JPWO2016084492A1 - 13族元素窒化物結晶の製造方法および装置 - Google Patents
13族元素窒化物結晶の製造方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016084492A1 JPWO2016084492A1 JP2016561446A JP2016561446A JPWO2016084492A1 JP WO2016084492 A1 JPWO2016084492 A1 JP WO2016084492A1 JP 2016561446 A JP2016561446 A JP 2016561446A JP 2016561446 A JP2016561446 A JP 2016561446A JP WO2016084492 A1 JPWO2016084492 A1 JP WO2016084492A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth
- vessel
- central
- heating
- container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/06—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using as solvent a component of the crystal composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
- C30B9/10—Metal solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
- C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
- C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
- C30B9/12—Salt solvents, e.g. flux growth
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
この耐圧容器の内側に設けられた複数の支持台、
前記各支持台上にそれぞれ載置されている内側容器、
前記各内側容器中にそれぞれ収容された育成容器、
前記育成容器を加熱する加熱手段、および
複数の前記支持台に連結されている中央回転軸を備えており、前記中央回転軸と前記各反応容器の各中心軸とが離れている結晶育成装置であって、
前記育成容器中に種結晶、13族元素原料およびフラックスを収容し、前記育成容器を加熱して融液を生成させつつ窒素含有ガスを前記融液に供給して13族元素窒化物結晶を成長させる際に、前記中央回転軸を回転させることを特徴とする。
(1) 一定速度で回転させる。
(2) 回転速度を変化させる。
(3) 回転方向を逆転させる。
(4) 回転を停止した後、再開する。間欠的に回転動作を行う。
(5) 上の(1)〜(4)を組み合わせる。
この耐圧容器の内側に設けられた複数の支持台、
前記各支持台上にそれぞれ載置されている内側容器、
前記各内側容器中にそれぞれ収容された育成容器、
前記育成容器を加熱する加熱手段、および
複数の前記支持台に連結されている中央回転軸を備えており、前記中央回転軸と前記各内側容器の各中心軸とが離れている結晶育成装置であって、
前記育成容器中に種結晶、13族元素原料およびフラックスを収容し、前記育成容器を加熱して融液を生成させつつ窒素含有ガスを前記融液に供給して13族元素窒化物結晶を成長させる際に、前記中央回転軸を回転させることを特徴とする。
Claims (12)
- 耐圧容器、
この耐圧容器の内側に設けられた複数の支持台、
前記各支持台上にそれぞれ載置されている内側容器、
前記各内側容器中にそれぞれ収容された育成容器、
前記育成容器を加熱する加熱手段、および
複数の前記支持台に連結されている中央回転軸を備えており、前記中央回転軸と前記各反応容器の各中心軸とが離れている結晶育成装置であって、
前記育成容器中に種結晶、13族元素原料およびフラックスを収容し、前記育成容器を加熱して融液を生成させつつ窒素含有ガスを前記融液に供給して13族元素窒化物結晶を成長させる際に、前記中央回転軸を回転させることを特徴とする、結晶育成装置。 - 前記各支持台にそれぞれ自転軸が取り付けられており、前記13族元素窒化物結晶を成長させる際に前記各自転軸を自転させることを特徴とする、請求項1記載の装置。
- 前記各自転軸と前記中央回転軸との間隔が互いに等しいことを特徴とする、請求項1または2記載の装置。
- 複数の前記反応容器の前記中心軸が前記中央回転軸から見て点対称の位置に設けられていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の装置。
- 前記反応容器の個数が2個以上であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の装置。
- 前記加熱手段が取り付けられている加熱容器であって、前記耐圧容器の内側に設けられており、複数の前記反応容器を収容する加熱容器を備えていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の装置。
- 耐圧容器、
この耐圧容器の内側に設けられた複数の支持台、
前記各支持台上にそれぞれ載置されている内側容器、
前記各内側容器中にそれぞれ収容された育成容器、
前記育成容器を加熱する加熱手段、および
複数の前記支持台に連結されている中央回転軸を備えており、前記中央回転軸と前記各反応容器の各中心軸とが離れている結晶育成装置を使用し、
前記育成容器中に種結晶、13族元素原料およびフラックスを収容し、前記育成容器を加熱して融液を生成させつつ窒素含有ガスを前記融液に供給して13族元素窒化物結晶を成長させる際に、前記中央回転軸を回転させることを特徴とする、結晶育成方法。 - 前記各支持台にそれぞれ自転軸が取り付けられており、前記窒化物結晶を成長させる際に前記各自転軸を自転させることを特徴とする、請求項7記載の方法。
- 前記各自転軸と前記中央回転軸との間隔が互いに等しいことを特徴とする、請求項7または8記載の方法。
- 複数の前記反応容器の前記中心軸が前記中央回転軸から見て点対称の位置に設けられていることを特徴とする、請求項7〜9のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記反応容器の個数が2個以上であることを特徴とする、請求項7〜10のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記加熱手段が取り付けられている加熱容器であって、前記耐圧容器の内側に設けられており、複数の前記反応容器を収容する加熱容器を用いることを特徴とする、請求項7〜11のいずれか一つの請求項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462084728P | 2014-11-26 | 2014-11-26 | |
US62/084,728 | 2014-11-26 | ||
PCT/JP2015/078526 WO2016084492A1 (ja) | 2014-11-26 | 2015-10-07 | 13族元素窒化物結晶の製造方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016084492A1 true JPWO2016084492A1 (ja) | 2017-08-31 |
JP6621421B2 JP6621421B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=56074070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016561446A Active JP6621421B2 (ja) | 2014-11-26 | 2015-10-07 | 13族元素窒化物結晶の製造方法および装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10138570B2 (ja) |
JP (1) | JP6621421B2 (ja) |
CN (1) | CN107002285A (ja) |
WO (1) | WO2016084492A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6872346B2 (ja) * | 2016-10-26 | 2021-05-19 | 昭和電工株式会社 | 単結晶成長装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002203799A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Canon Inc | 液相成長方法および液相成長装置 |
CN102492993B (zh) | 2006-03-24 | 2015-04-01 | 日本碍子株式会社 | 氮化物单晶的制造方法及其装置 |
JP4914299B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-04-11 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
WO2009072254A1 (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Panasonic Corporation | Iii族窒化物結晶、その結晶成長方法および結晶成長装置 |
JP2010042976A (ja) | 2008-07-16 | 2010-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法 |
JP5453768B2 (ja) * | 2008-11-05 | 2014-03-26 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体製造装置、化合物半導体の製造方法、および化合物半導体製造用治具 |
JP5607548B2 (ja) | 2009-01-21 | 2014-10-15 | 日本碍子株式会社 | 3b族窒化物結晶板製造装置 |
JP5581735B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2014-09-03 | 株式会社リコー | 窒化物結晶製造方法および窒化物結晶製造装置 |
CN108425147A (zh) * | 2011-08-10 | 2018-08-21 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物膜及其叠层体 |
-
2015
- 2015-10-07 JP JP2016561446A patent/JP6621421B2/ja active Active
- 2015-10-07 WO PCT/JP2015/078526 patent/WO2016084492A1/ja active Application Filing
- 2015-10-07 CN CN201580065216.9A patent/CN107002285A/zh active Pending
-
2017
- 2017-05-25 US US15/604,819 patent/US10138570B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107002285A (zh) | 2017-08-01 |
US10138570B2 (en) | 2018-11-27 |
WO2016084492A1 (ja) | 2016-06-02 |
US20170260644A1 (en) | 2017-09-14 |
JP6621421B2 (ja) | 2019-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4189423B2 (ja) | 化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置 | |
JP2005263622A (ja) | 化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置 | |
WO2005071143A1 (ja) | ガリウム含有窒化物単結晶の製造方法 | |
JP5182944B2 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法および装置 | |
JP5177555B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
US8343239B2 (en) | Group III nitride semiconductor manufacturing system | |
US10041186B2 (en) | Method for producing nitride crystal | |
JP6621421B2 (ja) | 13族元素窒化物結晶の製造方法および装置 | |
JP2011230966A (ja) | 第13族金属窒化物結晶の製造方法 | |
JP6606562B2 (ja) | 窒化ガリウム単結晶の製造方法及びiii 族元素窒化物単結晶の製造装置 | |
JP5261401B2 (ja) | 窒化物単結晶の育成装置 | |
JP7456849B2 (ja) | 13族窒化物結晶の製造方法 | |
JP6211087B2 (ja) | 13族元素窒化物の製造方法および融液組成物の製造方法 | |
JP2007254201A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP4965465B2 (ja) | 窒化物単結晶の製造方法 | |
JPH11292679A (ja) | 結晶成長方法 | |
JP5361884B2 (ja) | 窒化物単結晶の育成方法 | |
JP6720888B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP7063293B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP2015160791A (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法、iii族窒化物結晶、半導体装置およびiii族窒化物結晶製造装置 | |
JP5522204B2 (ja) | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 | |
JP2013184875A (ja) | 周期表第13族金属窒化物結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170428 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6621421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |