JPWO2017018188A1 - イメージセンサ、及び、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される電子機器
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される電子機器
・内視鏡や、電子顕微鏡、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される電子機器
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される電子機器
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される電子機器
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される電子機器
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される電子機器
光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する露光制御信号の、前記画素ブロックへの供給を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
イメージセンサ。
<2>
前記選択部が、前記露光制御信号の、前記画素ブロックへの供給を選択することにより、前記露光時間が、前記画素ブロックごとに制御される
<1>に記載のイメージセンサ。
<3>
前記アレイ状に配列された前記複数の選択部の垂直方向の数と同一の数の水平制御線と、
前記アレイ状に配列された前記複数の選択部の水平方向の数と同一の数の垂直制御線と
をさらに備え、
前記選択部は、前記水平制御線を介して供給される水平制御信号と、前記垂直制御線を介して供給される垂直制御信号とに応じて、前記露光制御信号を、前記画素ブロックに供給する
<1>又は<2>に記載のイメージセンサ。
<4>
前記複数の選択部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
<1>ないし<3>のいずれかに記載のイメージセンサ。
<5>
前記画素の光電変換により得られる電気信号のAD(Analog to Digital)変換を行う、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数のAD変換部をさらに備える
<1>又は<2>に記載のイメージセンサ。
<6>
前記複数の選択部、及び、前記複数のAD変換部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
<5>に記載のイメージセンサ。
<7>
前記回路基板において、前記選択部及び前記AD変換部は、対応する前記画素ブロックに対向する位置に配列されている
<6>に記載のイメージセンサ。
<8>
光を集光する光学系と、
光を受光し、画像を撮像するイメージセンサと
を備え、
前記イメージセンサは、
光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する露光制御信号の、前記画素ブロックへの供給を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
電子機器。
<9>
光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する、複数の露光時間に対応する複数の露光制御信号の中から、前記画素ブロックに供給する露光制御信号を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
イメージセンサ。
<10>
前記選択部が、前記画素ブロックに供給する前記露光制御信号を選択することにより、前記露光時間が、前記画素ブロックごとに制御される
<9>に記載のイメージセンサ。
<11>
前記選択部は、
前記露光時間を表す露光時間情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記露光時間情報に応じて、前記画素ブロックに供給する前記露光制御信号を選択する信号選択部と
を有する
<9>又は<10>に記載のイメージセンサ。
<12>
前記複数の選択部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
<9>ないし<11>のいずれかに記載のイメージセンサ。
<13>
前記画素の光電変換により得られる電気信号のAD(Analog to Digital)変換を行う、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数のAD変換部をさらに備える
<9>又は<10>に記載のイメージセンサ。
<14>
前記複数の選択部、及び、前記複数のAD変換部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
<13>に記載のイメージセンサ。
<15>
前記回路基板において、前記選択部及び前記AD変換部は、対応する前記画素ブロックに対向する位置に配列されている
<14>に記載のイメージセンサ。
<16>
光を集光する光学系と、
光を受光し、画像を撮像するイメージセンサと
を備え、
前記イメージセンサは、
光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する、複数の露光時間に対応する複数の露光制御信号の中から、前記画素ブロックに供給する露光制御信号を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
電子機器。
Claims (16)
- 光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する露光制御信号の、前記画素ブロックへの供給を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
イメージセンサ。 - 前記選択部が、前記露光制御信号の、前記画素ブロックへの供給を選択することにより、前記露光時間が、前記画素ブロックごとに制御される
請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記アレイ状に配列された前記複数の選択部の垂直方向の数と同一の数の水平制御線と、
前記アレイ状に配列された前記複数の選択部の水平方向の数と同一の数の垂直制御線と
をさらに備え、
前記選択部は、前記水平制御線を介して供給される水平制御信号と、前記垂直制御線を介して供給される垂直制御信号とに応じて、前記露光制御信号を、前記画素ブロックに供給する
請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記複数の選択部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記画素の光電変換により得られる電気信号のAD(Analog to Digital)変換を行う、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数のAD変換部をさらに備える
請求項1に記載のイメージセンサ。 - 前記複数の選択部、及び、前記複数のAD変換部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
請求項5に記載のイメージセンサ。 - 前記回路基板において、前記選択部及び前記AD変換部は、対応する前記画素ブロックに対向する位置に配列されている
請求項6に記載のイメージセンサ。 - 光を集光する光学系と、
光を受光し、画像を撮像するイメージセンサと
を備え、
前記イメージセンサは、
光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する露光制御信号の、前記画素ブロックへの供給を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
電子機器。 - 光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する、複数の露光時間に対応する複数の露光制御信号の中から、前記画素ブロックに供給する露光制御信号を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
イメージセンサ。 - 前記選択部が、前記画素ブロックに供給する前記露光制御信号を選択することにより、前記露光時間が、前記画素ブロックごとに制御される
請求項9に記載のイメージセンサ。 - 前記選択部は、
前記露光時間を表す露光時間情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された前記露光時間情報に応じて、前記画素ブロックに供給する前記露光制御信号を選択する信号選択部と
を有する
請求項9に記載のイメージセンサ。 - 前記複数の選択部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
請求項9に記載のイメージセンサ。 - 前記画素の光電変換により得られる電気信号のAD(Analog to Digital)変換を行う、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数のAD変換部をさらに備える
請求項9に記載のイメージセンサ。 - 前記複数の選択部、及び、前記複数のAD変換部は、前記画素アレイ部とは別の回路基板に配列され、
前記画素アレイ部と、前記回路基板とは、積層されている
請求項13に記載のイメージセンサ。 - 前記回路基板において、前記選択部及び前記AD変換部は、対応する前記画素ブロックに対向する位置に配列されている
請求項14に記載のイメージセンサ。 - 光を集光する光学系と、
光を受光し、画像を撮像するイメージセンサと
を備え、
前記イメージセンサは、
光電変換を行う複数の画素がアレイ状に配列された画素アレイ部と、
前記画素アレイ部の2以上の画素からなる複数の画素ブロックそれぞれについて、前記画素の露光時間を制御する、複数の露光時間に対応する複数の露光制御信号の中から、前記画素ブロックに供給する露光制御信号を選択する、前記複数の画素ブロックと同一の数の複数の選択部と
を備え、
前記複数の選択部は、アレイ状に配列されている
電子機器。
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---|---|---|---|---|
KR102514137B1 (ko) | 2015-07-24 | 2023-03-27 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 이미지 센서, 및, 전자 기기 |
ES2843101T3 (es) * | 2016-03-15 | 2021-07-15 | Dartmouth College | Sensor de imagen Quanta con iluminación posterior apilado con lectura de agrupaciones en paralelo |
JP2019004382A (ja) * | 2017-06-16 | 2019-01-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
US10880293B2 (en) * | 2017-08-25 | 2020-12-29 | Ford Global Technologies, Llc | Authentication of vehicle-to-vehicle communications |
EP3462731B1 (en) * | 2017-09-29 | 2021-11-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device, imaging system, and moving body |
US10540733B2 (en) * | 2017-11-16 | 2020-01-21 | The Boeing Company | Frameless random-access image sensing |
CN110413805B (zh) * | 2018-04-25 | 2022-02-01 | 杭州海康威视数字技术股份有限公司 | 一种图像存储方法、装置、电子设备及存储介质 |
US11019274B2 (en) * | 2018-09-10 | 2021-05-25 | Tusimple, Inc. | Adaptive illumination for a time-of-flight camera on a vehicle |
JP7245016B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2023-03-23 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置および撮像システム |
WO2020093197A1 (en) * | 2018-11-05 | 2020-05-14 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Image sensor and control method therefor |
CN111193882A (zh) * | 2018-11-15 | 2020-05-22 | 格科微电子(上海)有限公司 | 单帧高动态范围图像传感器的实现方法 |
JP6824363B1 (ja) * | 2019-10-30 | 2021-02-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | イメージセンサ、及びイメージセンサの制御方法 |
JP7516031B2 (ja) | 2019-11-19 | 2024-07-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
KR20220134538A (ko) * | 2020-01-31 | 2022-10-05 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 촬상 장치 및 촬상 방법 |
KR20220127304A (ko) * | 2020-02-17 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
KR20220127305A (ko) | 2020-02-17 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 촬상 소자 및 촬상 장치 |
US11932238B2 (en) | 2020-06-29 | 2024-03-19 | Tusimple, Inc. | Automated parking technology |
JP2022094796A (ja) | 2020-12-15 | 2022-06-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、制御方法、プログラム及び記憶媒体 |
CN113194264B (zh) * | 2021-04-29 | 2023-04-25 | 维沃移动通信有限公司 | 偏色调整方法、装置、电子设备及存储介质 |
CN113194235B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-11-08 | 维沃移动通信有限公司 | 像素传感器系统、摄像模组及电子设备 |
CN113242393B (zh) * | 2021-05-27 | 2023-04-18 | 哈尔滨工程大学 | 一种二维微小光斑阵列发生装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006157862A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos型撮像素子および撮像装置 |
JP2010021697A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Sony Corp | 撮像素子、カメラ、撮像素子の制御方法、並びにプログラム |
JP2013070364A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Aptina Imaging Corp | 汎用性相互接続性能を有するイメージセンサ |
WO2013164915A1 (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-07 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP2015128284A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-07-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び携帯電話機 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001069408A (ja) | 1999-08-30 | 2001-03-16 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法ならびにカメラシステム |
JP5104098B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-12-19 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置 |
TWI357262B (en) * | 2007-11-14 | 2012-01-21 | Novatek Microelectronics Corp | Method for resetting image sensing operation and i |
JP2013066140A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-04-11 | Sony Corp | 撮像装置、および信号処理方法、並びにプログラム |
JP2014086889A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
KR102514137B1 (ko) | 2015-07-24 | 2023-03-27 | 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 | 이미지 센서, 및, 전자 기기 |
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2006157862A (ja) * | 2004-11-08 | 2006-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Mos型撮像素子および撮像装置 |
JP2010021697A (ja) * | 2008-07-09 | 2010-01-28 | Sony Corp | 撮像素子、カメラ、撮像素子の制御方法、並びにプログラム |
JP2013070364A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Aptina Imaging Corp | 汎用性相互接続性能を有するイメージセンサ |
WO2013164915A1 (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-07 | 株式会社ニコン | 撮像装置 |
JP2015128284A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-07-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び携帯電話機 |
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