WO2020111068A1 - レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法 - Google Patents

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020111068A1
WO2020111068A1 PCT/JP2019/046194 JP2019046194W WO2020111068A1 WO 2020111068 A1 WO2020111068 A1 WO 2020111068A1 JP 2019046194 W JP2019046194 W JP 2019046194W WO 2020111068 A1 WO2020111068 A1 WO 2020111068A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
underlayer film
resist underlayer
polymer
resist
group
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/046194
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
翼 阿部
剛史 若松
Original Assignee
Jsr株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jsr株式会社 filed Critical Jsr株式会社
Priority to JP2020557741A priority Critical patent/JPWO2020111068A1/ja
Priority to KR1020217016013A priority patent/KR20210097120A/ko
Publication of WO2020111068A1 publication Critical patent/WO2020111068A1/ja
Priority to US17/331,757 priority patent/US20210286267A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
    • C09D133/16—Homopolymers or copolymers of esters containing halogen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F212/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring
    • C08F212/02—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical
    • C08F212/32—Monomers containing only one unsaturated aliphatic radical containing two or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/22—Esters containing halogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • C08G8/20—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ with polyhydric phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • C08G8/24—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ with mixtures of two or more phenols which are not covered by only one of the groups C08G8/10 - C08G8/20
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D125/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an aromatic carbocyclic ring; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D125/02—Homopolymers or copolymers of hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09D161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D161/00—Coating compositions based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09D161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C09D161/12—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols with polyhydric phenols
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Definitions

  • the present invention relates to a resist underlayer film forming composition, a resist underlayer film, and a resist pattern forming method.
  • a resist underlayer film is formed on at least one surface side of a substrate with a resist underlayer film forming composition, and a resist film forming composition is formed on the surface of the resist underlayer film opposite to the substrate.
  • a method of forming a resist pattern using an object is used.
  • the resist underlayer film can be etched by using this resist pattern as a mask, and the substrate can be further etched by using the obtained resist underlayer film pattern as a mask.
  • the resist underlayer film forming composition is required to be able to form a resist underlayer film having excellent embedding properties and flatness.
  • the present invention has been made based on the above circumstances, and an object thereof is to form a resist underlayer film forming composition capable of forming a resist underlayer film excellent in embedding property and flatness, a resist underlayer film, and It is to provide a method for forming a resist pattern.
  • the invention made to solve the above-mentioned problems includes a compound having an aromatic ring, a polymer having a fluorine atom, and an organic solvent, wherein the polymer having the fluorine atom is represented by the following formula (1). And a second structural unit represented by the following formula (2), which is a resist underlayer film forming composition.
  • R 1 is a monovalent organic group having a fluorine atom and having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 2 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. .
  • R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 4 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Another invention made to solve the above problems is a resist underlayer film formed from the resist underlayer film forming composition.
  • Yet another invention made to solve the above problems is a step of applying the composition for forming a resist underlayer film to one surface side of a substrate, and a step of applying the composition for forming a resist underlayer film.
  • a method of forming a resist pattern comprising: a step of exposing the resist film formed by the step of applying the resist film forming composition to radiation; and a step of developing the exposed resist film.
  • composition for forming a resist underlayer film of the present invention it is possible to form a resist underlayer film having excellent embedding property and flatness.
  • the resist underlayer film of the present invention is excellent in embedding property and flatness.
  • the resist pattern forming method of the present invention a good resist pattern can be formed by using such a resist underlayer film having excellent embedding property and flatness. Therefore, these can be suitably used for manufacturing semiconductor devices, which are expected to be further miniaturized in the future.
  • composition for forming a resist underlayer film is a compound having an aromatic ring (hereinafter, also referred to as “[A] compound”), a polymer having a fluorine atom (hereinafter, also referred to as “[B] polymer”), An organic solvent (hereinafter, also referred to as “[C] organic solvent”), and the above [B] polymer has a first structural unit represented by the formula (1) (hereinafter, “structural unit (I)”). (Also referred to as “structural unit (II)”) and a second structural unit represented by formula (2).
  • composition for forming a resist underlayer film in addition to the [A] compound, the [B] polymer and the [C] organic solvent, an acid generator (hereinafter, also referred to as “[D] acid generator”) and/or crosslinker. It is preferable to contain an agent (hereinafter, also referred to as “[E] cross-linking agent”), and other optional components may be contained as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the resist underlayer film forming composition contains a [A] compound, a [B] polymer, and a [C] organic solvent, and the [B] polymer comprises a structural unit (I) and a structural unit (II).
  • the resist underlayer film-forming composition has the above-mentioned configuration, but the structural unit (I) and the structural unit (II) are added to the compound [A] having an aromatic ring. It is conceivable that the fluidity of the resist underlayer film forming composition in the coating step of the resist underlayer film forming composition is improved by adding the [B] polymer having a specific structure having Hereinafter, each component will be described.
  • the compound [A] is a compound having an aromatic ring.
  • the compound [A] can be used without particular limitation as long as it has an aromatic ring.
  • the compound [A] can be used alone or in combination of two or more.
  • aromatic ring examples include aromatic carbon rings such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, indene ring, pyrene ring, fluorenylidene biphenyl ring, fluorenylidene binaphthalene ring, furan ring, pyrrole ring, thiophene ring, and phosphole.
  • aromatic carbon rings such as benzene ring, naphthalene ring, anthracene ring, indene ring, pyrene ring, fluorenylidene biphenyl ring, fluorenylidene binaphthalene ring, furan ring, pyrrole ring, thiophene ring, and phosphole.
  • aromatic heterocycles such as a ring, a pyrazole ring, an oxazole ring, an isoxazole ring, a thiazole ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring and a triazine ring.
  • aromatic carbocycles are preferred.
  • Examples of the [A] compound include a polymer having a structural unit containing an aromatic ring (hereinafter, also referred to as “[A] polymer”), an aromatic ring-containing compound, and the like.
  • the “polymer” refers to a compound having two or more structural units.
  • the “aromatic ring-containing compound” refers to a compound containing an aromatic ring and having one structural unit.
  • the molecular weight of the aromatic ring-containing compound is, for example, 300 or more and 3,000 or less.
  • Examples of the polymer [A] include a polymer having an aromatic ring in the main chain, a polymer having no aromatic ring in the main chain and an aromatic ring in the side chain, and the like.
  • the “main chain” refers to the longest chain composed of atoms in a polymer.
  • the “side chain” refers to a chain other than the longest chain composed of atoms in a polymer.
  • Examples of the [A] polymer include polycondensation compounds and compounds obtained by reactions other than polycondensation.
  • Examples of the [A] polymer include novolac resin, resol resin, styrene resin, acenaphthylene resin, indene resin, arylene resin, triazine resin and calixarene resin.
  • the novolak resin is a resin obtained by reacting a phenolic compound with an aldehyde or a divinyl compound using an acidic catalyst. A plurality of phenolic compounds and aldehydes or divinyl compounds may be mixed and reacted.
  • phenolic compound examples include phenol, cresol, xylenol, resorcinol, bisphenol A, p-tert-butylphenol, p-octylphenol, 9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene, 9,9-bis(3-hydroxy).
  • Phenols such as phenyl)fluorene, 4,4′-( ⁇ -methylbenzylidene)bisphenol, ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 2,7-dihydroxynaphthalene, 9,9-bis( Examples thereof include naphthols such as 6-hydroxynaphthyl)fluorene, anthroles such as 9-anthrol, and pyrenols such as 1-hydroxypyrene and 2-hydroxypyrene.
  • aldehydes examples include aldehydes such as formaldehyde, benzaldehyde, 1-naphthaldehyde, 2-naphthaldehyde, 1-formylpyrene, and aldehyde sources such as paraformaldehyde and trioxane.
  • divinyl compounds examples include divinylbenzene, dicyclopentadiene, tetrahydroindene, 4-vinylcyclohexene, 5-vinylnorborna-2-ene, divinylpyrene, limonene, 5-vinylnorbornadiene and the like.
  • the novolac resin for example, a resin having a structural unit derived from phenol and formaldehyde, a resin having a structural unit derived from cresol and formaldehyde, a resin having a structural unit derived from dihydroxynaphthalene and formaldehyde, derived from fluorene bisphenol and formaldehyde Resin having a structural unit, resin having a structural unit derived from fluorene bisnaphthol and formaldehyde, resin having a structural unit derived from hydroxypyrene and formaldehyde, resin having a structural unit derived from hydroxypyrene and naphthaldehyde, 4,4 Resins having structural units derived from'-( ⁇ -methylbenzylidene)bisphenol and formaldehyde, resins having structural units derived from phenolic compounds and formylpyrene, resins combining these, hydrogen of phenolic hydroxyl groups of these resins Examples thereof include resins in which some or all of the atom
  • the resole resin is a resin obtained by reacting a phenolic compound with aldehydes using an alkaline catalyst.
  • the styrene resin is a resin having a structural unit derived from a compound having an aromatic ring and a polymerizable carbon-carbon double bond.
  • the styrene resin may have a structural unit derived from an acrylic monomer, vinyl ether, or the like, in addition to the above structural unit.
  • styrene resin examples include polystyrene, polyvinylnaphthalene, polyhydroxystyrene, polyphenyl (meth)acrylate, and resins obtained by combining these.
  • the acenaphthylene resin is a resin having a structural unit derived from a compound having an acenaphthylene skeleton.
  • acenaphthylene resin examples include a copolymer of acenaphthylene and hydroxymethylacenaphthylene.
  • the indene resin is a resin having a structural unit derived from a compound having an indene skeleton.
  • the arylene resin is a resin having a structural unit derived from a compound having an arylene skeleton.
  • Examples of the arylene skeleton include a phenylene skeleton, a naphthylene skeleton, and a biphenylene skeleton.
  • arylene resin examples include polyarylene ether, polyarylene sulfide, polyarylene ether sulfone, polyarylene ether ketone, a resin having a structural unit containing a biphenylene skeleton, and a structure derived from a compound containing a structural unit containing a biphenylene skeleton and an acenaphthylene skeleton. Examples thereof include resins having units.
  • the triazine resin is a resin having a structural unit derived from a compound having a triazine skeleton.
  • Examples of compounds having a triazine skeleton include melamine compounds and cyanuric acid compounds.
  • the [A] polymer is a novolac resin, a resole resin, a styrene resin, an acenaphthylene resin, an indene resin, an arylene resin or a triazine resin, a polystyrene-converted weight average molecular weight (GPC) of the [A] polymer by gel permeation chromatography (GPC)
  • the lower limit of Mw is preferably 1,000, more preferably 2,000, further preferably 3,000, particularly preferably 4,000.
  • the upper limit of the Mw 100,000 is preferable, 60,000 is more preferable, 30,000 is further preferable, and 15,000 is particularly preferable.
  • the upper limit of Mw/Mn (Mn is the polystyrene reduced number average molecular weight by GPC) of the [A] polymer is preferably 5, more preferably 3, and even more preferably 2.
  • the lower limit of Mw/Mn is usually 1, and 1.2 is preferable.
  • the Mw and Mn of the polymer are obtained by using a GPC column (2 pieces of "G2000HXL", 1 piece of "G3000HXL", 1 piece of "G4000HXL” of Tosoh Corp.) and a flow rate of 1.0 mL/min. Is a value measured by gel permeation chromatography (detector: differential refractometer) using monodisperse polystyrene as a standard under analysis conditions of elution solvent: tetrahydrofuran, column temperature: 40°C.
  • the calixarene resin is a cyclic oligomer in which a plurality of aromatic rings to which a hydroxy group is bonded are cyclically bonded via a hydrocarbon group, or a part or all of hydrogen atoms of the hydroxy group, aromatic ring and hydrocarbon group are substituted. It is a thing.
  • the calixarene resin for example, a cyclic 4- to 12-mer formed from a phenol compound such as phenol and naphthol and formaldehyde, a cyclic 4- to 12-mer formed from a phenol compound such as phenol and naphthol and a benzaldehyde compound, Examples thereof include resins in which the hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group of these cyclic compounds is replaced with a propargyl group or the like.
  • the lower limit of the molecular weight of the calixarene resin is preferably 500, more preferably 700, and even more preferably 1,000.
  • the upper limit of the molecular weight is preferably 5,000, more preferably 3,000, and even more preferably 1,500.
  • the compound [A] preferably has a hydroxyl group.
  • the hydroxyl group include phenolic hydroxyl group and alcoholic hydroxyl group.
  • the crosslinking reaction of the compound [A] can be promoted by the acid generator [D], the crosslinking agent [E], and the like, which will be described later.
  • the lower limit of the content ratio of the [A] compound is preferably 20% by mass, more preferably 35% by mass, and 45% by mass with respect to all components other than the [C] organic solvent in the resist underlayer film forming composition. Is more preferable, and 55% by mass is particularly preferable.
  • the upper limit of the content is preferably 99% by mass, more preferably 95% by mass, further preferably 90% by mass, and particularly preferably 85% by mass.
  • the lower limit of the content ratio of the [A] compound in the resist underlayer film forming composition is preferably 0.1% by mass, more preferably 1% by mass, and further preferably 2% by mass. As a maximum of the above-mentioned content rate, 50 mass% is preferred, 20 mass% is more preferred, and 10 mass% is still more preferred.
  • the compound [A] may be synthesized according to a known method, or a commercially available commercially available product may be used.
  • the polymer [B] is a polymer having a fluorine atom and has a structural unit (I) and a structural unit (II).
  • the polymer [B] may have a structural unit other than the structural unit (I) and the structural unit (II).
  • each structural unit will be described.
  • the structural unit (I) is a structural unit represented by the following formula (1).
  • R 1 is a monovalent organic group having a fluorine atom and having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 2 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Organic group means a group containing at least one carbon atom.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms include a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a group containing a divalent hetero atom-containing group between carbon and carbon of the hydrocarbon group, Examples include groups in which a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group and the group containing a divalent hetero atom-containing group are substituted with a monovalent hetero atom-containing group.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and pentyl group, alkenyl groups such as ethenyl group, propenyl group, butenyl group and ethynyl group.
  • Chain hydrocarbon groups such as alkynyl groups such as propynyl group and butynyl group, cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group, cycloalkenyl groups such as cyclopropenyl group, cyclopentenyl group and cyclohexenyl group, norbornyl group, adamantyl group
  • Alicyclic hydrocarbon group such as bridged ring hydrocarbon group such as group, aryl group such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, aralkyl group such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, etc.
  • Group hydrocarbon groups and the like can be mentioned.
  • the divalent hetero atom-containing group includes, for example, —CO—, —CS—, —NH—, —O—, —S—, groups combining these, and the like.
  • Examples of the monovalent hetero atom-containing group include a hydroxy group, a sulfanyl group, a cyano group, a nitro group and a halogen atom.
  • Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom represented by R 1 include, for example, part or all of the hydrogen atoms contained in the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms exemplified above. Examples include groups substituted with atoms.
  • the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms having a fluorine atom include, for example, trifluoromethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, pentafluoroethyl group, 2,2,3,3 ,3-pentafluoropropan-1-yl group, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl group, heptafluoropropan-1-yl group, 2,2,3,3 , 4,4,4-Heptafluorobutan-1-yl group, nonafluorobutan-1-yl group, 3,3,4,4,5,5,6,6,6-nonafluorohexane-1- Fluorinated alkyl group such as fluorinated alkyl group such as yl group and tridecafluorohexane-1-yl group, fluorine such as undecafluorocyclohexane-1-yl group and undecafluorocyclohexane-1-yl group
  • R 1 is preferably a fluorinated hydrocarbon group, more preferably a fluorinated chain hydrocarbon group, even more preferably a fluorinated alkyl group, and a 2,2,2-trifluoroethyl group or 1,1,1,3
  • the 3,3,3-hexafluoropropan-2-yl group is particularly preferred.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 2 include the same groups as those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • a hydrogen atom or a chain hydrocarbon group is preferable, a hydrogen atom or an alkyl group is more preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is further preferable.
  • structural unit (I) examples include structural units represented by the following formulas (1-1) to (1-8) (hereinafter, also referred to as “structural units (I-1) to (I-8)”) and the like. Is mentioned.
  • R 2 has the same meaning as in the formula (1).
  • the structural unit (I) is preferably the structural unit (I-1) or (I-2).
  • the lower limit of the content ratio of the structural unit (I) is preferably 1 mol%, more preferably 10 mol%, further preferably 20 mol%, and 40 mol% based on all structural units constituting the [B] polymer. % Is particularly preferred.
  • the upper limit of the content ratio is preferably 99 mol%, more preferably 90 mol%, further preferably 80 mol%, particularly preferably 75 mol%.
  • the structural unit (II) is a structural unit represented by the following formula (2).
  • R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • R 4 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
  • Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 3 and R 4 include the same groups as those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. ..
  • R 3 is preferably a chain hydrocarbon group, more preferably an alkyl group, and further preferably a butan-1-yl group or a 2-ethylhexan-1-yl group.
  • a hydrogen atom or a chain hydrocarbon group is preferable, a hydrogen atom or an alkyl group is more preferable, and a hydrogen atom or a methyl group is further preferable.
  • structural unit (II) examples include structural units represented by the following formulas (2-1) to (2-8) (hereinafter, also referred to as “structural units (II-1) to (II-8)”) and the like. Is mentioned.
  • R 4 has the same meaning as in the above formula (2).
  • the structural unit (II) is preferably the structural unit (II-1) or (II-2).
  • the lower limit of the content of the structural unit (II) 1 mol% is preferable, 5 mol% is more preferable, 10 mol% is still more preferable, and 20 mol% is 20 mol% based on all structural units constituting the polymer [B]. % Is particularly preferred.
  • the upper limit of the content ratio is preferably 99 mol%, more preferably 90 mol%, further preferably 75 mol%, particularly preferably 60 mol%.
  • Examples of the other structural unit include a structural unit derived from (meth)acrylic acid ester, a structural unit derived from (meth)acrylic acid, a structural unit derived from an acenaphthylene compound, and the like.
  • the upper limit of the content ratio of the other structural unit is preferably 20 mol% with respect to all the structural units constituting the polymer [B]. Is more preferable.
  • the content of the other structural unit in the polymer [B] may be 0 mol %.
  • the lower limit of the weight average molecular weight (Mw) of the polymer [B] is preferably 1,000, more preferably 2,000, further preferably 3,000, particularly preferably 4,000.
  • the upper limit of the Mw is preferably 100,000, more preferably 50,000, further preferably 30,000, particularly preferably 20,000.
  • the upper limit of Mw/Mn of the [B] polymer is preferably 5, more preferably 3, and even more preferably 2.5.
  • the lower limit of Mw/Mn is usually 1, and 1.2 is preferable.
  • the lower limit of the content ratio of the [B] polymer is preferably 1% by mass, more preferably 3% by mass, and 5% by mass with respect to all components other than the [C] organic solvent in the resist underlayer film forming composition. % Is more preferred, 10% by weight is particularly preferred, 15% by weight is even more preferred, and 20% by weight is most preferred.
  • the upper limit of the content ratio is preferably 70% by mass, more preferably 65% by mass, further preferably 60% by mass, particularly preferably 55% by mass, even more preferably 50% by mass, most preferably 40% by mass.
  • the lower limit of the content ratio of the [B] polymer in the resist underlayer film forming composition is preferably 0.01% by mass, more preferably 0.1% by mass, and further preferably 1% by mass. As a maximum of the above-mentioned content rate, 50 mass% is preferred, 20 mass% is more preferred, and 10 mass% is still more preferred.
  • the lower limit of the content of the [B] polymer is preferably 1 part by mass, more preferably 3 parts by mass, further preferably 5 parts by mass, and particularly preferably 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the [A] compound. , 15 parts by mass are particularly preferred, and 25 parts by mass are most preferred.
  • the upper limit of the content is preferably 200 parts by mass, more preferably 175 parts by mass, further preferably 150 parts by mass, particularly preferably 125 parts by mass, further preferably 100 parts by mass, most preferably 75 parts by mass.
  • the embedding property and flatness of the resist underlayer film can be further improved.
  • a monomer that gives the structural unit (I), a monomer that gives the structural unit (II), and a monomer that gives another structural unit, if necessary, are each prescribed. It can be synthesized by polymerizing by a known method with an amount used such that the content ratio becomes.
  • organic solvent [C] is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the compound [A], the polymer [B] and optional components contained as necessary.
  • Examples of the [C] organic solvent include alcohol solvents, ketone solvents, ether solvents, ester solvents, nitrogen-containing solvents, hydrocarbon solvents and the like.
  • the organic solvent [C] can be used alone or in combination of two or more.
  • alcohol solvents examples include monoalcohol solvents such as methanol, ethanol and n-propanol, and polyhydric alcohol solvents such as ethylene glycol and 1,2-propylene glycol.
  • ketone solvents examples include chain ketone solvents such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and cyclic ketone solvents such as cyclohexanone.
  • ether solvents include chain ether solvents such as n-butyl ether, polyhydric alcohol ether solvents such as tetrahydrofuran and cyclic ether solvents such as 1,4-dioxane, and polyhydric alcohol partial ethers such as diethylene glycol monomethyl ether. Examples include system solvents.
  • ester solvent examples include carbonate solvents such as diethyl carbonate, acetic acid monoester solvents such as methyl acetate and ethyl acetate, lactone solvents such as ⁇ -butyrolactone, and diethylene glycol monomethyl ether acetate and propylene glycol monomethyl ether acetate.
  • examples thereof include a polyol alcohol partial ether carboxylate solvent, a lactate ester solvent such as methyl lactate and ethyl lactate.
  • nitrogen-containing solvent examples include chain nitrogen-containing solvents such as N,N-dimethylacetamide and cyclic nitrogen-containing solvents such as N-methylpyrrolidone.
  • hydrocarbon solvents examples include aliphatic hydrocarbon solvents such as decalin and aromatic hydrocarbon solvents such as toluene.
  • an ester solvent is preferable, a polyhydric alcohol partial ether carboxylate solvent is more preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is further preferable.
  • the lower limit of the content ratio of the [C] organic solvent in the resist underlayer film forming composition is preferably 50% by mass, more preferably 60% by mass, and further preferably 70% by mass. As a maximum of the above-mentioned content rate, 99.9 mass% is preferred, 99 mass% is more preferred, and 95 mass% is still more preferred.
  • the acid generator [D] is a component that generates an acid by the action of radiation or heat.
  • the generated acid promotes the crosslinking reaction of the [A] compound and the like, whereby the solvent resistance of the resist underlayer film can be further improved.
  • [D] acid generators include onium salt compounds and N-sulfonyloxyimide compounds.
  • onium salt compound examples include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium 2-(adamantan-1-ylcarbonyloxy)-1,1,3,3,3-pentafluoropropane-1-sulfonate, triphenylsulfonium Norbornane sultone-2-yloxycarbonyl difluoromethane sulfonate, triphenylsulfonium piperidin-1-ylsulfonyl-1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane-1-sulfonate, triphenylsulfonium adamantane-1-yl Sulfonium salts such as oxycarbonyldifluoromethanesulfonate, 4-cyclohexylphenyldiphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-methanesulfonylphenyldiphenylsulf
  • N-sulfonyloxyimide compound examples include N-(trifluoromethanesulfonyloxy)bicyclo[2.2.1]hept-5-ene-2,3-dicarboximide and N-(camphorsulfonyloxy)bicyclo[2 1.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide and the like.
  • the [D] acid generator is preferably an onium salt compound, more preferably an iodonium salt, and even more preferably bis(4-t-butylphenyl)iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate.
  • the lower limit of the content of the [D] acid generator is 0.1 part by mass relative to 100 parts by mass of the [A] compound. Is more preferable, 0.5 part by mass is more preferable, 1 part by mass is further preferable, and 2 parts by mass is particularly preferable.
  • the upper limit of the content is preferably 30 parts by mass, more preferably 20 parts by mass, further preferably 10 parts by mass, and particularly preferably 8 parts by mass.
  • the [E] cross-linking agent is a component which forms a cross-linking bond between the components such as the [A] compound in the resist underlayer film forming composition by the action of heat or an acid, or which forms a cross-linking structure by itself. is there.
  • the composition for forming a resist underlayer film contains a [E] crosslinking agent, the solvent resistance of the resist underlayer film can be further improved.
  • cross-linking agent examples include polyfunctional (meth)acrylate compounds, epoxy compounds, hydroxymethyl group-substituted phenol compounds, alkoxyalkyl group-containing phenol compounds, and compounds having alkoxyalkylated amino groups.
  • polyfunctional (meth)acrylate compound examples include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta( (Meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, glycerin tri(meth)acrylate, tris(2-hydroxyethyl)isocyanurate tri(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, 1,3-butanediol di (Meth)acrylate, 1,4-butanediol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate,
  • epoxy compound examples include novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, and aliphatic epoxy resin.
  • hydroxymethyl group-substituted phenol compound examples include 2-hydroxymethyl-4,6-dimethylphenol, 1,3,5-trihydroxymethylbenzene, 3,5-dihydroxymethyl-4-methoxytoluene [2,6-bis (Hydroxymethyl)-p-cresol] and the like.
  • alkoxyalkyl group-containing phenol compounds examples include methoxymethyl group-containing phenol compounds and ethoxymethyl group-containing phenol compounds.
  • Examples of the compound having an alkoxyalkylated amino group include, for example, a plurality of compounds in one molecule such as (poly)methylolated melamine, (poly)methylolated glycoluril, (poly)methylolated benzoguanamine, and (poly)methylolated urea.
  • Examples thereof include nitrogen-containing compounds having one active methylol group, in which at least one hydrogen atom of the hydroxyl group of the methylol group is substituted with an alkyl group such as a methyl group or a butyl group.
  • the compound having an alkoxyalkylated amino group may be a mixture of a plurality of substituted compounds, or may include an oligomer component partially self-condensed.
  • crosslinking agent [E] a compound having an alkoxyalkylated amino group is preferable, (poly)methylol glycoluril is more preferable, and 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril is further preferable. ..
  • the lower limit of the content of the [E] crosslinking agent is 0.1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer. 1 part by mass is more preferable, 3 parts by mass is further preferable, and 5 parts by mass is particularly preferable.
  • the upper limit of the content is preferably 50 parts by mass, more preferably 30 parts by mass, further preferably 20 parts by mass, and particularly preferably 15 parts by mass.
  • optional ingredients examples include a surfactant and an adhesion aid.
  • composition for forming a resist underlayer film is preferably obtained by mixing, for example, a compound [A], a polymer [B], an organic solvent [C] and optional components used as necessary in a predetermined ratio. It can be prepared by filtering the mixed solution with a filter having a pore size of 0.2 ⁇ m or less.
  • the resist pattern forming method comprises a step of applying a resist underlayer film forming composition on one surface side of a substrate (hereinafter, also referred to as “resist underlayer film forming composition applying step”) and the resist underlayer film.
  • a step of forming a silicon-containing film on the surface of the resist underlayer film formed by the forming composition coating step opposite to the substrate (hereinafter, also referred to as "silicon-containing film forming step”); And a step of applying a resist film forming composition on the side opposite to the substrate (hereinafter, also referred to as “resist film forming composition applying step”), and the resist film forming composition applying step
  • the method includes a step of exposing the resist film formed by (1) to radiation (hereinafter, also referred to as "exposure step”), and a step of developing the exposed resist film (hereinafter also referred to as "developing step”).
  • exposure step a step of exposing the resist film formed by (1) to radiation
  • developing step hereinafter also referred to as "developing step”
  • the resist underlayer film forming composition described above is used as the resist underlayer film forming composition.
  • a good resist pattern can be formed by using the resist underlayer film having excellent embedding property and flatness.
  • each step will be described.
  • the resist underlayer film forming composition is applied to one surface side of the substrate.
  • the resist underlayer film forming composition may be prepared before the resist underlayer film forming composition coating step.
  • the composition for forming a resist underlayer film is preferably obtained by mixing, for example, a compound [A], a polymer [B], an organic solvent [C] and optional components used as necessary in a predetermined ratio. It can be prepared by filtering the mixed solution with a filter having a pore size of 0.2 ⁇ m or less.
  • the substrate may be, for example, a silicon wafer or a wafer covered with aluminum.
  • the coating method of the resist underlayer film forming composition is not particularly limited, and can be carried out by an appropriate method such as spin coating, cast coating, roll coating, etc., whereby the coating film is formed. Can be formed.
  • the above coating film may be heated.
  • the coating film is usually heated in the atmosphere, but may be heated in a nitrogen atmosphere.
  • the lower limit of the heating temperature is preferably 150°C, more preferably 200°C, even more preferably 230°C.
  • As an upper limit of the temperature 600°C is preferable, 400°C is more preferable, and 300°C is further preferable.
  • the lower limit of the heating time is preferably 15 seconds, more preferably 30 seconds.
  • the upper limit of the above time is preferably 1,200 seconds, more preferably 600 seconds.
  • the coating film may be exposed to radiation.
  • the lower limit of the average thickness of the resist underlayer film to be formed is preferably 30 nm, more preferably 50 nm, further preferably 100 nm, particularly preferably 150 nm.
  • As the upper limit of the average thickness 10,000 nm is preferable, 1,000 nm is more preferable, 500 nm is further preferable, and 300 nm is particularly preferable.
  • Silicon-containing film forming step In this step, a silicon-containing film is formed on the surface of the resist underlayer film formed in the resist underlayer film forming composition coating step opposite to the substrate side.
  • the silicon-containing film can be formed by applying a composition for forming a silicon-containing film, a chemical vapor deposition (CVD) method, an atomic layer deposition (ALD) method, or the like.
  • a method for forming a silicon-containing film by coating the composition for forming a silicon-containing film for example, the composition for forming a silicon-containing film is formed by coating the surface of the resist underlayer film opposite to the substrate side. Examples include a method of curing the coated film by exposing and/or heating it.
  • the commercial product of the above silicon-containing film forming composition for example, "NFC SOG01", “NFC SOG04", “NFC SOG080" (above, JSR Corporation), etc. can be used.
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, an amorphous silicon film, or the like can be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method or an atomic layer deposition (ALD) method.
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • Examples of the radiation used for the above exposure include visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electromagnetic waves such as X-rays and ⁇ -rays, electron beams, molecular beams, particle beams such as ion beams.
  • the lower limit of the temperature for heating the coating film is preferably 90°C, more preferably 150°C, even more preferably 250°C.
  • the upper limit of the temperature is preferably 550°C, more preferably 450°C, and even more preferably 350°C.
  • the lower limit of the average thickness of the formed silicon-containing film is preferably 1 nm, more preferably 10 nm, further preferably 30 nm.
  • the upper limit of the average thickness is preferably 20,000 nm, more preferably 1,000 nm, even more preferably 100 nm.
  • resist film forming composition coating step In this step, the resist film-forming composition is applied to the surface of the silicon-containing film opposite to the substrate.
  • the resist film forming composition is applied so that the obtained resist film has a predetermined thickness to form a coating film, and then the solvent in the coating film is volatilized by heating. By doing so, a resist film is formed.
  • the resist film-forming composition for example, a positive or negative chemically amplified resist composition containing a radiation-sensitive acid generator, a positive resist composition containing an alkali-soluble resin and a quinonediazide-based photosensitizer, A negative resist composition containing an alkali-soluble resin and a crosslinking agent can be used.
  • the lower limit of the content ratio of all components other than the solvent in the resist film forming composition is preferably 0.3% by mass, more preferably 1% by mass. As a maximum of the above-mentioned content rate, 50 mass% is preferred and 30 mass% is more preferred.
  • the resist film-forming composition is generally used for forming a resist film after being filtered with a filter having a pore size of 0.2 ⁇ m or less. In this step, a commercially available resist composition can be used as it is.
  • the heating temperature of the coating film is appropriately adjusted according to the type of the resist film forming composition used, etc., but the lower limit of the above temperature is preferably 30°C, and more preferably 50°C.
  • the upper limit of the temperature is preferably 200°C, more preferably 150°C.
  • the lower limit of the heating time is preferably 10 seconds, more preferably 30 seconds.
  • the upper limit of the above time is preferably 600 seconds, more preferably 300 seconds.
  • the radiation used for the exposure depending on the type of the radiation-sensitive acid generator used in the resist film-forming composition, for example, visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electromagnetic waves such as X-rays and ⁇ -rays, electron rays , A molecular beam, a particle beam such as an ion beam, or the like.
  • visible light for example, visible light, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electromagnetic waves such as X-rays and ⁇ -rays, electron rays , A molecular beam, a particle beam such as an ion beam, or the like.
  • far-ultraviolet rays or electron beams are preferable, and KrF excimer laser light (248 nm), ArF excimer laser light (193 nm), extreme ultraviolet rays (wavelength 13.5 nm, etc., EUV) or electron rays are more preferable.
  • post-exposure heating can be performed to improve the resolution, pattern profile, developability, etc.
  • the temperature of this post-exposure heating is appropriately adjusted depending on the type of the resist film forming composition used and the like, but the lower limit of the above temperature is preferably 50°C, more preferably 70°C.
  • the upper limit of the temperature is preferably 200°C, more preferably 150°C.
  • the lower limit of the post-exposure heating time is preferably 10 seconds, more preferably 30 seconds.
  • the upper limit of the above time is preferably 600 seconds, more preferably 300 seconds.
  • the exposed resist film is developed.
  • This development may be alkali development or organic solvent development.
  • As the developing solution in the case of alkaline development, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyl Diethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]-7-undecene, 1,5 Examples include basic aqueous solutions of diazabicyclo[4.3.0]-5-nonene and the like.
  • a water-soluble organic solvent such as alcohols such as methanol and ethanol, a surfactant and the like
  • examples of the developing solution include various organic solvents exemplified as the [C] organic solvent of the above resist underlayer film forming composition.
  • a pattern can be formed on the substrate by performing etching using the resist pattern formed by the resist pattern forming method as a mask.
  • the number of times of etching may be once or plural times, that is, the pattern obtained by etching may be sequentially used as a mask, but it is preferably plural times from the viewpoint of obtaining a pattern having a better shape.
  • the silicon-containing film, the resist lower layer film, and the substrate are sequentially etched.
  • the etching method include dry etching and wet etching. Of these, dry etching is preferable from the viewpoint of improving the pattern shape of the substrate. For this dry etching, for example, gas plasma such as oxygen plasma is used.
  • Average film thickness The average thickness of the film was measured using a spectroscopic ellipsometer (“M2000D” manufactured by JA WOLLAM).
  • the reaction solution was poured into a mixed solution of methanol/water (50/50 (mass ratio)) to reprecipitate.
  • the precipitate was collected with filter paper and dried to obtain a polymer (A-1).
  • the Mw of the polymer (A-1) was 50,000.
  • the polymerization reaction solution was poured into a large amount of a mixed solution of methanol/water (70/30 (mass ratio)), and the obtained precipitate was collected by filtration to obtain the polymer (A-4). Obtained.
  • the Mw of the polymer (A-4) was 3,363.
  • the initiation of the polymerization reaction was started by the dropwise addition, the polymerization reaction was carried out for 6 hours, and then cooled to 30° C. or lower. 300 g of propylene glycol monomethyl ether acetate was added to the reaction solution, and 2-butanone was removed by concentration under reduced pressure to obtain a propylene glycol monomethyl ether acetate solution of the polymer (B-1).
  • the polymer (B-1) had an Mw of 12,000 and an Mw/Mn of 2.1.
  • D-1 Bis(4-t-butylphenyl)iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate (compound represented by the following formula (D-1))
  • E-1 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)glycoluril (a compound represented by the following formula (E-1))
  • Example 1 100 parts by mass of (A-1) as a compound [A], 30 parts by mass of (B-1) as a polymer of [B] (however, excluding propylene glycol monomethyl ether acetate solvent) and [C] organic solvent (C-1) 1,300 parts by mass (provided that the propylene glycol monomethyl ether acetate solvent in the polymer solution [B] is included), and the resulting mixture is filtered through a filter having a pore size of 0.2 ⁇ m.
  • a resist underlayer film forming composition (J-1) was prepared.
  • Example 2 to 26 and Comparative Examples 1 to 9 Compositions (J-2) to (J-26) and (CJ-1) for forming resist underlayer film were formed in the same manner as in Example 1 except that the types and contents shown in Table 1 below were used. ⁇ (CJ-9) were prepared.
  • a spin coater (“CLEAN TRACK ACT12” manufactured by Tokyo Electron Ltd.) was applied onto a silicon substrate on which a line-and-space pattern having a depth of 100 nm and a width of 100 nm was formed. was applied by a spin coating method. Next, in an air atmosphere, after heating at 250° C. for 60 seconds, it is cooled at 23° C. for 60 seconds to form a resist underlayer film having an average thickness of 200 nm in the line pattern portion. A substrate was obtained. The cross-sectional shape of the silicon substrate with the resist underlayer film was observed with a scanning electron microscope (“S-4800” manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) to evaluate the embedding property. The embeddability was evaluated as "A" (good) when the resist underlayer film was buried to the bottom of the space pattern, and "B" (bad) when the resist underlayer film was not buried to the bottom of the pattern. ..
  • a spin coater (“CLEAN TRACK” manufactured by Tokyo Electron Ltd.) was applied onto a silicon substrate 1 on which a trench pattern having a depth of 100 nm and a width of 10 ⁇ m was formed, as shown in FIG. ACT12" was applied by a spin coating method.
  • a resist underlayer film 2 having an average thickness of 200 nm in the non-trench pattern portion is formed. The attached silicon substrate was obtained.
  • the cross-sectional shape of the silicon substrate with the resist underlayer film was observed with a scanning electron microscope (“S-4800” manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and the height of the resist underlayer film 2 at the central portion b of the trench pattern was measured.
  • the difference ( ⁇ FT) from the height of the portion a of the non-trench pattern 5 ⁇ m from the end of the trench pattern was used as an index of flatness.
  • the flatness was evaluated as “A” (good) when the ⁇ FT was less than 30 nm and “B” (bad) when the ⁇ FT was 30 nm or more.
  • the height difference shown in FIG. 1 is exaggerated from the actual one.
  • the resist underlayer film forming compositions of Examples can form a resist underlayer film excellent in embedding property and flatness.
  • composition for forming a resist underlayer film of the present invention it is possible to form a resist underlayer film having excellent embedding property and flatness.
  • the resist underlayer film of the present invention is excellent in embedding property and flatness.
  • the resist pattern forming method of the present invention a good resist pattern can be formed by using such a resist underlayer film having excellent embedding property and flatness. Therefore, these can be suitably used for manufacturing semiconductor devices, which are expected to be further miniaturized in the future.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本発明は、芳香環を有する化合物と、フッ素原子を有する重合体と、有機溶媒とを含有し、上記フッ素原子を有する重合体が、下記式（１）で表される第１構造単位と、下記式（２）で表される第２構造単位とを有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式（１）中、Ｒ１は、フッ素原子を有する炭素数１～２０の１価の有機基である。Ｒ２は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。下記式（２）中、Ｒ３は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。Ｒ４は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。

Description

レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法
　本発明は、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法に関する。
　半導体デバイスの製造にあたっては、基板の少なくとも一方の面側にレジスト下層膜形成用組成物により、レジスト下層膜を形成し、このレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物等を用いてレジストパターンを形成する方法が用いられている。このレジストパターンをマスクとしてレジスト下層膜をエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをマスクとしてさらに基板をエッチングすることができる。
　このようなレジスト下層膜形成用組成物に用いられる材料について、種々の検討が行われている（特開２０１３－８３８３３号公報参照）。
特開２０１３－８３８３３号公報
　最近では、複数種のトレンチ、特に互いに異なるアスペクト比を有するトレンチを有する基板が用いられている。この場合、レジスト下層膜形成用組成物には、埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を形成できることが求められている。
　本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法を提供することにある。
　上記課題を解決するためになされた発明は、芳香環を有する化合物と、フッ素原子を有する重合体と、有機溶媒とを含有し、上記フッ素原子を有する重合体が、下記式（１）で表される第１構造単位と、下記式（２）で表される第２構造単位とを有するレジスト下層膜形成用組成物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式（１）中、Ｒ１は、フッ素原子を有する炭素数１～２０の１価の有機基である。Ｒ２は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式（２）中、Ｒ３は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。Ｒ４は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。）
　上記課題を解決するためになされた別の発明は、当該レジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜である。
　上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、基板の一方の面側に当該レジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程と、上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備えるレジストパターン形成方法である。
　本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。本発明のレジスト下層膜は、埋め込み性及び平坦性に優れている。本発明のレジストパターン形成方法によれば、このような埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を用いることにより、良好なレジストパターンを形成することができる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造等に好適に用いることができる。
平坦性の評価方法を説明するための模式的断面図である。
＜レジスト下層膜形成用組成物＞
　当該レジスト下層膜形成用組成物は、芳香環を有する化合物（以下、「［Ａ］化合物」ともいう）と、フッ素原子を有する重合体（以下、「［Ｂ］重合体」ともいう）と、有機溶媒（以下、「［Ｃ］有機溶媒」ともいう）とを含有し、上記［Ｂ］重合体が、式（１）で表される第１構造単位（以下、「構造単位（Ｉ）」ともいう）と、式（２）で表される第２構造単位（以下、「構造単位（ＩＩ）」ともいう）とを有する。
　当該レジスト下層膜形成用組成物は、［Ａ］化合物、［Ｂ］重合体及び［Ｃ］有機溶媒以外に、酸発生剤（以下、「［Ｄ］酸発生剤」ともいう）及び／又は架橋剤（以下、「［Ｅ］架橋剤」ともいう）を含有することが好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。
　当該レジスト下層膜形成用組成物は、［Ａ］化合物と［Ｂ］重合体と［Ｃ］有機溶媒とを含有し、［Ｂ］重合体が構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩ）とを有することで、埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。当該レジスト下層膜形成用組成物が上記構成を備えることで上記効果を奏する理由については必ずしも明確ではないが、例えば芳香環を有する［Ａ］化合物に、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）を有する特定構造の［Ｂ］重合体を加えることにより、レジスト下層膜形成用組成物の塗工工程におけるレジスト下層膜形成用組成物の流動性等が向上することなどが考えられる。
　以下、各成分について説明する。
＜［Ａ］化合物＞
　［Ａ］化合物は、芳香環を有する化合物である。［Ａ］化合物としては、芳香環を有するものであれば特に限定されず用いることができる。［Ａ］化合物は１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　芳香環としては、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環、フルオレニリデンビナフタレン環等の芳香族炭素環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、ホスホール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等の芳香族複素環などが挙げられる。これらの中で、芳香族炭素環が好ましい。
　［Ａ］化合物としては、芳香環を含む構造単位を有する重合体（以下、「［Ａ］重合体」ともいう）、芳香環含有化合物等が挙げられる。「重合体」とは、構造単位を２つ以上有する化合物をいう。「芳香環含有化合物」とは、芳香環を含み、構造単位を１つ有する化合物をいう。芳香環含有化合物の分子量としては、例えば３００以上３，０００以下である。当該レジスト下層膜形成用組成物は、［Ａ］化合物として［Ａ］重合体を用いると、塗工性をより向上させることができる。
　［Ａ］重合体としては、例えば主鎖に芳香環を有する重合体、主鎖に芳香環を有さず側鎖に芳香環を有する重合体等が挙げられる。「主鎖」とは、重合体における原子により構成される鎖のうち最も長いものをいう。「側鎖」とは、重合体における原子により構成される鎖のうち最も長いもの以外をいう。
　［Ａ］重合体としては、例えば重縮合化合物、重縮合以外の反応により得られる化合物等が挙げられる。
　［Ａ］重合体しては、例えばノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂等が挙げられる。
（ノボラック樹脂）
　ノボラック樹脂は、フェノール性化合物と、アルデヒド類又はジビニル化合物等とを酸性触媒を用いて反応させて得られる樹脂である。複数のフェノール性化合物と、アルデヒド類又はジビニル化合物等とを混合して反応させてもよい。
　フェノール性化合物としては、例えばフェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールＡ、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－オクチルフェノール、９，９－ビス（４－ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９－ビス（３－ヒドロキシフェニル）フルオレン、４，４’－（α－メチルべンジリデン）ビスフェノール等のフェノール類、α－ナフトール、β－ナフトール、１，５－ジヒドロキシナフタレン、２，７－ジヒドロキシナフタレン、９，９－ビス（６－ヒドロキシナフチル）フルオレン等のナフトール類、９－アントロール等のアントロール類、１－ヒドロキシピレン、２－ヒドロキシピレン等のピレノール類などが挙げられる。
　アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、１－ナフトアルデヒド、２－ナフトアルデヒド、１－ホルミルピレン等のアルデヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のアルデヒド源などが挙げられる。
　ジビニル化合物類としては、例えばジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４－ビニルシクロヘキセン、５－ビニルノルボルナ－２－エン、ジビニルピレン、リモネン、５－ビニルノルボルナジエン等が挙げられる。
　ノボラック樹脂としては、例えばフェノール及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、クレゾール及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、ジヒドロキシナフタレン及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、フルオレンビスフェノール及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、フルオレンビスナフトール及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、ヒドロキシピレン及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、ヒドロキシピレン及びナフトアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、４，４’－（α－メチルべンジリデン）ビスフェノール及びホルムアルデヒドに由来する構造単位を有する樹脂、フェノール化合物及びホルミルピレンに由来する構造単位を有する樹脂、これらを組み合わせた樹脂、これらの樹脂のフェノール性水酸基の水素原子の一部又は全部をプロパルギル基等で置換した樹脂などが挙げられる。
（レゾール樹脂）
　レゾール樹脂は、フェノール性化合物と、アルデヒド類とをアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる樹脂である。
（スチレン樹脂）
　スチレン樹脂は、芳香環及び重合性炭素－炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂である。スチレン樹脂は、上記構造単位以外にも、アクリル系単量体、ビニルエーテル類等に由来する構造単位を有していてもよい。
　スチレン樹脂としては、例えばポリスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリヒドロキシスチレン、ポリフェニル（メタ）アクリレート、これらを組み合わせた樹脂等が挙げられる。
（アセナフチレン樹脂）
　アセナフチレン樹脂は、アセナフチレン骨格を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂である。
　アセナフチレン樹脂としては、例えばアセナフチレンとヒドロキシメチルアセナフチレンとの共重合体等が挙げられる。
（インデン樹脂）
　インデン樹脂は、インデン骨格を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂である。
（アリーレン樹脂）
　アリーレン樹脂は、アリーレン骨格を含む化合物に由来する構造単位を有する樹脂である。アリーレン骨格としては、例えばフェニレン骨格、ナフチレン骨格、ビフェニレン骨格等が挙げられる。
　アリーレン樹脂としては、例えばポリアリーレンエーテル、ポリアリーレンスルフィド、ポリアリーレンエーテルスルホン、ポリアリーレンエーテルケトン、ビフェニレン骨格を含む構造単位を有する樹脂、ビフェニレン骨格を含む構造単位とアセナフチレン骨格を含む化合物に由来する構造単位とを有する樹脂等が挙げられる。
（トリアジン樹脂）
　トリアジン樹脂は、トリアジン骨格を有する化合物に由来する構造単位を有する樹脂である。
　トリアジン骨格を有する化合物としては、例えばメラミン化合物、シアヌル酸化合物等が挙げられる。
　［Ａ］重合体がノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂又はトリアジン樹脂の場合、［Ａ］重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）の下限としては、１，０００が好ましく、２，０００がより好ましく、３，０００がさらに好ましく、４，０００が特に好ましい。また、上記Ｍｗの上限としては、１００，０００が好ましく、６０，０００がより好ましく、３０，０００がさらに好ましく、１５，０００が特に好ましい。［Ａ］重合体のＭｗを上記範囲とすることで、レジスト下層膜の埋め込み性及び平坦性をより向上させることができる。
　［Ａ］重合体のＭｗ／Ｍｎ（Ｍｎは、ＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量である）の上限としては、５が好ましく、３がより好ましく、２がさらに好ましい。上記Ｍｗ／Ｍｎの下限としては、通常１であり、１．２が好ましい。
　本明細書において、重合体のＭｗ及びＭｎは、ＧＰＣカラム（東ソー（株）の「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本、「Ｇ４０００ＨＸＬ」１本）を使用し、流量：１．０ｍＬ／分、溶出溶媒：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（検出器：示差屈折計）により測定される値である。
（カリックスアレーン樹脂）
　カリックスアレーン樹脂は、ヒドロキシ基が結合する芳香環が炭化水素基を介して複数個環状に結合した環状オリゴマー又はこのヒドロキシ基、芳香環及び炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部が置換されたものである。
　カリックスアレーン樹脂としては、例えばフェノール、ナフトール等のフェノール化合物とホルムアルデヒドとから形成される環状４～１２量体、フェノール、ナフトール等のフェノール化合物とベンズアルデヒド化合物とから形成される環状４～１２量体、これらの環状体が有するフェノール性水酸基の水素原子をプロパルギル基等で置換した樹脂等が挙げられる。
　カリックスアレーン樹脂の分子量の下限としては、５００が好ましく、７００がより好ましく、１，０００がさらに好ましい。上記分子量の上限としては、５，０００が好ましく、３，０００がより好ましく、１，５００がさらに好ましい。
　［Ａ］化合物は、水酸基を有することが好ましい。水酸基としては、例えばフェノール性水酸基、アルコール性水酸基等が挙げられる。［Ａ］化合物が水酸基を有すると、後述する［Ｄ］酸発生剤、［Ｅ］架橋剤等により、［Ａ］化合物の架橋反応を促進させることができる。
　［Ａ］化合物の含有割合の下限としては、当該レジスト下層膜形成用組成物における［Ｃ］有機溶媒以外の全成分に対して、２０質量％が好ましく、３５質量％がより好ましく、４５質量％がさらに好ましく、５５質量％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、９９質量％が好ましく、９５質量％がより好ましく、９０質量％がさらに好ましく、８５質量％が特に好ましい。
　当該レジスト下層膜形成用組成物における［Ａ］化合物の含有割合の下限としては、０．１質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、２質量％がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましい。
［［Ａ］化合物の合成方法］
　［Ａ］化合物は、公知の方法に従って合成してもよく、商業的に入手可能な市販品を用いてもよい。
＜［Ｂ］重合体＞
　［Ｂ］重合体は、フッ素原子を有する重合体であって、構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩ）とを有する。［Ｂ］重合体は、構造単位（Ｉ）及び構造単位（ＩＩ）以外の他の構造単位を有していてもよい。
　以下、各構造単位について説明する。
［構造単位（Ｉ）］
　構造単位（Ｉ）は、下記式（１）で表される構造単位である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　上記式（１）中、Ｒ１は、フッ素原子を有する炭素数１～２０の１価の有機基である。Ｒ２は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。
　「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。炭素数１～２０の１価の有機基としては、例えば炭素数１～２０の１価の炭化水素基、この炭化水素基の炭素－炭素間に２価のヘテロ原子含有基を含む基、上記炭化水素基及び上記２価のヘテロ原子含有基を含む基が有する水素原子の一部又は全部を１価のヘテロ原子含有基で置換した基等が挙げられる。
　炭素数１～２０の１価の炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基、エチニル基、プロピニル基、ブチニル基等のアルキニル基などの鎖状炭化水素基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、シクロプロペニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等のシクロアルケニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等の橋かけ環炭化水素基などの脂環式炭化水素基、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基などの芳香族炭化水素基などが挙げられる。
　２価のヘテロ原子含有基としては、例えば－ＣＯ－、－ＣＳ－、－ＮＨ－、－Ｏ－、－Ｓ－、これらを組み合わせた基等が挙げられる。
　１価のヘテロ原子含有基としては、例えばヒドロキシ基、スルファニル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　Ｒ１で表されるフッ素原子を有する炭素数１～２０の１価の有機基としては、例えば上記例示した炭素数１～２０の１価の有機基が有する水素原子の一部又は全部をフッ素原子で置換した基等が挙げられる。
　フッ素原子を有する炭素数１～２０の１価の有機基の具体例としては、例えばトリフルオロメチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロパン－１－イル基、１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン－２－イル基、へプタフルオロプロパン－１－イル基、２，２，３，３，４，４，４－へプタフルオロブタン－１－イル基、ノナフルオロブタン－１－イル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロヘキサン－１－イル基、トリデカフルオロヘキサン－１－イル基等のフッ素化アルキル基などのフッ素化鎖状炭化水素基、ウンデカフルオロシクロヘキサン－１－イル基、ウンデカフルオロシクロヘキサン－１－イルメチル基等のフッ素化シクロアルキル基などのフッ素化脂環式炭化水素基、２，４，６－トリフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等のフッ素化アリール基、ペンタフルオロベンジル基等のフッ素化アラルキル基などのフッ素化芳香族炭化水素基などのフッ素化炭化水素基、４，４，４－トリフルオロ－３－オキソブタン－１－イル基等のオキソ基及びフッ素原子含有基、４，４，５，５，６，６，６－へプタフルオロ－３－オキサヘキサン－１－イル基等のエーテル基及びフッ素原子含有基、２－ヒドロキシ－２－トリフルオロメチル－３，３，３－トリフルオロプロパン－１－イル基、４－ヒドロキシ－４－トリフルオロメチル－５，５，５－トリフルオロペンタン－２－イル基、３，５－ジ（１－ヒドロキシ－１－トリフルオロメチル－２，２，２－トリフルオロエチル）シクロヘキサン－１－イル基等のヒドロキシ基及びフッ素原子含有基などの酸素原子及びフッ素原子含有基などが挙げられる。
　Ｒ１としては、フッ素化炭化水素基が好ましく、フッ素化鎖状炭化水素基がより好ましく、フッ素化アルキル基がさらに好ましく、２，２，２－トリフルオロエチル基又は１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン－２－イル基が特に好ましい。
　Ｒ２で表される炭素数１～２０の１価の炭化水素基としては、例えば上記炭素数１～２０の１価の炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。
　Ｒ２としては、水素原子又は鎖状炭化水素基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
　構造単位（Ｉ）としては、例えば下記式（１－１）～（１－８）で表される構造単位（以下、「構造単位（Ｉ－１）～（Ｉ－８）」ともいう）等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　上記式（１－１）～（１－８）中、Ｒ２は、上記式（１）と同義である。
　構造単位（Ｉ）としては、構造単位（Ｉ－１）又は（Ｉ－２）が好ましい。
　構造単位（Ｉ）の含有割合の下限としては、［Ｂ］重合体を構成する全構造単位に対して、１モル％が好ましく、１０モル％がより好ましく、２０モル％がさらに好ましく、４０モル％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、９９モル％が好ましく、９０モル％がより好ましく、８０モル％がさらに好ましく、７５モル％が特に好ましい。構造単位（Ｉ）の含有割合を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の埋め込み性及び平坦性をより向上させることができる。
［構造単位（ＩＩ）］
　構造単位（ＩＩ）は、下記式（２）で表される構造単位である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　上記式（２）中、Ｒ３は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。Ｒ４は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。
　Ｒ３及びＲ４で表される炭素数１～２０の１価の炭化水素基としては、例えば上記炭素数１～２０の１価の炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。
　Ｒ３としては、鎖状炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましく、ブタン－１－イル基又は２－エチルヘキサン－１－イル基がさらに好ましい。
　Ｒ４としては、水素原子又は鎖状炭化水素基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましく、水素原子又はメチル基がさらに好ましい。
　構造単位（ＩＩ）としては、例えば下記式（２－１）～（２－８）で表される構造単位（以下、「構造単位（ＩＩ－１）～（ＩＩ－８）」ともいう）等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　上記式（２－１）～（２－８）中、Ｒ４は、上記式（２）と同義である。
　構造単位（ＩＩ）としては、構造単位（ＩＩ－１）又は（ＩＩ－２）が好ましい。
　構造単位（ＩＩ）の含有割合の下限としては、［Ｂ］重合体を構成する全構造単位に対して、１モル％が好ましく、５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、２０モル％が特に好ましい。上記含有割合の上限としては、９９モル％が好ましく、９０モル％がより好ましく、７５モル％がさらに好ましく、６０モル％が特に好ましい。構造単位（ＩＩ）の含有割合を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の埋め込み性及び平坦性をより向上させることができる。
［他の構造単位］
　他の構造単位としては、例えば（メタ）アクリル酸エステルに由来する構造単位、（メタ）アクリル酸に由来する構造単位、アセナフチレン化合物に由来する構造単位等が挙げられる。
　［Ｂ］重合体が他の構造単位を有する場合、他の構造単位の含有割合の上限としては、［Ｂ］重合体を構成する全構造単位に対して、２０モル％が好ましく、５モル％がより好ましい。［Ｂ］重合体における他の構造単位の含有割合は０モル％であってもよい。
　［Ｂ］重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限としては、１，０００が好ましく、２，０００がより好ましく、３，０００がさらに好ましく、４，０００が特に好ましい。上記Ｍｗの上限としては、１００，０００が好ましく、５０，０００がより好ましく、３０，０００がさらに好ましく、２０，０００が特に好ましい。［Ｂ］重合体のＭｗを上記範囲とすることで、レジスト下層膜の埋め込み性及び平坦性をより向上させることができる。
　［Ｂ］重合体のＭｗ／Ｍｎの上限としては、５が好ましく、３がより好ましく、２．５がさらに好ましい。上記Ｍｗ／Ｍｎの下限としては、通常１であり、１．２が好ましい。
　［Ｂ］重合体の含有割合の下限としては、当該レジスト下層膜形成用組成物における［Ｃ］有機溶媒以外の全成分に対して、１質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、５質量％がさらに好ましく、１０質量％が特に好ましく、１５質量％がさらに特に好ましく、２０質量％が最も好ましい。上記含有割合の上限としては、７０質量％が好ましく、６５質量％がより好ましく、６０質量％がさらに好ましく、５５質量％が特に好ましく、５０質量％がさらに特に好ましく、４０質量％が最も好ましい。
　当該レジスト下層膜形成用組成物における［Ｂ］重合体の含有割合の下限としては、０．０１質量％が好ましく、０．１質量％がより好ましく、１質量％がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、１０質量％がさらに好ましい。
　［Ｂ］重合体の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、１質量部が好ましく、３質量部がより好ましく、５質量部がさらに好ましく、１０質量部が特に好ましく、１５質量部がさらに特に好ましく、２５質量部が最も好ましい。上記含有量の上限としては、２００質量部が好ましく、１７５質量部がより好ましく、１５０質量部がさらに好ましく、１２５質量部が特に好ましく、１００質量部がさらに特に好ましく、７５質量部が最も好ましい。
　［Ｂ］重合体の含有割合又は含有量を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の埋め込み性及び平坦性をより向上させることができる。
［［Ｂ］重合体の合成方法］
　［Ｂ］重合体は、例えば構造単位（Ｉ）を与える単量体と、構造単位（ＩＩ）を与える単量体と、必要に応じて他の構造単位を与える単量体とを、それぞれ所定の含有割合になるような使用量で用い公知の方法により重合させることによって合成することができる。
＜［Ｃ］有機溶媒＞
　［Ｃ］有機溶媒は、［Ａ］化合物、［Ｂ］重合体及び必要に応じて含有される任意成分を溶解又は分散できるものであれば特に限定されない。
　［Ｃ］有機溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、含窒素系溶媒、炭化水素系溶媒等が挙げられる。［Ｃ］有機溶媒は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ－プロパノール等のモノアルコール系溶媒、エチレングリコール、１，２－プロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒などが挙げられる。
　ケトン系溶媒としては、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の鎖状ケトン系溶媒、シクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒などが挙げられる。
　エーテル系溶媒としては、例えばｎ－ブチルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル系溶媒などの多価アルコールエーテル系溶媒、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
　エステル系溶媒としては、例えばジエチルカーボネート等のカーボネート系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル等の酢酸モノエステル系溶媒、γ－ブチロラクトン等のラクトン系溶媒、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル系溶媒などが挙げられる。
　含窒素系溶媒としては、例えばＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等の鎖状含窒素系溶媒、Ｎ－メチルピロリドン等の環状含窒素系溶媒などが挙げられる。
　炭化水素系溶媒としては、例えばデカリン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン等の芳香族炭化水素系溶媒などが挙げられる。
　［Ｃ］有機溶媒としては、エステル系溶媒が好ましく、多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒がより好ましく、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルがさらに好ましい。
　当該レジスト下層膜形成用組成物における［Ｃ］有機溶媒の含有割合の下限としては、５０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、７０質量％がさらに好ましい。上記含有割合の上限としては、９９．９質量％が好ましく、９９質量％がより好ましく、９５質量％がさらに好ましい。
［［Ｄ］酸発生剤］
　［Ｄ］酸発生剤は、放射線又は熱の作用により酸を発生する成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｄ］酸発生剤を含有すると、発生した酸により［Ａ］化合物等の架橋反応が促進され、レジスト下層膜の溶媒耐性をより向上させることができる。
　［Ｄ］酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、Ｎ－スルホニルオキシイミド化合物等が挙げられる。
　オニウム塩化合物としては、例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２－（アダマンタン－１－イルカルボニルオキシ）－１，１，３，３，３－ペンタフルオロプロパン－１－スルホネート、トリフェニルスルホニウムノルボルナンスルトン－２－イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムピペリジン－１－イルスルホニル－１，１，２，２，３，３－ヘキサフルオロプロパン－１－スルホネート、トリフェニルスルホニウムアダマンタン－１－イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、４－シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、４－メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート等のスルホニウム塩、１－（４－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１－（６－ｎ－ブトキシナフタレン－１－イル）テトラヒドロチオフェニウム２－ビシクロ［２．２．１］ヘプト－２－イル－１，１，２，２－テトラフルオロエタン－１－スルホネート、１－（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムカンファースルホネート等のテトラヒドロチオフェニウム塩、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート、４－メトキシフェニルフェニルヨードニウムカンファースルホネート等のヨードニウム塩などが挙げられる。
　Ｎ－スルホニルオキシイミド化合物としては、例えばＮ－（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド、Ｎ－（カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド等が挙げられる。
　［Ｄ］酸発生剤としては、オニウム塩化合物が好ましく、ヨードニウム塩がより好ましく、ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネートがさらに好ましい。
　当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｄ］酸発生剤を含有する場合、［Ｄ］酸発生剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、０．５質量部がより好ましく、１質量部がさらに好ましく、２質量部が特に好ましい。上記含有量の上限としては、３０質量部が好ましく、２０質量部がより好ましく、１０質量部がさらに好ましく、８質量部が特に好ましい。［Ｄ］酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の溶媒耐性をさらに向上させることができる。
［［Ｅ］架橋剤］
　［Ｅ］架橋剤は、熱や酸の作用により、当該レジスト下層膜形成用組成物中の［Ａ］化合物等の成分同士の架橋結合を形成するか、又は自らが架橋構造を形成する成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｅ］架橋剤を含有すると、レジスト下層膜の溶媒耐性をより向上させることができる。
　架橋剤としては、例えば多官能（メタ）アクリレート化合物、エポキシ化合物、ヒドロキシメチル基置換フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物等が挙げられる。
　多官能（メタ）アクリレート化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビス（２－ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　エポキシ化合物としては、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。
　ヒドロキシメチル基置換フェノール化合物としては、例えば２－ヒドロキシメチル－４，６－ジメチルフェノール、１，３，５－トリヒドロキシメチルベンゼン、３，５－ジヒドロキシメチル－４－メトキシトルエン［２，６－ビス（ヒドロキシメチル）－ｐ－クレゾール］等が挙げられる。
　アルコキシアルキル基含有フェノール化合物としては、例えばメトキシメチル基含有フェノール化合物、エトキシメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。
　上記アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物としては、例えば（ポリ）メチロール化メラミン、（ポリ）メチロール化グリコールウリル、（ポリ）メチロール化ベンゾグアナミン、（ポリ）メチロール化ウレア等の一分子内に複数個の活性メチロール基を有する含窒素化合物であって、そのメチロール基の水酸基の水素原子の少なくとも一つが、メチル基やブチル基等のアルキル基によって置換された化合物等が挙げられる。なお、アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物は、複数の置換化合物を混合した混合物でもよく、一部自己縮合してなるオリゴマー成分を含むものであってもよい。
　［Ｅ］架橋剤としては、アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物が好ましく、（ポリ）メチロール化グリコールウリルがより好ましく、１，３，４，６－テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリルがさらに好ましい。
　当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｅ］架橋剤を含有する場合、［Ｅ］架橋剤の含有量の下限としては、［Ａ］重合体１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、１質量部がより好ましく、３質量部がさらに好ましく、５質量部が特に好ましい。上記含有量の上限としては、５０質量部が好ましく、３０質量部がより好ましく、２０質量部がさらに好ましく、１５質量部が特に好ましい。［Ｅ］架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の溶媒耐性をさらに向上させることができる。
［その他の任意成分］
　その他の任意成分としては、例えば界面活性剤、密着助剤等が挙げられる。
＜レジスト下層膜形成用組成物の調製方法＞
　当該レジスト下層膜形成用組成物は、例えば［Ａ］化合物、［Ｂ］重合体、［Ｃ］有機溶媒及び必要に応じて使用される任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合溶液を孔径０．２μｍ以下のフィルターでろ過することにより調製することができる。
＜レジストパターン形成方法＞
　当該レジストパターン形成方法は、基板の一方の面側にレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程（以下、「レジスト下層膜形成用組成物塗工工程」ともいう）と、上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程（以下、「ケイ素含有膜形成工程」ともいう）と、上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程（以下、「レジスト膜形成用組成物塗工工程」ともいう）と、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程（以下、「露光工程」ともいう）と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程（以下、「現像工程」ともいう）とを備える。当該レジストパターン形成方法においては、上記レジスト下層膜形成用組成物として、上述の当該レジスト下層膜形成用組成物を用いる。
　当該レジストパターン形成方法によれば、上述の埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を用いることにより、良好なレジストパターンを形成することができる。
　以下、各工程について説明する。
［レジスト下層膜形成用組成物塗工工程］
　本工程では、基板の一方の面側に当該レジスト下層膜形成用組成物を塗工する。上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程の前に、当該レジスト下層膜形成用組成物を調製してもよい。当該レジスト下層膜形成用組成物は、例えば［Ａ］化合物、［Ｂ］重合体、［Ｃ］有機溶媒及び必要に応じて使用される任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合溶液を孔径０．２μｍ以下のフィルターでろ過することにより調製することができる。
　基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆したウエハ等が挙げられる。また、当該レジスト下層膜形成用組成物の塗工方法は特に限定されず、例えば回転塗工、流延塗工、ロール塗工等の適宜の方法で実施することができ、これにより塗工膜を形成することができる。
　上記塗工膜を加熱してもよい。上記塗工膜の加熱は、通常、大気下で行われるが、窒素雰囲気下で行ってもよい。加熱における温度の下限としては、１５０℃が好ましく、２００℃がより好ましく、２３０℃がさらに好ましい。上記温度の上限としては、６００℃が好ましく、４００℃がより好ましく、３００℃がさらに好ましい。加熱における時間の下限としては、１５秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記時間の上限としては、１，２００秒が好ましく、６００秒がより好ましい。また、上記塗工膜を放射線により露光してもよい。
　形成されるレジスト下層膜の平均厚みとの下限としては、３０ｎｍが好ましく、５０ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましく、１５０ｎｍが特に好ましい。上記平均厚みの上限としては、１０，０００ｎｍが好ましく、１，０００ｎｍがより好ましく、５００ｎｍがさらに好ましく、３００ｎｍが特に好ましい。
［ケイ素含有膜形成工程］
　本工程では、上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する。
　ケイ素含有膜は、ケイ素含有膜形成用組成物の塗工、化学蒸着（ＣＶＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法等により形成することができる。ケイ素含有膜をケイ素含有膜形成用組成物の塗工により形成する方法としては、例えばケイ素含有膜形成用組成物を当該レジスト下層膜の上記基板とは反対の面側に塗工して形成された塗膜を、露光及び／又は加熱することにより硬化等させる方法などが挙げられる。上記ケイ素含有膜形成用組成物の市販品としては、例えば「ＮＦＣ　ＳＯＧ０１」、「ＮＦＣ　ＳＯＧ０４」、「ＮＦＣ　ＳＯＧ０８０」（以上、ＪＳＲ（株））等を用いることができる。化学蒸着（ＣＶＤ）法又は原子層堆積（ＡＬＤ）法により、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化窒化ケイ素膜、アモルファスケイ素膜等を形成することができる。
　上記露光に用いられる放射線としては、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、γ線等の電磁波、電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線などが挙げられる。
　塗膜を加熱する際の温度の下限としては、９０℃が好ましく、１５０℃がより好ましく、２５０℃がさらに好ましい。上記温度の上限としては、５５０℃が好ましく、４５０℃がより好ましく、３５０℃がさらに好ましい。
　形成されるケイ素含有膜の平均厚みの下限としては、１ｎｍが好ましく、１０ｎｍがより好ましく、３０ｎｍがさらに好ましい。上記平均厚みの上限としては、２０，０００ｎｍが好ましく、１，０００ｎｍがより好ましく、１００ｎｍがさらに好ましい。
［レジスト膜形成用組成物塗工工程］
　本工程では、上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する。
　本工程では、具体的には、得られるレジスト膜が所定の厚みとなるようにレジスト膜形成用組成物を塗工して塗膜を形成した後、加熱することによって塗膜中の溶媒を揮発させることにより、レジスト膜を形成する。
　レジスト膜形成用組成物としては、例えば感放射線性酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とを含有するポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とを含有するネガ型レジスト組成物等が挙げられる。
　レジスト膜形成用組成物における溶媒以外の全成分の含有割合の下限としては、０．３質量％が好ましく、１質量％がより好ましい。上記含有割合の上限としては、５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。また、レジスト膜形成用組成物は、一般に、例えば孔径０．２μｍ以下のフィルターでろ過して、レジスト膜の形成に供される。なお、本工程では、市販のレジスト組成物をそのまま使用することもできる。
　レジスト膜形成用組成物の塗工方法としては、例えば回転塗工法等が挙げられる。塗膜の加熱の温度は、使用されるレジスト膜形成用組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、上記温度の下限としては、３０℃が好ましく、５０℃がより好ましい。上記温度の上限としては、２００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。加熱の時間の下限としては、１０秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記時間の上限としては、６００秒が好ましく、３００秒がより好ましい。
［露光工程］
　本工程では、上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する。
　露光に用いられる放射線としては、レジスト膜形成用組成物に使用される感放射線性酸発生剤の種類に応じて、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、γ線等の電磁波、電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線などから適切に選択される。これらの中で、遠紫外線又は電子線が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、極端紫外線（波長１３．５ｎｍ等、ＥＵＶ）又は電子線がより好ましい。
　上記露光後、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるため、露光後加熱を行うことができる。この露光後加熱の温度は、使用されるレジスト膜形成用組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、上記温度の下限としては、５０℃が好ましく、７０℃がより好ましい。上記温度の上限としては、２００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。露光後加熱の時間の下限としては、１０秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記時間の上限としては、６００秒が好ましく、３００秒がより好ましい。
［現像工程］
　本工程では、上記露光されたレジスト膜を現像する。この現像は、アルカリ現像でも有機溶媒現像であってもよい。現像液としては、アルカリ現像の場合、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］－５－ノネン等の塩基性水溶液などが挙げられる。これらの塩基性水溶液には、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類などの水溶性有機溶媒、界面活性剤等を適量添加することもできる。また、現像液としては、有機溶媒現像の場合、例えば上述の当該レジスト下層膜形成用組成物の［Ｃ］有機溶媒として例示した種々の有機溶媒等が挙げられる。
　上記現像液による現像後、洗浄し、乾燥することによって、所定のレジストパターンが形成される。
　当該レジストパターン形成方法により形成されたレジストパターンをマスクとしたエッチングを行うことにより、基板にパターンを形成することができる。
　エッチングの回数としては１回でも、複数回、すなわちエッチングにより得られるパターンをマスクとして順次エッチングを行ってもよいが、より良好な形状のパターンを得る観点からは、複数回が好ましい。複数回のエッチングを行う場合、ケイ素含有膜、レジスト下層膜、基板の順に順次エッチングを行う。エッチングの方法としては、例えばドライエッチング、ウエットエッチング等が挙げられる。これらの中で、基板のパターンの形状をより良好なものとする観点から、ドライエッチングが好ましい。このドライエッチングには、例えば酸素プラズマ等のガスプラズマなどが用いられる。
　以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における各物性は、下記方法により測定した。
［重量平均分子量（Ｍｗ）］
　重合体のＭｗは、ＧＰＣカラム（東ソー（株）の「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本、「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本、「Ｇ４０００ＨＸＬ」１本）を使用し、流量：１．０ｍＬ／分、溶出溶媒：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（検出器：示差屈折計）により測定した。
［膜の平均厚み］
　膜の平均厚みは、分光エリプソメータ（Ｊ．Ａ．ＷＯＯＬＬＡＭ社の「Ｍ２０００Ｄ」）を用いて測定した。
＜［Ａ］化合物の合成＞
　［Ａ］化合物として、下記式（Ａ－１）～（Ａ－９）で表される重合体（以下、「重合体（Ａ－１）～（Ａ－９）」ともいう）を以下に示す手順により合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　上記式（Ａ－６）及び（Ａ－７）中、＊Ｒは、酸素原子に結合する部位を示す。
　上記式（Ａ－１）、（Ａ－４）、（Ａ－８）及び（Ａ－９）中、各構造単位に付した数字は、その構造単位の含有割合（モル％）を示す。
［合成例１－１］（重合体（Ａ－１）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、ｍ－クレゾール７０ｇ、ｐ－クレゾール５７．２７ｇ、３７質量％ホルムアルデヒド水溶液９５．５２ｇ及びメチルイソブチルケトン３８１．８２ｇを加えて溶解させた。得られた溶液を４０℃に加熱した後、ｐ－トルエンスルホン酸２．０３ｇを加え、８５℃で４時間反応させた。反応液を３０℃以下に冷却し、この反応液をメタノール／水（５０／５０（質量比））の混合溶液中に投入し再沈殿した。沈殿物をろ紙で回収し、乾燥して重合体（Ａ－１）を得た。重合体（Ａ－１）のＭｗは５０，０００であった。
［合成例１－２］（重合体（Ａ－２）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、２，７－ジヒドロキシナフタレン１５０ｇ、３７質量％ホルムアルデヒド水溶液７６．０１ｇ及びメチルイソブチルケトン４５０ｇを加えて溶解させた。得られた溶液を４０℃に加熱した後、ｐ－トルエンスルホン酸１．６１ｇを加え、８０℃で７時間反応させた。反応液を３０℃以下に冷却し、この反応液をメタノール／水（５０／５０（質量比））の混合溶液中に投入し再沈殿した。沈殿物をろ紙で回収し、乾燥して重合体（Ａ－２）を得た。重合体（Ａ－２）のＭｗは３，０００であった。
［合成例１－３］（重合体（Ａ－３）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、１－ヒドロキシピレン２０ｇ、２－ナフトアルデヒド７．１６ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテル８２ｇを仕込み、室温にて溶解させた。得られた溶液にメタンスルホン酸８．８１ｇを添加し、１２０℃で１２時間攪拌して重合した。重合終了後、重合反応液を多量のメタノール／水（８０／２０（体積％））の混合溶液中に投入し、得られた沈殿物をろ過により回収することによって重合体（Ａ－３）を得た。重合体（Ａ－３）のＭｗは１，１００であった。
［合成例１－４］（重合体（Ａ－４）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、４，４’－（α－メチルベンジリデン）ビスフェノール１５．２ｇ、１－ヒドロキシピレン７．６３ｇ、１－ナフトール１２．６ｇ及びパラホルムアルデヒド４．５２ｇを仕込んだ。次に、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル６０ｇを加えて溶解させた後、ｐ－トルエンスルホン酸一水和物０．２２０ｇを添加し、９５℃で６時間攪拌して重合した。重合終了後、重合反応液を多量のメタノール／水（７０／３０（質量比））の混合溶液中に投入し、得られた沈殿物をろ過により回収することによって重合体（Ａ－４）を得た。重合体（Ａ－４）のＭｗは３，３６３であった。
［合成例１－５］（重合体（Ａ－５）の合成）
　合成例１－４における４，４’－（α－メチルベンジリデン）ビスフェノール１５．１２ｇ、１－ヒドロキシピレン７．６３ｇ、１－ナフトール１２．６ｇ及びパラホルムアルデヒド４．５２ｇを、ビスフェノールフルオレン３７．９ｇ及びパラホルムアルデヒド２．８６ｇに変更した以外は合成例１－４と同様にして重合体（Ａ－５）を得た。重合体（Ａ－５）のＭｗは４，５００であった。
［合成例１－６］（重合体（Ａ－６）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、合成例１－２で合成した重合体（Ａ－２）２０ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム２２ｇを仕込んだ。次に、８０℃に加温し、臭化プロパルギル１９ｇを添加した後、６時間攪拌して反応を行った。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン４０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行った後、得られた有機相を多量のメタノール中に投入し、得られた沈殿物をろ過により回収することによって重合体（Ａ－６）を得た。重合体（Ａ－６）のＭｗは３，２００であった。
［合成例１－７］（重合体（Ａ－７）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、合成例１－５で合成した重合体（Ａ－５）２０ｇ、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム２２ｇを仕込んだ。次に、８０℃に加温し、臭化プロパルギル１９ｇを添加した後、６時間攪拌して反応を行った。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン４０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行った後、得られた有機相を多量のメタノール中に投入し、得られた沈殿物をろ過により回収することによって重合体（Ａ－７）を得た。重合体（Ａ－７）のＭｗは４，８００であった。
［合成例１－８］（重合体（Ａ－８）の合成）
　反応容器中で、２－ビニルナフタレン３５ｇ及び２－ヒドロキシエチルアクリレート２．９ｇをシクロヘキサノン１１２ｇに溶解させた後、反応容器内を窒素置換し、６０℃まで昇温した。シクロヘキサノン４７ｇに溶解したアゾビスイソブチロニトリル１．９ｇを添加し、６０℃で２４時間反応させた。反応溶液を冷却後、メタノール中に投入して再沈殿を行い、得られた沈殿物を乾燥して重合体（Ａ－８）を得た。重合体（Ａ－８）のＭｗは１１，０００であった。
［合成例１－９］（重合体（Ａ－９）の合成）
　反応容器に、窒素雰囲気下、合成例１－４で合成した重合体（Ａ－４）２０ｇ及び炭酸カリウム１８．９ｇを仕込んだ。次に、８０℃に加温し、臭化プロパルギル３５．３ｇを添加した後、６時間攪拌して反応を行った。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン４０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行った後、得られた有機相を多量のメタノール中に投入し、得られた沈殿物をろ過により回収することによって重合体（Ａ－９）を得た。重合体（Ａ－９）のＭｗは３，８２０であった。
＜［Ｂ］重合体の合成＞
　［Ｂ］重合体として、下記式（Ｂ－１）～（Ｂ－４）で表される重合体（以下、「重合体（Ｂ－１）～（Ｂ－４）」ともいう）を以下に示す手順により合成した。
［合成例２－１］（重合体（Ｂ－１）の合成）
　１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート７３．５ｇ及び２－エチルヘキシルメタクリレート２６．５ｇを２－ブタノン１００ｇに溶解させ、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオン酸）ジメチル５．１ｇを添加し、単量体溶液を調製した。反応容器に、窒素雰囲気下、２－ブタノン１００ｇを入れ、８０℃に加熱し、攪拌しながら、上記単量体溶液を３時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を６時間実施した後、３０℃以下に冷却した。反応溶液に酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル３００ｇを加え、２－ブタノンを減圧濃縮により除去し、重合体（Ｂ－１）の酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液を得た。重合体（Ｂ－１）のＭｗは１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎは２．１であった。
［合成例２－２～２－４］（重合体（Ｂ－２）～（Ｂ－４）の合成）
　下記式（Ｂ－２）～（Ｂ－４）に示す各構造単位を各含有割合（モル％）で与える各化合物を用いた以外は合成例２－１と同様にして、重合体（Ｂ－２）～（Ｂ－４）の酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル溶液を得た。重合体（Ｂ－２）のＭｗは１２，５００、Ｍｗ／Ｍｎは２．０であった。重合体（Ｂ－３）のＭｗは１１，０００、Ｍｗ／Ｍｎは２．１であった。重合体（Ｂ－４）のＭｗは１３，０００、Ｍｗ／Ｍｎは２．２であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　上記式（Ｂ－１）～（Ｂ－４）中、各構造単位に付した数字は、その構造単位の含有割合（モル％）を示す。
＜レジスト下層膜形成用組成物の調製＞
　レジスト下層膜形成用組成物の調製に用いた［Ｃ］有機溶媒、［Ｄ］酸発生剤及び［Ｅ］架橋剤について以下に示す。
［［Ｃ］有機溶媒］
　Ｃ－１：酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
［［Ｄ］酸発生剤］
　Ｄ－１：ビス（４－ｔ－ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ－ｎ－ブタンスルホネート（下記式（Ｄ－１）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
［［Ｅ］架橋剤］
　Ｅ－１：１，３，４，６－テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル（下記式（Ｅ－１）で表される化合物）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
［実施例１］
　［Ａ］化合物としての（Ａ－１）１００質量部と、［Ｂ］重合体としての（Ｂ－１）３０質量部（但し、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル溶媒を除く）と、［Ｃ］有機溶媒としての（Ｃ－１）１，３００質量部（但し、［Ｂ］重合体溶液中の酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル溶媒を含む）とを混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフィルターでろ過して、レジスト下層膜形成用組成物（Ｊ－１）を調製した。
［実施例２～２６及び比較例１～９］
　下記表１に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例１と同様にして、レジスト下層膜形成用組成物（Ｊ－２）～（Ｊ－２６）及び（ＣＪ－１）～（ＣＪ－９）を調製した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
＜評価＞
　上記調製したレジスト下層膜形成用組成物について、下記方法に従い、レジスト下層膜の埋め込み性及び平坦性を評価した。評価結果を下記表２に示す。
［埋め込み性］
　上記調製したレジスト下層膜形成用組成物を、深さ１００ｎｍ、幅１００ｎｍのライン・アンド・スペース・パターンが形成されたシリコン基板上に、スピンコーター（東京エレクトロン（株）の「ＣＬＥＡＮ　ＴＲＡＣＫ　ＡＣＴ１２」）を用い、回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて、２５０℃で６０秒間加熱した後、２３℃で６０秒間冷却することにより、ラインパターンの部分における平均厚みが２００ｎｍのレジスト下層膜を形成し、レジスト下層膜付きシリコン基板を得た。上記レジスト下層膜付きシリコン基板の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジーズの「Ｓ－４８００」）にて観察し、埋め込み性を評価した。埋め込み性は、レジスト下層膜がスペースパターンの底部まで埋め込まれている場合は「Ａ」（良好）と、レジスト下層膜がパターンの底部まで埋め込まれていない場合は「Ｂ」（不良）と評価した。
［平坦性］
　上記調製したレジスト下層膜形成用組成物を、図１に示すように、深さ１００ｎｍ、幅１０μｍのトレンチパターンが形成されたシリコン基板１上に、スピンコーター（東京エレクトロン（株）の「ＣＬＥＡＮ　ＴＲＡＣＫ　ＡＣＴ１２」）を用い、回転塗工法により塗工した。次に、大気雰囲気下にて、２５０℃で６０秒間加熱した後、２３℃で６０秒間冷却することにより、非トレンチパターンの部分における平均厚みが２００ｎｍのレジスト下層膜２を形成し、レジスト下層膜付きシリコン基板を得た。上記レジスト下層膜付きシリコン基板の断面形状を走査型電子顕微鏡（（株）日立ハイテクノロジーズの「Ｓ－４８００」）にて観察し、このレジスト下層膜２の上記トレンチパターンの中央部分ｂにおける高さと、上記トレンチパターンの端から５μｍの場所の非トレンチパターンの部分ａにおける高さとの差（ΔＦＴ）を平坦性の指標とした。平坦性は、このΔＦＴが３０ｎｍ未満の場合は「Ａ」（良好）と、３０ｎｍ以上の場合は「Ｂ」（不良）と評価した。なお、図１で示す高さの差は、実際よりも誇張して記載している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　表２の結果から分かるように、実施例のレジスト下層膜形成用組成物によれば、埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。
　本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。本発明のレジスト下層膜は、埋め込み性及び平坦性に優れている。本発明のレジストパターン形成方法によれば、このような埋め込み性及び平坦性に優れるレジスト下層膜を用いることにより、良好なレジストパターンを形成することができる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造等に好適に用いることができる。
　１　シリコン基板
　２　レジスト下層膜
 

Claims (8)

  1. 　芳香環を有する化合物と、
    　フッ素原子を有する重合体と、
    　有機溶媒と
    　を含有し、
    　上記フッ素原子を有する重合体が、下記式（１）で表される第１構造単位と、下記式（２）で表される第２構造単位とを有するレジスト下層膜形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式（１）中、Ｒ１は、フッ素原子を有する炭素数１～２０の１価の有機基である。Ｒ２は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式（２）中、Ｒ３は、炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。Ｒ４は、水素原子又は炭素数１～２０の１価の炭化水素基である。）
  2. 　上記フッ素原子を有する重合体を構成する全構造単位に対する上記第１構造単位の含有割合が１モル％以上８０モル％以下である請求項１に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  3. 　上記フッ素原子を有する重合体を構成する全構造単位に対する上記第２構造単位の含有割合が１０モル％以上９９モル％以下である請求項１又は請求項２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  4. 　上記芳香環を有する化合物１００質量部に対する上記フッ素原子を有する重合体の含有量が１質量部以上２００質量部以下である請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  5. 　上記芳香環を有する化合物が、芳香環を含む構造単位を有する重合体である請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  6. 　上記芳香環を含む構造単位を有する重合体が、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、スチレン樹脂、アセナフチレン樹脂、インデン樹脂、アリーレン樹脂、トリアジン樹脂、カリックスアレーン樹脂又はこれらの組み合わせである請求項５に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
  7. 　請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜。
  8. 　基板の一方の面側に請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成用組成物を塗工する工程と、
    　上記レジスト下層膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト下層膜の上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程と、
    　上記ケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成用組成物を塗工する工程と、
    　上記レジスト膜形成用組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を放射線により露光する工程と、
    　上記露光されたレジスト膜を現像する工程と
    　を備えるレジストパターン形成方法。
PCT/JP2019/046194 2018-11-29 2019-11-26 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法 WO2020111068A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020557741A JPWO2020111068A1 (ja) 2018-11-29 2019-11-26 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法
KR1020217016013A KR20210097120A (ko) 2018-11-29 2019-11-26 레지스트 하층막 형성용 조성물, 레지스트 하층막 및 레지스트 패턴 형성 방법
US17/331,757 US20210286267A1 (en) 2018-11-29 2021-05-27 Composition, resist underlayer film, and resist pattern-forming method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018224149 2018-11-29
JP2018-224149 2018-11-29

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US17/331,757 Continuation US20210286267A1 (en) 2018-11-29 2021-05-27 Composition, resist underlayer film, and resist pattern-forming method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020111068A1 true WO2020111068A1 (ja) 2020-06-04

Family

ID=70854448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/046194 WO2020111068A1 (ja) 2018-11-29 2019-11-26 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210286267A1 (ja)
JP (1) JPWO2020111068A1 (ja)
KR (1) KR20210097120A (ja)
TW (1) TWI830827B (ja)
WO (1) WO2020111068A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007017949A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法
JP2009098639A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
JP2010139822A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
JP2013041140A (ja) * 2011-08-17 2013-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP2013073125A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Jsr Corp レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6506831B2 (en) * 1998-12-20 2003-01-14 Honeywell International Inc. Novolac polymer planarization films with high temperature stability
JP2002198283A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Toshiba Corp レジストパターン形成方法
EP1795960B1 (en) * 2005-12-09 2019-06-05 Fujifilm Corporation Positive resist composition, pattern forming method using the positive resist composition, use of the positive resit composition
EP1975716B1 (en) * 2007-03-28 2013-05-15 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern forming method
JP5485188B2 (ja) * 2011-01-14 2014-05-07 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5874722B2 (ja) * 2011-02-28 2016-03-02 Jsr株式会社 パターン形成方法
JP5653880B2 (ja) 2011-10-11 2015-01-14 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP6394926B2 (ja) * 2014-03-26 2018-09-26 日産化学株式会社 添加剤及び該添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
JP6502885B2 (ja) * 2015-05-18 2019-04-17 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料及びパターン形成方法
TWI743143B (zh) * 2016-08-10 2021-10-21 日商Ｊｓｒ股份有限公司 半導體用抗蝕劑底層膜形成組成物、抗蝕劑底層膜、抗蝕劑底層膜的形成方法及圖案化基板的製造方法
JP6718406B2 (ja) * 2017-03-31 2020-07-08 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007017949A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト下層膜材料並びにそれを用いたパターン形成方法
JP2009098639A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
JP2010139822A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 反射防止膜形成材料、反射防止膜及びこれを用いたパターン形成方法
JP2013041140A (ja) * 2011-08-17 2013-02-28 Shin Etsu Chem Co Ltd ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法
JP2013073125A (ja) * 2011-09-28 2013-04-22 Jsr Corp レジスト下層膜形成用組成物、パターン形成方法及び重合体

Also Published As

Publication number Publication date
US20210286267A1 (en) 2021-09-16
TW202032272A (zh) 2020-09-01
KR20210097120A (ko) 2021-08-06
JPWO2020111068A1 (ja) 2021-10-28
TWI830827B (zh) 2024-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6711104B2 (ja) レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法
TWI310048B (en) Photoresist undercoat-forming material and patterning process
JP6963187B2 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法
KR101465488B1 (ko) 근적외광 흡수층 형성 조성물 및 근적외광 흡수층을 포함하는 다층막
JP6641879B2 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法
CN105940348B (zh) 包含含有氟的表面活性剂的膜形成用组合物
JP6907522B2 (ja) レジスト下層膜形成用組成物及びその製造方法、レジスト下層膜並びにパターニングされた基板の製造方法
US11003079B2 (en) Composition for film formation, film, resist underlayer film-forming method, production method of patterned substrate, and compound
JP2020056889A (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法
JP6997373B2 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法
WO2016208518A1 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法
US20230041656A1 (en) Composition, method of forming resist underlayer film, and method of forming resist pattern
JP7196389B2 (ja) 半導体用レジスト下層膜形成組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法及びパターニング基板の製造方法
WO2020111068A1 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びレジストパターン形成方法
KR20230062620A (ko) 보호막 형성용 조성물, 보호막, 보호막의 형성 방법 및 기판의 제조 방법
WO2023021971A1 (ja) レジスト下層膜の形成方法、半導体基板の製造方法、レジスト下層膜形成用組成物及びレジスト下層膜
TWI815981B (zh) 多層抗蝕劑製程用底層膜形成組成物及圖案形成方法
US20240231231A1 (en) Method for forming resist underlayer film, method for producing semiconductor substrate, composition, and resist underlayer film

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19889053

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020557741

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19889053

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1