JPWO2016208447A1 - マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 - Google Patents

マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置 Download PDF

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Abstract

デュプレクサ及び該デュプレクサ以外の帯域通過型フィルタを有し、デュプレクサのフィルタ特性において、他の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量が大きくされている、マルチプレクサを提供する。マルチプレクサは実装基板１４上に配置される。マルチプレクサは、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂにより構成されているデュプレクサ２Ａ及びデュプレクサ２Ａ以外の少なくとも１個の帯域通過型フィルタを有する。第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、それぞれ第１，第２の積層体１１Ａ，１１Ｂを有し、別の部品として構成されている。デュプレクサ２Ａにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域と、デュプレクサ２Ａ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域とを異ならせるように、第１の積層体１１Ａの構成と第２の積層体１１Ｂの構成とが異なっている。

Description

本発明は、通過帯域が異なる複数の帯域通過型フィルタを有するマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置に関する。
通信の高速化のために、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）などが用いられている。ＣＡにおいては、一般的に、複数のフィルタのアンテナ端子を共通化することで、周波数帯域が異なる複数の信号を同時に送受信して、通信を高速化する。ＣＡには、通過帯域が異なる複数の帯域通過型フィルタを有するマルチプレクサが広く用いられている。
下記の特許文献１には、マルチプレクサの帯域通過型フィルタとして用い得る弾性波装置が開示されている。この弾性波装置は、支持基板と、支持基板上に積層された高音速膜と、高音速膜上に積層された低音速膜と、低音速膜上に積層された圧電膜とを有する。圧電膜上にＩＤＴ電極が設けられている。
国際公開第２０１２／０８６６３９号
特許文献１に記載の弾性波装置を含むマルチプレクサを複数のフィルタのアンテナ端子を共通化して構成した場合、所定のフィルタ同士を１チップで作成してしまうと、上記弾性波装置の通過帯域よりも高域側の周波数域において、高次モードスプリアスが発生することがあった。よって、上記弾性波装置のフィルタ特性において、上記弾性波装置以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量を充分に大きくすることができなかった。
本発明の目的は、デュプレクサ及び該デュプレクサ以外の帯域通過型フィルタを有し、デュプレクサのフィルタ特性において、他の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量が大きくされている、マルチプレクサを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記マルチプレクサを含む高周波フロントエンド回路及び通信装置を提供することにある。
本発明に係るマルチプレクサは、実装基板上に配置されるマルチプレクサであって、アンテナ端子と、前記アンテナ端子に共通接続されており、通過帯域がそれぞれ異なる複数の帯域通過型フィルタとを備え、前記複数の帯域通過型フィルタが、第１，第２の圧電基板を有する第１，第２の帯域通過型フィルタと、前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを有し、前記第１，第２の帯域通過型フィルタがデュプレクサを構成しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第１の高音速部材を含む第１の支持基板の上に、前記第１の圧電基板が積層されており、前記第１の圧電基板上に第１のＩＤＴ電極が積層されている第１の積層体を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第２の高音速部材を含む第２の支持基板の上に、前記第２の圧電基板が積層されており、前記第２の圧電基板上に第２のＩＤＴ電極が積層されている第２の積層体を有し、前記第１の帯域通過型フィルタと前記第２の帯域通過型フィルタとは、前記実装基板上に別の部品として配置されており、前記第１，第２の帯域通過型フィルタにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域と、前記複数の帯域通過型フィルタの内の前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域とを異ならせるように、前記第１の積層体の構成と前記第２の積層体の構成とが異なっている。
本発明に係るマルチプレクサのある特定の局面では、前記第１の支持基板と前記第１の圧電基板との間に積層されており、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である第１の低音速膜を前記第１の積層体が有し、前記第２の支持基板と前記第２の圧電基板との間に積層されており、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である第２の低音速膜を前記第２の積層体が有する。この場合には、Ｑ値をより一層高めることができる。
本発明に係るマルチプレクサの他の特定の局面では、前記第１の低音速膜の厚みと前記第２の低音速膜の厚みとが異なる。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。
本発明に係るマルチプレクサのさらに他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴ電極の厚みと前記第２のＩＤＴ電極の厚みとが異なる。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量がより一層大きい。
本発明に係るマルチプレクサの別の特定の局面では、前記第１の圧電基板の厚みと前記第２の圧電基板の厚みとが異なる。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。
本発明に係るマルチプレクサのさらに別の特定の局面では、前記第１の支持基板が前記第１の高音速部材からなる第１の高音速基板であり、前記第２の支持基板が前記第２の高音速部材からなる第２の高音速基板である。この場合には、Ｑ値を高めることができる。
本発明に係るマルチプレクサのさらに別の特定の局面では、前記第１の高音速基板と前記第２の高音速基板とがＳｉからなり、前記第１の高音速基板の結晶方位と前記第２の高音速基板の結晶方位とが異なる。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。
本発明に係るマルチプレクサのさらに別の特定の局面では、前記第１，第２の圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる。
本発明に係るマルチプレクサのさらに別の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタまたは前記第２の帯域通過型フィルタが、前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの内の少なくとも１個の帯域通過型フィルタと同一の支持基板上において構成されており、一体の部品として構成されている。この場合には、マルチプレクサを小型にすることができる。
本発明に係るマルチプレクサのさらに別の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタ、前記第２の帯域通過型フィルタ及び前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタがそれぞれ別の支持基板上において構成されており、それぞれ別の部品として構成されている。この場合には、各帯域通過型フィルタにおいてＱ値を高め得る。さらに、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量を大きくすることができる。
本発明に係るマルチプレクサの他の広い局面では、アンテナ端子と、前記アンテナ端子に共通接続されており、通過帯域がそれぞれ異なる複数の帯域通過型フィルタとを備え、前記複数の帯域通過型フィルタが、第１，第２の圧電基板を有する第１，第２の帯域通過型フィルタと、前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを有し、前記第１，第２の帯域通過型フィルタがデュプレクサを構成しており、前記第１の帯域通過型フィルタが、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第１の高音速基板上に、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である第１の低音速膜が積層されており、前記第１の低音速膜上に前記第１の圧電基板が積層されており、前記第１の圧電基板上に第１のＩＤＴ電極が積層されている第１の積層体を有し、前記第１の帯域通過型フィルタは、通過帯域が１９３０ＭＨｚ以上、１９９５ＭＨｚ以下の受信フィルタであり、前記第２の帯域通過型フィルタが、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第２の高音速基板上に、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である第２の低音速膜が積層されており、前記第２の低音速膜上に前記第２の圧電基板が積層されており、前記第２の圧電基板上に第２のＩＤＴ電極が積層されている第２の積層体を有し、前記第２の帯域通過型フィルタは、通過帯域が１８５０ＭＨｚ以上、１９１５ＭＨｚ以下の送信フィルタであり、前記第１の圧電基板の厚みが前記第２の圧電基板の厚みよりも厚い。この場合には、Ｑ値を高めることができる。さらに、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。
本発明に係るマルチプレクサの他の特定の局面では、前記第１，第２の帯域通過型フィルタにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域が、１７０５ＭＨｚ以上、１７５５ＭＨｚ以下、２１０５ＭＨｚ以上、２１５５ＭＨｚ以下、２３０５ＭＨｚ以上、２３１５ＭＨｚ以下及び２３５０ＭＨｚ以上、２３６０ＭＨｚ以下の周波数域のいずれとも異なる。この場合には、第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、上記各通過帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。
本発明に係る高周波フロントエンド回路は、本発明に従って構成されているマルチプレクサを含む。
本発明に係る通信装置は、本発明に従って構成されているマルチプレクサを含む。
本発明によれば、デュプレクサの第１，第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、他の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量を大きくすることができる、マルチプレクサを提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るマルチプレクサの模式図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における第１のデュプレクサの回路図である。 図３は、本発明の第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタが実装基板にそれぞれ別の部品として実装された状態の模式的正面断面図である。 図４（ａ）は、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの模式的平面図であり、図４（ｂ）は、本発明の第１の実施形態における第２の帯域通過型フィルタの模式的平面図である。 図５は、比較例のマルチプレクサの模式図である。 図６は、比較例における第１のデュプレクサの模式的平面図である。 図７は、比較例における第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、比較例における第２の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図９は、本発明の第１の実施形態おける第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態における第２の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態における第１のデュプレクサが実装基板に実装された状態の模式的正面断面図である。 図１２は、本発明の第３の実施形態としての通信装置を説明するための回路図である。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るマルチプレクサの模式図である。
マルチプレクサ１は、アンテナ端子４を有する。アンテナ端子４は、アンテナに接続される。マルチプレクサ１は、アンテナ端子４に共通接続されており、通過帯域がそれぞれ異なる第１〜第６の帯域通過型フィルタ３Ａ〜３Ｆを有する。より具体的には、マルチプレクサ１は、第１〜第３のデュプレクサ２Ａ〜２Ｃを有する。第１〜第３のデュプレクサ２Ａ〜２Ｃが、それぞれ２個の帯域通過型フィルタを有する。第１のデュプレクサ２Ａは、Ｂａｎｄ２５の通過帯域を有するデュプレクサである。第２のデュプレクサ２Ｂは、Ｂａｎｄ４の通過帯域を有するデュプレクサである。第３のデュプレクサ２Ｃは、Ｂａｎｄ３０の通過帯域を有するデュプレクサである。
図２は、第１の実施形態における第１のデュプレクサの回路図である。
第１のデュプレクサ２Ａは、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂを有する。本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは受信フィルタである。第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｐ１１〜Ｐ１３及び縦結合共振子型弾性波フィルタ５を有する。他方、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、送信フィルタである。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４を有するラダー型フィルタである。なお、回路構成の詳細は後述する。
図３は、第１の実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタが実装基板にそれぞれ別の部品（別チップ）として実装された状態の模式的正面断面図である。ここで、部品とは、実装基板上に配置される、個片化された素子をいう。
第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、第１，第２の圧電基板８Ａ，８Ｂをそれぞれ有する。第１の圧電基板８Ａの厚みの方が、第２の圧電基板８Ｂの厚みよりも厚い。第１，第２の圧電基板８Ａ，８Ｂは、カット角５０°のＬｉＴａＯ３からなる。なお、圧電基板の材料としては、特に限定されないが、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、ＡｌＮ、または、ＰＺＴのいずれかを好適に用いることができる。なお、圧電基板とは、支持基板、支持基板の上に形成された低音速膜、低音速膜の上に形成された圧電薄膜とで構成される構造を含む。そして、圧電薄膜は、ＩＤＴ電極の電極周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下であることが好ましい。圧電薄膜の膜厚を１．５λ以下の範囲内で選択することにより、電気機械結合係数を容易に調整することができるからである。加えて、圧電薄膜の厚みが１．５λ〜３．５λの範囲では、Ｑ値を高め得るだけでなく、圧電薄膜のばらつきによる特性ばらつきを抑制することができるからである。
第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の高音速部材からなる第１の支持基板としての、第１の高音速基板６Ａを有する。第１の高音速基板６Ａは、第１の圧電基板８Ａを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速な基板である。第１の高音速基板６Ａは、Ｓｉからなる。なお、第１の高音速基板は、上記音速の関係を満たすＳｉ以外の適宜の材料からなっていてもよい。
なお、バルク波の音速は材料に固有の音速であり、波の進行方向すなわち縦方向に振動するＰ波と、進行方向に垂直な方向である横方向に振動するＳ波とが存在する。上記バルク波は、圧電基板、高音速部材、低音速膜のいずれにおいても伝搬する。等方性材料の場合には、Ｐ波とＳ波とが存在する。異方性材料の場合、Ｐ波と、遅いＳ波と、速いＳ波とが存在する。そして、異方性材料を用いて弾性表面波を励振した場合、２つのＳ波として、ＳＨ波とＳＶ波とが生じる。本明細書において、圧電基板を伝搬するメインモードの弾性波の音速とは、Ｐ波、ＳＨ波及びＳＶ波の３つのモードのうち、フィルタとしての通過帯域や、共振子としての共振特性を得るために使用しているモードを言うものとする。
第１の高音速基板６Ａ上には、第１の低音速膜７Ａが積層されている。第１の低音速膜７Ａは、第１の圧電基板８Ａを伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速な膜である。第１の低音速膜７Ａは、ＳｉＯ２からなる。なお、第１の低音速膜は、上記バルク波の音速が相対的に低いＳｉＯ２以外の適宜の材料からなっていてもよい。このような材料としては、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素などを加えた化合物などを挙げることができる。第１の低音速膜は、これらの材料を主成分とする混合材料からなるものであってもよい。
なお、本実施形態では、第１の支持基板が、第１の高音速部材のみからなる第１の高音速基板６Ａが用いられている。もっとも、本発明においては、第１の支持基板は、第１の高音速部材を含む限り、第１の支持基板の全体が第１の高音速部材からなる必要はない。例えば、絶縁性基板上に、第１の高音速部材からなる層が積層されていてもよい。第２の支持基板についても、第２の高音速部材を有する限り、その全体が第２の高音速部材からなる必要は必ずしもない。
なお、高音速部材と圧電基板との間に密着層が形成されていてもよい。密着層を形成すると、高音速部材と圧電基板との密着性を向上させることができる。密着層は、樹脂や金属であればよく、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂が用いられる。
なお、高音速部材の材料としては、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチュウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、マグネシア、ダイヤモンド、または、上記各材料を主成分とする材料、上記各材料の混合物を主成分とする材料のいずれかを好適に用いることができる。
第１の低音速膜７Ａ上に、上記第１の圧電基板８Ａが積層されている。第１の圧電基板８Ａ上には、第１のＩＤＴ電極９Ａが積層されている。第１のＩＤＴ電極９Ａは、Ｔｉ層上にＣｕを１重量％含有したＡｌ層が積層された積層体からなる。なお、第１のＩＤＴ電極は、適宜の金属もしくは合金により形成し得る。第１のＩＤＴ電極は単層であってもよく、あるいは、複数の金属膜が積層してなる積層体であってもよい。
このように、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、第１の高音速基板６Ａ、第１の低音速膜７Ａ、第１の圧電基板８Ａ及び第１のＩＤＴ電極９Ａからなる第１の積層体１１Ａを有する。このため、特許文献１に記載のように、Ｑ値を高めることができる。
第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の高音速基板６Ｂを有する。第２の高音速基板６Ｂは、第２の高音速部材からなる第２の支持基板である。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第２の高音速基板６Ｂ、第２の低音速膜７Ｂ、第２の圧電基板８Ｂ及び第２のＩＤＴ電極９Ｂが順番に積層されている、第２の積層体１１Ｂを有する。第２の積層体１１Ｂの各層も、第１の積層体１１Ａの各層と同様の音速の関係を有する。よって、Ｑ値を高めることができる。本実施形態では、第２の積層体１１Ｂの各層は、第１の積層体１１Ａの各層と同様の材料からなる。
第１，第２の高音速基板６Ａ，６Ｂの厚みは２００μｍである。第１，第２の低音速膜７Ａ，７Ｂの厚みは６７０ｎｍである。第１の圧電基板８Ａの厚みは６００ｎｍである。第２の圧電基板８Ｂの厚みは５００ｎｍである。第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９ＢのＴｉ層の厚みは１２ｎｍであり、上記Ａｌ層の厚みは１６２ｎｍである。詳細は後述するが、上記各厚みは、これに限定されない。
第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂは、互いに別の部品として構成されており、実装基板１４に実装されている。
本実施形態の特徴は、以下の点にある。１）第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域と、第３〜第６の帯域通過型フィルタの通過帯域とを異ならせるように、第１の圧電基板８Ａの厚みと第２の圧電基板８Ｂの厚みとが異なっている点。２）第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂが、互いに別の部品として構成されている点。それによって、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂのフィルタ特性において、第３〜第６の帯域通過型フィルタの各通過帯域における減衰量を大きくすることができる。これを、以下において、本実施形態の詳細と共に説明する。
図３に示されているように、本実施形態の第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタ３Ａにおいては、第１の圧電基板８Ａ上に、第１のＩＤＴ電極９Ａに電気的に接続されている電極ランド１５が設けられている。電極ランド１５は、第１のＩＤＴ電極９Ａと同様の材料からなる。
第１の圧電基板８Ａ上には、実装基板１４側からの平面視において、第１のＩＤＴ電極９Ａを囲むように、支持部材１６が設けられている。支持部材１６は、第１のＩＤＴ電極９Ａが臨む開口部を有する。支持部材１６は、電極ランド１５を覆っている。支持部材１６は、適宜の樹脂材料からなる。
支持部材１６上には、支持部材１６の開口部を覆うように、カバー部材１７が設けられている。カバー部材１７、支持部材１６及び第１の圧電基板８Ａにより、第１のＩＤＴ電極９Ａが封止されている。
カバー部材１７及び支持部材１６を貫通し、一端が電極ランド１５に接続されるように、アンダーバンプメタル層１８が設けられている。アンダーバンプメタル層１８は、適宜の金属または合金からなる。
アンダーバンプメタル層１８の電極ランド１５とは反対側の端部には、バンプ１９が接合されている。バンプ１９は、例えば、はんだなどのろう材金属からなる。第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、バンプ１９を介して実装基板１４に実装されている。第１のＩＤＴ電極９Ａは、電極ランド１５、アンダーバンプメタル層１８及びバンプ１９を介して外部に電気的に接続される。
第２の帯域通過型フィルタ３Ｂも、第１の帯域通過型フィルタ３Ａと同様のＷＬＰ構造を有する。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタは、必ずしもＷＬＰ構造を有していなくともよい。
図４（ａ）は、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの模式的平面図である。図４（ｂ）は、第１の実施形態における第２の帯域通過型フィルタの模式的平面図である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）では、インダクタは省略している。図４（ａ）では、並列腕共振子の共通接続部を省略している。
図４（ａ）に示されているように、第１のＩＤＴ電極９Ａは、第１の圧電基板８Ａ上に複数設けられている。図４（ｂ）に示されているように、第２のＩＤＴ電極９Ｂは、第２の圧電基板８Ｂ上に複数設けられている。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す各第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂに電圧が印加されることにより、それぞれ弾性波が励振される。各第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂの弾性波伝搬方向の両側に、各反射器１０がそれぞれ設けられている。それによって、図２に示した第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂの各共振子が構成されている。反射器１０は、第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂと同様の材料により構成される。
各第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂは、対向し合う一対の櫛歯状電極をそれぞれ有する。各櫛歯状電極は、バスバーと、バスバーに一端が接続されている複数本の電極指をそれぞれ有する。一対の櫛歯状電極の複数本の電極指同士は、互いに間挿し合っている。他方、各反射器１０は、一対のバスバーと、一対のバスバーに両端が接続されている複数本の電極指とをそれぞれ有する。本実施形態の各第１，第２のＩＤＴ電極９Ａ，９Ｂ及び各反射器１０の各バスバーは、弾性波伝搬方向から傾斜した方向に延びている。なお、各バスバーが延びる方向は、特に限定されない。例えば、各バスバーは、弾性波伝搬方向に平行な方向に延びていてもよい。
本実施形態における第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂは、図２に示されている回路構成を有する。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタ３Ａは、特性調整用の共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｐ１１〜Ｐ１３及び縦結合共振子型弾性波フィルタ５を有する。入力端子としてのアンテナ端子４と、縦結合共振子型弾性波フィルタ５との間には、共振子Ｓ１１，Ｓ１２が互いに直列に接続されている。アンテナ端子４と共振子Ｓ１１との間の接続点と、グラウンド電位との間には、共振子Ｐ１１が接続されている。共振子Ｓ１１と共振子Ｓ１２との間の接続点と、グラウンド電位との間には、共振子Ｐ１２が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ５と出力端子１２との間の接続点と、グラウンド電位との間には、共振子Ｐ１３が接続されている。
第２の帯域通過型フィルタ３Ｂにおいては、入力端子１３と、出力端子としてのアンテナ端子４との間に、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５が互いに直列に接続されている。直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点と、グラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点と、グラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間の接続点と、グラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４と直列腕共振子Ｓ５との間の接続点と、グラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。並列腕共振子Ｐ２〜Ｐ４のグラウンド電位側はインダクタＬ１に共通接続されている。インダクタＬ１はグラウンド電位に接続されている。
第１のデュプレクサ２Ａは、共振子Ｓ１１とアンテナ端子４とを接続する配線と、アンテナ端子４と直列腕共振子Ｓ５とを接続する配線とに、アンテナ端子４に接続された配線が分岐する分岐点４ａを有する。アンテナ端子４と分岐点４ａとの間には、インピーダンス調整用のインダクタＬ２が接続されている。同様に、共振子Ｓ１１と共振子Ｐ１１との間の接続点と分岐点４ａとの間には、インダクタＬ３が接続されている。入力端子１３と直列腕共振子Ｓ１との間にも、インダクタＬ４が接続されている。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタの回路構成は、特に限定されない。
第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５及び並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４の各パラメータは、下記の表１の通りである。第１の帯域通過型フィルタ３Ａの共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｐ１１〜Ｐ１３の各パラメータは、下記の表２の通りである。なお、本明細書における波長とは、各共振子のＩＤＴ電極の電極指中心間の距離に基づいて規定される値である。本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１〜Ｓ５、並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ４及び共振子Ｓ１１，Ｓ１２，Ｐ１１〜Ｐ１３の各反射器における波長は、各共振子におけるＩＤＴ電極における波長と同じである。
交叉幅とは、ＩＤＴ電極を弾性波伝搬方向に見たときに、異なる電位に接続される複数本の電極指同士が重なっている部分の、各電極指が延びる方向の長さである。
図４（ａ）に示されているように、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの縦結合共振子型弾性波フィルタ５は、９個のＩＤＴ電極５ａ〜５ｉを有する９ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。各ＩＤＴ電極５ａ〜５ｉの、他のＩＤＴ電極に隣り合う部分においては、電極指中心間の距離が短い狭ピッチ部が設けられている。縦結合共振子型弾性波フィルタ５の各パラメータは、下記の表３の通りである。なお、縦結合共振子型弾性波フィルタ５の各反射器１０における波長をλＲとしたとき、各反射器１０とＩＤＴ電極５ａ，５ｉとの間の電極指中心間の距離は、０．５３λＲである。なお、縦結合共振子型弾性波フィルタの構成は、特に限定されない。
Figure 2016208447
Figure 2016208447
Figure 2016208447
他方、図１に示されているように、第２のデュプレクサ２Ｂは、第３，第４の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｄを有する。第３のデュプレクサ２Ｃは、第５，第６の帯域通過型フィルタ３Ｅ，３Ｆを有する。第３，第５の帯域通過型フィルタ３Ｃ，３Ｅは受信フィルタである。第４，第６の帯域通過型フィルタ３Ｄ，３Ｆは送信フィルタである。
第１〜第６の帯域通過型フィルタ３Ａ〜３Ｆの通過帯域は、以下の通りである。第１の帯域通過型フィルタ３Ａの通過帯域：１９３０ＭＨｚ以上、１９９５ＭＨｚ以下（Ｂａｎｄ２５の受信帯域）。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの通過帯域：１８５０ＭＨｚ以上、１９１５ＭＨｚ以下（Ｂａｎｄ２５の送信帯域）。第３の帯域通過型フィルタ３Ｃの通過帯域：２１０５ＭＨｚ以上、２１５５ＭＨｚ以下（Ｂａｎｄ４の受信帯域）。第４の帯域通過型フィルタ３Ｄの通過帯域：１７０５ＭＨｚ以上、１７５５ＭＨｚ以下（Ｂａｎｄ４の送信帯域）。第５の帯域通過型フィルタ３Ｅの通過帯域：２３５０ＭＨｚ以上、２３６０ＭＨｚ以下（Ｂａｎｄ３０の受信帯域）。第６の帯域通過型フィルタ３Ｆの通過帯域：２３０５ＭＨｚ以上、２３１５ＭＨｚ以下（Ｂａｎｄ３０の送信帯域）。
比較例を用いて、本実施形態の特徴を説明する。
図５は、比較例のマルチプレクサの模式図である。図６は、比較例における第１のデュプレクサの模式的平面図である。
図５に示されているように、マルチプレクサ１０１においては、第１のデュプレクサ１０２Ａの構成が第１の実施形態と異なる。より具体的には、図６に示されているように、第１，第２の帯域通過型フィルタ１０３Ａ，１０３Ｂが同じ高音速基板１０６上おいて構成されている点で、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、図５に示すマルチプレクサ１０１は、第１の実施形態のマルチプレクサ１と同様の構成を有する。
図７は、比較例における第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図８は、比較例における第２の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図７及び図８中の通過帯域Ａ，Ｂ，Ｃは第３，第５，第６の帯域通過型フィルタの通過帯域を示す。後述する図９及び図１０においても同様である。なお、第４の帯域通過型フィルタの通過帯域は、第１，第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置する。
図７に示されているように、第１の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも高域側において、高次モードスプリアスが発生している。第１の帯域通過型フィルタの高次モードスプリアスの周波数域は、通過帯域Ａ，Ｂ，Ｃのいずれとも異なる。他方、図８に示されているように、第２の帯域通過型フィルタの高次モードスプリアスは、通過帯域Ｃを含む周波数域に発生している。そのため、比較例では、第２の帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、第６の帯域通過型フィルタの通過帯域Ｃにおける減衰量が小さい。
比較例においては、第２の帯域通過型フィルタの高次モードスプリアスの周波数域に対して、第１の帯域通過型フィルタにおける第１の積層体の構成が与える影響が大きかった。同様に、第１の帯域通過型フィルタの高次モードスプリアスの周波数域に対する、第２の積層体の構成が与える影響も大きかった。そのため、第３〜第６の帯域通過型フィルタの通過帯域と異なる周波数域に、第１，第２の帯域通過型フィルタの高次モードスプリアスの周波数域を双方とも位置させるということは困難であった。
図９は、第１の実施形態おける第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図１０は、第１の実施形態における第２の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
図９及び図１０に示されているように、第１の実施形態では、第１，第２の帯域通過型フィルタの双方において、第３〜第６の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量を小さくすることができている。
図３に示されているように、本実施形態の第１のデュプレクサ２Ａでは、第１の帯域通過型フィルタ３Ａと第２の帯域通過型フィルタ３Ｂとは、互いに別の部品として構成されている。それによって、第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの高次モードスプリアスの周波数域に対して、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの第１の積層体１１Ａの構成が与える影響は小さい。同様に、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの高次モードスプリアスの周波数域に対して、第２の積層体１１Ｂの構成が与える影響も小さい。
また、第１の圧電基板８Ａの厚みが第２の圧電基板８Ｂの厚みよりも厚くされている。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタ３Ａの高次モードスプリアスの周波数域と、第３〜第６の帯域通過型フィルタの通過帯域とが異なるように、第１の積層体１１Ａが構成されている。第２の帯域通過型フィルタ３Ｂの高次モードスプリアスの周波数域と、第３〜第６の帯域通過型フィルタの通過帯域とが異なるように、第２の積層体１１Ｂも構成されている。それによって、第１，第２の帯域通過型フィルタ３Ａ，３Ｂのフィルタ特性において、第３〜第６の帯域通過型フィルタの各通過帯域における減衰量を大きくすることができる。
本実施形態では、第１，第２の圧電基板８Ａ，８Ｂの厚みを異ならせたことにより、第１，第２の積層体１１Ａ，１１Ｂの構成を異ならせている。なお、第１の積層体の構成と第２の積層体の構成とは、上記以外の要素において異なっていてもよい。例えば、第１の低音速膜の厚みと第２の低音速膜の厚みとが異なっていてもよい。あるいは、第１の高音速基板におけるＳｉの結晶方位と第２の高音速基板のＳｉの結晶方位とが異なっていてもよい。第１のＩＤＴ電極の厚みと第２のＩＤＴ電極の厚みとが異なっていてもよい。第１，第２の帯域通過型フィルタの高次モードスプリアスの周波数域と、第３〜第６の帯域通過型フィルタの通過帯域とを異ならせるように、これらの要素を異ならせてもよい。
本実施形態では、第１の支持基板は、第１の高音速部材からなる第１の高音速基板６Ａである。なお、第１の支持基板は、第１の高音速部材を含む支持基板であればよい。例えば、第１の高音速部材は、第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第１の高音速膜であってもよい。第１の支持基板は、第１の高音速膜が積層された支持基板であってもよい。この場合には、第１の支持基板の第１の高音速膜側に第１の低音速膜が積層されていることが好ましい。それによって、Ｑ値を効果的に高めることができる。
第２の支持基板も、第１の支持基板と同様に、第２の高音速膜が積層された支持基板であってもよい。第２の支持基板の第２の高音速膜側に第２の低音速膜が積層されていることが好ましい。
本実施形態では、図１に示すように、第１の帯域通過型フィルタ３Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ３Ｂは、第３〜第６の帯域通過型フィルタ３Ｃ〜３Ｆのいずれの帯域通過型フィルタとも別の支持基板上において構成されている。
第３〜第６の帯域通過型フィルタ３Ｃ〜３Ｆは上記第１，第２の積層体と同様の音速関係を有する積層体を含む。そのため、各通過帯域においてＱ値が高い。さらに、第１，第２の積層体の構成と第３〜第６の帯域通過型フィルタ３Ｃ〜３Ｆの各積層体の構成とは、それぞれ別の部品として構成されているため、互いに影響を与え難い。従って、各帯域通過型フィルタのフィルタ特性において、他の各通過帯域における減衰量を大きくすることができる。
なお、第１の帯域通過型フィルタは、第３〜第６の帯域通過型フィルタの内の少なくとも１個の帯域通過型フィルタと同じ支持基板上において構成されていてもよい。同様に、第２の帯域通過型フィルタも、第３〜第６の帯域通過型フィルタの内の少なくとも１個の帯域通過型フィルタと一体の部品として構成されていてもよい。この場合においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、マルチプレクサを小型にすることもできる。
本発明のマルチプレクサは、第１のデュプレクサを有していればよく、他の構成は特に限定されない。例えば、デュプレクサを構成しない帯域通過型フィルタを有していてもよく、あるいは、２個よりも多い帯域通過型フィルタを含むトリプレクサなどのフィルタを有していてもよい。
図１１は、本発明の第２の実施形態における第１のデュプレクサの模式的正面断面図である。
第２の実施形態のマルチプレクサにおいては、第１のデュプレクサ２２Ａの構成が第１の実施形態と異なる。より具体的には、第１のデュプレクサ２２Ａの第１，第２の積層体３１Ａ，３１Ｂの構成が、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態のマルチプレクサは、第１の実施形態のマルチプレクサ１と同様の構成を有する。
第１の積層体３１Ａは、第１の高音速基板６Ａ、第１の圧電基板８Ａ及び第１のＩＤＴ電極９Ａが、この順番に積層された積層体である。第１の積層体３１Ａは、低音速膜を有しない。第２の積層体３１Ｂは、第２の高音速基板６Ｂ、第２の圧電基板８Ｂ及び第２のＩＤＴ電極９Ｂが、この順番に積層された積層体である。第２の積層体３１Ｂも低音速膜を有しない。
第１の積層体３１Ａにおいて、第１の高音速基板６Ａと第１の圧電基板８Ａとは、例えば接着剤により接合されていてもよい。第２の積層体３１Ｂにおいても、第２の高音速基板６Ｂと第２の圧電基板８Ｂとは、接着剤などにより接合されていてもよい。
この場合においても、第１，第２の帯域通過型フィルタ２３Ａ，２３Ｂにおいて、Ｑ値を高めることができる。さらに、第１の実施形態と同様に、第１のデュプレクサ２２Ａのフィルタ特性において、他の帯域通過型フィルタの通過帯域における減衰量を大きくすることができる。
図１２は、本発明の第３の実施形態としての通信装置を説明するための回路図である。通信装置４１では、アンテナ共通端子４２に、第１〜第３の帯域通過型フィルタ４３〜４５の一端が共通接続点４６を介して共通接続されている。そこで、第１〜第３の帯域通過型フィルタ４３〜４５及びＬＮＡ５１（Ｌｏｗ Ｎｏｉｓｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）が接続されている。アンテナ共通端子４２には、スイッチ５２が接続されている。このスイッチ５２からＬＮＡ５１までの部分が、高周波フロントエンド回路５３を構成している。高周波フロントエンド回路５３のＬＮＡ５１が、ＲＦＩＣ５４に接続されている。ＲＦＩＣ５４は、ＢＢＩＣ５８（Ｂａｓｅ Ｂａｎｄ ＩＣ）、ＣＰＵ５９及びディスプレイ５５に接続されている。通信装置４１は、上記高周波フロントエンド回路５３と、ＲＦＩＣ５４、ＢＢＩＣ５８、ＣＰＵ５９及びディスプレイ５５を備える。
上記第１〜第３の帯域通過型フィルタ４３〜４５が構成されている部分に、本発明のマルチプレクサを適用することができる。
１…マルチプレクサ
２Ａ〜２Ｃ…第１〜第３のデュプレクサ
３Ａ〜３Ｆ…第１〜第６の帯域通過型フィルタ
４…アンテナ端子
４ａ…分岐点
５…縦結合共振子型弾性波フィルタ
５ａ〜５ｉ…ＩＤＴ電極
６Ａ，６Ｂ…第１，第２の高音速基板
７Ａ，７Ｂ…第１，第２の低音速膜
８Ａ，８Ｂ…第１，第２の圧電基板
９Ａ，９Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
１０…反射器
１１Ａ，１１Ｂ…第１，第２の積層体
１２…出力端子
１３…入力端子
１４…実装基板
１５…電極ランド
１６…支持部材
１７…カバー部材
１８…アンダーバンプメタル層
１９…バンプ
２２Ａ…第１のデュプレクサ
２３Ａ，２３Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２の積層体
４１…通信装置
４２…アンテナ共通端子
４３〜４５…第１〜第３の帯域通過型フィルタ
５１…ＬＮＡ
５２…スイッチ
５３…高周波フロントエンド回路
５４…ＲＦＩＣ
５５…ディスプレイ
５８…ＢＢＩＣ
５９…ＣＰＵ
１０１…マルチプレクサ
１０２Ａ…第１のデュプレクサ
１０３Ａ，１０３Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
１０６…高音速基板
Ｓ１〜Ｓ５…直列腕共振子
Ｐ１〜Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１１，Ｓ１２，Ｐ１１〜Ｐ１３…共振子
Ｌ１〜Ｌ４…インダクタ

Claims (14)

  1. 実装基板上に配置されるマルチプレクサであって、
    アンテナ端子と、
    前記アンテナ端子に共通接続されており、通過帯域がそれぞれ異なる複数の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    前記複数の帯域通過型フィルタが、第１，第２の圧電基板を有する第１，第２の帯域通過型フィルタと、前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを有し、前記第１，第２の帯域通過型フィルタがデュプレクサを構成しており、
    前記第１の帯域通過型フィルタが、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第１の高音速部材を含む第１の支持基板の上に、前記第１の圧電基板が積層されており、前記第１の圧電基板上に第１のＩＤＴ電極が積層されている第１の積層体を有し、
    前記第２の帯域通過型フィルタが、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第２の高音速部材を含む第２の支持基板の上に、前記第２の圧電基板が積層されており、前記第２の圧電基板上に第２のＩＤＴ電極が積層されている第２の積層体を有し、
    前記第１の帯域通過型フィルタと前記第２の帯域通過型フィルタとは、前記実装基板上に別の部品として配置され、
    前記第１，第２の帯域通過型フィルタにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域と、前記複数の帯域通過型フィルタの内の前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの通過帯域とを異ならせるように、前記第１の積層体の構成と前記第２の積層体の構成とが異なっている、マルチプレクサ。
  2. 前記第１の支持基板と前記第１の圧電基板との間に積層されており、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である第１の低音速膜を前記第１の積層体が有し、
    前記第２の支持基板と前記第２の圧電基板との間に積層されており、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である第２の低音速膜を前記第２の積層体が有する、請求項１に記載のマルチプレクサ。
  3. 前記第１の低音速膜の厚みと前記第２の低音速膜の厚みとが異なる、請求項２に記載のマルチプレクサ。
  4. 前記第１のＩＤＴ電極の厚みと前記第２のＩＤＴ電極の厚みとが異なる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  5. 前記第１の圧電基板の厚みと前記第２の圧電基板の厚みとが異なる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  6. 前記第１の支持基板が前記第１の高音速部材からなる第１の高音速基板であり、前記第２の支持基板が前記第２の高音速部材からなる第２の高音速基板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  7. 前記第１の高音速基板と前記第２の高音速基板とがＳｉからなり、前記第１の高音速基板の結晶方位と前記第２の高音速基板の結晶方位とが異なる、請求項６に記載のマルチプレクサ。
  8. 前記第１，第２の圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  9. 前記第１の帯域通過型フィルタまたは前記第２の帯域通過型フィルタが、前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの内の少なくとも１個の帯域通過型フィルタと同一の支持基板上において構成されており、一体の部品として構成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  10. 前記第１の帯域通過型フィルタ、前記第２の帯域通過型フィルタ及び前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタがそれぞれ別の支持基板上において構成されており、それぞれ別の部品として構成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  11. アンテナ端子と、
    前記アンテナ端子に共通接続されており、通過帯域がそれぞれ異なる複数の帯域通過型フィルタと、
    を備え、
    前記複数の帯域通過型フィルタが、第１，第２の圧電基板を有する第１，第２の帯域通過型フィルタと、前記第１，第２の帯域通過型フィルタ以外の少なくとも１個の帯域通過型フィルタとを有し、前記第１，第２の帯域通過型フィルタがデュプレクサを構成しており、
    前記第１の帯域通過型フィルタが、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第１の高音速基板上に、前記第１の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である第１の低音速膜が積層されており、前記第１の低音速膜上に前記第１の圧電基板が積層されており、前記第１の圧電基板上に第１のＩＤＴ電極が積層されている第１の積層体を有し、前記第１の帯域通過型フィルタは、通過帯域が１９３０ＭＨｚ以上、１９９５ＭＨｚ以下の受信フィルタであり、
    前記第２の帯域通過型フィルタが、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が高速である第２の高音速基板上に、前記第２の圧電基板を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である第２の低音速膜が積層されており、前記第２の低音速膜上に前記第２の圧電基板が積層されており、前記第２の圧電基板上に第２のＩＤＴ電極が積層されている第２の積層体を有し、前記第２の帯域通過型フィルタは、通過帯域が１８５０ＭＨｚ以上、１９１５ＭＨｚ以下の送信フィルタであり、
    前記第１の圧電基板の厚みが前記第２の圧電基板の厚みよりも厚い、マルチプレクサ。
  12. 前記第１，第２の帯域通過型フィルタにおいて発生する高次モードスプリアスの周波数域が、１７０５ＭＨｚ以上、１７５５ＭＨｚ以下、２１０５ＭＨｚ以上、２１５５ＭＨｚ以下、２３０５ＭＨｚ以上、２３１５ＭＨｚ以下及び２３５０ＭＨｚ以上、２３６０ＭＨｚ以下の周波数域のいずれとも異なる、請求項１１に記載のマルチプレクサ。
  13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載のマルチプレクサを含む、高周波フロントエンド回路。
  14. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載のマルチプレクサを含む、通信装置。
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