JPWO2017022729A1 - 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

式（１）で表される化合物は、高性能の有機エレクトロルミネッセンス素子及びそのような有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる新規材料を提供する。（式（１）において、Ｒ1〜Ｒ６、ａ〜ｆ、Ｌ１〜Ｌ３、及びＡｒは明細書において定義したとおりである。）

Description

本発明は、化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、及び電子機器に関する。

一般に有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた１以上の層を含む有機薄膜層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。従って、電子又は正孔を効率よく発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を容易にする化合物の開発は高効率有機ＥＬ素子を得る上で重要である。

特許文献１は、３−フェナントリル基が直接又はリンカーを介して中心窒素原子に結合した三級アミン化合物、例えば、化合物１−１、４−２及び４−３、を記載している。これらの化合物は有機ＥＬ素子の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、その他の層に使用できることが記載されており、実施例では電子阻止層（ＥＢＬ）に用いられている。
特許文献２は、１個の２−フェナントリル基がリンカーを介して中心窒素原子に結合した三級アミン化合物、例えば、化学式１−３の化合物及び化学式１−４の化合物、を記載している。これらの化合物は有機発光素子の正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送、発光物質の役割を果たすことができると記載されている。実施例では、化学式１−３の化合物は、正孔輸送及び電子遮断層に用いられている。
しかしながら、有機ＥＬ素子の性能をさらに改善することができる新規材料の開発が依然として望まれている。

ＵＳ２０１５／０１５５４９１号 特表２０１４−５１１３５２号

本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高性能な有機ＥＬ素子及びそのような有機ＥＬ素子を実現することができる新規材料を提供すること目的とする。

本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記式（１）で表される化合物を用いることにより、高性能な有機ＥＬ素子が得られることを見出した。

すなわち、一態様において、本発明は式（１）で表される化合物（以下、化合物（１）と称することもある）を提供する。

（式中、
Ｒ¹〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
ａは０〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、ｃは０〜４の整数であり、ｄは０〜４の整数であり、ｅは０〜２の整数であり、ｆは０〜３の整数であり、（Ｒ^１）_０、（Ｒ^２）_０、（Ｒ^３）_０、（Ｒ^４）_０、（Ｒ^５）_０及び（Ｒ^６）_０は、それぞれ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５又はＲ^６が存在しないことを意味し、Ｒ^１〜Ｒ^３から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはなく、Ｒ^４〜Ｒ^６から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはない。
Ｌ^１〜Ｌ^３は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
Ａｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を表す。
前記「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のハロアルキル基；炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である。）

他の態様において、本発明は化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供する。

さらに他の態様において、本発明は陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機薄膜層は１又は複数の層を含み、該有機薄膜層は発光層を含み、該有機薄膜層の少なくとも１層が化合物（１）を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

さらに他の態様において、本発明は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器を提供する。

前記化合物（１）を用いて作製した有機ＥＬ素子は、性能を改善することが可能である。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。

本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。

本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ〜ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ〜ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。

本明細書において、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換のＺＺ基」とは、ＺＺ基の水素原子が置換基で置換されていないことを意味する。

本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素（ｐｒｏｔｉｕｍ）、重水素（ｄｅｕｔｅｒｉｕｍ）、及び三重水素（ｔｒｉｔｉｕｍ）を包含する。

本明細書において、「環形成炭素数」とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数に含めない。

本明細書において、「環形成原子数」とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合手を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環は環形成原子数は６であり、キナゾリン環は環形成原子数が１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の環形成炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子は、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合（スピロビフルオレン環を含む）、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。

本発明において、ひとつの基に関して記載した例示、その好ましい例示などは、他の基に関して記載した例示、その好ましい例示などのいずれとも任意に組み合わせることができる。また、ひとつの基に関して記載した例示、その好ましい例示などから任意に選択した基は、他の基に関して記載した例示、その好ましい例示などから任意に選択した基と組み合わせることができる。
原子数、炭素数、その他の態様についても、同様に任意に組み合わせることができる。また、前記の基、原子数、炭素数、その他の態様相互の組合せについても同様である。

本発明の一態様に係る化合物は式（１）で表される。

（式中、
Ｒ¹〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
ａは０〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、ｃは０〜４の整数であり、ｄは０〜４の整数であり、ｅは０〜２の整数であり、ｆは０〜３の整数であり、（Ｒ^１）_０、（Ｒ^２）_０、（Ｒ^３）_０、（Ｒ^４）_０、（Ｒ^５）_０及び（Ｒ^６）_０は、それぞれ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５又はＲ^６が存在しないことを意味し、Ｒ^１〜Ｒ^３から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはなく、Ｒ^４〜Ｒ^６から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはない。
Ｌ^１〜Ｌ^３は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
Ａｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を表す。
前記「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のハロアルキル基；炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である。）
式（１）で表される化合物によると、外部量子効率が高く、寿命が長く、従って高性能な有機ＥＬ素子を得ることが可能である。

Ｒ¹〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルキル基；環形成炭素数３〜５０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜６、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のハロアルキル基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルコキシ基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のハロアルコキシ基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６のアリール基；環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２のアリールオキシ基；ハロゲン原子；又はシアノ基を表す。
好ましくは、Ｒ¹〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルキル基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６のアリール基；環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２のアリールオキシ基；又はシアノ基を表す。
より好ましくは、Ｒ¹〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルキル基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６のアリール基を表す。

前記炭素数１〜２０アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基（異性体を含む）、ヘキシル基（異性体を含む）、ヘプチル基（異性体を含む）、オクチル基（異性体を含む）、ノニル基（異性体を含む）、デシル基（異性体を含む）、ウンデシル基（異性体を含む）、及びドデシル基（異性体を含む）が挙げられ、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、及びペンチル基（異性体を含む）が好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、及びｔ−ブチル基がより好ましく、メチル基及びｔ−ブチル基がさらに好ましく、メチル基がよりさらに好ましい。

前記環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロヘプチル基が挙げられる。

前記炭素数１〜２０のハロアルキル基としては、例えば、上記の炭素数１〜２０のアルキル基の少なくとも１個、好ましくは１〜７の個水素原子、又は全ての水素原子をフッ素原子で置換して得られる基が挙げられ、ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、トリフルオロメチル基がより好ましく、トリフルオロメチル基がさらに好ましい。

前記炭素数１〜２０のアルコキシ基は−ＯＲ^１１で表され、Ｒ^１１は上記の炭素数１〜２０のアルキル基を表す。該アルコキシ基としては、ｔ−ブトキシ基、プロポキシ基（異性体を含む）、エトキシ基、メトキシ基が好ましくエトキシ基、メトキシ基がより好ましく、メトキシ基がさらに好ましい。

前記炭素数１〜２０のハロアルコキシ基は−ＯＲ^１２で表され、Ｒ^１２は上記の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を表す。該フルオロアルコキシ基としては、ヘプタフルオロプロポキシ基（異性体を含む）、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、トリフルオロメトキシ基が好ましく、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、トリフルオロメトキシ基がより好ましく、トリフルオロメトキシ基がさらに好ましい。

前記環形成炭素数６〜１８のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ビフェニリル基、例えば、２−、３−又は４−ビフェニリル基、及びターフェニリル基、例えば、２−ｐ−ターフェニリル基、４−ｐ−ターフェニリル基、２’−ｍ−ターフェニリル基、及び５’−ｍ−ターフェニリル基が好ましく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ビフェニリル基、例えば、２−、３−又は４−ビフェニリル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

前記環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基は−ＯＲ^１３で表され、Ｒ^１３は環炭素数６〜５０、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２のアリール基を表す。
該アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基が挙げられ、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、及びナフチル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、及びナフチル基がより好ましく、フェニル基であることがさらに好ましい。

前記ハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子であり、フッ素原子が好ましい。

ａは０〜３の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０である。ｂは０〜２の整数、好ましくは０又は１、より好ましくは０である。ｃは０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０である。ｄは０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０である。ｅは０〜２の整数、好ましくは０又は１、より好ましくは０である。ｆは０〜３の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０である。一つの好ましい態様としては、ａ〜ｆのすべてが０である。
ａ〜ｆのそれぞれが０である場合、すなわち、（Ｒ^１）_０、（Ｒ^２）_０、（Ｒ^３）_０、（Ｒ^４）_０、（Ｒ^５）_０及び（Ｒ^６）_０は、それぞれ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５又はＲ^６が存在しないこと、すなわち、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５又はＲ^６で置換されていないことを意味する。
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、又はｆが２以上の整数を表す場合、２〜３個のＲ¹、２個のＲ²、及び２〜４個のＲ^３、２〜４個のＲ^４、２個のＲ^５、及び２〜３個のＲ^６は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ¹〜Ｒ^６から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはない。

Ａｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２５、より好ましくは６〜２４、さらに好ましくは６〜１８のアリール基を表す。

Ａｒが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基において、該アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基が挙げられる。
これらアリール基のうち、好ましくは、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、及びフルオランテニル基である。
これらアリール基のうち、より好ましくは、ビフェニル基、ターフェニル基、２−フェナントリル基、及びフルオレニル基である。

Ｌ^１〜Ｌ^３は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２のアリーレン基を表し、さらに好ましくは単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２のアリーレン基を表し、よりさらに好ましくは単結合又はフェニレン基を表す。

前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基において、該アリーレン基は、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基から１個の水素原子を除いて得られる２価の基からなる群より選ばれる。

式（１）において、「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルキル基；環形成炭素数３〜５０、好ましくは３〜１０、より好ましくは３〜６、さらに好ましくは５又は６のシクロアルキル基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０、さらに好ましくは６のアリール基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０、さらに好ましくは６のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルコキシ基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０、さらに好ましくは６のアリールオキシ基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは２〜４のハロアルキル基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のハロアルコキシ基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１２、より好ましくは６〜１０、さらに好ましくは６のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基；ハロゲン原子；シアノ基；及びニトロ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である。

任意の置換基として選択され得る炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、及びハロゲン原子の詳細は、Ｒ¹〜Ｒ^６に関して記載したとおりである。

任意の置換基として選択され得る環形成炭素数６〜１８のアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ビフェニリル基、例えば、２−、３−又は４−ビフェニリル基、及びターフェニリル基、例えば、２−ｐ−ターフェニリル基、４−ｐ−ターフェニリル基、２’−ｍ−ターフェニリル基、及び５’−ｍ−ターフェニリル基が挙げられる。

任意の置換基として選択され得る環形成炭素数６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基において、該環形成炭素数６〜１８のアリール基は上記した通りである。

任意の置換基として選択され得る環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基が有するアリール基は上記した通りである。

任意の置換基として選択され得る炭素数１〜２０のハロアルキル基において、該ハロアルキル基は、Ｒ¹〜Ｒ^６に関して上記した炭素数１〜２０のアルキル基の少なくとも１個、好ましくは１〜７個の水素原子、又は全ての水素原子をフッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子からなる群から選ばれるハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換して得られる基であり、ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基が好ましく、ペンタフルオロエチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がより好ましく、トリフルオロメチル基が更に好ましい。

任意の置換基として選択され得る炭素数１〜２０のハロアルコキシ基は−ＯＲ^１４で表され、Ｒ^１４は上記の炭素数１〜２０のハロアルキル基、好ましくは炭素数１〜２０のフルオロアルキル基を表す。該ハロアルコキシ基としては、ヘプタフルオロプロポキシ基（異性体を含む）、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、ペンタフルオロエトキシ基、２,２,２−トリフルオロエトキシ基、又はトリフルオロメトキシ基がより好ましく、トリフルオロメトキシ基が更に好ましい。

任意の置換基として選択され得る炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基において、該アルキル基及び該アリール基は上記したとおりである。その具体例として、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリトリルシリル基が挙げられる。

本発明の好ましい態様において、Ａｒは、下記式（ａ）〜（ｍ）のいずれかで表される。

式（ａ）〜（ｍ）において、＊は、前記式（１）中のＬ^１又はＬ²との結合を表す。

式（ａ）〜（ｍ）において、各Ｒは、それぞれ独立に、式（１）の「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基に関して上記した置換基から選ばれる。
好ましくは、各Ｒは、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基から選ばれる。
より好ましくは、各Ｒは、それぞれ独立に、無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる１種である。さらに好ましくは、各Ｒは、それぞれ独立に、無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる１種であり、よりさらに好ましくはフェニル基である。

式（ａ）〜（ｍ）において、ｐはそれぞれ独立に０〜５の整数、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０を表す。ｑはそれぞれ独立に０〜４の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０を表す。ｒはそれぞれ独立に０〜３の整数、好ましくは０〜２の整数、より好ましくは０又は１、さらに好ましくは０を表す。ｓは０〜２の整数、好ましくは０又は１、より好ましくは０を表す。ｔは０又は１、好ましくは０を表す。

ｐ、ｑ、ｒ又はｓが２以上の整数を表す場合、２〜５個、２〜４個、２〜３個、又は２個のＲはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
本発明の一態様において、式（ａ）〜（ｆ）及び（ｈ）〜（ｍ）において、隣接する２つのＲが互いに結合して環構造を形成してもよく、式（ｇ）において、Ｒ、Ｒ^ａ及びＲ^ｂから選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成してもよい。環構造としては、ベンゼン環などの芳香族炭化水素環、及び窒素原子、酸素原子、硫黄原子などの環形成ヘテロ原子を有する芳香族複素環が好ましい。
本発明の他の態様において、式（ａ）〜（ｆ）及び（ｈ）〜（ｍ）において、隣接する２つのＲは互いに結合していなくてもよい。また、本発明の他の態様において、式（ｇ）において、Ｒ、Ｒ^ａ及びＲ^ｂから選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成しなくてもよい。

ｐ〜ｔのいずれかが０である場合、(Ｒ)_０はＲが存在しないこと、すなわち、Ｒで置換されていないことを意味する。本発明の一態様において、式（ａ）〜（ｍ）で表される基は、１又は２個のＲを有することが好ましく、１個のＲを有することがより好ましい。本発明の他の態様において、式（ａ）〜（ｍ）で表される基はＲで置換されていないこと、すなわち、ｐ〜ｔのすべてが０であることが好ましい。

式（ｇ）において、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルキル基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１０、より好ましくは６のアリール基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のハロアルキル基好ましくはフルオロアルキル基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のアルコキシ基；炭素数１〜２０、好ましくは１〜５、より好ましくは１〜４のハロアルコキシ基好ましくはフルオロアルコキシ基；環形成炭素数６〜１８、好ましくは６〜１０、より好ましくは６のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
Ｒ^ａ及びＲ^ｂが表す各基の詳細は、式（１）の「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基に関して上記した各基と同様である。
好ましくは、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれ、より好ましくはメチル基、エチル基、フェニル基から選ばれる。

式（ｂ）は、好ましくは、Ｒで置換されていてもよく置換されてなくてもよい２−ビフェニリル基、３−ビフェニリル基又は４−ビフェニリル基を表す。

式（ｃ）は、好ましくは、それぞれＲで置換されていてもよく置換されてなくてもよい、２−、３−又は４−ｐ−ターフェニリル基、２−、３−又は４−ｍ−ターフェニリル基、又は２−、３−又は４−ｏ−ターフェニリル基を表す。

式（ｄ）は、好ましくは、それぞれＲで置換されていてもよく置換されてなくてもよい、２’-ｐ−ターフェニリル基、２’-、４’−、又は５’−ｍ−ターフェニリル基、又は４’−ｏ−ターフェニリル基を表す。

式（ｅ）は、好ましくは、それぞれＲで置換されていてもよく置換されてなくてもよい、１−ナフチル基又は２−ナフチル基を表す。

式（ｆ）は、好ましくは２−フェナントリル基、３−フェナントリル基又は４−フェナントリル基を表し、より好ましくは２−フェナントリル基又は４−フェナントリル基を表し、さらに好ましくは２−フェナントリル基を表し、それぞれＲで置換されていてもよく置換されていなくてもよい。Ｒで置換される場合のＲは、Ｒ^１〜Ｒ^６に関して記載したとおりである。

式（ｇ）において、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは共にメチル基またはフェニル基であること、又は、Ｒ^ａ及びＲ^ｂの一方がメチル基、他方がフェニル基であることが好ましい。式（ｇ）で表される基は、フルオレン環の１〜４位、好ましくは２位又は４位で式（１）のＬ^１又はＬ²と結合する。

式（ｈ）は好ましくは、Ｒで置換されていてもよく置換されてなくてもよい、４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル基を表す。

式（ｉ）で表される基は、フルオレン環の１〜４位、好ましくは２位又は４位で式（１）のＬ^１又はＬ²と結合する。

式（ｊ）で表される基は、フルオランテン環の２位又は３位で式（１）のＬ^１又はＬ²と結合するのが好ましい。

式（ｋ）で表される基は、フルオランテン環の７位又は８位で式（１）のＬ^１又はＬ²と結合するのが好ましい。

式（１）で表される基は、トリフェニレン環の２位で式（１）のＬ^１又はＬ²と結合するのが好ましい。

式（１）で表される化合物のより好ましい態様において、Ａｒは、それぞれ独立に、下記式（ｂ−１）、（ｂ−２）、（ｂ−３）、（ｃ−１）、（ｃ−２）、（ｃ−３）、（ｄ−１）、（ｄ−２）、（ｄ−３）、（ｅ−１）、（ｅ−２）、（ｆ−１）、（ｆ−２）、（ｆ−３）、（ｆ−４）、（ｇ−１）、（ｇ−２）、（ｇ−３）、（ｈ−１）、（ｉ−１）、（ｉ−２）、（ｊ−１）、（ｊ−２）、（ｋ−１）、（ｋ−２）、（ｌ−１）、又は（ｍ）で表される。
なお、これらの式中、Ｒ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ及び＊は前記と同様である。また、これらの式において、隣接する２つのＲが互いに結合して環構造を形成することはない。

本発明の一態様において、Ｌ^１〜Ｌ^３のそれぞれが単結合であってもよいし、Ｌ^１〜Ｌ^３のそれぞれが置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０、好ましくは６〜２４、より好ましくは６〜１２のアリーレン基であってもよい。

前記置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０アリーレン基は下記式（ii）又は（iii）で表されることが好ましい。

上記式中、Ｒとｑは式（ａ）〜（ｍ）に関して定義したとおりである。
Ｌ^１が式（ii）又は（iii）で表される場合、＊と＊＊の一方は式（１）中のＡｒとの結合を表し、他方は式（１）中の窒素原子との結合を表し、
Ｌ^２が式（ii）又は（iii）で表される場合、＊と＊＊の一方は式（１）中の２−フェナントリル基との結合を表し、他方は式（１）中の窒素原子との結合を表し、
Ｌ^３が式（ii）又は（iii）で表される場合、＊と＊＊の一方は式（１）中の２−フェナントリル基との結合を表し、他方は式（１）中の窒素原子との結合を表す。

式（ii）及び（iii）は好ましくは下記式で表される。

上記式中、Ｒ、ｑ、＊、及び＊＊は前記したとおりである。

Ｌ^２は単結合であってもよい。Ｌ^３は単結合であってもよい。また、Ｌ^２及びＬ^３が共に単結合であってもよい。さらに、Ｌ^１〜Ｌ^３のすべてが単結合であってもよい。

化合物（１）の具体例を以下に示すが、以下の化合物に限定されるものではない。

有機ＥＬ素子用材料
本発明の一態様である有機ＥＬ素子用材料は、前記式（１）で表される化合物（化合物（１））を含む。
なお、以下の説明において、化合物（１）に関する記載は、化合物（１）、及び当該化学式（１）に包含される下位概念の前記各化合物に置き換えて読むことができる。
本発明の一態様である有機ＥＬ素子用材料における化合物（１）の含有量は、特に制限されず、例えば、１質量％以上（１００質量％を含む）であればよく、１０質量％以上（１００質量％を含む）であることが好ましく、５０質量％以上（１００質量％を含む）であることがより好ましく、８０質量％以上（１００質量％を含む）であることがさらに好ましく、９０質量％以上（１００質量％を含む）であることが特に好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子製造用の材料として有用であり、例えば、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料及びドーパント材料や、燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料として用いることができる。また、蛍光発光ユニット及び燐光発光ユニットのいずれにおいても、陽極と発光層との間に設けられる正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層等の陽極側有機薄膜層、及び陰極と発光層との間に設けられる電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等の陰極側有機薄膜層の材料としても有用である。前記陽極側有機薄膜層は２以上の層を含む多層であってもよく、該２以上の層は正孔輸送層であってもよい。本発明の有機ＥＬ素子用材料は、該２以上の正孔輸送層のいずれの層に含まれていてもよい。すなわち、本発明の有機ＥＬ素子用材料は、発光層に最も近接する正孔輸送層、陽極に最も近接する正孔輸送層、及び中間に位置する正孔輸送層のいずれに用いてもよい。

有機ＥＬ素子
次に、本発明の一態様の有機ＥＬ素子について説明する。
有機ＥＬ素子は、陰極と陽極の間に１以上の層を含む有機薄膜層を有する。この有機薄膜層は、１又は複数の層を含み、かつこの有機薄膜層は発光層を含み、有機薄膜層の少なくとも一層が化合物（１）を含む。
前記化合物（１）が含まれる有機薄膜層の例としては、陽極と発光層との間に設けられる陽極側有機薄膜層（正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、励起子阻止層等）、発光層、スペース層、阻止層等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。例えば、蛍光発光ユニットの発光層におけるホスト材料やドーパント材料、正孔注入層材料、正孔輸送層材料として用いることができる。また、燐光発光ユニットの発光層におけるホスト材料、正孔注入層材料、正孔輸送層材料として用いることができる。前記陽極側有機薄膜層が２以上の正孔輸送層を含む場合、前記化合物（１）はいずれの正孔輸送層に含まれていてもよい。すなわち、前記化合物（１）は、発光層に最も近接する正孔輸送層、陽極に最も近接する正孔輸送層、及び中間に位置する正孔輸送層のいずれに含まれていてもよい。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、「発光ユニット」とは、１以上の層を含む有機薄膜層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。

例えば、シンプル型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（１）陽極／発光ユニット／陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
（ａｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｂｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層）
（ｃｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｄｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層（／電子輸送層）
（ｅｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｆｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｇｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層／スペース層／第二燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｈｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第一蛍光発光層／第二蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｉｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｊｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層）
（ｋｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｌｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層）
（ｍｕ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層）
（ｎｕ）（正孔注入層／）第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層）
（ｏｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層）
（ｐｕ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／トリプレット阻止層（／電子輸送層）

上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット（ｆｕ）において、（正孔注入層／）正孔輸送層／第一燐光発光層（赤色発光）／第二燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子障壁層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔障壁層を設けてもよい。電子障壁層や正孔障壁層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。

タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
（２）陽極／第一発光ユニット／中間層／第二発光ユニット／陰極
ここで、上記第一発光ユニット及び第二発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第一発光ユニットに電子を、第二発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。

図１に、前記有機ＥＬ素子の一例の概略構成を示す。有機ＥＬ素子１は、基板２、陽極３、陰極４、及び該陽極３と陰極４との間に配置された発光ユニット１０とを有する。発光ユニット１０は、少なくとも一つの発光層５を有する。発光層５と陽極３との間に正孔注入・輸送層６（陽極側有機薄膜層）等、発光層５と陰極４との間に電子注入・輸送層７（陰極側有機薄膜層）等を形成してもよい。また、発光層５の陽極３側に電子障壁層（図示せず）を、発光層５の陰極４側に正孔障壁層（図示せず）を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層５に閉じ込めて、発光層５における励起子の生成確率をさらに高めることができる。

なお、本発明において、蛍光ドーパント（蛍光発光材料）と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。

基板
基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

陽極
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または前記金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し１〜１０質量％の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５質量％、酸化亜鉛を０．１〜１質量％含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。

陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成されるため、電極材料として一般的に使用される材料（例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、元素周期表の第１族または第２族に属する元素）を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。

正孔注入層
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料（正孔注入性材料）を含む層である。前記化合物（１）を単独又は下記の材料と組み合わせて正孔注入層に用いてもよい。

正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。

低分子の有機化合物である４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。

高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いることもできる。例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。

さらに、下記式（Ｋ）で表されるヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）化合物などの受容性化合物（アクセプター材料）を化合物（１）と組み合わせて用いることも好ましい。

（上記式中、Ｒ_２１〜Ｒ_２６は互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ独立にシアノ基、−ＣＯＮＨ_２、カルボキシル基、又は−ＣＯＯＲ_２７（Ｒ_２７は炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数３〜２０のシクロアルキル基を表す）を表す。また、Ｒ_２１及びＲ_２２、Ｒ_２３及びＲ_２４、並びにＲ_２５及びＲ_２６において、隣接する２つの基が互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を形成してもよい。）
Ｒ_２７としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料（正孔輸送性材料）を含む層である。前記化合物（１）を単独又は下記の化合物と組み合わせて正孔輸送層に用いてもよい。

正孔輸送性材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。芳香族アミン化合物としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）が挙げられる。上記化合物は、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する。

正孔輸送層には、４，４’−ジ（９−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９−［４−（９−カルバゾリル）フェニル］−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体や、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）等のアントラセン誘導体を用いてもよい。ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い化合物を含む層は、単層でもよく、上記化合物を含む２以上の層からなる積層でもよい。例えば、正孔輸送層は第１正孔輸送層（陽極側）と第２正孔輸送層（陰極側）の２層構造にしてもよい。この場合、前記化合物（１）は第１正孔輸送層と第２正孔輸送層のいずれに含まれていてもよい。本発明の一態様においては、前記化合物（１）が第１正孔輸送層に含まれるのが好ましく、他の態様においては、前記化合物（１）が第２正孔輸送層に含まれるのが好ましい。

発光層のドーパント材料
発光層は、発光性の高い材料（ドーパント材料）を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。

発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）］−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用できる。具体的には、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）などが挙げられる。

発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用できる。トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。

発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用できる。具体的には、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。

また、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光発光材料として用いることができる。

発光層のホスト材料
発光層としては、上述したドーパント材料を他の材料（ホスト材料）に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、本発明の化合物（１）、その他各種のものを用いることができ、ドーパント材料よりも最低空軌道準位（ＬＵＭＯ準位）が高く、最高占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い材料を用いることが好ましい。

ホスト材料としては、例えば
（１ｈ）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
（２ｈ）オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
（３ｈ）カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
（４ｈ）トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物、
を使用することができる。

例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体；
２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物；
９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物；及び
Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は１種用いてもよく、複数種用いてもよい。

電子輸送層
電子輸送層は電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を含む層である。電子輸送層には、例えば、
（１）アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
（２）イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
（３）高分子化合物を使用することができる。

金属錯体としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）が挙げられる。

複素芳香族化合物としては、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）が挙げられる。

高分子化合物としては、例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）が挙げられる。

上記材料は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記材料からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

電子注入層
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

陰極
陰極には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（例えば、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

絶縁層
有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。

スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。

阻止層
発光層に隣接する部分に、電子阻止層、正孔阻止層、トリプレット阻止層（励起子阻止層）などの阻止層を設けてもいい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。トリプレット阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。本発明の化合物（１）は、電子阻止層の材料としても適しており、また、トリプレット阻止層の材料としても適している。

前記有機ＥＬ素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）などの蒸着法、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。

各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常５ｎｍ〜１０μｍであり、１０ｎｍ〜０．２μｍがより好ましい。

前記有機ＥＬ素子は、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。

以下、実施例を用いて本発明の態様をさらに詳細に説明するが、本発明はそれら実施例に限定されるものではない。

合成例１（化合物Ｈ１の合成）

アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ１（２．０９ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、国際公開広報ＷＯ２００９／１１６６２８に記載の方法で合成した化合物Ａ１（６．６９ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１９５ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（３２８ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（３．８４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（１００ｍＬ）を順次加えて７時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物Ｈ１（３．６５ｇ，収率６５％）を得た。

化合物Ｈ１について、ＬＣ−ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ−Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析結果を以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４３Ｈ３１Ｎ＝５６１、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝５６１（Ｍ＋，１００）

中間体合成例１ 化合物Ｂ２の合成

（１−１）中間体Ｂ２−１の合成
アルゴン雰囲気下、１，３，５−トリブロモベンゼン１０００ｇ（３．１８ｍｏｌ）、フェニルボロン酸７７５ｇ（６．３５ｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１４７ｇ（１２８ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム２０２１ｇ（１９．１ｍｏｌ）、水１７ＬおよびＤＭＥ１７Ｌの混合物を７７℃で１６時間攪拌した。反応液を室温に冷却し、水を加えトルエンで抽出し、トルエン層を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、中間体Ｂ２−１ ３４２ｇ（収率３５％）を得た。

（１−２）中間体Ｂ２−２の合成
アルゴン雰囲気下、中間体Ｂ２−１ ３４２ｇ（１．１１ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン４．２５Ｌに溶解し、−６８℃に冷却した。１．５９Ｍ ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液８５０ｍＬを加え、−６８℃にて１時間攪拌した。反応液にホウ酸トリイソプロピル６２４ｇ（３．３２ｍｏｌ）を加え、室温にて１６時間攪拌した。反応液に水を加え、トルエンで抽出し、トルエン層を減圧濃縮した。得られた残渣を再結晶で精製し、中間体Ｂ２−２ １７７ｇ（収率５８％）を得た。

（１−３）化合物Ｂ２の合成
アルゴン雰囲気下、中間体Ｂ２−２ １７７ｇ（０．６５ｍｏｌ）、４−ブロモアニリン１１７ｇ（０．６８ｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１４．９ｇ（１２．９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム２０５ｇ（１．９３ｍｏｌ）、水９５０ｍＬ、トルエン１８００ｍＬおよびエタノール６００ｍＬの混合物を７５℃で１６時間攪拌した。反応液を室温に冷却し、有機層を水で洗い、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ｂ２ １０４ｇ（収率５１％）を得た。

合成例２（化合物Ｈ２の合成）

アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ２（３．２１ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、国際公開広報ＷＯ２００９／１１６６２８に記載の方法で合成した化合物Ａ１（６．６９ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１９５ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（３２８ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（３．８４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（１００ｍＬ）を順次加えて８時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物Ｈ２（５．３９ｇ，収率８０％）を得た。

化合物Ｈ２について、ＬＣ−ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ−Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析結果を以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５２Ｈ３５Ｎ＝６７３、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝６７３（Ｍ＋，１００）

中間体合成例２（化合物Ａ２の合成）

アルゴン雰囲気下、国際公開広報ＷＯ２００９／１１６６２８に記載の方法で合成したフェナントレン−２−ボロン酸１１．１ｇ（５０ｍｍｏｌ）、１−クロロ−４−ヨードベンゼン１１．９ｇ（５０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．１６ｇ（１ｍｍｏｌ）、トルエン２００ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１００ｍＬを順次加えて、８時間加熱還流した。室温まで冷却後、反応溶液をトルエンで抽出した。水層を除去し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別後、有機層を濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ２ １２．９ｇ（収率８９％）を得た。

合成例３（化合物Ｈ３の合成）

アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ３（３．３３ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、化合物Ａ２（５．９６ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１９５ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（３２８ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（３．８４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（１００ｍＬ）を順次加えて８時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物Ｈ３（６．４５ｇ，収率７７％）を得た。

化合物Ｈ３について、ＬＣ−ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ−Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析結果を以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ６５Ｈ４３Ｎ＝８３７、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝８３７（Ｍ＋，１００）

中間体合成例３（化合物Ａ３の合成）

中間体合成例２において、１−クロロ−４−ヨードベンゼンのかわりに１−クロロ−３−ヨードベンゼンを使うほかは同様に合成を行い、化合物Ａ３を得た。

合成例４（化合物Ｈ４の合成）

アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ１（２．０９ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、化合物Ａ３（５．９６ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１９５ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（３２８ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（３．８４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（１００ｍＬ）を順次加えて７時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物Ｈ４（３．９３ｇ，収率５５％）を得た。

化合物Ｈ４について、ＬＣ−ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ−Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析結果を以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５５Ｈ３９Ｎ＝７１３、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝７１３（Ｍ＋，１００）

合成例５（化合物Ｈ５の合成）

アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ４（２．４５ｇ、１０．０ｍｍｏｌ）、化合物Ａ４（５．４２ｇ、２０．０ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１９５ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（３２８ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム（３．８４ｇ、４０．０ｍｍｏｌ）、無水キシレン（１００ｍＬ）を順次加えて６時間加熱還流した。
室温まで反応液を冷却した後、不溶物を濾過して除き、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物Ｈ５（３．００ｇ，収率４８％）を得た。

化合物Ｈ５について、ＬＣ−ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ−Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）の分析結果を以下に示す。
ＬＣ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ４８Ｈ３５Ｎ＝６２５、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝６２５（Ｍ＋，１００）

合成例６（化合物Ｈ６の合成）

（６−１）フェナントレン−２−アミンの合成
アルゴン雰囲気下、２−ブロモフェナントレン１７．５ｇ（６８．０ｍｍｏｌ）、ビス［トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン］パラジウム９７ｍｇ（０１４ｍｍｏｌ）、（Ｒ）−１−［（Ｓ_Ｐ）−２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）フェロセニル］エチルジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン７５ｍｇ（０１４ｍｍｏｌ）、硫酸アンモニウム１３．５ｇ（１０２ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド２９．４ｇ（３０６ｍｍｏｌ）およびジオキサン３４０ｍＬの混合物を５時間加熱還流した。反応液を室温に冷却後、水を加え、酢酸エチルで抽出を行い、有機層を水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、有機層を濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、フェナントレン−２−アミン９．５３ｇ（収率６９％）を得た。

（６−２）化合物Ａ５の合成
アルゴン雰囲気下、フェナントレン−２−アミン９．０３ｇ（４６．７ｍｍｏｌ）、２−ブロモフェナントレン１２．０ｇ（４６．７ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）０．８５ｇ（０．９３ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン テトラフルオロボレート１．０９ｇ（３．７４ｍｍｏｌ），ナトリウム−ｔ−ブトキシド６．２９ｇ（６５．４ｍｍｏｌ）およびトルエン２５０ｍＬの混合物を７．５時間加熱還流した。反応液を室温に冷却後、減圧濃縮を行い、メタノールを加え、生成した固体を濾取した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ５ １２．１ｇ（収率７０％）を得た。

（６−３）化合物Ｈ６の合成
アルゴン雰囲気下、化合物Ａ５ ２．７０ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、４−ヨードビフェニル２．０５ｇ（７．３１ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム付加物０．１６ｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン テトラフルオロボレート０１７ｇ（０．５８ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド１．４０ｇ（１４．６ｍｍｏｌ）およびトルエン３７ｍＬの混合物を３．５時間加熱還流した。反応液を室温に冷却し、反応液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて生成し、化合物Ｈ６ ２．１１ｇ（収率４０％）を得た。
化合物Ｈ６について、ＦＤ−ＭＳ分析により構造を同定した。
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ３３ＮＯ＝５２１、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝５２１

合成例７（化合物Ｈ７の合成）

合成例６の工程（６−３）において、４−ヨードビフェニルの代わりに２−ブロモビフェニルを用いるほかは同様に合成を行い、化合物Ｈ７を得た。
化合物Ｈ７について、ＦＤ−ＭＳ分析により構造を同定した。
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ３３ＮＯ＝５２１、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝５２１

合成例８（化合物Ｈ８の合成）

合成例２において化合物Ｂ２の代わりに化合物Ｂ４を用いたほかは合成例２と同様に合成を行い、化合物Ｈ８を得た。
化合物Ｈ８について、ＦＤ−ＭＳ分析により構造を同定した。
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ３３ＮＯ＝５９７、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝５９７

合成例９（化合物Ｈ９の合成）

（９−１）化合物Ａ６の合成
アルゴン雰囲気下、２−ブロモフェナントレン１０．０ｇ（３８．９ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボロン９．８ｇ（３８．９ｍｍｏｌ）、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ） ジクロロメタン付加物０．９５３ｇ（１．１７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム７．６３ｇ（７８ｍｍｏｌ）、ジオキサン２００ｍＬの混合物を、１０５℃で終夜攪拌した。ビスピナコラートジボロン２．０２ｇ（７．９５ｍｍｏｌ）、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ） ジクロロメタン付加物０．９５３ｇ（１．１７ｍｍｏｌ）を加え、１０５℃で３時間攪拌した。反応液を室温に冷却し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物Ａ６ １０．４ｇ（収率８８％）を得た。

（９−２）化合物Ｈ９の合成
アルゴン雰囲気下、Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）アミン５ｇ（１０．４３ｍｍｏｌ）、化合物Ａ６ ７．９５ｇ（２６．１ｍｍｏｌ）、ＤＭＥ５０ｍｌ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）４８２ｍｇ（０．４１７ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１５．６ｍｌ（３１．３ｍｍｏｌ）の混合物を終夜加熱還流した。反応液を室温に冷却し、精製した固体を濾取し乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーおよび再結晶にて精製を行い、化合物Ｈ９ ２．４４ｇ（収率３５％）を得た。
化合物Ｈ９について、ＦＤ−ＭＳ分析により構造を同定した。
ＦＤ−ＭＳ：ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ５０Ｈ３３ＮＯ＝６７３、
ｆｏｕｎｄ ｍ／ｚ＝６７３

実施例１
（有機ＥＬ素子の製造）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×厚さ１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマテック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行った。ＩＴＯ透明電極の厚さは１３０ｎｍとした。
洗浄後のＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずＩＴＯ透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして下記化合物（ＨＩ−１）を蒸着して膜厚５ｎｍのＨＩ−１膜を成膜し、正孔注入層を形成した。
次に、この正孔注入層上に、第１正孔輸送材料として下記化合物ＨＴ−１を蒸着して膜厚８０ｎｍのＨＴ−１膜を成膜し、第１正孔輸送層を形成した。
次に、この第１正孔輸送層上に、前述の化合物Ｈ１を蒸着して膜厚１０ｎｍのＨＴ−２膜を成膜し、第２正孔輸送層を形成した。
次に、この第２正孔輸送層上に、化合物ＢＨ−１（ホスト材料）と化合物ＢＤ−１（ドーパント材料）を共蒸着し、膜厚２５ｎｍの共蒸着膜を成膜した。ＢＤ−１の濃度は４．０質量％であった。この共蒸着膜は発光層として機能する。
次に、この発光層の上に、下記化合物ＥＴ−１を蒸着して膜厚１０ｎｍのＥＴ−１膜を成膜し、第１電子輸送層を形成した。
次に、この第１電子輸送層の上に、下記化合物ＥＴ−２を蒸着して膜厚１５ｎｍのＥＴ−２膜を成膜し、第２電子輸送層を形成した。
次に、この第２電子輸送層上に、ＬｉＦを蒸着して膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を成膜し、電子注入性電極（陰極）を形成した。
そして、このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して膜厚８０ｎｍの金属Ａｌ膜を成膜し、金属Ａｌ陰極を形成した。

（有機ＥＬ素子の評価）
製造した有機ＥＬ素子について、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように電圧を印加し、外部量子効率を測定した。また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２において駆動した際に、発光輝度が初期輝度の８０％となるまでの時間（輝度８０％寿命）の評価を実施した。結果を表１に示す。

実施例２〜７及び比較例１
実施例１において、化合物Ｈ１を用いる代わりに表１に記載の第２正孔輸送層材料を用いて第２正孔輸送層を形成したこと以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例１と同様の評価を実施した。結果を表１に示す。

上記化合物を用いることにより、外部量子効率が高く、輝度８０％寿命が長い有機ＥＬ素子を得ることができた。
また、実施例３及び７は、化合物Ｈ３及びＨ９が、式（１）のＬ_２及びＬ_３に相当する位置に環形成炭素数６〜５０のアリーレン基（フェニレン基）が存在するため、輝度８０％寿命が長かった。アリーレン基を入れることにより、化合物の耐久性が改善したと考えられる。

１ 有機ＥＬ素子
２ 基板
３ 陽極
４ 陰極
５ 発光層
６ 陽極側有機薄膜層
７ 陰極側有機薄膜層
１０ 発光ユニット

Claims (21)

1. 下記式（１）で表される化合物。
   

   

   
   （式中、
   Ｒ¹〜Ｒ^６は、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
   ａは０〜３の整数であり、ｂは０〜２の整数であり、ｃは０〜４の整数であり、ｄは０〜４の整数であり、ｅは０〜２の整数であり、ｆは０〜３の整数であり、（Ｒ^１）_０、（Ｒ^２）_０、（Ｒ^３）_０、（Ｒ^４）_０、（Ｒ^５）_０及び（Ｒ^６）_０は、それぞれ、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５又はＲ^６が存在しないことを意味し、Ｒ^１〜Ｒ^３から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはなく、Ｒ^４〜Ｒ^６から選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成することはない。
   Ｌ^１〜Ｌ^３は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表す。
   Ａｒは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を表す。
   前記「置換もしくは無置換」というときの任意の置換基は、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のハロアルキル基；炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる少なくとも１つの基である。）
2. Ａｒが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基において、該アリール基は、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、トリフェニレニル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基からなる群より選ばれる、請求項１に記載の化合物。
3. Ａｒが、下記式（ａ）〜（ｍ）のいずれか１つで表される請求項１又は２に記載の化合物。
   

   

   
   （式（ａ）〜（ｍ）において、
   各Ｒは、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基、環形成炭素数３〜５０のシクロアルキル基、環形成炭素数６〜１８のアリール基、環形成炭素数６〜１８のアリール基を有する炭素数７〜３０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基及び環形成炭素数６〜１８のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基、ハロゲン原子、シアノ基、又はニトロ基を表す。
   ｐはそれぞれ独立に０〜５の整数、ｑはそれぞれ独立に０〜４の整数、ｒはそれぞれ独立に０〜３の整数、ｓはそれぞれ独立に０〜２の整数、ｔはそれぞれ独立に０〜１の整数を表す。(Ｒ)_０はＲが存在しないことを意味する。
   式（ｇ）において、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のハロアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１８のアリールオキシ基、ハロゲン原子、又はシアノ基を表す。
   ＊は、前記式（１）中のＬ^１との結合を表す。）
4. 前記式（ａ）〜（ｆ）及び（ｈ）〜（ｍ）において、隣接する２つのＲが互いに結合して環構造を形成してもよく、
   前記式（ｇ）において、Ｒ、Ｒ^ａ及びＲ^ｂから選ばれる隣接する２つの基が互いに結合して環構造を形成してもよい請求項３に記載の化合物。
5. 前記式（ａ）〜（ｆ）及び（ｈ）〜（ｍ）において、隣接する２つのＲが互いに結合することはなく、
   前記式（ｇ）において、Ｒ、Ｒ^ａ及びＲ^ｂから選ばれる隣接する２つの基が互いに結合することはない請求項３に記載の化合物。
6. Ａｒが、下記式（ｂ−１）〜（ｂ−３）、（ｃ−１）〜（ｃ−３）、（ｄ−１）〜（ｄ−３）、（ｅ−１）〜（ｅ−２）、（ｆ−１）〜（ｆ−４）、（ｇ−１）〜（ｇ−３）、（ｈ−１）、（ｉ−１）〜（ｉ−２）、（ｊ−１）〜（ｊ−２）、（ｋ−１）〜（ｋ−２）、（ｌ−１）、及び（ｍ）のいずれか１つで表される請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
   

   

   
   

   

   
   〔式（ｂ−１）〜（ｂ−３）、（ｃ−１）〜（ｃ−３）、（ｄ−１）〜（ｄ−３）、（ｅ−１）〜（ｅ−２）、（ｆ−１）〜（ｆ−４）、（ｇ−１）〜（ｇ−３）、（ｈ−１）、（ｉ−１）〜（ｉ−２）、（ｊ−１）〜（ｊ−２）、（ｋ−１）〜（ｋ−２）、（ｌ−１）及び（ｍ）において、Ｒ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ及び＊は前記式（ａ）〜（ｍ）に関して定義したとおりである。
   (Ｒ)_０はＲが存在しないことを意味する。
   ただし、当該各式において、隣接する２つのＲが互いに結合して、環構造を形成することはない。〕
7. Ｌ^１〜Ｌ^３が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基において、該アリーレン基は、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、トリフェニレニル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、９，９’−スピロビフルオレニル基、ペンタセニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、ｓ−インダセニル基、ａｓ−インダセニル基、フルオランテニル基、及びペリレニル基から１個の水素原子を除いて得られる２価の基からなる群より選ばれる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の化合物。
8. Ｌ^１〜Ｌ^３が、それぞれ独立に、単結合又は下記式（ii）及び（iii）のいずれかで表されるアリーレン基である請求項１〜７のいずれか１項に記載の化合物。
   

   

   
   （式中、Ｒとｑは式（ａ）〜（ｍ）に関して定義したとおりであり、Ｌ^１が式（ii）又は（iii）で表される場合、＊と＊＊の一方は式（１）中のＡｒとの結合を表し、他方は式（１）中の窒素原子との結合を表し、Ｌ^２が式（ii）又は（iii）で表される場合、＊と＊＊の一方は式（１）中のフェナントレン構造との結合を表し、他方は式（１）中の窒素原子との結合を表し、Ｌ^３が式（ii）又は（iii）で表される場合、＊と＊＊の一方は式（１）中のフェナントレン構造との結合を表し、他方は式（１）中の窒素原子との結合を表す。）
9. Ｌ^２が単結合である請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物。
10. Ｌ^３が単結合である請求項１〜９のいずれか１項に記載の化合物。
11. Ｌ^２及びＬ^３が単結合である請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物。
12. Ｌ^１〜Ｌ^３が単結合である請求項１〜８のいずれか１項に記載の化合物。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
14. 陰極、陽極、及び該陰極と該陽極の間に配置された有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機薄膜層が１又は複数の層を含み、該有機薄膜層が発光層を含み、該有機薄膜層の少なくとも１層が請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
15. 陽極と発光層の間に正孔輸送層を含み、該正孔輸送層が前記化合物を含む請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
16. 陽極と発光層の間に電子阻止層を含み、該電子阻止層が前記化合物を含む請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
17. 陽極と発光層の間に励起子阻止層を含み、該励起子阻止層が前記化合物を含む請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
18. 陽極と発光層の間に２以上の層を含む陽極側有機薄膜層を含み、該陽極側有機薄膜層の少なくとも１層が前記化合物を含む請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
19. 前記２以上の層を含む陽極側有機薄膜層が２以上の正孔輸送層を含み、陽極に最も近接する正孔輸送層が前記化合物を含む請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
20. 前記２以上の層を含む陽極側有機薄膜層が２以上の正孔輸送層を含み、発光層に最も近接する正孔輸送層が前記化合物を含む請求項１８に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
21. 請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。

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