JPWO2017026483A1 - 半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
Description
一方、電力用半導体素子は、小型化、高集積化が進むことで、電気自動車や家電製品や省エネルギー機器等、幅広い製品において利用されることが予想される。そのため、電力用半導体素子に不具合を生じさせる要因の複雑化が予測され、電力用半導体素子を破壊して行う解析では、不具合の原因を解明できないという懸念がある。
電力用半導体素子を破壊することなく、欠陥等を検出する方法としては、例えば、特許文献1、2に開示されている超音波探傷法が挙げられる。この方法は、電力用半導体素子以外の半導体素子にも適用可能で、液体中を伝播させた超音波を半導体素子に到達させ、半導体素子で反射した反射波や半導体素子を透過した透過波を基に、半導体素子内部の状態を検査するものである。
また、電力用半導体素子を作動させた状態で、超音波探傷を行う技術が、非特許文献1〜14に記載されている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされるもので、超音波を利用して、作動中の半導体素子の異常を安定的に検出する半導体検査装置を提供することを目的とする。
図1に示すように、本発明の一実施例に係る半導体検査装置10は、液体槽11内の液体12中を伝播して半導体素子13に到達する超音波を発信する超音波探触子14と、受信された超音波を基に半導体素子13の異常を検出する解析機(解析手段の一例)27を有する装置である。以下、これらについて詳細に説明する。
液体槽11は、上部が開放され、底部の中央に、開口18が形成されている。
液体槽11は、開口18の外周にシール構造を有し、半導体素子13と液体槽11の底部が密着した部分から、液体槽11内の液体12が漏れるのを防止している。
探触子移送機構15は、超音波探触子14を把持可能で、図示しない複数のモータを駆動することによって、超音波探触子14を半導体素子13に対して移動させることができる。
吹出ノズル16は、図1、図3(A)、(B)に示すように、超音波探触子14の先端部に固定され、探触子移送機構15の作動によって、超音波探触子14と共に移動する。
ポンプ24には、中空体20、21それぞれに連結された2本の管23に加え、一端が液体12内に浸漬された管25の他端が連結されている。
本実施例では、主として、吹出ノズル16、ポンプ24及び管23、25によって、液体槽11内の液体12に流れを発生させる流れ発生手段が構成されている。
また、超音波探触子14及び探触子移送機構15には、コンピュータによって構成可能な解析機27が接続されている。解析機27は、超音波探触子14が受信した超音波の情報(以下、「超音波の受信情報」とも言う)を超音波探触子14から取得するインターフェース28を具備している。インターフェース28は、超音波探触子14からの超音波の受信情報に加え、探触子移送機構15から、超音波探触子14の位置情報(以下、単に「位置情報」とも言う)を取得することができる。
半導体素子13の内部の状態を検出するにあたっては、まず、探触子移送機構15が、超音波探触子14を半導体素子13の裏面側の上位置に配し、半導体素子13の裏面側までの距離が所定の値(本実施例では、0.5〜2cm)となる高さ位置で、超音波探触子14を停止させる(このとき、中空体20、21それぞれの複数の噴出し口22は、液体12内に配される)。
半導体素子13に作動を開始させた後、超音波探触子14から作動状態の半導体素子13への超音波の発信から、状態検出部29による当該半導体素子13の内部画像(以下、「判定用内部画像」とも言う)の導出を経て、当該半導体素子13の内部の異常の有無の判定までの一連の処理が所定の時間間隔で行われる。この一連の処理は、半導体素子13の作動時間が所定時間に達するまで、あるいは、半導体素子13に異常が検出されるまで繰り返される。
本実施例に係る半導体検査装置10による半導体素子の異常検出方法と、電気特性の変化をモニタリングして異常を検出する従来方法を以下、比較する。
従って、本実施例では、半導体素子の内部画像で変化した領域の面積が、予め定めた面積(図2(B)においてSはとして示した値)以上となった際に半導体素子13に異常有りとの判定を行うことで、従来方法に比べ早い段階で半導体素子の異常を検出することができる。
そのため、半導体素子13の内部の状態を検出する際には、超音波探触子14と半導体素子13の間に存在する気泡30を少なくする必要がある。
本実施例では、中空体20、21のいずれか一方が、図3(A)に示すように、超音波探触子14の先端部の移動方向の前側に配された状態で、超音波探触子14と共に移動するので、半導体素子13の裏面の超音波が当てられる(透過する)箇所は、予め、気泡30が除去される。
但し、中空体20、21が、直接、超音波探触子14の先端部に固定されている場合、中空体20、21内を通過する液体12によって、超音波探触子14の先端部が冷却されるという利点がある。半導体素子13の発熱により、半導体素子13周辺の液体12を中心に、液体12の温度が上昇することから、超音波探触子14の先端部を冷却するのは好ましい。
なお、超音波探触子52を低温の位置に移動させる代わりに、液体槽内の液体に水流を発生させて超音波探触子52を冷却したり、半導体素子への通電を停止したりするようにしてもよい。
半導体素子13の異常検出を行う層は、1つの層である必要はなく、複数の層(例えば、はんだ層やボンディング層)を異常を検出する対象にしてもよい。複数の層を検出の対象にする場合、超音波の焦点位置を対象の層にそれぞれ合わせた複数の超音波探触子を用いればよい。
吸引ノズル31は、図5(A)に示すように、超音波探触子14の先端部に固定されて対向配置された中空体33、34を備えている。上方に向かって拡幅に形成された中空体33、34は、それぞれ、液体12を吸い込む複数の吸込み口35が下側に形成され、図示しないポンプに、管36を介して、接続されている。吸込み口35は液体12内に配されている。
中空体33、34も、中空体20、21と同様に、いずれか一方が、超音波探触子14の先端部の移動方向の前側に配された状態で、図示しない探触子移送機構の作動によって、超音波探触子14と共に移動し、半導体素子13の超音波が当てられる箇所から、予め、気泡30を除去する。
中空体37、38には、下側に、複数の開口部41及び複数の開口部42がそれぞれ形成されている。
流れ発生手段は、液体槽11内の液体12を吸い込んだり、液体槽11内に液体12を吹き出したりするものに限定されず、例えば、モータにスクリュを取り付け、スクリュの回転により液体槽11内の液体12に流れを発生させるものや、液体槽11内の液体12内で板材を移動させて流れを発生させるものであってもよい。
流れ発生手段の作動によって液体槽11内の液体12内に発生する流れの速さは、例えば、15m/s以下である。
板状の接触片43、44は、図6に示すように、鉛直に配されて、超音波探触子14の先端部に固定され、超音波探触子14の移動方向に沿って、超音波探触子14の上流側及び下流側にそれぞれ設けられている。
振動子45は、半導体素子13に、直接、取り付けられ、振動を発生させ、その振動を半導体素子13に伝える。振動が伝えられた半導体素子13は、振動することによって、半導体素子13に付着した気泡30を取り除くことができる。
なお、振動子45は、半導体素子13を支持する図示しない支持部材に取り付けられていてもよいし、液体槽11に取り付けられていてもよい。
素子温度測定手段47は、半導体素子13の下方から、半導体素子13の表面側全体の温度分布を計測し、解析機27に設けられたインターフェース50を介して、半導体素子13の温度分布の情報を状態検出部29に与える。
なお、半導体素子13の表面温度を計測する代わりに、半導体素子13の裏面側や、内部の温度を計測するようにしてもよい。
例えば、超音波探触子は、超音波の発信部と超音波の受信部が分離しているものであってもよく、超音波の発信部と超音波の受信部が分離しているものを採用することで、半導体素子を透過した透過波を受信することが可能となる。
内部画像を導出する解析手段を採用する代わりに、内部画像を導出せず、受信した超音波の波形から直接的に半導体素子の内部の状態を検出する解析手段を採用してもよい。
更に、冷却手段や、各種温度測定手段や、撮像手段は、必ずしも必要ではない。そして、撮像手段を設ける場合、撮像手段は2つである必要がなく、例えば、1つであってもよい。
また、探触子移送機構を設ける代わりに、半導体素子13及び液体槽11を移動させる機構を採用し、超音波探触子を半導体素子に対して相対的に移動するようにしてもよい。
Claims (21)
- 液体槽内の液体中を伝播して半導体素子に到達する超音波を発信する超音波探触子と、受信された超音波を基に前記半導体素子の異常を検出する解析手段とを有する半導体検査装置において、
前記半導体素子に接続され、該半導体素子に通電して該半導体素子を作動させる電流印加手段と、
前記液体槽内の液体に流れを発生させる流れ発生手段とを備えることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項1記載の半導体検査装置において、前記流れ発生手段は、前記液体内に、該液体の噴出し口を配する吹出ノズルを有することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項2記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子を前記半導体素子に対して移動させる探触子移送機構を備え、前記吹出ノズルは、前記超音波探触子と共に移動することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項3記載の半導体検査装置において、前記液体槽内の液体の温度を計測する液体温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項3又は4記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子の温度を計測する探触子温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項1記載の半導体検査装置において、前記流れ発生手段は、前記液体内に、該液体の吸込み口を配する吸引ノズルを有することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項6記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子を前記半導体素子に対して移動させる探触子移送機構を備え、前記吸引ノズルは、前記超音波探触子と共に移動することを特徴とする半導体検査装置。
- 液体槽内の液体中を伝播して半導体素子に到達する超音波を発信する超音波探触子と、受信された超音波を基に前記半導体素子の異常を検出する解析手段とを有する半導体検査装置において、
前記半導体素子に接続され、該半導体素子に通電して該半導体素子を作動させる電流印加手段と、
前記半導体素子の作動による発熱により該半導体素子に生じる気泡に触れる接触片とを備え、前記接触片を移動させて、前記気泡を前記半導体素子から取り除くことを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項8記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子を前記半導体素子に対して移動させる探触子移送機構を備え、前記接触片は、前記超音波探触子と共に移動することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項9記載の半導体検査装置において、前記液体槽内の液体の温度を計測する液体温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項9又は10記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子の温度を計測する探触子温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 液体槽内の液体を伝播して半導体素子に到達する超音波を発信する超音波探触子と、受信された超音波を基に前記半導体素子の異常を検出する解析手段とを有する半導体検査装置において、
前記半導体素子に接続され、該半導体素子に通電して該半導体素子を作動させる電流印加手段と、
振動を前記半導体素子に与える振動発生手段とを備えることを特徴とする半導体検査装置。 - 請求項12記載の半導体検査装置において、前記液体槽内の液体の温度を計測する液体温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項12又は13記載の半導体検査装置において、前記超音波探触子の温度を計測する探触子温度測定手段を更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項1〜14のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記解析手段は、受信した超音波を基に前記半導体素子の内部画像を導出し、該内部画像を基にして該半導体素子の異常を検出することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項15記載の半導体検査装置において、前記解析手段は、作動状態の前記半導体素子を対象に導出した前記内部画像を、作動前の該半導体素子を対象に導出した前記内部画像と比較し、作動中の該半導体素子の該内部画像内で、作動前の該半導体素子の該内部画像から変化した領域の面積が所定の大きさ以上である場合に該半導体素子に異常有りと判定することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項15記載の半導体検査装置において、前記解析手段は、作動後の前記半導体素子を対象に導出した前記内部画像を、作動前の該半導体素子を対象に導出した前記内部画像と比較し、作動後の該半導体素子の該内部画像内で、作動前の該半導体素子の該内部画像から変化した領域の面積が所定の大きさ以上である場合に該半導体素子に異常有りと判定することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項1〜17のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記液体槽の底部には開口が形成され、前記半導体素子は、前記液体槽外から該液体槽の底部に密着して、前記開口を塞ぐことを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項1〜18のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記液体を冷却する冷却手段を、更に備えることを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項1〜19のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記半導体素子の温度を計測する素子温度測定手段を、更に備え、該素子温度測定手段の出力値を基に、前記半導体素子の異常を検出することを特徴とする半導体検査装置。
- 請求項1〜20のいずれか1項に記載の半導体検査装置において、前記半導体素子の外観を撮像する撮像手段と、通電によって前記半導体素子に生じる反りの大きさを、前記撮像手段が撮像した画像から求める変形検出手段とを、更に備え、前記半導体素子の反りの大きさを基に、該半導体素子の異常を検出することを特徴とする半導体検査装置。
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---|---|---|---|---|
JP6498341B1 (ja) * | 2018-06-19 | 2019-04-10 | 株式会社日立パワーソリューションズ | 超音波検査装置、制御装置及び検査方法 |
CN112557869B (zh) * | 2020-11-19 | 2022-06-28 | 头领科技(昆山)有限公司 | 一种音频芯片的检测方法及检测设备 |
CN113884857B (zh) * | 2021-09-29 | 2024-03-08 | 上海阵量智能科技有限公司 | 芯片、芯片压力测试方法、装置、电子设备及存储介质 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772128A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | アレイ探触子の駆動方法及びその装置 |
JPH0783645A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 接合幅測定検査方法及びその装置 |
JP2003156452A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 浸透探傷検査方法及び装置 |
JP2007139546A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Showa Denko Kk | 金属棒状材の製造装置、金属棒状材の製造方法、アルミニウム合金連続鋳造棒の製造方法および非破壊検査装置 |
JP2010025678A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波探傷装置 |
JP2013148384A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Ryoden Shonan Electronics Kk | 超音波探傷装置 |
-
2016
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0772128A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | アレイ探触子の駆動方法及びその装置 |
JPH0783645A (ja) * | 1993-09-10 | 1995-03-28 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 接合幅測定検査方法及びその装置 |
JP2003156452A (ja) * | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 浸透探傷検査方法及び装置 |
JP2007139546A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Showa Denko Kk | 金属棒状材の製造装置、金属棒状材の製造方法、アルミニウム合金連続鋳造棒の製造方法および非破壊検査装置 |
JP2010025678A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 超音波探傷装置 |
JP2013148384A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Ryoden Shonan Electronics Kk | 超音波探傷装置 |
Non-Patent Citations (1)
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"パワー半導体の高信頼化を促進するリアルタイム・モニタリング技術", SCAS NEWS, JPN7020001188, 27 February 2015 (2015-02-27), pages 3 - 6, ISSN: 0004259270 * |
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