JPWO2018174293A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
陽極と、有機層と、発光層と、陰極と、をこの順で備え、前記有機層は下記式(20)で表される化合物を含み、前記発光層は下記式(1)で表される化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、「有機EL素子」という場合がある)は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般に有機EL素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際にエネルギーを光として放出する。
有機EL素子の改良は年々進められており、発光効率に優れる素子として例えば特許文献1に記載のものが知られている。しかしながら、さらに良好な性能の有機EL素子が求められている。
本発明の目的は、発光効率が高く、かつ寿命が長い有機EL素子を提供することである。
本発明者らが鋭意検討を行った結果、有機EL素子の発光層と、陽極と発光層の間に位置する有機層にそれぞれ特定の材料を用いることによって、発光効率と寿命に優れる有機EL素子が得られることを見出し、本発明を完成した。
本発明の一態様によれば、以下の有機EL素子等が提供される。
陽極と、有機層と、発光層と、陰極と、をこの順で備え、
前記有機層は下記式(20)で表される化合物を含み、
前記発光層は下記式(1)で表される化合物を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式(20)中、Ar21〜Ar24は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜50のヘテロアリール基であり、
mは0〜4の整数であり、
L21及びL22は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、
mが2以上の整数である場合、複数のAr23はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のAr24はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
(式(1)中、Arは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基であり、
Raは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
Rb1〜Rb4は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基であり、
Rc1〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であり、
*は、Rc1〜Rc10のいずれかと窒素原子との結合位置を示し、
xは、0〜3の整数であり、
yは、0〜4の整数であり、
zは、それぞれ0〜5の整数であり、
xが2以上の整数である場合、複数のRb1はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、yが2以上の整数である場合、複数のRb2はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、zが2以上の整数である場合、複数のRb3はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のRb4はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
本発明の一態様によれば、以下の有機EL素子等が提供される。
陽極と、有機層と、発光層と、陰極と、をこの順で備え、
前記有機層は下記式(20)で表される化合物を含み、
前記発光層は下記式(1)で表される化合物を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
mは0〜4の整数であり、
L21及びL22は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、
mが2以上の整数である場合、複数のAr23はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のAr24はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
Raは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
Rb1〜Rb4は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基であり、
Rc1〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であり、
*は、Rc1〜Rc10のいずれかと窒素原子との結合位置を示し、
xは、0〜3の整数であり、
yは、0〜4の整数であり、
zは、それぞれ0〜5の整数であり、
xが2以上の整数である場合、複数のRb1はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、yが2以上の整数である場合、複数のRb2はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、zが2以上の整数である場合、複数のRb3はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のRb4はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
本発明によれば、発光効率が高く、かつ寿命が長い有機EL素子が提供できる。
[有機EL素子]
本発明の一態様に係る有機EL素子は、陽極と、有機層と、発光層と、陰極とをこの順序で備える。有機層は式(20)で表される化合物を含み、発光層は式(1)で表される化合物を含む。各層に含まれる化合物については後述する。
式(20)で表される化合物を含む有機層は陽極と発光層の間に位置する層であり、通常、正孔注入層又は正孔輸送層であり、好ましくは正孔輸送層である。また、当該有機層は好ましくは発光層と隣接する。
本発明の一態様に係る有機EL素子は、陽極と、有機層と、発光層と、陰極とをこの順序で備える。有機層は式(20)で表される化合物を含み、発光層は式(1)で表される化合物を含む。各層に含まれる化合物については後述する。
式(20)で表される化合物を含む有機層は陽極と発光層の間に位置する層であり、通常、正孔注入層又は正孔輸送層であり、好ましくは正孔輸送層である。また、当該有機層は好ましくは発光層と隣接する。
本発明の一態様に係る有機EL素子は、上記の各層のみからなってもよいし、他の層(例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層及び障壁層からなる群から選択される1以上の層)を含んでもよい。
本発明の一態様に係る有機EL素子の素子構成としては、基板上に、以下の(1)又は(2)の構造を積層した構成等が例示される。
(1)陽極/正孔輸送帯域/発光層/陰極
(2)陽極/正孔輸送帯域/発光層/電子輸送帯域/陰極
(「/」は各層が隣接して積層されていることを示す。)
(1)陽極/正孔輸送帯域/発光層/陰極
(2)陽極/正孔輸送帯域/発光層/電子輸送帯域/陰極
(「/」は各層が隣接して積層されていることを示す。)
正孔輸送帯域は、通常、正孔注入層及び正孔輸送層からなる群から選択される1以上の層を含む帯域である。正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ1層でもよいし2層以上で構成されてもよい。正孔輸送帯域の層構成としては、例えば以下の(3)〜(6)の構成が挙げられる。
(3)正孔輸送層
(4)正孔注入層/正孔輸送層
(5)第1の正孔輸送層/第2の正孔輸送層
(6)正孔注入層/第1の正孔輸送層/第2の正孔輸送層
(3)正孔輸送層
(4)正孔注入層/正孔輸送層
(5)第1の正孔輸送層/第2の正孔輸送層
(6)正孔注入層/第1の正孔輸送層/第2の正孔輸送層
本発明の一態様に係る有機EL素子が上記(3)〜(6)のいずれかの構成を有する場合、各構造における1層以上が式(20)で表される化合物を含む。
電子輸送帯域は、通常、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選択される1以上の層を含む帯域である。電子注入層及び電子輸送層は、それぞれ1層でもよいし2層以上で構成されてもよい。
本発明の一態様に係る有機EL素子の一実施形態の概略構成を図1に示す。
有機EL素子1は、透光性の基板2、陽極3、陰極4、及び陽極3と陰極4との間に配置された発光ユニット10を含む。発光ユニット10は、陽極3側から順に、正孔注入層6、正孔輸送層7、発光層5、電子輸送層8、及び電子注入層9がこの順番で積層されて構成される。有機EL素子1は、光が基板2側から放出されるボトムエミッション型の有機EL素子である。
以下、有機EL素子を構成する各層について説明する。
有機EL素子1は、透光性の基板2、陽極3、陰極4、及び陽極3と陰極4との間に配置された発光ユニット10を含む。発光ユニット10は、陽極3側から順に、正孔注入層6、正孔輸送層7、発光層5、電子輸送層8、及び電子注入層9がこの順番で積層されて構成される。有機EL素子1は、光が基板2側から放出されるボトムエミッション型の有機EL素子である。
以下、有機EL素子を構成する各層について説明する。
(発光層)
発光層は下記式(1)で表される化合物を含む。
(式(1)中、Arは、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基であり、
Raは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
Rb1〜Rb4は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基であり、
Rc1〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であり、
*は、Rc1〜Rc10のいずれかと窒素原子との結合位置を示し、
xは、0〜3の整数であり、
yは、0〜4の整数であり、
zは、それぞれ0〜5の整数であり、
xが2以上の整数である場合、複数のRb1はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、yが2以上の整数である場合、複数のRb2はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、zが2以上の整数である場合、複数のRb3はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のRb4はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
発光層は下記式(1)で表される化合物を含む。
Raは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
Rb1〜Rb4は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基であり、
Rc1〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であり、
*は、Rc1〜Rc10のいずれかと窒素原子との結合位置を示し、
xは、0〜3の整数であり、
yは、0〜4の整数であり、
zは、それぞれ0〜5の整数であり、
xが2以上の整数である場合、複数のRb1はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、yが2以上の整数である場合、複数のRb2はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、zが2以上の整数である場合、複数のRb3はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のRb4はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
また、Rc1〜Rc10はアリールアミノ基以外の基、即ち、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であると好ましい。
この場合、上記化合物はアリールアミノ基の2置換体となる。
この場合、上記化合物はアリールアミノ基の2置換体となる。
Rc2〜Rc5、Rc7〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基である。
式(1)で表される化合物が式(4)で表される場合、下記式(4−1)で表されるとより好ましい。
式(4−1)中、Ar、Ra、Rb1〜Rb4、Rc3、Rc8、x及びzは前記式(4)と同じである。
Rc3及びRc8は、好ましくは、それぞれ水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6の環状アルキル基である。
Rc3及びRc8は、好ましくは、それぞれ水素原子、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6の環状アルキル基である。
また、式(1)で表される化合物は好ましくは下記式(5)で表される。
式(5)中、Ar、Ra、Rb1〜Rb4、x及びzは前記式(1)と同じである。
Rc2、Rc4〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基である。
Rc2、Rc4〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基である。
式(1)で表される化合物が式(5)で表される場合、下記式(5−1)で表されるとより好ましい。
式(5−1)中、Ar、Ra、Rb1〜Rb4、Rc7、x及びzは前記式(5)と同じである。
Rc7は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基である。
Rc7は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基である。
式(1)において、Rb1が結合するベンゼン環含有基及びRb2が結合するベンゼン環含有基は、N原子との結合位置に対するパラ位に置換基を有さない(即ち、水素原子が結合している)ことが好ましい。具体的に、Rb1が結合するベンゼン環含有基において、Rb1とArのいずれもがN原子との結合位置に対してパラ位に結合せず、Rb2が結合するベンゼン環含有基において、Rb2がN原子との結合位置に対してパラ位に結合しないことが好ましい。また、式(2)以降においても同様であり、Rb1が結合するベンゼン環含有基において、Rb1とArのいずれもがN原子との結合位置に対してパラ位に結合せず、Rb2が結合するベンゼン環含有基において、Rb2とArのいずれもがN原子との結合位置に対してパラ位に結合しないことが好ましい。
本発明の一態様に係る化合物を有機EL素子の発光層ドーパント材料として用いる際に、この位置にアルキル基やアリール基を有することで発光波長が長波長化し、得られる発光の青色色度が低下するおそれがある。有機EL素子の種々の用途において、深い(短波長の)青色の発光が好適であることから、この位置にはアルキル基やアリール基等を有さないことが好ましい。
尚、上記記載はRb1とArがパラ位に置換することを妨げるものではなく、これらがパラ位に置換していてもよい。
尚、上記記載はRb1とArがパラ位に置換することを妨げるものではなく、これらがパラ位に置換していてもよい。
また、式(1)において、ArはRaに対してパラ位に結合することが好ましい。具体的に、Rb1が結合するベンゼン環含有基が下記式(10)で表され、Rb2が結合するベンゼン環含有基が下記式(11)で表されると好ましい。この形態とすることで、式(1)で表される化合物の発光層内での分子配列が好適化すると考えられ、発光層ドーパント材料として用いた際に、発光層からのエネルギー移動等が好適化することにより、より高効率な発光が実現できると考えられる。
式(10)、(11)中、Ar、Ra、Rb1、Rb2及びxは前記式(1)と同じである。
また、式(1)において、Rb3及びRb4は、N原子との結合位置に対してパラ位に結合しないことが好ましい。即ち、N原子との結合位置に対してメタ位又はオルト位に結合することが好ましく、オルト位に結合することが好ましい。具体的に、Rb3が結合するベンゼン環含有基が下記式(12)で表され、及びRb4が結合するベンゼン環含有基が下記式(13)で表されると好ましい。
式(12)、(13)中、Rb3及びRb4は前記式(1)と同じである。
Rb3’及びRb4’は、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
z1は、それぞれ、0〜4の整数である。
Rb3’及びRb4’は、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
z1は、それぞれ、0〜4の整数である。
Raは、好ましくはそれぞれ置換もしくは無置換の炭素数1〜6のアルキル基である。
Rb1〜Rb4は、好ましくは電子吸引性基以外の基であり、具体的に、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基であると好ましい。
また、Rb1〜Rb4は、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基であるとより好ましい。
Rc1〜Rc10は、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基が好ましく、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基がより好ましい。
本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素(protium)、重水素(deuterium)、三重水素(tritium)を包含する。
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物(例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が6であり、ナフタレン環は環形成炭素数が10であり、ピリジニル基は環形成炭素数が5であり、フラニル基は環形成炭素数が4である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造(例えば単環、縮合環、環集合)の化合物(例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子(例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子)や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数が6であり、キナゾリン環は環形成原子数が10であり、フラン環は環形成原子数が5である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数XX〜YYのZZ基」という表現における「炭素数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「YY」は「XX」よりも大きく、「XX」と「YY」はそれぞれ1以上の整数を意味する。
本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数XX〜YYのZZ基」という表現における「原子数XX〜YY」は、ZZ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「YY」は「XX」よりも大きく、「XX」と「YY」はそれぞれ1以上の整数を意味する。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
上記各式で示される各基について、以下に詳細に述べる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基等が挙げられる。
アルキル基の炭素数は、1〜10が好ましく、1〜6がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が好ましい。
アルキル基の炭素数は、1〜10が好ましく、1〜6がさらに好ましい。中でもメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基が好ましい。
環状アルキル基として、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基等が挙げられる。環形成炭素数は、3〜10が好ましく、3〜8がより好ましく、5〜8がさらに好ましい。また、3〜6としてもよい。
アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ[c]フェナントリル基、ベンゾ[g]クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、ビフェニルイル基、o−ターフェニル基、m−ターフェニル基、p−ターフェニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。
アリール基は、環形成炭素数が6〜20であることが好ましく、より好ましくは6〜12であり、上述したアリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、が特に好ましい。
アリール基は、環形成炭素数が6〜20であることが好ましく、より好ましくは6〜12であり、上述したアリール基の中でもフェニル基、ビフェニル基、が特に好ましい。
アルキルシリル基は、−SiY3と表され、Yの例としてそれぞれ上記のアルキルの例が挙げられる。アルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基等が挙げられる。
アリールシリル基は、1〜3つのアリール基によって置換されたシリル基であり、アリール基の例としてそれぞれ上記のアリールの例が挙げられる。アリール基の他に上記のアルキル基が置換してもよい。アリールシリル基としては、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基等が挙げられる。
アルコキシ基は、−OYと表され、Yの例として上記のアルキルの例が挙げられる。アルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基である。
アリールオキシ基は、−OZと表され、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。アリールオキシ基は、例えばフェノキシ基である。
アルキルチオ基は、−SYと表され、Yの例として上記のアルキルの例が挙げられる。
アリールチオ基は、−SZと表され、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
アリールチオ基は、−SZと表され、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
アリールアミノ基は、−NZ2と表され、Zの例として上記のアリール基の例が挙げられる。
ヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、トリアジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、イミダゾリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられる。
上記ヘテロアリール基の環形成原子数は、5〜20が好ましく、5〜14がさらに好ましい。
ヘテロアリール基は、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はカルバゾリル基であり、より好ましくは、1−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾフラニル基、3−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、1−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、3−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基である。
ヘテロアリール基は、好ましくは、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はカルバゾリル基であり、より好ましくは、1−ジベンゾフラニル基、2−ジベンゾフラニル基、3−ジベンゾフラニル基、4−ジベンゾフラニル基、1−ジベンゾチオフェニル基、2−ジベンゾチオフェニル基、3−ジベンゾチオフェニル基、4−ジベンゾチオフェニル基である。
ハロゲン原子として、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
また、「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記で挙げたものが挙げられる。
これらの置換基には、上記の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
発光層は式(1)で表される化合物のみから構成してもよいし、他の化合物を含んでもよい。
発光層が、式(1)で表される化合物と、他の化合物とを含む場合、化合物(1)の含有量は特に制限されないが、例えば、発光層全体に対して、0.1〜70質量%とすることができ、好ましくは1〜20質量%であり、より好ましくは1〜10質量%であり、特に好ましくは1〜4質量%である。
発光層は、好ましくは式(1)で表される化合物と下記式(5)で表されるアントラセン誘導体とを含有する。好ましくは、式(1)で表される化合物をドーパントとして、式(5)で表されるアントラセン誘導体をホストとして含有する。
式(5)において、Ar11及びAr12は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基、又は単環基と縮合環基との組合せから構成される基である。
R101〜R108は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50(好ましくは5〜30、より好ましくは5〜20、さらに好ましくは5〜12)の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50(好ましくは8〜30、より好ましくは8〜20、さらに好ましくは8〜14)の縮合環基、前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜6)のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜10、さらに好ましくは5〜8)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜6)のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜50(好ましくは7〜20、より好ましくは7〜14)のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜12)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、及びシアノ基からなる群から選ばれる基である。
発光層が、式(1)で表される化合物と、他の化合物とを含む場合、化合物(1)の含有量は特に制限されないが、例えば、発光層全体に対して、0.1〜70質量%とすることができ、好ましくは1〜20質量%であり、より好ましくは1〜10質量%であり、特に好ましくは1〜4質量%である。
発光層は、好ましくは式(1)で表される化合物と下記式(5)で表されるアントラセン誘導体とを含有する。好ましくは、式(1)で表される化合物をドーパントとして、式(5)で表されるアントラセン誘導体をホストとして含有する。
R101〜R108は、それぞれ、水素原子、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50(好ましくは5〜30、より好ましくは5〜20、さらに好ましくは5〜12)の単環基、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50(好ましくは8〜30、より好ましくは8〜20、さらに好ましくは8〜14)の縮合環基、前記単環基と前記縮合環基との組合せから構成される基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜6)のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3〜50(好ましくは3〜20、より好ましくは3〜10、さらに好ましくは5〜8)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50(好ましくは1〜20、より好ましくは1〜10、さらに好ましくは1〜6)のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数7〜50(好ましくは7〜20、より好ましくは7〜14)のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50(好ましくは6〜20、より好ましくは6〜12)のアリールオキシ基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、及びシアノ基からなる群から選ばれる基である。
R101〜R108のすべてが水素原子であるか、又は、R101とR108の一方、R104とR106の一方、R101とR106の双方、もしくはR108とR104の双方が、環形成原子数5〜50の単環基(好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基)、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基(好ましくは、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基)、及び置換シリル基(好ましくは、トリメチルシリル基)からなる群から選ばれる基であることが好ましく、R101〜R108のすべてが水素原子であることがより好ましい。
式(5)における単環基とは、縮合環構造を持たない環構造のみで構成される基である。
環形成原子数5〜50の単環基の具体例としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基等の芳香族基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が好ましい。
上記単環基としては、中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基が好ましい。
環形成原子数5〜50の単環基の具体例としては、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、クォーターフェニリル基等の芳香族基と、ピリジル基、ピラジル基、ピリミジル基、トリアジニル基、フリル基、チエニル基等の複素環基が好ましい。
上記単環基としては、中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基が好ましい。
式(5)における、縮合環基とは、2環以上の環構造が縮環した基である。
環形成原子数8〜50の縮合環基の具体例としては、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が好ましい。
上記フルオレニル基は、9位に置換基を1つ又は2つ有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基等が挙げられる。このようなフルオレニル基の具体例としては、例えば、9,9−ジメチルフルオレニル基や9,9−ジフェニルフルオレニル基等が挙げられる。以後、フルオレニル基と記載した場合には、特筆しない限り同様の置換基を有していてもよいものとする。
環形成原子数8〜50の縮合環基の具体例としては、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、クリセニル基、ベンゾアントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾクリセニル基、インデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、ジベンゾフルオレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基等の縮合芳香族環基や、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、キノリル基、フェナントロリニル基等の縮合複素環基が好ましい。
上記フルオレニル基は、9位に置換基を1つ又は2つ有していてもよく、置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルコキシ基等が挙げられる。このようなフルオレニル基の具体例としては、例えば、9,9−ジメチルフルオレニル基や9,9−ジフェニルフルオレニル基等が挙げられる。以後、フルオレニル基と記載した場合には、特筆しない限り同様の置換基を有していてもよいものとする。
上記縮合環基としては、中でも、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、フルオランテニル基、ベンゾアントリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基、カルバゾリル基が好ましい。
式(5)における、アルキル基、シクロアルキル基(環状アルキル基)、アルコキシ基、アラルキル基のアルキル部位とアリール部位、アリールオキシ基、置換シリル基(アルキルシリル基、アリールシリル基)、ハロゲン原子の具体例は、上述の式(1)における各基、及び「置換もしくは無置換の・・・」における置換基の具体例と同様である。
アラルキル基は、−Y−Zと表され、Yの例として上記のアルキルの例に対応するアルキレンの例が挙げられ、Zの例として上記のアリールの例が挙げられる。アラルキル基は、炭素数7〜50アラルキル基(アリール部分は炭素数6〜49(好ましくは6〜30、より好ましくは6〜20、特に好ましくは6〜12)、アルキル部分は炭素数1〜44(好ましくは1〜30、より好ましくは1〜20、さらに好ましくは1〜10、特に好ましくは1〜6))であることが好ましく、例えばベンジル基、フェニルエチル基、2−フェニルプロパン−2−イル基である。
Ar11、Ar12、R1〜R8の「置換もしくは無置換」の好ましい置換基として、単環基、縮合環基、アルキル基、シクロアルキル基、シリル基、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子(特にフッ素)が好ましく、特に好ましくは、単環基、縮合環基であり、好ましい具体的な置換基は上記の通りである。
尚、Ar11及びAr12の置換基は、上述の単環基又は縮合環基が好ましい。
尚、Ar11及びAr12の置換基は、上述の単環基又は縮合環基が好ましい。
式(5)で表されるアントラセン誘導体は、下記のアントラセン誘導体(A)、(B)、及び(C)のいずれかであることが好ましく、適用する有機EL素子の構成や求める特性により選択される。
(アントラセン誘導体(A))
アントラセン誘導体(A)は、式(5)におけるAr11及びAr12が、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基である。当該アントラセン誘導体としては、Ar11及びAr12は同一でもよく異なってもよい。
アントラセン誘導体(A)は、式(5)におけるAr11及びAr12が、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基である。当該アントラセン誘導体としては、Ar11及びAr12は同一でもよく異なってもよい。
式(5)におけるAr11及びAr12が異なる(アントラセン環が結合する位置の違いを含む)置換もしくは無置換の縮合環基であるアントラセン誘導体が特に好ましく、縮合環の好ましい具体例は上述した通りである。中でもナフチル基、フェナントリル基、ベンズアントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基が好ましい。
(アントラセン誘導体(B))
アントラセン誘導体(B)は、式(5)におけるAr11及びAr12の一方が置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の単環基であり、Ar11及びAr12の他方が置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基である。
アントラセン誘導体(B)の好ましい形態としては、Ar12がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、又はジベンゾフラニル基であり、Ar11が無置換フェニル基、又は、単環基又は縮合環基(例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基)で置換されたフェニル基である誘導体が挙げられる。好ましい単環基、縮合環基の具体的な基は上述した通りである。
アントラセン誘導体(B)の別の好ましい形態としては、Ar12が置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基であり、Ar11が無置換のフェニル基である誘導体が挙げられる。この場合、縮合環基としては、フェナントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。
アントラセン誘導体(B)は、式(5)におけるAr11及びAr12の一方が置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の単環基であり、Ar11及びAr12の他方が置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基である。
アントラセン誘導体(B)の好ましい形態としては、Ar12がナフチル基、フェナントリル基、ベンゾアントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、又はジベンゾフラニル基であり、Ar11が無置換フェニル基、又は、単環基又は縮合環基(例えば、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基)で置換されたフェニル基である誘導体が挙げられる。好ましい単環基、縮合環基の具体的な基は上述した通りである。
アントラセン誘導体(B)の別の好ましい形態としては、Ar12が置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50の縮合環基であり、Ar11が無置換のフェニル基である誘導体が挙げられる。この場合、縮合環基としては、フェナントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基が特に好ましい。
(アントラセン誘導体(C))
アントラセン誘導体(C)は、式(5)におけるAr11及びAr12が、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の単環基である。
アントラセン誘導体(C)の好ましい形態としては、Ar11、Ar12ともに置換もしくは無置換のフェニル基である誘導体が挙げられる。さらに好ましい形態として、Ar11が無置換のフェニル基であり、Ar12が単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基である場合と、Ar11、Ar12がそれぞれ単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基である場合がある。
前記置換基としての好ましい単環基、縮合環基の具体例は上述した通りである。置換基としてのさらに好ましい単環基は、フェニル基、ビフェニル基であり、置換基としてのさらに好ましい縮合環基は、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基である。
アントラセン誘導体(C)は、式(5)におけるAr11及びAr12が、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50の単環基である。
アントラセン誘導体(C)の好ましい形態としては、Ar11、Ar12ともに置換もしくは無置換のフェニル基である誘導体が挙げられる。さらに好ましい形態として、Ar11が無置換のフェニル基であり、Ar12が単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基である場合と、Ar11、Ar12がそれぞれ単環基又は縮合環基で置換されたフェニル基である場合がある。
前記置換基としての好ましい単環基、縮合環基の具体例は上述した通りである。置換基としてのさらに好ましい単環基は、フェニル基、ビフェニル基であり、置換基としてのさらに好ましい縮合環基は、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基(具体的には、9,9−ジメチルフルオレニル基等)、ジベンゾフラニル基、ベンゾアントリル基である。
(式(20)で表される化合物を含む有機層)
上述したように、本発明の一態様に係る有機EL素子は、陽極と発光層の間に位置する有機層(通常、正孔輸送帯域を構成する1以上の有機層)が下記式(20)で表される化合物を含む。
(式(20)中、Ar21〜Ar24は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜50のヘテロアリール基であり、
mは0〜4の整数であり、
L21及びL22は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、
mが2以上の整数である場合、複数のAr23はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のAr24はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
上述したように、本発明の一態様に係る有機EL素子は、陽極と発光層の間に位置する有機層(通常、正孔輸送帯域を構成する1以上の有機層)が下記式(20)で表される化合物を含む。
mは0〜4の整数であり、
L21及びL22は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、
mが2以上の整数である場合、複数のAr23はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のAr24はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
式(20)において、隣り合うAr21〜Ar24は環を形成してもよい。即ち、互いに隣り合うAr21とAr22とは結合して環を形成してもよい。また、隣り合うAr23同士、Ar24同士は互いに結合して環を形成してもよい。
Ar21〜Ar24として具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、インデニル基、ピレニル基、アセトナフテニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ピリジル基、ピラニル基、キノリル基、イソキノリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノキサリル基、ベンゾイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、及びジベンゾチエニル基等を挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基等を挙げることができる。
L21及びL22としては、単結合のほか、具体的には、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、フルオリレン基、インダンジイル基、ピレンジイル基、アセナフテンジイル基、フルオランテンジイル基、トリフェニレンジイル基、ピリジンジイル基、ピランジイル基、キノリンジイル基、イソキノリンジイル基、ベンゾフランジイル基、ベンゾチオフェンジイル基、インドールジイル基、カルバゾールジイル基、ベンゾオキサゾールジイル基、ベンゾチアゾールジイル基、キノキサリンジイル基、ベンゾイミダゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基等を挙げることができる。好ましくは、フェニレン基、ターフェニレン基、フルオレンジイル基、カルバゾールジイル基、ジベンゾフランジイル基等を挙げることができる。
「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。これら置換基は、同様の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
(陽極)
陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素又は酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素又は酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
(正孔注入層)
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料(正孔注入性材料)を含む層である。
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料(正孔注入性材料)を含む層である。
正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
低分子の有機化合物である4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’−ビス(N−{4−[N’−(3−メチルフェニル)−N’−フェニルアミノ]フェニル}−N−フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。
高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いることもできる。例えば、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)等の高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を正孔注入性材料として用いることもできる。
(式(K)中、R31〜R36は、それぞれ、シアノ基、−CONH2、カルボキシル基、又は−COOR37(R37は炭素数1〜20のアルキル基又は炭素数3〜20のシクロアルキル基を表す)を表す。また、R31及びR32、R33及びR34、及びR35及びR36において、隣接する2つの基が互いに結合して−CO−O−CO−で示される基を形成してもよい。)
R37としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
R37としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
式(2−1)及び(2−2)において、Ar31は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30の芳香族複素環を表す。当該芳香族炭化水素環はベンゼン環であることが好ましい。当該芳香族複素環は環原子数が6である環、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環が好ましい。
式(2−1)及び(2−2)において、X23〜X28は、それぞれ、C(R)又は窒素原子である。
Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基からなる群から選択される1以上の置換基を有する、モノ置換、ジ置換もしくはトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基を有するアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基を有するアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基からなる群から選択される1以上の置換基を有するモノ置換もしくはジ置換アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基を有するアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基を有するアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基である。
上記アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びヘテロアリール基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。
シリル基は、上記のアルキル基及びアリール基からなる群から選択される1以上の基で置換された基が挙げられる。
アミノ基は、上記のアルキル基及びアリール基からなる群から選択される1以上の基で置換された基が挙げられる。
Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基からなる群から選択される1以上の置換基を有する、モノ置換、ジ置換もしくはトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基を有するアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基を有するアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基からなる群から選択される1以上の置換基を有するモノ置換もしくはジ置換アミノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜30のアルキル基を有するアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基を有するアリールチオ基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5〜30のヘテロアリール基である。
上記アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基及びヘテロアリール基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。
シリル基は、上記のアルキル基及びアリール基からなる群から選択される1以上の基で置換された基が挙げられる。
アミノ基は、上記のアルキル基及びアリール基からなる群から選択される1以上の基で置換された基が挙げられる。
「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。これら置換基は、同様の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
式(2−1)及び(2−2)において、R23〜R28は、それぞれ、Rと同義である。
式(2−1)で表される化合物及び(2−2)で表される化合物の具体例を以下に記載するが、下記化合物に限定されるものではない。
上記のような化合物としては、具体的に、下記式(2)で表される化合物が挙げられる。
式(2)中、Xは、それぞれ、下記式で表される基である。
R200−C*−CN
(上記式中、C*は二重結合で式(2)のシクロプロパンに結合する炭素原子である。R200は、それぞれ、芳香族6員環、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基及びシアノ基から選択される1以上で置換されている芳香族6員環である。)
R200−C*−CN
(上記式中、C*は二重結合で式(2)のシクロプロパンに結合する炭素原子である。R200は、それぞれ、芳香族6員環、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換のフルオロアルコキシ基及びシアノ基から選択される1以上で置換されている芳香族6員環である。)
ハロゲン原子としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。
芳香族6員環としては、上記式(1)で挙げたアリール基及びヘテロアリール基のうち6員環のものが挙げられる。
フルオロアルキル基としては、上記式(1)で挙げたアルキル基とフッ素原子を組み合わせた基が挙げられる。
フルオロアルコキシ基としては、上記式(1)で挙げたアルコキシ基とフッ素原子を組み合わせた基が挙げられる。
芳香族6員環としては、上記式(1)で挙げたアリール基及びヘテロアリール基のうち6員環のものが挙げられる。
フルオロアルキル基としては、上記式(1)で挙げたアルキル基とフッ素原子を組み合わせた基が挙げられる。
フルオロアルコキシ基としては、上記式(1)で挙げたアルコキシ基とフッ素原子を組み合わせた基が挙げられる。
「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。これら置換基は、同様の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
式(2)のR200は、好ましくは、ペルフルオロピリジン−4−イル、テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)フェニル基、4−シアノペルフルオロフェニル、ジクロロ−3,5−ジフルオロ−4−(トリフルオロメチル)フェニル、又はペルフルオロフェニルである。
具体的な式(2)の化合物として、(2E,2’E,2’’E)−2,2’,2’’−(シクロプロパン−1,2,3−トリイリデン)トリス(2−(ペルフルオロフェニル)−アセトニトリル)、(2E,2’E,2’’E)−2,2’,2’’−(シクロプロパン−1,2,3−トリイリデン)トリス(2−(ペルフルオロピリジン−4−イル)−アセトニトリル)、(2E,2’E,2’’E)−2,2’,2’’−(シクロプロパン−1,2,3−トリイリデン)トリス(2−(4−シアノペルフルオロフェニル)−アセトニトリル)、(2E,2’E,2’’E)−2,2’,2’’−(シクロプロパン−1,2,3−トリイリデン)トリス(2−(2,3,5,6−テトラフルオロ−4−(トリフルオロメチル)フェニル)−アセトニトリル)、又は、(2E,2’E,2’’E)−2,2’,2’’−(シクロプロパン−1,2,3−トリイリデン)トリス(2−(2,6−ジクロロ−3,5−ジフルオロ−4−(トリフルオロメチル)フェニル)−アセトニトリル)等が挙げられる。
正孔注入層が式(20)で表される化合物を含む場合、単一の正孔注入層が式(20)で表される化合物を含んでもよいし、単一の正孔注入層が上記の化合物と式(20)で表される化合物を含んでもよいし、上記の化合物を含む正孔注入層と、式(20)で表される化合物を含む正孔注入層を別々に設けてもよい。
式(H)において、Ar211〜Ar214は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50(好ましくは6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜12)のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数10〜50(好ましくは10〜30、より好ましくは10〜20)の縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50(好ましくは5〜30、より好ましくは5〜20、さらに好ましくは5〜12)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50(好ましくは8〜30、より好ましくは8〜20)の縮合ヘテロアリール基、又は、当該アリール基もしくは縮合アリール基と、当該ヘテロアリール基もしくは縮合ヘテロアリール基とが結合した基を表す。Ar211とAr212、Ar213とAr214は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環構造を形成してもよい。
L211は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50(好ましくは6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜12)のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数10〜50(好ましくは10〜30、より好ましくは10〜20)の縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50(好ましくは5〜30、より好ましくは5〜20、さらに好ましくは5〜12)のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50(好ましくは8〜30、より好ましくは8〜20)の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
L211は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50(好ましくは6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜12)のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成炭素数10〜50(好ましくは10〜30、より好ましくは10〜20)の縮合アリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50(好ましくは5〜30、より好ましくは5〜20、さらに好ましくは5〜12)のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50(好ましくは8〜30、より好ましくは8〜20)の縮合ヘテロアリーレン基を表す。
アリール基及びアリーレン基としては、上記式(1)で挙げたアリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
縮合アリール基及び縮合アリーレン基としては、上記式(5)で挙げた縮合環のうち縮合アリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
ヘテロアリール基及びヘテロアリーレン基としては、上記式(1)で挙げたヘテロアリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
縮合ヘテロアリール基及び縮合ヘテロアリーレン基としては、上記式(5)で挙げた縮合環のうち縮合ヘテロアリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
縮合アリール基及び縮合アリーレン基としては、上記式(5)で挙げた縮合環のうち縮合アリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
ヘテロアリール基及びヘテロアリーレン基としては、上記式(1)で挙げたヘテロアリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
縮合ヘテロアリール基及び縮合ヘテロアリーレン基としては、上記式(5)で挙げた縮合環のうち縮合ヘテロアリール基及びそれに対応する2価の基が挙げられる。
「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。これら置換基は、同様の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
式(J)において、Ar221〜Ar223は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50(好ましくは6〜30、より好ましくは6〜20、さらに好ましくは6〜12)のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数10〜50(好ましくは10〜30、より好ましくは10〜20)の縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数5〜50(好ましくは5〜30、より好ましくは5〜20、さらに好ましくは5〜12)のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数8〜50(好ましくは8〜30、より好ましくは8〜20)の縮合ヘテロアリール基、又は、当該アリール基もしくは縮合アリール基と、当該ヘテロアリール基もしくは縮合ヘテロアリール基とが結合した基を表す。Ar221とAr222、Ar222とAr223、Ar221とAr223は互いに結合して飽和もしくは不飽和の環構造を形成してもよい。
正孔輸送層が式(20)で表される化合物を含む場合、単一の正孔輸送層が式(20)で表される化合物を含んでもよいし、単一の正孔輸送層が上記の化合物と式(20)で表される化合物を含んでもよいし、上記の化合物を含む正孔輸送層と、式(20)で表される化合物を含む正孔輸送層を別々に設けてもよい。
本発明の一態様における有機EL素子が2以上の正孔輸送層を含む場合、発光層に接する正孔輸送層の膜厚は、特に制限されるものではないが、例えば0.1〜20nmであり、20nm以下が好ましく、10nm以下がより好ましく、5nm以下がさらに好ましい。
式(20)で表される化合物を含む有機層は、正孔輸送層であることが好ましい。また、式(20)で表される化合物を含む有機層は発光層と隣接することが好ましい。
本発明の一態様における有機EL素子が2以上の正孔輸送層を含む場合、発光層に接する正孔輸送層の膜厚は、特に制限されるものではないが、例えば0.1〜20nmであり、20nm以下が好ましく、10nm以下がより好ましく、5nm以下がさらに好ましい。
式(20)で表される化合物を含む有機層は、正孔輸送層であることが好ましい。また、式(20)で表される化合物を含む有機層は発光層と隣接することが好ましい。
(電子輸送層)
電子輸送層は電子輸送性の高い材料(電子輸送性材料)を含む層である。電子輸送層材料としては、例えば、下記(1)〜(3)の化合物が挙げられる。
(1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体
(2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン(含窒素六員環)誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物
(3)高分子化合物
電子輸送層は電子輸送性の高い材料(電子輸送性材料)を含む層である。電子輸送層材料としては、例えば、下記(1)〜(3)の化合物が挙げられる。
(1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体
(2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン(含窒素六員環)誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物
(3)高分子化合物
電子輸送層がカルバゾール誘導体を含み、カルバゾール誘導体が、カルバゾール環及び含窒素六員環を含む化合物であることが好ましい。
カルバゾール環と含窒素六員環を含む化合物における含窒素六員環としては、例えば、ピリミジン環、トリアジン環、ピリジン環が挙げられ、ピリミジン環が特に好ましい。
カルバゾール環と含窒素六員環を含む化合物における含窒素六員環としては、例えば、ピリミジン環、トリアジン環、ピリジン環が挙げられ、ピリミジン環が特に好ましい。
また、電子輸送層が、下記式(M)で表される化合物を含むことが好ましい。
(式(M)において、Ar231及びAr232は、それぞれ、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜50のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜50のヘテロアリール基である。
R231及びR232は、それぞれ、置換基である。R231が2以上存在する場合、2以上のR231は同一でもよく、異なっていてもよい。R232が2以上存在する場合、2以上のR232は同一でもよく、異なっていてもよい。
X1〜X3は、それぞれ、N、CH又はC(R233)であり、X1〜X3の少なくとも2つはNである。
R233は置換基であり、R233が2以上存在する場合、2以上のR233は同一でもよく、異なっていてもよい。
L231は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、L231が2以上存在する場合、2以上のL231は同一でもよく、異なっていてもよい。
m1は、0〜3の整数である。
m2は、1〜5の整数である。
m3及びm4は、それぞれ、0〜4の整数である。)
R231及びR232は、それぞれ、置換基である。R231が2以上存在する場合、2以上のR231は同一でもよく、異なっていてもよい。R232が2以上存在する場合、2以上のR232は同一でもよく、異なっていてもよい。
X1〜X3は、それぞれ、N、CH又はC(R233)であり、X1〜X3の少なくとも2つはNである。
R233は置換基であり、R233が2以上存在する場合、2以上のR233は同一でもよく、異なっていてもよい。
L231は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、L231が2以上存在する場合、2以上のL231は同一でもよく、異なっていてもよい。
m1は、0〜3の整数である。
m2は、1〜5の整数である。
m3及びm4は、それぞれ、0〜4の整数である。)
Ar231及びAr232の環形成炭素数6〜50のアリール基及び環形成炭素数5〜50のヘテロアリール基としては、Ar21〜Ar24の環形成炭素数6〜50のアリール基及び環形成炭素数5〜50のヘテロアリール基と同様のものが挙げられる。
L231の環形成炭素数6〜18のアリーレン基及び環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基としては、L21及びL22の環形成炭素数6〜18のアリーレン基及び環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基と同様のものが挙げられる。
R231が2以上存在する場合、隣り合うR231同士は互いに結合して環を形成してもよい。R232が2以上存在する場合、隣り合うR232同士は互いに結合して環を形成してもよい。
L231の環形成炭素数6〜18のアリーレン基及び環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基としては、L21及びL22の環形成炭素数6〜18のアリーレン基及び環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基と同様のものが挙げられる。
R231が2以上存在する場合、隣り合うR231同士は互いに結合して環を形成してもよい。R232が2以上存在する場合、隣り合うR232同士は互いに結合して環を形成してもよい。
R231〜R233の置換基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。これら置換基は、同様の置換基によってさらに置換されてもよい。
「置換もしくは無置換の・・・」における置換基としては、上記式(1)で挙げた各基が挙げられる。これら置換基は、同様の置換基によってさらに置換されてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成してもよい。
式(M)で表される化合物は、公知の方法により合成することができる。
電子輸送性材料とは、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する材料である。尚、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、電子輸送層に用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、2層以上積層したものとしてもよい。
(電子注入層)
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いてもよい。尚、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いてもよい。尚、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
また、電子注入層に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性及び電子輸送性に優れている。有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。
(陰極)
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、即ち、リチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、及びマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
尚、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
尚、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、即ち、リチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、及びマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
尚、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペースト等を用いる場合には、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。
尚、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、グラフェン、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
(基板等)
有機EL素子は、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において十分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。
基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
有機EL素子は、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において十分透明にすることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性が確保されるように設定する。発光面の電極は、光透過率を10%以上にすることが望ましい。
基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
(各層の形成方法等)
有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる恐れがある。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない恐れがある。膜厚は、通常、1nm〜10μmが好ましく、5nm〜0.2μmのとしてもよい。いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
有機EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。
各層の膜厚は特に限定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる恐れがある。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない恐れがある。膜厚は、通常、1nm〜10μmが好ましく、5nm〜0.2μmのとしてもよい。いずれの有機層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
[有機EL素子の他の実施形態]
本発明の一態様に係る有機EL素子は、基板側から光を取り出すボトムエミッション型(図1)であってもよいし、陰極側から取り出すトップエミッション型であってもよい。本発明の一態様に係る有機EL素子をトップエミッション型とする場合について、以下説明する。
本発明の一態様に係る有機EL素子は、基板側から光を取り出すボトムエミッション型(図1)であってもよいし、陰極側から取り出すトップエミッション型であってもよい。本発明の一態様に係る有機EL素子をトップエミッション型とする場合について、以下説明する。
トップエミッション型を採用する場合、陽極と陰極に挟まれた発光ユニット部分(図1の発光ユニット10)はボトムエミッション型と同様の構成とすることができる。
陽極と陰極については下記の通りである。
陽極と陰極については下記の通りである。
(陽極)
陽極の材料としては、Ag、Al、Au等の金属やAPC(Ag−Pd−Cu)等の金属合金が好ましい。これらの金属材料や金属合金を積層してもよい。また金属、金属合金又はこれらの積層構造の上面及び/又は下面にインジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物といった透明電極層を成膜してもよい。
陽極の材料としては、Ag、Al、Au等の金属やAPC(Ag−Pd−Cu)等の金属合金が好ましい。これらの金属材料や金属合金を積層してもよい。また金属、金属合金又はこれらの積層構造の上面及び/又は下面にインジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物といった透明電極層を成膜してもよい。
(陰極)
陰極としては金属性の材料を用いることができる。金属性の材料とは、誘電率の実部が負の値であるものをいう。このような材料には、金属だけでなく金属以外の金属光沢を示す有機透明電極材料や無機透明電極材料が含まれる。
金属としては、Ag,Mg,Al,Ca等、及びこれらの合金により形成されるものが好ましい。また、正面方向の透過率が20%以上で半透明であることが好ましい。Ag,Mg,Al,Ca又はこれらの合金を陰極として用いた場合、十分な光の透過性を示すために、膜厚は30nm以下であることが好ましい。
陰極としては金属性の材料を用いることができる。金属性の材料とは、誘電率の実部が負の値であるものをいう。このような材料には、金属だけでなく金属以外の金属光沢を示す有機透明電極材料や無機透明電極材料が含まれる。
金属としては、Ag,Mg,Al,Ca等、及びこれらの合金により形成されるものが好ましい。また、正面方向の透過率が20%以上で半透明であることが好ましい。Ag,Mg,Al,Ca又はこれらの合金を陰極として用いた場合、十分な光の透過性を示すために、膜厚は30nm以下であることが好ましい。
また、トップエミッション型を採用する場合、陰極の上部にキャッピング層を設けてもよい。キャッピング層を設けることにより、発光のピーク強度やピーク波長を調整することが可能となる。
キャッピング層に用いることができる化合物は、分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよい化合物である。
好ましい材料としては、以下の化合物等が挙げられる。
(i)分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよい芳香族炭化水素化合物
(ii)分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよい芳香族複素環化合物
(iii)分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよいアミン化合物
(i)分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよい芳香族炭化水素化合物
(ii)分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよい芳香族複素環化合物
(iii)分子式が炭素原子と水素原子を構成元素として含む化合物であって、酸素原子、窒素原子、フッ素原子、珪素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を含んでもよく、また置換基を有してもよいアミン化合物
キャッピング層の膜厚は、好ましくは200nm以下であり、より好ましくは20nm以上、200nm以下であり、さらに好ましくは40nm以上、140nm以下である。
キャッピング層を設けた有機EL素子の一例の概略構成を図2に示す。
有機EL素子100は、基板2上に、陽極3、発光ユニット10、陰極4及びキャッピング層20をこの順に備え、キャッピング層20側から光を取り出す構成となっている。発光ユニット10は図1で説明した通りである。
有機EL素子100は、基板2上に、陽極3、発光ユニット10、陰極4及びキャッピング層20をこの順に備え、キャッピング層20側から光を取り出す構成となっている。発光ユニット10は図1で説明した通りである。
[電子機器]
本発明の一態様における有機EL素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の一態様における化合物は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
本発明の一態様における有機EL素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示板、標識灯等に利用できる。また、本発明の一態様における化合物は、有機EL素子だけでなく、電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用できる。
実施例1
[ボトムエミッション型有機EL素子の製造]
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極(陽極)付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UV(紫外線)オゾン洗浄を30分間行なった。ITO透明電極の膜厚は、130nmとした。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HI−1を蒸着し、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。正孔注入層の成膜に続けて化合物1を蒸着し、膜厚90nmの第1の正孔輸送層を成膜した。第1の正孔輸送層の成膜に続けて化合物4を蒸着し、膜厚10nmの第2の正孔輸送層を成膜した。第2の正孔輸送層上に化合物BH−1(ホスト材料)及び化合物BD−1(ドーパント材料)を、BD−1の割合が4質量%となるように共蒸着し、膜厚20nmの発光層を成膜した。発光層上に化合物6を蒸着し、膜厚5nmの第1の電子輸送層を形成した。第1の電子輸送層上に化合物7を蒸着し、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。第2の電子輸送層上にLiFを蒸着して膜厚1nmの電子注入層を形成した。電子注入層上に金属Alを蒸着して膜厚80nmの陰極を形成した。
以上のようにして有機EL素子を製造した。
実施例1及び後述する実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
[ボトムエミッション型有機EL素子の製造]
25mm×75mm×1.1mm厚のITO透明電極(陽極)付きガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UV(紫外線)オゾン洗浄を30分間行なった。ITO透明電極の膜厚は、130nmとした。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物HI−1を蒸着し、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。正孔注入層の成膜に続けて化合物1を蒸着し、膜厚90nmの第1の正孔輸送層を成膜した。第1の正孔輸送層の成膜に続けて化合物4を蒸着し、膜厚10nmの第2の正孔輸送層を成膜した。第2の正孔輸送層上に化合物BH−1(ホスト材料)及び化合物BD−1(ドーパント材料)を、BD−1の割合が4質量%となるように共蒸着し、膜厚20nmの発光層を成膜した。発光層上に化合物6を蒸着し、膜厚5nmの第1の電子輸送層を形成した。第1の電子輸送層上に化合物7を蒸着し、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。第2の電子輸送層上にLiFを蒸着して膜厚1nmの電子注入層を形成した。電子注入層上に金属Alを蒸着して膜厚80nmの陰極を形成した。
以上のようにして有機EL素子を製造した。
実施例1及び後述する実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。
[有機EL素子の評価]
得られた有機EL素子について、以下のように電流効率及び素子寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
得られた有機EL素子について、以下のように電流効率及び素子寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
(電流効率)
電流密度が10mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計(コニカミノルタ株式会社製「CS−1000」)で計測し、得られた分光放射輝度スペクトルから電流効率(単位:cd/A)を算出した。
電流密度が10mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加した時の分光放射輝度スペクトルを分光放射輝度計(コニカミノルタ株式会社製「CS−1000」)で計測し、得られた分光放射輝度スペクトルから電流効率(単位:cd/A)を算出した。
(素子寿命(LT95))
電流密度が50mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が95%となるまでの時間(単位:h)を測定した。
電流密度が50mA/cm2となるように有機EL素子に電圧を印加し、初期輝度に対して輝度が95%となるまでの時間(単位:h)を測定した。
実施例2〜7、比較例1
[ボトムエミッション型有機EL素子の製造及び評価]
正孔注入層、第1の正孔輸送層、第2の正孔輸送層、発光層、第1の電子輸送層及び第2の電子輸送層の材料を表1に記載のように変更した他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例2では、化合物7と8−ヒドロキシキノリノラト−リチウム(Liq)を、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例4では、化合物9と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例5では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例6では、化合物11と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例7では、化合物BH−2(ホスト材料)及び化合物BD−2(ドーパント材料)を、BD−2の割合が4質量%となるように共蒸着し、膜厚20nmの発光層を成膜した。
[ボトムエミッション型有機EL素子の製造及び評価]
正孔注入層、第1の正孔輸送層、第2の正孔輸送層、発光層、第1の電子輸送層及び第2の電子輸送層の材料を表1に記載のように変更した他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
実施例2では、化合物7と8−ヒドロキシキノリノラト−リチウム(Liq)を、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例4では、化合物9と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例5では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例6では、化合物11と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例7では、化合物BH−2(ホスト材料)及び化合物BD−2(ドーパント材料)を、BD−2の割合が4質量%となるように共蒸着し、膜厚20nmの発光層を成膜した。
実施例8〜28、比較例2〜3
[ボトムエミッション型有機EL素子の製造及び評価]
正孔注入層、第1の正孔輸送層、第2の正孔輸送層、発光層、第1の電子輸送層及び第2の電子輸送層の材料を表1に記載のように変更した他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
尚、実施例8〜28及び比較例2〜3では、ホスト材料及びドーパント材料を、ドーパント材料の割合が4質量%となるように共蒸着した。
[ボトムエミッション型有機EL素子の製造及び評価]
正孔注入層、第1の正孔輸送層、第2の正孔輸送層、発光層、第1の電子輸送層及び第2の電子輸送層の材料を表1に記載のように変更した他は実施例1と同様にして有機EL素子を作製し、評価した。結果を表1に示す。
尚、実施例8〜28及び比較例2〜3では、ホスト材料及びドーパント材料を、ドーパント材料の割合が4質量%となるように共蒸着した。
実施例8では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例9では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物7と8−ヒドロキシキノリノラト−リチウム(Liq)を、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例10では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例11では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例9では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物7と8−ヒドロキシキノリノラト−リチウム(Liq)を、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例10では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例11では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例12では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例13では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例14では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例13では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例14では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例15では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例16では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例17では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例16では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例17では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
実施例18では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例19では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例20では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例19では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例20では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例21では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例22では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例23では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例22では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例23では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例24では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例25では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例26では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例25では、化合物2と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例26では、化合物10と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例27では、化合物3と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、第2の正孔輸送層の膜厚5nmとした。
実施例28では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、第2の正孔輸送層の膜厚5nmとした。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例28では、化合物1と化合物HI−2を、化合物HI−2の割合が3質量%となるように共蒸着して、膜厚5nmの正孔注入層を形成した。また、第2の正孔輸送層の膜厚5nmとした。また、化合物17とLiqを、Liqの割合が50質量%となるように共蒸着して、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。
実施例11,21,27及び28について、電流密度が10mA/cm2となるように、得られた有機EL素子に電圧を印加したときの電圧(単位:V)を計測した。結果を表1に示す。
実施例11,21,27及び28(特に実施例27及び28)の有機EL素子は、低駆動電圧であった。
実施例11,21,27及び28(特に実施例27及び28)の有機EL素子は、低駆動電圧であった。
表1より、本発明の一態様に係る有機EL素子は効率が高く、かつ寿命が長いことが分かった。
実施例31
[トップエミッション型有機EL素子の製造及び評価]
ガラス基板の上に、銀合金であるAPC(Ag−Pd−Cu)の層(反射層)(膜厚100nm)、及び酸化インジウム亜鉛(IZO)の層(膜厚10nm)を、この順にスパッタリング法により成膜した。続いて、通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、この導電材料層をパターニングし、陽極を形成した。下部電極が形成した基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。その後、真空蒸着法を用いて化合物HI−1を蒸着し、膜厚5nmの正孔注入層を成膜した。正孔注入層の成膜に続けて化合物1を蒸着し、膜厚130nmの第1の正孔輸送層を成膜した。第1の正孔輸送層の成膜に続けて化合物4を蒸着し、膜厚10nmの第2の正孔輸送層を成膜した。第2の正孔輸送層上に化合物BH−1(ホスト材料)及び化合物BD−1(ドーパント材料)を、BD−1の割合が4質量%となるように共蒸着し、膜厚20nmの発光層を成膜した。発光層上に化合物6を蒸着し、膜厚5nmの第1の電子輸送層を形成した。第1の電子輸送層上に化合物7を蒸着し、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。第2の電子輸送層上にLiFを蒸着して膜厚1nmの電子注入層を形成した。電子注入層上にMgとAgを1:9の膜厚比で蒸着成膜し、半透過性のMgAg合金からなる膜厚15nmの陰極を形成した。陰極の上に化合物13を真空蒸着法によって成膜し、膜厚65nmのキャッピング層を形成した。
以上のようにして有機EL素子を製造した。キャッピング層に用いた化合物13を以下に示す。
[トップエミッション型有機EL素子の製造及び評価]
ガラス基板の上に、銀合金であるAPC(Ag−Pd−Cu)の層(反射層)(膜厚100nm)、及び酸化インジウム亜鉛(IZO)の層(膜厚10nm)を、この順にスパッタリング法により成膜した。続いて、通常のリソグラフィ技術を用いて、レジストパターンをマスクに用いたエッチングにより、この導電材料層をパターニングし、陽極を形成した。下部電極が形成した基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。その後、真空蒸着法を用いて化合物HI−1を蒸着し、膜厚5nmの正孔注入層を成膜した。正孔注入層の成膜に続けて化合物1を蒸着し、膜厚130nmの第1の正孔輸送層を成膜した。第1の正孔輸送層の成膜に続けて化合物4を蒸着し、膜厚10nmの第2の正孔輸送層を成膜した。第2の正孔輸送層上に化合物BH−1(ホスト材料)及び化合物BD−1(ドーパント材料)を、BD−1の割合が4質量%となるように共蒸着し、膜厚20nmの発光層を成膜した。発光層上に化合物6を蒸着し、膜厚5nmの第1の電子輸送層を形成した。第1の電子輸送層上に化合物7を蒸着し、膜厚20nmの第2の電子輸送層を形成した。第2の電子輸送層上にLiFを蒸着して膜厚1nmの電子注入層を形成した。電子注入層上にMgとAgを1:9の膜厚比で蒸着成膜し、半透過性のMgAg合金からなる膜厚15nmの陰極を形成した。陰極の上に化合物13を真空蒸着法によって成膜し、膜厚65nmのキャッピング層を形成した。
以上のようにして有機EL素子を製造した。キャッピング層に用いた化合物13を以下に示す。
得られた有機EL素子について実施例1と同様に評価を行った結果、電流効率は8.4cd/Aであり、LT95は58時間であった。
上記に本発明の実施形態及び/又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び/又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (11)
- 陽極と、有機層と、発光層と、陰極と、をこの順で備え、
前記有機層は下記式(20)で表される化合物を含み、
前記発光層は下記式(1)で表される化合物を含む、
有機エレクトロルミネッセンス素子。
mは0〜4の整数であり、
L21及びL22は、それぞれ、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、
mが2以上の整数である場合、複数のAr23はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のAr24はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。)
Raは、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基又は置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基であり、
Rb1〜Rb4は、それぞれ、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基であり、
Rc1〜Rc10は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数3〜15の環状アルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜45のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜50のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜15のアルキルチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールチオ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリールアミノ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜30のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数3〜30のヘテロアリール基、又は窒素原子と結合する単結合であり、
*は、Rc1〜Rc10のいずれかと窒素原子との結合位置を示し、
xは、0〜3の整数であり、
yは、0〜4の整数であり、
zは、それぞれ0〜5の整数であり、
xが2以上の整数である場合、複数のRb1はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、yが2以上の整数である場合、複数のRb2はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、zが2以上の整数である場合、複数のRb3はそれぞれ同一でもよく異なってもよく、複数のRb4はそれぞれ同一でもよく異なってもよい。) - 前記有機層が、前記発光層と隣接している請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機層と前記陽極との間に正孔注入層を備え、前記正孔注入層が下記式(2−1)で表される化合物を含む請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
X23〜X26は、それぞれ、C(R)又は窒素原子である。
a21及びa22は、それぞれ、下記式(2b)で表される環構造である。
- 前記発光層と前記陰極との間に電子輸送層を備え、前記電子輸送層が、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体及びフェナントロリン誘導体からなる群から選択される1以上の化合物を含む請求項1〜3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層と前記陰極との間に2以上の電子輸送層を備える請求項1〜4のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記電子輸送層がカルバゾール誘導体を含み、
前記カルバゾール誘導体が、カルバゾール環及び含窒素六員環を含む化合物である請求項4又は5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記電子輸送層が、下記式(M)で表される化合物を含む請求項4〜6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
R231及びR232は、それぞれ、置換基である。R231が2以上存在する場合、2以上のR231は同一でもよく、異なっていてもよい。R232が2以上存在する場合、2以上のR232は同一でもよく、異なっていてもよい。
X1〜X3は、それぞれ、N、CH又はC(R233)であり、X1〜X3の少なくとも2つはNである。
R233は置換基であり、R233が2以上存在する場合、2以上のR233は同一でもよく、異なっていてもよい。
L231は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6〜18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数5〜15のヘテロアリーレン基であり、L231が2以上存在する場合、2以上のL231は同一でもよく、異なっていてもよい。
m1は、0〜3の整数である。
m2は、1〜5の整数である。
m3及びm4は、それぞれ、0〜4の整数である。) - 前記有機層と前記陽極との間に正孔輸送層を備え、前記正孔輸送層が下記式(J)で表される化合物を含む請求項1〜7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜10のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
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