JPWO2018079788A1 - プローブカード用基板、プローブカード、および検査装置 - Google Patents

Abstract

本開示のプローブカード用基板は、測定対象物に当接させるプローブが配置される貫通孔を複数備える。窒化珪素質セラミックスからなり、前記測定対象物に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、金属珪化物の結晶相を複数含んでおり、前記金属珪化物を構成する金属が、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、マンガン、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルトおよびタングステンから選ばれる少なくとも１種である。

Description

本開示は、プローブカード用基板、プローブカード、および検査装置に関する。

従来、半導体ウエハに形成された回路の検査に、プローブカードが用いられている。特許文献１には、このようなプローブカードの一例が開示されている。プローブカードは、検査対象である半導体ウエハの回路パターンと、高精度に位置合わせして使用される。位置合わせの際は、レーザー光等の光を用いた光学的な位置合わせ手法が用いられる。このため、プローブカードには、光を過度に反射しない（すなわち黒色であること）、反射むらが少ないこと（すなわち色ムラが少ないこと）、等が要求されている。

特許文献１には、窒化珪素を主成分とする焼結体であって、Ｗ、Ｍｏ等の遷移金属を添加して黒色化されたプローブカードが開示されている。

特開２０１０−１５０１２３号公報

本開示のプローブカード用基板は、測定対象物に当接させるプローブが配置される貫通孔を複数備え、窒化珪素質セラミックスからなり、前記測定対象物に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、金属珪化物の結晶相を複数含んでおり、前記金属珪化物を構成する金属が、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、マンガン、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルトおよびタングステンから選ばれる少なくとも１種である。

本開示のプローブカードは、上記プローブカード用基板と、前記貫通孔に位置するプローブとを備える。

本開示の検査装置は、上記プローブカードを備える。

本開示のプローブカード用基板の一実施形態の平面図である。 本開示のプローブカード用基板を備える検査装置の一実施形態の断面図である。 （ａ）は、プローブカード用基板を電子顕微鏡で撮影して得られた後方散乱電子（ＢＥＭ）像であり、（ｂ）はＥＤＳ法による分析結果である。 （ａ）は、プローブカード用基板の表面の別の場所の電子顕微鏡写真であり、（ｂ）はＥＤＳ法による分析結果である。

以下、図面を参照して、本開示の実施形態について詳細に説明する。図１および図２に示すプローブカード用基板１は円板状であって、外周縁の近傍に配置された取付孔２と、測定対象物に当接させるプローブ５が配置される貫通孔３とを備えている。

取付孔２には、検査装置に固定するためのピン等の固定用部材（図示しない）が挿通される。貫通孔３は、測定対象物である、例えば半導体チップに配列される電極や半導体ウエハに形成された回路等の電気パッドと当接されるプローブ５が挿入されるための孔である。

本実施形態では、外形状が円板状のプローブカード用基板１を示したが、その形状は、半導体チップに配列される電極の位置に応じて、角板状など適宜変更が可能である。取付孔２および貫通孔３についても、その配置や数、大きさは、固定場所や半導体チップに配列される電極の位置に応じて適宜変更が可能である。

プローブカード用基板１は、窒化珪素質セラミックスからなり、図２に示すように、測定対象物に対向する第１面１Ａと、第１面１Ａの反対に位置する第２面１Ｂとを備える。また、プローブカード用基板１は、金属珪化物の結晶相を複数含んでおり、金属珪化物を構成する金属が、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、マンガン、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルトおよびタングステンから選ばれる少なくとも１種である。ここで金属珪化物とは、ＭｅＳｉｘ（Ｍｅは金属原子である。）で表される、金属と珪素との化合物のことをいう。

プローブカード用基板１において、金属珪化物の結晶相は黒色を呈する。プローブカード用基板１は、黒色の金属珪化物の結晶相を複数含んでいる。プローブカード用基板１は、全体的として黒色を呈し、光を過度に反射しない程度に、黒色の金属珪化物の結晶相を複数含んでいる。金属珪化物は共有結合性が高く、窒化珪素質セラミックスを構成する他の成分との反応性が低く化学的に安定しているため、ある程度高い温度まで上昇するような使用方法を繰り返したとしても、全体的な色味の経時変化が少ない。

プローブカード用基板１において、第１面４に上記金属のみの粒状体が露出していないときには、光学的な位置合わせにおいてノイズとなる反射光の発生を抑制できる。第１面４に上記の金属のみの粒状体が露出していないということは、窒化珪素質セラミックス中に含まれる上記金属は、金属珪化物の結晶相としてのみ存在しているということである。

プローブカード用基板１を構成する各成分は、Ｘ線回折装置を用いて同定することができる。窒化珪素質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、窒化珪素の含有量が５０質量％以上を占めるセラミックスのことをいう。プローブカード用基板は、窒化珪素と上記金属からなる珪化物以外に、例えば、希土類金属、マグネシウムおよびアルミニウムの酸化物等を含んでいてもよい。プローブカード用基板１において、金属珪化物の含有量の合計は、例えば、０．３質量％以上０．７質量％以下である。

第１面１Ａに金属のみの粒状体があるか否かの確認は、例えば電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いて第１面１Ａの面分析を行い、上記金属の存在位置を確認する。次に、上記金属の存在位置に、上記金属と化合物を形成する可能性のある、珪素（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）等が存在していないか否かをＥＰＭＡで測定して確認する。上記金属と化合物を形成する可能性のある成分の存在位置が、上記金属の存在位置と重なり合わなければ、第１面１Ａに金属のみの粒状体が存在するということである。これに対し、重なり合うのであれば、第１面１Ａに金属のみの粒状体は存在しないということである。

プローブカード用基板１は、メリライト（Ｒｅ₂Ｓｉ₃Ｏ₃Ｎ₄）を含んでいてもよい。
メリライトを粒界相内に含んでいると、変形しやすい金属元素の酸化物で構成される非晶質相の存在割合が粒界相内において相対的に少なくなり、高温に曝されても粒界相の変形が抑制され、プローブカード用基板１の剛性が高くなる。メリライトは、緑色系の色味を有するが、メリライトの含有量が５質量％以下であるときには、光学的な位置合わせにおいてノイズとなる反射光の発生を抑制できる。

メリライトの含有量は、Ｘ線回折装置を用い、リートベルト法によって求めればよい。メリライトを除く各成分の含有量は、蛍光Ｘ線分析装置またはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置によって求めることができる。窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）および希土類金属の酸化物（Ｒｅ₂Ｏ₃）のそれぞれの含有量を求める場合は、メリライト（Ｒｅ₂Ｏ₃・Ｓｉ₃Ｎ₄）を構成する窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）および希土類金属の酸化物（Ｒｅ₂Ｏ₃：ここでＲｅは希土類金属原子である。）の含有量を差し引くことで求めることができる。

プローブカード用基板１は、第１面１Ａに存在する空孔の最大長が９４μｍ以下であるときには、金属成分や水分等の導電性成分が空孔に入り込み難いため、絶縁耐力の低下を抑制できる。空孔とは、結晶粒子の空隙に対応する部分である。空孔が存在することで、プローブカード用基板１自体が高温となり膨張した場合に、結晶粒同士が押し合わされる力が緩和されて内部応力が低減され、プローブカード用基板１の耐熱性が向上する。結晶粒子の空隙は、外観上は白色の点として（白点として）視認されるため、第１面１Ａに存在する空孔の最大長が９４μｍ以下であるときには、光学的な位置合わせにおける反射光のばらつきを抑制することができる。

空孔の最大長は、外観上で白点と視認される部分（点領域）を例えば１００倍に拡大して観察した画像を用いて測定することができる。より具体的には、撮影した画像を用いて、例えば、画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製であり、以降に画像解析ソフト「Ａ像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング（株）製の画像解析ソフトを示すものとする。）による粒子解析という手法で解析することにより、白点の最大長を求めることができる。ここで、粒子解析の設定条件としては、明度を明に設定し、２値化の方法を手動、小図形除去面積を３μｍ²、画像の明暗を示す指標であるしきい値を画像内の各点（各ピクセル）が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の１．２倍とし、雑音除去フィルタを有し、シェーディングサイズを１５１とすればよい。

本実施形態のプローブカード用基板では、第１面１Ａは、粗さ曲線から求められるクルトシス（Ｒｋｕ）が、例えば２以上１６以下であってもよい。クルトシス（Ｒｋｕ）が上記範囲であると、頂部において光は反射しにくくなり、その結果、半導体ウエハの所定位置を自動的に検出するためのオートアライメント手段は半導体ウエハの所定位置をより正確に検出することができる。

プローブカード用基板１は、粗さ曲線から求められるスキューネス（Ｒｓｋ）は、例えば−０．９以上０．８以下であってもよい。スキューネス（Ｒｓｋ）が上記範囲であると、山の部分および谷の部分における光の乱反射が抑制されるので、光は反射しにくくなる。

プローブカード用基板１では、第１面１Ａは、粗さ曲線における２５％の負荷長さ率と７５％の負荷長さ率との間の切断レベル差（Ｒδｃ）が０．４μｍ以上０．８μｍ以下であってもよい。切断レベル差（Ｒδｃ）がこの範囲であると、反射率を低くすることができるとともに、パーティクルの飛散を抑制することができる。

第１面１Ａの粗さ曲線から求められるクルトシス（Ｒｋｕ）、スキューネス（Ｒｓｋ）および粗さ曲線における２５％の負荷長さ率と７５％の負荷長さ率との間の切断レベル差（Ｒδｃ）は、いずれもＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠し、レーザー顕微鏡（例えば、(株)キーエンス社製（ＶＫ−９５１０））を用いて求めればよい。レーザー顕微鏡ＶＫ−９５１０を用いる場合、例えば、測定モードをカラー超深度、測定倍率を４００倍、１箇所当りの測定範囲を１１２μｍラ８４μｍ、測定ピッチを０．０５μｍ、λｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．０８ｍｍとして求めればよい。

次に、図２を用いて、プローブカードおよび検査装置について説明する。図２に示す検査装置１５は、プローブカード１２と、プローブカード１２を支持する支持部材６と、真空チャック８と、真空チャック８を支持するステージ９とを備えている。真空チャック８には、半導体ウエハ７を加熱するヒーター１０が内蔵されている。

プローブカード１２は、プローブカード用基板１と、貫通孔３に配置されたプローブ５とを備えている。図２に示すプローブカード１２は、複数のプローブカード用基板１（プローブカード用基板１，１'，１''）が積み重ねられたプローブカード用積層基板であってもよい。プローブカード用基板１の貫通孔３は、プローブカード用基板１'、１''それぞれに設けられた貫通孔３'３''と連通している。

支持部材６は、例えば酸化アルミニウム質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスまたは窒化珪素質セラミックス等から構成される。支持部材６は、プローブカード１２のプローブ５と対向する表面部分にパッド１４ａを備えている。パッド１４ａは、内部の回路１４ｂを介して反対側の表面に形成されたパッド１４ｃに電気的に接続されている。パッド１４ａ，１４ｃは、例えば、フォトリソグラフィ技術によって作製され、導電性を有するものであり、回路１４ｂは、例えば、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，ＮｉおよびＰｂ−Ｓｎ合金の少なくともいずれか１種で形成されている。

真空チャック８は、半導体ウエハ７を吸引して固定する。検査装置１５は、ヒーター１０で半導体ウエハ７を所定の温度になるように加熱した状態で、半導体ウエハ７の半導体素子７ａ上に配列された電極パッド１３に、針状の触針であるプローブ５を接触させて電気的特性を検査することができる。真空チャック８は、検査する半導体ウエハ７を保持しておくためのものである。そのため、真空チャック８を、例えば静電チャック等の他の保持手段に置き換えても構わない。

検査装置１５における検査では、電極パッド１３とプローブ５とが高精度に位置合わせされて接触する必要がある。検査装置１５は、図示しない光学的な位置合わせ機構を備えており、この位置合わせ機構を用いて、電極パッド１３とプローブ５とが高精度に位置合わせされる。この光学的な位置合わせ機構は、例えばレーザー等の光を半導体ウエハに照射することで、半導体ウエハの所定位置に形成されたアライメントパターンから反射光や散乱光を生じさせつつ、これら反射光や散乱光の測定結果にもとづいてアライメントパターンの位置を測定することで行われる。

検査装置１５は、プローブカード用基板１を備えるプローブカード１２を有している。このプローブカード用基板１が全体的として黒色を呈しており、光を過度に反射しない状態となっている。また、プローブカード用基板１がある程度高い温度まで上昇するような使用方法を繰り返したとしても、第１面１Ａの色味の変化が抑制されている。このため、プローブカード１２を備える検査装置１５は、プローブカード１２における局所的な反射等に起因したアライメントのずれが生じ難く、かつアライメント精度が比較的長期間にわたって変動せずに維持することができる。

次に、本実施形態のプローブカード用基板の製造方法の一例について説明する。まず、β化率が２０％以下であって、純度が９８％以上である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、マンガン、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルトおよびタングステンの少なくともいずれか１種からなる酸化物の粉末（以下、これらの粉末を単に金属酸化物の粉末という。）、ならびに希土類金属の酸化物（例えば、Ｓｃ₂Ｏ₃、Ｙ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、Ｃｅ₂Ｏ₃、Ｐｒ₆Ｏ₁₁、Ｎｄ₂Ｏ₃、Ｐｍ₂Ｏ₃、Ｓｍ₂Ｏ₃、Ｅｕ₂Ｏ₃、Ｇｄ₂Ｏ₃、Ｔｂ₂Ｏ₃、Ｄｙ₂Ｏ₃、Ｈｏ₂Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、Ｔｍ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃およびＬｕ₂Ｏ₃の少なくともいずれか１種）の各粉末とを、バレルミル、回転ミル、振動ミル、ビーズミル、サンドミルおよびアジテーターミル等の混合装置を用いて、水とともに湿式混合し、粉砕してスラリーを作製する。

ここで、窒化珪素の粉末は、粒度分布曲線の累積体積の総和を１００％としたときの累積体積が９０％となる粒径（ｄ９０）が１μｍ以下となるまで粉砕する。

酸化マグネシウム、金属酸化物の粉末および希土類金属の酸化物の各粉末の添加量は、例えば、それぞれ１質量％以上２質量％以下、０．３質量％以上０．８質量％以下、２質量％以上４質量％以下であり、残部が窒化珪素の粉末である。なお、金属酸化物は、還元された後、金属が珪素と結合して珪化物となる。

上述した粉末の添加量に代えて、酸化マグネシウム、金属酸化物の粉末、希土類金属の酸化物および酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）の粉末をそれぞれ２質量％以上６質量％以下、０．３質量％以上０．８質量％以下、１２質量％以上１６質量％以下、および０．１質量％以上０．５質量％以下、残部を窒化珪素となるように秤量すればよい。

ここで、プローブカード用基板に存在する空孔（すなわち白点）の最大長は、カルシウムの含有量にて調整することができる。具体的に、第１面１Ａにおける空孔の最大長が９４μｍ以下であるプローブカード用基板を得るには、焼結体中に含まれるカルシウムの含有量が２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下となるように、カルシウム粉末を添加すればよい。

カルシウムの含有量の含有量が上記範囲であると、空孔の最大長を制御することができるとともに、その一方で、カルシウムの一部は、粒界相を形成して、窒化珪素の結晶粒子同士の結合力を高くする。

窒化珪素および添加成分の粉末の混合・粉砕で用いるボールは、不純物が混入しにくい材質あるいは同じ材料組成の窒化珪素質焼結体からなるボールが好適である。窒化珪素および添加成分の粉末の粉砕は、粒度分布曲線の累積体積の総和を１００％とした場合の累積体積が９０％となる粒径（ｄ₉₀）が３μｍ以下となるまで粉砕することが、焼結性の向上という点から好ましい。混合・粉砕によって得られる粒度分布は、ボールの外径、ボールの量、スラリーの粘度および粉砕時間等で調整することができる。

次に、得られたスラリーに有機バインダを加えて混合した後、ＡＳＴＭ Ｅ １１−６１に記載されている粒度番号が２００のメッシュまたはこのメッシュより細かいメッシュの篩いに通した後に乾燥させて、窒化珪素を主成分とする顆粒（以下、窒化珪素質顆粒という。）を得る。乾燥は、噴霧乾燥機で乾燥させてもよく、他の方法であっても何ら問題ない。

粉末圧延法を用いて窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断して窒化珪素を主成分とする成形体（以下、窒化珪素質成形体という。）を得る。あるいは、粉末圧延法に代えて、加圧成形法を用い、窒化珪素質顆粒を成形型に充填してから加圧することによって窒化珪素質成形体を得る。

次に、相対密度が５５％以上９５％以下である窒化珪素質焼結体からなるこう鉢の内部に、得られた窒化珪素質成形体を入れて、黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉を用いて焼成する。このとき、窒化珪素質成形体の１００質量部に対して、２質量部以上１００質量部未満の量の窒化珪素質成形体と組成の近似した共材を窒化珪素質成形体の周囲に配置して焼成する。これにより、窒化珪素質成形体の含有成分の揮発を抑制することができる。

焼成条件については、室温から３００〜１０００℃までは真空雰囲気中にて昇温する。その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を１５〜９００ｋＰａに維持する。さらに昇温を進めることによって、１０００〜１４００℃付近では添加成分が固相反応を経て液相成分を形成し、１４００℃以上の温度域でα型からβ型への窒化珪素の相転移が不可逆的に起こる。

焼成温度を１６４０℃以上１７５０℃以下として４時間以上１０時間以下保持した後、１７０℃／時間以上２３０℃／時間以下の降温速度で冷却することによって、窒化珪素質セラミックスを得ることができる。

ここで、窒化珪素質セラミックスを研磨して得られるプローブカード用基板で金属珪化物からなる結晶相を得るには、窒化珪素の粉末を粉砕したときの粒径（ｄ₉₀）、金属酸化物の粉末の含有量、焼成温度および保持時間を上述した範囲とすればよい。

プローブカード用基板におけるメリライトの含有量は、希土類金属の酸化物の粉末の含有量および降温速度の影響が大きく、その含有量を５質量％以下とするには、希土類金属の酸化物の粉末の含有量および降温速度を上述した範囲とすればよい。

得られた窒化珪素質セラミックスの両方の主面を両面ラップ機で研磨する。ここで、ラップ盤の材質は、鋳鉄とし、ラップ盤の周速は、１．４ｍ／ｓ以上２．８ｍ・ｓの範囲で適宜設定すればよい。この研磨では、平均粒径（ｄ₅₀）が６μｍ以上１４μｍ以下の範囲のダイヤモンド砥粒を含むスラリーを供給すればよい。

第１面４の粗さ曲線から求められるクルトシス（Ｒｋｕ）、スキューネス（Ｒｓｋ）および粗さ曲線における２５％の負荷長さ率と７５％の負荷長さ率との間の切断レベル差（Ｒδｃ）を上述した範囲にするには、ラップ盤の回転数およびダイヤモンド砥粒の平均粒径（ｄ₅₀）で調整すればよい。

研磨された窒化珪素質セラミックスの厚み方向にレーザー加工あるいはマシニング加工を施すことにより、取付孔および貫通孔が形成された本実施形態のプローブカード用基板を得ることができる。

本開示のプローブカード用基板によれば、反射が抑制され、かつ全体的な色味の変化も抑制されており、光学的な位置合わせの精度を、比較的長期間にわたって良好に維持することができる。

上記製造方法に沿ってプローブカード用基板１を製造した。窒化珪素の粉末の添加成分として、酸化マグネシウムの粉末を２．５質量％、酸化タングステンの粉末を０．７質量％、酸化マグネシウムの粉末を２．５質量％、酸化鉄の粉末を１．４質量％、酸化エルビウムの粉末を１４．６質量％それぞれ加えている。

図３（ａ）は、本実施例のプローブカード用基板を電子顕微鏡で撮影して得られた後方散乱電子（ＢＥＭ）像である。図３（ｂ）は、図３（ａ）の（００１）点に存在する元素をエネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）法によって分析した結果であり、電子線を照射することによって得られたスペクトルである。

図３（ｂ）と対比してわかるように、プローブカード用基板１では、図３（ａ）で白色に写っているように、タングステン（Ｗ）と珪素（Ｓｉ）との化合物、すなわちタングステンのような金属の珪化物の結晶相が分散している。図３（ａ）のＢＥＭ像では白色に写っているが、これら金属珪化物は黒色を呈しており、プローブカード用基板１は、全体的に黒色を呈している。

図４（ａ）は、本実施例のプローブカード用基板の表面の別の場所の電子顕微鏡写真であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の四角枠内に存在する元素によって得られたエネルギー分散型Ｘ線分光（ＥＤＳ）法による分析結果である。図４（ａ）から確認できるように、プローブカード用基板１では、特徴的な窒化珪素の柱状結晶に、窒化珪素とは異なる結晶相が分散している。図４（ｂ）から確認できるように、この結晶相は珪素（Ｓｉ）と鉄（Ｆｅ）を多く含んでおり、鉄（Ｆｅ）の珪化物（Ｓｉ）であると判断できる。プローブカード用基板１には、このように金属珪化物の結晶相が多く分散していた。

本開示は前述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で、種々の変更や改良が可能である。

１ プローブカード用基板
１Ａ 第１面
１Ｂ 第２面
２ 取付孔
３ 貫通孔
５ プローブ
６ 支持部材
８ 真空チャック
９ ステージ
１２ プローブカード

第１面１Ａの粗さ曲線から求められるクルトシス（Ｒｋｕ）、スキューネス（Ｒｓｋ）および粗さ曲線における２５％の負荷長さ率と７５％の負荷長さ率との間の切断レベル差（Ｒδｃ）は、いずれもＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１に準拠し、レーザー顕微鏡（例えば、(株)キーエンス社製（ＶＫ−９５１０））を用いて求めればよい。レーザー顕微鏡ＶＫ−９５１０を用いる場合、例えば、測定モードをカラー超深度、測定倍率を４００倍、１箇所当りの測定範囲を１１２μｍ×８４μｍ、測定ピッチを０．０５μｍ、λｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．０８ｍｍとして求めればよい。

カルシウムの含有量が上記範囲であると、空孔の最大長を制御することができるとともに、その一方で、カルシウムの一部は、粒界相を形成して、窒化珪素の結晶粒子同士の結合力を高くする。

得られた窒化珪素質セラミックスの両方の主面を両面ラップ機で研磨する。ここで、ラップ盤の材質は、鋳鉄とし、ラップ盤の周速は、１．４ｍ／ｓ以上２．８ｍ／ｓ以下の範囲で適宜設定すればよい。この研磨では、平均粒径（ｄ₅₀）が６μｍ以上１４μｍ以下の範囲のダイヤモンド砥粒を含むスラリーを供給すればよい。

Claims (11)

1. 測定対象物に当接させるプローブが配置される貫通孔を複数備えるプローブカード用基板であって、
   窒化珪素質セラミックスからなり、
   前記測定対象物に対向する第１面と、該第１面の反対に位置する第２面とを備え、
   金属珪化物の結晶相を複数含んでおり、
   前記金属珪化物を構成する金属が、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、マンガン、バナジウム、ニオブ、タンタル、コバルトおよびタングステンから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とするプローブカード用基板。
2. 前記第１面に、前記金属珪化物を構成する金属のみの粒状体が露出していない請求項１記載のプローブカード用基板。
3. 前記第１面に、含有量が５質量％以下のメリライトを含む請求項１または２記載のプローブカード用基板。
4. 前記第１面に、最大長が９４μｍ以下である空孔を備える請求項１〜３のいずれかに記載のプローブカード用基板。
5. 前記窒化珪素質セラミックスが、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、少なくとも５０質量％以上の窒化珪素を含有する請求項１〜４のいずれかに記載のプローブカード用基板。
6. 前記第１面は、粗さ曲線から求められるクルトシス（Ｒｋｕ）が、２以上１６以下である請求項１〜５のいずれかに記載のプローブカード用基板。
7. 前記第１面は、粗さ曲線から求められるスキューネス（Ｒｓｋ）が、−０．９以上０．８以下である請求項１〜６のいずれかに記載のプローブカード用基板。
8. 前記第１面は、粗さ曲線における２５％の負荷長さ率と７５％の負荷長さ率との間の切断レベル差（Ｒδｃ）が０．４μｍ以上０．８μｍ以下である請求項１〜７のいずれかに記載のプローブカード用基板。
9. 前記金属珪化物の結晶相が、前記第１面の表面に露出している請求項１〜８のいずれかに記載のプローブカード用基板。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載のプローブカード用基板と、前記貫通孔に位置するプローブとを備えることを特徴とするプローブカード。
11. 請求項１０に記載のプローブカードを備える検査装置。

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