JPWO2017163815A1

JPWO2017163815A1 - センサ

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Publication number: JPWO2017163815A1
Application number: JP2018507176A
Authority: JP
Inventors: 克也森仲; 戸根　薫; 薫戸根
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2016-03-22
Filing date: 2017-03-03
Publication date: 2019-01-31
Also published as: DE112017001517T5; US20190041211A1; WO2017163815A1; JP6861347B2; US20210116243A1; JP2020073898A

Abstract

本開示のセンサは、基板と、基板電極と、センサ素子と、センサ電極と、接続部材と、を有する。基板は、主面を有する。基板電極は、主面に設けられている。センサ素子は、主面に垂直な第１の面を有し、主面に平行な軸周りの角速度を検出する。センサ電極は、センサ素子の第１の面に設けられている。接続部材は、基板電極とセンサ電極とを接続する。主面付近でのセンサ電極の幅は、主面から離れた箇所でのセンサ電極の幅よりも狭い。

Description

本開示は、電子機器等に用いられるセンサに関するものである。

従来、センサ素子を基板の主面に対して垂直に実装したセンサが知られている。なお、この出願の発明に関連する先行技術文献としては、例えば、特許文献１が知られている。

特開２０１０−１６９６１４号公報特開２０１６−１４６５３号公報特開２０１５−１６６７４８号公報特開２０１５−１６５２４０号公報特開２００９−１６２７６０号公報

本開示のセンサは、基板と、基板電極と、センサ素子と、センサ電極と、接続部材と、を有する。

基板は、主面を有する。

基板電極は、主面に設けられている。

センサ素子は、主面に垂直な第１の面を有し、主面に平行な軸周りの角速度を検出する。

センサ電極は、センサ素子の第１の面に設けられている。

接続部材は、基板電極とセンサ電極とを接続する。

主面付近でのセンサ電極の幅は、主面から離れた箇所でのセンサ電極の幅よりも狭い。

図１Ａは、実施の形態のセンサの上面図である。図１Ｂは、図１Ａの線１Ｂ−１Ｂにおける断面を示す図である。図２は、実施の形態のセンサ素子と基板との断面模式図である。図３は、実施の形態のセンサ素子と基板の斜視模式図である。図４は、実施の形態の他のセンサ素子と基板の分解斜視模式図である。図５は、図４の基板とセンサ素子とを合体させた場合の線５−５における断面模式図である。図６は、実施の形態のさらに他のセンサ素子と基板の斜視模式図である。図７は、図６の線７−７における断面模式図である。図８は、実施の形態のさらに他のセンサ素子と基板の斜視模式図である。図９Ａは、実施の形態のセンサ電極の変形例を示す図である。図９Ｂは、実施の形態のセンサ電極の変形例を示す図である。図９Ｃは、実施の形態のセンサ電極の変形例を示す図である。図９Ｄは、実施の形態のセンサ電極の変形例を示す図である。図１０Ａは、実施の形態のさらに他のセンサの上面図である。図１０Ｂは、図１０Ａの線１０Ｂ−１０Ｂにおける断面を示す図である。図１１は、実施の形態のさらに他のセンサ素子と基板の断面模式図である。図１２は、実施の形態のさらに他のセンサ素子と基板の斜視模式図である。図１３Ａは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の正面図である。図１３Ｂは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の正面図である。図１３Ｃは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の正面図である。図１４Ａは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の正面図である。図１４Ｂは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の正面図である。図１４Ｃは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の正面図である。図１５Ａは、実施の形態のさらに他のセンサ素子の斜投影図である。図１５Ｂは、図１５Ａのセンサ素子を裏面からみた斜投影図である。図１６Ａは、さらに他のセンサ素子の上面図である。図１６Ｂは、図１６Ａのセンサ素子の正面図である。図１６Ｃは、図１６Ａのセンサ素子の裏面図である。図１６Ｄは、図１６Ａのセンサ素子の側面図である。図１６Ｅは、図１６Ｂの線１６Ｅ―１６Ｅにおける断面図である。図１６Ｆは、図１６Ｅの点線内を拡大した図である。図１６Ｇは、図１６Ｂの点線内を拡大した図である。

従来のセンサにおけるセンサ素子のセンサ電極は、センサ素子の端面まで延伸していない場合が多い。センサ電極をそのままセンサ素子の端面まで延伸すると、センサ素子を切断した場合に、センサ電極が剥がれてしまう場合があるからである。センサ電極がセンサ素子の端面まで延伸されていない場合、センサ電極と基板上の基板電極とを接続する際に、半田がセンサ電極に十分届かない場合がある。特に、センサ素子を基板に垂直に取り付ける際、センサ素子が基板の主面に対して斜めに取り付けられると、接続が不十分になる場合がある。言い換えれば、取り付け角度の精度が不十分な場合、接続が不十分になり、その結果、センサの精度が低下する。

さらに、従来のセンサは幅が薄いので、センサ素子を基板に対して、精度よく垂直に取り付けることが困難である。

以下、本開示の実施の形態におけるセンサについて図面を参照しながら説明する。図１Ａは、実施の形態のセンサ１０の上面図である。図１Ｂは、図１Ａの線１Ｂ−１Ｂにおける断面を示す図である。図２は、実施の形態のセンサ素子１８と基板１２の断面模式図である。図３は、実施の形態のセンサ素子１８と基板１２の斜視模式図である。図１Ａにおいて、Ｘ軸は、基板１２の主面５０（上面）に平行な方向の軸である。Ｙ軸は、基板１２の主面５０に平行でＸ軸と直行する方向の軸である。Ｚ軸は、基板１２の主面５０に垂直な軸である。

センサ１０は、基板１２と、基板電極３５と、センサ素子１８と、センサ電極１８Ａと、接続部材１１と、を有する。

基板１２は、主面５０を有する。

基板電極３５は、主面５０に設けられている。

センサ素子１８は、主面５０に垂直な第１の面Ｓ１を有し、主面５０に平行な軸周りの角速度を検出する。

センサ電極１８Ａは、センサ素子１８の第１の面Ｓ１に設けられている。

接続部材１１は、基板電極３５とセンサ電極１８Ａとを接続する。

主面５０付近でのセンサ電極１８Ａの幅は、図３に示すように、主面５０から離れた箇所でのセンサ電極１８Ａの幅よりも狭い。

なお、ここで「垂直」とは、完全に９０度に限らず、ほぼ９０度であればよい。例えば９０度±１０度程度であってもよい。

また、ここで、「主面５０付近」とは、センサ電極１８Ａの主面５０に最も近い箇所でもよい。また、「主面５０から離れた箇所」とは、センサ電極１８Ａの主面５０から最も離れた箇所でもよい。

あるいは、「主面５０付近」とは、センサ電極１８Ａを長さ方向（Ｚ軸方向）に１０等分した場合に主面５０に最も近い箇所であってもよい。また、「主面５０から離れた箇所」とは、センサ電極１８Ａを長さ方向（Ｚ軸方向）に１０等分した場合に主面５０から最も遠い箇所であってもよい。

さらに、ここで「幅」とは、「点」の場合も含まれる。例えば、センサ電極１８Ａが、図３に示すような、主面５０に向けて頂角を有する三角形状の場合に、センサ電極１８Ａの主面５０に最も近い箇所は三角形の頂点５４になる。このような場合、「主面５０付近でのセンサ電極１８Ａの幅」は、点であってもよい。また、図３において、センサ電極１８Ａの主面５０から最も離れた箇所は線分５６になる。すなわち、本実施の形態では、主面５０付近でのセンサ電極１８Ａの幅（頂点５４）は、主面５０から離れた箇所でのセンサ電極１８Ａの幅（線分５６）よりも狭い。

以下、センサ１０に関して詳細に説明する。センサ１０は、基板１２と、センサ素子１８と、半田１１（接続部材）と、を備える。センサ素子１８は、基板１２の主面５０に配置されている。半田１１は、基板１２と、センサ素子１８とを接続する。センサ１０は、さらに半導体素子２０や封止樹脂３２を有していてもよい。半導体素子２０は、基板１２の主面５０に配置されている。封止樹脂３２は、センサ素子１８と半導体素子２０とを覆うように基板１２の主面５０に形成されている。

基板１２は、例えば、ガラスエポキシ等の樹脂で構成される。基板１２の主面５０（上面）には、基板電極３５が形成されている。基板１２の下面５２には、裏面電極３６が形成されている。基板電極３５と、裏面電極３６とは、電気的に接続されている。裏面電極３６には、半田バンプ３８が設けられている。

センサ素子１８は、Ｘ軸周りの物理量（角速度）を検出する。別の表現では、センサ素子１８は、基板１２の主面５０に平行な軸周りの物理量（角速度）を検出する。センサ素子１８は種々の構造が採用され得る。例えば、特許文献２〜５に記載されるセンサ素子が採用され得る。なお、センサ素子１８が検出する物理量は角速度に限定されず、加速度でもよい。すなわち、センサ素子１８は角速度または加速度などの物理量を検出する慣性力検出素子と記載し得る。

センサ素子１８の下面５３は、エポキシ樹脂等から成る接着材１５を介して基板１２の上面に固着される。

センサ素子１８の下面５３は、接着材１５を介して基板１２の上面に固着されている。接着材１５は、エポキシ樹脂等の樹脂材料から成る接着材であり、液状又は半固形状の状態で基板１２の主面５０に塗布した後に加熱硬化することにより形成される。

センサ電極１８Ａは、センサ素子１８の第１の面Ｓ１に設けられている。センサ電極１８Ａは、半田１１を介して基板電極３５に接続されている。

半導体素子２０は、基板１２の主面５０の中央部付近に載置されている。パッド３４および金属細線２４も、主面５０に形成されている。半導体素子２０は、パッド３４および金属細線２４を経由して、センサ素子１８と接続されている。半導体素子２０には、センサ素子１８の出力に基づいて角速度を算出する回路が組み込まれている。

センサ素子１８と基板１２の斜視模式図を図３に示す。センサ１０のセンサ電極１８Ａの面積は、基板１２の主面５０に近い部分で小さくなる。別の表現では、センサ１０のセンサ電極１８Ａは三角形の形状を有する。別の表現では、センサ１０のセンサ電極１８Ａは先細りの形状を有する。別の表現では、センサ１０のセンサ電極１８Ａは、基板１２の主面５０に向けて細くなる形状を有する。

この構成により、例えば、センサ素子１８を個片化する時のチッピングの起きる可能性が低減される。以下に構成と効果を具体的に説明する。

従来のセンサ素子において、センサ電極をセンサ素子の端面まで延伸すると、個片化の際にチッピング（電極の剥離）が起きる場合がある。そのため、センサ電極とセンサ素子の端面との間の距離を短くする事が困難であった。すなわち、従来のセンサ素子のセンサ電極は、センサ素子の端面まで延伸されておらず、センサ電極とセンサ素子の端面までには一定の距離が設けられていた。そのため、センサ素子を基板に垂直に実装するときに、センサ電極と基板電極との間に接続部材（半田）が十分に充填されず、接合不良を起こすことがあった。

これに対して、本実施の形態では、センサ素子１８の端面までセンサ電極１８Ａが延伸されている。その結果、センサ電極１８Ａと基板電極３５との間に接続部材（半田）が十分に充填される。また、センサ電極１８Ａの面積は、センサ素子１８の端面（基板１２の主面５０に近い箇所）で小さくなるように構成されている。すなわち、センサ電極１８Ａの幅は、主面５０に向けて細くなっている。言い替えれば、センサ電極１８Ａは、主面５０に向けて頂角を有する三角形状である。そのため、個片化しても、チッピング（電極の剥離）が生じにくい。センサ素子１８の端面におけるセンサ電極１８Ａの幅が狭いので、センサ電極１８Ａの先端が少し削れることがあっても、センサ電極１８Ａそのものが剥がれてしまうことはない。なお、ここで、個片化とは、例えば、複数のセンサ素子１８を基板１２に接続した後、個々のセンサ素子１８に分断することをいう。

図４は、実施の形態の他のセンサ素子１８０と基板１２０の分解斜視模式図である。図５は、図４の基板１２０とセンサ素子１８０とを合体させた場合の線５−５における断面模式図である。言い替えれば、図４は基板１２０とセンサ素子１８０とを接合する前の斜視模式図である。図５は基板１２０とセンサ素子１８０とを接合した後の断面図である。センサ１０２は、センサ１０の基板電極３５よりも長い基板電極３５０を備える。

図５に示すように、センサ１０２の基板電極３５０はセンサ電極１８Ａの表面１８１（図５中の破線を通る面）よりもセンサ素子１８０側に延伸している。更に、センサ１０２の基板電極３５０はセンサ素子１８０の裏面Ｒ１（センサ電極１８Ａを設けた第１の面Ｓ１と反対の面）よりも外側に延伸している。言いかえれば、基板電極３５０は、センサ素子１８０を貫通する方向に延伸している。また、センサ素子１８０は、センサ電極１８Ａを通過させるための溝４０を有する。

この構成により、例えば、センサ電極１８Ａがレーザー光１１２の反射層として機能する。その結果、基板１２０の内部へのレーザー光１１２の侵入を防止できる。より具体的には、半田１１を溶融させる為に基板１２の背面からレーザー光１１２を入射する際に、レーザー光１１２の照射位置がずれ、基板１２０にレーザー光１１２が侵入することがある。この場合、基板１２０の内部の損傷や、熱量不足による接合不良などが発生することがある。しかし、センサ１０２ではセンサ電極１８Ａがレーザー光１１２の反射層として機能するので、基板１２の内部へのレーザー光１１２の侵入を防止できる。

図６は、実施の形態のさらに他のセンサ素子１８０と基板１２０の斜視模式図である。図７は、図６の線７−７における断面模式図である。センサ１０４は、基板電極３５０に接続するポスト電極３５ａを有する。

ポスト電極３５ａは、センサ素子１８に面した、角柱の一部を切り欠いた切り欠き形状を有する。別の表現では、ポスト電極３５ａは、基板１２の主面５０から離れた箇所でセンサ電極１８Ａからの距離が大きくなる斜面（あるいは斜辺）を有する。言いかえれば、ポスト電極３５ａは、センサ素子１８０と対向する面に斜面３７（あるいは斜辺）を有する。なお、斜面（あるいは斜辺）は直線的なものに限定されない。すなわち、斜面（あるいは斜辺）は曲線、曲面及び／又は凹凸を含み得る。また、ポスト電極３５ａは、円柱の一部を切り欠いた形状であってもよい。

半田１１は、センサ素子１８のセンサ電極１８Ａと、ポスト電極３５ａの切り欠いた部分に充填される。その結果、十分な接合強度が得られる。

図８は、実施の形態のさらに他のセンサ素子１８２と基板１２０の斜視模式図である。ポスト電極３５ａを形成する場合、センサ電極１８Ａと基板電極３５０とは、十分な接触が得られる。そのため、図８に示すように、センサ電極１８Ａは三角形状でなく、四角形状などでもよい。

図９Ａ〜図９Ｄは、実施の形態のセンサ電極１８Ａの変形例を示す図である。図９Ａに示す様に、センサ電極１８Ａは、基板１２の主面５０に向けて丸みを持つ形状でもよい。図９Ｂに示す様に、センサ電極１８Ａは、五角形の形状でもよい。図９Ｃに示す様に、センサ電極１８Ａは、六角形の形状でもよい。図９Ｄに示す様に、センサ電極１８Ａは、凸形状でもよい。すなわち、センサ電極１８Ａは、多角形状であってもよい。

センサ電極１８Ａの形状を別の表現で現すと、センサ電極１８Ａの基板１２の主面５０に近い部分の幅Ｗ１（図９Ａの直線Ｌ２に接する部分におけるセンサ電極１８Ａの幅）は、センサ電極１８Ａの基板１２の主面５０に遠い部分の幅Ｗ２（図９Ａの直線Ｌ３に接する部分におけるセンサ電極１８Ａの幅）よりも狭い。なお、ここでの「遠い」「近い」は「最も近い」「最も遠い」の意味に限定的に解釈されない。なお、ここで「幅」とは、「点」の場合も含まれる。

センサ電極１８Ａの形状は、別の表現で記載できる。具体的には次の様に記載され得る。まず、２本の直線Ｌ２、Ｌ３が基板１２の主面５０に平行で仮想的な直線として定義される。ここで、直線Ｌ２の基板１２の主面５０からの距離は、直線Ｌ３の基板１２の主面５０からの距離より近い。直線Ｌ２がセンサ電極１８Ａを通過する部分の幅は、直線Ｌ３がセンサ電極１８Ａを通過する部分の幅よりも小さい。

なお、基板１２の主面５０とセンサ電極１８Ａの下端との間に距離Ｄ１の間隙を設けてもよい。

なお、直線Ｌ４〜Ｌ７は基板１２の主面に垂直な仮想線である。電極１８Ａの主面５０と平行な断面において、センサ電極１８Ａの幅Ｄ２より、基板電極３５の幅Ｄ３を広くするのが好ましい。この構成を用いて、接合不良をより抑制できる。

なお、半田１１の代わりに、Ａｇ等から成る金属粉を樹脂材料に添加した導電ペーストを用いてもよい。すなわち、半田１１を導電性接続部材と読み替えることができる。

図１０Ａは、実施の形態のさらに他のセンサ２００の上面図である。図１０Ｂは、図１０Ａの線１０Ｂ−１０Ｂにおける断面を示す図である。図１１は、実施の形態のセンサ素子２８０と基板１２の断面模式図である。図１２は、実施の形態のセンサ素子２８０と基板１２の斜視模式図である。センサ素子２８０の一部を窪ませることにより段差部１９が形成されている。そして、センサ素子２８０のセンサ電極１８Ａは段差部１９の表面に形成されている。

別の表現では、センサ素子２８０は、第１の面Ｓ１と、第１の面Ｓ１に対して突出した第２の面Ｓ２と、を有する。

別の表現では、センサ素子２８０は、基板１２の主面５０に対向する第３の面Ｓ３を有する。

センサ電極１８Ａはセンサ素子２８０が有する第１の面Ｓ１に設けられる。また、センサ電極１８Ａはセンサ素子２８０が有する第３の面Ｓ３に対向する端部Ｅ１を有する。

基板電極３５は、基板１２の主面５０に形成されている。基板電極３５は、端部Ｅ２を有する。

半田１１とセンサ素子２８０との接点は第１の面Ｓ１に設けられる。

別の表現では、センサ素子２８０と半田１１との接点は、第３の面Ｓ３、あるいは第２の面Ｓ２と端部Ｅ１との間に設けられる。また、半田１１は端部Ｅ２を覆う。

図１３Ａは、実施の形態のセンサ素子２８０の正面図である。図１３Ｂは、実施の形態のセンサ素子２８２の正面図である。図１３Ｃは、実施の形態のセンサ素子２８４の正面図である。図１３Ａでは、センサ電極１８Ａごとに段差部１９を設けている。しかし、図１３Ｂや図１３Ｃに示すように、段差部１９は、センサ電極１８Ａごとに設けなくてもよい。ただし、図１３Ａや図１３Ｂに示すように、脚部３００を設けることにより、センサ素子を安定して基板１２に設置できる。よって、センサ素子２８４よりも、センサ素子２８０、センサ素子２８２の構造の方が好ましい。さらに、図１３Ａに示すように、脚部３００をセンサ電極１８Ａ同士の間に設けることで、より安定して、センサ素子を基板１２に設置できる。よって、センサ素子２８２よりも、センサ素子２８０、の構造の方が好ましい。

なお、安定して、センサ素子を基板１２に設置するという観点において、センサ電極１８Ａの形状は三角形状に限らず、例えば、四角形、多角形、楕円形状などでもよい。図１４Ａは、実施の形態のセンサ素子２９０の正面図である。図１４Ｂは、実施の形態のセンサ素子２９２の正面図である。図１４Ｃは、実施の形態のセンサ素子２９４の正面図である。センサ素子２９０〜２９４におけるその他の構成は、センサ素子２８０と同様である。図１４Ａ〜図１４Ｃに示すような、四角形のセンサ電極１８Ａと段差部１９を有するセンサ素子２９０〜２９４を用いてもよい。

なお、基板電極３５は、図１１、図１２で説明した形状に限らず、例えば、図４で説明したように、センサ素子の裏面よりも外側に延伸していてもよい。すなわち、基板電極３５は、センサ素子を貫通する方向に延伸していてもよい。また、センサ電極１８Ａも３つに限らずいくつでもよい。

図１５Ａは、実施の形態のセンサ素子３９０の斜投影図である。図１５Ｂは、実施の形態のセンサ素子３９０を裏面からみた斜投影図である。センサ素子３９０は、センサ素子２９０において、６つの段差部を設けた構造である。

図１６Ａは、センサ素子３９２の上面図である。図１６Ｂは、センサ素子３９２の正面図である。図１６Ｃは、センサ素子３９２の裏面図である。図１６Ｄは、センサ素子３９２の側面図である。図１６Ｅは、図１６Ｂの線１６Ｅ―１６Ｅにおける断面図である。図１６Ｆは、図１６Ｅの点線内を拡大した図である。図１６Ｇは、図１６Ｂの点線内を拡大した図である。図１６Ｆ、図１６Ｇの数値は、センサ電極１８Ａの幅を１として各構成のサイズを相対的に示したものである。センサ素子３９２は、センサ素子２９０において、４つの段差部を設けた構造である。

この構成により、隣接する半田１１同士が短絡する不具合を抑制できる。別の表現では、センサ素子２８０、２９０、３９０、３９２は、センサ電極１８Ａの間を仕切る壁部１９Ａを有する。別の表現では、センサ素子２８０、２９０、３９０、３９２は、センサ電極１８Ａを収容する凹部１９Ｂを備える。複数の凹部１９Ｂの各々に、センサ電極１８Ａが収容されている。ここで、凹部１９Ｂを切り欠き部と表現してもよい。なお、半田１１に変えて、Ａｇ等から成る金属粉を樹脂材料に添加した導電ペーストを用いてもよい。すなわち、半田１１を導電性接続部材と読み替えることができる。

上記のように、本開示のセンサは、センサ素子と基板との間の接合の信頼性を向上できる。また、センサ素子を基板に対して垂直に、安定して設置できる。

本開示のセンサは、信頼性、安定性に優れており、電子機器等に用いるセンサとして有用である。

１０，１０２，１０４，２００センサ
１１半田（接続部材）
１２，１２０基板
１５接着材
１８，１８０，１８２，２８０，２８２，２８４，２９０，３９０，３９２センサ素子
１８Ａセンサ電極
１９段差部
２０半導体素子
２４金属細線
３２封止樹脂
３４パッド
３５，３５０基板電極
３５ａポスト電極
３６裏面電極
３７斜面
３８半田バンプ
４０溝
５０主面
５２，５３下面
５４頂点
５６線分
１１２レーザー光
１８１表面
Ｅ１，Ｅ２端部
Ｒ１裏面
Ｓ１第１の面
Ｓ２第２の面
Ｓ３第３の面
Ｗ１，Ｗ２幅

Claims

主面を有する基板と、
前記主面に設けられた基板電極と、
前記主面に垂直な第１の面を有し、前記主面に平行な軸周りの角速度を検出するセンサ素子と、
前記センサ素子の前記第１の面に設けられたセンサ電極と、
前記基板電極と前記センサ電極とを接続する接続部材と、を備え、
前記主面付近での前記センサ電極の幅は、前記主面から離れた箇所での前記センサ電極の幅よりも狭い
センサ。
前記センサ電極は、前記主面に向けて頂角を有する三角形状である
請求項１記載のセンサ。
前記センサ電極の幅は、前記主面に向けて細くなっている
請求項１記載のセンサ。
前記基板電極は、前記センサ素子を貫通する方向に延伸している
請求項１記載のセンサ。
前記基板電極は、前記センサ素子の前記第１の面と反対側の面よりも外側に延伸している
請求項４記載のセンサ。
前記センサ素子は、前記基板電極を通過させるための溝を有する
請求項４または５記載のセンサ。
前記基板電極に接続するポスト電極を更に備え、
前記ポスト電極は、前記センサ素子に面する箇所の一部を切り欠いた切り欠き形状を有する
請求項１記載のセンサ。
前記基板電極に接続するポスト電極を更に備え、
前記ポスト電極は、前記第１の面と対向する斜面を有する
請求項１記載のセンサ。
前記センサ電極は、前記主面に向けて丸みを持つ形状、五角形、六角形、または凸形状のいずれかである
請求項１記載のセンサ。
前記センサ電極は、前記主面から離れた箇所よりも、前記主面付近で面積が小さい
請求項１記載のセンサ。
前記センサ素子は、前記第１の面よりも突出した第２の面をさらに有し、
前記センサ素子と前記接続部材との接点は前記第１の面に設けられている
請求項１記載のセンサ。
前記センサ素子は、複数の凹部を有しており、
前記複数の凹部の各々に、前記センサ電極が収容されている
請求項１１記載のセンサ。
前記センサ素子は、前記主面に対向する第３の面を有し、
前記センサ電極は前記第３の面に対向する端部を有し、
前記センサ素子と前記接続部材との接点は、前記第３の面と前記端部との間に設けられている
請求項１記載のセンサ。
主面を有する基板と、
前記主面に設けられた基板電極と、
前記主面に垂直な第１の面を有し、前記主面に平行な軸周りの角速度を検出するセンサ素子と、
前記センサ素子の前記第１の面に設けられたセンサ電極と、
前記基板電極と前記センサ電極とを接続する接続部材と、を備え、
前記基板電極は、前記センサ素子を貫通する方向に延伸している
センサ。
前記基板電極は、前記センサ素子の前記第１の面と反対側の面よりも外側に延伸している
請求項１４記載のセンサ。
前記センサ素子は、前記基板電極を通過させるための溝を有する
請求項１４記載のセンサ。
前記センサ電極は、前記主面に向けて頂角を有する三角形形状である
請求項１４記載のセンサ。
前記センサ電極は、前記主面に向けて細くなっている
請求項１４記載のセンサ。
主面を有する基板と、
前記主面に設けられた基板電極と、
前記主面に垂直な第１の面を有し、前記主面に平行な軸周りの角速度を検出するセンサ素子と、
前記センサ素子の前記第１の面に設けられたセンサ電極と、
前記基板電極と前記センサ電極とを接続する接続部材と、を備え、
前記基板電極の前記主面と平行な断面において、前記基板電極の幅は前記センサ電極の幅よりも広い
センサ。
前記センサ電極は、前記主面から離れた箇所よりも、前記主面付近で面積が小さい
請求項１９記載のセンサ。
前記センサ素子は、前記第１の面よりも突出した第２の面をさらに有し、
前記センサ素子と前記接続部材との接点は前記第１の面に設けられている
請求項１９記載のセンサ。
前記センサ素子は、複数の凹部を有しており、
前記複数の凹部の各々に、前記センサ電極が収容されている
請求項１９記載のセンサ。
前記センサ素子は、前記主面に対向する第３の面を有し、
前記センサ電極は前記第３の面に対向する端部を有し、
前記センサ素子と前記接続部材との接点は、前記第３の面と前記端部との間に設けられている
請求項１９記載のセンサ。