JP2013203633A - 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 - Google Patents
窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013203633A JP2013203633A JP2012076856A JP2012076856A JP2013203633A JP 2013203633 A JP2013203633 A JP 2013203633A JP 2012076856 A JP2012076856 A JP 2012076856A JP 2012076856 A JP2012076856 A JP 2012076856A JP 2013203633 A JP2013203633 A JP 2013203633A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- sintered body
- mass
- less
- nitride sintered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類元素およびアルミニウムを酸化物換算でそれぞれ2質量%以上6質量%以下,4質量%以上10質量%以下,0.1質
量%以上0.5質量%以下含んでなり、β−Si3N4を主結晶相と、組成式がRE4Si
2N2O7(REは希土類元素)として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率(I1/I0)が20%以下(但し、0%を除く)の窒化珪素質焼結体である。
【選択図】 図1
Description
%、不純物陽イオン元素としてのAl,Li,Na,K,Fe,Ba,Mn,Bを合計で0.3重量%以下含有し、窒化珪素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結
晶化合物相の粒界相全体に対する割合が20%以上である高熱伝導性窒化珪素焼結体が提案されている。
の第1のピーク強度I1の比率(I1/I0)が20%以下(但し、0%を除く)であることを特徴とするものである。
放熱特性に優れた窒化珪素質焼結体を得ることは難しくなる。
に対して、83質量%以上占める成分をいう。そして、窒化珪素と、マグネシウム,希土類元素(RE)およびアルミニウムを酸化物換算した各含有量は、蛍光X線分析法,ICP(Inductively Coupled Plasma)発光分析法またはエネルギー分散型X線分光法によって、Si,Mg,RE,Alの含有量を求め、これら各含有量をSiについてはSi3N4に、その他についてはMgO,RE2O3,Al2O3に換算することで求めることができる。
,Tm,Er,Yb,Lu)であることが好適であり、その中でもエルビウム(Er),イッテルビウム(Yb)およびルテチウム(Lu)の少なくとも1種であることが好適である。
登録商標)Number:00−033−1160で示されるカードと照合したときの回折角27°〜28°における最も高いピークの強度のことである。また、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1は、REが例えば、Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Tb,Dy,Tm,Er,Yb,Luであるとき、それぞれPDF(登録商標)Number:00−032−1451,01−072−7716,00−031−0339,00−032−0887,00−031−0885,00−031−1215,00−034−1268,00−055−1090,00−032−1354,00−031−0505,00−051−0340,00−033−0847で示されるカードと照合したときの回折角30°〜35°における最も高いピークの強度のことである。
第2金属がタングステンであるときには、それぞれの珪化物は、結晶構造が近似するため、接触する確率が増加するので、耐熱衝撃性をさらに向上させることができる。
ことができる。
とが好適である。円相当径が2μm以上50μm以下のカルシウムを含んでなる白状斑点が、1mm2当たり550個以上1650個以下存在しているときには、絶縁耐力が高く、放熱特
性を向上させた窒化珪素質焼結体とすることができる。
、縦方向の長さが0.909mm)となる範囲をCCDカメラで撮影した画像を取り込み、画
像解析ソフト「A像くん」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製)による粒子解析という手法で解析すればよい。ここで、この手法の設定条件としては、例えば、明度を暗、2値化の方法を手動、小図形除去面積を5μm2、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の各点(各ピクセル)が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の0.8倍以上2倍以下とする。
弾性率が300GPa以上であり、ビッカース硬度(Hv)が13GPa以上であり、破壊靱
性(K1C)が5MPam1/2以上である。上述した機械的特性を有していることにより、本実施形態の窒化珪素質焼結体と金属からなる部材とを接合した接合部材は、特に、耐クリープ性やヒートサイクルに対する耐久性を向上させることができるので、高い信頼性が得られるとともに長期間にわたって使用することができる。
OD))に準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質焼結体の厚みが薄く、窒化珪素質焼結体から切り出した試験片の厚みを3mmとすることができない場合には、窒化珪素質焼結体の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。
に規定される圧子圧入法(IF法)に準拠して測定すればよい。なお、窒化珪素質焼結体の厚みが薄く、窒化珪素質焼結体から切り出した試験片の厚みをそれぞれJIS R 1610−2003およびJIS R 1607−1995の圧子圧入法(IF法)で規定する0.5mmおよ
び3mmとすることができないときには、窒化珪素質焼結体の厚みをそのまま試験片の厚みとして評価して、その結果が上記数値を満足することが好ましい。ただし、そのままの厚みで評価して上記数値を満足することができないほどに窒化珪素質焼結体の厚みが薄いとき、例えば0.2mm以上0.5mm未満のときには、窒化珪素質焼結体に加える試験力および押込荷重をいずれも0.245Nとし、試験力および押込荷重を保持する時間をいずれも15
秒としてビッカース硬度(Hv)および破壊靱性(K1C)を測定すればよい。
Ω・cm以上であって、300℃で1012Ω・cm以上であることが好ましい。この体積抵
抗率は、JIS C 2141−1992に準拠して測定すればよい。ただし、窒化珪素質焼結体が小さく、窒化珪素質焼結体からJIS C 2141−1992で規定する大きさとすることができない場合には、2端子法を用いて評価するものとし、その結果が上記数値を満足することが好ましい。
すY方向)が10mm以上120mm以下である。支持基板11の厚みは用途によって異なるが
、絶縁耐圧が高く、耐久性に優れたものとするには、0.2mm以上1.0mm以下とすることが好適である。
a,12bの厚みは回路部材12a,12bを流れる電流の大きさや回路部材12a,12bに搭載される電子部品(図示しない)の発熱量等によって決められ、例えば、0.5mm以上5m
m以下である。
じる反りを低減することができる。
3に示す例のように、平面視でそれぞれ複数行および複数列に等間隔で配置されていることが好適である。
量%、希土類元素の酸化物の粉末を4〜10質量%、酸化アルミニウム(Al2O3)の粉末を0.1〜0.5質量%、残部を窒化珪素となるように秤量すればよい。
体積が90%となる粒径(D90)が3μm以下となるまで粉砕することが、焼結性の向上という点から好ましい。粉砕によって得られる粒度分布は、ボールの外径,ボールの量,スラリーの粘度,粉砕時間等で調整することができる。
とが、成形性のために好ましい。さらに、分散性を高めるために分散剤を添加することが好ましい。
ッシュまたはこのメッシュより細かいメッシュの篩いに通した後に乾燥させて、窒化珪素を主成分とする顆粒(以下、窒化珪素質顆粒という。)を得る。乾燥は、噴霧乾燥機で乾燥させてもよく、他の方法であっても何ら問題ない。そして、粉末圧延法を用いて窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断して窒化珪素を主成分とする成形体(以下、窒化珪素質成形体という。)を得る。あるいは、粉末圧延法に代えて、加圧成形法を用い、窒化珪素質顆粒を成形型に充填してから加圧することによって、形状が、例えば、角柱状,角板状,円柱状または円板状である窒化珪素質成形体を得る。
発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成する。この共材は窒化珪素質成形体の各質量の合計に対して、2質量%以上10質量%未満の量が好ましい。
の後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を15〜900kPaに維持する。そして、さらに昇温
を進めて、1560℃以上1640℃以下で4時間より長く6時間以下保持した後、さらに温度を上げて1740℃以上1800℃未満で4時間以上10時間以下保持する。その後、500℃/時間以
上の降温速度で冷却することによって、窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類元素およびアルミニウムを酸化物換算でそれぞれ2質量%以上6質量%以下,4質量%以上10質量%以下,0.1質量%以上0.5質量%以下含んでなり、β−Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7(REは希土類元素)として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率(I1/I0)が20%以下(但し、0%を除く)である本実施形態の窒化珪素質焼結体を得ることができる。
水とともに湿式混合し、粉砕してスラリーを作製すればよい。そして、スラリーを作製した後は、上述した方法と同じ方法で作製することにより、カルシウムを含んでなる白状斑点が粒界相に存在している窒化珪素質焼結体を得ることができる。
個以下存在する窒化珪素質焼結体を得るには、混合装置による混合・粉砕時間を例えば24時間以上72時間以下とすればよい。
であり、Y方向の長さが10mm以上120mm以下であり、厚みが0.2mm以上1.0mm以下
である支持基板11を上述した製造方法により準備する。次いで、この支持基板11の両主面上に、接合層14a,14bとなる、チタン,ジルコニウム,ハフニウムおよびニオブから選ばれる1種以上を含有する銀(Ag)−銅(Cu)系合金のペースト状のろう材を、スク
リーン印刷法,ロールコーター法および刷毛塗り法等のいずれかで塗布し、第1主面側に銅を主成分とする回路部材12a,12bを、第2主面側に銅を主成分とする放熱部材13を配置する。上記ペースト状のろう材には、モリブデン,タンタル,オスミウム,レニウムおよびタングステンから選ばれる1種以上を含有させてもよい。その後、真空雰囲気中、800℃以上900℃以下で加熱し、同時に30MPa以上の圧力を加えることによって、支持基板11の第1主面側に回路部材12a,12bを、第2主面側に放熱部材13をそれぞれろう材14a,14bを介して接合してなる回路基板10を得ることができる。
によって、窒化珪素質顆粒を得た。そして、粉末圧延法を用いて、窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断し、平板状の窒化珪素質成形体を得た。
スを導入して、窒素分圧を100kPaに維持した。そして、焼成炉内の温度を上げて1580
℃で4時間保持した後、さらに温度を上げて1750℃として、5時間保持した。そして、表1に示す降温速度で冷却することによって、長さが60mm,幅が30mm,厚みが0.32mmの窒化珪素質焼結体である試料No.1〜44を得た。
強度を第1のピーク強度I0とした。また、表1に記載したPDF(登録商標)Numberで示
されるカードと照合して、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の最も高い強度を第1のピーク強度I1とした。なお、回折角27°〜28°におけるβ−Si3N4の第1のピーク強度I0および回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1は、粉末X線回折法によって得られた回折強度曲線からバックグラウンド強度を除去した値である。そして、回折角27°〜28°におけるβ−Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1とを用いて比率(I1/I0)を算出し、算出値を表1に示した。
κ=α・C・ρ
また、各試料の絶縁耐力を評価するために、各試料の絶縁破壊の強さ(MV/m)をJIS C 2141−1992(IEC 672-2(1980))に準拠して測定し、その値を表1に示
した。なお、各試料に形成する電極の材質は黄銅とし、各試料の周囲媒質としてシリコーン油を用いた。
幅が4mm,厚みが3mmの角柱体における3点曲げ強度(MPa)を測定し、その値を表1に示した。
%以上0.5質量%以下含んでなり、β−Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4
Si2N2O7として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率(I1/I0)が20%以下(但し、0%を除く)であることから、絶縁破壊の強さが18MV/m以上であり、熱伝導率が50W/(m・K)以上であり、3点曲げ強度が735MPa以上で
あった。この結果から、本実施形態の窒化珪素質焼結体は、RE4Si2N2O7の結晶
化に伴う体積収縮は小さく、粒界相内に隙間は生じにくいことから、絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体であることがわかった。
す。
となるように、また、第1金属の含有量の合計および第2金属の含有量の合計が珪化物換算でそれぞれ0.4質量%,5質量%となるように、それぞれ秤量した。ただし、試料No
.45,63は、第2金属の珪化物の粉末を添加していない。
によって、窒化珪素質顆粒を得た。そして、この窒化珪素質顆粒を、乾式加圧成形法を用いて、先端部が円錐形である円柱状の窒化珪素質成形体を作製した。
お、降温速度は、500℃/時間とした。
れぞれの珪化物の結晶構造が近似しているために接触する確率が増加することにより、耐熱衝撃性をさらに高くできることがわかった。
とした。
カメラでこの範囲の画像を取り込み、画像解析ソフト「A像くん」(登録商標、旭化成エンジニアリング(株)製)を用いて、粒子解析という手法で解析した。このとき、設定条件としては、明度を暗、2値化の方法を手動、小図形除去面積を5μm2、画像の明暗を示す指標であるしきい値を、画像内の各点(各ピクセル)が有する明るさを示すヒストグラムのピーク値の0.8倍以上2倍以下に設定して行ない、結果を表5に示した。
℃で加熱して、ろう材からなる接合層を介して各試料の両主面に銅材を接合した。そして、この銅材を電極として、各試料の絶縁抵抗を測定し、結果を表5に示した。
よび熱伝導率が高い結果を得られており、絶縁耐力が高く、放熱特性を向上させた窒化珪素質焼結体とできることがわかった。
2:組成式がRE4Si2N2O7(REは希土類元素)として示される成分
3:粒界相
4:第1金属の珪化物
5:第2金属の珪化物
6a:固溶体
6b:金属間化合物
10:回路基板
11:支持基板(窒化珪素質焼結体)
12a,12b:回路部材
13:放熱部材
14a,14b:接合層
16,17:電子部品
Claims (7)
- 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム,希土類元素およびアルミニウムを酸化物換算でそれぞれ2質量%以上6質量%以下,4質量%以上10質量%以下,0.1質量%以上0.5質量%以下含んでなり、β−Si3N4からなる主結晶相と、組成式がRE4Si2N2O7(REは希土類元素)として示される成分を含む粒界相とにより構成され、X線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Si3N4の第1のピーク強度I0に対する、回折角30°〜35°におけるRE4Si2N2O7の第1のピーク強度I1の比率(I1/I0)が20%以下(但し、0%を除く)であることを特徴とする窒化珪素質焼結体。
- 前記比率(I1/I0)が4%以上であることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質焼結体。
- 前記粒界相中に、鉄および銅の少なくとも1種からなる第1金属の珪化物と、モリブデン,クロム,ニッケル,マンガンおよびタングステンの少なくともいずれか1種からなる第2金属の珪化物とを含み、前記第1金属の珪化物と前記第2金属の珪化物とが接触していることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の窒化珪素質焼結体。
- カルシウムを含んでなる白状斑点が前記粒界相に存在していることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質焼結体。
- 円相当径が2μm以上50μm以下の前記白状斑点が、1mm2当たり550個以上1650個以下存在していることを特徴とする請求項4に記載の窒化珪素質焼結体。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の窒化珪素質焼結体を支持基板とし、該支持基板の第1主面側に回路部材が、前記第1主面に対向する第2主面側に放熱部材がそれぞれ設けられていることを特徴とする回路基板。
- 請求項6に記載の回路基板における前記回路部材上に電子部品が搭載されていることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012076856A JP5755170B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012076856A JP5755170B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013203633A true JP2013203633A (ja) | 2013-10-07 |
JP5755170B2 JP5755170B2 (ja) | 2015-07-29 |
Family
ID=49523132
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012076856A Active JP5755170B2 (ja) | 2012-03-29 | 2012-03-29 | 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5755170B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015060274A1 (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板 |
JP2015086098A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体および時計用装飾部品 |
JP2015164184A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-09-10 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 |
WO2018079788A1 (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 京セラ株式会社 | プローブカード用基板、プローブカード、および検査装置 |
JP2022522804A (ja) * | 2019-03-05 | 2022-04-20 | 青島瓷興新材料有限公司 | 窒化ケイ素、セラミックスラリー及び調製方法 |
WO2022163730A1 (ja) * | 2021-01-27 | 2022-08-04 | Agc株式会社 | 窒化ケイ素焼結体および窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
WO2024019143A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Agc株式会社 | 窒化ケイ素焼結体及び窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212441A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-08-04 | Ngk Insulators Ltd | セラミック配線基板 |
JPH0987037A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-03-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化ケイ素質焼結体とその製造方法 |
JPH11310464A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Kyocera Corp | 窒化珪素質放熱部材及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012076856A patent/JP5755170B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04212441A (ja) * | 1990-09-18 | 1992-08-04 | Ngk Insulators Ltd | セラミック配線基板 |
JPH0987037A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-03-31 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 窒化ケイ素質焼結体とその製造方法 |
JPH11310464A (ja) * | 1998-04-27 | 1999-11-09 | Kyocera Corp | 窒化珪素質放熱部材及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6015016631; YAMAMOTO,H. et al: '"Densification behaviors and high-temperature characteristics of Si3N4 sintered bodies using Al2O3-Y' Journal of the European Ceramic Society Vol.26, 20050401, pp.1059-1067 * |
JPN6015016634; WANG,L. et al: '"Formation of beta-Silicon Nitride Crystals from (Si,Al,Mg,Y)(O,N) Liquid: I, Phase, Composition, and' Journal of the American Ceramic Society Vol.86, No.9, 2003, pp.1578-1585 * |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10322934B2 (en) | 2013-10-23 | 2019-06-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same |
CN105683129A (zh) * | 2013-10-23 | 2016-06-15 | 株式会社东芝 | 氮化硅基板及使用其的氮化硅电路基板 |
JPWO2015060274A1 (ja) * | 2013-10-23 | 2017-03-09 | 株式会社東芝 | 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板 |
US9630846B2 (en) | 2013-10-23 | 2017-04-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same |
JP2017152707A (ja) * | 2013-10-23 | 2017-08-31 | 株式会社東芝 | 圧接構造用窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板 |
JP2017165647A (ja) * | 2013-10-23 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板 |
JP2017178776A (ja) * | 2013-10-23 | 2017-10-05 | 株式会社東芝 | 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板 |
US9884762B2 (en) | 2013-10-23 | 2018-02-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride substrate and silicon nitride circuit board using the same |
WO2015060274A1 (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 株式会社東芝 | 窒化珪素基板およびそれを用いた窒化珪素回路基板 |
JP2015086098A (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質焼結体および時計用装飾部品 |
JP2015164184A (ja) * | 2014-01-30 | 2015-09-10 | 京セラ株式会社 | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 |
WO2018079788A1 (ja) * | 2016-10-31 | 2018-05-03 | 京セラ株式会社 | プローブカード用基板、プローブカード、および検査装置 |
KR20190052067A (ko) * | 2016-10-31 | 2019-05-15 | 쿄세라 코포레이션 | 프로브 카드용 기판, 프로브 카드 및 검사장치 |
TWI648541B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-01-21 | 日商京瓷股份有限公司 | 探針卡用基板、探針卡及檢查裝置 |
JPWO2018079788A1 (ja) * | 2016-10-31 | 2019-09-26 | 京セラ株式会社 | プローブカード用基板、プローブカード、および検査装置 |
KR102176900B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2020-11-10 | 교세라 가부시키가이샤 | 프로브 카드용 기판, 프로브 카드 및 검사장치 |
US10996241B2 (en) | 2016-10-31 | 2021-05-04 | Kyocera Corporation | Probe card board, probe card, and inspection apparatus |
JP2022522804A (ja) * | 2019-03-05 | 2022-04-20 | 青島瓷興新材料有限公司 | 窒化ケイ素、セラミックスラリー及び調製方法 |
JP7329878B2 (ja) | 2019-03-05 | 2023-08-21 | 青島瓷興新材料有限公司 | 窒化ケイ素、セラミックスラリー及び調製方法 |
WO2022163730A1 (ja) * | 2021-01-27 | 2022-08-04 | Agc株式会社 | 窒化ケイ素焼結体および窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
WO2024019143A1 (ja) * | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Agc株式会社 | 窒化ケイ素焼結体及び窒化ケイ素焼結体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5755170B2 (ja) | 2015-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5755170B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 | |
JP5850031B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体、窒化珪素回路基板及び半導体モジュール | |
JP5665769B2 (ja) | 窒化珪素質基板およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 | |
KR101246978B1 (ko) | 질화규소 기판, 그 제조방법, 그것을 사용한 질화규소배선기판 및 반도체 모듈 | |
JP5743830B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置 | |
JP5665988B2 (ja) | 回路基板および電子装置 | |
EP2546216B1 (en) | Ceramic sintered compact, circuit board using the same, electronic device and thermoelectric conversion module | |
JP2008063187A (ja) | 窒化珪素焼結体、放熱絶縁用セラミックス基板、放熱絶縁用回路基板、及び放熱絶縁用モジュール | |
JP2012136378A (ja) | 回路基板およびこれを用いた電子装置 | |
JP6251381B2 (ja) | 流路部材および半導体モジュール | |
JP6396817B2 (ja) | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 | |
JP5743752B2 (ja) | 回路基板 | |
JP2010235335A (ja) | セラミック焼結体、放熱基体および電子装置 | |
JP4556162B2 (ja) | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた回路基板 | |
WO2020203683A1 (ja) | 窒化ケイ素焼結体及びその製造方法、並びに積層体及びパワーモジュール | |
JP6240034B2 (ja) | 窒化珪素質基板およびこれを備える回路基板ならびに電子装置 | |
JP2002293641A (ja) | 窒化ケイ素質焼結体 | |
JP2005101624A (ja) | パワーモジュール用配線基板 | |
JPH11100273A (ja) | 窒化珪素質焼結体、その製造方法及びそれを用いた回路基板 | |
JP2021130595A (ja) | 窒化珪素基板及びパワーモジュール | |
JP2014123603A (ja) | Ptc素子の製造方法、ptc素子、及び発熱モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140818 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150313 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150526 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5755170 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |