JPWO2016148010A1 - 無方向性電磁鋼板およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

この無方向性電磁鋼板は、質量%で、C:0%〜0.0050%、Si:0.50%〜2.70%、Mn:0.10%〜3.00%、Al:1.00%〜2.70%、P:0.050%〜0.100%を含有し、Al/(Si+Al+0.5×Mn)が0.50〜0.83であり、Si+Al/2+Mn/4+5×Pが1.28〜3.90であり、Si+Al+0.5×Mnが4.0〜7.0であり、{111}面の強度I{111}に対する{100}面の強度I{100}の比率が0.50〜1.40であり、室温における比抵抗が60.0×10−8Ω・m以上であり、板厚が0.05mm〜0.40mmである。

Description

本発明は、高周波鉄損が低い無方向性電磁鋼板と、この無方向性電磁鋼板を高い生産性で生産する製造方法とに関する。より詳しくは、本発明は、高いエネルギー効率と小さな寸法と高い出力とが要求される電気機器の鉄心の素材に好適な無方向性電磁鋼板およびその製造方法に関する。このような電気機器として、例えば、エアコンのコンプレッサーモータ、ハイブリッド自動車、電気自動車、燃料電池自動車に搭載される駆動モータや、二輪車および家庭用コージェネレーションシステムに搭載される小型発電機などが挙げられる。
本願は、2015年3月17日に、日本に出願された特願2015−053095号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、地球環境問題を解決するために、より小型で、より出力が高く、よりエネルギー効率が高い電気機器が要求されている。そのため、電気機器の鉄心に使用される無方向性電磁鋼板(鋼板)には、低鉄損と高磁束密度との両方が強く求められている。
特に、ハイブリッド自動車や電気自動車の駆動モータでは、小型化に伴うトルク低下を補償するために、駆動モータの回転速度を増加させている。回転速度を増加させると、鋼板に印加される磁場の周波数が増加し鉄損が増加する。そのため、鋼板には、高い周波数における鉄損(高周波鉄損)を低減することが求められる。高周波鉄損を低減する手段としては、板厚の低減、比抵抗の増大、不純物元素の低減が採用されてきた。例えば、特許文献1〜5では、鋼板中のSiやAlなどの合金元素の含有量を増やすことによって、鋼板の比抵抗を高めている。
しかしながら、Si及びAlを鋼に多量に添加すると、鋼板の製造時に割れや破断が生じやすくなって生産性や歩留まりが低下する。この生産性や歩留まりの低下を防止するためには、鋼中のSi及びAlの量を減らして鋼の硬度を低下させることが有効である。一方、鉄損をさらに小さくするためには、鋼中のSi及びAlの量を増加させて比抵抗を増やす必要がある。Alが単位質量あたりの比抵抗の増加に及ぼす効果は、Siとほぼ同等であるが、Alが単位質量あたりの硬度上昇に及ぼす効果は、Siの約1/3〜1/2である。そのため、生産性をできる限り悪化させずに鉄損を低下させるのに有効な元素としてAlが用いられてきた。すなわち、鋼中のAl含有量をさらに増やすことにより、鉄損をさらに低下させている。このように、比抵抗を増加させるために、合金元素の含有量がさらに増加することが予想されるので、生産性をさらに改善する必要があった。
例えば、特許文献1には、質量%で、Si:1.5%〜3.5%、Al:0.6%〜3.0%を含有し、(Al/(Si+Al))が0.3〜0.5を満たす鋼から製造した熱延焼鈍板の平均結晶粒径とビッカース硬度とを制御する方法が開示されている。また、特許文献1には、この方法により熱延焼鈍板の耐破断性が高められ、生産性を損なうことなく高周波鉄損が低い無方向性電磁鋼板を提供することができることが開示されている。すなわち、特許文献1に開示された方法は、特許文献2〜5に開示された方法と異なり、Si含有量とAl含有量との合計に対するAl含有量の比率を調整している。
しかしながら、このAl含有量の比率が一定値以上になると高周波鉄損が増加してしまう。これは、Al含有量の比率の増加とともに磁歪が増加し、この磁歪がヒステリシス損を増加させることが原因であると考えられる。
日本国特開2007−247047号公報 日本国特開2005−200756号公報 日本国特開2003−253404号公報 日本国特開2013−44010号公報 日本国特開2014−210978号公報
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、これまでヒステリシス損の増加によって高周波鉄損が増加していた範囲(ある上限を超える範囲)までAl含有量の比率をさらに増加させても、高い生産性で高周波鉄損が低い無方向性電磁鋼板を提供可能にすることを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決すべく、所定量のAlを含有する鋼に種々の化学元素を添加した場合の鉄損、特にヒステリシス損の変化について鋭意研究を行った。その結果、これまでヒステリシス損の増加によって高周波鉄損が増加していた範囲まで鋼中のAl含有量の比率を増加させても、この鋼にPを所定量だけ含有させれば、Pが鋼板の集合組織に与える効果によって高周波鉄損が劣化しない(増加しない)ことを見出した。さらに、{111}面の強度I{111}に対する{100}面の強度I{100}の比率I{100}/I{111}が所定範囲内である集合組織を鋼板が有していれば、この集合組織が打ち抜き時に変形双晶が発生するのを抑制し、高周波鉄損をさらに低減できることを見出した。
また、Si含有量を低減しAl含有量を増加させると冷間圧延が容易になる。しかしながら、P含有量が増加すると冷間圧延が非常に困難になる。このように、Pが冷間圧延を困難にするが、冷間圧延直前の鋼板の平均結晶粒径を固溶強化パラメータRに応じて適切に制御することで、効率よく安定して鋼板を冷間圧延することができることを見出した。さらに、仕上焼鈍の加熱過程の所定の温度範囲において鋼板の温度を一定温度に保持することでI{100}/I{111}を所定範囲に制御できることを見出した。
本発明は、これらの知見を元になされたものであり、その要旨は、以下の通りである。
(1)本発明の一態様に係る無方向性電磁鋼板は、質量%で、C:0%〜0.0050%、Si:0.50%〜2.70%、Mn:0.10%〜3.00%、Al:1.00%〜2.70%、P:0.050%〜0.100%、S:0%〜0.0060%、N:0%〜0.0050%、Ti:0%〜0.008%、V:0%〜0.008%、Nb:0%〜0.008%、Zr:0%〜0.008%を含有し、残部がFeおよび不純物からなる化学組成を有し、前記化学組成が下記式(1)、下記式(2)及び下記式(3)を満足し、エックス線回折法により測定した正極点図から表面近傍の結晶方位分布関数と板厚中心の結晶方位分布関数との平均を得て決定される、{100}面の強度I{100}と{111}面の強度I{111}とが下記式(4)を満足し、室温における比抵抗が60.0×10−8Ω・m以上であり、板厚が0.05mm〜0.40mmである。
0.50≦Al/(Si+Al+0.5×Mn)≦0.83 (1)
1.28≦Si+Al/2+Mn/4+5×P≦3.90 (2)
4.0≦Si+Al+0.5×Mn≦7.0 (3)
0.50≦I{100}/I{111}≦1.40 (4)
(2)本発明の一態様に係る無方向性電磁鋼板の製造方法は、質量%で、C:0%〜0.0050%、Si:0.50%〜2.70%、Mn:0.10%〜3.00%、Al:1.00%〜2.70%、P:0.050%〜0.100%、S:0%〜0.0060%、N:0%〜0.0050%、Ti:0%〜0.008%、V:0%〜0.008%、Nb:0%〜0.008%、Zr:0%〜0.008%を含有し、残部がFeおよび不純物からなる化学組成を有し、前記化学組成が下記式(5)、下記式(6)及び下記式(7)を満足するスラブに、熱間圧延を施して熱延板を製造する熱間圧延工程と;前記熱間圧延工程後に、前記熱延板に冷間圧延を施して0.05mm〜0.40mmの板厚を有する冷延板を製造する冷間圧延工程と;前記冷間圧延工程後に、前記冷延板に仕上焼鈍を施す仕上焼鈍工程とを有し、前記冷間圧延工程では、前記冷間圧延前の前記熱延板の平均結晶粒径D(μm)と下記式(8)で表される固溶強化パラメータRとが下記式(9)を満足し、前記仕上焼鈍工程で前記冷延板を加熱する過程では、前記冷延板の温度を550℃〜700℃の範囲内の一定温度で10〜300s保つ。
0.50≦Al/(Si+Al+0.5×Mn)≦0.83 (5)
1.28≦Si+Al/2+Mn/4+5×P≦3.90 (6)
4.0≦Si+Al+0.5×Mn≦7.0 (7)
R=Si+Al/2+Mn/4+5×P (8)
Figure 2016148010
(3)上記(2)に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法は、前記熱間圧延工程と前記冷間圧延工程との間に、前記熱延板に熱延板焼鈍を施す熱延板焼鈍工程をさらに有してもよい。
本発明によれば、高周波鉄損をさらに改善した安価な無方向性電磁鋼板を提供することによって、電気機器をより小型にしたり、電気機器の出力及びエネルギー効率をより高めたりすることができる。加えて、無方向性電磁鋼板をより容易に打ち抜くことができるため、無方向性電磁鋼板を打ち抜く際に加熱を省略したり、摩耗に伴う金型の交換頻度を減らしたりすることができる。そのため、電気機器の製造コストを低減することもできる。また、本発明によれば、無方向性電磁鋼板の比抵抗を高めることによって冷間圧延が困難になったとしても、生産性及び歩留まりを落とすことなく高周波鉄損をさらに改善した無方向性電磁鋼板を安価に安定して製造することができる。したがって、本発明に係る無方向性電磁鋼板の工業的価値は極めて高い。
P含有量がW10/400とAl/(Si+Al+0.5×Mn)との間の関係に及ぼす効果を表すグラフである。 I{100}/I{111}とW10/400との関係を表すグラフである。
以下、本発明の一実施形態に係る無方向性電磁鋼板およびその製造方法について詳細に説明する。
A.無方向性電磁鋼板
以下、一実施形態に係る無方向性電磁鋼板における各構成について説明する。
1.化学組成
まず、本実施形態に係る無方向性電磁鋼板の化学組成について述べる。以下において、各化学元素の含有量(%)は質量%で示されている。
(1)Si:0.50%〜2.70%
Siは、鋼板の比抵抗を増加させて鋼板の鉄損を低減する。そのため、Si含有量が0.50%以上であることが必要である。また、Si含有量は、1.00%以上であると好ましく、1.20%以上であるとより好ましい。一方で、Si含有量が過剰であると冷間圧延時に鋼板が破断する恐れがある。また、本実施形態においては、後述のように、Si含有量を可能な限り低減してAl含有量を増加させている。さらには、Siは、鋼板のすべり系の活動を妨げるため、変形が生じた際に変形双晶の発達を促進する。この変形双晶は、磁壁の移動を妨げるので、打ち抜き後に変形双晶が多いと、ヒステリシス損が増加する。これらの観点から、Si含有量は、2.70%以下であることが必要である。また、Si含有量は、2.50%以下であると好ましく、2.00%以下であるとより好ましい。したがって、本実施形態の無方向性電磁鋼板のSi含有量は、0.50%〜2.70%である。
(2)Mn:0.10%〜3.00%
Mnは、Sと結合してMnSになるため、Sによって鋼が脆化するのを防止する。そのため、Mn含有量は、0.10%以上であることが必要である。また、Mnは、Si、Alと同様に比抵抗を増加させて鋼板の鉄損を低減する。Mn含有量とSi含有量とが異なる同一比抵抗の2つの鋼を比較すると、Mn含有量が高い鋼の硬度は、Si含有量が高い鋼板の硬度よりも低い。よって、Mn含有量が高い鋼は、Si含有量が高い鋼と比べて冷間圧延時に破断が生じにくい。そのため、Mn含有量は、0.50%以上であると好ましく、1.00%以上であるとより好ましい。しかしながら、Mn含有量が過剰であると合金コストが増加する。この観点から、Mn含有量は、3.00%以下であることが必要である。また、Mn含有量は、2.50%以下であると好ましく、2.00%以下であるとより好ましい。したがって、本実施形態の無方向性電磁鋼板のMn含有量は、0.10%〜3.00%である
(3)Al:1.00%〜2.70%
Alは、SiおよびMnと同様に比抵抗を増加させて鋼板の鉄損を低減する。そして、Alが単位質量当たりの比抵抗の増加に及ぼす効果は、Siとほぼ同等であるが、Alが単位質量当たりの硬度上昇に及ぼす効果は、Siの約1/3〜1/2である。よって、Alの含有量を増やすことによって高い生産性と高い比抵抗との両方を達成することができるため、Alは、本実施形態において重要な元素である。そのため、Al含有量は、1.00%以上であることが必要である。また、Al含有量は、1.50%以上であると好ましく、1.60%以上であるとより好ましい。一方で、Al含有量が過剰であると、飽和磁束密度が減少し、同一励磁条件における磁束密度も低下する。この観点から、Al含有量は、2.70%以下であることが必要である。また、Al含有量は、2.50%以下であると好ましく、2.40%以下であるとより好ましい。したがって、本実施形態の無方向性電磁鋼板のAl含有量は、1.00%〜2.70%である。
(4)P:0.050%〜0.100%
Pは、無方向性電磁鋼板の集合組織を改善し、磁化を容易にする。また、Pは、打ち抜き時の加工性を改善する。そのため、P含有量は、0.050%以上であることが必要である。また、P含有量は、0.055%以上であると好ましく、0.060%以上であるとより好ましい。しかしながら、Si含有量とMn含有量とAl含有量との総量が大きく、比抵抗が高い無方向性電磁鋼板では、P含有量が0.100%を超えると、冷間圧延時に破断を生じる可能性がある。この観点から、P含有量は0.100%以下であることが必要である。また、P含有量は、0.090%以下であると好ましく、0.080%以下であるとより好ましい。したがって、本実施形態の無方向性電磁鋼板のP含有量は、0.050%〜0.100%である。
(5)残部
残部はFeおよび不純物である。
Cは、不純物であり、C含有量は、0%であってもよい。C含有量が0.0050%を超えると微細な炭化物が鋼中に析出して鉄損が著しく増加する。したがって、C含有量を0%〜0.0050%とする必要がある。
Sは、不純物であり、S含有量は、0%であってもよい。S含有量が0.0060%を超えるとMnSなどの硫化物が鋼中に多数析出して鉄損が著しく増加する。また、Sは、仕上焼鈍時の粒成長も阻害するため、鋼のS含有量が高いと適正な平均結晶粒径を確保することができずに鉄損が増加する場合がある。したがって、S含有量を0%〜0.0060%とする必要がある。
Nは、不純物であり、N含有量は、0%であってもよい。N含有量が0.0050%を超えると窒化物の増加により鉄損が著しく増加する。また、Nは、仕上焼鈍時の粒成長も阻害するため、鋼のN含有量が高いと適正な平均結晶粒径を確保することができずに鉄損が増加する場合がある。したがって、N含有量を0%〜0.0050%とすることが必要である。
Ti、V、Nb、Zrは、不純物であり、0%であってもよい。これらTi、V、Nb、Zrは、仕上焼鈍時の粒成長に悪影響を及ぼすので、できる限り低減することが望ましい。したがって、Ti含有量、V含有量、Nb含有量、Zr含有量は、それぞれ0%〜0.008%とする必要がある。
(6)3つの化学元素(Si、Al、Mn)が比抵抗に及ぼす効果に占めるAlが比抵抗に及ぼす効果の比率X:0.50〜0.83
本実施形態では、鋼板の比抵抗の変化量は、(Si+Al+0.5×Mn)の値にほぼ比例し、Al/(Si+Al+0.5×Mn)は、3つの化学元素(Si、Al、Mn)が比抵抗に及ぼす効果に占めるAlが比抵抗に及ぼす効果の比率を示す。(Si+Al+0.5×Mn)の値を維持したままAl/(Si+Al+0.5×Mn)の値が増加すると、鋼板の比抵抗は同等のまま冷間圧延の負荷を減らしたり冷間圧延時の鋼板の破断を防止したりすることができる。そのため、本実施形態では、Al/(Si+Al+0.5×Mn)は、0.50以上、すなわち、下記式(10)によって示される範囲である。この範囲では、Si含有量とAl含有量との総量に対するAl含有量の比率の増加に伴うヒステリシス損の増加によって、従来法においては鉄損が増加していた。一方で、本実施形態では、P含有量の範囲と集合組織とを制御することにより下記式(10)によって示される範囲内でも鉄損を維持もしくは低下させることができる。また、本実施形態では、Si含有量、Al含有量及びMn含有量が上述の範囲内であることが必要であるため、Al/(Si+Al+0.5×Mn)は、0.83以下、すなわち、下記式(11)によって示される範囲である。したがって、本実施形態では、Al/(Si+Al+0.5×Mn)は、下記式(12)を満足する。また、Al/(Si+Al+0.5×Mn)は、0.51以上であってもよく、0.80以下であってもよい。なお、以下では、下記式(13)で示されるように、Al/(Si+Al+0.5×Mn)をXと表現することもある。
Al/(Si+Al+0.5×Mn)≧0.50 (10)
Al/(Si+Al+0.5×Mn)≦0.83 (11)
0.50≦Al/(Si+Al+0.5×Mn)≦0.83 (12)
X=Al/(Si+Al+0.5×Mn) (13)
ここで、式中の各元素記号は鋼中の各元素の含有量(質量%)を示す。
(7)固溶強化パラメータR:1.28〜3.90
Si、Al、Mn、およびPは、固溶強化能が高く、鋼板がこれら化学元素を過剰に含有すると冷間圧延中に鋼板が破断する恐れがある。そこで、下記式(14)に示すように、Si、Al、Mn、およびPの固溶強化能を表す指標として、固溶強化パラメータRを定義し、本実施形態では、この固溶強化パラメータRを3.90以下とする。また、本実施形態では、Si含有量、Al含有量、Mn含有量、およびP含有量が上述した範囲内であることが必要であるため、固溶強化パラメータRは、1.28以上である。したがって、固溶強化パラメータRは、下記式(15)に示すように、1.28〜3.90である。また、固溶強化パラメータRは、1.50以上もしくは2.00以上であってもよく、3.80以下であってもよい。
R=Si+Al/2+Mn/4+5×P (14)
1.28≦R≦3.90 (15)
ここで、式中の各元素記号は鋼中の各元素の含有量(質量%)を示す。
2.室温における比抵抗ρ:60.0×10−8Ω・m以上
室温における比抵抗は、主にSi含有量、Al含有量、およびMn含有量によって定まる。高周波において低鉄損を確保する観点から、室温における比抵抗は60.0×10−8Ω・m以上であることが必要である。また、室温における比抵抗は、65.0×10−8Ω・m以上とすると好ましい。室温における比抵抗は、85.0×10−8Ω・m以下もしくは70.0×10−8Ω・m以下であってもよい。
この室温における比抵抗を得るためには、下記式(16)に示すように、(Si+Al+0.5×Mn)が4.0〜7.0であることが必要である。この(Si+Al+0.5×Mn)は、4.4〜7.0であるとより好ましい。以下では、下記式(17)で示されるように、この(Si+Al+0.5×Mn)をEと表現することもある。
なお、室温における比抵抗は公知の四端子法により測定する。鋼板のエッジから10cm以上離れた位置から少なくとも1つ試料を採取し、この試料から絶縁コーティングを除去してから比抵抗を測定する。絶縁コーティングの除去には、例えば20%の水酸化ナトリウム水溶液などのようなアルカリ水溶液を用いればよい。
4.0≦Si+Al+0.5×Mn≦7.0 (16)
E=Si+Al+0.5×Mn (17)
ここで、式中の各元素記号は鋼中の各元素の含有量(質量%)を示す。
3.平均結晶粒径
無方向性電磁鋼板の平均結晶粒径(結晶粒の平均直径)は、30μm〜200μmの範囲内であることが好ましい。平均結晶粒径が30μm以上であると、個々の再結晶粒の磁気特性が高いため、磁束密度及び鉄損が改善する。また、平均結晶粒径が200μm以下であると、渦電流損が減少し、さらに鉄損が低減する。
なお、無方向性電磁鋼板の平均結晶粒径(μm)は、50倍の倍率で光学顕微鏡を通じて撮影された写真に対して切断法を適用して決定する。試料は、鋼板のエッジから10cm以上離れた位置から3つ採取する。これら試料の縦断面(板厚方向及び圧延方向を含む面;板幅方向に垂直な面)の写真に対して切断法を適用する。この切断法では、板厚方向の結晶粒径の平均値と圧延方向の結晶粒径の平均値を平均して平均結晶粒径を決定する。測定する結晶粒の数は、採取した試料1つあたり少なくとも200個以上とすることが望ましい。
4.{111}面の強度I{111}に対する{100}面の強度I{100}の比率(I{100}/I{111}):0.50〜1.40
本実施形態に係る無方向性電磁鋼板は、下記式(18)に示すように、{111}面の強度I{111}に対する{100}面の強度I{100}の比率(I{100}/I{111})が0.50〜1.40である集合組織を有する。図2に示すように、I{100}/I{111}が0.50未満であると、望ましい磁気特性が得られず、鉄損が増加する。一方、I{100}/I{111}が1.40を超えると、打ち抜き時に変形双晶が生じる結晶粒が著しく増加する。この変形双晶は、磁壁の移動を妨害するため、図2に示すように鉄損が劣化する。試料は、鋼板のエッジから10cm以上離れた位置から3つ採取する。これら試料の横断面(厚さ方向に垂直な断面)に対してエックス線回折法(反射法)を適用する。なお、測定する板厚位置(横断面の厚さ方向における位置)は、表面近傍(鋼板の表面から板厚の1/10の距離だけ離れた個所)及び板厚中心(鋼板の表面から板厚の1/2の距離だけ離れた個所)である。これら表面近傍と板厚中心との両方に対し、エックス線回折装置(エックス線回折法)を用いて反射法により3つの正極点図({200}面、{110}面、{211}面の正極点図)を測定する。これらの正極点図から計算により各板厚位置における結晶方位分布関数(ODF)を得る。その後、表面近傍のODFと板厚中心のODFとを平均化し、I{100}及びI{111}を決定する。
0.50≦I{100}/I{111}≦1.40 (18)
5.板厚:0.05〜0.40mm
本実施形態では、本質的に高周波において低鉄損を達成することを前提としている。板厚が薄いと高周波において低鉄損を得ることができるため、板厚は0.40mm以下であることが必要である。また、板厚は、好ましくは0.30mm以下、より好ましくは0.20mm以下である。一方、板厚を過度に薄くすると鋼板の平坦度が劣化して鋼板の占積率が極端に低下したり、鉄心の生産性が低下したりする場合がある。そのため、板厚は0.05mm以上であることが必要である。また、板厚は、好ましくは0.10mm以上、より好ましくは0.15mm以上である。
6.製造方法
本実施形態に係る無方向性電磁鋼板は、製造コストを低減する観点から下記実施形態に係る無方向性電磁鋼板の製造方法により製造することが好適である。
B.無方向性電磁鋼板の製造方法
次に、一実施形態に係る無方向性電磁鋼板の製造方法における各工程について説明する。
1.熱間圧延工程
熱間圧延工程においては、上述の化学組成を有するスラブに、熱間圧延を施して熱延板とする。
熱間圧延の条件は、特に限定されるものではない。熱延板の板厚(仕上げ板厚)は、1.0mm〜2.5mmとすることが好ましい。板厚が1.0mm以上であると、熱間圧延機にかかる負荷が少なく、熱間圧延工程における生産性が高い。
2.冷間圧延工程
冷間圧延工程においては、上記熱間圧延工程後、熱延板に冷間圧延を施して冷延板とする。
冷間圧延では、上記式(14)に示される固溶強化パラメータRと熱延板の平均結晶粒径D(μm)とが下記式(19)を満足する必要がある。固溶強化パラメータRと熱延板の平均結晶粒径D(μm)が下記式(19)を満足すると、冷間圧延時に破断を生じることなく冷延板を得ることができる。一方、固溶強化パラメータRと熱延板の平均結晶粒径D(μm)が下記式(19)を満足しない場合、冷間圧延時に破断が生じ、製品(無方向性電磁鋼板)を得ることができない。
Figure 2016148010
なお、平均結晶粒径D(μm)は、50倍の倍率で光学顕微鏡を通じて撮影された写真に対して切断法を適用して決定する。試料は、熱延板のエッジから10cm以上離れた位置から3つ採取する。これら試料の縦断面(板厚方向及び圧延方向を含む面;板幅方向に垂直な面)の写真に対して切断法を適用する。この切断法では、板厚方向の結晶粒径の平均値と圧延方向の結晶粒径の平均値を平均して平均結晶粒径を決定する。測定する結晶粒の数は、採取した試料1つあたり少なくとも200個以上とすることが望ましい。
ここで、平均結晶粒径D(μm)は、冷間圧延直前の熱延板(直接冷間圧延される熱延板)の平均粒径である。すなわち、「冷間圧延直前の鋼板」は、熱間圧延工程直後に冷間圧延工程が続く場合、熱間圧延工程により得られる熱延板を意味する。また、後述するように、熱間圧延工程と冷間圧延工程との間に熱延板焼鈍工程を行う場合、「冷間圧延直前の鋼板」は、熱延板焼鈍工程により得られる熱延板焼鈍板(熱延板焼鈍を受けた熱延板)を意味する。
冷間圧延における圧下率は、60%〜95%とすることが好ましい。圧下率が60%以上であると、Pが無方向性電磁鋼板の集合組織に与える効果をより安定的に得ることができる。また、圧下率が95%以下であると、無方向性電磁鋼板を工業的に安定して製造できる。冷間圧延では、上記「A.無方向性電磁鋼板」に記載した理由により、冷延板の板厚を0.05mm〜0.40mmとする。
冷間圧延時の鋼板温度は、室温でも良い。また、冷間圧延は、鋼板温度が100℃〜200℃である温間圧延であっても良い。鋼板温度を100℃〜200℃まで加熱するために、鋼板を予熱しても良いし、ロールを予熱しても良い。
また、冷間圧延におけるパス数は、3パス以上であると好ましい。この冷間圧延において、1パス目の圧下率は、10%〜25%であると好ましい。また、1パス目から2パス目までの合計圧下率(累積圧下率)が35%〜55%であると好ましい。さらに、1パス目から最終パスまでの合計圧下率(累積圧下率)は、上述の通り60%〜95%とすると好ましい。1パス目の圧下率が10%以上であると、冷延板の生産効率が高い。また、1パス目の圧下率が25%以下であると、鋼板が高速かつ安定的にロール間を通過できる。1パス目から2パス目までの合計圧下率が35%以上であると、鋼板が高速かつ安定的にロール間を通過できる。また、1パス目から2パス目までの合計圧下率が55%以下であると、冷間圧延機にかかる負荷が少ない。
3.仕上焼鈍工程
仕上焼鈍工程においては、上記冷間圧延工程後、冷延板に仕上焼鈍を施して無方向性電磁鋼板とする。
仕上焼鈍工程は、冷延板を加熱する加熱過程と、加熱された冷延板の温度を所定の温度域に一定温度で保持する保持過程と、保持過程の後冷延板を冷却する冷却過程とを有する。無方向性電磁鋼板のI{100}/I{111}が0.50〜1.40の範囲に入るように、加熱過程では、冷延板の温度を550℃〜700℃の範囲内の一定温度で10〜300s間保持する中間保持が必要である。この550℃〜700℃という範囲では、板面(鋼板の表面に平行な面、すなわち、圧延方向と板幅方向とを含む面)に{100}面を有する結晶粒の量と板面に{111}面を有する結晶粒の量を制御できる。また、この範囲に冷延板の温度が一定温度で保持される時間が10s未満であると、I{100}/I{111}が0.50〜1.40の範囲である集合組織を得ることができず、打ち抜き時に変形双晶が生じる結晶粒が著しく増加する。一方、上記範囲に冷延板の温度が一定温度で保持される時間が300sを超えると、無方向性電磁鋼板の生産性が低い。より生産性を高めるために、この保持時間が30s以下であるとより好ましい。また、550℃未満の温度域及び700℃を超える温度域では、冷延板の温度を一定温度に保持する時間をどんなに制御しても、I{100}/I{111}が十分に変化しないため、適切な集合組織を得ることができない。中間保持の後、加熱過程では、冷延板の温度が700℃を超える目標温度まで冷延板をさらに加熱する。その後、保持過程において、目標温度を含む所定の温度域に冷延板の温度を保持する。この温度域は、1100℃以下であると、焼鈍設備にかかる負荷が少ないため、1100℃以下であると好ましい。また、無方向性電磁鋼板の平均結晶粒径が30μm〜200μmの範囲に入るように、冷延板の温度が950℃以上の範囲に1s以上保持されると好ましい。一方で、冷延板の温度が950℃以上の範囲に保持される時間が300s以下であると、生産性は十分である。以上から、保持過程では、冷延板の温度を950〜1100℃の範囲内で1〜300s保持するとより好ましい。仕上焼鈍では、上記「A.無方向性電磁鋼板」に記載した理由により、仕上焼鈍後に30μm〜200μmの平均結晶粒径が得られると好ましい。
4.熱延板焼鈍工程
本実施形態では、熱間圧延工程と冷間圧延工程との間に熱延板焼鈍工程を行ってもよい。熱延板焼鈍工程では、Al含有量が1.0%以上である鋼板の集合組織にPが与える効果をさらに高めることができ、高い磁束密度と低鉄損とをより安定的に確保できる。また、熱延板焼鈍工程では、熱間圧延時に導入された加工組織中の歪を解放し、熱延板の硬度を低下させる。そのため、熱延板焼鈍により、冷間圧延機への負荷を低減したり冷間圧延時の鋼板への損傷(例えば、リジングの発生)を低減したりできる。したがって、上記熱間圧延工程により得られた熱延板に熱延板焼鈍を施す熱延板焼鈍工程を行うことが好ましい。
熱延板焼鈍工程では、熱延板を加熱する加熱過程と、加熱された熱延板の温度を所定の範囲に保持する保持過程と、保持過程後熱延板を冷却する冷却過程とを有する。
熱延板には、圧延条件に応じて異なる加工組織が含まれる場合がある。また、熱延板は、Alを1.0%以上含有しているので、再結晶が完了する温度が900℃〜950℃の範囲内にある。そのため、加工組織から再結晶組織を得て冷間圧延時の鋼板の損傷を安定的に防ぐためには、950℃以上の温度範囲で熱延板を焼鈍すると好ましい。また、同じ理由で、この温度範囲における焼鈍時間を30s以上とすることが好ましい。熱延板を1100℃以下で焼鈍すると、焼鈍設備にかかる負荷が少ないため、焼鈍温度が1100℃以下であると好ましい。焼鈍時間は、3600s以下であると、高い生産性を維持することができるため、3600s以下とすることが好ましい。また、固溶強化パラメータRが3.80以下である場合に、焼鈍温度が1000℃以上であると、上記式(19)によって得られる効果をさらに高めることができる。そのため、焼鈍温度は、好ましくは1000℃以上である。
また、冷却過程では、Pの粒界偏析を低減して集合組織をさらに改善するために、950℃から600℃までの温度域における平均冷却速度を1℃/s〜30℃/sとすることが好ましい。
以上から、熱延板焼鈍では、熱延板の温度を950℃〜1100℃の範囲に30s〜3600s間保持した後、950℃から600℃までの温度域における平均冷却速度が1℃/s〜30℃/sとなるように冷却するとより好ましい。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、具体的な例に過ぎず、本発明の技術的範囲は、本発明の特許請求の範囲に記載された特徴点と実質的に同一な特徴点を有するものを包含する。
以下、参考実験及び本発明に係る実施例を具体的に説明する。なお、以下の表において下線が付与された欄は、本発明の必須条件を満足しない条件であることを示す。
(参考実験1)P含有量の影響
下記表1に示す化学組成を有する鋼No.1〜10を真空中で溶解し、鋳造してスラブを得た。このスラブを熱間圧延し2.0mmの板厚を有する熱延板を得た。次に、熱延板焼鈍において、この熱延板を1000℃まで加熱後、熱延板の温度を1000℃で60s保持し、950℃から600℃までの平均冷却速度が下記表2に示す値になるように熱延板を1000℃から室温まで冷却した。熱延板焼鈍後、熱延板を冷間圧延し、0.35mmの板厚を有する冷延板を得た。この冷延板の温度を1050℃で1s保持する仕上焼鈍を冷延板に対して施し、無方向性電磁鋼板(試料No.1〜10)を得た。
この無方向性電磁鋼板から55mm角の単板試験片を打抜き、この単板試験片の室温における比抵抗ρ[Ω・m]を測定した。また、磁束密度が1.0Tであり、周波数が400Hzである磁束を単板試験片に加えて単板試験片を磁化し、単板試験片の高周波鉄損W10/400[W/kg]を測定した。加えて、単板試験片のエッジ表面(打抜き面)の写真を50倍の倍率で光学顕微鏡を通じて撮影し、この写真中の約300個の結晶粒と、この約300個の結晶粒において変形双晶が生じた結晶粒の数とを数え、結晶粒の総数(約300個)に対する変形双晶が生じた結晶粒の数の割合(双晶発生率)を求めた。各試料No.のρ、W10/400、双晶発生率を表2に示す。なお、全ての試料No.において、無方向性電磁鋼板の平均結晶粒径は約100μmであった。
Figure 2016148010
Figure 2016148010
試料No.1〜4の群では、P含有量は、約0.01%であった。この試料群において試料No.2を試料No.1と比較すると、ρの増加によってW10/400が低下した。また、試料No.3を試料No.2と比較すると、ρが同じであるにも関わらず、Xの増加によりW10/400が増加した。試料No.5〜10の群では、P含有量は、約0.08%であった。この試料群において試料No.7を試料No.7と同じρを有する試料No.6と比較すると、Xが増加したにも関わらずW10/400を維持することができた。また、試料No.5では、固溶強化パラメータRが高すぎたため、冷間圧延中に熱延板の破断が生じ、無方向性電磁鋼板が得られなかった。図1には、各試料群におけるW10/400とAl/(Si+Al+0.5×Mn)との関係を示しており、この図1は、P含有量がW10/400とXとの間の関係に与える効果を明確に表している。但し、この図1では、試料No.5が除外されている。表1および図1から分かるように、P含有量が約0.01%である場合、Xが0.38に達するまでXの増加とともにW10/400が低下したが、Xが0.38を超えた後Xの増加とともにW10/400の値が増加した。一方、P含有量が約0.08%である場合、Xが増加しても低いW10/400を維持することができた。このように、最低でも0.05%のPを鋼が含むと、Xの増加に伴うW10/400の増加がほとんどないので、W10/400を維持したまま鋼の被加工性を高めることができる。
また、試料No.1〜4から分かるように、無方向性電磁鋼板のρを高い水準に維持する場合、Si含有量が多くなる程双晶発生率が増加した。Xを大きくするとρを高い水準に維持したままSi含有量を低下させて双晶発生率を低減できる。この場合、磁壁の移動が容易になり、W10/400を減らすことができると期待される。しかしながら、試料No.1〜4では、双晶発生率を低減してもW10/400を減らすことができなかった。また、試料No.6〜8を試料No.2〜4と比較すると、双晶発生率はほとんどP含有量に依存していなかった。そのため、P含有量がW10/400とXとの間の関係に与える効果は、双晶発生率の低下ではなく、P含有量の増加による集合組織の改善によってもたらされていることが分かる。
(参考実験2)平均結晶粒径D[μm]の影響
上記表1に示した鋼No.1、3、4、5、7、および8を真空中で溶解し、鋳造してスラブを得た。このスラブを熱間圧延し2.0mmの板厚を有する熱延板を得た。次に、熱延板焼鈍において、この熱延板を下記表3に示す焼鈍温度まで加熱後、熱延板の温度をその温度に60s保持し、950℃から600℃までの平均冷却速度が下記表3に示す値になるように熱延板をその保持温度から室温まで冷却した。
この熱延板焼鈍板の平均結晶粒径(冷間圧延直前の鋼板の平均結晶粒径)D[μm]と1kgfでの表面硬度Hv(ビッカース硬さ)[−]とを測定した。平均結晶粒径D[μm]及び表面硬度Hv[−]を表3に示す。
その後、熱延板焼鈍板を冷間圧延して板厚0.20mmの冷延板(試料No.1−a〜8−d)を得た。この冷間圧延におけるパス数は、5パスであった。1パス目の圧下率を15%、1パス目から2パス目までの合計圧下率を40%とし、トータルの圧下率を90.0%とした。表3に冷間圧延での破断の有無を示す。
Figure 2016148010
試料No.5−a〜5−dでは、固溶強化パラメータRが高過ぎることに加え、この固溶パラメータRと平均結晶粒径D[μm]とが上記(19)式を満足しなかったため、冷間圧延中に熱延板焼鈍板が破断した。試料No.7−aでは、固溶パラメータRと平均結晶粒径D[μm]とが上記(19)式を満足しなかったため、冷間圧延中に熱延板焼鈍板が破断した。試料No.5−a〜5−dおよび試料No.7−a以外の試料は、冷間圧延で破断することなく熱延板焼鈍板を圧延することができた。
(実施例1)
上記表1に示した鋼No.6、7、及び8を真空中で溶解し、鋳造してスラブを得た。このスラブを熱間圧延し2.0mmの板厚を有する熱延板を得た。次に、熱延板焼鈍において、この熱延板を1000℃まで加熱後、熱延板の温度を1000℃に60s間保持し、950℃から600℃までの平均冷却速度が1℃/s〜30℃/sになるように熱延板を1000℃から室温まで冷却した。その後、熱延板焼鈍板を冷間圧延して板厚0.35mmの冷延板を得た。引き続き、仕上焼鈍では、冷延板を1050℃まで加熱し、冷延板の温度を1050℃で1s保持した後、冷延板を1050℃から室温まで冷却して、無方向性電磁鋼板(試料No.6−e〜8−f)を得た。試料No.6−f、7−f、8−fでは、表4に示すように、冷延板の温度を1050℃まで加熱する加熱過程において、冷延板の温度を600℃で20s間保持した。
(参考実験1)と同様に、得られた無方向性電磁鋼板の高周波鉄損W10/400[W/kg]及び双晶発生率を測定した。さらに、エックス線回折装置を用いて無方向性電磁鋼板の表面近傍及び板厚中心における正極点図を測定した。これらの正極点図から表面近傍のODFと板厚中心のODFを計算し、これらのODFを平均してI{100}/I{111}を決定した。W10/400、双晶発生率、およびI{100}/I{111}の結果を表4に示す。また、全ての試料No.において、無方向性電磁鋼板の平均結晶粒径は、約100μmであった。
Figure 2016148010
例えば試料No.7−fを試料No.7−eと比較すると分かるように、Xが0.50以上である鋼(鋼No.7及び8)では、仕上焼鈍の加熱過程に冷延板の温度を600℃で20s間保持する中間保持を追加すると、鉄損が大きく低下した。また、この中間保持によってI{100}/I{111}が減少し、双晶発生率が低下した。双晶発生率低下の詳細な理由は明らかではないが、変形双晶は{211}面の<111>方向に沿って生じるため、I{100}/I{111}が変形双晶の発生に影響を与えたと考えられる。結果として、I{100}/I{111}が0.50〜1.40である集合組織によって、打ち抜き時の変形双晶の発生が阻害されたと考えられる。
一方で、試料No.6−fと試料No.6−eとを比較すると分かるように、Xが0.50未満である鋼(鋼No.6)では、仕上焼鈍の加熱過程に冷延板の温度を600℃で20s間保持する中間保持を追加しても、I{100}/I{111}、双晶発生率、鉄損は、殆ど変化しなかった。
このように、仕上焼鈍の加熱過程において、Xが0.50以上である冷延板の温度を550℃〜700℃の範囲内で10〜300s間一定温度に保持すると、I{100}/I{111}が0.50〜1.40である集合組織を得ることができる。一方で、Xが0.50未満である場合や冷延板の温度を550℃〜700℃の範囲内で10〜300s間一定温度に保持しない場合には、I{100}/I{111}が0.50〜1.40である集合組織を得ることができない。
(実施例2)
下記表5及び6に示す化学組成を有する鋼No.11〜65を真空中で溶解し、鋳造してスラブを得た。このスラブを熱間圧延し2.0mmの板厚を有する熱延板を得た。次に、熱延板焼鈍において、この熱延板を1000℃まで加熱後、熱延板の温度を1000℃または1050℃で60s保持し、950℃から600℃までの平均冷却速度が下記表7及び8に示す値になるように熱延板を1000℃から室温まで冷却した。この熱延板焼鈍板の平均結晶粒径(冷間圧延直前の鋼板の平均結晶粒径)D[μm]を測定した。平均結晶粒径D[μm]を表7及び8に示す。
次に、熱延板焼鈍板を冷間圧延して板厚0.35mmの冷延板を得た。この冷間圧延におけるパス数は、6パスであった。1パス目の圧下率を20%、1パス目から2パス目までの合計圧下率を50%とし、トータルの圧下率を82.5%とした。さらに、仕上焼鈍の加熱過程において、この冷延板を600℃まで加熱し、冷延板の温度を600℃で20s保持し、さらに冷延板を1050℃まで加熱した。その後、仕上焼鈍の続きの過程において、加熱された冷延板を1050℃で1s保持し、無方向性電磁鋼板(試料No.11〜65)を得た。
この無方向性電磁鋼板から55mm角の単板試験片を打抜き、この単板試験片の室温における比抵抗ρ[Ω・m]を測定した。また、この単板試験片の5000A/mの磁化力での磁束密度B50[T]、およびW10/400[W/kg]を測定した。ρ[Ω・m]、B50[T]、およびW10/400[W/kg]の結果を表9及び10に示す。また、いずれの試料No.でも、無方向性電磁鋼板の平均結晶粒径は約100μmであった。
Figure 2016148010
Figure 2016148010
Figure 2016148010
Figure 2016148010
Figure 2016148010
Figure 2016148010
試料No.11〜14では、Si含有量、ρ及びEが小さすぎたので、W10/400が高かった。試料No.15〜18では、Si含有量が大きすぎることに加え、Rが上記(15)式を満足しなかったため、冷間圧延中に鋼板が破断した。また、試料No.19〜22では、Mn含有量が高すぎることに加え、X及びI{100}/I{111}がそれぞれ上記(12)及び(18)式を満足しなかったため、W10/400が高かった。試料No.23〜26では、化学組成及び集合組織が不適切であったため、W10/400が高かった。これら試料No.では、Mn含有量が高すぎ、Al含有量が低すぎたことに加え、ρが低く、Eが小さかった。さらに、X及びI{100}/I{111}がそれぞれ上記(12)及び(18)式を満足しなかった。試料No.27〜30では、Al含有量が高すぎたことに加え、I{100}/I{111}が上記(18)式を満足しなかったため、W10/400が高かった。試料No.31では、P含有量が低すぎたため、W10/400が高かった。
一方、試料No.32〜65では、鋼の化学組成及び製造条件が適切であったため、冷間圧延における製造性(生産性及び歩留まり)に優れていた。また、これら試料No.では、鋼板の比抵抗及び集合組織が適切であったため、W10/400が低かった。
図2には、試料No.19〜22、27〜30及び32〜65のデータから作成された、I{100}/I{111}とW10/400との関係を表すグラフを示している。この図2からI{100}/I{111}が0.5〜1.4の範囲であるとW10/400を最小限度まで減らすことができる。
本発明によれば、高周波鉄損をさらに改善した安価な無方向性電磁鋼板およびその製造方法を提供できるので、本発明の産業上の利用可能性は大きい。

Claims (3)

  1. 質量%で、
    C:0%〜0.0050%、
    Si:0.50%〜2.70%、
    Mn:0.10%〜3.00%、
    Al:1.00%〜2.70%、
    P:0.050%〜0.100%、
    S:0%〜0.0060%、
    N:0%〜0.0050%、
    Ti:0%〜0.008%、
    V:0%〜0.008%、
    Nb:0%〜0.008%、
    Zr:0%〜0.008%、
    を含有し、残部がFeおよび不純物からなる化学組成を有し、
    前記化学組成が下記式(1)、下記式(2)及び下記式(3)を満足し、
    エックス線回折法により測定した正極点図から表面近傍の結晶方位分布関数と板厚中心の結晶方位分布関数との平均を得て決定される、{100}面の強度I{100}と{111}面の強度I{111}とが下記式(4)を満足し、
    室温における比抵抗が60.0×10−8Ω・m以上であり、
    板厚が0.05mm〜0.40mmである
    ことを特徴とする無方向性電磁鋼板。
    0.50≦Al/(Si+Al+0.5×Mn)≦0.83 (1)
    1.28≦Si+Al/2+Mn/4+5×P≦3.90 (2)
    4.0≦Si+Al+0.5×Mn≦7.0 (3)
    0.50≦I{100}/I{111}≦1.40 (4)
  2. 質量%で、
    C:0%〜0.0050%、
    Si:0.50%〜2.70%、
    Mn:0.10%〜3.00%、
    Al:1.00%〜2.70%、
    P:0.050%〜0.100%、
    S:0%〜0.0060%、
    N:0%〜0.0050%、
    Ti:0%〜0.008%、
    V:0%〜0.008%、
    Nb:0%〜0.008%、
    Zr:0%〜0.008%、
    を含有し、残部がFeおよび不純物からなる化学組成を有し、前記化学組成が下記式(5)、下記式(6)及び下記式(7)を満足するスラブに、熱間圧延を施して熱延板を製造する熱間圧延工程と、
    前記熱間圧延工程後に、前記熱延板に冷間圧延を施して0.05mm〜0.40mmの板厚を有する冷延板を製造する冷間圧延工程と、
    前記冷間圧延工程後に、前記冷延板に仕上焼鈍を施す仕上焼鈍工程と
    を有し、
    前記冷間圧延工程では、前記冷間圧延の前に前記熱延板の平均結晶粒径D(μm)と下記式(8)で表される固溶強化パラメータRとが下記式(9)を満足し、
    前記仕上焼鈍工程で前記冷延板を加熱する過程では、前記冷延板の温度を550℃〜700℃の範囲内の一定温度で10〜300s保つ
    ことを特徴とする無方向性電磁鋼板の製造方法。
    0.50≦Al/(Si+Al+0.5×Mn)≦0.83 (5)
    1.28≦Si+Al/2+Mn/4+5×P≦3.90 (6)
    4.0≦Si+Al+0.5×Mn≦7.0 (7)
    R=Si+Al/2+Mn/4+5×P (8)
    Figure 2016148010
  3. 前記熱間圧延工程と前記冷間圧延工程との間に、前記熱延板に熱延板焼鈍を施す熱延板焼鈍工程をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の無方向性電磁鋼板の製造方法。
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