JPWO2017094780A1 - インドロカルバゾールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はインドロカルバゾールノボラック樹脂を利用したレジスト下層膜形成組成物に関するものである。
ポリマー樹脂の重合は広く検討されてきたが、その中でもノボラックの様な環構造を含むポリマーは、フォトレジスト等の微細な分野から自動車や住宅の部材等の一般的な分野まで幅広く用いられてきた。また、上記のようなポリマーは耐熱性も高く、特殊な用途でも適用可能な為現在も世界中で開発が進められている。一般的に環構造から成るモノマーといえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン及びフルオレン等の構造体が知られており、これらのモノマーはアルデヒド基を有するモノマーとノボラックを形成することが知られている。一方で、フルオレンと類似の構造を持つカルバゾールも同様の特徴を示し、両モノマーとも五員環に隣接するベンゼン環の一部が反応してポリマー化する事が明らかになっている。
一方で、従来から半導体デバイスの製造において、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。前記微細加工はシリコンウエハー等の被加工基板上にフォトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを保護膜としてシリコンウエハー等の被加工基板をエッチング処理する加工法である。ところが、近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もKrFエキシマレーザ(248nm)からArFエキシマレーザ(193nm)へと短波長化される傾向にある。これに伴い活性光線の基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題であった。そこでフォトレジストと被加工基板の間に反射防止膜を設ける方法が広く検討されるようになってきた。
今後、レジストパターンの微細化が進行すると、解像度の問題やレジストパターンが現像後に倒れるという問題が生じ、レジストの薄膜化が望まれてくる。そのため、基板加工に充分なレジストパターン膜厚を得ることが難しく、レジストパターンだけではなく、レジストと加工する半導体基板との間に作成されるレジスト下層膜にも基板加工時のマスクとしての機能を持たせるプロセスが必要になってきた。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性(エッチング速度の早い)レジスト下層膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜が要求されるようになってきている。
上記レジスト下層膜用のポリマーとして例えば以下のものが例示されている。
カルバゾールを用いたレジスト下層膜形成組成物が例示されている(特許文献1、特許文献2、特許文献3、及び特許文献4を参照)。
本発明はインドロカルバゾールノボラック樹脂を用いた半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いるためのレジスト下層膜形成組成物を提供することである。また本発明は、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、高いドライエッチング耐性を有し、高い耐熱性を有し、昇華物量が低いリソグラフィー用レジスト下層膜を提供することにある。また本発明は照射光を微細加工に使用する際に基板からの反射光を効果的に吸収する性能を付与することもできる。さらに、本発明はレジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成法を提供することにある。
本発明は第1観点として、下記式(1):
(式(1)中、Aは少なくとも2個のアミノ基を有する2価の基であって、該基は縮合環構造を有し且つ該縮合環上の水素原子を置換する芳香族基を有する化合物から誘導される基であり、B1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示すかまたは、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成しても良い。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物、
第2観点として、式(1)中、Aがインドロカルバゾール構造を有する化合物から誘導される2価基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第3観点として、インドロカルバゾール構造を有する化合物の縮合環上の水素原子を置換する芳香族基がフェニル基である第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第4観点として、式(1)中、Aが式(2):
(式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。)で表される化合物から誘導される2価基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第5観点として、式(2)で表される化合物が、インドールとベンジルとを酸化合物の存在下で反応させて得られる反応物である第4観点に記載のレジスト下層膜形成組成物。
第6観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第7観点として、更に酸及び/又は酸発生剤を含む第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第8観点として、第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜の製造方法、
第9観点として、半導体基板上に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、
第10観点として、半導体基板上に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該ハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、及び
第11観点として、 式(1)
〔式(1)中、Aが式(2)
(式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。)で表される化合物から誘導される2価基を示し、B1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示すかまたは、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成しても良い。〕で表される単位構造を有するポリマーである。
(式(1)中、Aは少なくとも2個のアミノ基を有する2価の基であって、該基は縮合環構造を有し且つ該縮合環上の水素原子を置換する芳香族基を有する化合物から誘導される基であり、B1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示すかまたは、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成しても良い。)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物、
第2観点として、式(1)中、Aがインドロカルバゾール構造を有する化合物から誘導される2価基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第3観点として、インドロカルバゾール構造を有する化合物の縮合環上の水素原子を置換する芳香族基がフェニル基である第2観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第4観点として、式(1)中、Aが式(2):
(式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。)で表される化合物から誘導される2価基である第1観点に記載のレジスト下層膜形成組成物、
第5観点として、式(2)で表される化合物が、インドールとベンジルとを酸化合物の存在下で反応させて得られる反応物である第4観点に記載のレジスト下層膜形成組成物。
第6観点として、更に架橋剤を含む第1観点乃至第5観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第7観点として、更に酸及び/又は酸発生剤を含む第1観点乃至第6観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物、
第8観点として、第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜の製造方法、
第9観点として、半導体基板上に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、
第10観点として、半導体基板上に第1観点乃至第7観点のいずれか一つに記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該ハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法、及び
第11観点として、 式(1)
〔式(1)中、Aが式(2)
(式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示す。)で表される化合物から誘導される2価基を示し、B1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示すかまたは、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成しても良い。〕で表される単位構造を有するポリマーである。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物により、レジスト下層膜の上層部とその上に被覆される層とのインターミキシングを起こすことなく、良好なレジストのパターン形状を形成することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物には基板からの反射を効率的に抑制する性能を付与することも可能であり、露光光の反射防止膜としての効果を合わせ持つこともできる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物により、レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物には基板からの反射を効率的に抑制する性能を付与することも可能であり、露光光の反射防止膜としての効果を合わせ持つこともできる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物により、レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。
また、本発明のレジスト下層膜を用いて基板を加工するときは、加工基板(例えば、基板上の熱酸化ケイ素膜、窒化珪素膜、ポリシリコン膜等)に対して十分にエッチング耐性を有するものである。
レジストパターンの微細化に伴いレジストパターンが現像後に倒れることを防止するためにレジストの薄膜化が行われている。そのような薄膜レジストでは、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、その下層膜をマスクとして基板加工を行うプロセスや、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、さらに下層膜に転写されたパターンを異なるガス組成を用いてその下層膜に転写するという行程を繰り返し、最終的に基板加工を行うプロセスがある。本発明のレジスト下層膜及びその形成組成物はこのプロセスに有効である。
レジストパターンの微細化に伴いレジストパターンが現像後に倒れることを防止するためにレジストの薄膜化が行われている。そのような薄膜レジストでは、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、その下層膜をマスクとして基板加工を行うプロセスや、レジストパターンをエッチングプロセスでその下層膜に転写し、さらに下層膜に転写されたパターンを異なるガス組成を用いてその下層膜に転写するという行程を繰り返し、最終的に基板加工を行うプロセスがある。本発明のレジスト下層膜及びその形成組成物はこのプロセスに有効である。
さらに、本発明では用いられるポリマーがインドロカルバゾールを有する単位構造を含むポリマーであるため極めて耐熱性が高い。半導体基板の加工を行うプロセスにおいて、基板上に形成したレジスト下層膜の上にハードマスクを形成し、その上にレジスト膜を形成する場合、このハードマスク形成を無機物(例えば、窒化酸化ケイ素)の真空蒸着によって行う場合は、蒸着物がレジスト下層膜表面に堆積するが、その際にレジスト下層膜表面の温度が400℃前後に上昇する。本発明のレジスト下層膜形成組成物を硬化してなるレジスト下層膜は高い耐熱性のため、蒸着物の堆積によっても熱劣化を生じない。また、本発明のレジスト下層膜形成組成物では、上述のように熱安定性が高く、焼成時の分解物(昇華物)の発生を低減することができるので、上層膜への汚染が防げ、また、焼成工程の温度マージンに余裕を持たせることができるものである。
従って、本発明のレジスト下層膜は、平坦化膜、レジスト下層膜、レジスト層の汚染防止膜、ドライエッチ選択性を有する膜として用いることができる。これにより、半導体製造のリソグラフィープロセスにおけるレジストパターン形成を、容易に、精度良く行うことができるようになる。
本発明は式(1)で表される単位構造を含むポリマーに関し、式(1)で表される単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物に関する。
本発明では上記ポリマーと溶剤を含む。そして、架橋剤と酸を含むことができ、必要に応じて酸発生剤、界面活性剤等の添加剤を含むことができる。この組成物の固形分は0.1乃至70質量%、または0.1乃至60質量%である。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶剤を除いた全成分の含有割合である。固形分中に上記ポリマーを1乃至100質量%、または1乃至99.9質量%、または50乃至99.9質量%の割合で含有することができる。
本発明に用いられるポリマーは、重量平均分子量が600乃至1000000、又は600乃至200000である。
本発明では上記ポリマーと溶剤を含む。そして、架橋剤と酸を含むことができ、必要に応じて酸発生剤、界面活性剤等の添加剤を含むことができる。この組成物の固形分は0.1乃至70質量%、または0.1乃至60質量%である。固形分はレジスト下層膜形成組成物から溶剤を除いた全成分の含有割合である。固形分中に上記ポリマーを1乃至100質量%、または1乃至99.9質量%、または50乃至99.9質量%の割合で含有することができる。
本発明に用いられるポリマーは、重量平均分子量が600乃至1000000、又は600乃至200000である。
式(1)中、Aは少なくとも2個のアミノ基を有する2価の基であって、該基は縮合環構造を有し且つ該縮合環上の水素原子を置換する芳香族基を有する化合物から誘導される基であり、B1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示すかまたは、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。Aは少なくとも2個の第2級アミノ基を有する2価の基であって、該基は縮合環構造を有し且つ該縮合環上の水素原子を置換する芳香族基を有する化合物から誘導される2価基を示すことが好ましい。
式(1)中、Aとして、インドロカルバゾール構造を有する化合物から誘導される2価基を示すことができる。
インドロカルバゾール構造の縮合環上の水素原子を置換する芳香族基は、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレン基等が挙げられるが、フェニル基を好ましく用いることができる。
インドロカルバゾール構造の縮合環上の水素原子を置換する芳香族基は、例えばフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレン基等が挙げられるが、フェニル基を好ましく用いることができる。
式(1)中、Aとして、式(2)で表される化合物から誘導される2価基を用いることができる。この場合の式(1)で表される単位構造を含むポリマーは、新規なポリマーであり、本発明のレジスト下層膜形成組成物の構成成分として優れている。
上記式(2)で表される化合物はR1とR2が水素原子の場合にジフェニルインドロカルバゾールであり、また窒素上の水素原子を置換する置換基を有するその誘導体が挙げられる。上記ジフェニルインドロカルバゾールは2モルのインドールに対して1モルのベンジルを酸触媒の存在下に反応させ得ることができる。酸触媒としてはメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸一水和物等の有機スルホン酸類を好ましく用いることができる。トルエン等の炭化水素溶剤を用い、140乃至180℃程度の温度で50乃至20時間の還流を行うことで合成することができる。
式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示すことができる。特に水素原子を用いることができる。
上記式(2)で表される化合物はR1とR2が水素原子の場合にジフェニルインドロカルバゾールであり、また窒素上の水素原子を置換する置換基を有するその誘導体が挙げられる。上記ジフェニルインドロカルバゾールは2モルのインドールに対して1モルのベンジルを酸触媒の存在下に反応させ得ることができる。酸触媒としてはメタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸一水和物等の有機スルホン酸類を好ましく用いることができる。トルエン等の炭化水素溶剤を用い、140乃至180℃程度の温度で50乃至20時間の還流を行うことで合成することができる。
式(2)中、R1及びR2はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至10のアルキル基、又は炭素原子数6乃至40のアリール基を示すことができる。特に水素原子を用いることができる。
炭素原子数1乃至10のアルキル基としてはメチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、シクロプロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、シクロブチル基、1−メチル−シクロプロピル基、2−メチル−シクロプロピル基、n−ペンチル基、1−メチル−n−ブチル基、2−メチル−n−ブチル基、3−メチル−n−ブチル基、1,1−ジメチル−n−プロピル基、1,2−ジメチル−n−プロピル基、2,2−ジメチル−n−プロピル基、1−エチル−n−プロピル基、シクロペンチル基、1−メチル−シクロブチル基、2−メチル−シクロブチル基、3−メチル−シクロブチル基、1,2−ジメチル−シクロプロピル基、2,3−ジメチル−シクロプロピル基、1−エチル−シクロプロピル基、2−エチル−シクロプロピル基、n−ヘキシル基、1−メチル−n−ペンチル基、2−メチル−n−ペンチル基、3−メチル−n−ペンチル基、4−メチル−n−ペンチル基、1,1−ジメチル−n−ブチル基、1,2−ジメチル−n−ブチル基、1,3−ジメチル−n−ブチル基、2,2−ジメチル−n−ブチル基、2,3−ジメチル−n−ブチル基、3,3−ジメチル−n−ブチル基、1−エチル−n−ブチル基、2−エチル−n−ブチル基、1,1,2−トリメチル−n−プロピル基、1,2,2−トリメチル−n−プロピル基、1−エチル−1−メチル−n−プロピル基、1−エチル−2−メチル−n−プロピル基、シクロヘキシル基、1−メチル−シクロペンチル基、2−メチル−シクロペンチル基、3−メチル−シクロペンチル基、1−エチル−シクロブチル基、2−エチル−シクロブチル基、3−エチル−シクロブチル基、1,2−ジメチル−シクロブチル基、1,3−ジメチル−シクロブチル基、2,2−ジメチル−シクロブチル基、2,3−ジメチル−シクロブチル基、2,4−ジメチル−シクロブチル基、3,3−ジメチル−シクロブチル基、1−n−プロピル−シクロプロピル基、2−n−プロピル−シクロプロピル基、1−i−プロピル−シクロプロピル基、2−i−プロピル−シクロプロピル基、1,2,2−トリメチル−シクロプロピル基、1,2,3−トリメチル−シクロプロピル基、2,2,3−トリメチル−シクロプロピル基、1−エチル−2−メチル−シクロプロピル基、2−エチル−1−メチル−シクロプロピル基、2−エチル−2−メチル−シクロプロピル基及び2−エチル−3−メチル−シクロプロピル基等が挙げられる。
上記炭素数6乃至40のアリール基としてはフェニル基、o−メチルフェニル基、m−メチルフェニル基、p−メチルフェニル基、o−クロルフェニル基、m−クロルフェニル基、p−クロルフェニル基、o−フルオロフェニル基、p−フルオロフェニル基、o−メトキシフェニル基、p−メトキシフェニル基、p−ニトロフェニル基、p−シアノフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、o−ビフェニル基、m−ビフェニル基、p−ビフェニル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、ピレン基が挙げられる。
式(1)で表される単位構造中のB1、B2はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基又はそれらの組み合わせを示し、B1とB2はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。ここでそれらの組み合わせとはアルキル基とベンゼン環基又は縮合環基との組み合わせによる基を意味し、例えばベンジル基やメチルアントラセン基等を示すことができる。
B1、B2はそれぞれ式(1)で表される単位構造を有するポリマーの製造の際原料となる、水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基を有するアルデヒド又はケトンに由来する基であり、Aに相当する部分を提供する化合物との間でノボラック樹脂を形成する。
B1、B2はそれぞれ式(1)で表される単位構造を有するポリマーの製造の際原料となる、水素原子、アルキル基、ベンゼン環基、縮合環基を有するアルデヒド又はケトンに由来する基であり、Aに相当する部分を提供する化合物との間でノボラック樹脂を形成する。
上記アルキル基は上述の炭素原子数1乃至10のアルキル基が示される。縮合環基は上述の炭素数10乃至40のアリール基に相当する縮合環基が示され、ナフチル基、アントリル基、ピレン基、又はその誘導体が挙げられる。
また、上記式(1)中、基B1、B2の部分を提供する原料としてのアルデヒドはB1、B2が水素原子である場合はホルムアルデヒドが挙げられる。B1が水素原子でB2がアルキル基である場合はアセトアルデヒド、エチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド等が挙げられる。B1が水素原子でB2がベンゼン環基である場合にはベンズアルデヒド等が挙げられる。B1が水素原子でB2が縮合環基である場合にはナフチルアルデヒド、アントリルアルデヒド、ピレンカルボキシアルデヒド等が挙げられる。B1が水素原子でB2がアルキル基とベンゼン環の組み合わせである場合はフェニルアセトアルデヒド等が挙げられる。
また、B1とB2がそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成する場合とは式(1)で表される単位構造を有するポリマーの製造にケトンを用いた場合に相当する。ケトンとしてはジアリールケトン、アルキルアリールケトンであり、例えばジフェニルケトン、フェニルナフチルケトン、ジナフチルケトン、フェニルトリルケトン、ジトリルケトン、9−フルオレノン、メチルフェニルケトン等が挙げられる。
上記式(1)で表される単位構造を有するポリマーの製造における縮合反応で用いられる酸触媒としては、例えば硫酸、リン酸、過塩素酸等の鉱酸類、メタンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸、p−トルエンスルホン酸一水和物等の有機スルホン酸類、蟻酸、シュウ酸等のカルボン酸類が使用される。酸触媒の使用量は、使用する酸類の種類によって種々選択される。通常、式(1)のAに相当する部分を提供する化合物の100質量部に対して、0.001乃至10000質量部、好ましくは、0.01乃至1000質量部、より好ましくは0.1乃至100質量部である。
上記の縮合反応は無溶剤でも行われるが、通常溶剤を用いて行われる。溶剤としては反応を阻害しないものであれば全て使用することができる。例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。また、使用する酸触媒が例えば蟻酸のような液状のものであるならば溶剤としての役割を兼ねさせることもできる。
縮合時の反応温度は通常40℃乃至200℃である。反応時間は反応温度によって種々選択されるが、通常30分乃至50時間程度である。
以上のようにして得られる重合体の重量平均分子量Mwは、通常600乃至1000000、又は600乃至200000である。
式(1)で表される単位構造は以下に例示することができる。
式(1)で表される単位構造は以下に例示することができる。
上記ポリマーは他のポリマーを全ポリマー中に30質量%以内で混合して用いることができる。
それらポリマーとしてはポリアクリル酸エステル化合物、ポリメタクリル酸エステル化合物、ポリアクリルアミド化合物、ポリメタクリルアミド化合物、ポリビニル化合物、ポリスチレン化合物、ポリマレイミド化合物、ポリマレイン酸無水物、及びポリアクリロニトリル化合物が挙げられる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は架橋剤成分を含むことができる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、またはそれらのポリマー系等が挙げられる。好ましくは、少なくとも2個の架橋形成置換基を有する架橋剤であり、メトキシメチル化グリコールウリル、ブトキシメチル化グリコールウリル、メトキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、メトキシメチル化ベンゾグワナミン、ブトキシメチル化ベンゾグワナミン、メトキシメチル化尿素、ブトキシメチル化尿素、メトキシメチル化チオ尿素、またはメトキシメチル化チオ尿素等の化合物である。また、これらの化合物の縮合体も使用することができる。
また、上記架橋剤としては耐熱性の高い架橋剤を用いることができる。耐熱性の高い架橋剤としては分子内に芳香族環(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環)を有する架橋形成置換基を含有する化合物を好ましく用いることができる。
また、上記架橋剤としては耐熱性の高い架橋剤を用いることができる。耐熱性の高い架橋剤としては分子内に芳香族環(例えば、ベンゼン環、ナフタレン環)を有する架橋形成置換基を含有する化合物を好ましく用いることができる。
これらの化合物は下記式(3)で表される部分構造を有する化合物や、下記式(4)表される繰り返し単位を有するポリマー又はオリゴマーが挙げられる。
式(3)中、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1乃至10のアルキル基、又は炭素数6乃至20のアリール基であり、n1は1乃至4の整数であり、n2は1乃至(5−n1)の整数であり、(n1+n2)は2乃至5の整数を示す。
式(4)中、R5は水素原子又は炭素数1乃至10のアルキル基であり、R6は炭素数1乃至10のアルキル基であり、n3は1乃至4の整数であり、n4は0乃至(4−n3)であり、(n3+n4)は1乃至4の整数を示す。オリゴマー及びポリマーは繰り返し単位構造の数が2乃至100、又は2乃至50の範囲で用いることができる。
これらのアルキル基及びアリール基は、上記アルキル基及びアリール基を例示することができる。
式(3)中、R3及びR4はそれぞれ独立に水素原子、炭素数1乃至10のアルキル基、又は炭素数6乃至20のアリール基であり、n1は1乃至4の整数であり、n2は1乃至(5−n1)の整数であり、(n1+n2)は2乃至5の整数を示す。
式(4)中、R5は水素原子又は炭素数1乃至10のアルキル基であり、R6は炭素数1乃至10のアルキル基であり、n3は1乃至4の整数であり、n4は0乃至(4−n3)であり、(n3+n4)は1乃至4の整数を示す。オリゴマー及びポリマーは繰り返し単位構造の数が2乃至100、又は2乃至50の範囲で用いることができる。
これらのアルキル基及びアリール基は、上記アルキル基及びアリール基を例示することができる。
上記化合物は旭有機材工業(株)、本州化学工業(株)の製品として入手することができる。例えば上記架橋剤の中で式(4−21)の化合物は旭有機材工業(株)、商品名TM−BIP−Aとして入手することができる。
架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全固形分に対して0.001乃至80質量%、好ましくは0.01乃至50質量%、さらに好ましくは0.05乃至40質量%である。これら架橋剤は自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、本発明の上記のポリマー中に架橋性置換基が存在する場合は、それらの架橋性置換基と架橋反応を起こすことができる。
本発明では上記架橋反応を促進するための触媒としてとして、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp−トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の酸性化合物又は/及び2,4,4,6−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシレート、2−ニトロベンジルトシレート、その他有機スルホン酸アルキルエステル等の熱酸発生剤を配合する事が出来る。配合量は全固形分に対して、0.0001乃至20質量%、好ましくは0.0005乃至10質量%、好ましくは0.01乃至3質量%である。
本発明のリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物は、リソグラフィー工程で上層に被覆されるフォトレジストとの酸性度を一致させる為に、光酸発生剤を添加する事が出来る。好ましい光酸発生剤としては、例えば、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等のオニウム塩系光酸発生剤類、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等のハロゲン含有化合物系光酸発生剤類、ベンゾイントシレート、N−ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホネート等のスルホン酸系光酸発生剤類等が挙げられる。上記光酸発生剤は全固形分に対して、0.2乃至10質量%、好ましくは0.4乃至5質量%である。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜組成物には、上記以外に必要に応じて更なる吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。
更なる吸光剤としては例えば、「工業用色素の技術と市場」(CMC出版)や「染料便覧」(有機合成化学協会編)に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.DisperseYellow1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124;C.I.DisperseOrange1,5,13,25,29,30,31,44,57,72及び73;C.I.DisperseRed1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,73,88,117,137,143,199及び210;C.I.DisperseViolet43;C.I.DisperseBlue96;C.I.FluorescentBrighteningAgent112,135及び163;C.I.SolventOrange2及び45;C.I.SolventRed1,3,8,23,24,25,27及び49;C.I.PigmentGreen10;C.I.PigmentBrown2等を好適に用いることができる。上記吸光剤は通常、リソグラフィー用レジスト下層組成物の全固形分に対して10質量%以下、好ましくは5質量%以下の割合で配合される。
更なる吸光剤としては例えば、「工業用色素の技術と市場」(CMC出版)や「染料便覧」(有機合成化学協会編)に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.DisperseYellow1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124;C.I.DisperseOrange1,5,13,25,29,30,31,44,57,72及び73;C.I.DisperseRed1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,73,88,117,137,143,199及び210;C.I.DisperseViolet43;C.I.DisperseBlue96;C.I.FluorescentBrighteningAgent112,135及び163;C.I.SolventOrange2及び45;C.I.SolventRed1,3,8,23,24,25,27及び49;C.I.PigmentGreen10;C.I.PigmentBrown2等を好適に用いることができる。上記吸光剤は通常、リソグラフィー用レジスト下層組成物の全固形分に対して10質量%以下、好ましくは5質量%以下の割合で配合される。
レオロジー調整剤は、主にレジスト下層膜形成組成物の流動性を向上させ、特にベーキング工程において、レジスト下層膜の膜厚均一性の向上やホール内部へのレジスト下層膜形成組成物の充填性を高める目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノルマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノルマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、またはノルマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜組成物の全固形分に対して通常30質量%未満の割合で配合される。
接着補助剤は、主に基板あるいはレジストとレジスト下層膜形成組成物の密着性を向上させ、特に現像においてレジストが剥離しないようにするための目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、N,N’ービス(トリメチルシリル)ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γークロロプロピルトリメトキシシラン、γーアミノプロピルトリエトキシシラン、γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、2ーメルカプトベンズイミダゾール、2ーメルカプトベンゾチアゾール、2ーメルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環式化合物や、1,1ージメチルウレア、1,3ージメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。これらの接着補助剤は、リソグラフィー用レジスト下層膜組成物の全固形分に対して通常5質量%未満、好ましくは2質量%未満の割合で配合される。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜組成物には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製、商品名)、メガファックF171、F173、R−30、R−40、R−40N(DIC(株)製、商品名)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製、商品名)、アサヒガードAG710、サーフロンSー382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製、商品名)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜組成物の全固形分に対して通常2.0質量%以下、好ましくは1.0質量%以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また2種以上の組合せで添加することもできる。
本発明で、上記のポリマー及び架橋剤成分、架橋触媒等を溶解させる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2ーヒドロキシプロピオン酸エチル、2ーヒドロキシー2ーメチルプロピオン酸エチル、エトシキ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2ーヒドロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3ーメトキシプロピオン酸メチル、3ーメトキシプロピオン酸エチル、3ーエトキシプロピオン酸エチル、3ーエトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、または2種以上の組合せで使用される。
さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。これらの溶剤の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノン等がレベリング性の向上に対して好ましい。
次に本発明のレジストパターン形成法について説明すると、精密集積回路素子の製造に使用される基板(例えばシリコン/二酸化シリコン被覆、ガラス基板、ITO基板などの透明基板)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布後、ベークして硬化させ塗布型下層膜を作成する。ここで、レジスト下層膜の膜厚としては0.01乃至3.0μmが好ましい。また塗布後ベーキングする条件としては80乃至350℃で0.5乃至120分間である。その後レジスト下層膜上に直接、または必要に応じて1層乃至数層の塗膜材料を塗布型下層膜上に成膜した後、レジストを塗布し、所定のマスクを通して光又は電子線の照射を行い、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを得ることができる。必要に応じて光又は電子線の照射後加熱(PEB:PostExposureBake)を行うこともできる。そして、レジストが前記工程により現像除去された部分のレジスト下層膜をドライエッチングにより除去し、所望のパターンを基板上に形成することができる。
本発明に用いられるレジストとはフォトレジストや電子線レジストである。
本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布されるフォトレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用でき、ノボラック樹脂と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、アルカリ可溶性バインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してフォトレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物と光酸発生剤からなる化学増幅型フォトレジスト、骨格にSi原子を有するフォトレジスト等があり、例えば、ロームアンドハーツ社製、商品名APEX−Eが挙げられる。
また本発明におけるリソグラフィー用レジスト下層膜の上部に塗布される電子線レジストとしては、例えば主鎖にSi−Si結合を含み末端に芳香族環を含んだ樹脂と電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物、又は水酸基がN−カルボキシアミンを含む有機基で置換されたポリ(p−ヒドロキシスチレン)と電子線の照射により酸を発生する酸発生剤から成る組成物等が挙げられる。後者の電子線レジスト組成物では、電子線照射によって酸発生剤から生じた酸がポリマー側鎖のN−カルボキシアミノキシ基と反応し、ポリマー側鎖が水酸基に分解しアルカリ可溶性を示しアルカリ現像液に溶解し、レジストパターンを形成するものである。この電子線の照射により酸を発生する酸発生剤は1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2,2−トリクロロエタン、1,1−ビス[p−メトキシフェニル]−2,2,2−トリクロロエタン、1,1−ビス[p−クロロフェニル]−2,2−ジクロロエタン、2−クロロ−6−(トリクロロメチル)ピリジン等のハロゲン化有機化合物、トリフェニルスルフォニウム塩、ジフェニルヨウドニウム塩等のオニウム塩、ニトロベンジルトシレート、ジニトロベンジルトシレート等のスルホン酸エステルが挙げられる。
レジスト溶液は塗布した後に焼成温度70乃至150℃で、焼成時間0.5乃至5分間行い、レジスト膜厚は10乃至1000nmの範囲で得られる。レジスト溶液や現像液や以下に示す塗布材料は、スピンコート、ディップ法、スプレー法等で被覆できるが、特にスピンコート法が好ましい。レジストの露光は所定のマスクを通して露光が行なわれる。露光には、KrFエキシマレーザー(波長248nm)、ArFエキシマレーザー(波長193nm)及びEUV光(波長13.5nm)、電子線等を使用することができる。露光後、必要に応じて露光後加熱(PEB:PostExposureBake)を行なうこともできる。露光後加熱は、加熱温度70℃乃至150℃、加熱時間0.3乃至10分間から適宜、選択される。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜組成物を使用して形成したレジスト下層膜を有するレジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第4級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。
また、本発明ではレジストの現像に現像液として有機溶剤を用いることができる。レジストの露光後に現像液(溶剤)によって現像が行なわれる。これにより、例えばポジ型フォトレジストが使用された場合は、露光されない部分のフォトレジストが除去され、フォトレジストのパターンが形成される。
現像液としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル、酢酸イソアミル、メトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、2−メトキシブチルアセテート、3-メトキシブチルアセテート、4−メトキシブチルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテート、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、2−エトキシブチルアセテート、4−エトキシブチルアセテート、4−プロポキシブチルアセテート、2−メトキシペンチルアセテート、3−メトキシペンチルアセテート、4−メトキシペンチルアセテート、2−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−3−メトキシペンチルアセテート、3−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、4−メチル−4−メトキシペンチルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、炭酸エチル、炭酸プロピル、炭酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、ピルビン酸ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート、プロピル−3−メトキシプロピオネート等を例として挙げることができる。さらに、これらの現像液に界面活性剤などを加えることもできる。現像の条件としては、温度5乃至50℃、時間10乃至600秒から適宜選択される。
本発明では、半導体基板上に本発明のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。
今後、レジストパターンの微細化が進行すると、解像度の問題やレジストパターンが現像後に倒れるという問題が生じ、レジストの薄膜化が望まれてくる。そのため、基板加工に充分なレジストパターン膜厚を得ることが難しく、レジストパターンだけではなく、レジストと加工する半導体基板との間に作成されるレジスト下層膜にも基板加工時のマスクとしての機能を持たせるプロセスが必要になってきた。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性レジスト下層膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つリソグラフィー用レジスト下層膜が要求されるようになってきている。また、このようなレジスト下層膜には反射防止能を付与することも可能であり、従来の反射防止膜の機能を併せ持つことができる。
一方、微細なレジストパターンを得るために、レジスト下層膜のドライエッチング時にレジストパターンとレジスト下層膜をレジスト現像時のパターン幅より細くするプロセスも使用され始めている。このようなプロセス用のレジスト下層膜として従来の高エッチレート性反射防止膜とは異なり、レジストに近いドライエッチング速度の選択比を持つレジスト下層膜が要求されるようになってきている。また、このようなレジスト下層膜には反射防止能を付与することも可能であり、従来の反射防止膜の機能を併せ持つことができる。
本発明では基板上に本発明のレジスト下層膜を成膜した後、レジスト下層膜上に直接、または必要に応じて1層乃至数層の塗膜材料をレジスト下層膜上に成膜した後、レジストを塗布することができる。これによりレジストのパターン幅が狭くなり、パターン倒れを防ぐ為にレジストを薄く被覆した場合でも、適切なエッチングガスを選択することにより基板の加工が可能になる。
即ち、半導体基板上に本発明のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にケイ素成分等を含有する塗膜材料によるハードマスク又は蒸着によるハードマスク(例えば、窒化酸化ケイ素)を形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンによりハードマスクをハロゲン系ガスでエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜を酸素系ガス又は水素系ガスでエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜によりハロゲン系ガスで半導体基板を加工する工程を経て半導体装置を製造することができる。
上述のような、レジスト下層膜を基板上に形成し、その上にハードマスクを形成し、その上にレジスト膜を形成し、露光と現像によりレジストパターンを形成し、レジストパターンをハードマスクに転写し、ハードマスクに転写されたレジストパターンをレジスト下層膜に転写し、そのレジスト下層膜で半導体基板の加工を行うプロセスでは、ハードマスクは有機ポリマーや無機ポリマーと溶剤を含む塗布型の組成物によって行われる場合と、無機物の真空蒸着によって行われる場合がある。無機物(例えば、窒化酸化ケイ素)の真空蒸着では蒸着物がレジスト下層膜表面に堆積するが、その際にレジスト下層膜表面の温度が400℃前後に上昇する。本発明のレジスト下層膜形成組成物では用いられるポリマーがインドロカルバゾールを有する単位構造を含むポリマーであるため極めて耐熱性が高く、蒸着物の堆積によっても熱劣化を生じない。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物では、熱安定性が高く、焼成時の分解物による上層膜への汚染が防げ、また、焼成工程の温度マージンに余裕を持たせることができるものである。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、反射防止膜としての効果を考慮した場合、光吸収部位が骨格に取りこまれているため、加熱乾燥時にフォトレジスト中への拡散物がなく、また、光吸収部位は十分に大きな吸光性能を有しているため反射光防止効果が高い。
さらに、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜組成物は、プロセス条件によっては、光の反射を防止する機能と、更には基板とフォトレジストとの相互作用の防止或いはフォトレジストに用いられる材料又はフォトレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する膜としての使用が可能である。
(原料の合成例1)
1L三口フラスコに30.00gのベンジル(東京化成工業株式会社製)、41.79gのインドール(東京化成工業株式会社製)、5.43gのp−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)、300gのトルエン(関東化学株式会社製)を入れた。その後、還流管を取り付け、窒素雰囲気下、160℃で約12時間還流撹拌した。反応終了後、沈殿物を吸引濾過にて回収し、トルエン1L、メタノール1Lで洗浄した。沈殿物は60℃で約12時間真空乾燥させた。
1L三口フラスコに乾燥させた沈殿物と1,4-ジオキサン500mLを入れた。その後、還流管を取り付け、窒素雰囲気下、120℃で約1時間還流撹拌した。撹拌停止後、冷却させて再結晶を行った。再結晶した化合物を吸引濾過にて回収し、1,4-ジオキサン1L、ヘキサン1Lで洗浄した。沈殿物は60℃で約12時間真空乾燥させ、式(2−1)に示す化合物1を17.7g、収率24.6%、純度99.1%で得た。
1L三口フラスコに30.00gのベンジル(東京化成工業株式会社製)、41.79gのインドール(東京化成工業株式会社製)、5.43gのp−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)、300gのトルエン(関東化学株式会社製)を入れた。その後、還流管を取り付け、窒素雰囲気下、160℃で約12時間還流撹拌した。反応終了後、沈殿物を吸引濾過にて回収し、トルエン1L、メタノール1Lで洗浄した。沈殿物は60℃で約12時間真空乾燥させた。
1L三口フラスコに乾燥させた沈殿物と1,4-ジオキサン500mLを入れた。その後、還流管を取り付け、窒素雰囲気下、120℃で約1時間還流撹拌した。撹拌停止後、冷却させて再結晶を行った。再結晶した化合物を吸引濾過にて回収し、1,4-ジオキサン1L、ヘキサン1Lで洗浄した。沈殿物は60℃で約12時間真空乾燥させ、式(2−1)に示す化合物1を17.7g、収率24.6%、純度99.1%で得た。
(合成例1)
三口フラスコに5.00gの化合物1、2.84gの1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ(株)製)、19.12gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、0.35gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約36時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 24.80gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、黒色粉末の樹脂を2.51g得た。得られたポリマーは式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは5,900、多分散度Mw/Mnは2.19であった。
三口フラスコに5.00gの化合物1、2.84gの1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ(株)製)、19.12gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、0.35gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約36時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 24.80gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、黒色粉末の樹脂を2.51g得た。得られたポリマーは式(1−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは5,900、多分散度Mw/Mnは2.19であった。
(合成例2)
二口フラスコに8.00gの化合物1、2.08gのベンズアルデヒド(キシダ化学株式会社製)、28.39gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、7.10gのN−メチル−2−ピロリジノン(関東化学株式会社製)、1.13gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約20時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 20.49gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、灰色粉末の樹脂を6.42g得た。得られたポリマーは式(1−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは16,100、多分散度Mw/Mnは3.12であった。
二口フラスコに8.00gの化合物1、2.08gのベンズアルデヒド(キシダ化学株式会社製)、28.39gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、7.10gのN−メチル−2−ピロリジノン(関東化学株式会社製)、1.13gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約20時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 20.49gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、灰色粉末の樹脂を6.42g得た。得られたポリマーは式(1−2)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは16,100、多分散度Mw/Mnは3.12であった。
(合成例3)
二口フラスコに8.00gの化合物1、3.06gの1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)、32.83gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.21gのN−メチル−2−ピロリジノン(関東化学株式会社製)、2.26gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約20時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 19.37gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、灰色粉末の樹脂を6.58g得た。得られたポリマーは式(1−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは7,500、多分散度Mw/Mnは2.02であった。
二口フラスコに8.00gの化合物1、3.06gの1−ナフトアルデヒド(東京化成工業株式会社製)、32.83gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.21gのN−メチル−2−ピロリジノン(関東化学株式会社製)、2.26gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約20時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 19.37gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、灰色粉末の樹脂を6.58g得た。得られたポリマーは式(1−3)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは7,500、多分散度Mw/Mnは2.02であった。
(合成例4)
二口フラスコに9.00gの化合物1、3.97gの9−フルオレノン(東京化成工業株式会社製)、10.56gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、4.53gのN−メチル−2−ピロリジノン(関東化学株式会社製)、2.12gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約63時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 34.68gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、灰色粉末の樹脂を5.45g得た。得られたポリマーは式(1−5)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは3,100、多分散度Mw/Mnは1.51であった。
二口フラスコに9.00gの化合物1、3.97gの9−フルオレノン(東京化成工業株式会社製)、10.56gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、4.53gのN−メチル−2−ピロリジノン(関東化学株式会社製)、2.12gのメタンスルホン酸(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約63時間還流撹拌した。反応終了後、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 34.68gで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、灰色粉末の樹脂を5.45g得た。得られたポリマーは式(1−5)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは3,100、多分散度Mw/Mnは1.51であった。
(比較合成例1)
500mLナスフラスコに30.00gのカルバゾール(東京化成工業株式会社製)、41.68gの1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ製)、117.76gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、6.83gのp−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約1時間還流撹拌した。反応終了後、520.49gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、青色粉末のカルバゾール樹脂を71.6g得た。得られたポリマーは式(5−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2,600、多分散度Mw/Mnは1.62であった。
500mLナスフラスコに30.00gのカルバゾール(東京化成工業株式会社製)、41.68gの1−ピレンカルボキシアルデヒド(アルドリッチ製)、117.76gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、6.83gのp−トルエンスルホン酸一水和物(東京化成工業株式会社製)を入れた。その後150℃まで加熱し、約1時間還流撹拌した。反応終了後、520.49gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで希釈し、沈殿物をろ過により除去した。回収したろ液をメタノール溶液中に滴下し、再沈殿させた。得られた沈殿物を吸引ろ過し、ろ物を60℃で一晩減圧乾燥した。そして、青色粉末のカルバゾール樹脂を71.6g得た。得られたポリマーは式(5−1)に相当した。GPCによりポリスチレン換算で測定される重量平均分子量Mwは2,600、多分散度Mw/Mnは1.62であった。
(実施例1)
合成例1で得た1.0gの樹脂(式(1−1))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例1で得た1.0gの樹脂(式(1−1))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例2)
合成例2で得た1.0gの樹脂(式(1−2))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例2で得た1.0gの樹脂(式(1−2))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例3)
合成例3で得た1.0gの樹脂(式(1−3))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例3で得た1.0gの樹脂(式(1−3))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(実施例4)
合成例4で得た1.0gの樹脂(式(1−5))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
合成例4で得た1.0gの樹脂(式(1−5))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(比較例1)
比較合成例1で得た1.0gの樹脂(式(5−1))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
比較合成例1で得た1.0gの樹脂(式(5−1))に、界面活性剤として0.001gのメガファックR−30Nを混合し、1.10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、8.14gのシクロヘキサノンに溶解させ、ろ過し多層膜によるリソグラフィープロセスに用いるレジスト下層膜形成組成物の溶液を調製した。
(レジスト溶剤への溶出試験)
実施例1乃至4及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃1分間焼成し、その後400℃1分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.08μm)を形成した。これらレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノンに浸漬した。これらレジスト下層膜はこれら溶剤に不溶であった。
実施例1乃至4及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃1分間焼成し、その後400℃1分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.08μm)を形成した。これらレジスト下層膜をレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びシクロヘキサノンに浸漬した。これらレジスト下層膜はこれら溶剤に不溶であった。
(光学定数測定)
実施例1乃至4、比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間焼成し、その後400℃1分間(実施例10乃至12は400℃2分間)焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nm及び248nmでの屈折率(n値)及び光学吸光係数(k値、減衰係数とも呼ぶ)を測定した。結果を表1に示した。
実施例1乃至4、比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間焼成し、その後400℃1分間(実施例10乃至12は400℃2分間)焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。これらのレジスト下層膜を、分光エリプソメーターを用いて波長193nm及び248nmでの屈折率(n値)及び光学吸光係数(k値、減衰係数とも呼ぶ)を測定した。結果を表1に示した。
(ドライエッチング速度の測定)
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。
RIE−10NR(サムコ製):CF4
実施例1乃至4、比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間焼成し、その後400℃1分間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。また、240℃焼成を行わずに400℃90秒焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例1乃至4と比較例1のレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表2に示した。ドライエッチング速度比は(レジスト下層膜)/(KrFフォトレジスト)のドライエッチング速度比である。
ドライエッチング速度の測定に用いたエッチャー及びエッチングガスは以下のものを用いた。
RIE−10NR(サムコ製):CF4
実施例1乃至4、比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で240℃1分間焼成し、その後400℃1分間焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。また、240℃焼成を行わずに400℃90秒焼成してレジスト下層膜(膜厚0.20μm)を形成した。エッチングガスとしてCF4ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例1乃至4と比較例1のレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表2に示した。ドライエッチング速度比は(レジスト下層膜)/(KrFフォトレジスト)のドライエッチング速度比である。
(レジスト下層膜の耐熱性試験)
実施例1乃至4及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で400℃90秒間焼成して、レジスト下層膜(膜厚0.25μm)を形成した。得られた膜を室温(約20℃)から一分間に10℃ずつの割合で昇温加熱して大気中で熱重量分析を行い、重量減少の経時変化を追跡した。結果を表3に示す。
実施例1乃至4及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で400℃90秒間焼成して、レジスト下層膜(膜厚0.25μm)を形成した。得られた膜を室温(約20℃)から一分間に10℃ずつの割合で昇温加熱して大気中で熱重量分析を行い、重量減少の経時変化を追跡した。結果を表3に示す。
(レジスト下層膜の昇華物量測定)
昇華物量の測定は国際公開WO2007/111147パンフレットに記載されている昇華物量測定装置を用いて実施した。直径4インチのシリコンウエハー基板に、実施例1乃至4及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物をそれぞれ塗布し、240℃焼成評価サンプルと300℃焼成評価サンプルは焼成せず、240℃焼成で前処理後に300℃焼成で評価するサンプルは240℃で1分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。レジスト下層膜が塗布されたウエハーを、ホットプレートが一体化した昇華物量測定装置にセットして、120秒間ベークし、昇華物をQCM(Quartz Crystal Microbalance)センサー、すなわち電極が形成された水晶振動子に捕集した。QCMセンサーは、水晶振動子の表面(電極)に昇華物が付着するとその質量に応じて水晶振動子の周波数が変化する(下がる)性質を利用して、微量の質量変化を測定することができる。
昇華物量の測定は国際公開WO2007/111147パンフレットに記載されている昇華物量測定装置を用いて実施した。直径4インチのシリコンウエハー基板に、実施例1乃至4及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物をそれぞれ塗布し、240℃焼成評価サンプルと300℃焼成評価サンプルは焼成せず、240℃焼成で前処理後に300℃焼成で評価するサンプルは240℃で1分間焼成し、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。レジスト下層膜が塗布されたウエハーを、ホットプレートが一体化した昇華物量測定装置にセットして、120秒間ベークし、昇華物をQCM(Quartz Crystal Microbalance)センサー、すなわち電極が形成された水晶振動子に捕集した。QCMセンサーは、水晶振動子の表面(電極)に昇華物が付着するとその質量に応じて水晶振動子の周波数が変化する(下がる)性質を利用して、微量の質量変化を測定することができる。
詳細な測定手順は、以下の通りである。昇華物量測定装置のホットプレートを240℃または300℃に昇温し、ポンプ流量を1m3/sに設定し、最初の60秒間は装置安定化のために放置した。その後直ちに、レジスト下層膜が被覆されたウエハーをスライド口から速やかにホットプレートに乗せ、60秒の時点から180秒の時点(120秒間)の昇華物の捕集を行った。
なお、前記昇華物量測定装置のQCMセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント(検出部分)にはノズルをつけずに使用し、そのため、センサー(水晶振動子)との距離が30mmのチャンバーユニットの流路(口径:32mm)から、気流が絞られることなく流入する。また、QCMセンサーには、電極として珪素とアルミニウムを主成分とする材料(AlSi)を用い、水晶振動子の直径(センサー直径)が14mm、水晶振動子表面の電極直径が5mm、共振周波数が9MHzのものを用いた。
なお、前記昇華物量測定装置のQCMセンサーと捕集ロート部分の接続となるフローアタッチメント(検出部分)にはノズルをつけずに使用し、そのため、センサー(水晶振動子)との距離が30mmのチャンバーユニットの流路(口径:32mm)から、気流が絞られることなく流入する。また、QCMセンサーには、電極として珪素とアルミニウムを主成分とする材料(AlSi)を用い、水晶振動子の直径(センサー直径)が14mm、水晶振動子表面の電極直径が5mm、共振周波数が9MHzのものを用いた。
得られた周波数変化を、測定に使用した水晶振動子の固有値からグラムに換算し、レジスト下層膜が塗布されたウエハー1枚の昇華物量と時間経過との関係を明らかにした。表4には、実施例1乃至4及び比較例1の0秒から180秒までの測定装置が示す昇華物量を昇華物量及び昇華物量比として記載した。なお、カッコ内の数値は昇華物量比であり、昇華物量比とは比較例1の下層膜(300℃焼成膜)から発生した昇華移量を1として規格化した値で示す。
(レジスト下層膜の面内均一性試験)
実施例1及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃1分間その後、400℃1分間焼成して、レジスト下層膜(膜厚0.34μm)を形成した。これらの面内均一性を測定した結果を表5に示す。
実施例1及び比較例1で調製したレジスト下層膜形成組成物の溶液を、それぞれスピンコーターを用いてシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上で240℃1分間その後、400℃1分間焼成して、レジスト下層膜(膜厚0.34μm)を形成した。これらの面内均一性を測定した結果を表5に示す。
本発明は、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、高いドライエッチング耐性を有し、高い耐熱性を有し、昇華物量が低いリソグラフィー用レジスト下層膜を提供することができる。
Claims (11)
- 式(1)中、Aがインドロカルバゾール構造を有する化合物から誘導される2価基である請求項1に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- インドロカルバゾール構造を有する化合物の縮合環上の水素原子を置換する芳香族基がフェニル基である請求項2に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 式(2)で表される化合物が、インドールとベンジルとを酸化合物の存在下で反応させて得られる反応物である請求項4に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 更に架橋剤を含む請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 更に酸及び/又は酸発生剤を含む請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し焼成することによって得られるレジスト下層膜の製造方法。
- 半導体基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のレジスト下層膜形成組成物からレジスト下層膜を形成する工程、その上にハードマスクを形成する工程、更にその上にレジスト膜を形成する工程、光又は電子線の照射と現像によりレジストパターンを形成する工程、形成されたレジストパターンにより該ハードマスクをエッチングする工程、パターン化されたハードマスクにより該レジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト下層膜により半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。
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