KR101969013B1 - 탄성파 장치 - Google Patents
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Abstract
압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생기기 어려우며, 적층막에서의 계면 박리가 생기기 어렵고, 또한 강도가 높은 탄성파 장치를 제공한다.
지지 기판(2) 상에 적층막(13)이 적층된 탄성파 장치(1). IDT 전극(5a, 5d)이 마련되어 있는 영역을 둘러싸도록 제1 지지층(8a)이 마련되어 있다. 제1 지지층(8a)에 둘러싸인 영역에 제2 지지층(8b)이 마련되어 있다. 제1, 제2 지지층(8a, 8b) 상에, 제1 지지층(8a)에 의해 형성된 개구부를 폐쇄하도록 커버 부재(9)가 고정되어 있다. 적층막(13)이 부분적으로 존재하지 않고, 적층막(13)이 존재하지 않는 영역(R1)의 적어도 일부에 절연층(12)이 마련되어 있다. 제1 지지층(8a) 및 제2 지지층(8b) 중 적어도 한쪽이 절연층(12) 상에 마련되어 있다.
지지 기판(2) 상에 적층막(13)이 적층된 탄성파 장치(1). IDT 전극(5a, 5d)이 마련되어 있는 영역을 둘러싸도록 제1 지지층(8a)이 마련되어 있다. 제1 지지층(8a)에 둘러싸인 영역에 제2 지지층(8b)이 마련되어 있다. 제1, 제2 지지층(8a, 8b) 상에, 제1 지지층(8a)에 의해 형성된 개구부를 폐쇄하도록 커버 부재(9)가 고정되어 있다. 적층막(13)이 부분적으로 존재하지 않고, 적층막(13)이 존재하지 않는 영역(R1)의 적어도 일부에 절연층(12)이 마련되어 있다. 제1 지지층(8a) 및 제2 지지층(8b) 중 적어도 한쪽이 절연층(12) 상에 마련되어 있다.
Description
본 발명은 지지 기판 상에 압전 박막을 포함하는 적층막이 적층되어 있는 탄성파 장치에 관한 것이다.
하기의 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 지지 기판 상에 적층막이 마련되어 있고, 이 적층막 상에 압전 박막이 적층되어 있다. 상기 적층막은 고음속막 및 저음속막을 가진다. 저음속막은 압전 박막을 전파하는 벌크파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 저속인 막으로 이루어진다. 고음속막은 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 막으로 이루어진다. 고음속막 상에 저음속막이 적층되어 있다. 상기 압전 박막 상에는 IDT 전극이 마련되어 있다.
특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 압전 박막이 LiTaO3 등의 압전 단결정으로 이루어진다. 그렇기 때문에, 외력에 의해 깨짐이나 쪼개짐이 생기기 쉽다. 또한 탄성파 장치에서는 범프 등의 외부 접속 단자의 접합 시에 압전 박막과 적층막을 가지는 적층체에 응력이 가해진다. 그렇기 때문에, 접합 공정에 있어서도 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생길 우려가 있었다.
한편, 탄성파 장치는 일반적으로 머더의 구조체의 다이싱에 의한 분할에 의해 얻어지고 있다. 이 다이싱 시의 힘에 의해서도 상기 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생길 우려가 있었다. 또한, 외부 접속 단자의 접속이나 다이싱 시에 압전 박막을 포함하는 적층체에 있어서 계면 박리가 생길 우려가 있었다.
더불어 특허문헌 1에 기재된 탄성파 장치에서는, 상기 IDT 전극이 면하는(face) 중공(中空) 공간을 마련하기 위해서 지지층 및 커버 부재를 마련한 경우, 커버 부재에 압력이 가해진 경우, 중공 공간이 찌그러짐으로써 탄성파 장치가 파손되는 경우가 있었다.
본 발명의 목적은, 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생기기 어려우며, 적층막에서의 계면 박리가 생기기 어렵고, 또한 강도가 높은 탄성파 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치는, 지지 기판과, 압전 박막과 상기 압전 박막 이외의 층을 포함하며, 상기 압전 박막 이외의 층 측으로부터 상기 지지 기판 상에 마련되어 있는 적층막과, 상기 압전 박막의 한쪽 면에 마련된 IDT 전극과, 상기 IDT 전극이 마련되어 있는 영역을 둘러싸도록 마련되어 있는 제1 지지층과, 상기 제1 지지층에 둘러싸인 영역에 마련되어 있는 제2 지지층과, 상기 제1, 제2 지지층 상에, 상기 제1 지지층에 의해 형성된 개구부(開口部)를 폐쇄하도록 고정된 커버 부재를 포함하고, 상기 적층막이 부분적으로 존재하지 않고, 상기 적층막이 존재하지 않는 영역의 적어도 일부에 절연층이 마련되어 있으며, 상기 제1 지지층 및 상기 제2 지지층 중 적어도 한쪽이 상기 절연층 상에 마련되어 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 어느 특정한 국면에서는, 상기 절연층이 상기 압전 박막 상으로부터 상기 압전 박막의 측면 및 상기 적층막의 측면을 지나서, 상기 적층막이 존재하지 않는 영역의 적어도 일부에 도달하고 있다. 이 경우에는 적층막 내에서의 계면 박리가 생기기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 IDT 전극에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 압전 박막 상으로부터 상기 절연층 상에 도달하고 있는 제1 배선 전극이 더 포함되어 있으며, 상기 제1 지지층의 적어도 일부가 상기 제1 배선 전극 상에 마련되어 있다. 이 경우에는 외부 접속 단자를 마련할 때에, 제1 지지층에 힘이 가해졌다고 해도 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생기기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 절연층의 상기 압전 박막 상에 위치하고 있는 부분에 있어서, 상기 절연층 상의 상기 압전 박막과는 반대측의 면이 상기 IDT 전극으로부터 상기 제1 지지층에 근접함에 따라서 상기 커버 부재에 근접하도록 경사져 있는 경사면을 가진다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 배선 전극이 상기 절연층의 상기 경사면 상에 위치하고 있는 부분을 가지고, 상기 부분이 상기 절연층의 상기 경사면을 따라서 경사져 있다. 이 경우에는 제1 배선 전극의 단선이 생기기 어렵다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 다른 특정한 국면에서는, 상기 제1 지지층 및 상기 절연층이 동일 재료로 이루어진다.
본 발명에 따른 탄성파 장치가 다른 특정한 국면에서는, 상기 IDT 전극에 전기적으로 접속되어 있으며, 상기 압전 박막 상으로부터 상기 절연층 상에 도달하고 있는 제2 배선 전극이 더 포함되어 있고, 상기 제2 지지층의 적어도 일부가 상기 제2 배선 전극 상에 마련되어 있다. 이 경우에는 압전 박막 상에 마련되어 있는 배선과 제2 배선 전극의 입체 배선을 구성할 수 있고, 생산성을 높일 수도 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 지지 기판과 상기 커버 부재가 서로 대향하고 있는 방향인 높이 방향을 가지고, 상기 제1 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치와 상기 제2 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치가 실질적으로 동일하다. 이 경우에는 중공 공간의 밀폐성을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 절연층 상에 상기 제1 지지층이 마련되어 있고, 상기 절연층의 두께가, 상기 제1 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치와 상기 제2 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치가 실질적으로 동일하도록 되어 있다. 이 경우에는 중공 공간의 밀폐성을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 절연층 상에 상기 제2 지지층이 마련되어 있고, 상기 절연층의 두께가, 상기 제1 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치와 상기 제2 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치가 실질적으로 동일하도록 되어 있다. 이 경우에는 중공 공간의 밀폐성을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 적층막이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지고, 상기 고음속막 상에 상기 압전 박막이 적층되어 있다. 이 경우에는 Q값을 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 적층막이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막과, 상기 고음속막 상에 적층되어 있으며, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파 음속보다도 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지고, 상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 적층되어 있다. 이 경우에는 Q값을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 지지 기판이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속 기판이고, 상기 적층막이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파 음속보다도 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지며, 상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 적층되어 있다. 이 경우에는 Q값을 한층 더 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치의 또 다른 특정한 국면에서는, 상기 적층막이, 음향 임피던스가 상대적으로 높은 고음향 임피던스막과, 상기 고음향 임피던스막과 비교하여 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가진다. 이 경우에는 Q값을 높일 수 있다.
본 발명에 따른 탄성파 장치에 따르면, 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐을 억제할 수 있고, 또 적층막 내 및 적층막과 압전 박막 사이의 계면 박리가 생기기 어렵다. 또한, 본 발명에 따르면, 탄성파 장치의 강도를 높일 수 있다.
도 1은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 커버 부재를 생략하여 나타내는 약도적 평면도이다.
도 3은 커버 부재를 생략한, 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 비교예의 탄성파 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 5는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 6(a)는 본 발명의 제3 실시형태의 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 부분 컷어웨이(cutaway) 확대 단면도이고, 도 6(b)는 도 6(a) 중의 주요부를 더욱 확대하여 나타내는 부분 컷어웨이 확대 단면도이다.
도 7은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 8은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시형태에서의 적층막의 정면 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 커버 부재를 생략하여 나타내는 약도적 평면도이다.
도 3은 커버 부재를 생략한, 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 비교예의 탄성파 장치의 단면도이다.
도 4는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 5는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 6(a)는 본 발명의 제3 실시형태의 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 부분 컷어웨이(cutaway) 확대 단면도이고, 도 6(b)는 도 6(a) 중의 주요부를 더욱 확대하여 나타내는 부분 컷어웨이 확대 단면도이다.
도 7은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 8은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시형태에서의 적층막의 정면 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명함으로써 본 발명을 명백히 한다.
한편, 본 명세서에 기재된 각 실시형태는 예시적인 것이며, 다른 실시형태 간에 있어서 구성의 부분적인 치환 또는 조합이 가능한 것을 지적해 둔다.
도 1은 후술하는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)을 가진다. 지지 기판(2)은 서로 대향하는 제1, 제2 주면(主面)(2a, 2b)을 가진다. 제1 주면(2a) 상에 적층막(13)이 마련되어 있다. 보다 구체적으로, 적층막(13)은 압전 박막(4)과, 압전 박막(4) 이외의 층으로서의 저음속막(3)을 가진다. 제1 주면(2a) 상에 저음속막(3)이 적층되어 있고, 저음속막(3) 상에 압전 박막(4)이 적층되어 있다. 저음속막(3)은 압전 박막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 저속인 막이다.
본 실시형태에서 지지 기판(2)은 고음속 기판이다. 고음속 기판은 압전 박막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 기판이다. 고음속 기판으로는 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 탄화 규소, 질화 규소, 실리콘, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 지르코니아, 코디어라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포르스테라이트 등의 각종 세라믹, 마그네시아, 다이아몬드, 또는 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료 중 어느 하나로 이루어지는 재료가 이용된다.
한편, 벌크파의 음속은 재료에 고유한 음속으로, 파의 진행 방향, 즉 종방향으로 진동하는 P파와, 진행 방향에 수직한 방향인 횡방향으로 진동하는 S파가 존재한다. 상기 벌크파는 압전 박막(4), 고음속 기판, 저음속막(3) 중 어느 것에 있어서도 전파한다. 등방성 재료의 경우에는 P파와 S파가 존재한다. 이방성 재료의 경우, P파와, 늦은 S파와, 빠른 S파가 존재한다. 그리고, 이방성 재료를 이용하여 탄성 표면파를 여진(勵振; excited)한 경우, 2개의 S파로서 SH파와 SV파가 생긴다. 본 명세서에 있어서, 압전 박막(4)을 전파하는 메인 모드의 탄성파의 음속이란, P파, SH파 및 SV파의 3개의 모드 중 필터로서의 통과 대역이나, 공진자로서의 공진 특성을 얻기 위해서 사용하고 있는 모드를 말하는 것으로 한다.
압전 박막(4)은, 본 실시형태에서는 LiTaO3으로 이루어진다. 단, 압전 박막의 재료로는 LiTaO3, LiNbO3, ZnO, AlN, 또는 PZT 중 어느 것을 이용해도 된다. 한편, 압전 박막(4)의 막 두께는 후술하는 IDT 전극의 전극 주기로 정해지는 탄성파의 파장을 λ로 했을 때에 1.5λ 이하인 것이 바람직하다. 이 경우에는 압전 박막(4)의 막 두께를 1.5λ 이하의 범위 내에서 선택함으로써 전기 기계 결합 계수를 용이하게 조정할 수 있기 때문이다.
지지 기판(2)은 상기 음속 관계를 만족하는 규소(실리콘) 등이 적절한 재료로 이루어진다. 저음속막(3)은 전파하는 벌크파 음속이 압전 박막(4)을 전파하는 탄성파의 음속보다도 낮은 적절한 재료로 이루어진다. 이러한 재료로는 산화 규소, 유리, 산질화 규소, 산화 탄탈, 산화 규소에 플루오르, 탄소 혹은 붕소 등을 첨가한 화합물 등을 들 수 있다. 저음속막(3)은 이러한 재료들을 주성분으로 하는 혼합 재료로 이루어지는 것이어도 된다.
한편, 상기 고음속 기판으로서의 지지 기판(2)과 압전 박막(4) 사이에 밀착층이 형성되어 있어도 된다. 밀착층을 형성하면 지지 기판(2)과 압전 박막(4)의 밀착성을 향상시킬 수 있다. 밀착층은 수지나 금속이면 되고, 예를 들면 에폭시 수지나 폴리이미드 수지가 이용된다.
상기 고음속 기판으로서의 지지 기판(2)과 저음속막(3)이 압전 박막(4)에 적층되어 있기 때문에, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이 Q값을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 적층막은 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막을 가지고 있어도 된다. 이 경우에 지지 기판은 고음속 기판일 필요는 없다. 지지 기판의 제1 주면 상에 고음속막이 적층되어 있고, 고음속막 상에 저음속막이 적층되어 있으며, 저음속막 상에 압전 박막이 적층되어 있으면 된다. 고음속막의 재료로는 질화 알루미늄, 산화 알루미늄, 탄화 규소, 질화 규소, 산질화 규소, DLC막, 실리콘, 사파이어, 리튬탄탈레이트, 리튬니오베이트, 수정 등의 압전체, 알루미나, 지르코니아, 코디어라이트, 멀라이트, 스테아타이트, 포르스테라이트 등의 각종 세라믹, 마그네시아, 다이아몬드 등을 들 수 있다. 또한, 상기 각 재료를 주성분으로 하는 재료, 상기 각 재료의 혼합물을 주성분으로 하는 재료를 이용해도 된다. 이 경우에 있어서도 Q값을 향상시킬 수 있다.
도 2는 상기 탄성파 장치(1)의 약도적 평면도이다. 여기서는 후술하는 커버 부재를 투시하여, 아래쪽의 전극 구조가 약도적으로 나타나있다.
압전 박막(4) 상에는 IDT 전극(5a~5d)이 마련되어 있다. 도 2에서는 생략되어 있지만, IDT 전극(5a~5d) 이외에 도 1에 도시된 배선(5x) 등도 압전 박막(4) 상에 마련되어 있다. 이러한 배선에 의해 IDT 전극(5a~5d)은 전기적으로 접속되어 있다. 한편, 도 2에서 IDT 전극(5a~5d)은, 그 마련되어 있는 영역을 직사각형에 대각선이 그어진 약도로 나타내는 것으로 한다.
본 실시형태에서는 복수의 IDT 전극(5a~5d)으로 이루어지는 탄성 표면파 공진자가 서로 접속되어 있다. 그로 인해, 대역 통과형 필터가 구성되어 있다. 한편, 필터 회로는 특별히 한정되는 것이 아니다.
상기 IDT 전극(5a~5d)에 의해 여진되는 탄성파를 구속하지 않기 위해서 도 1에 도시된 중공 공간(7)이 마련되어 있다. 즉, 지지 기판(2) 상에 개구부를 가지는 제1 지지층(8a)이 마련되어 있다. 제1 지지층(8a)에 둘러싸인 영역에는 제2 지지층(8b)이 마련되어 있다. 제1, 제2 지지층(8a, 8b)은 적절한 합성 수지로 이루어진다. 제1, 제2 지지층(8a, 8b)은 무기 절연성 재료로 이루어져 있어도 된다. 한편, 제2 지지층은 복수 마련되어 있어도 된다.
도 1로 돌아가서, 제1 지지층(8a)의 개구부를 폐쇄하도록 커버 부재(9)가 마련되어 있다. 커버 부재(9)와 제1 지지층(8a)에 의해 중공 공간(7)이 봉지(封止; seal)되어 있다.
탄성파 장치(1)는 지지 기판(2)과 커버 부재(9)가 서로 대향하고 있는 방향인 높이 방향을 가진다. 제1 지지층(8a)는 높이 방향에서의 커버 부재(9) 측의 면(8a1)을 가진다. 제2 지지층(8b)도 높이 방향에서의 커버 부재(9) 측의 면(8b1)을 가진다.
그런데, 지지 기판(2) 상에 있어서는 상기 적층막(13)이 부분적으로 존재하고 있지 않다. 즉, 지지 기판(2)의 제1 주면(2a)에 있어서, 상기 적층막(13)이 마련되어 있는 영역의 바깥쪽에 적층막(13)이 존재하지 않는 영역(R1)이 마련되어 있다.
지지 기판(2) 상에서의 영역(R1)에 절연층(12)이 마련되어 있다. 본 실시형태에서는 이 절연층(12) 상에 제1 지지층(8a)이 직접 마련되어 있다. 절연층(12)은 합성 수지로 이루어진다. 이러한 합성 수지로는 폴리이미드, 에폭시 등을 들 수 있다. 한편, 절연층(12)은 무기 절연성 재료로 형성되어 있어도 되고, 절연층(12)을 구성하는 재료로는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 절연층(12)을 구성하는 재료로서 SOG, SiO2, TEOS, SiN 등의 적절한 재료를 이용할 수 있다. 절연층(12)은 단층이어도 되고, 혹은 적층체여도 된다.
영역(R1)에 있어서 절연층(12)이 마련되어 있기 때문에 범프 등의 외부 접속 단자를 영역(R1)에 있어서 접합할 수 있다. 또한, 다이싱에 의한 분할 시에도 영역(R1)에 있어서 다이싱 할 수 있다. 따라서, 접합 공정이나 다이싱 시에 있어서 압전 박막에 힘이 가해지기 어렵기 때문에 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생기기 어렵다. 또한, 압전 박막을 포함하는 적층막(13)에서의 계면 박리도 생기기 어렵다.
본 실시형태의 다른 특징은, 제1, 제2 지지층(8a, 8b)을 가지며, 제1 지지층(8a)이 지지 기판(2) 상의 영역(R1)에 마련된 절연층(12) 상에 마련되어 있는 것에 있다. 그로 인해, 커버 부재에 압력이 가해졌을 때 파손되기 어려워서 강도를 높일 수 있다.
또한, 제1 지지층(8a)의 면(8a1)과 제2 지지층(8b)의 면(8b1)의 높이 방향의 거리, 즉 고저차를 작게 할 수 있다. 따라서, 커버 부재(9)에 의해 중공 공간(7)을 확실하게 봉지할 수 있고, 밀폐성을 높일 수 있다. 따라서, 신뢰성을 높일 수 있다. 이것을, 이하에 있어서 비교예를 이용하여 설명한다.
도 3은 커버 부재를 생략한, 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 비교예의 탄성파 장치의 단면도이다.
비교예의 탄성파 장치(101)는 절연층(12)을 가지지 않는 점 이외에 있어서는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
탄성파 장치(101)의 제1 지지층(108a)은 지지 기판(2)의 영역(R1)에 위치하는 부분과, 압전 박막(4) 상에 위치하는 부분을 가진다. 제1 지지층(108a)은 커버 부재 측으로부터 수직인 방향으로 봤을 때 영역(R1)에 겹치는 커버 부재 측의 면(108a1)을 가진다. 또한, 제1 지지층(108a)은 커버 부재 측으로부터 수직인 방향으로 봤을 때 압전 박막(4)에 겹치는 커버 부재 측의 면(108a2)을 가진다. 한점 쇄선(A)으로 나타내는 바와 같이, 면(108a1)과 면(108a2)은 높이 방향의 위치가 다르다. 면(108a1)의 높이 방향의 위치는 제2 지지층(8b)의 면(8b1)의 높이 방향의 위치와도 다르다.
그렇기 때문에, 제1, 제2 지지층(108a, 8b)과 커버 부재가 접합되는 부분에 있어서 고저차가 생겼다. 따라서, 커버 부재와 제1, 제2 지지층(108a, 8b)에 의해 중공 공간의 밀폐성을 충분히 높일 수 없는 경우가 있었다. 예를 들면, 커버 부재 측으로 돌출되어 있는 제2 지지층(8b)의 면(8b1)이 커버 부재에 침입하는 경우도 있었다. 그로 인해, 리크 불량이 발생하는 경우가 있었다.
이에 비해, 도 1로 돌아와서 본 실시형태에서는 영역(R1)에 있어서 절연층(12) 상에 제1 지지층(8a)이 마련되어 있다. 절연층(12)의 두께는 저음속막(3) 및 압전 박막(4)으로 이루어지는 상기 적층막(13)의 두께와 실질적으로 동일한 크기이다. 그렇기 때문에, 제1 지지층(8a)의 면(8a1)에 있어서 고저차는 거의 없다. 제1 지지층(8a)의 면(8a1)의 높이 방향의 위치와, 제2 지지층(8b)의 면(8b1)의 높이 방향의 위치도 실질적으로 동일하다.
따라서, 커버 부재(9)와 제1, 제2 지지층(8a, 8b)에 의해 중공 공간(7)의 밀폐성을 높일 수 있다. 커버 부재(9) 측으로 크게 돌출되어 있는 부분도 없기 때문에 비교예에 있어서 생기는 경우가 있었던 리크 불량도 생기기 어렵다. 따라서, 신뢰성을 효과적으로 높일 수 있다.
더불어, 제1, 제2 지지층(8a, 8b)에 의해 커버 부재(9)를 지지하기 때문에 중공 공간(7)의 찌그러짐이 생기기 어렵다. 따라서, 상술한 바와 같이 탄성파 장치(1)의 강도를 높일 수 있다.
바람직하게는 제1 지지층(8a)과 절연층(12)은 동일한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 그로 인해, 제1 지지층(8a)과 절연층(12)의 밀착성을 높일 수 있다. 따라서, 중공 공간의 밀폐성을 한층 더 높일 수 있다.
다음으로, 본 실시형태의 탄성파 장치의 제조 방법을 설명한다.
고음속 기판인 지지 기판(2)을 준비한다. 다음으로, 예를 들면 스패터링법이나 CVD법 등에 의해 지지 기판(2) 상에 저음속막(3)을 적층한다. 다음으로, 예를 들면 스패터링법이나 CVD법 등에 의해 저음속막(3) 상에 압전 박막(4)을 적층한다. 다음으로, 예를 들면 증착·리프트 오프법에 의해 압전 박막(4) 상에 도 2에 도시된 IDT 전극(5a~5d)을 마련한다. 배선(5x)도 동시에 마련한다.
다음으로, 포토리소그래피법에 의해 레지스트를 패터닝한다. 다음으로, 상기 레지스트를 마스크로 하여, 예를 들면 ICP-RIE(Inductive Coupled Plasma-Reactive Ion Etching) 장치를 이용해서 저음속막(3) 및 압전 박막(4)을 제거한다. 이로 인해, 지지 기판(2) 상의 영역(R1)을 구성한다.
다음으로, 예를 들면 포토리소그래피법에 의해 지지 기판(2) 상의 영역(R1)에 절연층(12)을 형성한다. 상술한 바와 같이, 절연층(12)은 단층으로 해도 되고,혹은 적층체로 해도 된다.
다음으로, 포토리소그래피법 등에 의해 제1, 제2 지지층(8a, 8b)을 마련한다. 다음으로, 제1, 제2 지지층(8a, 8b) 상에 커버 부재(9)를 마련한다.
도 4는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
탄성파 장치(21)에서는, 저음속막(23) 및 압전 박막(24)으로 이루어지는 적층막이 존재하지 않는 위치 및 절연층(22)이 마련되어 있는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 상기 이외의 점에 있어서 탄성파 장치(21)는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
보다 구체적으로는 저음속막(23) 및 압전 박막(24)으로 이루어지는 적층막이 제1 지지층(28a)에 둘러싸인 부분에 있어서 존재하지 않는 영역(R2)을 가진다.
지지 기판(2) 상에서의 영역(R2)에는 절연층(22)이 마련되어 있다. 절연층(22) 상에 제2 지지층(28b)이 마련되어 있다. 제1 지지층(28a)은 영역(R1)에 마련된 절연층(12) 상에 마련되어 있다. 절연층(12) 및 절연층(22)의 두께는 상기 적층막의 두께와 실질적으로 동일하다.
본 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태와 마찬가지로 제1 지지층(28a)의 면(28a1)의 높이 방향의 위치와 제2 지지층(28b)의 면(28b1)의 높이 방향의 위치는 실질적으로 동일하다. 따라서, 중공 공간(7)의 밀폐성이 높으며, 탄성파 장치(21)의 강도가 높다.
한편, 제1 실시형태나 제2 실시형태에 있어서 나타낸 바와 같이, 제1 지지층 및 제2 지지층 중 적어도 한쪽이, 적층막이 존재하지 않는 영역에 있어서 절연막 상에 마련되어 있으면 된다. 바람직하게는 절연층의 두께가, 제1 지지층의 커버 부재 측의 면과 제2 지지층의 커버 부재 측의 면의 고저차가 작아지는 두께로 되어 있는 것이 바람직하다. 그로 인해, 중공 공간의 밀폐성을 높일 수 있으며, 탄성파 장치의 강도를 높일 수 있다.
보다 바람직하게는, 도 1에 도시된 제1 실시형태와 같이, 절연층(12)의 두께가, 제1, 제2 지지층(8a, 8b)의 면(8a1, 8b1)의 높이 방향의 위치가 실질적으로 동일하도록 되어 있는 것이 바람직하다. 혹은 도 4에 도시된 제2 실시형태와 같이, 절연층(22)의 두께가, 제1, 제2 지지층(28a, 28b)의 면(28a1, 28b1)의 높이 방향의 위치가 실질적으로 동일하도록 되어 있는 것이 바람직하다.
도 5는 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
탄성파 장치(31)에서는 절연층이 제1, 제2 절연층(32a, 32b)을 가지는 점에서 제1 실시형태와 다르다. 또한, 탄성파 장치(31)의 배선 구조도 제1 실시형태와 다르다. 상기 이외의 점에 있어서 탄성파 장치(31)는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
탄성파 장치(31)의 제1 절연층(32a)은 제1 실시형태와 마찬가지로 지지 기판(2) 상의 영역(R1)에 마련되어 있다. 제1 절연층(32a)은 저음속막(3) 및 압전 박막(4)으로 이루어지는 적층막(13)의 측면을 지나서 압전 박막(4) 상에 도달하고 있다. 이와 같이, 적층막(13)의 측면이 제1 절연층(32a)에 덮여있기 때문에 적층막(13) 내에서의 계면 박리가 생기기 어렵다.
제2 절연층(32b)은 제1 지지층(38a)에 둘러싸인 압전 박막(4) 상에 마련되어 있다. 제2 절연층(32b)은 배선(5x)의 적어도 일부를 덮고 있다. 한편, 압전 박막(4) 상에는 IDT 전극(5a)에 전기적으로 접속되어 있는 배선 전극도 마련되어 있다. 배선 전극은 제1, 제2 배선 전극(36a, 36b)을 가진다. 제2 배선 전극(36b)은 IDT 전극(5a)과 IDT 전극(5d)을 접속하고 있다.
제2 배선 전극(36b)의 일부는 제2 절연층(32b) 상에 마련되어 있다. 그로 인해, 제2 절연층(32b)에 의해 전기적으로 절연된, 배선(5x)과 제2 배선 전극(36b)의 입체 배선이 구성되어 있다.
본 실시형태와 같이, 제1 지지층(38a)의 적어도 일부는 제1 배선(36a) 상에 마련되어 있어도 된다. 제2 지지층(38b)의 적어도 일부도 제2 배선(36b) 상에 마련되어 있어도 된다. 이 경우에 있어서도, 제1 지지층(38a)이 도 5에서의 제1 절연층(32a)의 위쪽에 마련되어 있다. 따라서, 제1, 제2 지지층(38a, 38b)의 면(38a1, 38b1)의 높이 방향의 위치를 실질적으로 동일하게 할 수 있다. 따라서, 중공 공간(7)의 밀폐성을 높일 수 있으며, 탄성파 장치(31)의 강도를 높일 수 있다.
바람직하게는, 제1, 제2 절연층(32a, 32b)은 동일한 재료로 이루어지는 것이 바람직하다. 그로 인해, 제1 절연층(32a)을 마련하는 공정과, 상기 입체 배선을 구성하기 위해서 제2 절연층(32b)을 마련하는 공정을 동일한 공정으로 할 수 있다. 따라서, 생산성을 높일 수 있다.
한편, 본 실시형태에서는 제1, 제2 지지층(38a, 38b)의 면(38a1, 38b1)의 높이 방향의 위치를 실질적으로 동일하게 하기 위해서, 제1 절연층(32a)의 두께가 상기 적층막(13)의 두께보다도 크게 되어 있다. 이 경우, 제1 절연층(32a)의 압전 박막(4) 상에 위치하는 부분에 있어서 경사면을 마련하는 것이 바람직하다. 이 상세한 내용을 도 6(a) 및 도 6(b)을 이용하여 설명한다.
도 6(a)는 제3 실시형태의 탄성파 장치의 주요부를 설명하기 위한 부분 컷어웨이 확대 단면도이다. 도 6(b)는 도 6(a) 중의 주요부를 더욱 확대하여 나타내는 부분 컷어웨이 확대 단면도이다.
도 6(a)에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(32a)은 상기 영역(R1)에 위치하고 있는 부분으로부터 상기 압전 박막(4) 상에 도달하고 있다. 제1 절연층(32a)의 안쪽 끝(32a1)에 있어서 경사면(32a2)이 마련되어 있다. 도 6(b)에 도시된 바와 같이, 이 경사면(32a2)의, 지지 기판(2)의 제1 주면(2a)과 이루는 각도(C1)는 80° 이하인 것이 바람직하다. 그로 인해, 상기 경사면(32a2)에 따라서 마련된 제1 배선 전극(36a)의 경사면(36a1)이 제1 주면(2a)과 이루는 각도도 작아진다. 이로 인해, 제1 배선 전극(36a)의 경사면(36a1)이 마련되어 있는 부분에서의 굴곡도를 완화시킬 수 있다. 그렇기 때문에, 제1 배선 전극(36a)의 단선이 생기기 어렵다.
한편, 경사면(32a2)과 제1 주면(2a)이 이루는 각도(C1)는 60° 이하이면 보다 바람직하다. 또한, 경사면(32a2)과 제1 주면(2a)이 이루는 각도(C1)는 45° 이하이면 한층 더 바람직하다.
상기한 바와 같이, 제1 배선 전극(36a)에 있어서 굴곡도를 완화시킴으로써 열이 가해졌을 때의 단선이나, 제1 배선 전극(36a)의 형성 공정에서의 단선도 생기기 어렵다.
제1 절연층(32a) 및 제1 배선 전극(36a)과 마찬가지로, 제2 절연층(32b) 및 제2 배선 전극(36b)에도 경사면이 마련되어 있는 것이 바람직하다. 그로 인해, 제2 배선 전극(36b)의 단선이 생기기 어렵다.
도 7은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 제4 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
탄성파 장치(41)는 도 7에 도시된 부분에 있어서, 언더 범프 메탈층(45) 및 금속 범프(46)를 가지는 점에서 제3 실시형태와 다르다. 상기 이외의 점에 있어서 탄성파 장치(41)는 제3 실시형태의 탄성파 장치(31)와 동일한 구성을 가진다.
제1 지지층(48a) 및 커버 부재(49)를 관통하도록 관통 홀이 형성되어 있다. 이 관통 홀 내에 언더 범프 메탈층(45)이 마련되어 있다. 언더 범프 메탈층(45)에 금속 범프(46)이 접합되어 있다.
상기 언더 범프 메탈층(45) 및 금속 범프(46)는 적절한 금속 혹은 합금으로 이루어진다.
언더 범프 메탈층(45)의 하단(下端)은 제1 배선 전극(36a)에 접합되어 있다. 따라서, 제1 배선 전극(36a)의 언더 범프 메탈층(45)이 접합되어 있는 부분이, 외부 접속 단자가 접속되는 전극 랜드 부분이 된다. 본 실시형태에서는 외부 접속 단자로서 금속 범프(46)가 마련되어 있다.
이 경우에 있어서도, 제3 실시형태와 마찬가지로 중공 공간(7)의 밀폐성을 높일 수 있으며, 탄성파 장치(41)의 강도를 높일 수 있다.
본 실시형태에서는 영역(R1)에 있어서 언더 범프 메탈층(45) 및 금속 범프(46)를 제1 배선 전극(36a) 상에 접합한다. 그렇기 때문에, 금속 범프(46)를 언더 범프 메탈층(45)에 접합할 때에 힘이 가해졌다고 해도 압전 박막(4)의 쪼개짐이나 깨짐이 생기기 어렵다.
한편, 본 실시형태의 탄성파 장치(41)의 제조 시에는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)의 제조 방법과 동일하게 하여 제1, 제2 절연층(32a, 32b)을 마련한 후에, 제1, 제2 배선 전극(36a, 36b)을 형성하면 된다. 다음으로, 제1, 제2 지지층(48a, 38b)을 마련하면 된다. 또한, 커버 부재(49)를 마련한 후에 관통 홀을 형성해도 된다. 다음으로, 예를 들면 전해 도금법 등에 의해 언더 범프 메탈층(45)을 마련한다. 다음으로, 금속 범프(46)로서, 예를 들면 솔더 범프를 언더 범프 메탈층(45)에 접합한다.
도 8은 도 2 중의 I-I선을 따른 부분에 상당하는 제5 실시형태에 따른 탄성파 장치의 단면도이다.
탄성파 장치(61)는 지지 기판(62) 및 적층막(63)의 구성이 제1 실시형태와 다르다. 상기 이외의 점에 있어서 탄성파 장치(61)는 제1 실시형태의 탄성파 장치(1)와 동일한 구성을 가진다.
보다 구체적으로 적층막(63)은 지지 기판(62) 상에 적층되어 있는 고음속막(66)을 가진다. 고음속막(66) 상에 압전 박막(4)이 적층되어 있다. 적층막(63)은 저음속막을 가지지 않는다. 이 경우에 지지 기판(62)은 고음속 기판일 필요는 없다.
본 실시형태에 있어서도, 제1 실시형태와 마찬가지로 압전 박막의 깨짐이나 쪼개짐이 생기기 어려우며, 적층막에서의 계면 박리가 생기기 어렵다. 또한, 탄성파 장치(61)의 강도가 높다. Q값을 높일 수도 있다.
도 9는 본 발명의 제6 실시형태에서의 적층막의 정면 단면도이다. 제6 실시형태에서는 적층막(53)의 구성 이외에 있어서 제1 실시형태와 동일한 구성을 가진다.
제6 실시형태에서는 적층막(53)이, 상대적으로 음향 임피던스가 높은 고음향 임피던스막(53a) 상에 상대적으로 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스막(53b)을 적층한 구조를 가진다. 이 경우에도, Q값을 향상시킬 수 있다. 이와 같이, 적층막은 고음향 임피던스막과 저음향 임피던스막이 적층된 구조를 가지고 있어도 된다. 이 경우는 제5 실시형태와 마찬가지로 지지 기판이 고음속 기판일 필요도 없다.
또한, 본 발명에 있어서 적층막에서의 압전 박막 이외의 층의 구성은 특별히 한정되는 것이 아니다.
따라서, 압전 박막 및 온도 특성을 개선하기 위한 유전체막을 복수 적층함으로써 적층막이 형성되어 있어도 된다.
1: 탄성파 장치 2: 지지 기판
2a, 2b: 제1, 제2 주면 3: 저음속막
4: 압전 박막 5a~5d: IDT 전극
5x: 배선 7: 중공 공간
8a, 8b: 제1, 제2 지지층 8a1, 8b1: 면
9: 커버 부재 12: 절연층
13: 적층막 21: 탄성파 장치
22: 절연층 23: 저음속막
24: 압전 박막 28a, 28b: 제1, 제2 지지층
28a1, 28b1: 면 31: 탄성파 장치
32a, 32b: 제1, 제2 절연층 32a1: 안쪽 끝
32a2: 경사면 36a, 36b: 제1, 제2 배선 전극
38a, 38b: 제1, 제2 지지층 38a1, 38b1: 면
41: 탄성파 장치 45: 언더 범프 메탈층
46: 금속 범프 48a: 제1 지지층
49: 커버 부재 53: 적층막
53a: 고음향 임피던스막 53b: 저음향 임피던스막
61: 탄성파 장치 62: 지지 기판
63: 적층막 66: 고음속막
101: 탄성파 장치 108a: 제1 지지층
108a1, 108a2: 면
2a, 2b: 제1, 제2 주면 3: 저음속막
4: 압전 박막 5a~5d: IDT 전극
5x: 배선 7: 중공 공간
8a, 8b: 제1, 제2 지지층 8a1, 8b1: 면
9: 커버 부재 12: 절연층
13: 적층막 21: 탄성파 장치
22: 절연층 23: 저음속막
24: 압전 박막 28a, 28b: 제1, 제2 지지층
28a1, 28b1: 면 31: 탄성파 장치
32a, 32b: 제1, 제2 절연층 32a1: 안쪽 끝
32a2: 경사면 36a, 36b: 제1, 제2 배선 전극
38a, 38b: 제1, 제2 지지층 38a1, 38b1: 면
41: 탄성파 장치 45: 언더 범프 메탈층
46: 금속 범프 48a: 제1 지지층
49: 커버 부재 53: 적층막
53a: 고음향 임피던스막 53b: 저음향 임피던스막
61: 탄성파 장치 62: 지지 기판
63: 적층막 66: 고음속막
101: 탄성파 장치 108a: 제1 지지층
108a1, 108a2: 면
Claims (14)
- 지지 기판과,
압전 박막과 상기 압전 박막 이외의 층을 포함하며, 상기 압전 박막 이외의 층 측으로부터 상기 지지 기판 상에 마련되어 있는 적층막과,
상기 압전 박막의 한쪽 면에 마련된 IDT 전극과,
상기 IDT 전극이 마련되어 있는 영역을 둘러싸도록 마련되어 있는 제1 지지층과,
상기 제1 지지층에 둘러싸인 영역에 마련되어 있는 제2 지지층과,
상기 제1, 제2 지지층 상에, 상기 제1 지지층에 의해 형성된 개구부(開口部)를 폐쇄하도록 고정된 커버 부재를 포함하고,
상기 적층막이 부분적으로 존재하지 않고, 상기 적층막이 존재하지 않는 영역의 적어도 일부에 절연층이 마련되어 있으며, 상기 제1 지지층 및 상기 제2 지지층 중 적어도 한쪽이 상기 절연층 상에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항에 있어서,
상기 절연층이 상기 압전 박막 상으로부터 상기 압전 박막의 측면 및 상기 적층막의 측면을 지나서, 상기 적층막이 존재하지 않는 영역의 적어도 일부에 도달하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 IDT 전극에 전기적으로 접속되어 있고, 상기 압전 박막 상으로부터 상기 절연층 상에 도달하고 있는 제1 배선 전극을 더 포함하며,
상기 제1 지지층의 적어도 일부가 상기 제1 배선 전극 상에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제3항에 있어서,
상기 절연층의 상기 압전 박막 상에 위치하고 있는 부분에 있어서, 상기 절연층 상의 상기 압전 박막과는 반대측의 면이, 상기 IDT 전극으로부터 상기 제1 지지층에 근접함에 따라서 상기 커버 부재에 근접하도록 경사져 있는 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제4항에 있어서,
상기 제1 배선 전극이 상기 절연층의 상기 경사면 상에 위치하고 있는 부분을 가지고, 상기 부분이 상기 절연층의 상기 경사면을 따라서 경사져 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1 지지층 및 상기 절연층이 동일 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 IDT 전극에 전기적으로 접속되어 있으며, 상기 압전 박막 상으로부터 상기 절연층 상에 도달하고 있는 제2 배선 전극을 더 포함하고,
상기 제2 지지층의 적어도 일부가 상기 제2 배선 전극 상에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 기판과 상기 커버 부재가 서로 대향하고 있는 방향인 높이 방향을 가지고,
상기 제1 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치와 상기 제2 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치가 동일한 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제8항에 있어서,
상기 절연층 상에 상기 제1 지지층이 마련되어 있고,
상기 절연층의 두께가, 상기 제1 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치와 상기 제2 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치가 동일하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제8항에 있어서,
상기 절연층 상에 상기 제2 지지층이 마련되어 있고,
상기 절연층의 두께가, 상기 제1 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치와 상기 제2 지지층의 상기 커버 부재 측의 면의 상기 높이 방향의 위치가 동일하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 적층막이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지고, 상기 고음속막 상에 상기 압전 박막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 적층막이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속막과, 상기 고음속막 상에 적층되어 있으며, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파 음속보다도 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지고, 상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 지지 기판이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파의 음속보다도 전파하는 벌크파의 음속이 고속인 고음속 기판이고,
상기 적층막이, 상기 압전 박막을 전파하는 탄성파 음속보다도 전파하는 벌크파 음속이 저속인 저음속막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지며, 상기 저음속막 상에 상기 압전 박막이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 적층막이, 음향 임피던스가 상대적으로 높은 고음향 임피던스막과, 상기 고음향 임피던스막과 비교하여 음향 임피던스가 낮은 저음향 임피던스막을 상기 압전 박막 이외의 층으로서 가지는 것을 특징으로 하는 탄성파 장치.
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