JPWO2018051930A1 - レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
当該レジスト下層膜形成用組成物は、芳香環に縮合したオキサジン環を有する第1化合物(以下、「[A]化合物」ともいう)と、溶媒(以下、「[B]溶媒ともいう」)とを含有する。当該レジスト下層膜形成用組成物は、好適成分として、酸発生剤(以下、「[C]酸発生剤」ともいう)及び/又は架橋剤(以下、「[D]架橋剤」ともいう)を含有していてもよく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。以下各成分について説明する。
[A]化合物は、芳香環に縮合したオキサジン環を有する化合物である。「芳香環に縮合したオキサジン環」とは、芳香環と2個の炭素原子を共有するオキサジン環(−O−C−N−C−C−C−の原子で構成される環)を意味する。これらの中で、O原子を1位と、N原子を3位とした場合、5,6位で芳香環と縮合したオキサジン環が好ましい。芳香環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラセン環等の炭素数6〜20の芳香環等が挙げられる。これらの中で、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。[A]化合物は1種又は2種以上を用いることができる。
オキソアルキル基、チオアルキル基、アルキルアミノアルキル基、アルコキシアルキル基、アルキルチオアルキル基等のヘテロ原子含有鎖状基、
オキソシクロアルキル基、チオシクロアルキル基、アザシクロアルキル基、オキサシクロアルキル基、チアシクロアルキル基、オキソシクロアルケニル基、オキサチアシクロアルキル基等の脂肪族複素環基、
ピローリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、フリル基、ピラニル基、チエニル基、ベンゾチオフェニル基等のヘテロアリール基などの芳香族複素環基などが挙げられる。
基(I−1)は、下記式(1−1)で表される基である。
基(I−2)は、下記式(1−2)で表される基である。
化合物(i−1)は、下記式(i−1)で表される化合物である。
化合物(i−2)は、下記式(i−2)で表される化合物である。
樹脂(I)は、基(I)を有する樹脂である。樹脂(I)としては、主鎖に芳香環を有する樹脂、主鎖に芳香環を有さず側鎖に芳香環を有する樹脂等が挙げられる。ここで、「主鎖」とは、[A]化合物における原子により構成される鎖のうち最も長いものをいう。「側鎖」とは、[A]化合物における原子により構成される鎖のうち最も長いもの以外をいう。樹脂(I)は、通常、基(I)を複数個有する化合物である。
フェノール樹脂は、フェノール化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が基(I)を有する樹脂である。フェノール樹脂は、例えば上記フェノール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒又はアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより合成することができる。
ホルムアルデヒド等のアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のアルデヒド源などが挙げられる。
ナフトール樹脂は、ナフトール化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が基(I)を有する樹脂である。ナフトール樹脂は、例えば上記ナフトール化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒又はアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂のナフトール構造から基(I−1)を形成することにより合成することができる。
ナフトール化合物としては、例えばα−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、2,7−ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。
フルオレン樹脂は、フルオレン化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が基(I)を有する樹脂である。フルオレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するフルオレン化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒又はアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂のヒドロキシアリール構造から基(I−1)を形成することにより合成することができる。また、アミノ基を有するフルオレン化合物に由来する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。
フルオレン化合物としては、例えば9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス(6−ヒドロキシナフチル)フルオレン等が挙げられる。
芳香環含有ビニル系樹脂は、芳香環及び重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が基(I)を有する樹脂である。芳香環含有ビニル系樹脂は、例えばフェノール水酸基を有する芳香環及び重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基を有する芳香環及び重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。
アセナフチレン樹脂は、アセナフチレン化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が基(I)を有する樹脂である。アセナフチレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するアセナフチレン化合物に由来する構造単位を有する樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基含有構造を有するアセナフチレン化合物に由来する構造単位を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。
インデン樹脂は、インデン化合物に由来する構造単位を有し、上記構造単位が基(I)を有する樹脂である。インデン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するインデン化合物に由来する構造単位を有する樹脂のヒドロキシアリール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基含有構造を有するインデン化合物に由来する構造単位を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。
アリーレン樹脂は、基(I)を有するアリーレン骨格を有する樹脂である。アリーレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するアリーレン骨格を有する樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基含有構造を有するアリーレン骨格を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。アリーレン骨格としては、例えばフェニレン骨格、ナフチレン骨格、ビフェニレン骨格等が挙げられる。
トリアジン樹脂は、基(I)を有するトリアジン骨格を有する樹脂である。トリアジン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するトリアジン骨格を有する樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基含有構造を有するトリアジン骨格を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。
ピレン樹脂は、基(I)を有するピレン骨格を有する樹脂である。ピレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するピレン骨格を有する樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基含有構造を有するピレン骨格を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。ヒドロキシアリール構造を有するピレン骨格を有する樹脂は、例えばフェノール性水酸基を有するピレン化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒を用いて反応させて得られる樹脂である。アミノ基含有構造を有するピレン骨格を有する樹脂は、例えばアミノ基含有構造を有するピレン化合物と、アルデヒド化合物とを酸性触媒を用いて反応させて得られる樹脂である。
フラーレン樹脂は、基(I)を有するフラーレン骨格を有する樹脂である。フラーレン樹脂は、例えばヒドロキシアリール構造を有するフラーレン骨格を有する樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより、また、アミノ基含有構造を有するフラーレン骨格を有する樹脂のアミノ基含有構造から基(I−2)を形成することにより合成することができる。
カリックスアレーン樹脂は、フェノール性水酸基が結合する芳香環が炭化水素基を介して複数個環状に結合し、基(I)を有する環状オリゴマーである。基(I)を有するカリックスアレーン樹脂は、例えばカリックスアレーン樹脂のフェノール構造から基(I−1)を形成することにより合成することができる。
[B]溶媒は、[A]重合体及び必要に応じて含有する任意成分を溶解又は分散することができれば特に限定されない。
[C]酸発生剤は、熱や光の作用により酸を発生し、[A]化合物の架橋を促進する成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物が[C]酸発生剤を含有することで[A]化合物の架橋反応が促進され、形成される膜の硬度をより高めることができる。[C]酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
その他の任意成分として、例えば界面活性剤、密着助剤等が挙げられる。
当該レジスト下層膜形成用組成物は、界面活性剤を含有することで塗布性を向上させることができ、その結果、形成される膜の塗布面均一性が向上し、かつ塗布斑の発生を抑制することができる。界面活性剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
当該レジスト下層膜形成用組成物は、[A]化合物、[B]溶媒、必要に応じて、[C]酸発生剤及びその他の任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合物を0.1μm程度のメンブランフィルター等でろ過することにより調製できる。当該レジスト下層膜形成用組成物の固形分濃度の下限としては、0.1質量%が好ましく、1質量%がより好ましく、3質量%がさらに好ましく、5質量%が特に好ましい。上記固形分濃度の上限としては、50質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、20質量%がさらに好ましく、15質量%が特に好ましい。
本発明のレジスト下層膜は、当該レジスト下層膜形成用組成物から形成される。当該レジスト下層膜は、上述の当該レジスト下層膜形成用組成物から形成されるので、平坦性に優れ、かつ溶媒耐性及びエッチング耐性に優れている。
当該レジスト下層膜の形成方法は、基板の一方の面側に上述の当該レジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程(以下、「塗工工程」ともいう)と、上記塗工工程により得られる膜を加熱する工程(以下、「加熱工程」ともいう)とを備える。当該レジスト下層膜の形成方法によれば、上述のレジスト下層膜形成用組成物を用いるので、平坦性に優れると共に、溶媒耐性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。
本工程では、基板の一方の面側に当該レジスト下層膜形成用組成物を塗工する。
本工程では、上記塗工工程により得られる塗工膜を加熱する。これにより、レジスト下層膜が形成される。
本発明のパターニングされた基板の製造方法は、上述のレジスト下層膜の形成方法により得られるレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)と、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程(以下、「エッチング工程」ともいう)とを備える。
本工程では、上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側に中間層を形成する。この中間層は、レジストパターン形成において、レジスト下層膜及び/又はレジスト膜が有する機能をさらに補ったり、これらが有していない機能を与えたりするために上記機能が付与された層のことである。例えば反射防止膜を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能をさらに補うことができる。
本工程では上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する。上記中間層形成工程を行った場合は、中間層の基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する。この工程を行う方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法等が挙げられる。
本工程では、上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う。これにより、基板にパターンが形成される。エッチングの回数としては1回でも、複数回、すなわちエッチングにより得られるパターンをマスクとして順次エッチングを行ってもよいが、より良好な形状のパターンを得る観点からは、複数回が好ましい。複数回のエッチングを行う場合、上記中間層を有さない場合はレジスト下層膜、基板の順に順次エッチングし、上記中間層を有する場合は中間層、レジスト下層膜、基板の順に順次エッチングを行う。エッチングの方法としては、ドライエッチング、ウエットエッチング等が挙げられる。これらの中で、基板のパターンの形状をより良好なものとする観点から、ドライエッチングが好ましい。このドライエッチングには、例えば酸素プラズマ等のガスプラズマ等が用いられる。上記エッチングの後、所定のパターンを有するパターニングされた基板が得られる。
[A]化合物が重合体である場合のMwは、東ソー社のGPCカラム(「G2000HXL」2本及び「G3000HXL」1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(検出器:示差屈折計)により測定した。
膜の平均厚みは、分光エリプソメータ(J.A.WOOLLAM社の「M2000D」)を用いて測定した。
[[A1]化合物の合成]
下記式(A1−1)〜(A1−18)で表される化合物を以下に示す手順により合成した。
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた500mLの3口フラスコに、窒素雰囲気下、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン15.0g、パラホルムアルデヒド13.5g、n−プロピルアミン11.8g及び酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル100gを加えて溶解させた。得られた溶液を105℃に加熱し、15時間反応させた。反応溶液にメチルイソブチルケトン及び水を加えて、分液抽出を行った後、エバポレーターを用いて得られた有機層を濃縮した後、ヘキサンに投入して再沈殿させ、沈殿物を回収、乾燥させることで、上記式(A1−1)で表される化合物を得た。
前駆体を適宜選択し、合成例1−1−1と同様にして、上記化合物(A1−2)〜(A1−17)を合成した。
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた500mLの3口フラスコに、窒素雰囲気下、ポリヒドロキシスチレン(丸善石油化学社の「マルカリンカ―M」、Mw:2,000)15.0g、パラホルムアルデヒド12.3g、ベンジルアミン19.7g及び酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル100gを加え、室温にて溶解させた。得られた溶液を105℃に加熱し、15時間反応させた。反応溶液にメチルイソブチルケトン及び水を加えて、分液抽出を行った後、エバポレーターを用いて得られた有機層を濃縮した後、ヘキサンに投入して再沈殿させ、沈殿物を回収、乾燥させることで、上記式(A1−18)で表される樹脂を得た。得られた樹脂(A1−18)のMwは4,100であった。
下記式(A2−1)〜(A2−20)で表される化合物を以下に示す手順により合成した。
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた反応容器に、窒素雰囲気下、トリス(4−アミノフェニル)メタノール15.0g、パラホルムアルデヒド14.8g、2−ナフトール31.9g及び酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル123.2gを加えて溶解させた。得られた溶液を105℃に加熱し、15時間反応させた。反応溶液にメチルイソブチルケトン及び水を加えて、分液抽出を行った後、エバポレーターを用いて得られた有機層を濃縮した後、メタノールに投入して再沈殿させ、沈殿物を回収、乾燥させることで、上記式(A2−1)で表される化合物を得た。
前駆体を適宜選択し、合成例1−2−1と同様にして、上記化合物(A2−2)〜(A2−19)を合成した。
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた反応容器に、窒素雰囲気下、ポリ(4−ビニルアニリン)10.0g、パラホルムアルデヒド7.5g、2−ナフトール16.2g及び酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル67.5gを加えて溶解させた。得られた溶液を105℃に加熱し、15時間反応させた。反応溶液にメチルイソブチルケトン及び水を加えて、分液抽出を行った後、エバポレーターを用いて得られた有機層を濃縮した後、メタノールに投入して再沈殿させ、沈殿物を回収、乾燥させることで、芳香環含有ビニル系樹脂である上記式(A2−20)で表される化合物を得た。得られた樹脂(A2−20)のMwは4,500であった。
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた500mLの3口フラスコに、窒素雰囲気下、m−クレゾール250.0g、37質量%ホルマリン125.0g及び無水シュウ酸2gを加え、100℃で3時間、180℃で1時間反応させ、減圧下にて未反応モノマーを除去し、下記式(a−1)で表される樹脂を得た。得られた樹脂(a−1)のMwは11,000であった。
レジスト下層膜形成用組成物の調製に用いた[A]化合物、[B]溶媒、[C]酸発生剤及び[D]架橋剤について以下に示す。
実施例:上記合成した化合物(A1−1)〜(A1−17)、樹脂(A1−18)、化合物(A2−1)〜(A2−19)及び樹脂(A2−20)
比較例:上記合成した樹脂(a−1)並びに下記式(a−2)及び(a−3)で表される化合物
B−1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
B−2:シクロヘキサノン
C−1:ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ−n−ブタンスルホネート(下記式(C−1)で表される化合物)
D−1:1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル(下記式(D−1)で表される化合物)
[A]化合物としての(A1−1)10質量部を[B]溶媒としての(B−1)90質量部に溶解した。得られた溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過して、レジスト下層膜形成用組成物(J1−1)を調製した。
下記表1及び表2に示す種類及び含有量の各成分を使用した以外は実施例1−1−1と同様に操作して、レジスト下層膜形成用組成物(J1−2)〜(J1−19)、(J2−1)〜(J2−20)及び(CJ−1)〜(CJ−3)を調製した。表1及び表2中の「−」は、該当する成分を使用しなかったことを示す。
[実施例2−1−1〜2−1−19、2−2−1〜2−2−20及び比較例2−1〜2−3]
上記調製したレジスト下層膜形成用組成物を、シリコンウエハ基板上に、スピンコート法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて、下記表3及び表4に示す加熱温度(℃)及び加熱時間(sec)で加熱(焼成)し、平均厚み200nmのレジスト下層膜を形成して、基板上にレジスト下層膜が形成されたレジスト下層膜付き基板を得た。表3中の「−」は、比較例2−1がエッチング耐性の評価の基準であることを示す。
上記得られたレジスト下層膜形成用組成物及び上記得られたレジスト下層膜付き基板を用い、下記項目について下記方法で評価を行った。評価結果を下記表3及び表4に示す。
上記得られたレジスト下層膜付き基板をシクロヘキサノン(室温)に1分間浸漬した。浸漬前後の平均膜厚を測定した。浸漬前のレジスト下層膜の平均厚みをX0、浸漬後のレジスト下層膜の平均厚みをXとして、(X−X0)×100/X0で求められる数値の絶対値を算出し、膜厚変化率(%)とした。溶媒耐性は、膜厚変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上5%未満の場合は「B」(やや良好)と、5%以上の場合は「C」(不良)と評価した。
上記得られたレジスト下層膜付き基板におけるレジスト下層膜を、エッチング装置(東京エレクトロン社の「TACTRAS」)を用いて、CF4/Ar=110/440sccm、PRESS.=30MT、HF RF(プラズマ生成用高周波電力)=500W、LF RF(バイアス用高周波電力)=3000W、DCS=−150V、RDC(ガスセンタ流量比)=50%、30secの条件にて処理し、処理前後のレジスト下層膜の平均厚みからエッチング速度(nm/分)を算出し、比較例2−1におけるエッチング速度に対する比率を求め、エッチング耐性の尺度とした。エッチング耐性は、上記比率が0.95以上0.98未満の場合は「A」(極めて良好)と、0.98以上1.00未満の場合は「B」(良好)と、1.0以上の場合は「C」(不良)と評価した。
上記調製したレジスト下層膜形成用組成物を、図1に示すように、深さ100nm、幅10μmのトレンチパターンが形成されたシリコン基板1上に、スピンコーター(東京エレクトロン社の「CLEAN TRACK ACT12」)を用い、スピンコート法により塗工した。スピンコートの回転速度は、上記「レジスト下層膜の形成」において、平均厚み200nmのレジスト下層膜を形成する場合と同じとした。次いで、大気雰囲気下にて、250℃で60秒間焼成(ベーク)し、非トレンチパターンの部分における平均厚み200nmの膜2を形成し、上記シリコン基板が膜で被覆された膜付きシリコン基板を得た。
2 膜
Claims (15)
- 芳香環に縮合したオキサジン環を有する第1化合物と、
溶媒と
を含有するレジスト下層膜形成用組成物。 - 上記第1化合物が、芳香環に縮合したオキサジン環を複数有する請求項1に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物が、下記式(1)で表される部分構造を有する請求項1又は請求項2に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物が、下記式(1−1)で表される基、下記式(1−2)で表される基又はこれらの組み合わせを有する請求項3に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物が、上記式(1−1)で表される基及び上記式(1−2)で表される基のうちの少なくとも一方を複数有する請求項4に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物が下記式(i−1)、下記式(i−2)又はこれらの組み合わせで表される請求項3に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記式(1−1)又は(i−1)のR1Aが、1価の炭化水素基、ヘテロアリール基又はアリールアミノ基である請求項4、請求項5又は請求項6に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記式(i−1)のR7Aの有機基及び上記式(i−2)のR7Bの有機基が、炭素数1〜20の炭化水素基、この炭化水素基の炭素−炭素間に2価のヘテロ原子含有基を有する基(α)、又は上記炭化水素基若しくは上記2価のヘテロ原子含有基を含む基(α)の有する水素原子の一部若しくは全部を1価のヘテロ原子含有基で置換した基(β)である請求項6に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記式(1−1)又は(i−1)のAr1A及び上記式(1−2)又は(i−2)のAr1Bにおけるアレーンが、ベンゼン又はナフタレンである請求項4から請求項8のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物における同一の芳香環に2以上のオキサジン環が縮合している請求項1に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物が、樹脂である請求項1から請求項4のいずれか1項又は請求項10に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 上記第1化合物の含有量が1質量%以上50質量%以下である請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
- 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜。
- 請求項1から請求項12のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を基板の一方の面側に塗工する工程と、
上記塗工工程により得られる塗工膜を加熱する工程と
を備えるレジスト下層膜の形成方法。 - 請求項14に記載のレジスト下層膜の形成方法により得られるレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとしたエッチングを行う工程と
を備えるパターニングされた基板の製造方法。
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