JPWO2017033713A1 - プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 - Google Patents
プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017033713A1 JPWO2017033713A1 JP2017536723A JP2017536723A JPWO2017033713A1 JP WO2017033713 A1 JPWO2017033713 A1 JP WO2017033713A1 JP 2017536723 A JP2017536723 A JP 2017536723A JP 2017536723 A JP2017536723 A JP 2017536723A JP WO2017033713 A1 JPWO2017033713 A1 JP WO2017033713A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- printed wiring
- wiring board
- base film
- metal layer
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 130
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 178
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 126
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 126
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 90
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 45
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 146
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 22
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 19
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 14
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005935 nucleophilic addition reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(dimethoxy)silyl]oxypropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(OC)OCCCN ZDZYGYFHTPFREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)pentan-2-imine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN=C(C)CC(C)C PRKPGWQEKNEVEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001780 ECTFE Polymers 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCOASTWZYJGKEK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[W] Chemical compound [Co].[Ni].[W] YCOASTWZYJGKEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTZZKLZPMNJRE-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Ni].[Co] Chemical compound [Ge].[Ni].[Co] DDTZZKLZPMNJRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical group FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- WHDPTDWLEKQKKX-UHFFFAOYSA-N cobalt molybdenum Chemical compound [Co].[Co].[Mo] WHDPTDWLEKQKKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000004428 fluoroalkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
- B32B15/088—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin comprising polyamides
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0137—Materials
- H05K2201/0154—Polyimide
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0335—Layered conductors or foils
- H05K2201/0355—Metal foils
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備え、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下である。
Description
本発明は、プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法に関する。本出願は、２０１５年８月２１日出願の日本出願第２０１５−１６４２３４号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、プリント配線板の高密度化が要求されている。高密度化されたプリント配線板は、金属パターンの微細化に伴って金属パターンがベースフィルムから剥離し易くなるため、このような高密度化の要求を満たすプリント配線板用基板として、金属層とベースフィルムとの密着性に優れたプリント配線板用基板が求められている。
このような要求に対し、耐熱性絶縁ベースフィルムに接着剤層を介することなく銅薄層を積層したプリント配線板用基板が提案されている（特開平９−１３６３７８号公報参照）。この従来のプリント配線板用基板は、耐熱性絶縁ベースフィルムの両面にスパッタリング法を用いて厚み０．２５〜０．３０μｍの銅薄膜層を形成し、その上に電気メッキ法を用いて銅厚膜層を形成している。
発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板用基板である。
別の本発明の一態様に係るプリント配線板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属パターンとを備えるプリント配線板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板である。なお、ポリイミドについては、無処理ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は0％と規定する。
さらに別の本発明の一態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程とを備えるプリント配線板用基板の製造方法である。
[本開示が解決しようとする課題]
上記公報で提案されているプリント配線板用基板は、金属層とベースフィルムとの間の密着力を大きくできる点で高密度プリント配線の要求に沿う基板であるといえる。しかし、上記従来のプリント配線板用基板は、金属層をベースフィルムに密着させるためスパッタリング法を用いて銅薄膜層を形成しているので、真空設備を必要とし、設備の建設、維持、運転等におけるコストが高くなる。その結果、プリント配線板用基板の製造コストが高くなる。
上記公報で提案されているプリント配線板用基板は、金属層とベースフィルムとの間の密着力を大きくできる点で高密度プリント配線の要求に沿う基板であるといえる。しかし、上記従来のプリント配線板用基板は、金属層をベースフィルムに密着させるためスパッタリング法を用いて銅薄膜層を形成しているので、真空設備を必要とし、設備の建設、維持、運転等におけるコストが高くなる。その結果、プリント配線板用基板の製造コストが高くなる。
本発明は以上のような事情に基づいてなされたものであり、低コストで金属層とベースフィルムとの間の密着力を向上できるプリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法を提供することを目的とする。
発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、プリント配線板用基板のベースフィルムと金属層との間に窒素が存在することでこれらの密着力が向上し、さらにこの窒素の存在量が多くなると上記密着力が大きくなる傾向があることを知見した。このことより、発明者らは、ベースフィルム及び金属層間の窒素の存在量を制御することで、真空設備を使用しなくても金属層をベースフィルムに密着させられることを見出した。
[本開示の効果]
本発明のプリント配線板用基板及びプリント配線板は、低コストで金属層とベースフィルムとの間の密着力を向上できる。また、本発明のプリント配線板用基板の製造方法により、金属層とベースフィルムとの間の密着力が大きいプリント配線板用基板を低コストで製造できる。
本発明のプリント配線板用基板及びプリント配線板は、低コストで金属層とベースフィルムとの間の密着力を向上できる。また、本発明のプリント配線板用基板の製造方法により、金属層とベースフィルムとの間の密着力が大きいプリント配線板用基板を低コストで製造できる。
［本発明の実施形態の説明］
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ（Ｘ線光電分光法：Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板用基板である。
本発明の一態様に係るプリント配線板用基板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ（Ｘ線光電分光法：Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板用基板である。
当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に窒素が存在するため、熱プレス時の加熱温度によるベースフィルムを構成する樹脂の一部の分解及びラジカル化により、上記樹脂中の炭素とベースフィルム及び金属層間の窒素との間でＣＮ結合が形成されている。つまり、当該プリント配線板用基板は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層除去後に露出するベースフィルム表面における窒素の存在量が上記範囲内であることで、ベースフィルム表面にこのようなＣＮ結合が所定量以上形成され、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力が得られる。また、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルムと金属層との間の密着力を確保するために少なくともベースフィルム及び金属層間に窒素が存在していればよいので、スパッタリング等の物理的蒸着に用いる高価な真空設備が必要なく、製造コストを低減できる。
上記露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＳｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量としては、１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下が好ましい。上記ＣＮ結合における窒素はケイ素との結合力が大きく、さらにこのケイ素は酸素を介して金属層と結合し易いので、ケイ素の存在量を上記範囲内とすることで、ベースフィルムと金属層との間の密着力をより向上できる。
上記露出するベースフィルム表面のケイ素の単位面積当たりの存在量の窒素の単位面積当たりの存在量に対する比の上限としては、４が好ましい。このように、窒素の存在量に対するケイ素の存在量の比を上記上限以下とすることで、ケイ素の添加量を過大とすることなく窒素の存在による密着力を向上できるので、製造コストの増加を抑制しつつ密着力を向上させ易い。
上記ベースフィルムと金属層との界面近傍に窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在するとよい。このように、上記界面近傍に窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在することで、容易に上記ＣＮ結合を形成させることができ、ベースフィルムと金属層との間の密着力をより向上できる。
上記カップリング剤がシランカップリング剤であるとよい。このように、シランカップリング剤を用いることで、ケイ素を介してＣＮ結合における窒素と金属層とが結合し易くなるので、ベースフィルムと金属層との間の密着力をより向上させ易くなる。
上記金属層のベースフィルム側の面の十点平均粗さＲｚとしては、０．０１μｍ以上５．０μｍ以下が好ましい。このように、金属層のベースフィルム側の面の十点平均粗さＲｚを上記範囲内とすることで、金属パターンの伝送遅延及び伝送損失が低く高周波特性及び回路形成性に優れたプリント配線板を得ることができる。
上記ベースフィルムがフッ素樹脂を主成分とするとよい。このように、主成分がフッ素樹脂のベースフィルムとすることで、ベースフィルムの誘電率を低下させ易いので、金属層における伝送遅延及び伝送損失を低減し易くなる。
本発明の他の一態様に係るプリント配線板は、ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属パターンとを備えるプリント配線板であって、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板である。
当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いるので、ベースフィルムと金属パターンとの密着力が大きく、かつ低コストで製造できる。
本発明のさらに他の一態様に係るプリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程とを備えるプリント配線板用基板の製造方法である。
当該プリント配線板用基板の製造方法は、金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳した重畳体を熱プレスするので、この熱プレス時の加熱温度によりベースフィルムを構成する樹脂の一部が分解及びラジカル化し、上記樹脂中の炭素とベースフィルム及び金属層間の窒素との間でＣＮ結合が形成される。これにより、当該プリント配線板用基板の製造方法を用いることで、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力を有するプリント配線板用基板が得られる。また、当該プリント配線板用基板の製造方法は、窒素を含有するカップリング剤を塗布した後、熱プレスを行えばよいので、スパッタリング等の物理的蒸着に用いる高価な真空設備が必要なく、製造コストを低減できる。
ここで「界面近傍」とは、ベースフィルム及び金属層の界面に近い領域であり、例えばベースフィルム及び金属層の界面から５００ｎｍ以下の領域を意味する。「カップリング剤に由来する基」とは、カップリング剤から少なくとも１つの有機官能基や加水分解性基などが取り除かれて形成される基を意味する。「十点平均粗さ（Ｒｚ）」とは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１：２０１３に準拠し、評価長さ（ｌ）を３．２ｍｍ、カットオフ値（λｃ）を０．８ｍｍとして測定される値である。「主成分」とは、最も含有量が多い成分であり、例えば含有量が５０質量％以上の成分をいう。
［本発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施形態に係るプリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法を図面を参照しつつ説明する。
以下、本発明の実施形態に係るプリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法を図面を参照しつつ説明する。
〔プリント配線板用基板〕
図１の当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に配設されている金属層２とを備える。また、ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には窒素が存在する。
図１の当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に配設されている金属層２とを備える。また、ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には窒素が存在する。
＜ベースフィルム＞
当該プリント配線板用基板を構成するベースフィルム１は絶縁性を有する。このベースフィルム１の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂等が挙げられる。ここで「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等を挙げることができる。フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロ（四フッ化）エチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、フルオロエラストマー、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン及びビニリデンフルオライドの３種類のモノマーからなる熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）等が挙げられる。これらのフッ素樹脂の中でも、耐熱性の観点より、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＴＦＥ等が好ましい。
当該プリント配線板用基板を構成するベースフィルム１は絶縁性を有する。このベースフィルム１の材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、フッ素樹脂等が挙げられる。ここで「フッ素樹脂」とは、高分子鎖の繰り返し単位を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つが、フッ素原子又はフッ素原子を有する有機基（以下「フッ素原子含有基」ともいう）で置換されたものをいう。フッ素原子含有基は、直鎖状又は分岐状の有機基中の水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されたものであり、例えばフルオロアルキル基、フルオロアルコキシ基、フルオロポリエーテル基等を挙げることができる。フッ素樹脂としては、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロ（四フッ化）エチレン・エチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン・エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、フルオロエラストマー、並びにテトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン及びビニリデンフルオライドの３種類のモノマーからなる熱可塑性フッ素樹脂（ＴＨＶ）等が挙げられる。これらのフッ素樹脂の中でも、耐熱性の観点より、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＴＦＥ等が好ましい。
上記ベースフィルム１の厚みは、当該プリント配線板用基板を利用するプリント配線板によって設定されるものであり特に限定されないが、例えば上記ベースフィルム１の平均厚みの下限としては、５μｍが好ましく、１２μｍがより好ましい。一方、上記ベースフィルム１の平均厚みの上限としては、２ｍｍが好ましく、１．６ｍｍがより好ましい。上記ベースフィルム１の平均厚みが上記下限に満たないと、ベースフィルム１の強度が不十分となるおそれがある。逆に、ベースフィルム１の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板の薄板化が困難となるおそれがある。
＜金属層＞
金属層２は、図１に示すようにベースフィルム１の一方の面に配設されている。
金属層２は、図１に示すようにベースフィルム１の一方の面に配設されている。
上記金属層２の主成分としては、導電性の高い金属が好ましく、例えば銅、ニッケル、アルミニウム、金、銀、これらの合金等が挙げられる。これらの中でも、導電性がよく、ベースフィルム１との密着性に優れる金属として、銅又は銅合金が好ましい。
上記金属層２の平均厚みの下限としては、０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましい。一方、上記金属層２の平均厚みの上限としては、２μｍが好ましく、１．５μｍがより好ましい。上記金属層２の平均厚みが上記下限に満たないと、金属層２が損傷し易くなるおそれがある。逆に、上記金属層２の平均厚みが上記上限を超えると、プリント配線板の薄板化が困難となるおそれがある。
金属層２のベースフィルム１側の面の十点平均粗さＲｚの下限としては、０．０１μｍが好ましく、０．０５μｍがより好ましい。一方、上記十点平均粗さＲｚの上限としては、５．０μｍが好ましく、３．０μｍがより好ましい。上記十点平均粗さＲｚが上記下限に満たないと、当該プリント配線板の製造コストが増加するおそれがある。逆に、上記十点平均粗さＲｚが上記上限を超えると、表皮効果により伝送速度の低下や伝送損失の増大を招くおそれがある。
また、金属層２の表面に防錆処理層を形成してもよい。防錆処理層は、金属層２の表面が酸化することによる密着力の低下を抑制するものである。この防錆処理層としては、コバルト、クロム又は銅を含むことが好ましく、コバルト又はコバルト合金を主成分として含むことがさらに好ましい。また、防錆処理層は、１層として形成しても複数層として形成してもよい。また、防錆処理層は、メッキ層として形成してもよい。このメッキ層は、単一金属メッキ層又は合金メッキ層として形成される。単一金属メッキ層を構成する金属としてはコバルトが好ましい。また、合金メッキ層を構成する合金としては、例えばコバルト−モリブデン、コバルト−ニッケル−タングステン、コバルト−ニッケル−ゲルマニウム等のコバルト系合金などが挙げられる。
（ベースフィルム及び金属層の界面）
ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には、窒素が存在している。この窒素は、ベースフィルム１を構成する樹脂中の炭素とＣＮ結合を形成しているので、この窒素の存在により金属層２及びベースフィルム１間の大きな密着力が得られる。
ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には、窒素が存在している。この窒素は、ベースフィルム１を構成する樹脂中の炭素とＣＮ結合を形成しているので、この窒素の存在により金属層２及びベースフィルム１間の大きな密着力が得られる。
上記界面近傍における窒素の存在量は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層２を除去した後に露出するベースフィルム１表面における窒素の単位面積当たりの存在量により確認することができる。この窒素の単位面積当たりの存在量は、上記ベースフィルム１表面へのＸ線の照射、及びベースフィルム表面から放出される光電子の運動エネルギーの分析を行うＸ線光電子分光分析装置を用いて、Ｎ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めることができる。
このようにして求められる窒素の単位面積当たりの存在量の下限としては、１ａｔｏｍｉｃ％であり、３ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、５ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。一方、上記窒素の単位面積当たりの存在量の上限としては、１０ａｔｏｍｉｃ％であり、９ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、８ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。上記窒素の単位面積当たりの存在量が上記下限に満たないと、ベースフィルム１表面に形成されるＣＮ結合の数が少なくなるためベースフィルム１及び金属層２間に所定の密着力が得られず、金属層２が剥離し易くなるおそれがある。逆に、上記窒素の単位面積当たりの存在量が上記上限を超えると、窒素の存在量を増加させるために当該プリント配線板用基板の製造コストが過大となるおそれがある。
ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍には、窒素に加えてケイ素が存在していることが好ましい。上記界面近傍にケイ素が存在すると、上記ＣＮ結合を形成する窒素がケイ素を介して金属層２内の酸素と結合し易くなり、窒素の存在による密着力の向上効果が高められる。
上記界面近傍におけるケイ素の存在量は、酸性溶液を用いたエッチングにより金属層２を除去した後に露出するベースフィルム１表面におけるケイ素の単位面積当たりの存在量により確認することができる。このケイ素の単位面積当たりの存在量は、上述の窒素の単位面積当たりの存在量を求める方法と同様の方法により求めることができる。つまり、ケイ素の単位面積当たりの存在量は、Ｘ線光電子分光分析装置を用いてＳｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求めることができる。
このようにして求められるケイ素の単位面積当たりの存在量の下限としては、１ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、３．５ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。一方、上記ケイ素の単位面積当たりの存在量の上限としては、１０ａｔｏｍｉｃ％が好ましく、５．５ａｔｏｍｉｃ％がより好ましい。上記ケイ素の単位面積当たりの存在量が上記下限に満たないと、窒素の存在による密着力の向上効果を十分に高められないおそれがある。逆に、上記ケイ素の単位面積当たりの存在量が上記上限を超えると、窒素の存在による密着力向上に対し、ケイ素の添加量の増加が過大となるために当該プリント配線板用基板の製造コストが増加するおそれがある。
上記ＸＰＳ分析における窒素の単位面積当たりの存在量に対するケイ素の単位面積当たりの存在量の比の下限としては、０．１が好ましく、０．３がより好ましい。一方、上記比の上限としては、４が好ましく、１．５がより好ましい。上記比が上記下限に満たないと、窒素の存在により得られる密着力に対してケイ素による向上効果が十分に得られないおそれがある。逆に、上記比が上記上限を超えると、窒素の存在による密着力の向上効果に対し、ケイ素の添加量が過大となるために当該プリント配線板用基板の製造コストが増加するおそれがある。
当該プリント配線板用基板の上記界面近傍に窒素を存在させる方法として、例えば窒素を含有するカップリング剤を用いてベースフィルム１と金属層２とを積層する方法が挙げられる。具体的には、例えば金属層２となる金属箔にカップリング剤を塗布した後、この金属箔の塗布面にベースフィルム１を重畳し、この重畳体を熱プレスする。このように窒素を含有するカップリング剤を用いて当該プリント配線板用基板を作製した場合、ベースフィルム１と金属層２との界面近傍には、窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在する。ここで「カップリング剤に由来する基」とは、カップリング剤から少なくとも１つの有機官能基や加水分解性基などが取り除かれて形成される基であり、例えば加水分解性基としてアルコキシ基を有するシランカップリング剤からアルコキシ基が取り除かれて形成される基などである。
上記窒素を含有するカップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤を用いることにより、ベースフィルム１及び金属層２の界面近傍にケイ素も存在させることができ、ベースフィルム１及び金属層２間の密着力をより向上させることができる。このようなシランカップリング剤として、例えばＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等を用いることができる。
また、上記カップリング剤を塗布する金属層２は、市販の金属箔を用いてもよいし、例えば電気メッキ、無電解メッキ、スパッタリング法、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）等の公知の方法で基板上に形成された金属薄膜の剥離により作成したものを用いてもよい。
また、当該プリント配線板用基板の上記界面近傍に窒素を存在させる他の方法として、酸素プラズマ処理を用いてもよい。具体的には、例えばベースフィルム１表面に酸素プラズマ処理を施して酸素元素（カルボニル基）を導入した後、一級アミンを用いてこのカルボニル基に対して求核付加反応を生じさせてベースフィルム１表面へ窒素を導入しておき、その後、この窒素を導入したベースフィルム１と金属層２とを重畳することで、当該プリント配線板用基板の上記界面近傍に窒素を存在させることができる。
金属層２及びベースフィルム１間の剥離強度の下限としては、０．５Ｎ／ｃｍが好ましく、２Ｎ／ｃｍがより好ましく、５Ｎ／ｃｍがさらに好ましい。上記剥離強度が上記下限に満たないと、金属層２が剥離し易くなるおそれがある。ここで「剥離強度」とは、ＪＩＳ−Ｋ６８５４−２：１９９９に準拠し測定される値である。
〔プリント配線板用基板の製造方法〕
当該プリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程（カップリング剤塗布工程）と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程（重畳工程）と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程（熱プレス工程）とを備える。
当該プリント配線板用基板の製造方法は、金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程（カップリング剤塗布工程）と、上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程（重畳工程）と、上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程（熱プレス工程）とを備える。
＜カップリング剤塗布工程＞
カップリング剤塗布工程では、図２Ａに示すように、銅箔などの金属層２の一方の面に窒素を含有するカップリング剤Ｓを塗布し、乾燥させる。カップリング剤Ｓの塗布は、スプレー吹付け、コーター塗布、浸漬、流しかけ等の公知の方法を用いることができる。
カップリング剤塗布工程では、図２Ａに示すように、銅箔などの金属層２の一方の面に窒素を含有するカップリング剤Ｓを塗布し、乾燥させる。カップリング剤Ｓの塗布は、スプレー吹付け、コーター塗布、浸漬、流しかけ等の公知の方法を用いることができる。
カップリング剤Ｓの塗布量の下限としては、０．１ｍｇ／ｍ２が好ましく、１ｍｇ／ｍ２がより好ましい。一方、カップリング剤Ｓの塗布量の上限としては、３０ｍｇ／ｍ２が好ましく、８ｍｇ／ｍ２がより好ましい。カップリング剤Ｓの塗布量が上記下限に満たないと、カップリング剤Ｓによる密着力向上効果が十分に得られないおそれがある。逆に、カップリング剤Ｓの塗布量が上記上限を超えると、カップリング剤Ｓ自体の凝集力が低下する場合があり、塗膜が剥離し易くなるおそれがある。
＜重畳工程＞
重畳工程では、図２Ｂに示すように、金属層２のカップリング剤Ｓを塗布した面にベースフィルム１を重畳する。
重畳工程では、図２Ｂに示すように、金属層２のカップリング剤Ｓを塗布した面にベースフィルム１を重畳する。
＜熱プレス工程＞
熱プレス工程では、図２Ｃに示すように、上記金属層２及びベースフィルム１の重畳体に熱プレスを行い、金属層２及びベースフィルム１を接合する。この熱プレス時の加熱温度によりベースフィルム１を構成する樹脂の一部が分解及びラジカル化することで、上記樹脂中の炭素とカップリング剤又はカップリング剤に由来する基に含まれる窒素との間でＣＮ結合が形成される。
熱プレス工程では、図２Ｃに示すように、上記金属層２及びベースフィルム１の重畳体に熱プレスを行い、金属層２及びベースフィルム１を接合する。この熱プレス時の加熱温度によりベースフィルム１を構成する樹脂の一部が分解及びラジカル化することで、上記樹脂中の炭素とカップリング剤又はカップリング剤に由来する基に含まれる窒素との間でＣＮ結合が形成される。
上記熱プレスにおける加熱温度の下限としては、１５０℃が好ましく、１６０℃がより好ましい。一方、上記加熱温度の上限としては、５００℃が好ましく、４５０℃がより好ましい。上記加熱温度が上記下限に満たないと、上述のラジカルの生成が不十分となり、金属層２及びベースフィルム１間の密着力が低下するおそれがある。逆に、上記加熱温度が上記上限を超えると、ベースフィルム１が劣化するおそれがある。
上記熱プレスにおける圧力の下限としては、０．８ＭＰａが好ましく、１．０ＭＰａがより好ましい。一方、上記圧力の上限としては、８ＭＰａが好ましく、３ＭＰａがより好ましい。上記圧力が上記下限に満たないと、金属層２及びベースフィルム１が十分に接着されず、所定の密着力が得られないおそれがある。逆に、上記圧力が上記上限を超えると、ベースフィルム１と金属層２との界面における面方向へのせん断応力が増大するため、プレス時に良好な結合状態を維持できなくなるおそれがある。
上記熱プレス時の加圧時間の下限としては、１分が好ましく、１０分がより好ましい。一方、上記加圧時間の上限としては、１．５時間が好ましく、１時間がより好ましい。上記加圧時間が上記下限に満たないと、金属層２及びベースフィルム１間の十分な密着力が得られないおそれがある。逆に、上記加圧時間が上記上限を超えると、ベースフィルム１が劣化するおそれがある。
〔プリント配線板〕
当該プリント配線板は、図３Ｄに示すように、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に配設されている金属パターン１１とを備える。当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いて形成されるので、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン１１除去後に露出するベースフィルム１表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量は、１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下である。なお、ポリイミドについては、ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は0％と規定する。
当該プリント配線板は、図３Ｄに示すように、ベースフィルム１と、このベースフィルム１の一方の面に配設されている金属パターン１１とを備える。当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いて形成されるので、酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン１１除去後に露出するベースフィルム１表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量は、１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下である。なお、ポリイミドについては、ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は0％と規定する。
〔プリント配線板の製造方法〕
次に、上記プリント配線板用基板を用いる当該プリント配線板の製造方法の実施形態について説明する。ここでは、サブトラクティブ法により金属パターンを形成する場合について説明する。
次に、上記プリント配線板用基板を用いる当該プリント配線板の製造方法の実施形態について説明する。ここでは、サブトラクティブ法により金属パターンを形成する場合について説明する。
まず、図３Ａに示すように、所定の大きさに調製された上記プリント配線板用基板の一方の面に、感光性のレジスト１０を被覆形成する。次に、図３Ｂに示すように、露光、現像等により、レジスト１０に対して金属パターンに対応するパターニングを行う。次に、図３Ｃに示すように、レジスト１０をマスクとしてエッチングにより金属パターン以外の部分の金属層２を除去する。最後に、図３Ｄに示すように、残ったレジスト１０を除去することにより、金属パターン１１がベースフィルム１上に形成されたプリント配線板が得られる。
ここでは、サブトラクティブ法により回路を形成するプリント配線板の製造方法について説明したが、セミアディティブ法等、他の公知の製造方法を用いて回路を形成しても当該プリント配線板を製造できる。当該プリント配線板は、上記プリント配線板用基板を用いて製造されるので、ベースフィルム１と金属層２との密着力が大きく、ベースフィルム１から金属パターン１１が剥離し難い。
〔利点〕
当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に窒素が存在することで、ベースフィルムを構成する樹脂中の炭素と上記窒素との間でＣＮ結合が形成される。これにより、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力が得られる。
当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に窒素が存在することで、ベースフィルムを構成する樹脂中の炭素と上記窒素との間でＣＮ結合が形成される。これにより、当該プリント配線板用基板は、ベースフィルム及び金属層間に大きな密着力が得られる。
また、当該プリント配線板用基板は、スパッタリング等の物理的蒸着に必要な高価な真空設備を使用せずに製造できるので、低コストで製造できる。
［その他の実施形態］
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
上記実施形態では、ベースフィルムの一方の面に金属層が配設されている構成としたが、ベースフィルムの両面に金属層が配設されている構成の両面プリント配線板用基板としてもよい。このような両面プリント配線板用基板の製造方法は、上記実施形態と同様の形成方法により両面に金属層を形成してもよいし、上記実施形態で得たプリント配線板用基板の他方の面に他の方法で金属層を形成してもよい。例えば、上記プリント配線板用基板の他方の面に、電気メッキにより金属層を形成してもよい。
以下、実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［Ｎｏ．１］
まず、ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＩ（ポリイミド）フィルム（株式会社カネカの「アピカル」）と、平均厚み１７μｍの銅箔の両面に防錆処理層を形成し、一方の防錆処理層の表面にシランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランを塗布したもの２枚とを準備した。次に、シランカップリング剤を塗布した面がＰＩフィルム側となるようにして上記銅箔、ＰＩフィルム、銅箔の順に積層した後、この重畳体に対し、ホットプレス機を用いて熱プレスを実施し、実施例としてＮｏ．１のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス条件は、圧力６．０ＭＰａ、加熱温度３２０℃、加圧時間４０分とした。また、熱プレス時の温度プロファイルとして、温度２５℃から３２０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３２０℃で４０分間保持した後、温度３２０℃から２５℃まで降下させた。
まず、ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＩ（ポリイミド）フィルム（株式会社カネカの「アピカル」）と、平均厚み１７μｍの銅箔の両面に防錆処理層を形成し、一方の防錆処理層の表面にシランカップリング剤としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシランを塗布したもの２枚とを準備した。次に、シランカップリング剤を塗布した面がＰＩフィルム側となるようにして上記銅箔、ＰＩフィルム、銅箔の順に積層した後、この重畳体に対し、ホットプレス機を用いて熱プレスを実施し、実施例としてＮｏ．１のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス条件は、圧力６．０ＭＰａ、加熱温度３２０℃、加圧時間４０分とした。また、熱プレス時の温度プロファイルとして、温度２５℃から３２０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３２０℃で４０分間保持した後、温度３２０℃から２５℃まで降下させた。
［Ｎｏ．２］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（帝人株式会社の「Ｇ２」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．２のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は２１０℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から２１０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２１０℃で４０分間保持した後、温度２１０℃から２５℃まで降下させた。
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム（帝人株式会社の「Ｇ２」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．２のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は２１０℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から２１０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２１０℃で４０分間保持した後、温度２１０℃から２５℃まで降下させた。
［Ｎｏ．３］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）フィルム（中興化成工業株式会社製）を用いたこと、シランカップリング剤として３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いたこと、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．３のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は４００℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から４００℃まで約９０分間で上昇させ、温度４００℃で４０分間保持した後、温度４００℃から２５℃まで降下させた。
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）フィルム（中興化成工業株式会社製）を用いたこと、シランカップリング剤として３−アミノプロピルトリエトキシシランを用いたこと、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．３のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は４００℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から４００℃まで約９０分間で上昇させ、温度４００℃で４０分間保持した後、温度４００℃から２５℃まで降下させた。
［Ｎｏ．４］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）フィルム（ダイキン工業株式会社の「ＡＦ−００５０」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．４のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は３００℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から３００℃まで約９０分間で上昇させ、温度３００℃で４０分間保持した後、温度３００℃から２５℃まで降下させた。
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）フィルム（ダイキン工業株式会社の「ＡＦ−００５０」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．４のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は３００℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から３００℃まで約９０分間で上昇させ、温度３００℃で４０分間保持した後、温度３００℃から２５℃まで降下させた。
［Ｎｏ．５］
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＦＥＰ（テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体）フィルム（ダイキン工業株式会社の「ＮＦ−００５０」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．５のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は３２０℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から３２０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３２０℃で４０分間保持した後、温度３２０℃から２５℃まで降下させた。
ベースフィルムとして平均厚み５０μｍのＦＥＰ（テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体）フィルム（ダイキン工業株式会社の「ＮＦ−００５０」）を用い、熱プレス時の加熱温度及び温度プロファイルを以下のように異ならせた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．５のプリント配線板用基板を得た。ここで、熱プレス時の加熱温度は３２０℃とし、温度プロファイルとして、温度２５℃から３２０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３２０℃で４０分間保持した後、温度３２０℃から２５℃まで降下させた。
［Ｎｏ．６］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．６のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．６のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．７］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．７のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．７のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．８］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．８のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．８のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．９］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．９のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．９のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１０］
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１０のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとした以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１０のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１１］
熱プレス時の加熱温度を２８０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２８０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２８０℃で４０分間保持した後、温度２８０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１１のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の加熱温度を２８０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２８０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２８０℃で４０分間保持した後、温度２８０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１１のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１２］
熱プレス時の加熱温度を１７０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から１７０℃まで約９０分間で上昇させ、温度１７０℃で４０分間保持した後、温度１７０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１２のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の加熱温度を１７０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から１７０℃まで約９０分間で上昇させ、温度１７０℃で４０分間保持した後、温度１７０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１２のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１３］
熱プレス時の加熱温度を３６０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から３６０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３６０℃で４０分間保持した後、温度３６０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１３のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の加熱温度を３６０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から３６０℃まで約９０分間で上昇させ、温度３６０℃で４０分間保持した後、温度３６０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１３のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１４］
熱プレス時の加熱温度を２６０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２６０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２６０℃で４０分間保持した後、温度２６０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１４のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の加熱温度を２６０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２６０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２６０℃で４０分間保持した後、温度２６０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１４のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１５］
熱プレス時の加熱温度を２８０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２８０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２８０℃で４０分間保持した後、温度２８０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１５のプリント配線板用基板を得た。
熱プレス時の加熱温度を２８０℃とし、温度プロファイルとして温度２５℃から２８０℃まで約９０分間で上昇させ、温度２８０℃で４０分間保持した後、温度２８０℃から２５℃まで降下させた以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１５のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１６］
まず、ベースフィルムとして、平均厚み５０μｍのＰＩフィルムに対して酸素プラズマ処理を施すことによりＰＩフィルム表面のフッ素元素を脱離させ酸素元素（カルボニル基）を導入し、その後、一級アミンを用いてこの導入したカルボニル基に対して求核付加反応を生じさせることにより窒素元素を導入したものと、平均厚み１７μｍの銅箔の両面に防錆処理層を形成したもの２枚とを準備した。次に、上記銅箔、ＰＩフィルム、銅箔の順に積層した後、この重畳体に対し、ホットプレス機を用いてＮｏ．１と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施し、実施例としてＮｏ．１６のプリント配線板用基板を得た。
まず、ベースフィルムとして、平均厚み５０μｍのＰＩフィルムに対して酸素プラズマ処理を施すことによりＰＩフィルム表面のフッ素元素を脱離させ酸素元素（カルボニル基）を導入し、その後、一級アミンを用いてこの導入したカルボニル基に対して求核付加反応を生じさせることにより窒素元素を導入したものと、平均厚み１７μｍの銅箔の両面に防錆処理層を形成したもの２枚とを準備した。次に、上記銅箔、ＰＩフィルム、銅箔の順に積層した後、この重畳体に対し、ホットプレス機を用いてＮｏ．１と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施し、実施例としてＮｏ．１６のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１７］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＥＴフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．２と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１７のプリント配線板用基板を得た。
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＥＴフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．２と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１７のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１８］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＴＦＥフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．３と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１８のプリント配線板用基板を得た。
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＴＦＥフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．３と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１８のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．１９］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＦＡフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．４と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１９のプリント配線板用基板を得た。
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＰＦＡフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．４と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．１９のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．２０］
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＦＥＰフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．５と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．２０のプリント配線板用基板を得た。
ベースフィルムとして、Ｎｏ．１６と同様の方法により平均厚み５０μｍのＦＥＰフィルム表面に窒素元素を導入したものを用い、Ｎｏ．５と同様の熱プレス条件及び温度プロファイルで熱プレスを実施した以外は、Ｎｏ．１６のプリント配線板用基板と同様の方法により、実施例としてＮｏ．２０のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．２１］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２１のプリント配線板用基板を得た。
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．１のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２１のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．２２］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２２のプリント配線板用基板を得た。
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．２のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２２のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．２３］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２３のプリント配線板用基板を得た。
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．３のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２３のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．２４］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２４のプリント配線板用基板を得た。
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．４のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２４のプリント配線板用基板を得た。
［Ｎｏ．２５］
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２５のプリント配線板用基板を得た。
銅箔の一方の防錆処理層の表面に塗布するシランカップリング剤として、窒素を含有しない３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランを用いたこと以外は、Ｎｏ．５のプリント配線板用基板と同様の方法により、比較例としてＮｏ．２５のプリント配線板用基板を得た。
＜窒素及びケイ素の存在量の測定＞
酸性溶液を用いたエッチング液によりＮｏ．１〜Ｎｏ．２５のプリント配線板用基板の銅箔を除去し、Ｘ線光電子分光分析装置（ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社の「ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭ」）を用いて銅箔除去後のベースフィルム表面にＸ線を照射し、ベースフィルム表面から放出される光電子の運動エネルギーに基づいてベースフィルム表面における窒素及びケイ素の存在量を測定した。具体的には、Ｎ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて窒素の単位面積当たりの存在量［ａｔｏｍｉｃ％］を求め、Ｓｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量［ａｔｏｍｉｃ％］を求めた。窒素及びケイ素の存在量の測定結果を表１に示す。また、これらの測定で得られた窒素の存在量に対するケイ素の存在量の比（Ｓｉ存在量／Ｎ存在量）も表１に示す。なお、Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２５については、窒素の存在量が０であったため、上記存在量の比は算出していない。なお、ポリイミドについては、ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は0％と規定する。
酸性溶液を用いたエッチング液によりＮｏ．１〜Ｎｏ．２５のプリント配線板用基板の銅箔を除去し、Ｘ線光電子分光分析装置（ＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ社の「ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭ」）を用いて銅箔除去後のベースフィルム表面にＸ線を照射し、ベースフィルム表面から放出される光電子の運動エネルギーに基づいてベースフィルム表面における窒素及びケイ素の存在量を測定した。具体的には、Ｎ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて窒素の単位面積当たりの存在量［ａｔｏｍｉｃ％］を求め、Ｓｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量［ａｔｏｍｉｃ％］を求めた。窒素及びケイ素の存在量の測定結果を表１に示す。また、これらの測定で得られた窒素の存在量に対するケイ素の存在量の比（Ｓｉ存在量／Ｎ存在量）も表１に示す。なお、Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２５については、窒素の存在量が０であったため、上記存在量の比は算出していない。なお、ポリイミドについては、ポリイミド単体でＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積を差し引いた値とする。差し引いた値がマイナスとなる場合は0％と規定する。
＜密着力評価＞
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２５のプリント配線板用基板について、ベースフィルム及び銅箔間の剥離強度（Ｎ／ｃｍ）を測定し、ベースフィルムと銅箔との密着力を評価した。剥離強度は、ＪＩＳ−Ｋ６８５４−２：１９９９「接着剤−はく離接着強さ試験方法−２部：１８０度はく離」に準じた方法により測定した。剥離強度の測定結果を表１に示す。
Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２５のプリント配線板用基板について、ベースフィルム及び銅箔間の剥離強度（Ｎ／ｃｍ）を測定し、ベースフィルムと銅箔との密着力を評価した。剥離強度は、ＪＩＳ−Ｋ６８５４−２：１９９９「接着剤−はく離接着強さ試験方法−２部：１８０度はく離」に準じた方法により測定した。剥離強度の測定結果を表１に示す。
［評価結果］
表１の結果より、ベースフィルム表面に窒素が存在することによりベースフィルム及び銅箔間の密着力が顕著に向上し、また、この窒素の存在量が多いと密着力が向上することがわかる。
表１の結果より、ベースフィルム表面に窒素が存在することによりベースフィルム及び銅箔間の密着力が顕著に向上し、また、この窒素の存在量が多いと密着力が向上することがわかる。
すなわち、窒素が存在しない比較例のＮｏ．２１〜Ｎｏ．２５では剥離強度が０．４Ｎ／ｃｍ以下と非常に小さいのに対し、単位面積当たりの窒素の存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上である実施例のＮｏ．１〜Ｎｏ．２０では、５．１Ｎ／ｃｍ以上という顕著に大きい剥離強度が得られることがわかる。また、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５、Ｎｏ．６〜Ｎｏ．１０、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１５のそれぞれの同じベースフィルムのプリント配線板用基板同士を比較すると、窒素の存在量が多いほど上記密着力が向上することがわかる。
また、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５とＮｏ．６〜Ｎｏ．１０とを比較すると、熱プレス時の圧力を１．２ＭＰａとしたＮｏ．６〜Ｎｏ．１０の方が、熱プレス時の圧力を６．０ＭＰａとしたＮｏ．１〜Ｎｏ．５よりも窒素の存在量が多く、剥離強度が大きいことがわかる。これは、熱プレス時の圧力が大きくなると、ベースフィルムと銅箔との界面での面方向のせん断応力が増大するため、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５では熱プレス時にベースフィルム及び銅箔間の良好な結合状態が維持できなったと考えられる。
また、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５とＮｏ．１１〜Ｎｏ．１５とを比較すると、熱プレス時の加熱温度がそれそれ４０℃高いＮｏ．１〜Ｎｏ．５の方が、Ｎｏ．１１〜Ｎｏ．１５よりも窒素の存在量が多く、剥離強度が大きいことがわかる。これにより、熱プレス時の温度を制御することにより上記窒素の存在量を調整できると考えられる。
また、Ｎｏ．２１〜Ｎｏ．２５の結果より、窒素が存在しない場合には、ケイ素が存在しても上記密着力の向上に寄与しないと考えられる。これに対し、Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５とＮｏ．１６〜Ｎｏ．２０とを比較すると、これらの窒素の存在量はほぼ同じであるが、ケイ素が存在するＮｏ．１〜Ｎｏ．５の方が剥離強度が大きいことがわかる。これらのことより、窒素が存在しなければケイ素は密着力向上に寄与しないが、窒素が存在する場合には、ケイ素の存在が密着力向上に寄与すると考えられる。
１ ベースフィルム ２ 金属層 １０ レジスト
１１ 金属パターン Ｓ カップリング剤
１１ 金属パターン Ｓ カップリング剤
Claims (9)
- ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属層とを備えるプリント配線板用基板であって、
酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属層除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板用基板。 - 上記露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＳｉ２ｐのスペクトルのピーク面積に基づいて求められるケイ素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下である請求項１に記載のプリント配線板用基板。
- 上記露出するベースフィルム表面のケイ素の単位面積当たりの存在量の窒素の単位面積当たりの存在量に対する比が４以下である請求項１又は請求項２に記載のプリント配線板用基板。
- 上記ベースフィルムと金属層との界面近傍に窒素を含有するカップリング剤又はこのカップリング剤に由来する基が存在する請求項１、請求項２又は請求項３に記載のプリント配線板用基板。
- 上記カップリング剤がシランカップリング剤である請求項４に記載のプリント配線板用基板。
- 上記金属層のベースフィルム側の面の十点平均粗さＲｚが０．０１μｍ以上５．０μｍ以下である請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
- 上記ベースフィルムがフッ素樹脂を主成分とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプリント配線板用基板。
- ベースフィルムと、このベースフィルムの少なくとも一方の面に配設されている金属パターンとを備えるプリント配線板であって、
酸性溶液を用いたエッチングにより上記金属パターン除去後に露出するベースフィルム表面のＸＰＳ分析におけるＮ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求められる窒素の単位面積当たりの存在量が１ａｔｏｍｉｃ％以上１０ａｔｏｍｉｃ％以下であるプリント配線板。 - 金属層の一方の面に窒素を含有するカップリング剤を塗布する工程と、
上記金属層のカップリング剤の塗布面にベースフィルムを重畳する工程と、
上記金属層及びベースフィルムの重畳体を熱プレスする工程と
を備えるプリント配線板用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020071861A JP6950036B2 (ja) | 2015-08-21 | 2020-04-13 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015164234 | 2015-08-21 | ||
| JP2015164234 | 2015-08-21 | ||
| PCT/JP2016/073212 WO2017033713A1 (ja) | 2015-08-21 | 2016-08-06 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020071861A Division JP6950036B2 (ja) | 2015-08-21 | 2020-04-13 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2017033713A1 true JPWO2017033713A1 (ja) | 2018-06-07 |
| JP6717835B2 JP6717835B2 (ja) | 2020-07-08 |
Family
ID=58099911
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017536723A Active JP6717835B2 (ja) | 2015-08-21 | 2016-08-06 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
| JP2020071861A Active JP6950036B2 (ja) | 2015-08-21 | 2020-04-13 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020071861A Active JP6950036B2 (ja) | 2015-08-21 | 2020-04-13 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11375615B2 (ja) |
| EP (1) | EP3340755B1 (ja) |
| JP (2) | JP6717835B2 (ja) |
| CN (1) | CN107852828B (ja) |
| WO (1) | WO2017033713A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6717835B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2020-07-08 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063560A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-03-21 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂層の表面改質方法及び金属張積層板の製造方法 |
| WO2011122645A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | エッチング性に優れたプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体 |
| JP2014111815A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-06-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板 |
| JP2015065388A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池モジュール用の集電シート及びその製造方法 |
| JP2015115422A (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-22 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板 |
| JP2015127660A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 歪ゲージ用プリント配線板 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3570802B2 (ja) | 1995-11-14 | 2004-09-29 | 三井化学株式会社 | 銅薄膜基板及びプリント配線板 |
| KR20070073998A (ko) * | 2002-03-05 | 2007-07-10 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 수지 부착 금속박, 금속 피복 적층판, 그를 이용한 프린트배선판 및 그의 제조 방법 |
| TW200721932A (en) * | 2004-01-30 | 2007-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesion assisting agent-bearing metal foil, printed wiring board, and production method of printed wiring board |
| JP4734837B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2011-07-27 | 宇部興産株式会社 | 接着性の改良されたポリイミドフィルム、その製造方法および積層体 |
| KR101451264B1 (ko) * | 2006-07-04 | 2014-10-15 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 폴리이미드수지층의 표면개질방법 및 금속장 적층판의 제조방법 |
| JP5251508B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2013-07-31 | 宇部興産株式会社 | 耐熱性フィルム金属箔積層体、およびその製造方法 |
| JP5638951B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2014-12-10 | 古河電気工業株式会社 | フレキシブル銅張積層板 |
| WO2013147115A1 (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔 |
| TWI482882B (zh) * | 2012-09-10 | 2015-05-01 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board |
| CN105339166B (zh) * | 2013-05-31 | 2018-06-22 | 住友电气工业株式会社 | 金属-树脂复合体、配线材料、以及金属-树脂复合体的制造方法 |
| EP3056343B1 (en) | 2013-10-11 | 2020-05-06 | Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. | Fluororesin base material, printed wiring board, and circuit module |
| JP6809771B2 (ja) * | 2013-10-11 | 2021-01-06 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | フッ素樹脂基材、プリント配線板、及び回路モジュール |
| JP6717835B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2020-07-08 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 |
-
2016
- 2016-08-06 JP JP2017536723A patent/JP6717835B2/ja active Active
- 2016-08-06 WO PCT/JP2016/073212 patent/WO2017033713A1/ja active Application Filing
- 2016-08-06 US US15/753,017 patent/US11375615B2/en active Active
- 2016-08-06 CN CN201680041829.3A patent/CN107852828B/zh active Active
- 2016-08-06 EP EP16839060.7A patent/EP3340755B1/en active Active
-
2020
- 2020-04-13 JP JP2020071861A patent/JP6950036B2/ja active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008063560A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-03-21 | Nippon Steel Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂層の表面改質方法及び金属張積層板の製造方法 |
| WO2011122645A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | エッチング性に優れたプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体 |
| JP2014111815A (ja) * | 2012-09-10 | 2014-06-19 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板 |
| JP2015065388A (ja) * | 2013-09-26 | 2015-04-09 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池モジュール用の集電シート及びその製造方法 |
| JP2015115422A (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-22 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | プリント配線板 |
| JP2015127660A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | 住友電工プリントサーキット株式会社 | 歪ゲージ用プリント配線板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107852828A (zh) | 2018-03-27 |
| CN107852828B (zh) | 2020-03-17 |
| EP3340755A1 (en) | 2018-06-27 |
| JP6717835B2 (ja) | 2020-07-08 |
| JP2020120122A (ja) | 2020-08-06 |
| US11375615B2 (en) | 2022-06-28 |
| EP3340755B1 (en) | 2024-02-14 |
| WO2017033713A1 (ja) | 2017-03-02 |
| US20180242450A1 (en) | 2018-08-23 |
| JP6950036B2 (ja) | 2021-10-13 |
| EP3340755A4 (en) | 2018-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6905157B2 (ja) | 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| JP6393619B2 (ja) | 多層プリント配線基板の製造方法及びベース基材 | |
| WO2016063757A1 (ja) | 樹脂フィルム、プリント配線板用カバーレイ、プリント配線板用基板及びプリント配線板 | |
| JP6423494B1 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| WO2017150043A1 (ja) | 銅張積層板の製造方法 | |
| TW201811557A (zh) | 附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 | |
| JP5470487B1 (ja) | 銅箔、それを用いた半導体パッケージ用銅張積層体、プリント配線板、プリント回路板、樹脂基材、回路の形成方法、セミアディティブ工法、半導体パッケージ用回路形成基板及び半導体パッケージ | |
| WO2013065730A2 (ja) | 印刷回路用銅箔 | |
| JP6950036B2 (ja) | プリント配線板用基板、プリント配線板及びプリント配線板用基板の製造方法 | |
| JP7259093B2 (ja) | 粗化処理銅箔、キャリア付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 | |
| JP6104260B2 (ja) | キャリア付金属箔 | |
| JP2010218905A (ja) | 基板用金属材料、基板用金属材料の表面粗化処理方法および基板用金属材料の製造方法 | |
| JP6266965B2 (ja) | 多層プリント配線基板の製造方法及びベース基材 | |
| JP2012186211A (ja) | プリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板 | |
| WO2022014648A1 (ja) | 銅張積層板及びプリント配線板 | |
| JP2023040316A (ja) | 表面処理金属箔及び金属張積層板 | |
| WO2022014647A1 (ja) | 銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 | |
| KR20180111660A (ko) | 이형층 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판의 제조 방법 및 전자기기의 제조 방법 | |
| TW202244330A (zh) | 粗化處理銅箔、銅箔積層板及印刷佈線板 | |
| KR20230161954A (ko) | 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 | |
| JP5746876B2 (ja) | 電子回路の形成方法 | |
| JP2006093746A (ja) | 多層配線基板製造方法および多層配線基板 | |
| JP2013256053A (ja) | 金属樹脂積層体及びその製造方法 | |
| KR20160095510A (ko) | 하이브리드 전처리를 이용한 연성회로 동장 적층판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 연성회로 동장 적층판 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190910 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191108 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200114 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200413 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20200420 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200526 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200611 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6717835 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |