JPWO2016159017A1 - 磁気抵抗効果素子、磁気メモリ装置、製造方法、動作方法、及び集積回路 - Google Patents
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Abstract
Description
反強磁性体を含み、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層と、
強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、
絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、
強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、
を備え、
前記参照層の磁化の方向は実質的に固定されており、
前記記録層の磁化の方向は反転可能である。
Cr、Mn、Fe、Co、Niを含む第1の群から少なくとも1つ選択された元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Auを含む第2の群から少なくとも1つ選択された元素と、を含む材料から構成されるバイアス層と、
強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、
絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、
強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、
を備え、
前記参照層の磁化の方向は実質的に固定されており、
前記記録層の磁化の方向は反転可能である。
上記の磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子に、書き込み電流を流すことにより、前記磁気抵抗効果素子にデータを書き込む書き込み手段と、
前記障壁層を貫通する方向に電流を流してトンネル抵抗を求めることにより、前記磁気抵抗効果素子に書き込まれているデータを読み出す読み出し手段と、
を備える。
反強磁性体を含み、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層と、強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、を備えた積層構造を形成するステップと、
前記積層構造を磁場中にて熱処理するステップと、
前記積層構造中の層をリソグラフィー技術にてパターニングするステップと、
を有する。
上記の磁気抵抗効果素子に流す電流の向きを変化させることにより、前記磁気抵抗効果素子の抵抗を変化させる。
上記の磁気抵抗効果素子に流す電流の大きさを変化させることにより、前記磁気抵抗効果素子のトンネル抵抗を連続的に変化させる。
アレイ状に配置された上記の磁気抵抗効果素子と周辺回路とを備える。
上記の磁気抵抗効果素子が、ロジック回路上に分散して配置されている。
上記の磁気抵抗効果素子が、デジタルメモリとして動作する素子である、あるいは、アナログメモリとして動作する素子である。
上記の磁気抵抗効果素子が、多値メモリとして動作する素子である。
(実施の形態1)
以下、図1〜図8を参照して、実施の形態1に係る磁気抵抗効果素子を説明する。
記録層12、障壁層13、参照層14のX軸方向の長さLm1は典型的には10〜120nmに設計される。記録層12、障壁層13、参照層14のy方向の長さLm2は典型的には10〜120nmに設計される。バイアス層11の記録層12、障壁層13、参照層14とx−y面内においてオーバーラップしていない領域のX軸方向の長さLb1とLb2は典型的には20〜400nmに設計される。また、バイアス層11のy方向の長さLb3は典型的には15〜150nmに設計される。これらLm1、Lm2、Lb1、Lb2、Lb3の大小関係は以下の不等式を満たすことが望ましい。Lm1〜Lm2。Lm2≦Lb3。Lm1<〜Lb1〜Lb2。ここで記号「〜」は同程度であることを表し、例えば±50%の範囲に収まる。また、記号「<〜」は、右辺は左辺と同程度かそれよりも大きいことを表し、例えば右辺は左辺の−50%以上である。また、図ではバイアス層11は長方形、記録層12、障壁層13、参照層14は正方形として描かれているが、実際にはその形状は自由に変形されうる。例えば記録層12、障壁層13、参照層14のx−y面の形状は、円形、楕円形、平行四辺形、菱形、六角形等、好適なデバイス動作が得られるように適宜設計することができる。
あるいは、熱処理を行わず、所定の磁束密度の磁場中において、バイアス層11〜参照層14を堆積し、堆積膜をパターニングしてもよい。
下地層:Ta、厚さ3nm、
シード層:Pt、厚さ4nm、
バイアス層11:PtMn、厚さ7nm、
記録層12:Cо、厚さ0.3nm、Ni、厚さ0.6nm、Cо、厚さ0.3nm、Ni、厚さ0.6nm、Cо、厚さ0.3nm、
障壁層13:MgO、厚さ1.2nm、
参照層14:CоFeB、厚さ1.5nm、Ta、厚さ0.5nm、Cо、厚さ0.4nm、Pt、厚さ0.4nm、Cо、厚さ0.4nm、Pt、厚さ0.4nm、Cо、厚さ0.4nm、Ru、厚さ0.45nm、Cо、厚さ0.4nm、Pt、厚さ0.4nm、Cо、厚さ0.4nm、Pt、厚さ0.4nm、Cо、厚さ0.4nm、Pt、厚さ0.4nm、Cо、厚さ0.4nm、Pt、厚さ0.4nm、
キャップ層:Ru、厚さ5nm。
この例では、参照層14として積層フェリ構造を採用しており、積層フェリ構造における結合層としてRuを使用している。また、下地層、シード層、キャップ層は基板密着性や結晶配向性、電気伝導性、耐腐食性を向上するために適宜設けられる層である。
下地層:Ta、厚さ3nm、
バイアス層11:IrMn、厚さ3nm、
記録層12:CоFe、厚さ1.2nm、
障壁層13:MgO、厚さ1.2nm、
参照層14:CоFeB、厚さ1.5nm、Ta、厚さ0.5nm、Cо、厚さ0.4nm、Pd、厚さ0.8nm、Cо、厚さ0.4nm、Pd、厚さ0.8nm、Cо、厚さ0.4nm、Pd、厚さ0.8nm、Cо、厚さ0.4nm、Pd、厚さ0.8nm、Cо、厚さ0.4nm、Pd、厚さ0.8nm、
キャップ層:Ru、厚さ5nm。
なお、磁気抵抗効果素子100においては、バイアス層11がバイアス磁場として作用する。このため、記録層12にはX軸方向の定常的な磁場(定常磁場Ho)が印加されているものとみなすことができる。バイアス層11によるバイアス磁場の作用については後述する。
反強磁性体内部には、隣り合う磁気モーメントが互い違いになった磁気的な秩序が存在している。この反強磁性体を強磁性体に隣接させると、反強磁性体から働く一方向のバイアス磁場は、強磁性体に作用する。この反強磁性体の磁場が強磁性体に与える作用を交換バイアスという。図示する例では、反強磁性体内部の磁気モーメントは、面内方向において、その向きが互い違いになっている。このため、強磁性体には、面内方向の交換バイアスが働く。強磁性体が垂直磁化容易軸を有する場合、強磁性体の磁化は、反強磁性体界面付近では、面内方向に回転し、反強磁性体から遠ざかるにつれて強磁性体自身が有する磁化容易軸方向へ向く。即ち、反強磁性体が隣接していることで、強磁性体には面内方向の磁場が印加されているものとみなすことができる。
一方、データ“0”を書き込む場合は、第1ビット線BL1をHighレベルに、第2ビット線BL2をLowレベルにする。これにより、図5(a)に示すように、逆方向書き込み電流Iwが流れ、図5(b)に示すように、データ“0”が書き込まれる。
このようにして、磁気抵抗効果素子100へのビットデータの書き込みが行われる。
実施の形態1に係る磁気抵抗効果素子100において、記憶データを安定して書き込み且つ読み出すためには、参照層14の磁化M14の方向を安定的に固定する必要がある。参照層14の磁化M14を安定させるため参照層14を積層フェリ結合層から構成することが有効である。
磁気抵抗効果素子の抵抗とデータの割り当ては任意であり、低抵抗状態にデータ“1”、高抵抗状態にデータ“0”を割り当てても良い。
上述の例では、バイアス層11の上面の一部に記録層12等が積層されている例を説明したが、図12(a−1)、(a−2)に示すように、バイアス層11の上面全体に記録層12等を積層してもよい。この場合、積層体の製造が容易である。
上述の例では、バイアス層11の長手方向の中心に、記録層12等を積層していたが、図13に示すように、バイアス層11の長手方向の中心からずれた位置に記録層12等を積層してもよい。
また、磁気抵抗効果素子100において、記録層12は以下の2点において優れた特性を有していることが望ましい。一点目は書き込みに関し、小さな電流、かつ短いパルス幅で磁化の方向を反転させられることが望ましい。二点目は読出しに関し、記録層12、障壁層13、参照層14の間に電流を流した時の磁化の平行/反平行状態での抵抗差に相当するトンネル磁気抵抗効果比(TMR比)が大きいことが望ましい。これら、読み出し特性、書き込み特性の両方を独立に設計し、良好な特性を得るために、図14(a−1)、(a−2)に示すように、記録層12と障壁層13との間に、センサー層15と導電層16とを設けてもよい。
上述の例においては、バイアス層11は、反強磁性体を含む材料からなる例を示したが、図15に示すように、バイアス層11の長手方向の両端を導電体を含む材料からなる導電層17としてもよい。このような構成により、書き込み電流を流しやすくなるという効果がある。
図16に示すように、バイアス層11を、反強磁性材料を含む第1バイアス層11aと、高スピンホール効果材料からなる第2バイアス層11bと、の2層構造としてもよい。
第1バイアス層11aに含まれる反強磁性材料の例としては、Cr、Mn、Cr−O、Mn−O、Fe−O、Fe−Mn等がある。
第2バイアス層11bに含まれる高スピンホール効果材料の例としては、Pt、W、Ta、Ir等がある。
バイアス層11を2層構造とする場合、バイアス層11の設計の自由度が上がり、製造が容易となる他、書き込みに用いる電流の大きさやパルス幅を低減されるように設計することも可能である。
バイアス層11の下に下地層とシード層を、参照層14の上にキャップ層を設けてもよい。下地層は、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W等を含むことができる。シード層は、Cr、Fe、Co、Ni、NiFe、Ru、Rh、Pd、Ag、Cu、Ir、Pt、Au等を含むことができる。キャップ層は、Ta、Ru、Cu、Pt等を含むことができる。
バイアス層11は、図18に示すように、垂直方向における磁気モーメントを有していてもよい。この場合、バイアス層11内部の磁気モーメントは、膜面に垂直方向において、その向きが互い違いになっている。このとき、バイアス層11に隣接する記録層12は、面内磁化容易軸を有するものとする。記録層12の磁化方向は、バイアス層11との界面付近では、垂直方向に回転し、バイアス層11から遠ざかるにつれて、記録層12自体が有する磁化容易軸方向へ向く。即ち、記録層12には垂直方向の磁場が印加されているものとみなすことができる。
磁気抵抗効果素子100は、実験の結果、次のような抵抗特性を有することがわかった。
本発明に係る磁気抵抗効果素子をアナログメモリとして使用した場合、このアナログメモリを用いてロジックインメモリアーキテクチャを採用した集積回路を構築することができる。具体的には、アナログメモリとして動作するように作製した磁気抵抗効果素子を、図10に示したようなメモリセルアレイ311として構成し、このメモリセルアレイ311、及び単体のアナログメモリ素子を、図20に示すように、論理回路内に適宜分散して配置する。このように、アナログメモリとして作製した磁気抵抗効果素子をロジックインメモリに採用することで、脳型情報処理をより効率的に実現することができる。
磁気抵抗効果素子を使用したメモリを作製する場合、従来、同一レイヤー(層)に複数の磁気抵抗効果素子を配置した。図21(a)に、従来のメモリの断面の概略図を示す。ここでは、複数の磁気抵抗効果素子100は全て配線層M4とM5の間に配置されている。しかし、上述したように、アナログメモリとしても利用可能な磁気抵抗効果素子を、例えば、図21(b)に示すように、複数のレイヤーにランダムに配置することで、脳型情報処理等に活用することができる。なお、図21において記号「Tr」はトランジスタを表す。また、図では当集積回路はSi基板上に集積されるものとして書かれているが、実際にはあらゆる基板を用いることができる。また、図21は当発明を用いた集積回路の一断面の構造の典型的な例を示しており、この断面において接続されていない磁気抵抗効果素子や配線も、紙面の奥行き方向のある場所において好適な動作が得られるように接続される。
11、11a、11b バイアス層
12、12a 記録層
13 障壁層
14 参照層
14a、14c 強磁性層
14b 結合層
15 センサー層
16、17 導電層
101〜108 磁気抵抗効果素子
200 磁気メモリセル回路
300 磁気メモリ装置
311 メモリセルアレイ
312 Xドライバ
313 Yドライバ
314 コントローラ
500 ロジックインメモリ
反強磁性体から構成され、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層と、
強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、
絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、
強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、
を備え、
前記参照層の磁化の方向は実質的に固定されており、
前記記録層の磁化の方向は反転可能である。
Pt x Mn 100−x (xは30から70である)、又はIr y Mn 100−y (yは20から80である)を含む材料から構成されるバイアス層と、
強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、
絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、
強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、
を備え、
前記参照層の磁化の方向は実質的に固定されており、
前記記録層の磁化の方向は反転可能である。
反強磁性体から構成され、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層と、強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、を備えた積層構造を形成するステップと、
前記積層構造を磁場中にて熱処理するステップと、
前記積層構造中の層をリソグラフィー技術にてパターニングするステップと、
を有する。
前記バイアス層は、前記記録層に交換バイアスを与えてもよい。
前記記録層は、前記バイアス層内の、隣り合っていて互い違いになっている磁気モーメントの方向に垂直な磁化容易軸を有してもよい。
本発明のシナプス素子は、
前記磁気抵抗効果素子から構成され、脳型情報処理を実行するためのシナプス素子であって、
前記バイアス層に流される2つの電流パルスの極性と大きさに依存して、前記記録層と前記参照層との間の抵抗値を変換する。
前記磁気抵抗効果素子は、前記記録層と前記参照層との間の抵抗値がN段階に変化する多値メモリとして機能してもよい。
Claims (17)
- 反強磁性体を含み、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層と、
強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、
絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、
強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、
を備え、
前記参照層の磁化の方向は実質的に固定されており、
前記記録層の磁化の方向は反転可能である、
磁気抵抗効果素子。 - Cr、Mn、Fe、Co、Niを含む第1の群から少なくとも1つ選択された元素と、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Auを含む第2の群から少なくとも1つ選択された元素と、を含む材料から構成されるバイアス層と、
強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、
絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、
強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、
を備え、
前記参照層の磁化の方向は実質的に固定されており、
前記記録層の磁化の方向は反転可能である、
磁気抵抗効果素子。 - 前記バイアス層に電流を導入することで前記記録層に加わる縦磁場によって前記記録層の磁化の方向が反転する、
請求項1又は2に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記バイアス層の長手方向に沿って電流を導入する、
請求項3に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記バイアス層と前記記録層とが隣接することによる交換バイアスの作用によって、前記記録層の縦磁場による磁化の方向の反転方向が決定される、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記記録層に加わる縦磁場による磁化の方向の反転には、外部からの磁場の印加を要しない、
請求項3乃至5のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記バイアス層は、Pt又はIr及びMnを含み、その膜厚は、1nmから15nmの範囲内である、
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記記録層は、Co及びNiが積層された構造を含み、その膜厚は、0.8nmから5nmの範囲内である、
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子に、書き込み電流を流すことにより、前記磁気抵抗効果素子にデータを書き込む書き込み手段と、
前記障壁層を貫通する方向に電流を流してトンネル抵抗を求めることにより、前記磁気抵抗効果素子に書き込まれているデータを読み出す読み出し手段と、
を備える磁気メモリ装置。 - 反強磁性体を含み、第1の方向に延伸された形状を有するバイアス層と、強磁性体から構成され、前記バイアス層の上に形成された記録層と、絶縁体から構成され、前記記録層の上に形成された障壁層と、強磁性体から構成され、前記障壁層の上に形成された参照層と、を備えた積層構造を形成するステップと、
前記積層構造を磁場中にて熱処理するステップと、
前記積層構造中の層をリソグラフィー技術にてパターニングするステップと、
を有する製造方法。 - 前記熱処理するステップにおける磁場は、前記バイアス層の長手方向に対して、+45度から−45度の方向に印加する、
請求項10に記載の製造方法。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子に流す電流の向きを変化させることにより、前記磁気抵抗効果素子の抵抗を変化させる、
動作方法。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子に流す電流の大きさを変化させることにより、前記磁気抵抗効果素子のトンネル抵抗を連続的に変化させる、
動作方法。 - アレイ状に配置された請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子と周辺回路とを備える、
集積回路。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子が、ロジック回路上に分散して配置された、
集積回路。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子が、デジタルメモリとして動作する素子である、あるいは、アナログメモリとして動作する素子である、
集積回路。 - 請求項1乃至8の何れか1項に記載の磁気抵抗効果素子が、多値メモリとして動作する素子である、
集積回路。
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