CN105723615B - 分波器 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 14
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/562—Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6483—Ladder SAW filters
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
- H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
- H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0004—Impedance-matching networks
- H03H9/0009—Impedance-matching networks using surface acoustic wave devices
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0004—Impedance-matching networks
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
- H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
- H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
- H03H9/6476—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes the tracks being electrically parallel
Abstract
提供能在多种通信方式下同时进行发送以及接收、且能谋求低损耗化的分波器。在分波器(1)中,在第1天线端子具有第1发送滤波器部以及第1接收滤波器部的第1双工器、和在第2天线端子具有第2发送滤波器部以及第2接收滤波器部的第2双工器连接,第2发送滤波器部的第2发送频带以及第2接收滤波器部的第2接收频带位于第1发送滤波器部的第1发送频带与第1接收滤波器部的第1接收频带之间的频域,第2双工器的第2发送滤波器部以及第2接收滤波器部由弹性波滤波器(21)构成,该弹性波滤波器(21)具有依次层叠的作为高音速件的高音速膜(23)、相比于高音速膜(23)横波的传播速度相对低的低音速膜(24)、层叠在低音速膜(24)上的压电膜(25)、和层叠在压电膜(25)上的IDT电极(26)。
Description
技术领域
本发明涉及在例如便携通信终端中与天线端子连接的分波器,更详细地,设计能在多种通信方式下进行发送以及接收的分波器。
背景技术
以往,在便携电话机等中,谋求同时使用多个频率带进行发送或接收。这样的用途中所用的通信终端的一例在下述的专利文献1公开。在专利文献1中,为了同时发送或接收多个频率带的发送信号或接收信号,在天线端子连接多个双工器。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2011-119981号公报
发明内容
发明要解决的课题
但如专利文献1记载的那样,在将多个双工器连接在天线端子的构成中,在多个频率带下同时进行发送或接收的情况下,有时会使损耗变大。例如,在使用北美所用的通信标准即Band4和Band25同时进行发送或接收的情况下,有Band4中的损耗大的问题。在此,例如在Band25和Band4的多工器那样,将多个双工器或滤波器的天线端子公共化的情况下,需要使Band25的天线端的Band4频段的阻抗尽可能开路(无限大)。阻抗的虚数部虽然能用匹配元件调整,但阻抗的实数部给该器件自身和匹配元件的损耗分量带来影响。具体地,作为Band25的天线端的Band4频段中的阻抗特性,需要在史密斯圆图中使表示阻抗的曲线尽可能存在于外侧。但在现有的SAW双工器中,由于在声表面波的体波部分,泄漏的分量较大,因此损耗分量较大。为此,表示天线端的Band4频段的阻抗的曲线靠向史密斯圆图的内侧。因而若进行多工器化,则损耗变大。
本发明的目的在于,提供能在多种通信方式下同时进行发送以及接收、并且能谋求低损耗化的分波器。
用于解决课题的手段
本发明所涉及的分波器具备:第1双工器,其具有与天线连接的第1天线端子、与第1天线端子连接且有第1发送频带的第1发送滤波器部、和有第1接收频带的第1接收滤波器部;和第2双工器,其具有与天线连接的第2天线端子、与第2天线端子连接且有第2发送频带的第2发送滤波器部、和有第2接收频带的第2接收滤波器部,所述第2发送频带以及所述第2接收频带位于所述第1发送频带与所述第1接收频带之间的频域,所述第2双工器的所述第2发送滤波器部以及第2接收滤波器部由弹性波滤波器构成,该弹性波滤波器有压电膜,具有:高音速件,其相比于在所述压电膜中传播的弹性波音速,其所传播的体波音速更高速;低音速膜,其层叠在所述高音速件上,相比于在所述压电膜中传播的体波音速,其所传播的体波音速更低速;所述压电膜,其层叠在所述低音速膜上;和IDT电极,其层叠在所述压电膜上。
在本发明所涉及的分波器的某特定的局面下,所述高音速件是高音速膜,所述分波器还具备在上表面层叠了该高音速膜的支承基板。
在本发明所涉及的分波器其他特定的局面下,所述高音速件是高音速支承基板。
在本发明所涉及的分波器的另外特定的局面下,在将所述第1发送频带与所述第2发送频带的频率差设为Δf1、将所述第2接收频带与所述第1接收频带之间的频率差设为Δf2时,Δf1大于所述第2发送频带的下限频率的1%,Δf2大于所述第2接收频带的上限频率的1%。在该情况下,在第2双工器中,能更进一步有效地提高第1发送频带以及第1接收频带中的信号的反射率。因此能谋求更进一步的低损耗化。
在本发明所涉及的分波器的再其他特定的局面下,所述第1、第2发送滤波器部是梯型电路构成的滤波器部,所述第1、第2接收滤波器部是纵耦合谐振器型弹性波滤波器部。
在本发明所涉及的分波器的再其他特定的局面下,所述第1双工器是Band4用的双工器,所述第2双工器是Band25用的双工器。
发明的效果
根据本发明所涉及的分波器,由于第1发送频带、第1接收频带、第2发送频带以及第2接收频带为上述关系且第2双工器具有上述特定的构成,因此能在第1双工器中谋求低损耗化。因此,在第1发送频带与第2发送频带的频率差、和第2接收频带与第1接收频带的频率差小的情况下,也能谋求低损耗化。
附图说明
图1是表示本发明的1个实施方式中的分波器的第2双工器的结构的示意截面图。
图2是本发明的1个实施方式所涉及的分波器的框图。
图3是本发明的1个实施方式的分波器中的第2双工器的电路图。
图4是本发明的1个实施方式的分波器中的第1双工器的电路图。
图5是表示实施例以及比较例的双工器中的第1双工器的第1发送滤波器部的衰减量频率特性的图。
图6是表示实施例以及比较例的双工器中的第1双工器的第1接收滤波器部的衰减量频率特性的图。
图7是表示本发明的1个实施方式所涉及的分波器中的第2双工器的天线端的阻抗史密斯圆图的图。
图8是表示比较例的分波器中的第2双工器的天线端的阻抗史密斯圆图的图。
图9是表示本发明的1个实施方式所涉及的分波器中的第2发送滤波器部的频率与反射系数的关系的图。
图10是表示本发明的1个实施方式所涉及的分波器中的第2接收滤波器部的频率与反射系数的关系的图。
图11是表示本发明的其他实施方式所涉及的分波器的第2双工器的结构的示意截面图。
具体实施方式
以下参考附图来说明本发明的具体的实施方式,使本发明明了。
图2是本发明的1个实施方式所涉及的分波器的框图。分波器1具有与天线2连接的天线端子3。在该天线端子3经由阻抗匹配电路4连接第1、第2双工器11、12。阻抗匹配电路4由周知的使阻抗匹配的电路构成。另外,阻抗匹配电路4在本发明的分波器1中不是必须的构成。
在本实施方式中,分波器1在Band4和Band25这2种通信方式下使用。即,构成为能在该2种通信方式下同时进行发送或接收。
第1双工器11是Band4用双工器,第2双工器12是Band25用双工器。Band4的发送频带即第1发送频带是1710~1755MHz。Band4的接收频带即第1接收频带为2110~2155MHz。另一方面,Band25的发送频带即第2发送频带是1850~1915MHz,接收频带即第2接收频带是1930~1995MHz。
因此,第2发送频带和第2接收频带位于第1发送频带与第1接收频带之间。
另外,在将第1发送频带与第2发送频带的频率差设为Δf1、将第2接收频带与第1接收频带的频率差设为Δf2时,在本实施方式中,Δf1=95MHz,Δf2=115MHz。
如图2所示那样,第1双工器11具有第1发送端子11a以及第1接收端子11b。同样地,第2双工器12具有第2发送端子12a以及第2接收端子12b。以往,在能在Band4和Band25下同时进行发送或接收的分波器中,有在Band4用双工器即具有第1发送频带以及第1接收频带的第1双工器中损耗大这样的问题。与此相对,在本实施方式的分波器1中,能减低第1双工器11中的损耗。以下说明第1、第2双工器11、12的构成的详细来使其变得明了。
另外,在本实施方式中,第1、第2双工器11、12由声表面波装置构成。
图3是第2双工器12的电路图。第2双工器12具有:作为第2天线端子的公共连接端子12c、前述的第2发送端子12a、和第2接收端子12b。在公共连接端子12c与第2发送端子12a之间连接第2发送滤波器部13。
第2发送滤波器部13是有多个声表面波谐振器的梯型滤波器。更具体的,从公共连接端子12c向第2发送端子12a连接串联臂谐振器S1a~S1c、S2a~S2b、S3a~S3c、S4、S5a~S5c。
另一方面,在串联臂谐振器S1c与串联臂谐振器S2a间的连接点、与接地电位之间连接并联臂谐振器P1。在串联臂谐振器S2b与串联臂谐振器S3a间的连接点、与接地电位之间连接并联臂谐振器P2。在串联臂谐振器S3c与串联臂谐振器S4间的连接点、与接地电位之间配置相互串联连接的并联臂谐振器P3a、P3b。并联臂谐振器P1的接地电位侧端部、并联臂谐振器P2的接地电位侧端部和并联臂谐振器P3b的接地电位侧端部公共连接。在公共连接部分与接地电位之间连接电感L1。在串联臂谐振器S4与串联臂谐振器S5a间的连接点、与接地电位之间,相互串联地连接并联臂谐振器P4a、P4b以及电感L2。
上述串联臂谐振器S1a~S5c以及并联臂谐振器P1~P4b分别由声表面波谐振器构成。
在公共连接端子12c与第2接收端子12b之间连接第2接收滤波器部14。第2接收滤波器部14具有5IDT型的纵耦合谐振器型弹性波滤波器15。在纵耦合谐振器型弹性波滤波器15与公共连接端子12c之间,声表面波谐振器16、17相互串联连接。在声表面波谐振器16、17间的连接点、与接地电位之间连接声表面波谐振器18。
在纵耦合谐振器型弹性波滤波器15的接收端子侧端部与接地电位之间连接声表面波谐振器19。
于是,在本实施方式中,第2双工器12使用具有在压电膜的下方从上起依次层叠低音速以及高音速膜的结构的基板来构成。图1是示意示出这样的声表面波装置的结构的截面图。
如图1所示那样,声表面波装置21具有支承基板22。支承基板22能由适宜的绝缘体、半导体构成。在本实施方式中,支承基板22由Si构成。
在上述支承基板22上层叠横波的传播速度相对高的高音速膜23,作为高音速件。在高音速膜23上层叠低音速膜24。在低音速膜24上层叠压电膜25。然后在压电膜25上形成IDT电极26。该IDT电极26相当于构成前述的各声表面波谐振器或纵耦合谐振器型弹性波滤波器的IDT电极。
在说明书中,所谓高音速件,是指与在压电膜传播的表面波或边界波那样的弹性波的音速相比,该高音速件中的体波的音速更高速的构件。另外,所谓低音速膜,是指与在压电膜传播的体波相比、该低音速膜中的体波的音速更低速的膜。
作为构成上述高音速膜23以及低音速膜24的材料,能使用满足上述音速关系的适宜的绝缘性材料。作为这样的绝缘性材料,能举出氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化钛等。在本实施方式中,高音速膜23由AlN构成,低音速膜24由SiO2构成。
另外,关于压电膜25,能由适宜的压电材料形成。作为这样的压电材料,能举出LiTaO3、LiNbO3或水晶等的压电单晶、或PZT等的压电陶瓷等。
上述IDT电极26能由适宜的金属或合金形成。作为这样的金属或合金,例如能举出Cu、Al、Pt、Ti、W、Ag、Ag-Pd合金、AlCu合金等。另外,IDT电极26也可以由层叠多个金属膜而成的层叠金属膜形成。
另外,也可以形成适宜的保护膜来覆盖IDT电极26。
在上述声表面波装置21中,通过IDT电极26激振的声表面波在压电膜25传播。在该情况下,由于在下方层叠了低音速膜24以及高音速膜23,因此能抑制声表面波向下方的泄漏。因此,能有效果地将声表面波的能量封闭在压电膜25中。因而能提高Q值。
在本实施方式的分波器1中,由于第2双工器12使用上述声表面波装置21构成,因此在第2双工器12中能提高Q值。因此,在第2双工器12的频率特性中,能提高第1发送频带以及第1接收频带中的反射率。由此能在第1双工器11中谋求低损耗化。关于这点,基于实验例在后面更详细说明。
图4是第1双工器11的电路图。第1双工器11具有:作为第2天线端子的公共连接端子11c、第1发送端子11a和第1接收端子11b。
在公共连接端子11c与第1发送端子11a之间连接第1发送滤波器部31。第1发送滤波器部31由梯型滤波器构成。第1发送滤波器部31具有串联臂谐振器S11a~S15b。
与串联臂谐振器S15a、S15b并联地连接电感L11。在串联臂谐振器S11c、S12间的连接点、与接地电位之间,相互串联地连接并联臂谐振器P11a、P11b。在串联臂谐振器S12与串联臂谐振器S13a间的连接点、与接地电位之间,连接并联臂谐振器P12。在串联臂谐振器S13b与串联臂谐振器S14a间的连接点、与接地电位之间,相互串联地连接并联臂谐振器P13a和并联臂谐振器P13b。在并联臂谐振器P11b、P12以及P13b的接地电位侧端部与接地电位之间连接电感L12。在串联臂谐振器S14b与串联臂谐振器S15a间的连接点、与接地电位之间,连接并联臂谐振器P14。在并联臂谐振器P14的接地电位侧端部与接地电位之间连接电感L13。
另一方面,在公共连接端子11c与第1接收端子11b之间连接第1接收滤波器部32。第1接收滤波器部32具有第1、第2纵耦合谐振器型弹性波滤波器33、34。第1、第2纵耦合谐振器型弹性波滤波器33、34并联连接。在第1、第2纵耦合谐振器型弹性波滤波器33、34的输入端与公共连接端子11c之间相互串联地连接声表面波谐振器35a~35c。在纵耦合谐振器型弹性波滤波器33、34的输出端与接地电位之间相互串联地连接声表面波谐振器36a、36b。
在本实施方式中,第1双工器11也具有与图1所示的声表面波装置21同样的结构。因此,在第1双工器11中也能提高Q值。然而,第1双工器11并不一定非要具有上述声表面波装置21的结构。即,也可以使用没有低音速膜以及高音速膜的结构的声表面波装置来构成。
如前述那样,在本实施方式的分波器1中,在第2双工器12中能提高第1发送频带以及第1接收频带中的反射率,由此能谋求低损耗化。基于具体的实验例对其进行说明。
作为本发明的实施例,用以下的要领作成上述实施方式的双工器。
作为支承基板22,使用厚度200μm的Si基板。作为高音速膜23,使用厚度1345nm的AlN膜。作为低音速膜24,使用670nm的SiO2膜。作为压电膜25,使用厚度650nm的切割角55°的LiTaO3膜。作为IDT电极26,使用按照厚度12nm的Ti膜、厚度162nm的含有1重量%的Cu的AlCu膜的顺序将它们层叠形成的金属膜。在该IDT电极上形成厚度25nm的SiO2膜,作为保护膜。
根据上述层叠结构来制作具有第1、第2双工器11、12的分波器1。另外,第1、第2双工器11、12中的规格如以下那样。
(第2发送滤波器部13的规格)
串联臂谐振器S1a~S5c以及并联臂谐振器P1~P4b如以下的表1那样。
[表1]
(第2接收滤波器部14的规格)
5IDT型的纵耦合谐振器型弹性波滤波器15的规格如以下的表2以及表3那样。另外,表2中的IDTc表示中央的IDT,IDTa、IDTe表示两端的各IDT,IDTb表示设于IDTa与IDTc之间的IDT,IDTd表示配置在IDTc与IDTe之间的IDT。进而,所谓主部,表示除了窄间距部以外的电极指部分,所谓窄间距部,表示窄间距电极指部分。
[表2]
[表3]
电极指的对数 | |
IDT a、e主部 | 20.5 |
IDT a、e窄间距部 | 1.5 |
IDT b、d窄间距部(外) | 1 |
IDT b、d主部 | 13.5 |
IDT b、d窄间距部(内) | 3.5 |
IDT c窄间距部 | 4.5 |
IDT c主部 | 20 |
声表面波谐振器16~19的电极指的对数、交叉宽度以及占空比如以下的表4那样。
[表4]
声表面波谐振器 | 16 | 18 | 17 | 19 |
IDT波长(μm) | 1.917 | 1.917 | 1.917 | 1.9885 |
反射器波长(μm) | 和IDT相同 | 和IDT相同 | 和IDT相同 | 和IDT相同 |
交叉宽度(μm) | 28.95 | 28.95 | 28.95 | 60.78 |
IDT对数 | 80 | 80 | 80 | 82 |
反射器的电极指的条数 | 29 | 29 | 29 | 21 |
占空比 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
(第1发送滤波器部31的规格)
串联臂谐振器S11a~S15b以及并联臂谐振器P11a~P14的详细如以下的表5那样。
[表5]
(第1接收滤波器部32的规格)
第1、第2纵耦合谐振器型弹性波滤波器33、34的详细如以下的表6以及表7那样。
[表6]
[表7]
电极指的对数 | |
两端的IDT主部 | 19 |
两端的IDT窄间距部 | 2.5 |
这样的IDT窄间距部 | 3 |
中央的IDT主部 | 24 |
声表面波谐振器35a~35c、36a、36b的详细如以下的表8那样。
[表8]
声表面波谐振器 | 35a~35c | 36a、36b |
IDT波长(μm) | 1.8378 | 1.9049 |
反射器波长(μm) | 和IDT相同 | 和IDT相同 |
交叉宽度(μm) | 30 | 61 |
IDT对数 | 180 | 110 |
反射器的电极指的条数 | 58 | 38 |
占空比 | 0.5 | 0.5 |
为了比较,制作除了利用没有上述高音速膜以及低音速膜的声表面波装置以外,其他都和上述实施例同样的比较例的分波器。即,作为声表面波装置的层叠结构,使用在支承基板上形成厚度600nm的切割角55°的LiTaO3膜以及和上述同样的IDT电极的结构。
在图5以及图6中,实线表示实施例的结果,虚线表示比较例的结果。图5表示第1双工器的第1发送滤波器部的衰减量频率特性。图6表示第1双工器的第1接收滤波器部的衰减量频率特性。
如从图5以及图6所明确的那样,可知相比于比较例,根据实施例,能使第1发送频带以及第1接收频带中插入损耗更小。可知特别在发送频带中能更有效果地减小插入损耗。认为这是因为,在第2双工器12中提高了第1发送频带以及第1接收频带中的反射率。参考图7以及图8对其进行说明。
图7是表示上述实施例中的第2双工器的天线端的阻抗史密斯圆图的图。图8是表示上述比较例的分波器中的第2双工器的天线端的阻抗史密斯圆图的图。
图7以及图8中的标记M1表示1710MHz的位置,M2表示1755MHz的位置,M3表示2110MHz的位置,M4表示2155MHz的位置。即,标记M1与标记M2之间是Band4的发送带即第1发送频带,标记M3与标记M4之间是第1接收带即Band4的接收频带。
如将图7和图8比较所明确的那样,可知相比于比较例的情况,根据上述实施例,在第1接收频带以及第1发送频带的任意一方,表示阻抗史密斯圆图的曲线都更加靠近外周缘,反射率都更加接近于1。即,根据实施例,相比于比较例,能更提高第1发送频带以及第1接收频带中的第2双工器的反射率。由此,第1发送频带以及第1接收频带内的信号难以进入到第2双工器12。因此,如图5以及图6所示那样,认为在第1双工器11的发送特性以及接收特性中有效果地减低了损耗。
如上述那样,根据实施例,第2双工器12由于具有上述图1所示的层叠结构而Q值变高,认为由此提高了第1发送频带以及第1接收频带中的反射率。
因而根据本实施方式,能有效果地减小第1双工器11的第1发送频带以及第1接收频带中的损耗。因此,在Δf1以及Δf2小、与Band25和Band4对应的分波器1中,相比于现有的分波器,能达成大幅的低损耗化。
另外,上述那样的第1双工器11中的损耗的增大这样的问题,在上述Δf1以及Δf2小的情况下、即第1、第2双工器的通过频带间的差小的情况下,特别成为问题。在通过频带远离的情况下,反射率变得接近于1。
优选地,Δf1大于第2发送频带的下限频率的1%,Δf2大于第2接收频带的上限频率的1%。参考图9以及图10对其进行说明。
图9是在上述实施方式中表示从第2双工器的阻抗史密斯圆图求得的频率与反射系数的关系的图。在上述比较例中,在1650~1850MHz,反射系数最高也就0.83。与此相对,如从图9所明确的那样,根据上述实施方式,在1830MHz以下的频率能使反射系数为0.83以上。因此,若不足1830MHz,则相比于比较例,能更加提高反射系数。在此,第2发送频带的下限频率为1850MHz。因此可知,若使Δf1大于第2发送频带的下限频率的{(1850-1830)/1850}×100(%)=1.08(%),则能更有效果地谋求低损耗化。
图10也是表示在上述实施方式中根据第2双工器的阻抗史密斯圆图求得的频率与反射系数的关系的图。在1950MHz~2200MHz的高频侧的频域,在上述比较例中,反射系数的最大值为0.89。如从图10所明确的那样,在实施例中,在2015MHz反射系数为0.89。因此,若使Δf2大于第2接收频带的上限频率的{(2015-1995)/1995}×100(%)=1.00(%),则能使反射系数大于0.89。因此,通过使Δf2大于第2接收频带的上限频率的1%,能有效果地谋求高频侧的低损耗化。
另外,Δf1以及Δf2的上限虽然在技术上没有限制,但若考虑各种通信标准,则期望设为第2发送频带的下限频率以及第2接收频带的上限频率的50%程度。
在前述的实施方式中,如图1所示那样,作为高音速件的高音速膜23层叠在支承基板22上。但也可以取代该前述的结构,如图11所示那样,作为高音速件而使用高音速支承基板23A。在该情况下,能省略支承基板22。关于构成这样的高音速支承基板23A的材料,能利用与构成高音速膜23所用的材料同样的材料。
图11所示的声表面波装置41除了使用上述高音速支承基板23A以外,其他都和图1所示的声表面波装置21同样。
另外,在上述实施方式中,第1、第2发送滤波器部是梯型电路构成的滤波器,第1、第2接收滤波器部是纵耦合谐振器型弹性波滤波器,但各发送滤波器部以及接收滤波器部的电路构成并不限定于此。即,能由利用弹性波的各种电路构成的弹性波滤波器构成各发送滤波器部以及接收滤波器部。进而并不限定于声表面波,也可以使用声边界波。
另外,关于第1、第2双工器的发送频带以及接收频带,也如前述,并不限定于Band4以及Band25,能按照本发明构成各种与多个Band对应的分波器。
标号的说明
1 分波器
2 天线
3 天线端子
4 阻抗匹配电路
11 第1双工器
11a 第1发送端子
11b 第1接收端子
11c 公共连接端子
12 第2双工器
12a 第2发送端子
12b 第2接收端子
12c 公共连接端子
13 第2发送滤波器部
14 第2接收滤波器部
15 纵耦合谐振器型弹性波滤波器
16~19 声表面波谐振器
21 声表面波装置
22 支承基板
23 高音速膜
24 低音速膜
25 压电膜
26 IDT电极
31 第1发送滤波器部
32 第1接收滤波器部
33、34 第1、第2纵耦合谐振器型弹性波滤波器
35a~35c、36a、36b 声表面波谐振器
L1、L2、L11、L12、L13 电感
P1~P2 并联臂谐振器
P3a、P3b、P4a、P4b 并联臂谐振器
P11a、P11b、P12、P13a、P13b、P14 并联臂谐振器
S1a~S1c、S2a、S2b 串联臂谐振器
S3a~S3c、S4 串联臂谐振器
S5a~S5c 串联臂谐振器
S11a~S11c、S12、S13a、S13b、S14a、S14b、S15a、S15b 串联臂谐振器
Claims (6)
1.一种分波器,具备:
第1双工器,其具有与天线连接的第1天线端子、与所述第1天线端子连接且有第1发送频带的第1发送滤波器部、和有第1接收频带的第1接收滤波器部;
第2双工器,其具有与天线连接的第2天线端子、与所述第2天线端子连接且有第2发送频带的第2发送滤波器部、和有第2接收频带的第2接收滤波器部,
所述第2发送频带以及所述第2接收频带位于所述第1发送频带与所述第1接收频带之间的频域,
所述第2双工器的所述第2发送滤波器部以及第2接收滤波器部由弹性波滤波器构成,
该弹性波滤波器有压电膜,具有:
高音速件,相比于在所述压电膜中传播的弹性波音速,该高音速件所传播的体波音速为更高速;
低音速膜,其层叠在所述高音速件上,相比于在所述压电膜中传播的体波音速,该低音速膜所传播的体波音速为更低速;
所述压电膜,其层叠在所述低音速膜上;和
IDT电极,其层叠在所述压电膜上。
2.根据权利要求1所述的分波器,其中,
所述高音速件是高音速膜,
所述分波器还具备在上表面层叠了该高音速膜的支承基板。
3.根据权利要求1所述的分波器,其中,
所述高音速件是高音速支承基板。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的分波器,其中,
在将所述第1发送频带与所述第2发送频带的频率差设为Δf1、将所述第2接收频带与所述第1接收频带之间的频率差设为Δf2时,Δf1大于所述第2发送频带的下限频率的1%,Δf2大于所述第2接收频带的上限频率的1%。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的分波器,其中,
所述第1、第2发送滤波器部是梯型电路构成的滤波器部,所述第1、第2接收滤波器部是纵耦合谐振器型弹性波滤波器部。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的分波器,其中,
所述第1双工器是Band4用的双工器,所述第2双工器是Band25用的双工器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013247493 | 2013-11-29 | ||
JP2013-247493 | 2013-11-29 | ||
PCT/JP2014/080898 WO2015080045A1 (ja) | 2013-11-29 | 2014-11-21 | 分波器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105723615A CN105723615A (zh) | 2016-06-29 |
CN105723615B true CN105723615B (zh) | 2018-07-27 |
Family
ID=53198987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480061717.5A Active CN105723615B (zh) | 2013-11-29 | 2014-11-21 | 分波器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9882548B2 (zh) |
JP (1) | JPWO2015080045A1 (zh) |
CN (1) | CN105723615B (zh) |
DE (1) | DE112014005424T5 (zh) |
WO (1) | WO2015080045A1 (zh) |
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2014
- 2014-11-21 CN CN201480061717.5A patent/CN105723615B/zh active Active
- 2014-11-21 WO PCT/JP2014/080898 patent/WO2015080045A1/ja active Application Filing
- 2014-11-21 JP JP2015550902A patent/JPWO2015080045A1/ja active Pending
- 2014-11-21 DE DE112014005424.0T patent/DE112014005424T5/de not_active Ceased
-
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WO2015080045A1 (ja) | 2015-06-04 |
DE112014005424T5 (de) | 2016-08-18 |
US20160261249A1 (en) | 2016-09-08 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |