JPWO2016031977A1 - 蓄電デバイス用負極材料とその製造方法、およびリチウムイオン蓄電デバイス - Google Patents

蓄電デバイス用負極材料とその製造方法、およびリチウムイオン蓄電デバイス Download PDF

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Abstract

蓄電デバイス用負極材料は、電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な単相多孔質炭素材料を含み、単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積が、１００ｍ２／ｇ以上であり、単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔の積算容積が、全細孔容積の２５％以上である。

Description

本発明は、リチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタなどのリチウムイオン蓄電デバイスに用いられる負極材料に関する。
環境問題がクローズアップされる中、太陽光や風力などのクリーンエネルギーを電力に変換し、電気エネルギーとして蓄電するシステムの開発が盛んに行われている。このような蓄電デバイスとして、リチウムイオン二次電池、リチウムイオンキャパシタなどのリチウムイオン蓄電デバイスが知られている。最近では、電気自動車やハイブリッド自動車のように、瞬時に高い電力を消費する用途へのリチウムイオン蓄電デバイスの展開も加速している。そこで、高出力を発揮できる負極材料の開発が求められている。
リチウムイオン二次電池およびリチウムイオンキャパシタの負極材料としては、黒鉛を用いることが一般的である。黒鉛とリチウムイオンとの反応は、層間化合物の生成と層間距離の変化を伴うファラデー反応であり、反応抵抗を大きく改善することが困難である。よって、黒鉛を用いる限り、負極の出力特性の向上には限界がある。
そこで、特許文献１、２は、ＢＥＴ比表面積の大きな活性炭の表面をピッチの熱処理物で被覆した材料を負極材料として用いることを提案している。活性炭単独ではリチウムイオンの充放電が困難であるが、ピッチの熱処理物の被覆層を活性炭粒子の表面に形成することで、初期効率が改善され、高率放電において黒鉛よりも有利であるという。
特許文献３は、コアとなる炭素粒子と、炭素粒子の表面および／または内部に形成されたグラフェン構造を有する繊維状炭素との炭素複合体を負極材料として用いることを提案している。炭素複合体の全メソ孔容積は０．００５〜１．０ｃｍ３／ｇであり、細孔径１００〜４００オングストロームのメソ細孔が全メソ孔容積の２５％以上を占めているという。
特開２００１−２２９９２６号公報 特開２００３−３４６８０３号公報 特開２００８−６６０５３号公報
特許文献１〜３の負極材料は、いずれも不可逆容量の大きな炭素材料を含む炭素複合体であり、依然として初期効率が黒鉛に比べて低く、実用的ではない。特に特許文献１、２では、ピッチの熱処理物により活性炭の表面を被覆しているため、リチウムイオンの充放電に有効なメソ孔が失われるものと推測される。また、高価な活性炭を用いたり、遷移金属触媒を用いて繊維状炭素を成長させたりする複雑な製造方法では、負極材料の低価格化が困難である。特許文献３の負極材料は、遷移金属の不純物が残留しやすく、金属不純物が残留した場合には電解質との副反応が生じるという問題もある。
以上に鑑み、本発明の一局面は、電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な単相多孔質炭素材料を含み、前記単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積が、１００ｍ２／ｇ以上であり、前記単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔（メソ孔）の積算容積（メソ孔容積）が、全細孔容積の２５％以上である、蓄電デバイス用負極材料を提案する。
本発明の他の一局面は、（i）１５００℃以下の温度でグラファイト構造が成長するカーボン前駆体を、多孔質構造に賦活処理する工程と、（ii）前記賦活処理されたカーボン前駆体を、グラファイト構造が成長する温度で加熱して、グラファイト構造を成長させて、単相多孔質炭素材料を生成させる工程と、を具備する、蓄電デバイス用負極材料の製造方法に関する。
本発明の更に他の一局面は、正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、前記正極および前記負極の間に介在するセパレータと、アニオンとリチウムイオンとの塩を含む非水電解質と、を具備し、前記負極活物質が上記蓄電デバイス用負極材料を含む、リチウムイオン蓄電デバイスに関する。
本発明は、リチウムイオンの移動に適した細孔構造を有する実用的な負極材料を提供するものであり、この負極材料を用いることにより、高出力なリチウムイオン蓄電デバイスを得ることができる。
本発明の一実施形態に係るリチウムイオン蓄電デバイス（リチウムイオンキャパシタ）の構成を概念的に示す断面図である。 塩素処理温度が単相多孔質炭素材料（ＴｉＣ由来）のＸ線回折像に与える影響を示す図である。 単相多孔質炭素材料（ＴｉＣ由来）に含まれるグラファイトの結晶子サイズと、（００２）面の面間隔との関係を示す図である。 塩素処理温度と単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積との関係を示す図である。 塩素処理温度と単相多孔質炭素材料に形成されるメソ孔容積との関係を示す図である。 塩素処理温度と単相多孔質炭素材料の全細孔容積との関係を示す図である。 ＱＳＤＦＴ法で解析した細孔径の分布を示す図である。 ＱＳＤＦＴ法で解析した細孔径の分布を示す図である。
［本発明の実施形態の説明］
最初に、本発明の実施形態の内容を列記して説明する。
（１）本発明の一実施形態に係る蓄電デバイス用負極材料は、電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な単相多孔質炭素材料を含む。単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積は、１００ｍ２／ｇ以上である。単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔（メソ孔）の積算容積（メソ孔容積）は、全細孔容積の２５％以上である。上記細孔構造は、リチウムイオンの移動に適するため、反応抵抗が小さく、高出力での充放電が可能である。
（２）上記細孔構造を有する単相多孔質炭素材料のＸ線回折像は、グラファイトの（００２）面に帰属されるピーク（Ｐ００２）を有する。ここで、ピークＰ００２の位置から求められる（００２）面の面間隔（ｄ００２）は０．３４０ｎｍ〜０．３７０ｎｍであり、ピークＰ００２の半価幅から求められるグラファイトの結晶子サイズは１ｎｍ〜２０ｎｍであることが好ましい。すなわち、単相多孔質炭素材料はグラファイト構造を有し、かつグラファイトの結晶子サイズは適度に小さい。（３）単相多孔質炭素材料の全細孔容積は、０．３ｃｍ３／ｇ〜１．２ｃｍ３／ｇであることが好ましい。
（４）単相多孔質炭素材料の細孔径分布は、カーボンスリット構造を仮定したＱＳＤＦＴ解析における細孔分布解析において２ｎｍ〜５ｎｍの領域に少なくとも一つの細孔分布ピークを持つことが好ましい。
（５）本発明の一実施形態に係る蓄電デバイス用負極材料の製造方法は、（i）１５００℃以下の温度でグラファイト構造が成長するカーボン前駆体を、多孔質構造に賦活処理する工程と、（ii）賦活処理されたカーボン前駆体（以下、カーボン中間体）を、グラファイト構造が成長する温度で加熱して、グラファイト構造を成長させて、単相多孔質炭素材料を生成させる工程と、を具備する。
（６）カーボン前駆体が、易黒鉛化炭素である場合、賦活処理は、１１００℃未満（例えば９００℃以下）の温度で水蒸気および／または二酸化炭素（以下、Ｈ／Ｃガス）を含有する雰囲気中で、カーボン前駆体を加熱する工程（以下、Ｈ／Ｃガス処理）を含むことができる。この場合、（７）易黒鉛化炭素は、１０００℃未満の温度で前駆体を炭素化することで生成するものであることが好ましい。
（８）カーボン前駆体が、金属炭化物である場合、賦活処理は、塩素を含有する雰囲気中で金属炭化物を第一温度で加熱する工程（以下、低温塩素処理）を含むことができる。
この場合、（９）賦活処理の後、グラファイト構造を成長させる工程としては、実質的に無酸素雰囲気中で、カーボン中間体を第一温度より高い第二温度（すなわちグラファイト構造が成長する温度）で加熱する工程を行うことが好ましい。これにより、グラファイト構造の成長とともに細孔構造が変化し、リチウムイオンの移動に適したメソ孔容積が増加する。
（１０）カーボン前駆体が、金属炭化物である場合、賦活処理は、塩素を含有する雰囲気中で金属炭化物をグラファイト構造が成長する温度で加熱する工程（以下、高温塩素処理）を含むことができる。この場合、賦活処理中に、グラファイト構造の成長が並行して進行する。
（１１）金属炭化物は、短周期型の周期律表の４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８および３Ｂ族のいずれかに属する金属の少なくとも１種を含む炭化物であることが好ましい。（１２）金属炭化物に含まれる金属は、チタン、アルミニウムおよびタングステンの少なくともいずれか１つであることが好ましい。
（１３）カーボン中間体のＢＥＴ比表面積は、１０００ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。カーボン中間体の全細孔容積が大きくなりやすいからである。
上記製造方法によれば、（１４）単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積が、１００ｍ２／ｇ以上であり、単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔の積算容積が、全細孔容積の２５％以上である負極材料を効率的に製造することができる。また、（１５）単相多孔質炭素材料のＸ線回折像が、グラファイトの（００２）面に帰属される２６°付近にピークを有し、そのピークの位置から求められる（００２）面の面間隔の平均値が、０．３４０ｎｍ〜０．３７０ｎｍであり、ピークの半価幅から求められるグラファイトの結晶子サイズが、１ｎｍ〜２０ｎｍである負極材料を効率的に製造することができる。更に、（１６）全細孔容積が、０．３ｃｍ３／ｇ〜１．２ｃｍ３／ｇである負極材料を効率的に製造することができる。
また、（１７）カーボンスリット構造を仮定したＱＳＤＦＴ解析における細孔分布解析において２ｎｍ〜５ｎｍの領域に少なくとも一つの細孔分布ピークを持つ負極材料を効率的に製造することができる。
（１８）上記製造方法は、更に、グラファイト構造を成長させる工程の後に、５００℃〜８００℃の温度範囲で、水蒸気および／または水素を含有する雰囲気中で、単相多孔質炭素材料を加熱する工程を具備してもよい。
（１９）本発明の一実施形態に係るリチウムイオン蓄電デバイスは、正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、正極および負極の間に介在するセパレータと、アニオンとリチウムイオンとの塩を含む非水電解質とを具備する。負極活物質が、上記負極材料を含むことにより、高出力なリチウムイオン蓄電デバイスが得られる。
［発明の実施形態の詳細］
以下、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しつつ具体的に説明する。なお、本発明は以下の例示に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
［単相多孔質炭素材料］
本発明の一実施形態に係る蓄電デバイス用負極材料は、電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な単相多孔質炭素材料を含む。ここで、「単相」の多孔質炭素材料とは、物性が相違する複数種の炭素材料の複合体ではないことを意味する。よって、単相多孔質炭素材料とは、一局面においては、コアシェル構造のような複層構造を有さず、粒子と繊維状炭素との複合体でもない多孔質炭素材料を意味する。
（比表面積）
単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積は、１００ｍ２／ｇ以上である。ＢＥＴ比表面積が１００ｍ２／ｇ未満になると、リチウムイオンの移動に適した細孔構造を達成することが困難になる。ＢＥＴ比表面積の好ましい下限値は、例えば２００ｍ２／ｇ、３００ｍ２／ｇまたは４００ｍ２／ｇである。なお、ＢＥＴ比表面積が大きすぎても、リチウムイオンの移動に適した細孔構造を達成することが困難になる場合がある。よって、好ましい上限値は、例えば１２００ｍ２／ｇ、１０００ｍ２／ｇ、８００ｍ２／ｇ、６００ｍ２／ｇまたは５００ｍ２／ｇである。これらの上限値および下限値は任意に組み合わせ得る。好ましい範囲は、例えば、４００ｍ２／ｇ〜１２００ｍ２／ｇであり得るし、２００ｍ２／ｇ〜１２００ｍ２／ｇであり得るし、３００ｍ２／ｇ〜８００ｍ２／ｇでもあり得る。すなわち、単相多孔質炭素材料の比表面積は、人造黒鉛や天然黒鉛に比べると遥かに大きく、活性炭に近いといえる。
（細孔構造）
単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔（メソ孔）の積算容積（メソ孔容積）は、全細孔容積の２５％以上である。メソ孔容積が全細孔容積の２５％未満では、メソ孔容積の割合が少ないため、リチウムイオンの移動が抑制され、十分に高出力な充放電が困難になる。メソ孔容積の割合の好ましい下限値は、例えば３０％、３５％、４０％または５０％であり、好ましい上限値は、例えば９０％、８０％、７５％または７０％である。これらの上限値および下限値は任意に組み合わせ得る。好ましい範囲は、例えば、３０％〜８０％であり得るし、３５％〜７５％でもあり得る。これにより、リチウムイオンとの反応が更に生じやすくなる。
単相多孔質炭素材料の全細孔容積は、０．３ｃｍ３／ｇ〜１．２ｃｍ３／ｇであることが好ましく、０．４ｃｍ３／ｇ〜１．１ｃｍ３／ｇ、０．５ｃｍ３／ｇ〜１ｃｍ３／ｇ、もしくは０．６ｃｍ３／ｇ〜１ｃｍ３／ｇであることが好ましい。これにより、単相多孔質炭素材料に電解質の溶媒が浸透しやすくなり、高出力化が更に容易となる。
単相多孔質炭素材料の細孔系分布は、得られた吸着等温線に基づく、カーボンスリット構造を仮定したＱＳＤＦＴ解析における細孔分布解析において、２ｎｍ〜５ｎｍの領域に少なくとも一つの細孔分布ピークを持つものであることが好ましい。このような単層多孔質炭素材料を負極材料とすることで、電解質中のイオン移動経路が確保される構造をとることが可能となり、高出力化が容易となる。
ＢＥＴ比表面積は、ＢＥＴ法により得られる比表面積である。ＢＥＴ法とは、ここでは窒素ガスを単相多孔質炭素材料に吸脱着させることにより吸着等温線を測定し、測定データを所定のＢＥＴ式に基づいて解析する方法である。単相多孔質炭素材料の細孔径分布は、窒素ガスを用いた吸着等温線からＢＪＨ法（Ｂａｒｒｅｔｔ−Ｊｏｙｎｅｒ−Ｈａｌｅｎｄａ法）により算出される。全細孔容積およびメソ孔容積の割合は、細孔径分布から算出することができる。なお、ＢＥＴ比表面積および細孔径分布を測定する市販の測定装置の例として、ＢｅｌｌＪａｐａｎ社製のＢＥＬＬＳＯＲＰ−ｍｉｎｉIIが挙げられる。
また、ＱＳＤＦＴ解析は、カンタクローム社製の測定装置（例えば、Ａｕｔｏｓｏｒｂ、Ｎｏｖａ２０００）に細孔解析機能として付属している急冷固定密度汎関数理論による解析手法で、多孔質炭素の細孔径を正確に解析するのに適している。
（結晶構造）
単相多孔質炭素材料のＣｕＫα線によるＸ線回折像は、グラファイトの（００２）面に帰属される２６°付近のピーク（Ｐ００２）を有する。すなわち、単相多孔質炭素材料は、活性炭とは異なり、部分的にグラファイト構造を有する。これにより、リチウムイオンとの反応が生じやすくなり、可逆容量も大きくなりやすい。ただし、単相多孔質炭素材料のグラファイト構造は、天然黒鉛や人造黒鉛ほどに発達していない。
具体的には、単相多孔質炭素材料のピークＰ００２の位置から求められる（００２）面の面間隔の平均値（ｄ００２）は、０．３４０ｎｍ〜０．３７０ｎｍであり、０．３４０ｎｍ〜０．３５０ｎｍが好ましい。なお、十分にグラファイト構造が発達した黒鉛の（００２）面の面間隔は０．３３５ｎｍ程度である。
単相多孔質炭素材料のグラファイトの結晶子サイズは適度に小さく、ピークＰ００２の半価幅から求められるグラファイトの結晶子サイズは１ｎｍ〜２０ｎｍであり、２ｎｍ〜７ｎｍ、もしくは３ｎｍ〜６ｎｍが好ましい。
面間隔（ｄ００２）および結晶子サイズは、Ｘ線回折像の２θ＝２６°付近に現れるピークを解析することにより得られる。Ｘ線回折像はノイズを含むため、バックグラウンドを除去し、ピークを規格化してから解析する。面間隔（ｄ００２）は、ピーク（Ｐ００２）の２／３の高さにおけるピーク幅の中点の位置（２θx）から、式：ｄ００２＝λ／２ｓｉｎ（θx）を用いて求める。結晶子サイズ（Ｌｃ）は、ピーク（Ｐ００２）の１／２の高さにおけるピーク幅（半価幅β）から、式：Ｌｃ＝λ／βｃｏｓ（θx）≒９．１／βを用いて求める。
［負極材料の製造方法］
本発明の一実施形態に係る蓄電デバイス用負極材料の製造方法は、（i）１５００℃以下の温度でグラファイト構造が成長するカーボン前駆体を、多孔質構造に賦活処理する工程と、（ii）賦活処理されたカーボン前駆体（カーボン中間体）を、グラファイト構造が成長する（例えば１０００℃〜１５００℃、もしくは１２００℃〜１５００℃）で加熱して、グラファイト構造を成長させて、単相多孔質炭素材料を生成させる工程と、を具備する。上記方法によれば、上記の電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な単相多孔質炭素材料を、低コストで得ることが可能である。
カーボン前駆体は、１５００℃以下で、適度にグラファイト構造が成長する材料であることが望ましい。よって、カーボン前駆体のＣｕＫα線によるＸ線回折像は、グラファイトの（００２）面に帰属されるピーク（Ｐ００２）を有さなくてもよい。また、カーボン前駆体がピーク（Ｐ００２）を有する場合でも、（００２）面の面間隔の平均値（ｄ００２）は、０．３６０ｎｍ以上であることが好ましく、０．３７０ｎｍ以上であることがより好ましい。カーボン前駆体の結晶子サイズは１ｎｍ未満であることが好ましい。
賦活処理により得られたカーボン中間体のＢＥＴ比表面積は、１０００ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。カーボン中間体のＢＥＴ比表面積を、このように大きくすることで、全細孔容積が大きく、かつメソ孔の割合の大きい単相多孔質炭素材料を得やすくなる。
グラファイト構造を成長させる工程（ii）では、グラファイト構造の成長とともに細孔構造が変化し、リチウムイオンの移動に適したメソ孔の容積が増加する。このとき、加熱温度が高すぎると、比表面積が小さくなる傾向がある。また、グラファイト構造が成長し過ぎると、細孔構造が変化し、全細孔容積が少なくなる場合がある。よって、加熱温度は１５００℃以下が好ましい。
グラファイト構造を成長させた後、更に、５００℃〜８００℃の温度範囲で、水蒸気および／または水素を含有する雰囲気中で、単相多孔質炭素材料を加熱する工程を具備してもよい。例えば、水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で単相多孔質炭素材料を加熱してもよい。これにより、より高純度な単相多孔質炭素材料が得られる。例えば、塩素処理を経て製造された単相多孔質炭素材料に、僅かに塩素が残留するような場合にも、そのような塩素は除去される。
以下、上記製造方法の具体的な実施形態を例示する。
＜第１実施形態＞
本実施形態では、カーボン前駆体として易黒鉛化炭素を用い、賦活処理は水蒸気および／または二酸化炭素（以下、Ｈ／Ｃガス）を含有する雰囲気中で行う。
易黒鉛化炭素としては、様々な前駆体の炭素化物や、コークス、熱分解気相成長炭素、メソカーボンマイクロビーズなどを用いることができる。炭素化物の前駆体としては、例えば、縮合多環炭化水素化合物、縮合複素環化合物、環結合化合物、芳香族系油、ピッチなどを用いることができる。中でも、ピッチが安価で好ましい。ピッチとしては、たとえば、石油系ピッチ、石炭系ピッチなどが挙げられる。縮合多環炭化水素化合物としては、例えば、ナフタレン、フルオレン、フェネントレン、アントラセンなどの２環以上の縮合多環炭化水素が挙げられる。縮合複素環化合物としては、例えば、インドール、キノリン、イソキノリン、カルバゾールなどの３員環以上の縮合複素環化合物が挙げられる。前駆体を炭素化する際には、減圧雰囲気中、または、不活性ガス（Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅなど、以下同様）雰囲気中で、前駆体を例えば１０００℃以下で焼成すればよい。
Ｈ／Ｃガスを用いる賦活処理（i）は、１１００℃以下の温度でＨ／Ｃガス雰囲気中で、カーボン前駆体を加熱する工程（Ｈ／Ｃガス処理）を含むことができる。Ｈ／Ｃガス処理では、化学薬品を用いないため、不純物が混入せず、作業工程も簡易である。これにより、低コストで、比表面積が大きく、かつ全細孔容積の大きなカーボン中間体を得ることができる。加熱温度が１１００℃を超えると、Ｈ／Ｃガスとカーボンとの反応が早くなり、カーボン前駆体の表面エッチングが進みやすく、比表面積の拡大よりも粒子径の減少が進んでしまい、賦活収率が低下する場合がある。
なお、二酸化炭素より水蒸気を高濃度で含む雰囲気中では、８００℃〜９００℃でカーボン前駆体を賦活処理することが好ましい。水蒸気より二酸化炭素を高濃度で含む雰囲気中では、１０００℃〜１１００℃でカーボン前駆体を賦活処理することが好ましい。これにより、ＢＥＴ比表面積が１０００ｍ２／ｇ以上のカーボン中間体が容易に得られる。
グラファイト構造を成長させる工程（ii）では、実質的な無酸素雰囲気中で、カーボン中間体を、グラファイト構造が成長する温度（例えば１１００℃〜１５００℃）で加熱する。これにより、グラファイト構造の成長とともに細孔構造が変化し、リチウムイオンの移動に適したメソ孔容積が増加する。ここで、無酸素雰囲気とは、減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気であり、酸素のモル分率は０．１％未満であればよい。カーボン中間体の状態にもよるが、加熱温度は１２００℃以上が好ましく、１３００℃以上が更に好ましい。
＜第２実施形態＞
本実施形態では、カーボン前駆体として金属炭化物を用い、賦活処理は塩素を含有する雰囲気中で行う。金属炭化物は、それ自体が不純物を含みにくい材料であることから、生成する単相多孔質炭素材料は、高純度であり、不純物の含有量を極めて小さくすることができる。
金属炭化物は、短周期型の周期律表の４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８および３Ｂ族のいずれかに属する金属の少なくとも１種を含む炭化物であることが好ましい。これらは、所望の細孔構造を有する単相多孔質炭素材料を高収率で生成し得る。１種の金属を含む金属炭化物を単独で用いてもよく、複数種の金属を含む複合炭化物を用いてもよく、複数種の金属炭化物を混合して用いてもよい。中でも、金属炭化物に含まれる金属は、チタン、アルミニウムおよびタングステンの少なくともいずれか１つであることが好ましい。これらの金属は安価であり、かつ所望の細孔構造を得やすいからである。
金属炭化物の具体例としては、Ａｌ４Ｃ３、ＴｉＣ、ＷＣ、ＴｈＣ２、Ｃｒ３Ｃ２、Ｆｅ３Ｃ、ＵＣ２、ＭｏＣなどが挙げられる。中でも、ＴｉＣは安価であり、Ａｌ４Ｃ３は所望の細孔構造を得やすい。
塩素を用いる賦活処理（i）は、塩素を含有する雰囲気中で金属炭化物を比較的低温の第一温度（例えば１１００℃以下もしくは１０００℃未満）の温度で加熱する工程（以下、低温塩素処理）を含むことができる。これにより、カーボン前駆体から金属塩化物が放出され、メソ孔への変換に適した多孔質構造を有するカーボン中間体が得られる。よって、ＢＥＴ比表面積が１０００ｍ２／ｇ以上で、全細孔容積の大きなカーボン中間体を、容易かつ低コストで得ることができる。低温塩素処理は、金属の残留を抑制する観点から、９００℃以上で行うことが好ましい。
賦活処理は、塩素ガスのみを含む雰囲気中で行うことができる。ただし、塩素ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で賦活処理を行ってもよい。
グラファイト構造を成長させる工程（ii）では、第１実施形態と同じく、実質的な無酸素雰囲気中で、カーボン中間体をグラファイト構造が成長する温度で加熱する。加熱温度の好ましい範囲は、カーボン前駆体の種類により異なる。カーボン前駆体として、例えばＴｉＣを用いる場合には、１１５０℃〜１５００℃でグラファイト構造を成長させることが好ましい。一方、Ａｌ４Ｃ３を用いる場合には、１０００℃〜１５００℃でグラファイト構造を成長させることが好ましい。メソ孔の割合を増加させる観点からは、加熱温度は、１２００℃以上が好ましく、１３００℃以上が更に好ましく、１４００℃以上が特に好ましい。ただし、加熱温度が高くなるほど、比表面積は小さくなる。また、カーボン前駆体としてＴｉＣを用いる場合には、１３００℃を超えると、全細孔容積が少なくなる傾向がある。なお、Ａｌ４Ｃ３を用いる場合には、１３００℃を超えても、そのような傾向は見られない。
＜第３実施形態＞
本実施形態では、カーボン前駆体として金属炭化物を用い、賦活処理とグラファイト構造を成長させる工程とを、塩素を含有する雰囲気中で並行して行う。具体的には、賦活処理は、塩素を含有する雰囲気中で金属炭化物を、グラファイト構造が成長する温度で加熱する工程（以下、高温塩素処理）を含むことができる。高温塩素処理によれば、賦活処理（上記工程（i））と、グラファイト構造を成長させる工程（上記工程（ii））とが並行して（もしくは同時に）進行する。すなわち、上記工程（i）と上記工程（ii）との２段階の反応ではなく、カーボン前駆体から１段階の反応で単相多孔質炭素材料を得ることができる。
高温塩素処理は、加熱温度が異なる点以外、低温塩素処理と同様に行うことができる。ここでも、カーボン前駆体としてＴｉＣを用いる場合には、１１５０℃〜１５００℃で加熱することが好ましい。一方、Ａｌ４Ｃ３を用いる場合には、１０００℃〜１５００℃で加熱することが好ましい。また、メソ孔の割合を増加させる観点から、加熱温度は１２００℃以上が好ましく、１３００℃以上が更に好ましく、１４００℃以上が特に好ましい。
［リチウムイオン蓄電デバイス］
リチウムイオン蓄電デバイスは、正極活物質を含む正極と、上記負極材料を負極活物質として含む負極と、正極および負極の間に介在するセパレータと、アニオンとリチウムイオンとの塩を含む非水電解質とを具備する。正極活物質が、電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な材料（例えば遷移金属化合物）を含む場合には、高出力なリチウムイオン二次電池が得られる。また、正極活物質が、非水電解質中のアニオンを吸着および脱着可能な材料（例えば活性炭などの多孔質炭素材料）を含む場合には、高出力なリチウムイオンキャパシタが得られる。
以下、リチウムイオンキャパシタの一例について説明する。
（負極）
負極は、負極活物質を含む負極合剤と、負極合剤を保持する負極集電体を含むことができる。ここでは、負極活物質が、単相多孔質炭素材料を含む。負極集電体としては、例えば、銅箔、銅合金箔などが好ましい。負極は、負極集電体に、負極合剤と液状分散媒とを混合して得られるスラリーを塗布し、その後、スラリーに含まれる分散媒を除去し、必要に応じて、負極合剤を保持した負極集電体を圧延することにより得られる。負極合剤は、負極活物質の他に、バインダ、導電助剤などを含んでもよい。分散媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）などの有機溶媒の他、水などが用いられる。
バインダの種類は特に制限されず、例えば、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）などのフッ素樹脂；スチレンブタジエンゴムなどのゴム状重合体；カルボキシメチルセルロースなどのセルロース誘導体などを用いることができる。バインダの量は、特に限定されず、負極活物質１００質量部あたり、例えば、０．５〜１０質量部である。
導電助剤の種類は、特に制限されず、例えば、アセチレンブラック、ケッチェンブラックなどのカーボンブラックが挙げられる。導電助剤の量は、特に限定されず、負極活物質１００質量部あたり、例えば０．１〜１０質量部である。
（正極）
正極は、正極活物質を含む正極合剤と、正極合剤を保持する正極集電体を含むことができる。正極活物質としては、例えば、比表面積の大きい活性炭が用いられる。正極集電体としては、例えば、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔などが好ましい。正極は、正極集電体に、正極合剤と液状分散媒とを混合して得られるスラリーを塗布し、その後、負極と同様の工程を経ることにより得られる。正極合剤は、バインダ、導電助剤などを含んでもよい。バインダ、導電助剤、分散媒などには、上記材料を用いることができる。
活性炭の原料としては、例えば、木材；ヤシ殻；パルプ廃液；石炭またはその熱分解により得られる石炭系ピッチ；重質油またはその熱分解により得られる石油系ピッチ；フェノール樹脂などが挙げられる。
リチウムイオンキャパシタにおいては、負極電位を低下させるために、負極活物質に予めリチウムをドープしておくことが好ましい。例えば、リチウム金属を、正極、負極および非水電解質とともにキャパシタ容器内に収容し、組み立て後のキャパシタを６０℃前後の恒温室中で保温することにより、リチウム金属からリチウムイオンが溶出し、負極活物質に吸蔵される。負極活物質にドープするリチウム量は、負極容量（負極の可逆容量）：Ｃnの１０〜７５％がリチウムで満たされる量であることが好ましい。
（セパレータ）
正極と負極との間にセパレータを介在させることにより、正極と負極との短絡が抑制される。セパレータには、微多孔膜、不織布などが用いられる。セパレータの材質には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリエチレンレテフタレートなどのポリエステル；ポリアミド；ポリイミド；セルロース；ガラス繊維などを用いることができる。セパレータの厚さは１０〜１００μｍ程度である。
（非水電解質）
非水電解質は、リチウムイオン伝導性を有する限り特に制限されない。一般的な非水電解質は、アニオンとリチウムイオンとの塩（リチウム塩）と、リチウム塩を溶解させる非水溶媒とを含む。非水電解質におけるリチウム塩の濃度は、例えば０．３〜３ｍｏｌ／Ｌであればよい。
リチウム塩を構成するアニオンとしては、フッ素含有酸のアニオン［ヘキサフルオロリン酸イオン（ＰＦ６ -）などのフッ素含有リン酸のアニオン；テトラフルオロホウ酸イオン（ＢＦ４ -）などのフッ素含有ホウ酸のアニオンなど］、塩素含有酸のアニオン［過塩素酸イオン（ＣｌＯ４ -）など］、ビススルホニルイミドアニオン（フッ素原子を含むビススルホニルイミドアニオンなど）などが例示できる。非水電解質は、これらのアニオンのうち一種を含んでもよく、二種以上を含んでもよい。
非水溶媒としては、例えば、エチレンカーボネート（ＥＣ）、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネートなどの環状カーボネート；ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート（ＤＥＣ）、エチルメチルカーボネートなどの鎖状カーボネート；γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンなどのラクトン類などを用いることができる。非水溶媒は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
図１に、リチウムイオンキャパシタの一例の構成を概略的に示す。セルケース１５内には、キャパシタ１０の主構成要素である極板群と非水電解質が収容されている。極板群は、複数の正極１１と負極１２とをセパレータ１３を介して積層することにより構成されている。ここでは、正極１１は、金属多孔体である正極集電体１１ａと、正極集電体１１ａに充填された粒子状の正極活物質１１ｂとで構成されている。また、負極１２は、金属多孔体である負極集電体１２ａと、負極集電体１２ａに充填された粒子状の負極活物質１２ｂとで構成されている。
次に、リチウムイオン二次電池の一例について説明する。
リチウムイオン二次電池の負極、非水電解質およびセパレータには、リチウムイオンキャパシタと同様のものを用いることができる。一方、正極活物質には、リチウムイオンの吸蔵および放出を伴うファラデー反応を発現する材料が用いられる。このような材料としては、例えばリチウム含有遷移金属化合物が好ましい。具体的には、オリビン構造を有するリン酸リチウム、スピネル構造を有するマンガン酸リチウム、層状構造（Ｏ３型構造）を有するコバルト酸リチウムやニッケル酸リチウムなどが好ましい。
リチウムイオン二次電池用正極は、正極集電体に、正極合剤と液状分散媒とを混合して得られるスラリーを塗布し、その後、上記と同様の工程を経ることにより得られる。正極合剤は、バインダ、導電助剤などを含んでもよい。バインダ、導電助剤、分散媒などにも、上記と同様の材料を用いることができる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて、更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
《実施例１》
（１）単相多孔質炭素材料の製造
負極材料である単相多孔質炭素材料は、下記の手順で作製した。
平均粒径１０μｍの金属炭化物（ＴｉＣまたはＡｌ４Ｃ３）を、石英ガラス製の炉心管を有する電気炉のカーボン製載置棚に設置した。そして、炉心管内に、常圧で、塩素と窒素との混合ガス（Ｃｌ２濃度：１０モル％）を流通させ、金属炭化物と塩素とを１０００℃〜１４００℃で４時間反応させた。ＴｉＣを用いる場合、１０００℃および１１００℃での賦活は低温塩素処理に相当し、１２００℃〜１４００℃での賦活は高温塩素処理に相当する。一方、Ａｌ４Ｃ３を用いる場合、１０００℃以上での賦活は全て高温塩素処理に相当する。
反応系には−２０℃の冷却トラップを設け、冷却トラップによって金属塩化物を液化し、回収した。炉心管内で反応しなかった塩素ガスは、冷却トラップの出口側に設置した三方弁によって炉心管へ還流させた。その後、炉心管内の塩素ガスを窒素ガスによって除去し、カーボン製載置棚を５００℃まで降温させた。次に、常圧で水素とアルゴンとの混合ガスを流通させ、５００℃で単相多孔質炭素材料を１時間加熱した。その後、載置棚に残された単相多孔質炭素材料を大気中に取り出した。
下記の手順で、リチウムイオンキャパシタを作製した。
（２）正極の作製
市販のヤシ殻活性炭（比表面積１７００ｍ２／ｇ）８６質量部、導電助剤であるケッチェンブラック７質量部、バインダであるポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）７質量部、および適量の分散媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を混合機にて混合し、攪拌することにより、正極合剤スラリーを調製した。正極合剤スラリーを、集電体であるアルミニウム箔（厚さ：２０μｍ）の一方の表面に塗布し、乾燥後、圧延し、厚さ１００μｍの正極合剤の塗膜を形成し、正極とした。
（３）負極の作製
ＴｉＣおよびＡｌ４Ｃ３由来の単相多孔質炭素材料（平均粒径約１０μｍ）８６質量部、導電助剤であるアセチレンブラック７質量部、バインダであるＰＶＤＦ７質量部、および適量の分散媒としてＮＭＰを混合機にて混合し、攪拌することにより、負極合剤スラリーを調製した。負極合剤スラリーを、集電体である銅箔（厚さ：１５μｍ）の一方の表面に塗布し、乾燥後、圧延し、厚さ７０μｍの塗膜を形成し、負極とした。
（４）リチウムイオンキャパシタの組み立て
正極と負極とを、それぞれ、１．５ｃｍ×１．５ｃｍのサイズに切り出し、正極集電体にアルミニウム製リードを、負極集電体にニッケル製リードを、それぞれ溶接した。
正極と負極との間に、セルロース製セパレータ（厚み：３０μｍ）を介在させて正極合剤と負極合剤とを対向させ、単セルの極板群を形成した。ただし、負極合剤とセパレータとの間にリチウム箔（厚さ：２０μｍ）を介在させた。その後、極板群をアルミニウムラミネートシートで作製されたセルケース内に収容した。
次に、非水電解質をセルケース内に注入し、正極、負極およびセパレータに含浸させた。非水電解質としては、ＥＣとＤＥＣとを体積比１：１で含む混合溶媒に、リチウム塩としてＬｉＰＦ６を１．０ｍｏｌ／Ｌの濃度で溶解させた溶液を用いた。最後に真空シーラーにて減圧しながらセルケースを封止するとともに両面から圧力を加え、正負極とセパレータとの密着性を確保した。
［評価］
単相多孔質炭素材料について、下記（ａ）〜（ｅ）の評価を行った。また、リチウムイオンキャパシタについて、下記（ｆ）の評価を行った。
（ａ）Ｘ線回折測定（ＸＲＤ）
単相多孔質炭素材料のＣｕｋα線によるＸ線回折像を測定した。Ｘ線回折像においては、２θ＝２６°付近にグラファイトの（００２）面に帰属されるピーク（Ｐ００２）が観測された。図２に、ＴｉＣ由来の単相多孔質炭素材料の測定結果を示す。塩素処理温度が１２００℃以上の場合には、（００２）面のピーク（Ｐ００２）が特にシャープに現れている。
以下、１０００℃、１１００℃、１２００℃、１３００℃および１４００℃での塩素処理で得られたＴｉＣ由来の単相多孔質炭素材料の試料を、試料Ａ１、試料Ｂ１、試料Ｃ１、試料Ｄ１および試料Ｅ１と称する。同様に、１０００℃、１２００℃および１４００℃での塩素処理で得られたＡｌ４Ｃ３由来の単相多孔質炭素材料の試料を、試料Ａ２、試料Ｃ２および試料Ｅ２と称する。
なお、試料Ａ１を不活性ガス（Ａｒ）雰囲気中で、１２００℃で焼成した試料は、試料Ｃ１とほぼ同様のＸ線回折像を示した。このことは、１０００℃で低温塩素処理を行う場合でも、より高温でグラファイトを成長させる工程を行えば、高温塩素処理と同様の結晶構造が得られることを示している。
（ｂ）グラファイトの（００２）面の面間隔（ｄ００２）
Ｘ線回折像からバックグラウンドを除去した後、ピーク（Ｐ００２）の２／３の高さにおけるピーク幅の中点の位置（２θx）から、（００２）面の面間隔（ｄ００２）を式：ｄ００２＝λ／２ｓｉｎ（θx）を用いて求めた。
（ｃ）グラファイトの結晶子サイズ
ピーク（Ｐ００２）の半価幅βから、結晶子サイズ（Ｌｃ）を式：Ｌｃ＝λ／βｃｏｓ（θx）を用いて求めた。
図３に、ＴｉＣ由来の単相多孔質炭素材料に含まれるグラファイトの結晶子サイズ（Ｌｃ）と（００２）面の面間隔（ｄ００２）との関係を示す。図３のプロットは、結晶子サイズの小さい方から順に、試料Ａ１〜試料Ｅ１に対応している。図３より、結晶子サイズが大きくなるほど、面間隔が小さくなることが理解できる。また、塩素処理温度が１２００℃以上の場合に、面間隔が顕著に小さくなることが理解できる。
（ｄ）ＢＥＴ比表面積
ＢｅｌｌＪａｐａｎ社製のＢＥＬＬＳＯＲＰ−ｍｉｎｉIIを用いて、−１９６℃におけるＮ２の吸着等温線を測定し、単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積を求めた。ＱＳＤＦＴ解析用にカンタクローム社製Ｎｏｖａ２０００により同様にＮ２の吸着等温線を測定した。
図４に、塩素処理温度と単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積との関係を示す。塩素処理温度が高くなると、ＢＥＴ比表面積が小さくなる傾向が見られる。ただし、１４００℃でもＢＥＴ比表面積は十分に大きく、約３００ｍ２／ｇ以上が維持されている。
（ｅ）細孔径分布
上記の吸着等温線にＢＪＨ法を適用して、単相多孔質炭素材料の細孔径分布を求め、細孔径分布から全細孔容積および２ｎｍ〜５０ｎｍのメソ孔容積を求め、更にメソ孔容積の割合を求めた。
図５および図６に、単相多孔質炭素材料に形成されるメソ孔容積および全細孔容積と、塩素処理温度との関係を示す。図５は、少なくとも１４００℃までは、塩素処理温度が高くなるほどメソ孔容積が増加することを示している。
図７、８にＱＳＤＦＴ法で解析した細孔径の分布を示す。測定サンプルは試料Ｄ１、試料Ｃ２であり、図７に試料Ｄ１の解析結果を、図８に試料Ｃ２の解析結果を示す。ＴｉＣ原料の場合、３ｎｍ〜４ｎｍ付近に細孔のピークがあり、Ａｌ４Ｃ３原料でも同様である。このような構造は、市販活性炭では見られない。
（ｆ）出力特性
リチウムイオンキャパシタを、１．０ｍＡの電流で、電圧４．０Ｖまで充電し、所定の電流値（１．０ｍＡ、１００ｍＡまたは５００ｍＡ）で、電圧３．０Ｖまで放電した。１．０ｍＡのときに得られた放電容量（Ｃ１）を１００として、１００ｍＡおよび５００ｍＡのときに得られた放電容量（Ｃ１００およびＣ５００）を規格化した。数値が１００に近いほど容量が高いことを示す。
試料Ａ１、Ｂ１、ＹおよびＺを用いた場合は比較例である。

Ｔ１：賦活処理の温度（℃）
Ｔ２：グラファイト成長温度（℃）
Ｖａ：全細孔容積（ｃｍ３/ｇ）
Ｖｍ：メソ孔容積（ｃｍ３/ｇ）
Ｒ：１００×Ｖｍ／Ｖａ（％）
Ｓ：ＢＥＴ比表面積（ｍ２／ｇ）
Ｌｃ：結晶子サイズ（ｎｍ）
ｄ００２：（００２）面の面間隔（ｎｍ）
Ｓｏｆｔ-Ｃ：易黒鉛化炭素
Ｈａｒｄ-Ｃ：難黒鉛化炭素
《実施例２》
金属炭化物由来の単相多孔質炭素材料の代わりに、易黒鉛化炭素由来の単相多孔質炭素材料（試料Ｘ）を用いたこと以外、実施例１と同様に、リチウムイオンキャパシタを作製し、評価した。結果を表１に示す。
易黒鉛化炭素由来の単相多孔質炭素材料は、下記の手順で製造した。
先ず、減圧雰囲気中で、石油系ピッチを１０００℃で５時間加熱して炭化させ、カーボン前駆体である易黒鉛化炭素（炭化ピッチ）を得た。次に、易黒鉛化炭素を、水蒸気（Ｈ／Ｃガス）を含む雰囲気中で、８００℃で賦活処理し、カーボン中間体を得た。次に、カーボン中間体を、窒素雰囲気中で、１３５０℃で加熱し、グラファイト構造を成長させて、単相多孔質炭素材料を得た。
《比較例１》
単相多孔質炭素材料の代わりに、市販の人造黒鉛（面間隔（ｄ００２）＝０．３３５ｎｍ、試料Ｙ）を用いたこと以外、実施例１と同様に、リチウムイオンキャパシタを作製し、評価した。結果を表１に示す。
《比較例２》
単相多孔質炭素材料の代わりに、市販の難黒鉛化炭素（ハードカーボン）（面間隔（ｄ００２）＝０．３９ｎｍ、試料Ｚ）を用いたこと以外、実施例１と同様に、リチウムイオンキャパシタを作製し、評価した。結果を表１に示す。
表１より、比表面積が１００ｍ２／ｇ以上であり、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔の積算容積（メソ孔容積）が全細孔容積の２５％以上である単相多孔質炭素材料を用いることにより、高出力の蓄電デバイスが得られることが理解できる。なお、カーボン前駆体としてＴｉＣを用いる場合には、１２００℃以上、更には１３００℃以上でグラファイトを成長させることが望ましいことが理解できる。
本発明のリチウムイオン蓄電デバイス用負極材料は、リチウムイオンの移動に適した細孔構造を有することから、高出力を発揮できる。よって、高い容量が求められる様々な蓄電デバイスに適用することができる。
１０…キャパシタ、１１…正極、１１ａ…正極集電体、１１ｂ…正極活物質、１２…負極、１２ａ…負極集電体、１２ｂ…負極活物質、１３…セパレータ、１５…セルケース

Claims (19)

  1. 電気化学的にリチウムイオンを吸蔵および放出可能な単相多孔質炭素材料を含み、
    前記単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積が、１００ｍ２／ｇ以上であり、
    前記単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔の積算容積が、全細孔容積の２５％以上である、蓄電デバイス用負極材料。
  2. 前記単相多孔質炭素材料のＸ線回折像が、グラファイトの（００２）面に帰属されるピークを有し、
    前記ピークの位置から求められる（００２）面の面間隔が、０．３４０ｎｍ〜０．３７０ｎｍであり、
    前記ピークの半価幅から求められるグラファイトの結晶子サイズが、１ｎｍ〜２０ｎｍである、請求項１に記載の蓄電デバイス用負極材料。
  3. 前記全細孔容積が、０．３ｃｍ３／ｇ〜１．２ｃｍ３／ｇである、請求項１または２に記載の蓄電デバイス用負極材料。
  4. 前記単相多孔質炭素材料の細孔径分布が、カーボンスリット構造を仮定したＱＳＤＦＴ解析における細孔分布解析において２ｎｍ〜５ｎｍの領域に少なくとも一つの細孔分布ピークを持つ、請求項１〜３のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料。
  5. （i）１５００℃以下の温度でグラファイト構造が成長するカーボン前駆体を、多孔質構造に賦活処理する工程と、
    （ii）前記賦活処理されたカーボン前駆体を、グラファイト構造が成長する温度で加熱して、グラファイト構造を成長させて、単相多孔質炭素材料を生成させる工程と、を具備する、蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  6. 前記カーボン前駆体が、易黒鉛化炭素であり、
    前記賦活処理が、１１００℃未満の温度で水蒸気および／または二酸化炭素を含有する雰囲気中で前記カーボン前駆体を加熱することを含む、請求項５に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  7. 前記易黒鉛化炭素が、１０００℃未満の温度で前駆体を炭素化することで生成する、請求項６に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  8. 前記カーボン前駆体が、金属炭化物であり、
    前記賦活処理が、塩素を含有する雰囲気中で前記金属炭化物を第一温度で加熱することを含む、請求項５に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  9. 前記グラファイト構造を成長させる工程が、実質的に無酸素雰囲気中で、前記賦活処理されたカーボン前駆体を前記第一温度より高い第二温度加熱することを含む、請求項８に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  10. 前記カーボン前駆体が、金属炭化物であり、
    前記賦活処理が、塩素を含有する雰囲気中で前記金属炭化物をグラファイト構造が成長する温度で加熱することを含み、
    前記賦活処理と、前記グラファイト構造を成長させる工程と、を並行して行う、請求項５に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  11. 前記金属炭化物が、短周期型の周期律表の４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、８および３Ｂ族のいずれかに属する金属の少なくとも１種を含む炭化物である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  12. 前記金属が、チタン、アルミニウムおよびタングステンの少なくともいずれか１つである、請求項１１に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  13. 前記賦活処理されたカーボン前駆体のＢＥＴ比表面積が、１０００ｍ２／ｇ以上である、請求項５〜１２のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  14. 前記単相多孔質炭素材料のＢＥＴ比表面積が、１００ｍ２／ｇ以上であり、
    前記単相多孔質炭素材料の細孔径分布において、２ｎｍ〜５０ｎｍの細孔径を有する細孔の積算容積が、全細孔容積の２５％以上である、請求項５〜１３のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  15. 前記単相多孔質炭素材料のＸ線回折像が、グラファイトの（００２）面に帰属されるピークを有し、
    前記ピークの位置から求められる（００２）面の面間隔の平均値が、０．３４０ｎｍ〜０．３７０ｎｍであり、
    前記ピークの半価幅から求められるグラファイトの結晶子サイズが、１ｎｍ〜２０ｎｍである、請求項５〜１４のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  16. 前記全細孔容積が、０．３ｃｍ３／ｇ〜１．２ｃｍ３／ｇである、請求項５〜１５のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  17. 前記単相多孔質炭素材料の細孔径分布が、カーボンスリット構造を仮定したＱＳＤＦＴ解析における細孔分布解析において２ｎｍ〜５ｎｍの領域に少なくとも一つの細孔分布ピークを持つ、請求項１４〜１６の少なくとも１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  18. 前記グラファイト構造を成長させる工程の後に、更に、５００℃〜８００℃の温度範囲で、水蒸気および／または水素を含有する雰囲気中で、前記単相多孔質炭素材料を加熱する工程、を具備する、請求項４〜１７のいずれか１項に記載の蓄電デバイス用負極材料の製造方法。
  19. 正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、前記正極および前記負極の間に介在するセパレータと、アニオンとリチウムイオンとの塩を含む非水電解質と、を具備し、
    前記負極活物質は、請求項１に記載の蓄電デバイス用負極材料を含む、リチウムイオン蓄電デバイス。
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