TWI830827B - 抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及抗蝕劑圖案形成方法 - Google Patents

抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及抗蝕劑圖案形成方法 Download PDF

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Abstract

本發明是一種抗蝕劑底層膜形成用組成物，其含有：具有芳香環的化合物；具有氟原子的聚合體；以及有機溶媒，且所述具有氟原子的聚合體具有：下述式（1）所表示的第一結構單元、及下述式（2）所表示的第二結構單元。下述式（1）中，R1 為具有氟原子的碳數1～20的一價有機基。R2 為氫原子或碳數1～20的一價烴基。下述式（2）中，R3 為碳數1～20的一價烴基。R4 為氫原子或碳數1～20的一價烴基。

Description

抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及抗蝕劑圖案形成方法
本發明是有關於一種抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及抗蝕劑圖案形成方法。
於製造半導體元件時，採用如下方法：於基板的至少一面側藉由抗蝕劑底層膜形成用組成物形成抗蝕劑底層膜，並於該抗蝕劑底層膜的與所述基板相反的面側使用抗蝕劑膜形成用組成物等形成抗蝕劑圖案。可將該抗蝕劑圖案作為遮罩而對抗蝕劑底層膜進行蝕刻，並將所得到的抗蝕劑底層膜圖案作為遮罩，進一步對基板進行蝕刻。
對此種抗蝕劑底層膜形成用組成物中使用的材料進行了各種研究(參照日本專利特開2013-83833號公報)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-83833號公報
最近，使用包括多種溝槽、特別是具有相互不同的縱橫 比的溝槽的基板。該情況下，對於抗蝕劑底層膜形成用組成物，要求可形成埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜。
本發明是基於如上所述的情況而形成，其目的在於提供一種可形成埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜的抗蝕劑底層膜形成用組成物、抗蝕劑底層膜及抗蝕劑圖案形成方法。
為了解決所述課題而形成的發明是一種抗蝕劑底層膜形成用組成物，其含有：具有芳香環的化合物；具有氟原子的聚合體；以及有機溶媒，且所述具有氟原子的聚合體具有：下述式(1)所表示的第一結構單元、及下述式(2)所表示的第二結構單元。
Figure 108143469-A0305-02-0004-1
(式(1)中，R1為具有氟原子的碳數1~20的一價有機基。R2為氫原子或碳數1~20的一價烴基)
[化2]
Figure 108143469-A0305-02-0005-2
(式(2)中，R3為碳數1~20的一價烴基。R4為氫原子或碳數1~20的一價烴基)
為了解決所述課題而形成的另一發明是一種抗蝕劑底層膜，其是由該抗蝕劑底層膜形成用組成物形成。
為了解決所述課題而形成的進而又一發明是一種抗蝕劑圖案形成方法，其包括：將該抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷於基板的其中一面側的步驟；將含矽膜形成於藉由所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜的與所述基板相反的面側的步驟；將抗蝕劑膜形成用組成物塗敷於所述含矽膜的與所述基板相反的面側的步驟；利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光的步驟；以及對所述經曝光的抗蝕劑膜進行顯影的步驟。
根據本發明的抗蝕劑底層膜形成用組成物，可形成埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜。本發明的抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性優異。根據本發明的抗蝕劑圖案形成方法，藉由使用此種埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜，可形成良好的抗蝕劑 圖案。因此，該些可適宜地用於今後預計進一步進行微細化的半導體元件的製造等。
1:矽基板
2:抗蝕劑底層膜
a:非溝槽圖案的部分
b:溝槽圖案的中央部分
△FT:高度差
圖1是用於說明平坦性的評價方法的示意剖面圖。
<抗蝕劑底層膜形成用組成物>
該抗蝕劑底層膜形成用組成物含有：具有芳香環的化合物(以下，亦稱為「[A]化合物」)；具有氟原子的聚合體(以下，亦稱為「[B]聚合體」)；以及有機溶媒(以下，亦稱為「[C]有機溶媒」)，且所述[B]聚合體具有：式(1)所表示的第一結構單元(以下，亦稱為「結構單元(I)」)、及式(2)所表示的第二結構單元(以下，亦稱為「結構單元(II)」)。
該抗蝕劑底層膜形成用組成物較佳為除了[A]化合物、[B]聚合體及[C]有機溶媒以外，亦含有酸產生劑(以下，亦稱為「[D]酸產生劑」)及/或交聯劑(以下，亦稱為「[E]交聯劑」)，於不損及本發明的效果的範圍內，亦可含有其他任意成分。
該抗蝕劑底層膜形成用組成物藉由含有[A]化合物、[B]聚合體、以及[C]有機溶媒，且[B]聚合體具有結構單元(I)與結構單元(II)，可形成埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜。關於該抗蝕劑底層膜形成用組成物藉由具備所述構成而發揮所述效果的理由，雖未必明確，但例如認為：藉由向具有芳香環的[A]化合 物中加入具有結構單元(I)及結構單元(II)的特定結構的[B]聚合體，從而抗蝕劑底層膜形成用組成物的塗敷步驟中抗蝕劑底層膜形成用組成物的流動性等提升等。
以下，對各成分進行說明。
<[A]化合物>
[A]化合物為具有芳香環的化合物。作為[A]化合物，若具有芳香環，則可無特別限定地使用。[A]化合物可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
作為芳香環，例如可列舉：苯環、萘環、蒽環、茚環、芘環、亞芴基聯苯環、亞芴基聯萘環等芳香族烴環，呋喃環、吡咯環、噻吩環、磷雜環戊二烯(phosphole)環、吡唑環、噁唑環、異噁唑環、噻唑環、吡啶環、吡嗪環、嘧啶環、噠嗪環、三嗪環等芳香族雜環等。該些中，較佳為芳香族烴環。
作為[A]化合物，可列舉：具有包含芳香環的結構單元的聚合體(以下，亦稱為「[A]聚合體」)、含芳香環的化合物等。所謂「聚合體」，是指具有兩個以上的結構單元的化合物。所謂「含芳香環的化合物」，是指包含芳香環、且具有一個結構單元的化合物。作為含芳香環的化合物的分子量，例如為300以上且3,000以下。該抗蝕劑底層膜形成用組成物若使用[A]聚合體作為[A]化合物，則可進一步提升塗敷性。
作為[A]聚合體，例如可列舉：於主鏈具有芳香環的聚合體、於主鏈不具有芳香環而於側鏈具有芳香環的聚合體等。所 謂「主鏈」，是指聚合體中的由原子構成的鏈中最長的鏈。所謂「側鏈」，是指聚合體中的由原子構成的鏈中最長的鏈以外的鏈。
作為[A]聚合體，例如可列舉：縮聚化合物、藉由縮聚以外的反應而獲得的化合物等。
作為[A]聚合體，例如可列舉：酚醛清漆樹脂、可溶酚醛(resol)樹脂、苯乙烯樹脂、苊(acenaphthylene)樹脂、茚樹脂、伸芳基樹脂、三嗪樹脂、杯芳烴樹脂等。
(酚醛清漆樹脂)
酚醛清漆樹脂為使用酸性觸媒，使酚性化合物與醛類或二乙烯基化合物等進行反應而獲得的樹脂。亦可將多種酚性化合物與醛類或二乙烯基化合物等混合來進行反應。
作為酚性化合物，例如可列舉：苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、雙酚A、對-第三丁基苯酚、對辛基苯酚、9,9-雙(4-羥基苯基)芴、9,9-雙(3-羥基苯基)芴、4,4'-(α-甲基亞苄基)雙酚等苯酚類，α-萘酚、β-萘酚、1,5-二羥基萘、2,7-二羥基萘、9,9-雙(6-羥基萘基)芴等萘酚類，9-蒽酚等蒽酚類，1-羥基芘、2-羥基芘等芘醇類等。
作為醛類，例如可列舉：甲醛、苯甲醛、1-萘甲醛、2-萘甲醛、1-芘甲醛(formylpyrene)等醛，多聚甲醛(paraformaldehyde)、三噁烷等醛源等。
作為二乙烯基化合物類，例如可列舉：二乙烯基苯、二環戊二烯、四氫茚、4-乙烯基環己烯、5-乙烯基降冰片-2-烯、二 乙烯基芘、檸檬烯、5-乙烯基降冰片二烯等。
作為酚醛清漆樹脂，例如可列舉：具有源於苯酚及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於甲酚及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於二羥基萘及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於芴雙酚及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於芴雙萘酚及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於羥基芘及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於羥基芘及萘甲醛的結構單元的樹脂、具有源於4,4'-(α-甲基亞苄基)雙酚及甲醛的結構單元的樹脂、具有源於酚化合物及芘甲醛的結構單元的樹脂、將該些組合而成的樹脂、該些樹脂的酚性羥基的氫原子的一部分或全部經炔丙基等取代而成的樹脂等。
(可溶酚醛樹脂)
可溶酚醛樹脂為使用鹼性觸媒，使酚性化合物與醛類進行反應而獲得的樹脂。
(苯乙烯樹脂)
苯乙烯樹脂為具有源於包含芳香環及聚合性碳-碳雙鍵的化合物的結構單元的樹脂。除所述結構單元以外，苯乙烯樹脂亦可具有源於丙烯酸系單量體、乙烯基醚類等的結構單元。
作為苯乙烯樹脂，例如可列舉：聚苯乙烯、聚乙烯基萘、聚羥基苯乙烯、聚苯基(甲基)丙烯酸酯、將該些組合而成的樹脂等。
(苊樹脂)
苊樹脂為具有源於包含苊骨架的化合物的結構單元的樹脂。
作為苊樹脂，例如可列舉苊與羥基甲基苊的共聚物等。
(茚樹脂)
茚樹脂為具有源於包含茚骨架的化合物的結構單元的樹脂。
(伸芳基樹脂)
伸芳基樹脂為具有源於包含伸芳基骨架的化合物的結構單元的樹脂。作為伸芳基骨架，例如可列舉：伸苯基骨架、伸萘基骨架、伸聯苯基骨架等。
作為伸芳基樹脂，例如可列舉：聚伸芳基醚、聚伸芳基硫醚、聚伸芳基醚碸、聚伸芳基醚酮、具有包含伸聯苯基骨架的結構單元的樹脂、具有包含伸聯苯基骨架的結構單元與源於包含苊骨架的化合物的結構單元的樹脂等。
(三嗪樹脂)
三嗪樹脂為具有源於包含三嗪骨架的化合物的結構單元的樹脂。
作為具有三嗪骨架的化合物，例如可列舉：三聚氰胺化合物、三聚氰酸(cyanuric acid)化合物等。
於[A]聚合體為酚醛清漆樹脂、可溶酚醛樹脂、苯乙烯樹脂、苊樹脂、茚樹脂、伸芳基樹脂或三嗪樹脂的情況下，作為[A]聚合體的利用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)的聚苯乙烯換算重量平均分子量(Mw)的下限，較佳為1,000，更佳為2,000，進而佳為3,000，特佳為4,000。另外，作為所述Mw的上限，較佳為100,000，更佳為60,000，進而佳為30,000，特佳為15,000。藉由將[A]聚合體的Mw 設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性。
作為[A]聚合體的Mw/Mn(Mn為利用GPC的聚苯乙烯換算數量平均分子量)的上限，較佳為5，更佳為3，進而佳為2。作為所述Mw/Mn的下限，通常為1，較佳為1.2。
本說明書中，聚合體的Mw及Mn是使用GPC管柱(東曹(Tosoh)(股)的「G2000HXL」2根、「G3000HXL」1根、「G4000HXL」1根)，於流量：1.0mL/min、溶出溶媒：四氫呋喃、管柱溫度：40℃的分析條件下，藉由以單分散聚苯乙烯為標準的凝膠滲透層析法(檢測器：示差折射計)測定所得的值。
(杯芳烴樹脂)
杯芳烴樹脂為羥基所鍵結的芳香環經由烴基而鍵結成多個環狀的環狀寡聚物，或者該羥基、芳香環及烴基所具有的氫原子的一部分或全部經取代而成者。
作為杯芳烴樹脂，例如可列舉：由苯酚、萘酚等酚化合物與甲醛形成的環狀四聚體~環狀十二聚體，由苯酚、萘酚等酚化合物與苯甲醛化合物形成的環狀四聚體~環狀十二聚體，該些環狀體所具有的酚性羥基的氫原子經炔丙基等取代而成的樹脂等。
作為杯芳烴樹脂的分子量的下限，較佳為500，更佳為700，進而佳為1,000。作為所述分子量的上限，較佳為5,000，更佳為3,000，進而佳為1,500。
[A]化合物較佳為具有羥基。作為羥基，例如可列舉酚 性羥基、醇性羥基等。若[A]化合物具有羥基，則可藉由後述[D]酸產生劑、[E]交聯劑等促進[A]化合物的交聯反應。
作為[A]化合物的含有比例的下限，相對於該抗蝕劑底層膜形成用組成物中的[C]有機溶媒以外的所有成分，較佳為20質量%，更佳為35質量%，進而佳為45質量%，特佳為55質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為99質量%，更佳為95質量%，進而佳為90質量%，特佳為85質量%。
作為該抗蝕劑底層膜形成用組成物中的[A]化合物的含有比例的下限，較佳為0.1質量%，更佳為1質量%，進而佳為2質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為50質量%，更佳為20質量%，進而佳為10質量%。
[[A]化合物的合成方法]
[A]化合物可依據公知的方法來合成，亦可使用商業上可獲取的市售品。
<[B]聚合體>
[B]聚合體為具有氟原子的聚合體，且具有結構單元(I)與結構單元(II)。[B]聚合體亦可具有結構單元(I)及結構單元(II)以外的其他結構單元。
以下，對各結構單元進行說明。
[結構單元(I)]
結構單元(I)為由下述式(1)表示的結構單元。
[化3]
Figure 108143469-A0305-02-0013-3
所述式(1)中，R1為具有氟原子的碳數1~20的一價有機基。R2為氫原子或碳數1~20的一價烴基。
所謂「有機基」，是指包含至少一個碳原子的基團。作為碳數1~20的一價有機基，例如可列舉：碳數1~20的一價烴基、該烴基的碳-碳間包含二價含雜原子的基團的基團、所述烴基及所述包含二價含雜原子的基團的基團所具有的氫原子的一部分或全部經一價含雜原子的基團取代而成的基團等。
作為碳數1~20的一價烴基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基等烷基；乙烯基、丙烯基、丁烯基等烯基；乙炔基、丙炔基、丁炔基等炔基等鏈狀烴基；環戊基、環己基等環烷基；環丙烯基、環戊烯基、環己烯基等環烯基；降冰片基、金剛烷基等橋聯環烴基等脂環式烴基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基、萘基甲基等芳烷基等芳香族烴基等。
作為二價含雜原子的基團，例如可列舉：-CO-、-CS-、-NH-、-O-、-S-、將該些組合而成的基團等。
作為一價含雜原子的基團，例如可列舉：羥基、巰基(sulfanyl)、氰基、硝基、鹵素原子等。
作為R1所表示的具有氟原子的碳數1~20的一價有機基，例如可列舉所述例示的碳數1~20的一價有機基所具有的氫原子的一部分或全部經氟原子取代而成的基團等。
作為具有氟原子的碳數1~20的一價有機基的具體例，例如可列舉：三氟甲基、2,2,2-三氟乙基、五氟乙基、2,2,3,3,3-五氟丙烷-1-基、1,1,1,3,3,3-六氟丙烷-2-基、七氟丙烷-1-基、2,2,3,3,4,4,4-七氟丁烷-1-基、九氟丁烷-1-基、3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟己烷-1-基、十三氟己烷-1-基等氟化烷基等氟化鏈狀烴基，十一氟環己烷-1-基、十一氟環己烷-1-基甲基等氟化環烷基等氟化脂環式烴基，2,4,6-三氟苯基、五氟苯基等氟化芳基、五氟苄基等氟化芳烷基等氟化芳香族烴基等氟化烴基，4,4,4-三氟-3-側氧丁烷-1-基等側氧基及含氟原子的基團，4,4,5,5,6,6,6-七氟-3-氧雜己烷-1-基等醚基及含氟原子的基團，2-羥基-2-三氟甲基-3,3,3-三氟丙烷-1-基、4-羥基-4-三氟甲基-5,5,5-三氟戊烷-2-基、3,5-二(1-羥基-1-三氟甲基-2,2,2-三氟乙基)環己烷-1-基等羥基及含氟原子的基團等含氧原子及氟原子的基團等。
作為R1，較佳為氟化烴基，更佳為氟化鏈狀烴基，進而佳為氟化烷基，特佳為2,2,2-三氟乙基或1,1,1,3,3,3-六氟丙烷-2-基。
作為R2所表示的碳數1~20的一價烴基，例如可列舉與作為所述碳數1~20的一價烴基而例示的基團相同的基團等。
作為R2，較佳為氫原子或鏈狀烴基，更佳為氫原子或烷 基，進而佳為氫原子或甲基。
作為結構單元(I)，例如可列舉下述式(1-1)~式(1-8)所表示的結構單元(以下，亦稱為「結構單元(I-1)~結構單元(I-8)」)等。
Figure 108143469-A0305-02-0015-4
所述式(1-1)~式(1-8)中，R2與所述式(1)為相同含義。
作為結構單元(I)，較佳為結構單元(I-1)或結構單元 (I-2)。
作為結構單元(I)的含有比例的下限，相對於構成[B]聚合體的所有結構單元，較佳為1莫耳%，更佳為10莫耳%，進而佳為20莫耳%，特佳為40莫耳%。作為所述含有比例的上限，較佳為99莫耳%，更佳為90莫耳%，進而佳為80莫耳%，特佳為75莫耳%。藉由將結構單元(I)的含有比例設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性。
[結構單元(II)]
結構單元(II)為下述式(2)所表示的結構單元。
Figure 108143469-A0305-02-0016-5
所述式(2)中，R3為碳數1~20的一價烴基。R4為氫原子或碳數1~20的一價烴基。
作為R3及R4所表示的碳數1~20的一價烴基，例如可列舉與作為所述碳數1~20的一價烴基而例示的基團相同的基團等。
作為R3，較佳為鏈狀烴基，更佳為烷基，進而佳為丁烷 -1-基或2-乙基己烷-1-基。
作為R4，較佳為氫原子或鏈狀烴基，更佳為氫原子或烷基，進而佳為氫原子或甲基。
作為結構單元(II)，例如可列舉下述式(2-1)~式(2-8)所表示的結構單元(以下，亦稱為「結構單元(II-1)~結構單元(II-8)」)等。
Figure 108143469-A0305-02-0017-7
所述式(2-1)~式(2-8)中，R4與所述式(2)為相同含義。
作為結構單元(II)，較佳為結構單元(II-1)或結構單元(II-2)。
作為結構單元(II)的含有比例的下限，相對於構成[B]聚合體的所有結構單元，較佳為1莫耳%，更佳為5莫耳%，進而佳為10莫耳%，特佳為20莫耳%。作為所述含有比例的上限，較佳為99莫耳%，更佳為90莫耳%，進而佳為75莫耳%，特佳為60莫耳%。藉由將結構單元(II)的含有比例設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性。
[其他結構單元]
作為其他結構單元，例如可列舉：源於(甲基)丙烯酸酯的結構單元、源於(甲基)丙烯酸的結構單元、源於苊化合物的結構單元等。
於[B]聚合體具有其他結構單元的情況下，作為其他結構單元的含有比例的上限，相對於構成[B]聚合體的所有結構單元，較佳為20莫耳%，更佳為5莫耳%。[B]聚合體中的其他結構單元的含有比例亦可為0莫耳%。
作為[B]聚合體的重量平均分子量(Mw)的下限，較佳為1,000，更佳為2,000，進而佳為3,000，特佳為4,000。作為所述Mw的上限，較佳為100,000，更佳為50,000，進而佳為30,000，特佳為20,000。藉由將[B]聚合體的Mw設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性。
作為[B]聚合體的Mw/Mn的上限，較佳為5，更佳為3， 進而佳為2.5。作為所述Mw/Mn的下限，通常為1，較佳為1.2。
作為[B]聚合體的含有比例的下限，相對於該抗蝕劑底層膜形成用組成物中的[C]有機溶媒以外的所有成分，較佳為1質量%，更佳為3質量%，進而佳為5質量%，特佳為10質量%，進而特佳為15質量%，最佳為20質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為70質量%，更佳為65質量%，進而佳為60質量%，特佳為55質量%，進而特佳為50質量%，最佳為40質量%。
作為該抗蝕劑底層膜形成用組成物中的[B]聚合體的含有比例的下限，較佳為0.01質量%，更佳為0.1質量%，進而佳為1質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為50質量%，更佳為20質量%，進而佳為10質量%。
作為[B]聚合體的含量的下限，相對於[A]化合物100質量份，較佳為1質量份，更佳為3質量份，進而佳為5質量份，特佳為10質量份，進而特佳為15質量份，最佳為25質量份。作為所述含量的上限，較佳為200質量份，更佳為175質量份，進而佳為150質量份，特佳為125質量份，進而特佳為100質量份，最佳為75質量份。
藉由將[B]聚合體的含有比例或含量設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性。
[[B]聚合體的合成方法]
[B]聚合體可藉由如下方法而合成：例如以分別成為既定的含有比例般的使用量使用提供結構單元(I)的單量體、提供結構單 元(II)的單量體、以及視需要提供其他結構單元的單量體，並藉由公知的方法進行聚合。
<[C]有機溶媒>
[C]有機溶媒若可將[A]化合物、[B]聚合體以及視需要含有的任意成分溶解或分散，則並無特別限定。
作為[C]有機溶媒，例如可列舉：醇系溶媒、酮系溶媒、醚系溶媒、酯系溶媒、含氮系溶媒、烴系溶媒等。[C]有機溶媒可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
作為醇系溶媒，例如可列舉：甲醇、乙醇、正丙醇等單醇系溶媒；乙二醇、1,2-丙二醇等多元醇系溶媒等。
作為酮系溶媒，例如可列舉：甲基乙基酮、甲基異丁基酮等鏈狀酮系溶媒；環己酮等環狀酮系溶媒等。
作為醚系溶媒，例如可列舉：正丁基醚等鏈狀醚系溶媒、四氫呋喃、1,4-二噁烷等環狀醚系溶媒等多元醇醚系溶媒；二乙二醇單甲醚等多元醇部分醚系溶媒等。
作為酯系溶媒，例如可列舉：碳酸二乙酯等碳酸酯系溶媒；乙酸甲酯、乙酸乙酯等乙酸單酯系溶媒；γ-丁內酯等內酯系溶媒；二乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯等多元醇部分醚羧酸酯系溶媒；乳酸甲酯、乳酸乙酯等乳酸酯系溶媒等。
作為含氮系溶媒，例如可列舉：N,N-二甲基乙醯胺等鏈狀含氮系溶媒、N-甲基吡咯啶酮等環狀含氮系溶媒等。
作為烴系溶媒，例如可列舉：十氫萘等脂肪族烴系溶 媒、甲苯等芳香族烴系溶媒等。
作為[C]有機溶媒，較佳為酯系溶媒，更佳為多元醇部分醚羧酸酯系溶媒，進而佳為丙二醇單甲醚乙酸酯。
作為該抗蝕劑底層膜形成用組成物中的[C]有機溶媒的含有比例的下限，較佳為50質量%，更佳為60質量%，進而佳為70質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為99.9質量%，更佳為99質量%，進而佳為95質量%。
[[D]酸產生劑]
[D]酸產生劑為藉由放射線或熱的作用而產生酸的成分。若該抗蝕劑底層膜形成用組成物含有[D]酸產生劑，則藉由所產生的酸而促進[A]化合物等的交聯反應，可進一步提升抗蝕劑底層膜的耐溶媒性。
作為[D]酸產生劑，例如可列舉：鎓鹽化合物、N-磺醯氧基醯亞胺化合物等。
作為鎓鹽化合物，例如可列舉：三苯基鋶三氟甲磺酸鹽、三苯基鋶2-(金剛烷-1-基羰氧基)-1,1,3,3,3-五氟丙烷-1-磺酸鹽、三苯基鋶降冰片烷磺內酯-2-基氧基羰基二氟甲磺酸鹽、三苯基鋶哌啶-1-基磺醯基-1,1,2,2,3,3-六氟丙烷-1-磺酸鹽、三苯基鋶金剛烷-1-基氧基羰基二氟甲磺酸鹽、4-環己基苯基二苯基鋶樟腦磺酸鹽、4-甲磺醯基苯基二苯基鋶九氟-正丁磺酸鹽等鋶鹽；1-(4-正丁氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓三氟甲磺酸鹽、1-(6-正丁氧基萘-1-基)四氫噻吩鎓2-雙環[2.2.1]庚-2-基-1,1,2,2-四氟乙烷-1-磺酸鹽、 1-(3,5-二甲基-4-羥基苯基)四氫噻吩鎓樟腦磺酸鹽等四氫噻吩鎓鹽；二苯基錪三氟甲磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪三氟甲磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)錪九氟-正丁磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪樟腦磺酸鹽等錪鹽等。
作為N-磺醯氧基醯亞胺化合物，例如可列舉：N-(三氟甲磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺、N-(樟腦磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧基醯亞胺等。
作為[D]酸產生劑，較佳為鎓鹽化合物，更佳為錪鹽，進而佳為雙(4-第三丁基苯基)錪九氟-正丁磺酸鹽。
於該抗蝕劑底層膜形成用組成物含有[D]酸產生劑的情況下，作為[D]酸產生劑的含量的下限，相對於[A]化合物100質量份，較佳為0.1質量份，更佳為0.5質量份，進而佳為1質量份，特佳為2質量份。作為所述含量的上限，較佳為30質量份，更佳為20質量份，進而佳為10質量份，特佳為8質量份。藉由將[D]酸產生劑的含量設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的耐溶媒性。
[[E]交聯劑]
[E]交聯劑是藉由熱或酸的作用而形成該抗蝕劑底層膜形成用組成物中的[A]化合物等成分彼此的交聯鍵、或自身形成交聯結構的成分。若該抗蝕劑底層膜形成用組成物含有[E]交聯劑，則可進一步提升抗蝕劑底層膜的耐溶媒性。
作為交聯劑，例如可列舉：多官能(甲基)丙烯酸酯化合 物、環氧化合物、羥基甲基取代的酚化合物、含烷氧基烷基的酚化合物、具有經烷氧基烷基化的胺基的化合物等。
作為多官能(甲基)丙烯酸酯化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、三(2-羥基乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙(2-羥基乙基)異氰脲酸酯二(甲基)丙烯酸酯等。
作為環氧化合物，例如可列舉：酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。
作為羥基甲基取代的酚化合物，例如可列舉：2-羥基甲基-4,6-二甲基苯酚、1,3,5-三羥基甲基苯、3,5-二羥基甲基-4-甲氧基甲苯[2,6-雙(羥基甲基)-對甲酚]等。
作為含烷氧基烷基的酚化合物，例如可列舉：含甲氧基甲基的酚化合物、含乙氧基甲基的酚化合物等。
作為所述具有經烷氧基烷基化的胺基的化合物，例如可列舉(聚)羥甲基化三聚氰胺、(聚)羥甲基化甘脲、(聚)羥甲基化苯並胍胺、(聚)羥甲基化脲等在一分子內具有多個活性羥甲基的含氮 化合物，且所述羥甲基的羥基的氫原子的至少一個經甲基或丁基等烷基取代而成的化合物等。再者，具有經烷氧基烷基化的胺基的化合物可為將多種取代化合物混合而成的混合物，亦可為包含一部分自縮合而成的寡聚物成分者。
作為[E]交聯劑，較佳為具有經烷氧基烷基化的胺基的化合物，更佳為(聚)羥甲基化甘脲，進而佳為1,3,4,6-四(甲氧基甲基)甘脲。
於該抗蝕劑底層膜形成用組成物含有[E]交聯劑的情況下，作為[E]交聯劑的含量的下限，相對於[A]聚合體100質量份，較佳為0.1質量份，更佳為1質量份，進而佳為3質量份，特佳為5質量份。作為所述含量的上限，較佳為50質量份，更佳為30質量份，進而佳為20質量份，特佳為15質量份。藉由將[E]交聯劑的含量設為所述範圍，可進一步提升抗蝕劑底層膜的耐溶媒性。
[其他任意成分]
作為其他任意成分，例如可列舉：界面活性劑、密接助劑等。
<抗蝕劑底層膜形成用組成物的製備方法>
該抗蝕劑底層膜形成用組成物可藉由例如將[A]化合物、[B]聚合體、[C]有機溶媒以及視需要使用的任意成分以既定的比例加以混合，較佳為利用孔徑0.2μm以下的過濾器對所獲得的混合溶液進行過濾而製備。
<抗蝕劑圖案形成方法>
該抗蝕劑圖案形成方法包括：將抗蝕劑底層膜形成用組成物 塗敷於基板的其中一面側的步驟(以下，亦稱為「抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟」)；將含矽膜形成於藉由所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜的與所述基板相反的面側的步驟(以下，亦稱為「含矽膜形成步驟」)；將抗蝕劑膜形成用組成物塗敷於所述含矽膜的與所述基板相反的面側的步驟(以下，亦稱為「抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟」)；利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光的步驟(以下，亦稱為「曝光步驟」)；以及對所述經曝光的抗蝕劑膜進行顯影的步驟(以下，亦稱為「顯影步驟」)。於該抗蝕劑圖案形成方法中，使用所述的該抗蝕劑底層膜形成用組成物作為所述抗蝕劑底層膜形成用組成物。
根據該抗蝕劑圖案形成方法，藉由使用所述埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜，可形成良好的抗蝕劑圖案。
以下，對各步驟進行說明。
[抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟]
本步驟中，將該抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷於基板的其中一面側。亦可於所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟之前製備該抗蝕劑底層膜形成用組成物。該抗蝕劑底層膜形成用組成物可藉由例如將[A]化合物、[B]聚合體、[C]有機溶媒以及視需要使用的任意成分以既定的比例加以混合，較佳為利用孔徑0.2μm以下的過濾器對所獲得的混合溶液進行過濾而製備。
作為基板，例如可列舉：矽晶圓、由鋁被覆的晶圓等。 另外，該抗蝕劑底層膜形成用組成物的塗敷方法並無特別限定，例如可利用旋轉塗敷、流延塗敷、輥塗敷等適宜的方法來實施，藉此可形成塗敷膜。
亦可對所述塗敷膜進行加熱。所述塗敷膜的加熱通常於大氣下進行，但亦可於氮氣環境下進行。作為加熱中的溫度的下限，較佳為150℃，更佳為200℃，進而佳為230℃。作為所述溫度的上限，較佳為600℃，更佳為400℃，進而佳為300℃。作為加熱中的時間的下限，較佳為15秒，更佳為30秒。作為所述時間的上限，較佳為1,200秒，更佳為600秒。另外，亦可藉由放射線對所述塗敷膜進行曝光。
作為所形成的抗蝕劑底層膜的平均厚度的下限，較佳為30nm，更佳為50nm，進而佳為100nm，特佳為150nm。作為所述平均厚度的上限，較佳為10,000nm，更佳為1,000nm，進而佳為500nm，特佳為300nm。
[含矽膜形成步驟]
本步驟中，將含矽膜形成於藉由所述抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜的與所述基板相反的面側。
含矽膜可藉由含矽膜形成用組成物的塗敷、化學蒸鍍(化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD))法、原子層沈積(atomic layer deposition，ALD)法等而形成。作為藉由含矽膜形成用組成物的塗敷來形成含矽膜的方法，例如可列舉以下方法等：將含矽膜形成用組成物塗敷於該抗蝕劑底層膜的與所述基 板相反的面側而形成塗膜，對該塗膜進行曝光及/或加熱，藉此使其硬化等。作為所述含矽膜形成用組成物的市售品，例如可使用「NFC SOG01」、「NFC SOG04」、「NFC SOG080」(以上，JSR(股))等。可藉由化學蒸鍍(CVD)法或原子層沈積(ALD)法來形成氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、非晶矽膜等。
作為用於所述曝光的放射線，例如可列舉：可見光線、紫外線、遠紫外線、X射線、γ射線等電磁波；電子束、分子束、離子束等粒子束等。
作為對塗膜進行加熱時的溫度的下限，較佳為90℃，更佳為150℃，進而佳為250℃。作為所述溫度的上限，較佳為550℃，更佳為450℃，進而佳為350℃。
作為所形成的含矽膜的平均厚度的下限，較佳為1nm，更佳為10nm，進而佳為30nm。作為所述平均厚度的上限，較佳為20,000nm，更佳為1,000nm，進而佳為100nm。
[抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟]
本步驟中，將抗蝕劑膜形成用組成物塗敷於所述含矽膜的與所述基板相反的面側。
本步驟中，具體而言，以所獲得的抗蝕劑膜成為既定厚度的方式塗敷抗蝕劑膜形成用組成物而形成塗膜後，藉由進行加熱而使塗膜中的溶媒揮發，藉此形成抗蝕劑膜。
作為抗蝕劑膜形成用組成物，例如可列舉：含有感放射線性酸產生劑的正型或負型的化學增幅型抗蝕劑組成物、含有鹼 可溶性樹脂與醌二疊氮化物系感光劑的正型抗蝕劑組成物、含有鹼可溶性樹脂與交聯劑的負型抗蝕劑組成物等。
作為抗蝕劑膜形成用組成物中的溶媒以外的全部成分的含有比例的下限，較佳為0.3質量%，更佳為1質量%。作為所述含有比例的上限，較佳為50質量%，更佳為30質量%。另外，抗蝕劑膜形成用組成物通常利用例如孔徑0.2μm以下的過濾器進行過濾並被供於抗蝕劑膜的形成。再者，本步驟中，亦能夠直接使用市售的抗蝕劑組成物。
作為抗蝕劑膜形成用組成物的塗敷方法，例如可列舉旋轉塗敷法等。塗膜的加熱溫度可根據所使用的抗蝕劑膜形成用組成物的種類等而適當調整，作為所述溫度的下限，較佳為30℃，更佳為50℃。作為所述溫度的上限，較佳為200℃，更佳為150℃。作為加熱的時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒。作為所述時間的上限，較佳為600秒，更佳為300秒。
[曝光步驟]
本步驟中，利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光。
作為用於曝光的放射線，根據抗蝕劑膜形成用組成物中所使用的感放射線性酸產生劑的種類，例如自可見光線、紫外線、遠紫外線、X射線、γ射線等電磁波、電子束、分子束、離子束等粒子束等中適當選擇。該些中，較佳為遠紫外線或電子束，更佳為KrF準分子雷射光(248nm)、ArF準分子雷射光(193nm)、 極紫外線(波長13.5nm等，EUV(Extreme Ultraviolet))或電子束。
於所述曝光後，為了提升解析度、圖案輪廓、顯影性等，可進行曝光後加熱。該曝光後加熱的溫度可根據所使用的抗蝕劑膜形成用組成物的種類等而適當調整，作為所述溫度的下限，較佳為50℃，更佳為70℃。作為所述溫度的上限，較佳為200℃，更佳為150℃。作為曝光後加熱的時間的下限，較佳為10秒，更佳為30秒。作為所述時間的上限，較佳為600秒，更佳為300秒。
[顯影步驟]
本步驟中，對所述經曝光的抗蝕劑膜進行顯影。該顯影可為鹼顯影，亦可為有機溶媒顯影。作為顯影液，於鹼顯影的情況下，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨、乙基胺、正丙基胺、二乙基胺、二-正丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨(tetramethylammonium hydroxide，TMAH)、氫氧化四乙基銨、吡咯、哌啶、膽鹼、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯等的鹼性水溶液等。該些鹼性水溶液中亦能夠添加適量的例如甲醇、乙醇等醇類等水溶性有機溶媒、界面活性劑等。另外，作為顯影液，於有機溶媒顯影的情況下，例如可列舉作為所述的該抗蝕劑底層膜形成用組成物的[C]有機溶媒而例示的各種有機溶媒等。
於利用所述顯影液進行的顯影後，進行清洗、乾燥，藉 此形成既定的抗蝕劑圖案。
進行將藉由該抗蝕劑圖案形成方法而形成的抗蝕劑圖案作為遮罩的蝕刻，藉此可於基板上形成圖案。
作為蝕刻的次數，可為一次，亦可為多次，即，可將藉由蝕刻而獲得的圖案作為遮罩來依序進行蝕刻，但就獲得更良好的形狀的圖案的觀點而言，較佳為多次。於進行多次蝕刻的情況下，以含矽膜、抗蝕劑底層膜、基板的順序依序進行蝕刻。作為蝕刻的方法，例如可列舉：乾式蝕刻、濕式蝕刻等。該些中，就使基板的圖案的形狀更良好的觀點而言，較佳為乾式蝕刻。該乾式蝕刻中使用例如氧電漿等氣體電漿等。
[實施例]
以下，藉由實施例來對本發明進一步進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。利用下述方法來測定實施例中的各物性。
[重量平均分子量(Mw)]
聚合體的Mw是使用GPC管柱(東曹(Tosoh)(股)的「G2000HXL」2根、「G3000HXL」1根、「G4000HXL」1根)，於流量：1.0mL/min、溶出溶媒：四氫呋喃、管柱溫度：40℃的分析條件下，藉由以單分散聚苯乙烯為標準的凝膠滲透層析法(檢測器：示差折射計)而測定。
[膜的平均厚度]
膜的平均厚度是使用分光橢圓偏振計(J.A.沃蘭姆 (J.A.WOOLLAM)公司的「M2000D」)來測定。
<[A]化合物的合成>
作為[A]化合物，藉由以下所示的順序來合成下述式(A-1)~式(A-9)所表示的聚合體(以下，亦稱為「聚合體(A-1)~聚合體(A-9)」)。
[化7]
Figure 108143469-A0305-02-0032-8
所述式(A-6)及式(A-7)中，*R表示與氧原子鍵結的部位。
所述式(A-1)、式(A-4)、式(A-8)及式(A-9)中，各結構單元所隨附的數字表示該結構單元的含有比例(莫耳%)。
[合成例1-1](聚合體(A-1)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中加入間甲酚70g、對甲酚57.27g、37質量%甲醛水溶液95.52g及甲基異丁基酮381.82g而加以溶解。將所得到的溶液加熱為40℃後，加入對甲苯磺酸2.03g，於85℃下反應4小時。將反應液冷卻為30℃以下，將該反應液投入至甲醇/水(50/50(質量比))的混合溶液中並進行再沈澱。利用過濾紙回收沈澱物，進行乾燥而獲得聚合體(A-1)。聚合體(A-1)的Mw為50,000。
[合成例1-2](聚合體(A-2)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中加入2,7-二羥基萘150g、37質量%甲醛水溶液76.01g及甲基異丁基酮450g而加以溶解。將所得到的溶液加熱為40℃後，加入對甲苯磺酸1.61g，於80℃下反應7小時。將反應液冷卻為30℃以下，將該反應液投入至甲醇/水(50/50(質量比))的混合溶液中並進行再沈澱。利用過濾紙回收沈澱物，進行乾燥而獲得聚合體(A-2)。聚合體(A-2)的Mw為3,000。
[合成例1-3](聚合體(A-3)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中裝入1-羥基芘20g、2-萘甲醛7.16g及丙二醇單乙醚82g，於室溫下加以溶解。向所得到的溶液中添加甲磺酸8.81g，於120℃下攪拌12小時而進行聚合。聚合 結束後，將聚合反應液投入至大量的甲醇/水(80/20(體積%))的混合溶液中，藉由過濾來回收所得到的沈澱物，藉此獲得聚合體(A-3)。聚合體(A-3)的Mw為1,100。
[合成例1-4](聚合體(A-4)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中裝入4,4'-(α-甲基亞苄基)雙酚15.2g、1-羥基芘7.63g、1-萘酚12.6g及多聚甲醛4.52g。繼而，加入丙二醇單甲醚乙酸酯60g而使其溶解後，添加對甲苯磺酸一水合物0.220g，於95℃下攪拌6小時而進行聚合。聚合結束後，將聚合反應液投入至大量的甲醇/水(70/30(質量比))的混合溶液中，藉由過濾來回收所得到的沈澱物，藉此獲得聚合體(A-4)。聚合體(A-4)的Mw為3,363。
[合成例1-5](聚合體(A-5)的合成)
除了將合成例1-4中的4,4'-(α-甲基亞苄基)雙酚15.12g、1-羥基芘7.63g、1-萘酚12.6g及多聚甲醛4.52g變更為雙酚芴37.9g及多聚甲醛2.86g以外，與合成例1-4同樣地操作，獲得聚合體(A-5)。聚合體(A-5)的Mw為4,500。
[合成例1-6](聚合體(A-6)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中裝入合成例1-2中所合成的聚合體(A-2)20g、N,N-二甲基乙醯胺80g及碳酸鉀22g。繼而，加溫為80℃，添加溴丙炔19g後，攪拌6小時來進行反應。然後，向反應溶液中添加甲基異丁基酮40g及水80g來進行分液操作後，將所得到的有機相投入至大量的甲醇中，藉由過濾來回收所 得到的沈澱物，藉此獲得聚合體(A-6)。聚合體(A-6)的Mw為3,200。
[合成例1-7](聚合體(A-7)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中裝入合成例1-5中所合成的聚合體(A-5)20g、N,N-二甲基乙醯胺80g及碳酸鉀22g。繼而，加溫為80℃，添加溴丙炔19g後，攪拌6小時來進行反應。然後，向反應溶液中添加甲基異丁基酮40g及水80g來進行分液操作後，將所得到的有機相投入至大量的甲醇中，藉由過濾來回收所得到的沈澱物，藉此獲得聚合體(A-7)。聚合體(A-7)的Mw為4,800。
[合成例1-8](聚合體(A-8)的合成)
於反應容器中，使2-乙烯基萘35g及丙烯酸2-羥基乙酯2.9g溶解於環己酮112g後，對反應容器內進行氮氣置換，並升溫至60℃。添加溶解於環己酮47g中的偶氮雙異丁腈1.9g，於60℃下反應24小時。將反應溶液冷卻後，投入至甲醇中並進行再沈澱，將所得到的沈澱物乾燥而獲得聚合體(A-8)。聚合體(A-8)的Mw為11,000。
[合成例1-9](聚合體(A-9)的合成)
於氮氣環境下，向反應容器中裝入合成例1-4中所合成的聚合體(A-4)20g及碳酸鉀18.9g。繼而，加溫為80℃，添加溴丙炔35.3g後，攪拌6小時來進行反應。然後，向反應溶液中添加甲基異丁基酮40g及水80g來進行分液操作後，將所得到的有機 相投入至大量的甲醇中，藉由過濾來回收所得到的沈澱物，藉此獲得聚合體(A-9)。聚合體(A-9)的Mw為3,820。
<[B]聚合體的合成>
作為[B]聚合體，藉由以下所示的順序來合成下述式(B-1)~式(B-4)所表示的聚合體(以下，亦稱為「聚合體(B-1)~聚合體(B-4)」)。
[合成例2-1](聚合體(B-1)的合成)
使甲基丙烯酸1,1,1,3,3,3-六氟異丙酯73.5g及甲基丙烯酸2-乙基己酯26.5g溶解於2-丁酮100g中，添加2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯5.1g，製備單量體溶液。於氮氣環境下，向反應容器中放入2-丁酮100g，加熱為80℃，一面攪拌一面歷時3小時滴加所述單量體溶液。將滴加開始設為聚合反應的開始時間，實施6小時聚合反應後，冷卻為30℃以下。向反應溶液中加入丙二醇單甲酮乙酸酯300g，藉由減壓濃縮將2-丁酮去除，獲得聚合體(B-1)的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液。聚合體(B-1)的Mw為12,000，Mw/Mn為2.1。
[合成例2-2~合成例2-4](聚合體(B-2)~聚合體(B-4)的合成)
除了使用以各含有比例(莫耳%)提供下述式(B-2)~式(B-4)所示的各結構單元的各化合物以外，與合成例2-1同樣地操作，獲得聚合體(B-2)~聚合體(B-4)的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液。聚合體(B-2)的Mw為12,500，Mw/Mn為2.0。聚合體(B-3) 的Mw為11,000，Mw/Mn為2.1。聚合體(B-4)的Mw為13,000，Mw/Mn為2.2。
Figure 108143469-A0305-02-0037-9
所述式(B-1)~式(B-4)中，各結構單元所隨附的數字表示該結構單元的含有比例(莫耳%)。
<抗蝕劑底層膜形成用組成物的製備>
以下示出抗蝕劑底層膜形成用組成物的製備中使用的[C]有機溶媒、[D]酸產生劑及[E]交聯劑。
[[C]有機溶媒]
C-1：丙二醇單甲醚乙酸酯
[[D]酸產生劑]
D-1：雙(4-第三丁基苯基)錪九氟-正丁磺酸鹽(下述式(D-1)所表示的化合物)
Figure 108143469-A0305-02-0038-10
[[E]交聯劑]
E-1：1,3,4,6-四(甲氧基甲基)甘脲(下述式(E-1)所表示的化合物)
Figure 108143469-A0305-02-0038-12
[實施例1]
將作為[A]化合物的(A-1)100質量份、作為[B]聚合體的(B-1) 30質量份(其中，將丙二醇單甲醚乙酸酯溶媒除外)、及作為[C]有機溶媒的(C-1)1,300質量份(其中，包含[B]聚合體溶液中的丙二醇單甲醚乙酸酯溶媒)混合，利用孔徑0.2μm的過濾器對所得到的混合物進行過濾，而製備抗蝕劑底層膜形成用組成物(J-1)。
[實施例2~實施例26以及比較例1~比較例9]
除了使用下述表1所示的種類及含量的各成分以外，與實施例1同樣地操作，製備抗蝕劑底層膜形成用組成物(J-2)~抗蝕劑底層膜形成用組成物(J-26)及抗蝕劑底層膜形成用組成物(CJ-1)~抗蝕劑底層膜形成用組成物(CJ-9)。
[表1]
Figure 108143469-A0305-02-0040-13
<評價>
對於所述製備的抗蝕劑底層膜形成用組成物，依據下述方法來評價抗蝕劑底層膜的埋入性及平坦性。將評價結果示於下述表2中。
[埋入性]
使用旋塗機(東京電子(Tokyo Electron)(股)的「克林特拉庫(CLEAN TRACK)ACT12」)，藉由旋轉塗敷法將所述製備的抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷於形成有深度100nm、寬度100nm的線與空間圖案(line and space pattern)的矽基板上。繼而，於大氣環境下且於250℃下加熱60秒後，於23℃下冷卻60秒，藉此形成線圖案部分的平均厚度為200nm的抗蝕劑底層膜，得到帶有抗蝕劑底層膜的矽基板。利用掃描型電子顯微鏡(日立高新技術(Hitachi High-technologies)(股)的「S-4800」)來觀察所述帶有抗蝕劑底層膜的矽基板的剖面形狀，評價埋入性。關於埋入性，抗蝕劑底層膜埋入至空間圖案的底部時評價為「A」(良好)，抗蝕劑底層膜未埋入至圖案的底部時評價為「B」(不良)。
[平坦性]
使用旋塗機(東京電子(Tokyo Electron)(股)的「克林特拉庫(CLEAN TRACK)ACT12」)，藉由旋轉塗敷法將所述製備的抗蝕劑底層膜形成用組成物如圖1所示塗敷於形成有深度100nm、寬度10μm的溝槽圖案的矽基板1上。繼而，於大氣環境下且於250℃下加熱60秒後，於23℃下冷卻60秒，藉此形成非溝槽圖案部分的平均厚度為200nm的抗蝕劑底層膜2，得到帶有抗蝕劑底層膜的矽基板。利用掃描型電子顯微鏡(日立高新技術(Hitachi High-technologies)(股)的「S-4800」)來觀察所述帶有抗蝕劑底層膜的矽基板的剖面形狀，並將該抗蝕劑底層膜2的所 述溝槽圖案的中央部分b的高度與距所述溝槽圖案的端部5μm的位置的非溝槽圖案的部分a的高度差(△FT)作為平坦性的指標。關於平坦性，該△FT小於30nm時評價為「A」(良好)，為30nm以上時評價為「B」(不良)。再者，圖1中所示的高度差較實際而言誇張地記載。
[表2]
Figure 108143469-A0305-02-0043-14
如由表2的結果可知，根據實施例的抗蝕劑底層膜形成用組成物，可形成埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜。
[產業上之可利用性]
根據本發明的抗蝕劑底層膜形成用組成物，可形成埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜。本發明的抗蝕劑底層膜的埋入 性及平坦性優異。根據本發明的抗蝕劑圖案形成方法，藉由使用此種埋入性及平坦性優異的抗蝕劑底層膜，可形成良好的抗蝕劑圖案。因此，該些可適宜地用於今後預計進一步進行微細化的半導體元件的製造等。

Claims (7)

  1. 一種抗蝕劑底層膜形成用組成物，含有：具有芳香環的化合物，其中所述具有芳香環的化合物為具有包含芳香環的結構單元的聚合體，其中所述具有包含芳香環的結構單元的聚合體為酚醛清漆樹脂、可溶酚醛樹脂、苊樹脂、茚樹脂、伸芳基樹脂、杯芳烴樹脂或該些的組合；具有氟原子的聚合體；以及有機溶媒，且所述具有氟原子的聚合體具有：下述式(1)所表示的第一結構單元、及下述式(2)所表示的第二結構單元；
    Figure 108143469-A0305-02-0045-15
     式(1)中，R1為具有氟原子的碳數1~20的氟化烴基；R2為氫原子或碳數1~20的一價烴基；
    Figure 108143469-A0305-02-0045-16
     式(2)中，R3為碳數1~20的一價烴基；R4為氫原子或碳數1~20的一價烴基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述第一結構單元相對於構成所述具有氟原子的聚合體的所有結構單元的含有比例為1莫耳%以上且80莫耳%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述第二結構單元相對於構成所述具有氟原子的聚合體的所有結構單元的含有比例為10莫耳%以上且99莫耳%以下。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述具有氟原子的聚合體相對於所述具有芳香環的化合物100質量份的含量為1質量份以上且200質量份以下。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物，其中所述具有包含芳香環的結構單元的聚合體為酚醛清漆樹脂。
  6. 一種抗蝕劑底層膜，其是由如申請專利範圍第1項或第2項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物形成。
  7. 一種抗蝕劑圖案形成方法，包括：將如申請專利範圍第1項或第2項所述的抗蝕劑底層膜形成用組成物塗敷於基板的其中一面側的步驟； 將含矽膜形成於藉由所述抗蝕劑底層膜形成用組成物的塗敷步驟而形成的抗蝕劑底層膜的與所述基板相反的面側的步驟；將抗蝕劑膜形成用組成物塗敷於所述含矽膜的與所述基板相反的面側的步驟；利用放射線對藉由所述抗蝕劑膜形成用組成物的塗敷步驟而形成的抗蝕劑膜進行曝光的步驟；以及對經曝光的所述抗蝕劑膜進行顯影的步驟。
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