JPWO2016157769A1 - 電解コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(電解コンデンサ)
本開示の一実施形態に係る電解コンデンサは、誘電体層を有する陽極体と、誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつヒドロキシル化合物を含む固体電解質層とを備える。固体電解質層は、少なくとも1層の導電性高分子と高分子ドーパントとヒドロキシル化合物とを含む層を含む。ただし、ヒドロキシル化合物は、アルコール性またはフェノール性ヒドロキシル基を2以上有し、かつ40℃以上、150℃以下の融点を有する。
(陽極体)
陽極体としては、導電性を有する多孔質体が使用できる。多孔質体を形成する導電性材料としては、弁作用金属、弁作用金属を含む合金、弁作用金属を含む化合物などが例示できる。これらの材料は一種を単独で、または二種以上を組み合わせて使用できる。弁作用金属としては、例えば、チタン、タンタル、アルミニウムおよび/またはニオブが好ましく使用される。これらの金属は、その酸化物も含め、誘電率が高いため、陽極体の構成材料として適している。
(誘電体層)
誘電体層は、陽極体の表面の導電性材料を、化成処理などにより陽極酸化することで形成される。よって、誘電体層は、導電性材料(特に弁作用金属)の酸化物を含む。例えば、弁作用金属としてタンタルを用いた場合、誘電体層はTa2O5を含む。弁作用金属としてアルミニウムを用いた場合、誘電体層はAl2O3を含む。なお、誘電体層はこれらに限られない。
(固体電解質層)
固体電解質層は、誘電体層の少なくとも一部を覆う第1導電性高分子層と、第1導電性高分子層の少なくとも一部を覆う第2導電性高分子層とを含む。この場合、第2導電性高分子層は、第1導電性高分子層の少なくとも一部を覆うように形成されていればよく、第1導電性高分子層の表面全体を覆うように形成されていてもよい。また、誘電体層の表面に第1導電性高分子層が形成されていない領域では、第2導電性高分子層が誘電体層と接触していてもよい。
(ヒドロキシル化合物)
ヒドロキシル化合物は、アルコール性またはフェノール性ヒドロキシル基を2以上有し、かつ40℃以上150℃以下の融点を有する。このようなヒドロキシル化合物は、導電性高分子の結晶性を高め、導電性を向上させるとともに、ESRを低減する効果を有する。その理由は明らかではないが、分子量の大きさが適度であること、分子量に対するOH基の密度が高いこと、常温で固体であることなどが、導電性の向上に関連していると考えられる。
(第1導電性高分子層)
第1導電性高分子層は、第1導電性高分子を含み、ヒドロキシル化合物を含んでもよく、更にドーパント(以下、第1ドーパント)を含んでもよい。
(第1導電性高分子)
第1導電性高分子としては、電解コンデンサに使用される公知のもの、例えば、π共役系導電性高分子などが使用できる。このような導電性高分子としては、例えば、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセンおよび/またはポリチオフェンビニレンなどを基本骨格とする高分子が挙げられる。このような高分子には、単独重合体、二種以上のモノマーの共重合体、およびこれらの誘導体(置換基を有する置換体など)も含まれる。例えば、ポリチオフェンには、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)などが含まれる。このような導電性高分子は、導電性が高く、ESR特性に優れている。導電性高分子は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。導電性高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば1000〜1,000,000である。
(第1ドーパント)
第1ドーパントとしては、例えば、酸性基(またはアニオン性基)を有する低分子化合物(低分子ドーパント)または高分子化合物(以下、第1高分子ドーパント)が使用される。高分子ドーパントを用いることで、均質な第1導電性高分子層を容易に形成することができる。第1ドーパントは、一種を単独でまたは二種以上を組み合わせて使用できる。
(第2導電性高分子層)
第2導電性高分子層は、第2導電性高分子を含み、ドーパント(以下、第2ドーパント)とヒドロキシル化合物とを含むことが好ましい。少なくとも第2導電性高分子層にヒドロキシル化合物を含ませることで、固体電解質層の導電性を向上させる効果が大きくなる。
(第2導電性高分子)
第2導電性高分子としては、電解コンデンサに使用される公知のものが使用でき、例えば、第1導電性高分子について例示した導電性高分子から適宜選択して使用することができる。第2導電性高分子の重量平均分子量も、第1導電性高分子について例示した範囲から適宜選択できる。第1導電性高分子と、第2導電性高分子とは、同じでもよく、異なってもよい。
(第2ドーパント)
第2ドーパントとしては、電解コンデンサで使用される公知のものが使用でき、具体的には、第1導電性高分子層について例示したものから適宜選択することができる。第1ドーパントと、第2ドーパントとは、同じでもよく、異なってもよい。第2ドーパントとしては、高分子ドーパント(以下、第2高分子ドーパント)を用いることが望ましい。
(電解コンデンサの製造方法)
本開示の一実施形態に係る電解コンデンサの製造方法は、誘電体層を有する陽極体を準備する第1ステップと、誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつヒドロキシ化合物を含む固体電解質層を形成する第2ステップとを含む。
(第1ステップ)
第1ステップでは、まず、陽極体の種類に応じて、公知の方法により陽極体を形成する。陽極体は、多孔質体であり、例えば、導電性材料で形成された箔状または板状の基材の表面を粗面化することにより準備することができる。粗面化は、基材表面に凹凸を形成できればよく、例えば、基材表面をエッチングすればよい。
(第2ステップ)
(ステップA)
ステップAでは、第1処理液を用いて、誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつ第1導電性高分子を含む第1導電性高分子層を形成する。例えば、誘電体層を有する陽極体を第1処理液に浸漬することにより、誘電体層の海綿体構造の凹凸の内壁面まで第1処理液を含浸させる。その後、陽極体を第1処理液から取り出して、乾燥する。乾燥の際、必要に応じて、陽極体を加熱してもよい。なお、第1処理液を誘電体層の海綿体構造の凹凸の内壁面まで含浸させる方法は、特に限定されない。
(ステップB)
ステップBでは、ステップAの後、第2処理液を用いて、第1導電性高分子層の少なくとも一部を覆い、かつ第2導電性高分子を含む第2導電性高分子層を形成する。ステップBは、第2処理液を用いること以外は、ステップAと同様に、またはステップAに準じた手順で実施することができる。
(ドーパントのスルホン化度)
導電性高分子へのドープを効率的に行い、十分な導電性を導電性高分子に付与する観点から、高分子ドーパントは、少なくともスルホン酸基を有することが望ましい。また、処理液の物性(粘度、ポットライフなど)を安定化させ、処理液に含まれる導電性高分子の分散性を向上させる観点から、少なくとも第2導電性高分子層に含まれる第2高分子ドーパントのスルホン化度を50〜90%にしてもよい。
を有する高分子ドーパントを含ませるとともに、第1導電性高分子層または第2導電性高分子層に、スルホン化度S2を有する高分子ドーパントをさらに含ませてもよい。ただし
、スルホン化度S1およびスルホン化度S2は、S1<S2を満たす。また、第1導電性高分子層および第2導電性高分子層に、それぞれスルホン化度S1を有する高分子ドーパント
を含ませるとともに、第1導電性高分子層および第2導電性高分子層に、スルホン化度S2を有する高分子ドーパントをさらに含ませてもよい。例えばスルホン化度S1が50〜90%である場合、スルホン化度S2は、90%を超えることが好ましい。
(水溶性高分子)
固体電解質層には、更に、上記以外の成分として、水溶性高分子を含ませることができる。水溶性高分子は、導電性高分子に対する親和性が高いため、導電性高分子層におけるひび割れの形成を抑制して、膜質を緻密化することができる。よって、導電性を高めることができ、ESRをより低減することができる。
(アミン化合物)
固体電解質層には、アミン化合物を含ませてもよい。アミン化合物は、固体電解質層の被覆性を高めることから、電解コンデンサの耐電圧の向上やESRの低減に有効である。アミン化合物としては、第1級アミノ基、第2級アミノ基、第3級アミノ基、第4級アンモニウム基などを有する有機化合物が好ましい。好ましいアミン化合物としては、窒素原子に1〜3個の置換基(例えばアルキル基、シクロアルキル基、アリール基など)を有する第1級〜第3級アミン、窒素原子に1または2個のアルキル基を有してもよいジアミンなどが例示できる。
(陰極層を形成するステップ)
電解コンデンサの製造方法は、さらに陰極層を形成するステップ(第3ステップ)を含むことができる。第3ステップでは、第2ステップで得られた固体電解質層の表面に、カーボン層と銀ペースト層とを順次積層することにより陰極層が形成される。
下記の要領で、図1に示す電解コンデンサ1を作製し、その特性を評価した。
(1)陽極体2を準備するステップ
基材としてのアルミニウム箔(厚み:100μm)の両方の表面をエッチングにより粗面化することで、陽極体2を作製した。
(2)誘電体層3を形成するステップ
陽極体2の一端部側の部分(分離部から一端部までの部分)を、化成液に浸漬し、70Vの直流電圧を、20分間印加して、酸化アルミニウムを含む誘電体層3を形成した。
(3)第1導電性高分子層4aを形成するステップ(ステップA)
攪拌下、ポリスチレンスルホン酸(重量平均分子量:75,000)の水溶液に3,4−エチレンジオキシチオフェンモノマーを添加し、次いで、酸化剤(硫酸鉄(III)および過硫酸ナトリウム)を添加して、化学酸化重合を行った。得られた重合液を、イオン交換装置によりろ過して不純物を除去することにより、第1導電性高分子としてのポリ3,4−エチレンジオキシチオフェン(PEDOT)と、第1高分子ドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸(PSS)とを含む溶液(PEDOT/PSS)を得た。
(4)第2導電性高分子層4bを形成するステップ(ステップB)
上記(3)と同様にして、第2導電性高分子としてのPEDOTと、第2高分子ドーパントとしてのPSS(重量平均分子量:75,000)とを含む溶液を得た。得られた溶液に、純水を加えて、高圧ホモジナイザーでホモジナイズし、さらにフィルターでろ過することにより分散液を調製した。得られた分散液に、ヒドロキシ化合物としてのネオペンチルグリコール(NPG、融点128℃、沸点210℃)を添加し、攪拌することにより第2処理液を調製した。なお、第2処理液中のヒドロキシ化合物(NPG)の量は、PEDOT100質量部に対して70質量部とした。
(5)陰極層5の形成ステップ
上記(4)で得られた固体電解質層4で覆われた誘電体層3を有する陽極体2を、黒鉛粒子を水に分散した分散液に浸漬し、分散液から取り出し後、乾燥することによりカーボン層5aを形成した。乾燥は、130〜180℃で10〜30分間行った。
(6)電解コンデンサの組み立て
上記(5)で得られたコンデンサ素子11の陰極層5と、陰極端子14の第1端部14aとを導電性接着剤17で接合した。コンデンサ素子11から突出した陽極体2の他端部と、陽極端子13の第1端部13aとをレーザ溶接により接合した。
(7)評価
(a)ESR
電解コンデンサからランダムに120個選び、4端子測定用のLCRメータを用いて、電解コンデンサの周波数100kHzにおけるESR値(mΩ)を測定し、平均値を求めた。
(b)漏れ電流(LC)
電解コンデンサの陽極体2と陰極層5との間に10Vの電圧を印加し、40秒後の漏れ電流を測定した。そして、所定の基準値と対比することにより、良否判定を行い、歩留まりを求めた。
(実施例2〜6)
ステップBにおいて、NPGに代えて、以下に示すヒドロキシ化合物を用いる以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
<実施例2>
2,5−ヘキサンジオール(HEDOL、融点50〜53℃、沸点212〜215℃)
<実施例3>
トリメチロールプロパン(TMP、融点58℃、沸点292〜297℃)
<実施例4>
キシリトール(XYTOL、融点92℃)
<実施例5>
カテコール(CTEOL、融点106℃、沸点246℃)
(実施例6)
第2処理液中のヒドロキシ化合物(NPG)の量を、PEDOT100質量部に対して20質量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例7)
第2処理液中のヒドロキシ化合物(NPG)の量を、PEDOT100質量部に対して200質量部に変更したこと以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例8)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(TMP)を、PEDOT100質量部に対して20質量部添加したこと以外、実施例3と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例9)
第1処理液中のヒドロキシ化合物(TMP)の量を、PEDOT100質量部に対して70質量部に変更したこと以外は、実施例8と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例10)
第1処理液中のヒドロキシ化合物(TMP)の量を、PEDOT100質量部に対して200質量部に変更したこと以外は、実施例8と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例11)
第2処理液中にヒドロキシ化合物(TMP)を添加しなかったこと以外は、実施例9と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例12)
第2処理液中に、更に、PEDOT100質量部に対して50質量部のアミン化合物(トリエチルアミン)を添加したこと以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例13)
第2処理液中に、更に、PEDOT100質量部に対して50質量部の水溶性高分子(ポリアクリル酸)を添加したこと以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例14)
第2処理液中の第2高分子ドーパントを、下記の共重合体(スルホン化度90%、D−1)に変更したこと以外は、実施例3と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。なお、第2高分子ドーパント(D−1)には、スチレンスルホン酸とアクリル酸との共重合体を用いた。
(実施例15)
第2高分子ドーパントである共重合体のスルホン化度を70%(D−2)に変更したこと以外は、実施例14と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例1)
第2処理液中にヒドロキシ化合物(NPG)を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例2)
NPGに代えて、エチレングリコール(EG、融点−13℃、沸点196℃)を用いる以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例3)
NPGに代えて、1,4−ブタンジオール(BDOL、融点19℃、沸点228℃)を用いる以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例4)
NPGに代えて、ペンタエリスリトール(PETOL、融点250℃、沸点419℃)を用いる以外は、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例16)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(NPG)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例17)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(XYTOL)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、実施例4と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例18)
第1処理液および第2処理液中のヒドロキシ化合物(TMP)の量を、PEDOT100質量部に対して200質量部に変更したこと以外は、実施例9と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例19)
第1処理液および第2処理液中のヒドロキシ化合物(TMP)の量を、PEDOT100質量部に対して300質量部に変更したこと以外は、実施例9と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例20)
第1処理液および第2処理液中に、更に、PEDOT100質量部に対して70質量部のアミン化合物(トリエチルアミン)を添加したこと以外は、実施例16と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例21)
第1処理液および第2処理液中に、更に、PEDOT100質量部に対して70質量部の水溶性高分子(ポリアクリル酸)を添加したこと以外は、実施例16と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例22)
第1処理液および第2処理液中の第1高分子ドーパントおよび第2高分子ドーパントを、それぞれ実施例14で調製した共重合体(スルホン化度90%、D−1)に変更したこと以外は、実施例16と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例5)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(EG)を、PEDOT100質量部に対して70量部添加したこと以外、比較例2と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例6)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(BDOL)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、比較例3と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例7)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(PETOL)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、比較例4と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
2:陽極体
3:誘電体層
4:固体電解質層
4a:第1導電性高分子層
4b:第2導電性高分子層
5:陰極層
5a:カーボン層
5b:銀ペースト層
11:コンデンサ素子
12:樹脂外装体
13:陽極端子
13a:陽極端子の第1端部
13b:陽極端子の第2端部
14:陰極端子
14a:陰極端子の第1端部
14b:陰極端子の第2端部
15:陰極部
16:分離部
17:導電性接着剤
(実施例16)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(NPG)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、実施例1と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例17)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(XYTOL)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、実施例4と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例18)
第1処理液および第2処理液中のヒドロキシ化合物(TMP)の量を、PEDOT100質量部に対して200質量部に変更したこと以外は、実施例9と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例19)
第1処理液および第2処理液中のヒドロキシ化合物(TMP)の量を、PEDOT100質量部に対して300質量部に変更したこと以外は、実施例9と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例20)
第1処理液および第2処理液中に、更に、PEDOT100質量部に対して70質量部のアミン化合物(トリエチルアミン)を添加したこと以外は、実施例16と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例21)
第1処理液および第2処理液中に、更に、PEDOT100質量部に対して70質量部の水溶性高分子(ポリアクリル酸)を添加したこと以外は、実施例16と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(実施例22)
第1処理液および第2処理液中の第1高分子ドーパントおよび第2高分子ドーパントを、それぞれ実施例14で調製した共重合体(スルホン化度90%、D−1)に変更したこと以外は、実施例16と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例5)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(EG)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、比較例2と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例6)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(BDOL)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、比較例3と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
(比較例7)
第1処理液中にもヒドロキシ化合物(PETOL)を、PEDOT100質量部に対して70質量部添加したこと以外、比較例4と同様にして、固体電解質層を形成し、電解コンデンサを作製した。
Claims (11)
- 誘電体層を有する陽極体と、
前記誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつヒドロキシル化合物を含む固体電解質層と、を備え、
前記固体電解質層は、
前記誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつ第1導電性高分子を含む第1導電性高分子層と、
前記第1導電性高分子層の少なくとも一部を覆い、かつ第2導電性高分子を含む第2導電性高分子層とを有し、
少なくとも前記第2導電性高分子層は、高分子ドーパントと、前記ヒドロキシル化合物と、を含み、
前記ヒドロキシル化合物は、アルコール性またはフェノール性ヒドロキシル基を2以上有し、かつ40℃以上150℃以下の融点を有する、
電解コンデンサ。 - 前記第1導電性高分子層および前記第2導電性高分子層が、それぞれ前記ヒドロキシル化合物を含み、
前記第1導電性高分子層に含まれる前記ヒドロキシル化合物の濃度よりも、前記第2導電性高分子層に含まれる前記ヒドロキシル化合物の濃度が高い、
請求項1に記載の電解コンデンサ。 - 前記第1導電性高分子層は、前記ヒドロキシル化合物を含まない、
請求項1に記載の電解コンデンサ。 - 前記ヒドロキシル化合物は、300℃以下の沸点を有する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の電解コンデンサ。 - 前記ヒドロキシル化合物は、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパンおよびカテコールからなる群より選ばれる少なくとも1種である、 請求項1〜4のいずれか1項に記載の電解コンデンサ。
- 誘電体層を有する陽極体と、
前記誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつ導電性高分子と、高分子ドーパントと、ヒドロキシル化合物と、を含む固体電解質層とを備え、
前記ヒドロキシル化合物は、アルコール性またはフェノール性ヒドロキシル基を2以上有し、かつ40℃以上150℃以下の融点を有する、
電解コンデンサ。 - 前記ヒドロキシル化合物は、300℃以下の沸点を有する、
請求項6に記載の電解コンデンサ。 - 前記ヒドロキシル化合物は、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパンおよびカテコールからなる群より選ばれる少なくとも1種である、 請求項6または7に記載の電解コンデンサ。
- 誘電体層を有する陽極体を準備する第1ステップと、
前記誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつヒドロキシ化合物を含む固体電解質層を形成する第2ステップと、を備え、
前記第2ステップは、
第1処理液を用いて、前記誘電体層の少なくとも一部を覆い、かつ第1導電性高分子を含む第1導電性高分子層を形成するステップAと、
第2処理液を用いて、前記第1導電性高分子層の少なくとも一部を覆い、かつ第2導電性高分子を含む第2導電性高分子層を形成するステップBと、を有し、
少なくとも前記第2処理液は、高分子ドーパントと、前記ヒドロキシル化合物と、を含み、
前記ヒドロキシル化合物は、アルコール性またはフェノール性ヒドロキシル基を2以上有し、かつ40℃以上150℃以下の融点を有する、
電解コンデンサの製造方法。 - 前記第1処理液および前記第2処理液が、それぞれ前記ヒドロキシル化合物を含み、
前記第1処理液に含まれる前記ヒドロキシル化合物の濃度よりも、前記第2処理液に含まれる前記ヒドロキシル化合物の濃度が高い、
請求項9に記載の電解コンデンサの製造方法。 - 前記第1処理液は、前記ヒドロキシル化合物を含まない、
請求項9に記載の電解コンデンサの製造方法。
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