した構成
としてあった。
【０００８】このような高周波回路装置３００では、遮
蔽層３３０ａ，３３０ｂによって外部への高周波信号の
漏洩を防止し、また、各側溝３２１に充填された無電解
銅メッキによって各高周波回路パターン３２０間の干渉
を防止していた。
蔽層３３０ａ，３３０ｂによって外部への高周波信号の
漏洩を防止し、また、各側溝３２１に充填された無電解
銅メッキによって各高周波回路パターン３２０間の干渉
を防止していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した第
一及び第二従来例に係る高周波回路装置１００，２００
では、筐体１２０，２２０によって両面基板１２０，２
２０を覆うことにより高周波信号の漏洩を防止する構成
としてあったため、これら筐体１２０，２２０に収納さ
れる回路の高密度化を図ったとしても、筐体１２０，２
２０の占める割合が大きいので、装置全体の小型化に一
定の限界があった。
一及び第二従来例に係る高周波回路装置１００，２００
では、筐体１２０，２２０によって両面基板１２０，２
２０を覆うことにより高周波信号の漏洩を防止する構成
としてあったため、これら筐体１２０，２２０に収納さ
れる回路の高密度化を図ったとしても、筐体１２０，２
２０の占める割合が大きいので、装置全体の小型化に一
定の限界があった。
【００１０】また、筐体１２０，２２０の寸法に誤差が
生じると、筐体１２０，２２０の接合部に隙間が開いて
シールド効果が低下してしまうという問題があり、この
ため、筐体１２０，２２０の加工寸法を厳密にし、ま
た、接合部の隙間に導電性シリコンエラストマを充填し
なければならず、装置の製造コストが高いという問題も
あった。
生じると、筐体１２０，２２０の接合部に隙間が開いて
シールド効果が低下してしまうという問題があり、この
ため、筐体１２０，２２０の加工寸法を厳密にし、ま
た、接合部の隙間に導電性シリコンエラストマを充填し
なければならず、装置の製造コストが高いという問題も
あった。
【００１１】一方、特開平５−１９１０５６号の高周波
回路装置３００では、遮蔽層３３０ａ及び絶縁層３１２
ｂを貫通して高周波回路パターン３２０に接続されるビ
アホールを形成し、遮蔽層３３０ａ上に高周波電子部品
を実装することが考えられるが、実装される高周波電子
部品が外部に露出してしまうため、この高周波電子部品
のリード部から漏洩する高周波信号を防ぐことができな
いという問題があった。
回路装置３００では、遮蔽層３３０ａ及び絶縁層３１２
ｂを貫通して高周波回路パターン３２０に接続されるビ
アホールを形成し、遮蔽層３３０ａ上に高周波電子部品
を実装することが考えられるが、実装される高周波電子
部品が外部に露出してしまうため、この高周波電子部品
のリード部から漏洩する高周波信号を防ぐことができな
いという問題があった。
【００１２】また、遮蔽層３３０ａ上に高周波電子部品
を実装することができるとしても、この遮蔽層３３０ａ
上の各側溝３２１に充填された無電解銅メッキの仕切り
と対応する位置には、高周波電子部品を実装することが
できず、このような高周波回路装置３００では、実装ス
ペースが極めて狭く、回路パターンの形成の自由度が制
限されてしまうという問題もあった。
を実装することができるとしても、この遮蔽層３３０ａ
上の各側溝３２１に充填された無電解銅メッキの仕切り
と対応する位置には、高周波電子部品を実装することが
できず、このような高周波回路装置３００では、実装ス
ペースが極めて狭く、回路パターンの形成の自由度が制
限されてしまうという問題もあった。
【００１３】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たものであり、高周波信号の漏洩を確実に防止すること
ができるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図
ることができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大
することができる高周波回路装置の提供を目的とする。
たものであり、高周波信号の漏洩を確実に防止すること
ができるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図
ることができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大
することができる高周波回路装置の提供を目的とする。
【００１４】上記目的を達成するため、請求項１記載の
高周波回路装置は、最上層に第一ＧＮＤパターン、最下
層に第二ＧＮＤパターン及び内層に複数の高周波回路パ
ターンを有し、これら複数の高周波回路パターン間に前
記第一ＧＮＤパターンと第二ＧＮＤパターンに接続され
た高周波遮断用ビアホールを配置するとともに、前記第
一及び／又は第二ＧＮＤパターンに絶縁部を形成し、こ
の絶縁部内にランド部を形成して高周波電子部品を実装
し、また、前記ランド部と高周波回路パターンをビアホ
ールによって接続した多層基板と、前記第一または第二
ＧＮＤパターンに接続させ、かつ、前記高周波電子部品
を樹脂材料で封止し、前記樹脂材料の外面をメッキ処理
してシールドするシールド手段とを備えたことを特徴と
する。
高周波回路装置は、最上層に第一ＧＮＤパターン、最下
層に第二ＧＮＤパターン及び内層に複数の高周波回路パ
ターンを有し、これら複数の高周波回路パターン間に前
記第一ＧＮＤパターンと第二ＧＮＤパターンに接続され
た高周波遮断用ビアホールを配置するとともに、前記第
一及び／又は第二ＧＮＤパターンに絶縁部を形成し、こ
の絶縁部内にランド部を形成して高周波電子部品を実装
し、また、前記ランド部と高周波回路パターンをビアホ
ールによって接続した多層基板と、前記第一または第二
ＧＮＤパターンに接続させ、かつ、前記高周波電子部品
を樹脂材料で封止し、前記樹脂材料の外面をメッキ処理
してシールドするシールド手段とを備えたことを特徴と
する。
【００１５】請求項２記載の高周波回路装置は、前記多
層基板の最上層または最下層に感光性樹脂基板を積層
し、これによって形成された感光性樹脂層の表面に前記
高周波電子部品以外の電子部品を実装し、内面に回路パ
ターンを形成したことを特徴とする。
層基板の最上層または最下層に感光性樹脂基板を積層
し、これによって形成された感光性樹脂層の表面に前記
高周波電子部品以外の電子部品を実装し、内面に回路パ
ターンを形成したことを特徴とする。
【００１６】
【００１７】
【作用】上記構成からなる請求項１記載の高周波回路装
置では、多層基板の最上層と最下層に形成した第一又は
／及び第二ＧＮＤパターン上に、絶縁部を形成し、か
つ、この絶縁部内にランド部を形成することにより、こ
れら第一又は／及び第二ＧＮＤパターン上に高周波電子
部品等を実装することを可能としている。また、多層基
板の内層に形成した高周波回路パターンと前記ランド部
を、ビアホールによって接続することにより、所定の高
周波回路が形成される。
置では、多層基板の最上層と最下層に形成した第一又は
／及び第二ＧＮＤパターン上に、絶縁部を形成し、か
つ、この絶縁部内にランド部を形成することにより、こ
れら第一又は／及び第二ＧＮＤパターン上に高周波電子
部品等を実装することを可能としている。また、多層基
板の内層に形成した高周波回路パターンと前記ランド部
を、ビアホールによって接続することにより、所定の高
周波回路が形成される。
【００１８】ここで、前記第一及び第二ＧＮＤパターン
により、前記高周波回路パターンから発生する高周波信
号の外部への漏洩を防止することができる。また、前記
高周波電子部品を、前記第一又は第二ＧＮＤパターンに
接続した導電性キャップで覆うことにより、前記高周波
電子部品から発生する高周波信号の漏洩を個別に防止す
ることができる。
により、前記高周波回路パターンから発生する高周波信
号の外部への漏洩を防止することができる。また、前記
高周波電子部品を、前記第一又は第二ＧＮＤパターンに
接続した導電性キャップで覆うことにより、前記高周波
電子部品から発生する高周波信号の漏洩を個別に防止す
ることができる。
【００１９】さらに、高周波遮断用ビアホールによって
内層に形成した各高周波回路パターンを仕切ることによ
り、各高周波回路パターン相互間の高周波信号による干
渉を防止することができる。
内層に形成した各高周波回路パターンを仕切ることによ
り、各高周波回路パターン相互間の高周波信号による干
渉を防止することができる。
【００２０】請求項１記載の高周波回路装置は、高周波
部品の形状や大きさに応じたキャップを製作する必要が
なくなり、どのような形状や大きさの高周波電子部品で
も容易にシールドすることができる。
部品の形状や大きさに応じたキャップを製作する必要が
なくなり、どのような形状や大きさの高周波電子部品で
も容易にシールドすることができる。
【００２１】上述したように、前記第一及び第二ＧＮＤ
パターンから高周波信号が全く漏洩しないので、請求項
2記載の高周波回路装置のように前記第一及び第二ＧＮ
Ｄパターン上に高周波回路以外の回路（例えば、制御系
回路）を、ビルドアップ法によって簡易に形成すること
ができるとともに、装置の高密度化を図ることができ
る。
パターンから高周波信号が全く漏洩しないので、請求項
2記載の高周波回路装置のように前記第一及び第二ＧＮ
Ｄパターン上に高周波回路以外の回路（例えば、制御系
回路）を、ビルドアップ法によって簡易に形成すること
ができるとともに、装置の高密度化を図ることができ
る。
【００２２】また、前記第一又は第二ＧＮＤパターン上
の感光性樹脂層を多層とした場合は、フォトエッチング
によって各層間のどこにでも容易にビアホールを形成す
ることができるので、回路をより簡単に形成することが
できる。
の感光性樹脂層を多層とした場合は、フォトエッチング
によって各層間のどこにでも容易にビアホールを形成す
ることができるので、回路をより簡単に形成することが
できる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の高周波回路装置の一実施例に
ついて、図面を参照しつつ説明する。まず、第一実施例
に係る高周波回路装置について説明する。図１は本発明
の一実施例に係る高周波回路装置を示すものであり、同
図（ａ）は部分側面断面図、同図（ｂ）は部分平面図で
ある。
ついて、図面を参照しつつ説明する。まず、第一実施例
に係る高周波回路装置について説明する。図１は本発明
の一実施例に係る高周波回路装置を示すものであり、同
図（ａ）は部分側面断面図、同図（ｂ）は部分平面図で
ある。
【００２４】図１（ａ）において、１０は多層基板であ
り、最上層に第一ＧＮＤパターン１１，最下層に第二Ｇ
ＮＤパターン１２及び内層に高周波回路パターン１３が
形成してある。
り、最上層に第一ＧＮＤパターン１１，最下層に第二Ｇ
ＮＤパターン１２及び内層に高周波回路パターン１３が
形成してある。
【００２５】また、図１（ｂ）に示すように、第一ＧＮ
Ｄパターン１１上には、矩形の絶縁部１１ａが形成して
あり、この絶縁部１１ａ内には、高周波電子部品２０を
接続するためのランド部１１ｂが設けてある。このラン
ド部１１ｂは、ビアホール１０ａを介して内層の高周波
回路パターン１３と接続してあり、これによって一又は
複数の高周波回路を形成してある。
Ｄパターン１１上には、矩形の絶縁部１１ａが形成して
あり、この絶縁部１１ａ内には、高周波電子部品２０を
接続するためのランド部１１ｂが設けてある。このラン
ド部１１ｂは、ビアホール１０ａを介して内層の高周波
回路パターン１３と接続してあり、これによって一又は
複数の高周波回路を形成してある。
【００２６】さらに、図１（ｂ）に示すように、第一Ｇ
ＮＤパターン１１のランド部１１ｂ周辺は、レジスト液
を塗布することによって絶縁処理した高周波電子部品２
０の取付部１１ｃとなっており（一点鎖線内側）、ま
た、この取付部１１ｃの外側は、第一ＧＮＤパターン１
１の銅箔を露出させた状態としてある。
ＮＤパターン１１のランド部１１ｂ周辺は、レジスト液
を塗布することによって絶縁処理した高周波電子部品２
０の取付部１１ｃとなっており（一点鎖線内側）、ま
た、この取付部１１ｃの外側は、第一ＧＮＤパターン１
１の銅箔を露出させた状態としてある。
【００２７】またさらに、図１（ａ）に示すように、第
一ＧＮＤパターン１１上に実装された高周波電子部品２
０は、金属キャップ３０によって覆ってある。この金属
キャップ３０は、開口部の周縁を外側に折り曲げて接続
部３１を形成した構成となっており、この接続部３１
を、第一ＧＮＤパターン１１の銅箔の露出した部分に半
田付けすることによって、金属キャップ３０を第一ＧＮ
Ｄパターン１１と同電位にしてある。
一ＧＮＤパターン１１上に実装された高周波電子部品２
０は、金属キャップ３０によって覆ってある。この金属
キャップ３０は、開口部の周縁を外側に折り曲げて接続
部３１を形成した構成となっており、この接続部３１
を、第一ＧＮＤパターン１１の銅箔の露出した部分に半
田付けすることによって、金属キャップ３０を第一ＧＮ
Ｄパターン１１と同電位にしてある。
【００２８】ここで、金属キャップ３０と第一ＧＮＤパ
ターン１１の接続は、表面実装部品を実装するときに一
般的に使用されるスズ／鉛共晶半田（融点１８３℃程
度）より低い融点のろう材を使用しなければならない。
このようなろう材としては、ビスマス系の低融点半田
（融点１５０℃程度）又は導電性接着剤が好ましい。
ターン１１の接続は、表面実装部品を実装するときに一
般的に使用されるスズ／鉛共晶半田（融点１８３℃程
度）より低い融点のろう材を使用しなければならない。
このようなろう材としては、ビスマス系の低融点半田
（融点１５０℃程度）又は導電性接着剤が好ましい。
【００２９】このような構成からなる本第一実施例の高
周波回路装置によれば、第一及び第二ＧＮＤパターン１
１，１２により、高周波回路パターン１３から発生する
高周波信号の外部への漏洩を防止することができる。ま
た、高周波電子部品２０を、第一ＧＮＤパターン１１と
接続した金属キャップ３０で覆うことにより、高周波電
子部品２０のリード線等から発生する高周波信号の漏洩
を個別に防止することができるとともに、外部からの高
周波信号の侵入も防止することができる。
周波回路装置によれば、第一及び第二ＧＮＤパターン１
１，１２により、高周波回路パターン１３から発生する
高周波信号の外部への漏洩を防止することができる。ま
た、高周波電子部品２０を、第一ＧＮＤパターン１１と
接続した金属キャップ３０で覆うことにより、高周波電
子部品２０のリード線等から発生する高周波信号の漏洩
を個別に防止することができるとともに、外部からの高
周波信号の侵入も防止することができる。
【００３０】したがって、従来の高周波回路装置のよう
な金属製の筐体によらずとも、安定した高周波信号のシ
ールド効果を得ることができ、装置を小型化することが
可能となる。また、筐体を用いたときのような高い組立
精度が要求されず、かつ、導電性エラストマ等の補修部
材が不要となり、装置をローコスト化することができ
る。
な金属製の筐体によらずとも、安定した高周波信号のシ
ールド効果を得ることができ、装置を小型化することが
可能となる。また、筐体を用いたときのような高い組立
精度が要求されず、かつ、導電性エラストマ等の補修部
材が不要となり、装置をローコスト化することができ
る。
【００３１】さらに、絶縁部１１ａとランド部１１ｂを
形成することにより、通常の回路を形成するときと同様
に、第一ＧＮＤパターン１１上に高周波電子部品２０を
実装することができ、回路パターン形成の自由度を拡大
させることができる。
形成することにより、通常の回路を形成するときと同様
に、第一ＧＮＤパターン１１上に高周波電子部品２０を
実装することができ、回路パターン形成の自由度を拡大
させることができる。
【００３２】なお、本実施例では、第二ＧＮＤパターン
１２に高周波電子部品２０等の電子部品を実装しない構
成としてあるが、第一ＧＮＤパターン１１と同様の絶縁
部１１ａ，ランド部１１ｂを形成することにより、この
第二ＧＮＤパターン１２上に電子部品を実装することも
可能である。
１２に高周波電子部品２０等の電子部品を実装しない構
成としてあるが、第一ＧＮＤパターン１１と同様の絶縁
部１１ａ，ランド部１１ｂを形成することにより、この
第二ＧＮＤパターン１２上に電子部品を実装することも
可能である。
【００３３】次に、本発明の第二実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図２は本発明の二実施例に係
る高周波回路装置を示すものであり、同図（ａ）は部分
平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。
路装置について説明する。図２は本発明の二実施例に係
る高周波回路装置を示すものであり、同図（ａ）は部分
平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ断面図であ
る。
【００３４】本実施例では、多層基板１０の内層におい
て、互いに隣接して形成された二つの高周波回路パター
ン１３，１３を、第一及び第二ＧＮＤパターン１１，１
２に接続した複数の高周波遮断用ビアホール１０ｂによ
って仕切った（包囲した）構成としてある。
て、互いに隣接して形成された二つの高周波回路パター
ン１３，１３を、第一及び第二ＧＮＤパターン１１，１
２に接続した複数の高周波遮断用ビアホール１０ｂによ
って仕切った（包囲した）構成としてある。
【００３５】このようなに、高周波遮断用ビアホール１
０ｂによって各高周波回路パターン１３，１３を仕切る
ことにより、これら高周波回路パターン１３，１３相互
間の高周波信号による干渉を防止することができる。
０ｂによって各高周波回路パターン１３，１３を仕切る
ことにより、これら高周波回路パターン１３，１３相互
間の高周波信号による干渉を防止することができる。
【００３６】また、各高周波回路パターン１３，１３を
仕切るだけでなく、図２（ａ）に示すように、各高周波
回路パターン１３，１３全体を高周波遮断用ビアホール
１０ｂによって包囲することにより、高周波信号の外部
への漏洩を防止することもできる。
仕切るだけでなく、図２（ａ）に示すように、各高周波
回路パターン１３，１３全体を高周波遮断用ビアホール
１０ｂによって包囲することにより、高周波信号の外部
への漏洩を防止することもできる。
【００３７】なお、高周波遮断用ビアホール１０ｂのピ
ッチが狭いほど、シールド効果を向上させることがで
き、さらに、図３に示すように、各高周波回路パターン
１３，１３を二列又はそれ以上の列の高周波遮断用ビア
ホール１０ｂによって仕切る（包囲する）構成とする
と、シールド効果をより向上させることができ、高周波
信号の漏洩防止の完全化を図ることができる。
ッチが狭いほど、シールド効果を向上させることがで
き、さらに、図３に示すように、各高周波回路パターン
１３，１３を二列又はそれ以上の列の高周波遮断用ビア
ホール１０ｂによって仕切る（包囲する）構成とする
と、シールド効果をより向上させることができ、高周波
信号の漏洩防止の完全化を図ることができる。
【００３８】次に、本発明の第三実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図４は本発明の第三実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
路装置について説明する。図４は本発明の第三実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【００３９】本実施例では、多層基板１０の端面にメッ
キ４０を鍍着し、このメッキ４０によって第一ＧＮＤパ
ターン１１と第二ＧＮＤパターン１２を接続した構成と
してある。これによって、多層基板１０端面からの高周
波信号の漏洩を防止することができる。
キ４０を鍍着し、このメッキ４０によって第一ＧＮＤパ
ターン１１と第二ＧＮＤパターン１２を接続した構成と
してある。これによって、多層基板１０端面からの高周
波信号の漏洩を防止することができる。
【００４０】また、図５に示すように、多層基板１０の
周縁を高周波遮断用ビアホール１０ｂによって包囲する
構成としても、上記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
周縁を高周波遮断用ビアホール１０ｂによって包囲する
構成としても、上記実施例と同様の効果を得ることがで
きる。
【００４１】次に、本発明の第四実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図６は本発明の第四実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
路装置について説明する。図６は本発明の第四実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【００４２】本実施例では、第一実施例における金属キ
ャップ３０を用いずに、高周波電子部品２０を樹脂材料
（熱硬化性樹脂）５１によって封止し、この樹脂材料５
１の外面にメッキ５２を鍍着した構成としてある。ま
た、このメッキ５２の端部を第一ＧＮＤパターン１１に
接触させることによって、メッキ５２を第一ＧＮＤパタ
ーン１１と同電位にしてある。
ャップ３０を用いずに、高周波電子部品２０を樹脂材料
（熱硬化性樹脂）５１によって封止し、この樹脂材料５
１の外面にメッキ５２を鍍着した構成としてある。ま
た、このメッキ５２の端部を第一ＧＮＤパターン１１に
接触させることによって、メッキ５２を第一ＧＮＤパタ
ーン１１と同電位にしてある。
【００４３】このような本実施例の高周波回路装置よれ
ば、高周波電子部品２０の形状や大きさに応じたキャッ
プを製作する必要がなくなり、どのような形状や大きさ
の高周波電子部品２０でも、容易にシールドすることが
できる。
ば、高周波電子部品２０の形状や大きさに応じたキャッ
プを製作する必要がなくなり、どのような形状や大きさ
の高周波電子部品２０でも、容易にシールドすることが
できる。
【００４４】なお、その他の金属キャップ３０を用いな
いシールド手段として、図７に示すように、内面及び接
続部６３にメッキ６２を鍍着した樹脂キャップ６１によ
って、高周波電子部品２０をシールドする構成としても
よい。これによれば、少量の樹脂材料とメッキ６２によ
って高周波電子部品２０をシールドすることができるの
で、装置のローコスト化を図ることができる。
いシールド手段として、図７に示すように、内面及び接
続部６３にメッキ６２を鍍着した樹脂キャップ６１によ
って、高周波電子部品２０をシールドする構成としても
よい。これによれば、少量の樹脂材料とメッキ６２によ
って高周波電子部品２０をシールドすることができるの
で、装置のローコスト化を図ることができる。
【００４５】次に本発明の第五実施例に係る高周波回路
装置について説明する。図８は本発明の第五実施例に係
る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
装置について説明する。図８は本発明の第五実施例に係
る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【００４６】一般に、高周波回路装置を形成する回路
は、高周波信号を扱う高周波回路と、この高周波回路に
電源を供給等する制御回路とに分類される。ここで、前
記制御回路では、高周波信号の送受が行なわれないの
で、高周波信号の漏洩を考慮した構成とする必要がな
く、より簡易な実装が望まれる。
は、高周波信号を扱う高周波回路と、この高周波回路に
電源を供給等する制御回路とに分類される。ここで、前
記制御回路では、高周波信号の送受が行なわれないの
で、高周波信号の漏洩を考慮した構成とする必要がな
く、より簡易な実装が望まれる。
【００４７】そこで、本実施例では、図８に示すよう
に、多層基板１０の第二ＧＮＤパターン１２上に感光性
樹脂基板７１，７２，７３を積層し、これら感光性樹脂
基板７１〜７３によって形成された感光性樹脂層７０の
表層に電子部品７４を実装するとともに、内層に図示し
ない回路パターンを形成した構成としてある。
に、多層基板１０の第二ＧＮＤパターン１２上に感光性
樹脂基板７１，７２，７３を積層し、これら感光性樹脂
基板７１〜７３によって形成された感光性樹脂層７０の
表層に電子部品７４を実装するとともに、内層に図示し
ない回路パターンを形成した構成としてある。
【００４８】このような本実施例の高周波回路装置で
は、第二ＧＮＤパターン１２上に感光性樹脂基板７１，
７２，７３を積層して制御回路等の高周波回路以外の回
路を形成する構成としたことにより、前記制御回路等を
一般的なビルドアップ法によって簡単に形成することが
できるとともに、装置の高密度化を図ることができる。
は、第二ＧＮＤパターン１２上に感光性樹脂基板７１，
７２，７３を積層して制御回路等の高周波回路以外の回
路を形成する構成としたことにより、前記制御回路等を
一般的なビルドアップ法によって簡単に形成することが
できるとともに、装置の高密度化を図ることができる。
【００４９】また、感光性樹脂基板７１〜７３を用いた
ことにより、フォトエッチングによって簡単にビアホー
ルを形成することができる。さらに、多層基板１０側で
発生する高周波信号は、第二ＧＮＤパターン１２によっ
て遮断されるので、高周波信号の電子部品７４等への干
渉を確実に防止することができる。
ことにより、フォトエッチングによって簡単にビアホー
ルを形成することができる。さらに、多層基板１０側で
発生する高周波信号は、第二ＧＮＤパターン１２によっ
て遮断されるので、高周波信号の電子部品７４等への干
渉を確実に防止することができる。
【００５０】なお、本実施例では、感光体樹脂層７０を
感光性樹脂基板７１，７２，７３からなる三層とした
が、感光体樹脂層７０の層数は実装する回路の規模に応
じて変更することができる。
感光性樹脂基板７１，７２，７３からなる三層とした
が、感光体樹脂層７０の層数は実装する回路の規模に応
じて変更することができる。
【００５１】次に、本発明の第六実施例に係る高周波回
路装置について説明する。図９は本発明の第六実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
路装置について説明する。図９は本発明の第六実施例に
係る高周波回路装置を示す部分側面断面図である。
【００５２】本実施例では、感光性樹脂層７０の表層に
第三ＧＮＤパターン８１を形成するとともに、この第三
ＧＮＤパターン８１に絶縁部８１ａを形成し、かつ、こ
の絶縁部８１内にランド部８１ｂを形成して電子部品７
４を実装した構成としてある。
第三ＧＮＤパターン８１を形成するとともに、この第三
ＧＮＤパターン８１に絶縁部８１ａを形成し、かつ、こ
の絶縁部８１内にランド部８１ｂを形成して電子部品７
４を実装した構成としてある。
【００５３】このような構成によれば、第一及び第二Ｇ
ＮＤパターン１１，１２に加え、感光性樹脂層７０の表
層に形成した第三ＧＮＤパターン８０によって高周波信
号の漏洩を防止することができ、高周波信号の漏洩によ
る弊害防止の完全化を図ることができる。
ＮＤパターン１１，１２に加え、感光性樹脂層７０の表
層に形成した第三ＧＮＤパターン８０によって高周波信
号の漏洩を防止することができ、高周波信号の漏洩によ
る弊害防止の完全化を図ることができる。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、本発明の高周波回路装置
によれば、高周波信号の漏洩を確実に防止することがで
きるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図るこ
とができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大する
ことができる。
によれば、高周波信号の漏洩を確実に防止することがで
きるとともに、装置の小型化及びローコスト化を図るこ
とができ、また、回路パターン形成の自由度を拡大する
ことができる。
【図１】本発明の一実施例に係る高周波回路装置を示す
ものであり、同図（ａ）は部分側面断面図、同図（ｂ）
は部分平面図である。
ものであり、同図（ａ）は部分側面断面図、同図（ｂ）
は部分平面図である。
【図２】本発明の二実施例に係る高周波回路装置を示す
ものであり、同図（ａ）は部分平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
ものであり、同図（ａ）は部分平面図、同図（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】上記第二実施例に係る高周波回路装置の変更例
を示す部分平面図である。
を示す部分平面図である。
【図４】本発明の第三実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図５】上記第三実施例に係る高周波回路装置の変更例
を示す部分側面断面図である。
を示す部分側面断面図である。
【図６】本発明の第四実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図７】上記第四実施例に係る高周波回路装置の変更例
を示す側面断面図である。
を示す側面断面図である。
【図８】本発明の第五実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図９】本発明の第六実施例に係る高周波回路装置を示
す部分側面断面図である。
す部分側面断面図である。
【図１０】第一従来例に係る高周波回路装置を示すもの
であり、同図（ａ）は側面断面図，同図（ｂ）は同図
（ａ）の部分拡大図である。
であり、同図（ａ）は側面断面図，同図（ｂ）は同図
（ａ）の部分拡大図である。
【図１１】第二従来例に係る高周波回路装置を示す側面
断面図である。
断面図である。
【図１２】その他の従来例に係る高周波回路装置を示す
部分側面断面図である。
部分側面断面図である。
１０ 多層基板 １０ａ ビアホール １０ｂ 高周波遮断用ビアホール １１ 第一ＧＮＤパターン １１ａ，８１ａ 絶縁部 １１ｂ，８１ｂ ランド部 １１ｃ 取付部 １２ 第二ＧＮＤパターン １３ 高周波回路パターン ２０ 高周波回路部品 ３０ 金属キャップ ３１，６３ 接続部 ４０，５２，６２ メッキ ５１ 樹脂材料 ６１ 樹脂キャップ ７０ 感光性樹脂層 ７１，７２，７３ 感光性樹脂基板 ７４ 電子部品 ８１ 第三ＧＮＤパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05K 9/00 H05K 3/46
Claims (2)
- 【請求項１】最上層に第一ＧＮＤパターン、最下層に第
二ＧＮＤパターン及び内層に複数の高周波回路パターン
を有し、これら複数の高周波回路パターン間に前記第一
ＧＮＤパターンと第二ＧＮＤパターンに接続された高周
波遮断用ビアホールを配置するとともに、前記第一及び
／又は第二ＧＮＤパターンに絶縁部を形成し、この絶縁
部内にランド部を形成して高周波電子部品を実装し、ま
た、前記ランド部と高周波回路パターンをビアホールに
よって接続した多層基板と、 前記第一または第二ＧＮＤパターンに接続させ、かつ、
前記高周波電子部品を樹脂材料で封止し、前記樹脂材料
の外面をメッキ処理してシールドするシールド手段とを
備えたことを特徴とする高周波回路装置。 - 【請求項２】前記多層基板の最上層または最下層に感光
性樹脂基板を積層し、これによって形成された感光性樹
脂層の表面に前記高周波電子部品以外の電子部品を実装
し、内面に回路パターンを形成したことを特徴とする請
求項１記載の高周波回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137335A JP2874595B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 高周波回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7137335A JP2874595B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 高周波回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316686A JPH08316686A (ja) | 1996-11-29 |
| JP2874595B2 true JP2874595B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=15196256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7137335A Expired - Fee Related JP2874595B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | 高周波回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2874595B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6237218B1 (en) | 1997-01-29 | 2001-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing multilayered wiring board and multi-layered wiring board |
| US6353189B1 (en) | 1997-04-16 | 2002-03-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Wiring board, wiring board fabrication method, and semiconductor package |
| JP4322402B2 (ja) | 2000-06-22 | 2009-09-02 | 大日本印刷株式会社 | プリント配線基板及びその製造方法 |
| TWI376756B (en) * | 2003-07-30 | 2012-11-11 | Taiwan Semiconductor Mfg | Ground arch for wirebond ball grid arrays |
| JP2005353889A (ja) | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 高周波多層集積回路 |
| JP2006019340A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Tdk Corp | 半導体ｉｃ内蔵基板 |
| JP2007150101A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Sony Corp | モジュール基板及び撮像装置 |
| JP7112785B1 (ja) * | 2021-09-16 | 2022-08-04 | イメージニクス株式会社 | 信号処理装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59180514A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-13 | Toshiba Corp | 光受信モジユ−ル |
| JPH04313300A (ja) * | 1991-04-10 | 1992-11-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | フレキシブルプリント配線板 |
| JPH05191056A (ja) * | 1992-01-17 | 1993-07-30 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線基板 |
| JP2948039B2 (ja) * | 1992-12-28 | 1999-09-13 | 株式会社日立製作所 | 回路基板 |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP7137335A patent/JP2874595B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08316686A (ja) | 1996-11-29 |
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Legal Events
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981215 |
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