JPWO2016071990A1 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
<構造>
図1を参照して、本実施の形態のMOSFET200(炭化珪素半導体装置)は、ゲート電圧の印加によるチャネル領域CHの制御によってオン状態およびオフ状態を切り替えることができるスイッチング素子である。MOSFET200は、縦型半導体装置、すなわち、基板の厚さ方向に電流経路を有する装置である。またMOSFET200は、プレーナ型半導体装置、すなわち、基板の表面に平行なゲート電極を有する装置である。MOSFET200は、単結晶基板10と、SiC層20(炭化珪素層)と、ゲート絶縁膜50と、ゲート電極60と、ソース電極70と、ドレイン電極80と、層間絶縁膜90とを有する。
ゲート電極60にしきい値電圧より大きいプラス電圧が印加されると、チャネル領域CHに反転層が形成される。すなわち、n型のソース領域24およびドリフト層22の間に、キャリアとしての電子が流れる経路が形成される。ソース領域24からドリフト層22へ流れ込む電子は、ドレイン電極80に印加されるプラス電圧により形成される電界に従ってドリフト層22および単結晶基板10を経由してドレイン電極80に到達する。したがって、ゲート電極60にプラス電圧を印加することにより、ドレイン電極80からソース電極70に電流が流れる。この状態がオン状態と呼ばれる。
次にMOSFET200の製造方法について、図2のフロー図、および図3〜図9の断面図を用いて、以下に説明する。
比較例A、実施例BおよびCの各々のMOSFETが別個のウエハを用いて作製された。チャネル抵抗の温度依存性をオン抵抗の温度依存性によりほぼ把握することができるようにするため、オン抵抗に占めるチャネル抵抗の割合が十分に大きくなるような構造を上記MOSFETに採用した。また各ウエハには、MOSFETが有するMOS構造の界面準位密度を把握するために、同様のMOS構造を有するMOSキャパシタも同時に形成された。
チップ温度TChip=25℃におけるオン抵抗RONの結果(図11)から分かるように、伝導帯端のエネルギーECに近いエネルギーEにおける界面準位密度Dが低いほど、室温におけるオン抵抗RONは低くなる。このため従来までは、低いオン抵抗RONを有するMOSFETを得るには界面準位密度Dを低下させなければならないと考えるのが通説であった。しかしながら本発明者は、室温ではなく100℃〜150℃の高温下では界面準位密度Dの増加によってチャネル抵抗をより低くし得ることを見出した。そしてその知見に基づき、本実施の形態のMOSFET200の構成を着想するに至った。
本実施の形態のMOSFET200によれば、動作温度として有用性が高いと考えられる100℃以上150℃以下の高温環境下で、チャネル抵抗が最小値を有する。これにより、チャネル抵抗が大きな割合を占めるMOSFET200のオン抵抗を、特に高温環境下で低減することができる。特に定格電圧1700V以下のMOSFETにおいては、ドリフト抵抗が小さいことからオン抵抗に占めるチャネル抵抗の割合が大きいので、本実施の形態により、高温環境下においてオン抵抗を低減する大きな効果が得られる。
なお酸化雰囲気は、必ずしもウェット雰囲気には限定されず、O2雰囲気、または、熱分解による酸素ラジカルの発生を伴うN2O雰囲気であってもよい。このような酸化雰囲気によっても、チャネル領域CHの界面準位密度を増加させることができる。
本実施の形態のMOSFETにおいては、ドナーまたはアクセプタとして機能する導電型不純物に加えてさらに、1×1017cm-3以上1×1018cm-3以下の濃度の添加元素がチャネル領域CH(図1)に添加されている。
上記各実施の形態においてはMOSFETについて説明したが、炭化珪素半導体装置はMOSFETに限定されるものではない。炭化珪素半導体装置は、ゲート電圧の印加によるチャネル領域の制御によってオン状態およびオフ状態を切り替えることができるものであればよく、たとえばIGBTであってもよい。また炭化珪素半導体装置にスーパージャンクション構造が適用されてもよい。またゲート構造は、プレーナ型に限定されるものではなく、トレンチ型であってもよい。
Claims (13)
- ゲート電圧の印加によるチャネル領域(CH)の制御によってオン状態およびオフ状態を切り替えることができる炭化珪素半導体装置(200)であって、
前記チャネル領域(CH)を有する炭化珪素層(20)と、
前記炭化珪素層(20)の前記チャネル領域(CH)を覆うゲート絶縁膜(50)と、
前記ゲート絶縁膜(50)を介して前記炭化珪素層(20)の前記チャネル領域(CH)に対向するゲート電極(60)とを備え、
前記オン状態における前記チャネル領域(CH)の抵抗は、100℃以上150℃以下の温度で最小値を有する、炭化珪素半導体装置(200)。 - 前記炭化珪素層(20)の前記チャネル領域(CH)は、伝導帯端から0.4eVのエネルギーにおいて、1.7×1012eV-1cm-2以上2.6×1012eV-1cm-2以下の界面準位密度を有する、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置(200)。
- 前記チャネル領域(CH)には、導電型不純物に加えてさらに、添加元素が添加されている、請求項1または2に記載の炭化珪素半導体装置(200)。
- 前記添加元素は非導電型不純物である、請求項3に記載の炭化珪素半導体装置(200)。
- 前記非導電型不純物はSe原子およびGe原子の少なくともいずれかである、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置(200)。
- 前記添加元素は、SiC結晶の格子間原子として添加されたSi原子およびC原子の少なくともいずれかである、請求項3に記載の炭化珪素半導体装置(200)。
- 前記チャネル領域(CH)には前記添加元素が、1×1017cm-3以上1×1018cm-3以下の濃度で添加されている、請求項3から6のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置(200)。
- ゲート電圧の印加によるチャネル領域(CH)の制御によってオン状態およびオフ状態を切り替えることができる炭化珪素半導体装置(200)の製造方法であって、
前記チャネル領域(CH)を有する炭化珪素層(20)を形成する工程と、
前記炭化珪素層(20)の前記チャネル領域(CH)を覆うゲート絶縁膜(50)を形成する工程とを備え、前記ゲート絶縁膜(50)を形成する工程は、
前記チャネル領域(CH)を覆う酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜を形成する工程の後に、窒化雰囲気中で前記チャネル領域(CH)の界面準位密度を低下させる第1の熱処理を行う工程と、
前記第1の熱処理を行う工程の後に、酸化雰囲気中で前記チャネル領域(CH)の界面準位密度を増加させる第2の熱処理を行う工程とを含み、さらに
前記ゲート絶縁膜(50)を介して前記炭化珪素層(20)の前記チャネル領域(CH)に対向するゲート電極(60)を形成する工程を備える、炭化珪素半導体装置(200)の製造方法。 - 前記第2の熱処理は800℃以上1000℃以下の温度で行われる、請求項8に記載の炭化珪素半導体装置(200)の製造方法。
- 前記酸化雰囲気はウェット雰囲気である、請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置(200)の製造方法。
- 前記ウェット雰囲気はH2ガスおよびO2ガスの混合ガスを含む、請求項10に記載の炭化珪素半導体装置(200)の製造方法。
- 前記酸化雰囲気はO2および酸素ラジカルの少なくともいずれかを含む、請求項8または9に記載の炭化珪素半導体装置(200)の製造方法。
- 前記ゲート絶縁膜(50)を形成する工程は、前記酸化膜を形成する工程の前に、前記チャネル領域(CH)を覆う窒化膜を堆積させる工程を含み、
前記酸化膜を形成する工程において、前記窒化膜を介して前記チャネル領域(CH)を覆う前記酸化膜が堆積される、請求項8〜12のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置(200)の製造方法。
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