JPWO2016035876A1 - 銅箔、銅張積層板、および基板 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図1は本発明にかかる基板1を示す図である。基板1は、樹脂基材3上に、線路5がパターン加工されたものである。線路5は、銅箔7によって形成される。すなわち、銅箔7と樹脂基材3とが張り合わされ、マスキングおよびエッチングによって線路5が形成されたものである。なお、エッチング前の銅箔7と樹脂基材3とが貼り合わさって一体化されたものを銅張積層板2とする。樹脂基材3と銅箔7を張り合わせて、銅張積層板2を形成する方法としては、公知の方法、例えば熱プレス方式、連続ロールラミネート方式、連続ベルトプレス方式などを用いることができる。
次に、銅箔7について詳細に説明する。図3は、高周波電気信号の伝送用の銅箔7の樹脂密着面における断面拡大図である。銅箔7は、銅の基材11上に突起9が形成される。本発明の高周波回路用銅箔は、金属基材としての銅箔表面(表面粗さは特に限定されないが、Rzが5.0μm以下であることが好ましい)に、ヤケめっきにより粗化粒子を設けて粗化粒子層を形成する。粗化粒子は、銅からなることが好ましい。なお、本発明において、「突起」とは、粗化粒子により形成されたものを含む。
図3に示すように、本発明における銅箔上の突起9の高さをhとし、h/2の高さにおける突起9の幅をwとする。より具体的には、HR−SEMで測定した銅箔の幅方向断面において、基材11(未処理銅箔に相当する部分)と突起9との境界線から突起9の頭頂部に向かって垂直に線を引き、この線の長さhを突起高さとする。また、突起高さhの半分の位置における突起幅をwとする。このように定義された突起形状に対して、等価導電率を計算した。
図5は、電磁界解析上において紙面水平方向に高周波電界を印加し、その際に流れた高周波伝導電流密度を銅箔断面上に示した概念図である。図中の点線は、等電流密度線である。図5(a)は規格化された幅が相対的に太い突起の場合を示し、図5(b)は規格化された幅が相対的に狭い場合を示す図である。なお、図5(a)において、A点は、電流密度が小さい点であり、B点は電流密度が高い点である。また、図5(b)において、E点は、電流密度が小さい点であり、F点は電流密度が高い点である。
次に、本発明において、特に好ましい突起形状について説明する。図6は、図4と同様の図である。図6における直線Jは、h/d=1の直線である。前述した様に、h/d<1のように、突起高さが低い領域では、十分な等価導電率を確保できる。したがって、本発明は、特にh/d≧1のように突起高さが高い(表面粗さが粗い)場合において効果が顕著である。また、図6における直線Kは、w/d=−0.1h/d+1.4の直線である。図6に示すように、w/d<−0.1h/d+1.4となる領域(すなわち、直線Kの左側の領域)では、いかなる突起高さにおいても、理想状態(平滑状態の等価導電率)の約50%以上の等価導電率を確保できる。ここで、直線Kはh/dが例えば7以下の領域において、少なくとも等価導電率が理想状態の50%以上を確保できるようh/dが概ね5〜7における接線とほぼ一致する1次関数としている。図6において、直線K、Jから形成される領域が伝送特性と密着性の観点から望ましい範囲と言える。
次に、上述した銅箔を用いた基板における本発明の効果を説明する。図1に示したように、基板1は、銅箔7を樹脂基材3へ張り合わせて銅張積層板2を形成し、さらにパターン加工によって線路5が形成される。線路5の伝送損は銅箔7による導体損と基板1(樹脂基材3)中の誘電体損のdB和であらわされることが知られている。したがって、基板1としての伝送特性の確保には銅箔7だけでなく樹脂基材3の特性確保も要求される。
本発明の実施に好適な高周波アプリケーションを大別すると、高周波アナログ信号伝送用途と高速デジタル信号伝送用途とが考えられる。高周波アナログ信号伝送に関して、例えば電波機器製品への適用においてはその用途により使用可能な上限周波数は各国電波に関する法規制により決められる。用途から決定づけられ、線路を伝送させている上限周波数が基板において担保すべき周波数と考える。
金属基材として表面粗さRzが0.5μm程度、厚さが18μmの平滑な未処理銅箔を用意し、この未処理銅箔にヤケめっき処理を施し、粗化粒子層(突起)を形成した。ヤケめっきとは、酸性銅電解浴中で銅箔を陰極とし、限界電流密度付近で電解を行うことにより粒状銅の微細な突起群を付着させるものである。ヤケめっきに用いられる溶液は表1の通りである。
硫酸銅(Cu濃度として) 40〜60g−Cu/L
浴温 45〜60℃
電流密度 直流整流で10〜20A/dm2
このようにして作製した各銅箔を、イオンミリング(日立ハイテク社製IM4000)を用いて幅方向に断面加工を施し、HR−SEM(日立ハイテク社製SU8020)を用い、加速電圧3kV(2次電子像,低角度反射電子像)で、20,000倍の倍率で断面観察を行い、任意の20カ所の銅箔断面の5μm範囲における粗化粒子の高さと幅を計測した。
作成した銅箔を3次元白色光干渉型顕微鏡(BRUKER Wyko ContourGT−K)を用いて、二次元表面積に対する三次元表面積の比を測定(測定条件は測定倍率10倍、ハイレゾCCDカメラを使用し、測定後に特別なフィルタをかけずに数値化した)し、3未満を「○」、3以上4.5未満を「△」、それ以上を「×」とした。
作製した銅箔を熱プレス方式により樹脂基材に積層し、エッチングにより、伝送特性評価用の信号線路として図1に示すようなマイクロストリップラインを作製した。樹脂基材としては、ポリフェニレンエーテル系樹脂(製品名:パナソニック株式会社製メグトロン6:誘電率3.7、誘電正接tanδ0.002)を用いた。このマイクロストリップラインについて、ネットワークアナライザで40GHzまでの高周波信号に対する伝送損失を測定した。特性インピーダンスは50Ωとした。
作製した銅箔を熱プレス方式により樹脂基材(パナソニック株式会社製メグトロン6)に積層し、銅張積層板を作製した。この銅張積層板の銅箔部を10mm巾テープでマスキングし、塩化銅エッチングを行った後テープを除去して10mm巾の回路配線を作製した。東洋精機製作所社製 テンシロンテスターを使用し、回路配線を90度方向に50mm/分の速度で剥離してピール(剥離)強度を求めた。ピール強度の判定基準0.5kN/m以上を○、それ未満を×とした。結果を表3に示す。
2………銅張積層板
3………樹脂基材
5………線路
7………銅箔
9………突起
11………基材
Claims (9)
- 高周波電気信号の伝送用の銅箔であって、
表面に複数の突起を有し、
表皮深さd(m)=√(1/(σ・μ・π・f))(但し、σ:導電率(S/m)、μ:透磁率(H/m)、f:前記高周波電気信号に含まれる周波数(Hz))とした場合において、
f≧5GHzであり、
前記突起の高さをh(μm)、当該突起のh/2の高さ位置における幅をw(μm)とした際に、
h/d≧1となる前記突起の、5μm長さ当たりの平均個数が1個以上であり、かつ、
h/d≧1となる前記突起のうち80%以上の前記突起が、w≧0.1μmであり、かつ、w/d<−0.1h/d+1.4を満たすことを特徴とする銅箔。 - 高周波電気信号の伝送用の銅箔であって、
表面に複数の突起を有し、
表皮深さd(m)=√(1/(σ・μ・π・f))(但し、σ:導電率(S/m)、μ:透磁率(H/m)、f:前記高周波電気信号に含まれる周波数(Hz))とした場合において、
f≧5GHzであり、
前記突起の高さをh(μm)、当該突起のh/2の高さ位置における幅をw(μm)とした際に、
h/d≧2となる前記突起の、5μm長さ当たりの平均個数が1個以上であり、かつ、
h/d≧2となる前記突起のうち80%以上の前記突起が、w≧0.1μmであり、かつ、w/d<−0.1h/d+1.4を満たすことを特徴とする銅箔。 - hが0.4μm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の銅箔。
- wが0.2μm以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の銅箔。
- 前記高周波電気信号に含まれる周波数fが20GHz以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の銅箔。
- 粗化処理面の二次元表面積に対する光干渉顕微鏡による三次元表面積の比が3倍未満であることを特徴とする請求項5に記載の銅箔。
- 請求項1または請求項2記載の銅箔と、樹脂基材と、が積層貼着されてなり、
前記樹脂基材は、誘電率が4以下であり、誘電正接tanδが0.006以下であることを特徴とする銅張積層板。 - 前記樹脂基材は、液晶ポリマー、フッ素樹脂、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンエーテル、ポリシクロオレフィン、ビスマレイミド樹脂、低誘電率ポリイミドのいずれか、又はこれらの混合樹脂からなるものであることを特徴とする請求項7記載の銅張積層板。
- 請求項7記載の銅張積層板に対し、前記銅箔がパターン加工されて線路が形成されており、
前記線路は、高周波電気信号の周波数fで規定される波長に対し、10実効波長以上の長さであることを特徴とする基板。
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