JPWO2016084936A1 - Sawデバイスおよびsawデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
11 底部(サファイア基板)
15 貫通孔
20 蓋体部
22 蓋部
23 側部
32 導電体
34 ビア導体
50 LT基板
51 SAW素子
61 電極層
Claims (12)
- SAW素子と、該SAW素子に繋がる導体部と、前記SAW素子を含むLT基板と、前記SAW素子を含む前記LT基板を収容する筐体とを有し、
前記筐体は、蓋部と側部と底部とを有し、
該底部は、サファイア基板からなり、前記筐体の内面にあたる前記サファイア基板の第1面に前記LT基板が位置し、前記第1面の反対の第2面が、前記筐体の外表面をなし、
前記導電体は、前記サファイア基板および前記LT基板を連通する貫通孔に位置するビア導体を備えていることを特徴とするSAWデバイス。 - 前記貫通孔のうち、前記サファイア基板を貫通する第1貫通孔は、前記第2面における開口径が前記第1面における開口径より大きいことを特徴とする請求項1記載のSAWデバイス。
- 前記第1貫通孔は、前記第1面から前記第2面に向かって径が漸増していることを特徴とする請求項2に記載のSAWデバイス。
- 前記サファイア基板を貫通する第1貫通孔は、前記第1面における開口の中心と、前記第2面における開口の中心とを結ぶ中心軸が、前記第1面の垂線に対して傾いていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のSAWデバイス。
- 前記サファイア基板を貫通する第1貫通孔は、内面の少なくとも一部に、多結晶アルミナからなる改質部を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のSAWデバイス。
- 前記第1貫通孔は、内面全体に、多結アルミナからなる改質層を有することを特徴とする請求項5に記載のSAWデバイス。
- 前記LT基板を貫通する第2貫通孔は、前記第1貫通孔側の内面に、多結晶アルミナからなる改質部を有することを特徴とする請求項5または6に記載のSAWデバイス。
- 前記第2貫通孔は、内面全体に、多結アルミナからなる改質層を有することを特徴とする請求項7に記載のSAWデバイス。
- 前記サファイア基板は、厚みが0.05mm以上1mm以下であることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のSAWデバイス。
- 前記LT基板は、厚みが前記サファイア基板より小さいことを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のSAWデバイス。
- SAW素子と、該SAW素子に繋がる導体部と、前記SAW素子が載置されたLT基板と、前記SAW素子が載置された前記LT基板を収容する筐体とを有し、
サファイア基板の第1面に前記LT基板を接合する接合工程と、
前記サファイア基板と前記LT基板との接合体の少なくとも前記LT基板側を研磨する研磨工程と、
前記サファイア基板と前記LT基板を連通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に導体を充填してビア導体を形成するビア導体形成工程と、
前記LT基板に前記SAW素子を形成するとともに前記SAW素子と前記ビア導体とを接続する載置・接続工程と、
前記サファイア基板からなる底部と、蓋部および側部、または、蓋部および側部からなる蓋体部とを接合する接合工程とを有することを特徴とするSAWデバイスの製造方法。 - 前記貫通孔形成工程では、前記サファイア基板の第2主面側からレーザーを照射して前記貫通孔を形成することを特徴とする請求項11記載のSAWデバイスの製造方法。
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