JPWO2016010077A1 - ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁および光学素子 - Google Patents

ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁および光学素子 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016010077A1
JPWO2016010077A1 JP2016534467A JP2016534467A JPWO2016010077A1 JP WO2016010077 A1 JPWO2016010077 A1 JP WO2016010077A1 JP 2016534467 A JP2016534467 A JP 2016534467A JP 2016534467 A JP2016534467 A JP 2016534467A JP WO2016010077 A1 JPWO2016010077 A1 JP WO2016010077A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
negative photosensitive
partition
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016534467A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6536578B2 (ja
Inventor
高橋 秀幸
秀幸 高橋
光太郎 山田
光太郎 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of JPWO2016010077A1 publication Critical patent/JPWO2016010077A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6536578B2 publication Critical patent/JP6536578B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

隔壁上面が良好な撥インク性を有するとともに開口部における残渣の低減が可能な光学素子(有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池)等の製造に用いるネガ型感光性樹脂組成物、上面に良好な撥インク性を有する光学素子用の樹脂硬化膜、微細で精度の高いパターンの形成が可能な光学素子用の隔壁および、該隔壁を有する上記光学素子の提供。光硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体と、光重合開始剤と、酸発生剤と、酸硬化剤と、撥インク剤とを含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物、該ネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される硬化膜および隔壁、および基板表面に複数のドットと隣接するドット間に位置する該隔壁とを有する上記光学素子。

Description

本発明は、例えば、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いるネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁および光学素子、具体的には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイおよび薄膜太陽電池等に関する。
有機EL(Electro-Luminescence)素子、量子ドットディスプレイ、TFT(Thin Film Transistor)アレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造においては、発光層等の有機層または無機層をドットとして、インクジェット(IJ)法にてパターン印刷する方法を用いることがある。かかる方法においては、形成しようとするドットの輪郭に沿って隔壁を設け、該隔壁で囲まれた区画(以下、「開口部」ともいう。)内に、有機層または無機層の材料を含むインクを注入し、これを乾燥および/または加熱等することにより所望のパターンのドットを形成する。
インクジェット(IJ)法にてパターン印刷をする際には、隣接するドット間におけるインクの混合防止とドット形成におけるインクの均一塗布のため、隔壁上面は撥インク性を有する必要がある。その一方で、隔壁側面を含む隔壁で囲まれたドット形成用の開口部は親インク性を有する必要がある。そこで、上面に撥インク性を有する隔壁を得るために、撥インク剤を含ませた感光性樹脂組成物を用いてフォトリソグラフィ法によりドットのパターンに対応する隔壁を形成する方法が知られている。
また、このような有機EL素子等の光学素子において、近年では、より精度の高い製品を得ることを目的として、例えば、特許文献1では、撥インク性、インク転落性に優れた塗膜を形成することができ、さらには微細なパターン形成が可能な感光性樹脂組成物が提案されている。特許文献1においては、隔壁形成のための感光性樹脂組成物として、(1)酸発生剤と、酸性基と架橋し得る反応性基を2個以上有する化合物である酸硬化剤とを含有する感光性樹脂組成物、または、(2)光ラジカル重合開始剤と、2個以上のエチレン性二重結合を有し、かつ酸性基を有しない化合物であるラジカル架橋剤とを含有する感光性樹脂組成物を用い、これに撥インク剤として特殊なフッ素樹脂を含有させることで上記効果を得ている。
しかしながら、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池の製造においては、生産効率を向上させる観点から、撥インク剤を含有する感光性樹脂組成物において、特に、特許文献1における(2)に分類される感光性樹脂組成物においては、より高感度化が求められている。そこで、このような感光性樹脂組成物において、ラジカル開始剤のみ増量すれば、高感度化でき、低い露光量でも上面に撥インク性を有する隔壁は形成可能であるが、線幅が太りやすく、パターン形成性が悪化するという問題があった。
また、例えば、特許文献2には、高感度、高解像度であり、かつ、その硬化物と基板との密着性に優れ、かつ優れた弾性回復特性を有するアルカリ現像可能なネガ型の感光性樹脂組成物として、親水性エポキシ樹脂(A)、多官能モノマー(B)、カチオン重合性化合物(C)、加水分解性シラン化合物(D)、光ラジカル重合開始剤(E)、酸発生剤(F)を含有する有機EL素子用感光性組成物が提案されている。しかしながら、特許文献2における組成物では、高感度化が難しく、撥液性が不足していた。
特開2004−277494号公報 特開2012−014931号公報
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、生産効率を良好に保ちながら、得られる隔壁による微細で精度の高いパターンの形成を可能とするために、隔壁上面が良好な撥インク性を有するとともに開口部における残渣の低減が可能であり、さらには、プラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションにも適用可能な、例えば、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いられるネガ型感光性樹脂組成物の提供を目的とする。
本発明は、上面に良好な撥インク性を有する樹脂硬化膜および上面に良好な撥インク性を有することで微細で精度の高いパターンの形成が可能であり、さらには、プラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションにも適用可能な、例えば、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子用の隔壁の提供を目的とする。
本発明は、また、隔壁で仕切られた開口部にインクが均一塗布され精度よく形成されたドットを有する、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイおよび薄膜太陽電池等の光学素子、特には、プラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションを含む光学素子の提供を目的とする。
本発明は、以下[1]〜[9]の構成を有する、ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁および光学素子を提供する。
[1]光硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)と、光ラジカル重合開始剤(B)と、光酸発生剤(C)と、酸硬化剤(D)と、フッ素原子を有する撥インク剤(E)とを含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
[2]分子内に2つ以上の不飽和二重結合を有し、酸性基およびフッ素原子のいずれも有しない化合物(F)をさらに含有することを特徴とする、[1]のネガ型感光性樹脂組成物。
[3]前記酸硬化剤(D)がメラミン系化合物、尿素系化合物およびエポキシ系化合物から選ばれる、少なくとも1種である、[1]または[2]のネガ型感光性樹脂組成物。
[4]有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池の製造に用いられる[1]〜[3]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[5]前記[1]〜[4]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする樹脂硬化膜。
[6]基板表面をドット形成用の複数の区画に仕切る形に形成された隔壁であって、[5]の樹脂硬化膜からなることを特徴とする隔壁。
[7]基板表面に複数のドットと隣接するドット間に位置する隔壁とを有する光学素子であって、前記隔壁が[6]の隔壁で形成されていることを特徴とする光学素子。
[8]前記光学素子は、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池である[7]の光学素子。
[9]前記ドットがインクジェット法で形成されていることを特徴とする[7]または[8]の光学素子。
本発明によれば、生産効率を良好に保ちながら、得られる隔壁上面が良好な撥インク性を有するとともに開口部における残渣を低減することで、隔壁による微細で精度の高いパターンの形成が可能であり、さらには、プラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションにも適用可能な、例えば、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いられるネガ型感光性樹脂組成物を提供できる。
本発明の樹脂硬化膜は上面に良好な撥インク性を有し、隔壁は上面に良好な撥インク性を有するとともに微細で精度の高いパターンの形成が可能であり、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等、特には、プラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションを含む光学素子に好適に利用できる。
本発明の光学素子は、隔壁で仕切られた開口部にインクが均一塗布され精度よく形成されたドットを有する光学素子、具体的には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等である。本発明によればプラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションを含む光学素子であっても上記効果を達成できる。
本発明の実施形態の隔壁の製造方法を模式的に示す工程図である。 本発明の実施形態の隔壁の製造方法を模式的に示す工程図である。 本発明の実施形態の隔壁の製造方法を模式的に示す工程図である。 本発明の実施形態の隔壁の製造方法を模式的に示す工程図である。 本発明の実施形態の光学素子の製造方法を模式的に示す工程図である。 本発明の実施形態の光学素子の製造方法を模式的に示す工程図である。
本明細書において、次の用語は、それぞれ、下記の意味で使用される。
「(メタ)アクリロイル基」は、「メタクリロイル基」と「アクリロイル基」の総称である。(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミド、および(メタ)アクリル樹脂もこれに準じる。
式(x)で表される基を、単に基(x)と記載することがある。式(y)で表される化合物を、単に化合物(y)と記載することがある。ここで、式(x)、式(y)は、任意の式を示している。
「ある成分を主として構成される樹脂」または「ある成分を主体とする樹脂」とは、該成分の割合が樹脂全量に対して50質量%以上を占めることをいう。
「側鎖」とは、炭素原子からなる繰り返し単位が主鎖を構成する重合体において、主鎖を構成する炭素原子に結合する、水素原子またはハロゲン原子以外の基である。
「感光性樹脂組成物の全固形分」とは、感光性樹脂組成物が含有する成分のうち後述する硬化膜を形成する成分を指し、感光性樹脂組成物を140℃で24時間加熱して溶媒を除去した残存物から求める。なお、全固形分量は仕込み量からも計算できる。
樹脂を主成分とする組成物の硬化物からなる膜を「樹脂硬化膜」という。感光性樹脂組成物を塗布した膜を「塗膜」、それを乾燥させた膜を「乾燥膜」という。該「乾燥膜」を硬化させて得られる膜は「樹脂硬化膜」である。また、「樹脂硬化膜」を単に「硬化膜」ということもある。
樹脂硬化膜は、所定の領域を複数の区画に仕切る形に形成された隔壁の形態であってもよい。隔壁で仕切られた区画、すなわち隔壁で囲まれた開口部に、例えば、以下の「インク」が注入され、「ドット」が形成される。
「インク」とは、乾燥、硬化等した後に、光学的および/または電気的な機能を有する液体を総称する用語である。有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子においては、各種構成要素としてのドットを、該ドット形成用のインクを用いてインクジェット(IJ)法によりパターン印刷することがある。「インク」には、かかる用途に用いられるインクが含まれる。
「撥インク性」とは、上記インクをはじく性質であり、撥水性と撥油性の両方を有する。撥インク性は、例えば、インクを滴下したときの接触角により評価できる。「親インク性」は撥インク性と相反する性質であり、撥インク性と同様にインクを滴下したときの接触角により評価できる。または、インクを滴下したときのインクの濡れ広がりの程度(インクの濡れ広がり性)を所定の基準で評価することにより親インク性が評価できる。
「ドット」とは、光学素子における光変調可能な最小領域を示す。有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子においては、白黒表示の場合に1ドット=1画素であり、カラー表示の場合に例えば3ドット(R(赤)、G(緑)、B(青)等)=1画素である。「光学素子」は、エレクトロニクスデバイスを含む用語として用いる。「パーセント(%)」は、特に説明のない場合、質量%を表す。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
[ネガ型感光性樹脂組成物]
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、光硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)と、光ラジカル重合開始剤(B)と、光酸発生剤(C)と、酸硬化剤(D)と、フッ素原子を有する撥インク剤(E)とを含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物である。本明細書において、酸硬化剤(D)とは、酸の存在下、カルボン酸やフェノール性水酸基等の酸性基と反応する硬化剤をいう。本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子の製造に好適に使用でき、特に、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池において顕著な効果が期待できる。
通常、ネガ型感光性樹脂組成物は露光により硬化して硬化膜を形成する。この際、マスキング等により所定の形状の露光部と非露光部を形成させれば、非露光部は硬化せずアルカリ現像液にて選択的に除去できる。その結果、硬化膜を、所定の領域を複数の区画に仕切る形の隔壁の形態とすることができる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、上記露光部においては、光ラジカル重合開始剤(B)から発生したラジカルによりアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)が重合して硬化して硬化膜を形成する。ここで、アルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)はフッ素原子を含有しない。撥インク剤(E)はフッ素原子を有することで硬化膜を形成する過程で上面に移行する性質(上面移行性)を有し、上面に移行した撥インク剤(E)は硬化膜上面に定着する。
ここで、光によるラジカル重合反応においては、硬化膜の大気に接する面ほど酸素による反応阻害を受けやすい。本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、光酸発生剤(C)が露光により酸を発生し、酸硬化剤(D)が、該酸の存在下、アルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)のカルボン酸等の酸性基と反応して硬化する。また、その際、酸硬化剤(D)同士が反応して硬化に寄与することも考えられる。該硬化反応は、ラジカル重合反応とは異なり、酸素の影響を受けない。よって、本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、硬化膜、特に硬化膜の上面におけるアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)の硬化性、および撥インク剤(E)の定着性が向上した硬化膜が得られる。または、低露光量でも従来の硬化膜と同等の硬化性、特に上面における硬化性を有する硬化膜が得られる。
上記のとおり、本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、光によるラジカル重合反応と光による酸の存在下での硬化反応を組み合わせることにより硬化膜内部の硬化も充分に行われる。よって、露光部である硬化部分は、現像の際のアルカリ現像液による浸食や剥離に耐性を有する。したがって、露光部が長時間の現像にも影響を受けにくいことから開口部の残渣の除去等に有利である。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに必要に応じて、分子内に2つ以上の不飽和二重結合を有し、酸性基およびフッ素原子のいずれも有しない化合物(F)(以下、「架橋剤(F)」ともいう。)、1分子中にメルカプト基を3個以上有するチオール化合物(G)(以下、「チオール化合物(G)」ともいう。)、リン酸化合物(H)、重合禁止剤(I)、溶媒(J)、着色剤(K)、その他の任意成分を含有する。
(アルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A))
アルカリ可溶性樹脂には符号(AP)、アルカリ可溶性単量体には符号(AM)を付して、それぞれ説明する。なお、以下の説明においてこれらを総称して「アルカリ可溶性樹脂(A)」ということもある。
アルカリ可溶性樹脂(A)は、光硬化性を有する。また、アルカリ可溶性樹脂(A)はフッ素原子を有しない。ネガ型感光性樹脂組成物においては露光により、光ラジカル重合開始剤(B)がラジカルを発生し、光酸発生剤(C)が酸を発生する。その際、アルカリ可溶性樹脂(A)は、上記ラジカルによりそれ自体が重合反応するとともに、上記酸の存在下、酸硬化剤(D)と反応して架橋することで充分に硬化する。なお、酸により、アルカリ可溶性樹脂(A)同士が反応することはない。
ネガ型感光性樹脂組成物は、露光部の硬化が上記のとおり充分に行われる。露光部をこのようにして充分に硬化した露光部はアルカリ現像液にて容易に除去されない。また、アルカリ可溶性樹脂(A)がアルカリ可溶であることで、アルカリ現像液にて、硬化していないネガ型感光性樹脂組成物の非露光部を選択的に除去できる。その結果、硬化膜を、所定の領域を複数の区画に仕切る形の隔壁の形態とすることができる。
アルカリ可溶性樹脂(AP)としては、1分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有する感光性樹脂が好ましい。アルカリ可溶性樹脂(AP)は、分子中にエチレン性二重結合を有することで、上記光ラジカル重合開始剤(B)が発生したラジカルにより重合する。アルカリ可溶性樹脂(AP)は、分子中に酸性基を有することで、上記光酸発生剤(C)が発生した酸の存在下、酸硬化剤(D)と反応する。また、酸性基を有することでアルカリ可溶性である。
酸性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、スルホ基およびリン酸基等が挙げられ、これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
エチレン性二重結合としては、(メタ)アクリロイル基、アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基およびビニルオキシアルキル基等の付加重合性を有する二重結合が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。なお、エチレン性二重結合が有する水素原子の一部または全てが、メチル基等のアルキル基で置換されていてもよい。
エチレン性二重結合を有するアルカリ可溶性樹脂(AP)としては、酸性基を有する側鎖とエチレン性二重結合を有する側鎖とを有する樹脂(A−1)、およびエポキシ樹脂に酸性基とエチレン性二重結合とが導入された樹脂(A−2)等が挙げられる。これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
このようなアルカリ可溶性樹脂(AP)としては、国際公開第2014/046209号(以下、WO2014/046209という)の例えば、段落[0108]、[0126]、国際公開第2014/069478号(以下、WO2014/069478という)の例えば、段落[0067][0085]に記載されているものが使用できる。
アルカリ可溶性樹脂(AP)としては、現像時の硬化膜の剥離が抑制されて、高解像度のドットのパターンを得ることができる点、ドットが直線状である場合のパターンの直線性が良好である点、平滑な硬化膜表面が得られやすい点で、樹脂(A−2)を用いることが好ましい。なお、パターンの直線性が良好であるとは、得られる隔壁の縁に欠け等がなく直線的であることをいう。
樹脂(A−2)としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、フルオレニル置換ビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にそれぞれ酸性基とエチレン性二重結合とを導入した樹脂が特に好ましい。
アルカリ可溶性樹脂(AP)が、1分子中に有するエチレン性二重結合の数は、平均3個以上が好ましく、6個以上が特に好ましい。エチレン性二重結合の数が上記範囲の下限値以上であると、露光部分と未露光部分とのアルカリ溶解度に差がつきやすく、より少ない露光量での微細なパターン形成が可能となる。
アルカリ可溶性樹脂(AP)の質量平均分子量(Mw)は、1.5×10〜30×10が好ましく、2×10〜15×10が特に好ましい。また、数平均分子量(Mn)は、500〜20×10が好ましく、1.0×10〜10×10が特に好ましい。質量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)が上記範囲の下限値以上であると、露光時の硬化が充分であり、上記範囲の上限値以下であると、現像性が良好である。
なお、本明細書において、数平均分子量(Mn)および質量平均分子量(Mw)は、特に断りのない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により、ポリスチレンを標準物質として、測定されたものをいう。
アルカリ可溶性樹脂(AP)の酸価は、10〜300mgKOH/gが好ましく、30〜150mgKOH/gが特に好ましい。酸価が上記範囲であると、ネガ型用感光性組成物の現像性が良好になる。
アルカリ可溶性単量体(AM)としては、例えば、酸性基とエチレン性二重結合とを有する単量体(A−3)が好ましく用いられる。酸性基およびエチレン性二重結合は、アルカリ可溶性樹脂(AP)と同様である。アルカリ可溶性単量体(AM)の酸価についても、アルカリ可溶性樹脂(AP)と同様の範囲が好ましい。
単量体(A−3)としては、2,2,2−トリアクリロイルオキシメチルエチルフタル酸等が挙げられる。
ネガ型感光性樹脂組成物に含まれるアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中のアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)の含有割合は、5〜80質量%が好ましく、10〜60質量%が特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好である。
(光ラジカル重合開始剤(B))
本発明における光ラジカル重合開始剤(B)は、活性光線によりラジカルを発生する光ラジカル重合開始剤としての機能を有する化合物であれば特に制限されない。以下、光ラジカル重合開始剤(B)を単に「光重合開始剤(B)」ともいう。
光重合開始剤(B)としては、WO2014/046209の例えば、段落[0130]、[0131]、WO2014/069478の例えば、段落[0089][0090]に記載したもの等が挙げられる。
光重合開始剤(B)のなかでも、ベンゾフェノン類、アミノ安息香酸類および脂肪族アミン類は、その他のラジカル開始剤と共に用いると、増感効果を発現することがあり好ましい。光重合開始剤(B)は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の光重合開始剤(B)の含有割合は、0.1〜50質量%が好ましく、0.5〜30質量%がより好ましく、1〜15質量%が特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好である。
(酸発生剤(C))
光酸発生剤(C)は、活性光線を照射することで、分解して酸を発生する化合物であれば、特に制限されない。一般に、カチオン重合型のアルカリ可溶性樹脂を用いた感光性樹脂組成物において光酸発生剤として用いられる化合物の中から、任意の化合物を選択して使用することができる。以下、光酸発生剤(C)を単に「酸発生剤(C)」ともいう。
上記のとおり本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、酸発生剤(C)から生成される酸は、上記アルカリ可溶性樹脂(A)と以下に説明する酸硬化剤(D)の結合に係わる。
酸発生剤(C)は活性光線の照射により分解して酸を発生する。該活性光線として、具体的には、紫外光、X線、電子線等の高エネルギー線が挙げられる。ネガ型感光性樹脂組成物を用いて光学素子用の隔壁を製造する場合、露光には、i線(365nm)、h線(405nm)およびg線(436nm)が好ましく用いられる。酸発生剤(C)としては、露光に用いられる光線の波長において吸光度の大きい酸発生剤(C)を選択することが好ましい。350〜450nmに吸収を有するものが好ましく、特に、i線(365nm)、h線(405nm)およびg線(436nm)のうちの少なくとも1つを含む光線に吸収があるものが、硬化性が高く好ましい。
酸発生剤(C)として具体的には、オニウム塩系酸発生剤や非イオン系酸発生剤が挙げられる。オニウム塩系酸発生剤としては、例えば、下式(C0)で表されるモノ〜トリフェニルスルホニウム骨格を有する化合物のオニウム塩やヨードニウム塩系化合物等が挙げられる。
Figure 2016010077
式(C0)中、Ra1およびRa2は、置換基を有してもよい、炭素数1〜20のアルキル基またはフェニル基を示し、Ra3は1価の有機基を示す。wは0〜5の整数である。Xはアニオンを示し、具体的には、SbF 、リン系のアニオン、例えば、PF 、(Rf1PF6―n (Rf1はフロロアルキル基、nは1〜3)やスルホン酸塩系のアニオン、例えば、RSO (Rは一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい炭素数1〜12のアルキル基または炭素数6〜18のアリール基)等が挙げられる。RSO のRとしては、例えば、−CF、−C、−C17等のペルフルオロアルキル基、−C等のペルフルオロアリール基、−Ph−CH(ただし、Phはフェニル基を示す。)等のアリール基等が挙げられる。
化合物(C0)としては、Ra1およびRa2が共にフェニル基(置換されていてもよい)である化合物が好ましい。具体的には、下式(C1)または、下式(C2)で表されるトリフェニルスルホニウム骨格を有する化合物のオニウム塩が好ましい。なお、化合物(C1)および化合物(C2)においてトリフェニルスルホニウム骨格のフェニル基の水素原子が置換された化合物も酸発生剤(C)として使用可能である。
Figure 2016010077
式(C1)および式(C2)中、XaおよびXbはアニオンを示し、具体的には、上記式(C0)におけるXと同様のアニオンが挙げられる。XaおよびXbとしてはリン系のアニオンやスルホン酸塩系のアニオンが好ましい。
なお、これらのオニウム塩においては、カチオン部が照射された光を吸収し、アニオン部が酸の発生源となる。
化合物(C0)としては、モノフェニルスルホニウム骨格を有する化合物のオニウム塩として、下式(C0−1)で表されるオニウム塩が挙げられる。
また、トリフェニルスルホニウム骨格を有する化合物のオニウム塩である化合物(C1)および化合物(C2)において、例えば、露光をi線(365nm)で行うのに用いられる化合物として、下式(C1−1)で表されるトリフェニルスルホニウム・ノナフルオロブタンスルホネート、下式(C2−1)および下式(C2−2)でそれぞれ表されるトリアリールスルホニウム・PF塩およびトリアリールスルホニウム・特殊リン系塩が挙げられる。これらの化合物は、波長365nmにおける吸光度が大きい点や入手がしやすい点で好ましい。
Figure 2016010077
式(C2−2)中、Rf1はフロロアルキル基、nは1〜3である。
ヨードニウム塩系化合物としては、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩が挙げられる。
ジアリールヨードニウム塩のカチオン部分の具体例としては、ジフェニルヨードニウム、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウム、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウム等が挙げられる。ジアリールヨードニウム塩のアニオン部分の具体例としては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、p−トルエンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、ヘキサフルオロホスフェート、テトラフルオロボレート、ヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
ジアリールヨードニウム塩は前記カチオン部分とアニオン部分とからなり、上記カチオン部分の具体例の1種とアニオン部分の具体例の1種との組み合わせからなる。例えば、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネートが一例となる。
トリアリールスルホニウム塩のカチオン部分の具体例としては、トリフェニルスルホニウム、ジフェニル−4−メチルフェニルスルホニウム、ジフェニル−2,4,6−トリメチルフェニルスルホニウム等が挙げられる。トリアリールスルホニウム塩のアニオン部分の具体例としては、前記ジアリールヨードニウム塩のアニオン部分の具体例が挙げられる。
トリアリールスルホニウム塩は前記カチオン部分とアニオン部分とからなり、上記カチオン部分の具体例の1種とアニオン部分の具体例の1種との組み合わせからなる。例えば、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートが一例となる。
非イオン系の酸発生剤としては、例えば、ナフタルイミド骨格、ニトロベンゼン骨格、ジアゾメタン骨格、フェニルアセトフェノン骨格、チオキトサン骨格、トリアジン骨格を有し、塩素原子、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸等が結合した構造を有する化合物が挙げられる。
このような化合物として具体的には、下式(C3)、下式(C4)、下式(C5)、下式(C6)、下式(C7)でそれぞれ表される、ナフタルイミド骨格、ニトロベンゼン骨格(ただし、ニトロ基が1個の場合、その位置は2位または4位であり、ニトロ基が2個の場合、その位置は2,5位である。)、ジアゾメタン骨格、フェニルアセトフェノン骨格、チオキトサン骨格を有し、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸等が結合した構造を有する化合物が挙げられる。また、下式(C8)に示されるトリアジン骨格と塩素原子を有する化合物が挙げられる。さらに、下式(C9)で示されるジアルキルグリオキシムのスルホニル化合物、(C10)で示されるスルホニルオキシイミノアセトニトリル化合物、(C11)で示される(スルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル化合物等が挙げられる。
なお、化合物(C3)、(C4)、(C6)、(C7)、(C11)においては、各化合物の骨格を形成するベンゼン環の水素原子が置換された化合物も酸発生剤として機能可能である。
Figure 2016010077
式(C3)〜(C7)、(C9)、(C10)、(C11)におけるRb1〜Rb5、Rb7、Rb9およびRb11はそれぞれ独立に一部または全部がフッ素原子で置換されていてもよい、直鎖状、分岐状または環状(ただし、部分的に環状構造を有するものも含む)の炭素数1〜12のアルキル基または炭素数6〜18のアリール基である。式(C8)、(C9)、(C10)におけるRb6、Rb8およびRb10は、それぞれ独立に置換基や不飽和結合を有してもよく、複素環を含んでもよい炭素数1〜18の有機基である。
上記式(C4)で示されるニトロベンゼン骨格(ただし、ニトロ基が1個の場合、その位置は2位または4位であり、ニトロ基が2個の場合、その位置は2,5位である。)を有する化合物として、具体的には、2−ニトロベンジルp−トルエンスルホネート等が挙げられる。
上記式(C5)で示されるビススルホニルジアゾメタン化合物として、具体的には、ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン、ビス(2,4−ジメチルフェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(tert−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n−ブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソブチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(n-プロピルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(イソプロピルスルホニル)ジアゾメタン等が挙げられる。
上記式(C8)に示されるトリアジン骨格と塩素原子を有する化合物の具体例としては、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、下記式(C8−1)に示される2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2−フリル)エテニル−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、下記式(C8−2)に示される2−(5−メチル−2−フリル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、下記式(C8−3)に示される2−(4−メトキシフェニル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン等が挙げられる。
Figure 2016010077
上記式(C10)に示されるスルホニルオキシイミノアセトニトリル化合物の具体例としては、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−フェニルアセトニトリル、α−(トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(エチルスルホニルオキシイミノ)−4−メトキシフェニルアセトニトリル、α−(プロピルスルホニルオキシイミノ)−4−メチルフェニルアセトニトリル、α−(メチルスルホニルオキシイミノ)−4−ブロモフェニルアセトニトリル等が挙げられる。
上記式(C11)で示される(スルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル化合物として具体的には、Rb11がn−プロピル基である2−[2−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル)、Rb11がn−オクチル基である2−[2−(n−オクチルスルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル、Rb11が4−メチルフェニル基である2−[2−(4−メチルフェニルスルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル等が挙げられる。
なお、これらの非イオン系の酸発生剤においては、塩素原子、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸等が結合した部分が酸の発生源となる。
非イオン系の酸発生剤としては、例えば、露光をi線(365nm)で行うのに用いられる化合物としては、下式(C3−1)で表されるN−トリフルオロメタンスルホン酸−1,8−ナフタルイミド、下式(C6−1)で表される2−Phenyl−2−(p−toluenesulfonyloxy)acetophenone、および上記式(C8−3)で表される2−(4−メトキシフェニル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン等が波長365nmにおける吸光度が大きい点や入手がしやすい点で好ましい。
Figure 2016010077
非イオン系の酸発生剤として、例えば、露光を、i線(365nm)、h線(405nm)およびg線(436nm)のうちの少なくとも1つを含む光線で行うのに用いられる化合物としては、上記式(C8)に示されるトリアジン骨格と塩素原子を有する化合物、上記式(C−11)で示される(スルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル化合物等が挙げられる。特には、2−(2−フリル)エテニル−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、式(C8−2)に示される2−(5−メチル−2−フリル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、式(C8−3)に示される2−(4−メトキシフェニル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、式(C−11)中、Rb11がn−プロピル基、n−オクチル基、または4−メチルフェニル基である化合物等が波長405nmよび/または436nmにおける吸光度が大きい点や入手がしやすい点で好ましい。
また、これらのオニウム塩系酸発生剤および非イオン系酸発生剤から光の作用で発生する酸は、塩酸、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸、部分的にまたは完全にフッ素化されたアリールスルホン酸、アルカンスルホン酸等である。
酸発生剤(C)は、上記化合物の1種からなってもよく、2種以上からなってもよい。ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の酸発生剤(C)の含有量は、0.01〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましく、0.3〜3質量%が特に好ましい。酸発生剤(C)の含有量を上記範囲とすることで、上面に充分な撥インク性を有する微細で精度の高いパターンの形成が可能な隔壁が得られる。
なお、下記増感剤と併用することにより、感度が高くなり好ましい。酸発生剤に対する増感剤としては、9,10−ジエトキシアントラセン、9,10−ジプロポキシアントラセン、9,10−ジブトキシシアントラセン、9,10−ビス(2−エチルヘキシロイキシ)アントラセン、9,10−ビス(オクタノイロキシ)アントラセンなどがあげられる。
(酸硬化剤(D))
酸硬化剤(D)は酸の存在下、カルボン酸やフェノール性水酸基等の酸性基と反応する化合物であれば特に制限されない。
酸硬化剤(D)としては、アミノ樹脂、エポキシ化合物、オキサゾリン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。これらの化合物は単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
アミノ樹脂としては、メラミン化合物、グアナミン化合物、尿素化合物等のアミノ基の一部もしくはすべてをヒドロキシメチル化した化合物、または該ヒドロキシメチル化した化合物のヒドロキシル基の一部もしくはすべてをメタノール、エタノール、n−ブチルアルコール、2−メチル−1−プロパノール等でエーテル化した、下記式(D1)で示されるメラミン系化合物、下記式(D2)で示されるグアナミン系化合物、下記式(D3)、(D4)または(D5)で示される尿素系化合物もしくはその樹脂等が挙げられる。
Figure 2016010077
式(D1)〜(D5)においてR11〜R32は、それぞれ独立に水素原子、ヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基である。R11〜R16のうち少なくとも1個、R17〜R20のうち少なくとも1個、R21〜R24のうち少なくとも1個、R27〜R30のうち少なくとも1個、R31およびR32のうち少なくとも1個、はアルコキシメチル基である。R33〜R36はそれぞれ独立して、水素原子、水酸基、アルキル基またはアルコキシ基であり、Xcは、単結合、メチレン基または酸素原子である
11〜R32がアルコキシメチル基の場合のアルコキシ基の炭素数は1〜6が好ましく、1〜3がより好ましい。R33〜R36がアルコキシ基の場合、その炭素数は1〜6が好ましく、1〜3がより好ましい。アルコキシ基となるアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、2−メチル−1−プロパノール等が挙げられる。
化合物(D1)〜(D4)においては、それぞれに有する置換基の全てが同一のアルコキシメチル基であることが、製造のし易さの点から好ましい。
上記式(D5)で示される尿素系化合物として、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure 2016010077
酸硬化剤(D)がアミノ樹脂である場合、以下の式(D1−1)で示される2,4,6−トリス[ビス(メトキシメチル)アミノ]−1,3,5−トリアジンまたはその樹脂、式(D3−1)で示される1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリルまたはその樹脂等が好ましい。
Figure 2016010077
エポキシ系化合物としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂等のグリシジルエーテル類、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(2,3−エポキシシクロペンチル)エーテルなどの脂環式エポキシ樹脂、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジグリシジルテトラヒドロフタレート、ジグリシジルフタレート等のグリシジルエステル類、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルパラアミノフェノール等のグリシジルアミン類、トリグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
エポキシ系化合物として、例えば、以下の式(De1)で示されるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、以下の式(De2)で示されるナフタレン型エポキシ樹脂が好ましい。
Figure 2016010077
(式(De1)中、nは0〜30の整数である。)
Figure 2016010077
オキサゾリン化合物としては、2−ビニル−2−オキサゾリン、2−ビニル−4−メチル−2−オキサゾリン、2−ビニル−5−メチル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−2−オキサゾリン、2−イソプロペニル−4−メチル−2−オキサゾリン等の重合性単量体の共重合体を挙げることができる。
酸硬化剤(D)としては、これらのなかでも、メラミン系化合物、尿素系化合物、エポキシ系化合物が好ましい。なお、酸硬化剤(D)は、上記化合物の1種からなってもよく、2種以上からなってもよい。ネガ型感光性樹脂組成物における酸硬化剤(D)の含有量は、上記アルカリ可溶性樹脂(A)の100質量部に対して0.1〜100質量部が好ましく、1〜50質量部がより好ましく、5〜20質量部が特に好ましい。酸硬化剤(D)の含有量を上記範囲とすることで、上面に充分な撥インク性を有する微細で精度の高いパターンの形成が可能な隔壁が得られる。また、特に酸硬化剤(D)の上記含有量が5〜20質量部の範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物における貯蔵安定性が良好となり、該組成物からはパターンの直線性に優れる隔壁が得られる。
(撥インク剤(E))
本発明における撥インク剤(E)は分子内にフッ素原子を有する。これにより、撥インク剤(E)は、これを含有するネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化膜を形成する過程で上面に移行する性質(上面移行性)および撥インク性を有する。撥インク剤(E)を用いることで、得られる硬化膜の上面を含む上層部は、撥インク剤(E)が密に存在する層(以下、「撥インク層」ということもある。)となり、硬化膜上面に撥インク性が付与される。
撥インク剤(E)中のフッ素原子の含有率は1〜40質量%が好ましく、5〜35質量%がより好ましく、10〜32質量%が特に好ましい。撥インク剤(E)のフッ素原子の含有率が上記範囲の下限値以上であると、硬化膜上面に良好な撥インク性を付与でき、上限値以下であると、ネガ型感光性樹脂組成物中の他の成分との相溶性が良好になる。
撥インク層において撥インク剤(E)は、それ自体が反応性でない場合には、ネガ型感光性樹脂組成物中のアルカリ可溶性樹脂(A)、酸硬化剤(D)等の光硬化成分の重合、架橋反応により得られる硬化樹脂中に埋め込まれる形で存在する。通常、エチレン性二重結合がラジカル重合する場合、硬化膜や隔壁の大気に接する面ほど酸素による反応阻害を受けやすい。撥インク層は大気に接することから、撥インク層部分でアルカリ可溶性樹脂(A)が光硬化する際のラジカル重合については反応阻害を受けやすい。しかしながら、本発明のネガ型感光性樹脂組成物における、アルカリ可溶性樹脂(A)と酸硬化剤(D)との反応は酸素による反応阻害が殆どなく、撥インク層部分でも充分に行われる。これにより、撥インク層における撥インク剤(E)の定着性は充分に確保される。
すなわち、撥インク層における撥インク剤(E)の定着性を向上させるためには、上記アルカリ可溶性樹脂(A)と酸硬化剤(D)との硬化反応を充分に行わせることが重要である。そのために、特に低露光量での硬化に際しては、酸発生剤(C)として、比較的長波長(350〜450nm)の活性光線で酸を発生する硬化性の高い酸発生剤(C)を使用することが有利と言える。
また、撥インク層への撥インク剤(E)の定着性を向上させる観点から、撥インク剤(E)は、エチレン性二重結合を有する化合物が好ましい。撥インク剤(E)がエチレン性二重結合を有することで、上面に移行した撥インク剤(E)のエチレン性二重結合にラジカルが作用して、撥インク剤(E)同士または撥インク剤(E)とネガ型感光性樹脂組成物が含有するエチレン性二重結合を有する他成分と(共)重合による架橋が可能となる。なお、この反応は任意に含有するチオール化合物(G)(後述する)により促進される。
これにより、ネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜の製造において、撥インク剤(E)の硬化膜の上層部、すなわち撥インク層における定着性を向上できる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、特にチオール化合物(G)を含有する場合には、露光の際の露光量が低い場合であっても撥インク剤(E)を撥インク層に充分に定着させることができる。
上記のとおり、通常、エチレン性二重結合がラジカル重合する場合、硬化膜や隔壁の大気に接する面ほど酸素による反応阻害を受けやすいが、チオール化合物(G)によるラジカル反応は酸素による阻害はほとんど受けないため、低露光量での撥インク剤(E)の定着に特に有利である。さらに、隔壁製造においては、現像を行う際に、撥インク剤(E)が撥インク層から脱離したり、撥インク層の上面が剥がれたりするのを充分に抑制できる。
撥インク剤(E)としては、例えば、加水分解性シラン化合物の部分加水分解縮合物が挙げられる。加水分解性シラン化合物は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。加水分解性シラン化合物の部分加水分解縮合物からなり、かつフッ素原子を有する撥インク剤(E)として、具体的には、以下の撥インク剤(E1)が挙げられる。フッ素原子を有する撥インク剤(E)として、主鎖が炭化水素鎖であり、側鎖にフッ素原子を含む化合物からなる撥インク剤(E2)を用いてもよい。
撥インク剤(E1)および撥インク剤(E2)は、単独で、または組み合わせて用いられる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、耐紫外線/オゾン性の点に優れる点で、特に撥インク剤(E1)を用いることが好ましい。
<撥インク剤(E1)>
撥インク剤(E1)は、加水分解性シラン化合物混合物(以下、「混合物(M)」ともいう。)の部分加水分解縮合物である。該混合物(M)は、フルオロアルキレン基および/またはフルオロアルキル基、および、ケイ素原子に加水分解性基が結合した基とを有する加水分解性シラン化合物(以下、「加水分解性シラン化合物(s1)」ともいう。)を必須成分として含み、任意に加水分解性シラン化合物(s1)以外の加水分解性シラン化合物を含む。混合物(M)が任意に含有する加水分解性シラン化合物としては、以下の加水分解性シラン化合物(s2)、(s3)が挙げられる。混合物(M)が任意に含有する加水分解性シラン化合物としては、加水分解性シラン化合物(s2)が特に好ましい。
加水分解性シラン化合物(s2);ケイ素原子に4個の加水分解性基が結合した加水分解性シラン化合物。
加水分解性シラン化合物(s3);エチレン性二重結合を有する基とケイ素原子に加水分解性基が結合した基とを有し、フッ素原子を含まない加水分解性シラン化合物。
混合物(M)は、任意に加水分解性シラン化合物(s1)〜(s3)以外の加水分解性シラン化合物を1種または2種以上含むことができる。
その他の加水分解性シラン化合物としては、ケイ素原子に結合する基として炭化水素基と加水分解性基のみを有する加水分解性シラン化合物(s4)、メルカプト基と加水分解性基とを有し、フッ素原子を含まない加水分解性シラン化合物(s5)、エポキシ基と加水分解性基とを有し、フッ素原子を含有しない加水分解性シラン化合物(s6)、オキシアルキレン基と加水分解性シリル基を有し、フッ素原子を含まない加水分解性シラン化合物(s7)等が挙げられる。
加水分解性シラン化合物(s1)〜(s3)およびその他の加水分解性シラン化合物としては、WO2014/046209の例えば、段落[0034]〜[0072]、WO2014/069478の例えば、段落[0096]〜[0136]に記載されたもの等が挙げられる。
撥インク剤(E1)の一例として、化合物(s1)をn1含み、化合物(s2)をn2、(s3)をn3含む混合物(M)の部分加水分解縮合物が挙げられる。
ここで、n1〜n3は構成単位の合計モル量に対する各構成単位のモル分率を示す。n1>0、n2≧0、n3≧0、n1+n2+n3=1である。
n1:n2:n3は混合物(M)における化合物(s1)、(s2)、(s3)の仕込み組成と一致する。
各成分のモル比は、各成分の効果のバランスから設計される。
n1は、撥インク剤(E1)におけるフッ素原子の含有率が上記好ましい範囲となる量において、0.02〜0.4が好ましい。
n2は、0〜0.98が好ましく、0.05〜0.6が特に好ましい。
n3は、0〜0.8が好ましく、0.2〜0.5が特に好ましい。
撥インク剤(E1)の質量平均分子量(Mw)は、500以上が好ましく、1,000,000未満が好ましく、5,000以下が特に好ましい。
質量平均分子量(Mw)が下限値以上であると、ネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化膜を形成する際に、撥インク剤(E1)が上面移行しやすい。上限値未満であると、開口部残渣が少なくなり好ましい。
撥インク剤(E1)の質量平均分子量(Mw)は、製造条件により調節できる。
撥インク剤(E1)は、上述した混合物(M)を、公知の方法により加水分解および縮合反応させることで製造できる。
この反応には、通常用いられる塩酸、硫酸、硝酸およびリン酸等の無機酸、あるいは、酢酸、シュウ酸およびマレイン酸等の有機酸を触媒として用いることが好ましい。また、必要に応じて水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ触媒を用いてもよい。
上記反応には公知の溶媒を用いることができる。
上記反応で得られる撥インク剤(E1)は、溶媒とともに溶液の性状でネガ型感光性樹脂組成物に配合してもよい。
<撥インク剤(E2)>
撥インク剤(E2)は、主鎖が炭化水素鎖であり、フッ素原子を有する側鎖を含む化合物である。撥インク剤(E2)の質量平均分子量(Mw)は、100〜1,000,000が好ましく、5,000〜100,000が特に好ましい。質量平均分子量(Mw)が下限値以上であると、ネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化膜を形成する際に、撥インク剤(E2)が上面移行しやすい。上限値以下であると開口部残渣が少なくなり好ましい。
撥インク剤(E2)として、具体的には、WO2014/046209の例えば[0079]〜[0102]、WO2014/069478の例えば[0144]〜[0171]に記載されたもの等が挙げられる。
ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の撥インク剤(E)の含有割合は、0.01〜15質量%が好ましく、0.01〜5質量%がより好ましく、0.03〜1.5質量%が特に好ましい。含有割合が上記範囲の下限値以上であると、ネガ型感光性樹脂組成物から形成される硬化膜の上面は優れた撥インク性を有する。上記範囲の上限値以下であると、硬化膜と基材との密着性が良好になる。
(架橋剤(F))
本発明のネガ型感光性樹脂組成物が任意に含有する架橋剤(F)は、1分子中に2個以上の不飽和二重結合、すなわちエチレン性二重結合を有し、酸性基およびフッ素原子のいずれも有しない化合物である。ネガ型感光性樹脂組成物が架橋剤(F)を含むことにより、露光時におけるネガ型感光性樹脂組成物の硬化性が向上し、低い露光量でも硬化膜を形成することができる。
架橋剤(F)としては、具体的には、WO2014/046209の例えば[0137]、[0138]、WO2014/069478の例えば[0194]、[0195]に記載されたもの等が挙げられる。
架橋剤(F)は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の架橋剤(F)の含有割合は、10〜60質量%が好ましく、20〜55質量%が特に好ましい。
(チオール化合物(G))
本発明のネガ型感光性樹脂組成物が任意に含有するチオール化合物(G)は、1分子中にメルカプト基を2個以上有する化合物である。本発明のネガ型感光性樹脂組成物がチオール化合物(G)を含有すれば、露光時に光重合開始剤(B)から生成したラジカルによりチオール化合物(G)のラジカルが生成してアルカリ可溶性樹脂(A)のエチレン性二重結合に作用する、いわゆるエン−チオール反応が生起する。このエン−チオール反応は、通常のエチレン性二重結合がラジカル重合するのと異なり、酸素による反応阻害を受けないため、高い連鎖移動性を有し、さらに重合と同時に架橋も行うため、硬化物となる際の収縮率も低く、均一なネットワークが得られやすい等の利点を有する。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物が、チオール化合物(G)を含有する場合には、上述のようにして低露光量でも充分に硬化でき、特に酸素による反応阻害を受け易い隔壁上面を含む上層部においても光硬化が充分に行われることから隔壁上面に良好な撥インク性を付与することが可能となる。
チオール化合物(G)中のメルカプト基は、1分子中に2〜10個含むことが好ましく、3〜8個がより好ましく、3〜5個がさらに好ましい。
チオール化合物(G)の分子量は特に制限されない。チオール化合物(G)における、[分子量/メルカプト基数]で示されるメルカプト基当量(以下、「SH当量」ともいう。)は、低露光量での硬化性の観点から、40〜1,000が好ましく、40〜500がより好ましく、40〜250が特に好ましい。
チオール化合物(G)としては、具体的には、トリス(2−メルカプトプロパノイルオキシエチル)イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート、ペンタエリスリトールトリスチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、ジペンタエリスリトールヘキサチオグリコレート、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオネート)、トリス−[(3−メルカプトプロピオニルオキシ)−エチル]−イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(3−メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトブチレート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)、ジペンタエリスリトールヘキサ(3−メルカプトブチレート)、トリメチロールプロパントリス(2−メルカプトイソブチレート)、1,3,5−トリス(3−メルカプトブチリルオキシエチル)−1,3,5−トリアジン−2,4,6(1H,3H,5H)−トリオン、トリフェノールメタントリス(3−メルカプトプロピオネート)、トリフェノールメタントリス(3−メルカプトブチレート)、トリメチロールエタントリス(3−メルカプトブチレート)、2,4,6−トリメルカプト−S−トリアジン、1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタン等が挙げられる。
チオール化合物(G)は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
ネガ型感光性樹脂組成物がチオール化合物(G)を含有する場合、その含有割合は、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分が有するエチレン性二重結合の1モルに対してメルカプト基が0.0001〜1モルとなる量が好ましく、0.0005〜0.5モルがより好ましく、0.001〜0.5モルが特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、低露光量においてもネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好である。
なお、チオール化合物(G)の使用は、撥インク層における低露光量での撥インク剤(E)の定着には非常に有効であるが、同様に低露光量での撥インク剤(E)の定着効果を有する酸発生剤(C)および酸硬化剤(D)の使用に比べて、(A)由来のカルボン酸が反応により消費されにくく、パターン形成性の向上には効果が少ない傾向にある。したがって、ネガ型感光性樹脂組成物がチオール化合物(G)を含有する場合においても、酸発生剤(C)および酸硬化剤(D)については、上記所定量を含有することが好ましい。
(リン酸化合物(H))
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、得られる硬化膜における基材やITO等の透明電極材料等に対する密着性を向上させるために、任意にリン酸化合物(H)を含むことができる。
このようなリン酸化合物(H)としては、硬化膜の基材や透明電極材料等に対する密着性を向上できるものであれば特に限定されるものではないが、分子中にエチレン性不飽和二重結合を有するリン酸化合物であることが好ましい。
分子中にエチレン性不飽和二重結合を有するリン酸化合物としては、リン酸(メタ)アクリレート化合物、すなわち、分子内に少なくともリン酸由来のO=P構造と、(メタ)アクリル酸系化合物由来のエチレン性不飽和二重結合である(メタ)アクリロイル基とを有する化合物やリン酸ビニル化合物が好ましい。
本発明に用いるリン酸(メタ)アクリレート化合物としては、モノ(2−(メタ)アクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート、ジ(2−(メタ)アクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート、ジ(2−アクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート、トリス((メタ)アクリロイルオキシエチル)アシッドホスフェート、モノ(2−メタアクリロイルオキシエチル)カプロエートアシッドホスフェート等が挙げられる。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、リン酸化合物(H)として、これに分類される化合物の1種を単独で含有してもよいし、2種以上を含有してもよい。
ネガ型感光性樹脂組成物がリン酸化合物(H)を含有する場合、その含有割合は、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分に対して、0.01〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%が特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、得られる硬化膜と基材等との密着性が良好である。
(重合禁止剤(I))
本発明における重合禁止剤(I)は、重合禁止剤としての機能を有する化合物であれば特に制限されず、アルカリ可溶性樹脂(A)の反応を阻害するラジカルを発生する化合物が好ましい。本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、露光時に照射される光の量を重合禁止剤(I)が調整し、重合を制御することで、該組成物の硬化を穏やかに進行させることが可能となる。これにより、非露光部における硬化の進行が抑制され、開口部の現像残渣の減少に寄与できる。さらに、高解像度のドットのパターンが得られるとともに、パターンの直線性の向上に寄与できる。
重合禁止剤(I)として具体的には、ジフェニルピクリルヒドラジド、トリ−p−ニトロフェニルメチル、p−ベンゾキノン、p−tert−ブチルカテコール、ピクリン酸、塩化銅、メチルハイドロキノン、4−メトキシフェノール、tert−ブチルハイドロキノン、2−tert−ブチル−1,4−ベンゾキノン、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール等の一般的な反応の重合禁止剤を用いることができる。なかでも、2−メチルハイドロキノン、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、4−メトキシフェノール等が好ましい。さらに、保存安定性の点からハイドロキノン系、キノン系重合禁止剤が好ましく、2−メチルハイドロキノン、2−tert−ブチル−1,4−ベンゾキノンを用いるのが特に好ましい。
ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の重合禁止剤(I)の含有割合は0.001〜20質量%が好ましく、0.005〜10質量%がより好ましく、0.01〜5質量%が特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の現像残渣が低減され、パターン直線性が良好である。
(溶媒(J))
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、溶媒(J)を含有することで粘度が低減され、ネガ型感光性樹脂組成物の基材表面への塗布がしやすくなる。その結果、均一な膜厚のネガ型感光性樹脂組成物の塗膜が形成できる。
溶媒(J)としては公知の溶媒が用いられる。溶媒(J)は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
溶媒(J)としては、アルキレングリコールアルキルエーテル類、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類、アルコール類、ソルベントナフサ類等が挙げられる。なかでも、アルキレングリコールアルキルエーテル類、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類、およびアルコール類からなる群から選ばれる少なくとも1種の溶媒が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートおよび2−プロパノールからなる群から選ばれる少なくとも1種の溶媒がさらに好ましい。
ネガ型感光性樹脂組成物における溶媒(J)の含有割合は、組成物全量に対して50〜99質量%が好ましく、60〜95質量%がより好ましく、65〜90質量%が特に好ましい。
(着色剤(K))
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、用途に応じて、硬化膜、特には隔壁に遮光性を付与する場合に、着色剤(K)を含有する。本発明における着色剤(K)としては、カーボンブラック、アニリンブラック、アントラキノン系黒色顔料およびペリレン系黒色顔料、具体的には、C.I.ピグメントブラック1、6、7、12、20、31等が挙げられる。赤色顔料、青色顔料および緑色顔料等の有機顔料および/または無機顔料の混合物を用いることもできる。
着色剤(K)は、1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。本発明のネガ型感光性樹脂組成物が、着色剤(K)を含有する場合には、全固形分中の着色剤(K)の含有割合は、5〜65質量%が好ましく、10〜50質量%が特に好ましい。上記範囲であると得られるネガ型感光性樹脂組成物は感度が良好であり、また、形成される隔壁は遮光性に優れる。
(その他の成分)
本発明におけるネガ型感光性樹脂組成物はさらに、必要に応じて、熱架橋剤、高分子分散剤、分散助剤、シランカップリング剤、微粒子、硬化促進剤、増粘剤、可塑剤、消泡剤、レベリング剤およびハジキ防止剤等の他の添加剤を1種または2種以上含有してもよい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、上記各成分の所定量を混合して得られる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、例えば、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子の製造に使用可能である。具体的には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子に用いる硬化膜や隔壁の形成に用いることで特に効果が発揮できる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いれば、上面に良好な撥インク性を有する硬化膜、特には隔壁の製造が可能である。また、撥インク剤(E)のほとんどは、撥インク層に充分に定着しており、撥インク層よりも下の部分の隔壁に低濃度で存在する撥インク剤(E)も隔壁が充分に光硬化しているため、現像時に、撥インク剤(E)が隔壁で囲まれた開口部内にマイグレートしにくく、よってインクが均一に塗布できる開口部が得られる。
[樹脂硬化膜および隔壁]
本発明の実施形態の樹脂硬化膜は、上記の本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される。本発明の実施形態の樹脂硬化膜は、例えば、基板等の基材の表面に本発明のネガ型感光性樹脂組成物を塗布し、必要に応じて乾燥して溶媒等を除去した後、露光することで硬化して得られる。本発明の実施形態の樹脂硬化膜は、光学素子、特には、有機EL素子や量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池に用いられる場合に特に顕著な効果が発揮される。
本発明の隔壁は、基板表面をドット形成用の複数の区画に仕切る形に形成された上記の本発明の硬化膜からなる隔壁である。隔壁は、例えば、上記の樹脂硬化膜の製造において、露光前にドット形成用の区画となる部分にマスキングを施し、露光した後、現像することで得られる。現像によって、マスキングにより非露光の部分が除去されドット形成用の区画に対応する開口部が隔壁とともに形成される。本発明の実施形態の隔壁は、光学素子、特には、有機EL素子や量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池に用いられる場合に特に顕著な効果が発揮される。
本発明の実施形態の隔壁は、例えば、以下に示すとおり、製造過程において高温処理を必ずしも必要としないため、ポリエチレンテレフタレート(PET)やポリカーボネート等のプラスチック基板を使用したフレキシブルなアプリケーションにも適用可能である。
以下、本発明の実施形態の隔壁の製造方法の一例を、図1A〜1Dを用いて説明するが、隔壁の製造方法は以下に限定されない。なお、以下の製造方法は、ネガ型感光性樹脂組成物が溶媒(J)を含有するものとして説明する。
図1Aに示すように、基板1の一方の主面全体にネガ型感光性樹脂組成物を塗布して、塗膜21を形成する。このとき、塗膜21中には撥インク剤(E)が全体的に溶解し、均一に分散している。なお、図1A中、撥インク剤(E)は模式的に示してあり、実際にこのような粒子形状で存在しているわけではない。
次に、図1Bに示すように、塗膜21を乾燥させて、乾燥膜22とする。乾燥方法としては、加熱乾燥、減圧乾燥および減圧加熱乾燥等が挙げられる。溶媒(J)の種類にもよるが、加熱乾燥の場合、加熱温度は50〜120℃が好ましい。
この乾燥過程において、撥インク剤(E)は乾燥膜の上層部に移行する。なお、ネガ型感光性樹脂組成物が、溶媒(J)を含有しない場合であっても、塗膜内で撥インク剤(E)の上面移行は同様に達成される。
次に、図1Cに示すように、隔壁に囲まれる開口部に相当する形状のマスキング部31を有するフォトマスク30を介して、乾燥膜22に対して光を照射し露光する。乾燥膜22を露光した後の膜を露光膜23と称す。露光膜23において、露光部23Aは光硬化しており、非露光部23Bは乾燥膜22と同様の状態である。
照射する光としては、可視光;紫外線;遠紫外線;KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、Fエキシマレーザ光、Krエキシマレーザ光、KrArエキシマレーザ光およびArエキシマレーザ光等のエキシマレーザ光;X線;電子線等が挙げられる。
照射する光としては、波長100〜600nmの光が好ましく、300〜500nmの光がより好ましく、i線(365nm)、h線(405nm)またはg線(436nm)を含む光が特に好ましい。また、必要に応じて330nm以下の光をカットしてもよい。
なお、露光時に照射する光としては、ネガ型感光性樹脂組成物が含有する、光重合開始剤(B)および酸発生剤(C)について、それぞれを活性化する波長の光線を選択することが必要とされる。
露光方式としては、全面一括露光、スキャン露光等が挙げられる。同一箇所に対して複数回に分けて露光してもよい。この際、複数回の露光条件は同一でも同一でなくても構わない。
露光量は、上記いずれの露光方式においても、例えば、5〜1,000mJ/cmが好ましく、5〜500mJ/cmがより好ましく、5〜300mJ/cmがさらに好ましく、5〜200mJ/cmが特に好ましく、5〜50mJ/cmが最も好ましい。なお、露光量は、照射する光の波長、ネガ型感光性樹脂組成物の組成および塗膜の厚さ等により、適宜好適化される。
単位面積当たりの露光時間は特に制限されず、用いる露光装置の露光パワーおよび必要な露光量等から設計される。なお、スキャン露光の場合、光の走査速度から露光時間が求められる。
単位面積当たりの露光時間は通常1〜60秒程度である。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、上記露光部において、露光時にアルカリ可溶性樹脂(A)のラジカル重合が行われるのと並行して、酸発生剤(C)が露光により酸を発生し、該酸の存在下、酸硬化剤(D)がアルカリ可溶性樹脂(A)のカルボン酸等の酸性基と反応する。これにより、本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、硬化膜、特に硬化膜の上面におけるアルカリ可溶性樹脂(A)の硬化性、および撥インク剤(E)の定着性が向上した硬化膜が得られる。または、低露光量でも従来の硬化膜と同等の硬化性、特に上面における硬化性を有する硬化膜が得られる。
次に、図1Dに示すように、アルカリ現像液を用いた現像を行い、露光膜23の露光部23Aに対応する部位のみからなる隔壁4が形成される。隔壁4で囲まれた開口部5は、露光膜23において非露光部23Bが存在していた部位であり、現像により非露光部23Bが除去された後の状態を、図1Dは示している。非露光部23Bは、上に説明したとおり、撥インク剤(E)が上層部に移行してそれより下の層にほとんど撥インク剤(E)が存在しない状態でアルカリ現像液により溶解、除去されるため、撥インク剤(E)は、開口部5にはほとんど残存しない。
なお、図1Dに示す隔壁4において、その上面を含む最上層は撥インク層4Aである。撥インク剤(E)がエチレン性二重結合を有する側鎖を有しない場合、露光の際に、撥インク剤(E)はそのまま最上層に高濃度に存在して撥インク層となる。露光の際、撥インク剤(E)の周辺に存在するアルカリ可溶性樹脂(A)は、特に酸発生剤(C)の発生する酸の存在下、酸硬化剤(D)と強固に光硬化し、撥インク剤(E)は撥インク層に定着する。さらにネガ型感光性樹脂組成物がチオール化合物(G)を任意に含有する場合には、エチレン性二重結合による反応が促進されて撥インク層の硬化がより強固に行われる。
撥インク剤(E)がエチレン性二重結合を有する側鎖を有する場合においても、アルカリ可溶性樹脂(A)は、酸発生剤(C)の発生する酸の存在下、酸硬化剤(D)と強固に光硬化すると同時に、撥インク剤(E)は、互いにおよび/または、アルカリ可溶性樹脂(A)、さらに任意に含有するチオール化合物(G)やその他の光硬化成分とともに光硬化して、撥インク剤(E)が強固に結合した撥インク層4Aを形成する。
上記のいずれの場合も、撥インク層4Aの下側には、主としてアルカリ可溶性樹脂(A)、酸硬化剤(D)、および任意に含有するチオール化合物(G)、さらにそれ以外の光硬化成分が、光重合開始剤(B)の発生するラジカルによるラジカル重合および酸発生剤(C)が発生する酸の存在下のカチオン重合により光硬化して、撥インク剤(E)をほとんど含有しない層4Bが形成される。
このようにして、撥インク剤(E)は、撥インク層4Aその下部層4Bを含む隔壁に充分に定着しているため、現像時に開口部にマイグレートすることがほとんどない。
このように、本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、光によるラジカル重合反応と光による酸の存在下での硬化反応を組み合わせることにより硬化膜の表面および内部の硬化が充分に行われる。よって、露光部である硬化部分は、現像の際のアルカリ現像液による浸食や剥離に耐性を有する。したがって、露光部が長時間の現像にも影響を受けにくいことから開口部の残渣の除去等に有利である。
現像後、隔壁4をさらに加熱してもよい。加熱温度は80〜250℃が好ましい。加熱により隔壁4の硬化がより強固なものとなる。また、撥インク剤(E)は撥インク層4A内により強固に定着する。本発明の組成は、低温硬化した場合でも、高い撥液性を発現することができ、さらに酸や有機溶媒などの薬品に浸漬後も、高い撥液性を有することができる。特にPETフィルムやポリカーボネートといったプラスチック基材を使用する場合は、加熱温度を低く設定する必要がある。その場合、好ましくは、150℃以下、特に好ましくは120℃以下の加熱温度が設定される。本発明の組成は、前記の様な低温で加熱する場合においても、撥液性が維持され、耐薬品も優れる。
このようにして得られる本発明の樹脂硬化膜および隔壁4は、露光が低露光量で行われる場合であっても、上面に良好な撥インク性を有する。また、隔壁4においては、現像後、開口部5に撥インク剤(E)が存在することがほとんどなく、開口部5におけるインクの均一な塗工性を充分に確保できる。
なお、開口部5の親インク性をより確実に得ることを目的として、上記加熱後、開口部5に存在する可能性があるネガ型感光性樹脂組成物の現像残渣等を除去するために、隔壁4付きの基板1に対して紫外線/オゾン処理を施してもよい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物から形成される隔壁は、例えば、幅が100μm以下であることが好ましく、20μm以下であることが特に好ましい。また、隣接する隔壁間の距離(パターンの幅)は300μm以下であることが好ましく、100μm以下であることが特に好ましい。隔壁の高さは0.05〜50μmであることが好ましく、0.2〜10μmであることが特に好ましい。
本発明のネガ型感光性樹脂組成物から形成される隔壁は、上記幅に形成された際の縁の部分に凹凸が少なく直線性に優れる。なお、隔壁における高い直線性の発現は、特に、アルカリ可溶性樹脂としてエポキシ樹脂に酸性基とエチレン性二重結合とが導入された樹脂(A−2)を用いた場合に顕著である。それにより、たとえ微細なパターンであっても精度の高いパターン形成が可能となる。このような精度の高いパターン形成が行えれば、特に、有機EL素子や量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池用の隔壁として有用である。
本発明の隔壁は、IJ法にてパターン印刷を行う際に、その開口部をインク注入領域とする隔壁として利用できる。IJ法にてパターン印刷を行う際に、本発明の隔壁を、その開口部が所望のインク注入領域と一致するように形成して用いれば、隔壁上面が良好な撥インク性を有することから、隔壁を超えて所望しない開口部すなわちインク注入領域にインクが注入されることを抑制できる。また、隔壁で囲まれた開口部は、インクの濡れ広がり性が良好であるので、インクを所望の領域に白抜け等が発生することなく均一に印刷することが可能となる。
本発明の隔壁を用いれば、上記のとおりIJ法によるパターン印刷が精巧に行える。よって、本発明の隔壁は、ドットがIJ法で形成される基板表面に複数のドットと隣接するドット間に位置する隔壁を有する光学素子、特に有機EL素子や量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池の隔壁として有用である。
[光学素子]
本発明の光学素子、特には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池は、基板表面に複数のドットと隣接するドット間に位置する上記本発明の隔壁とを有する光学素子である。本発明の光学素子、特には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池においてドットはIJ法により形成されることが好ましい。
有機EL素子とは、有機薄膜の発光層を陽極と陰極で挟んだ構造であり、本発明の隔壁は有機発光層を隔てる隔壁用途、有機TFT層を隔てる隔壁用途、塗布型酸化物半導体を隔てる隔壁用途などに用いることができる。
また、有機TFTアレイ素子とは、複数のドットが平面視マトリクス状に配置され、各ドットに画素電極とこれを駆動するためのスイッチング素子としてTFTが設けられ、TFTのチャネル層を含む半導体層として有機半導体層が用いられる素子である。有機TFTアレイ素子は、例えば、有機EL素子あるいは液晶素子等に、TFTアレイ基板として備えられる。
本発明の実施形態の光学素子、例えば、有機EL素子について、上記で得られた隔壁を用いて、開口部にIJ法によりドットを形成する例を以下に説明する。なお、本発明の有機EL素子等の光学素子におけるドットの形成方法は以下に限定されない。
図2Aおよび図2Bは、上記図1Dに示す基板1上に形成された隔壁4を用いて有機EL素子を製造する方法を模式的に示すものである。ここで、基板1上の隔壁4は、開口部5が、製造しようとする有機EL素子のドットのパターンに一致するように形成されたものである。
図2Aに示すように、隔壁4に囲まれた開口部5に、インクジェットヘッド9からインク10を滴下して、開口部5に所定量のインク10を注入する。インクとしては、ドットの機能に合わせて、有機EL素子用として公知のインクが適宜選択して用いられる。
次いで、用いたインク10の種類により、例えば、溶媒の除去や硬化のために、乾燥および/または加熱等の処理を施して、図2Bに示すように、隔壁4に隣接する形で所望のドット11が形成された有機EL素子12を得る。
本発明の実施形態の光学素子、特には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池、は、本発明の隔壁を用いることで、製造過程において隔壁で仕切られた開口部にインクがムラなく均一に濡れ広がることが可能であり、これにより精度よく形成されたドットを有する光学素子、特には、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池である。
なお、有機EL素子は、例えば、以下のように製造できるがこれに限定されない。
ガラスやPETなどのプラスチックの透光性基板にスズドープ酸化インジウム(ITO)等の透光性電極をスパッタ法等によって成膜する。この透光性電極は必要に応じてパターニングされる。
次に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用い、塗布、露光および現像を含むフォトリソグラフィ法により、各ドットの輪郭に沿って、平面視格子状に隔壁を形成する。
次に、ドット内に、IJ法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層および電子注入層の材料をそれぞれ塗布および乾燥して、これらの層を順次積層する。ドット内に形成される有機層の種類および数は適宜設計される。
最後に、アルミニウム等の反射電極を蒸着法等によって形成する。
また、量子ドットディスプレイは、例えば、以下のように製造できるがこれに限定されない。
ガラスやPETなどのプラスチックの透光性基板にスズドープ酸化インジウム(ITO)等の透光性電極をスパッタ法等によって成膜する。この透光性電極は必要に応じてパターニングされる。
次に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用い、塗布、露光および現像を含むフォトリソグラフィ法により、各ドットの輪郭に沿って、平面視格子状に隔壁を形成する。
次に、ドット内に、IJ法により、正孔注入層、正孔輸送層、量子ドット層、正孔阻止層および電子注入層の材料をそれぞれ塗布および乾燥して、これらの層を順次積層する。ドット内に形成される有機層の種類および数は適宜設計される。
最後に、アルミニウム等の反射電極、またはITO等の透光性電極を蒸着法等によって形成する。
さらに本発明の実施形態の光学素子は、例えば以下のように製造される、青色光変換型の量子ドットディスプレイにも応用可能である。
ガラスやPETなどのプラスチックの透光性基板に本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用い、各ドットの輪郭に沿って、平面視格子状に隔壁を形成する。
次に、ドット内に、IJ法により青色光を緑色光に変換するナノ粒子溶液、青色光を赤色光に変換するナノ粒子溶液、必要に応じて青色のカラーインクを塗布、乾燥して、モジュールを作製する。青色を発色する光源をバックライトとして使用し前記モジュールをカラーフィルタ代替として使用することにより、色再現性の優れた液晶ディスプレイが得られる。
TFTアレイは、例えば、以下のように製造できるがこれに限定されない。
ガラスやPETなどのプラスチックの透光性基板にアルミニウムやその合金等のゲート電極をスパッタ法等によって成膜する。このゲート電極は必要に応じてパターニングされる。
次に、窒化ケイ素等のゲート絶縁膜をプラズマCVD法等によって形成する。ゲート絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極を形成してもよい。ソース電極およびドレイン電極は、例えば、真空蒸着やスパッタリングでアルミニウム、金、銀、銅やそれらの合金などの金属薄膜を形成し、作成することができる。ソース電極およびドレイン電極をパターニングする方法としては、金属薄膜を形成後、レジストを塗装し、露光、現像して電極を形成させたい部分にレジストを残し、その後、リン酸や王水などで露出した金属を除去、最後にレジストを除去する手法がある。また、金などの金属薄膜を形成させた場合は、予めレジストを塗装し、露光、現像して電極を形成させたくない部分にレジストを残し、その後金属薄膜を形成後、金属薄膜と共にフォトレジストを除去する手法もある。また、銀や銅等の金属ナノコロイド等を用いてインクジェット等の手法により、ソース電極およびドレイン電極を形成してもよい。
次に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて、塗布、露光および現像を含むフォトリソグラフィ法により、各ドットの輪郭に沿って、平面視格子状に隔壁を形成する。
次にドット内に半導体溶液をIJ法によって塗布し、溶液を乾燥させることによって半導体層を形成する。この半導体溶液としては有機半導体溶液、無機の塗布型酸化物半導体溶液も用いることができる。ソース電極、ドレイン電極は、この半導体層形成後にインクジェットなどの手法を用いて形成されてもよい。
最後にITO等の透光性電極をスパッタ法等によって成膜し、窒化ケイ素等の保護膜を成膜することで形成する。
以下、実施例に基づいて本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。例1〜10が実施例、例11〜13が比較例である。
各測定は以下の方法で行った。
[数平均分子量(Mn)、質量平均分子量(Mw)]
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により、ポリスチレンを標準物質として、数平均分子量(Mn)および質量平均分子量(Mw)を測定した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィとしては、HPLC−8220GPC(東ソー社製)を使用した。カラムとしては、shodex LF−604を3本、接続したものを使用した。検出器としては、RI検出器を使用した。標準物質としては、EasiCal PS1(Polymer Laboratories社製)を使用した。さらに、数平均分子量および質量平均分子量を測定する際は、カラムを37℃で保持し、溶離液としては、テトラヒドロフランを用い、流速を0.2mL/分とし、測定サンプルの0.5%テトラヒドロフラン溶液40μLを注入した。
[フッ素原子の含有率]
フッ素原子の含有率は、1,4−ジトリフルオロメチルベンゼンを標準物質として、19F NMR測定により算出した。
[酸価]
酸価は、原料の配合割合から理論的に算出した。
以下の各例において用いた化合物の略号を以下に示す。
(アルカリ可溶性樹脂(A))
アルカリ可溶性樹脂(A1)組成物:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂をアクリル酸、次いで1,2,3,6−テトラヒドロ無水フタル酸を反応させて、アクリロイル基とカルボキシ基とを導入した樹脂をヘキサンで精製した樹脂(アルカリ可溶性樹脂(A1)、酸価60mgKOH/g)の組成物(固形分70質量%、PGMEA30質量%)
アルカリ可溶性樹脂(A2)組成物:ビスフェノールA型エポキシ樹脂にカルボキシル基とエチレン性二重結合を導入した樹脂(アルカリ可溶性樹脂(A2)、酸価100mgKOH/g)の組成物(固形分70質量%、PGMEA30質量%)。
アルカリ可溶性樹脂(A3)組成物:下記式(A−2a)で表されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂にエチレン性二重結合と酸性基とを導入した樹脂(アルカリ可溶性樹脂(A3)、酸価70mgKOH/g)の組成物(固形分70質量%、PGMEA30質量%)。
Figure 2016010077
(式(A−2a)中、vは1〜50の整数であり、2〜10の整数が好ましい。またベンゼン環の水素原子はそれぞれ独立に、炭素原子数1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、または、一部の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基で置換されていてもよい。)
アルカリ可溶性樹脂(A−R−1):撹拌機を備えた内容積1Lの反応槽に、アセトン(555g)、AA(アクリル酸)(36.0g)、2−HEMA(108.0g)、IBMA(72.0g)、連鎖移動剤DSH(9.7g)および重合開始剤V−70(5.1g)を仕込み、窒素雰囲気下に撹拌しながら、40℃で18時間重合させ、アルカリ可溶性樹脂(A−R−1)の溶液を得た。得られたアルカリ可溶性樹脂(A−R−1)のアセトン溶液に水を加え再沈精製し、次いで石油エーテルにて再沈精製し、真空乾燥し、アルカリ可溶性樹脂(A−R−1)の235gを得た。アルカリ可溶性樹脂(A−R−1)の数平均分子量(Mn)は5,000であり、アルカリ可溶性樹脂(A−R−1)の酸価は、119mgKOH/gであった。
(光重合開始剤(B))
IR907:2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノプロパン−1−オン(BASF社製、商品名IRGACURE907。)。
OXE02:エタノン1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)(BASF社製、商品名:OXE02。)。
EAB:4,4'−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン(東京化成工業社製)。
(酸発生剤(C))
PAG−A:2−(5−メチル−2−フリル)エテニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン(上記式(C8−2)で示される化合物)。
PAG−B:2−[2−(n−プロピルスルホニルオキシイミノ)チオフェン−3(2H)−イリデン]−2−(2−メチルフェニル)アセトニトリル(上記式(C11)で示される化合物のうち、Rb11がn−プロピル基である化合物)。
WPAG199:ビス(p−トルエンスルホニル)ジアゾメタン。
SI−150L:上記式(C0−1)で示される芳香族スルホニウムSbF 塩(三新化学工業社製、商品名:サンエイドSI−150L)。
(酸硬化剤(D))
エポキシA:上記式(De1)で示されるジシクロペンタン環含有のエポキシ化合物。
エポキシB:上記式(De2)で示されるナフタレン環含有のエポキシ化合物。
メラミンA:2,4,6−トリス[ビス(メトキシメチル)アミノ]−1,3,5−トリアジン(上記式(D1−1)で示される化合物)。
メラミンB:1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル(上記式(D3−1)で示される化合物)。
(撥インク剤(E1)の原料)
化合物(s1)に相当する化合物(s1−1):F(CFCHCHSi(OCH(公知の方法で製造した。)。
化合物(s2)に相当する化合物(s2−1):Si(OC(コルコート社製)。
化合物(s3)に相当する化合物(s3−1):CH=CHCOO(CHSi(OCH(東京化成工業社製)。
化合物(s5)に相当する化合物(s5−1)
Figure 2016010077
化合物(s6)に相当する化合物(s6−1):
Figure 2016010077
(撥インク剤(E2)の原料)
C6FMA:CH=C(CH)COOCHCH(CF
X−174DX:ジメチルシリコーン鎖含有メタクリレート(信越化学工業社製、商品名X−22−174DX)
X−8201:ジメチルシリコーン鎖含有メタクリレート(信越化学工業社製、商品名X−24−8201)
C4α−Clアクリレート:CH=C(Cl)COOCHCH(CF
C8FA:CH=CHCOOCHCH(CF
CHMA:シクロヘキシルメタクリレート
MAA:メタクリル酸
2−HEMA:2−ヒドロキシエチルメタクリレート
MMA:メタクリル酸メチル
GMA:グリシジルメタクリレート
IBMA:イソボルニルメタクリレート
V−65:(2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル))
V−70:2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバレロニトリル)
DSH:n−ドデシルメルカプタン
BEI:1,1−(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート)
AOI:2−アクリロイルオキシエチルイソシアネート)
DBTDL:ジブチル錫ジラウレート
TBQ:t−ブチル−p−ベンゾキノン
MEK:2−ブタノン
(架橋剤(F))
DPHA:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
(その他)
KBM403:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
チオール化合物:ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレート)
MHQ:2−メチルハイドロキノン
(溶媒(J))
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
EDM:ジエチレングリコールエチルメチルエーテル
IPA:2−プロパノール
DEGDM:ジエチレングリコールジメチルエーテル
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
[撥インク剤(E)の合成]
撥インク剤(E)を以下のとおり合成、または準備した。
(合成例1:撥インク剤(E−1)の合成)
撹拌機を備えた内容積1,000cmのオートクレーブに、MEKの420.0g、C6FMAの99.0g、MAAの9.0g、2−HEMAの18.0g、MMAの45.0g、IBMAの9.0g、重合開始剤V−65の3.0gおよびDSHの5.0gを仕込み、窒素雰囲気下で撹拌しながら、50℃で24時間重合させ、さらに70℃にて5時間加熱し、重合開始剤を不活性化し、共重合体(撥インク剤(E−1))の溶液(固形分濃度;30質量%)を得た。この溶液を後述するネガ型感光性樹脂組成物の製造に用いた。なお、以下の撥インク剤の合成において、撥インク剤がこれを含む溶液の状態で得られたものについては、固形分濃度を測定または調整した後、該溶液の状態でネガ型感光性樹脂組成物の製造に用いた。
撥インク剤(E−1)は、数平均分子量が14,200、質量平均分子量が21,500であり、フッ素原子の含有率は31.4質量%、酸価は32.6(mgKOH/g)であった。
(合成例2:撥インク剤(E−2)の合成)
撹拌機を備えた内容積1,000cmのオートクレーブに、MEKの415.1g、C6FMAの81.0g、MAAの18.0g、2−HEMAの81.0g、重合開始剤V−65の5.0gおよびDSHの4.7gを仕込み、窒素雰囲気下で撹拌しながら、50℃で24時間重合させ、さらに70℃にて5時間加熱し、重合開始剤を不活性化し、共重合体の溶液を得た。共重合体は、数平均分子量が5,540、質量平均分子量が13,200であった。
次いで、撹拌機を備えた内容積300cmのオートクレーブに上記共重合体の溶液の130.0g、BEIの33.5g、DBTDLの0.13g、TBQの1.5gを仕込み、撹拌しながら、40℃で24時間反応させ、粗重合体を合成した。得られた粗重合体の溶液にヘキサンを加えて再沈精製した後、真空乾燥し、撥インク剤(E−2)を得た。撥インク剤(E−2)は、数平均分子量が7,540、質量平均分子量が16,200であり、フッ素原子の含有率は14.8質量%、酸価は35.1(mgKOH/g)であった。
(合成例3:撥インク剤(E−3)の合成)
撹拌機を備えた内容積1,000cmのオートクレーブに、MEKの420.0g、C6FMAの99.0g、MAAの9.0g、2−HEMAの18.0g、GMAの18.0g、MMAの36.0g、重合開始剤V−65の3.0gおよびDSHの5.0gを仕込み、窒素雰囲気下で撹拌しながら、50℃で24時間重合させ、さらに70℃にて5時間加熱し、重合開始剤を不活性化し、共重合体(撥インク剤(E−3))の溶液(固形分濃度;30質量%)を得た。
撥インク剤(E−3)は、数平均分子量が14,850、質量平均分子量が22,700であり、フッ素原子の含有率は31.4質量%、酸価は32.6(mgKOH/g)であった。
(撥インク剤(E−4)の準備)
撥インク剤(E−4)として、メガファックRS102(商品名、DIC社製:下記式(E2F)で示される繰り返し単位を有する重合体であり、n/m=3〜4である。)を準備した。撥インク剤(E−4)は、数平均分子量が5,700、質量平均分子量が8,800であり、フッ素原子の含有率は19.0質量%であった。
Figure 2016010077
(合成例5:撥インク剤(E−5)の合成)
撹拌機を備えた内容積2,000cmのオートクレーブに、C4α−Clアクリレートの317.5g、MAAの79.4g、IBMAの47.7g、2−HEMAの52.9g、DSHの4.6g、重合開始剤V−70の2.0g、MEKの1160gを入れ、窒素雰囲気下で撹拌しながら、50℃で24時間重合させ、さらに70℃にて5時間加熱し、重合開始剤を不活性化し、共重合体の溶液を得た。共重合体は、数平均分子量が5,060、質量平均分子量が8,720であった。固形分濃度を測定すると30質量%であった。
次いで、撹拌機を備えた内容積300cmのオートクレーブに上記共重合体の溶液の130.0g、AOIの3.6g(共重合体の水酸基に対して0.8等量)、DBTDLの0.014g、TBQの0.18gを仕込み、撹拌しながら、40℃で24時間反応させ、粗重合体を合成した。得られた粗重合体の溶液にヘキサンを加えて再沈精製した後、真空乾燥し、撥インク剤(E−5)を得た。撥インク剤(E−5)は、数平均分子量が8,000、質量平均分子量が10,600であり、フッ素原子の含有率は28.0質量%、酸価は93.3(mgKOH/g)であった。
(合成例6:撥インク剤(E−6)の合成)
撹拌機を備えた内容積1Lのオートクレーブに、アセトンの555.0g、C6FMAの60.0g、X−174DXの120.0g、MAAの24.0g、CHMAの36.0g、連鎖移動剤DSHの5.4gおよび重合開始剤V−70の2.0gを仕込み、窒素雰囲気下に撹拌しながら、40℃で18時間重合させ、撥インク剤(E−6)の溶液を得た。
得られた撥インク剤(E−6)のアセトン溶液に水を加え再沈精製し、次いで石油エーテルにて再沈精製し、真空乾燥し、撥インク剤(E−6)を得た。撥インク剤(E−6)は、数平均分子量が9,000、質量平均分子量が11,700であり、フッ素原子の含有率が14.7質量%、酸価が65mgKOH/gであった。
(合成例7:撥インク剤(E−7)の合成)
撹拌機を備えた内容積1Lのオートクレーブに、アセトンの555.0g、C8FAの48.0g、X−8201の120.0g、MAAの12.0g、IBMAの60.0g、連鎖移動剤DSHの10.8gおよび重合開始剤V−70の3.0gを仕込み、窒素雰囲気下に撹拌しながら、40℃で18時間重合させ、撥インク剤(E−7)の溶液を得た。
得られた撥インク剤(E−7)のアセトン溶液に水を加え再沈精製し、次いで石油エーテルにて再沈精製し、真空乾燥し、撥インク剤(E−7)を得た。撥インク剤(E−7)は、数平均分子量が4,500、質量平均分子量が5,590であり、フッ素原子の含有率が12.5質量%、酸価が33mgKOH/gであった。
上記で得られたまたは準備した撥インク剤(E−1)〜(E−7)の原料組成と特性を表1にまとめて示す。
Figure 2016010077
(合成例8:撥インク剤(E−8)の合成)
撹拌機を備えた1,000cmの三口フラスコに、化合物(s1−1)の15.0g、化合物(s2−1)の20.0g、化合物(s3−1)の27.0gを入れて、加水分解性シラン化合物混合物を得た。次いで、この混合物にIPAの284.3gを入れて、原料溶液とした。
得られた原料溶液に、1%塩酸水溶液を30.0g滴下した。滴下終了後、40℃で5時間撹拌して、撥インク剤(E−8)のIPA溶液(撥インク剤(E−8)濃度:10質量%)を得た。
なお、反応終了後、反応液の成分をガスクロマトグラフィを使用して測定し、原料としての各化合物が検出限界以下になったことを確認した。
(合成例9、10:撥インク剤(E−9)、(E−10)の合成)
合成例8においてモノマー成分の加水分解性シラン化合物およびその量を表2のように変更した以外は合成例8と同様にして、撥インク剤(E−9)のIPA溶液(撥インク剤(E−9)濃度:10質量%)、撥インク剤(E−10)のIPA溶液(撥インク剤(E−10)濃度:10質量%)を得た。
得られた撥インク剤((E−8)〜(E−10))の製造に用いた原料加水分解性シラン化合物の仕込み量等を表2に示す。表2中、シラン化合物は、加水分解性シラン化合物を意味する。また、得られた撥インク剤((E−8)〜(E−10))の数平均分子量(Mn)、質量平均分子量(Mw)、フッ素原子の含有率(質量%)を測定した結果を、表2に示す。
Figure 2016010077
[例1:ネガ型感光性樹脂組成物の製造および硬化膜、隔壁(パターン膜)の製造]
(ネガ型感光性樹脂組成物の製造)
アルカリ可溶性樹脂(A1)組成物を固形分(樹脂(A1))が10.0gとなる量、IR907の0.30g、OXE02の0.10g、EABの0.20g、PAG−Aの0.30g、エポキシAの1.60g、撥インク剤(E−3)の0.05g、DPHAの5.0g、EDMの30.0g、全量が100gとなるようにPGMEを加え、200cmの撹拌用容器に入れ、3時間撹拌してネガ型感光性樹脂組成物1を製造した。
(硬化膜の製造)
10cm四方のガラス基板をエタノールで30秒間超音波洗浄し、次いで、5分間のUV/O処理を行った。UV/O処理には、UV/O発生装置としてPL2001N−58(センエンジニアリング社製)を使用した。254nm換算の光パワー(光出力)は10mW/cmであった。
上記洗浄後のガラス基板表面に、スピンナを用いて、上記で得られたネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μm(例3のみ1.2μm)の乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括で照射した。この方法で、露光量が30mJ/cmまたは50mJ/cmとなるように照射時間を調整して2種類の硬化膜を製造した。なお、いずれの場合も露光の際に、330nm以下の光はカットした。
次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に10秒間浸漬処理し、水により洗い流した後、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、開口部のない硬化膜を得た。
(パターン膜1の製造)
10cm四方のガラス基板をエタノールで30秒間超音波洗浄し、次いで、5分間のUV/O処理を行った。UV/O処理には、UV/O発生装置としてPL2001N−58(センエンジニアリング社製)を使用した。254nm換算の光パワー(光出力)は10mW/cmであった。
上記洗浄後のガラス基板表面に、スピンナを用いて、上記で得られたネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μm(例3のみ1.2μm)の乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、マスキング部(非露光部)が2.5cm×5cmとなるフォトマスクを介して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括で照射した(露光量は30mJ/cmまたは50mJ/cm)。露光の際に、330nm以下の光はカットした。また、乾燥膜とフォトマスクとの離間距離は50μmとした。フォトマスクは、ライン/スペースが20μm/50μm、10μm/50μm、8μm/50μm、6μm/50μm、4μm/50μmの設計のものを使用した。
次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に40秒間浸漬して現像し、非露光部を水により洗い流し、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、フォトマスクのマスキング部に対応した開口部を有する硬化膜としてパターン膜1を得た。
(パターン膜2の製造)
10cm四方のガラス基板をエタノールで30秒間超音波洗浄し、次いで、5分間のUV/O処理を行った。UV/O処理には、UV/O発生装置としてPL2001N−58(センエンジニアリング社製)を使用した。254nm換算の光パワー(光出力)は10mW/cmであった。
上記洗浄後のガラス基板表面に、スピンナを用いて、上記で得られたネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μm(例3のみ1.2μm)の乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、マスキング部(非露光部)が2.5cm×5cmとなるフォトマスクを介して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括で照射した(露光量は30mJ/cmまたは50mJ/cm)。露光の際に、330nm以下の光はカットした。また、乾燥膜とフォトマスクとの離間距離は50μmとした。フォトマスクは、ライン/スペースが20μm/50μm、10μm/50μm、8μm/50μm、6μm/50μm、4μm/50μmの設計のものを使用した。
次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に200秒間浸漬して現像し、非露光部を1.5MPaの高圧水により10秒洗い流し、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、フォトマスクのマスキング部に対応した開口部を有する硬化膜としてパターン膜2を得た。
(パターン膜3の製造)
ガラス基板上にITO層を有するITO基板を用い、そのITO層上に、スピンナを用いて、上記ネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μm(例3のみ1.2μm)の乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、開口パターンを有するフォトマスク(遮光部が100μm×200μm、光透過部が20μmの格子状パターン)を介して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括照射した。露光の際に、330nm以下の光はカットした。また、乾燥膜とフォトマスクとの離間距離は50μmとした。各例において、露光条件は、露光時間が4秒間であり、露光量が100mJ/cmであった。
次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38質量%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に40秒間浸漬して現像し、非露光部を水により洗い流し、乾燥させた。次いで、ホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、フォトマスクの開口パターンに対応したパターンを有する硬化膜としてパターン膜3を得た。
得られたネガ型感光性樹脂組成物1および硬化膜、パターン膜1〜3について、以下の評価を実施した。評価結果をネガ型感光性樹脂組成物1の組成とともに表3に示す。
(評価)
<硬化膜の膜厚>
レーザ顕微鏡(キーエンス社製、装置名:VK−8500)を用いて測定した。
<撥インク性>
上記で得られた硬化膜上面のPGMEA接触角を下記の方法で測定し、撥インク性の評価とした。
静滴法により、JIS R3257「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に準拠して、硬化膜上面3ヶ所にPGMEA滴を載せ、各PGMEA滴について測定した。液滴は2μL/滴とし、測定は20℃で行った。接触角は、3測定値の平均値から求めた。
上記で得られた硬化膜上面のPGMEA接触角を上記の方法で測定した。
◎:接触角45度以上
○:接触角40度以上、45度未満
△:接触角35度以上、40度未満
×:接触角35度未満
<パターン形成性>
パターン膜1に関し、下記の基準でパターン形成性を評価した。ライン/スペースが20μm/50μmのライン部分の線幅を測定した。
◎:マスク寸法に対し、±3μm以内の線幅である。
○:マスク寸法に対し、±3μm超5μm以内の線幅である。
×:マスク寸法に対し、線幅が±5μm超である、または、剥離が生じた。
<現像時間(200秒)残し解像度>
パターン膜2に関し、下記の基準で長時間現像に対する耐剥離性を評価した。
◎:少なくとも10μmの線幅のラインが残っている。
○:少なくとも20μmの線幅のラインが残っている。
×:すべてのライン/スペースサンプルにおいてライン部分が剥離した。
<開口部残渣>
パターン膜3付きのITO基板における開口部の中央部分について以下の条件でX線光電子分光法(XPS)により表面解析を行った。XPSにより測定された開口部表面のF/In値(F1s/In3d5;炭素原子濃度に対するインジウム原子濃度の比の値)が1.0未満のものを「◎」、1.0〜2.0のものを「○」、2.0以上のものを「×」とした。
[XPSの条件]
装置:アルバックファイ社製Quantera‐SXM
X線源:Al Kα
X線のビームサイズ:約20μmφ
測定エリア:約20μmφ
検出角:試料面から45°
測定ピーク:F1s
測定時間(Acquired Timeとして):5分以内
解析ソフト:MultiPak
[例2〜13]
例1において、ネガ型感光性樹脂組成物を表3、表4または表5に示す組成に変更した以外は、同様の方法で、ネガ型感光性樹脂組成物および隔壁、硬化膜を製造し、例1と同様の評価を行った。各例の評価結果をそれぞれネガ型感光性樹脂組成物の組成とともに表3、表4および表5に示す。
Figure 2016010077
Figure 2016010077
Figure 2016010077
本発明のネガ型感光性樹脂組成物の実施例に相当する例1〜10では、不飽和二重結合を有するアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)、光重合開始剤(B)、酸発生剤(C)および酸硬化剤(D)を含有することから、露光量が30mJ/cmのように低露光量であっても高い撥液性が得られた。また、露光量50mJ/cmあっても線幅が太りにくく、パターン形成性が良好である。
一方、比較例に相当する例11、12では、光重合開始剤(B)、酸発生剤(C)のいずれか一方を含有しないため、露光量が30mJ/cmのように低露光量の場合に、撥液性が不充分であった。そのため、硬化膜上面は撥インク性が不充分であった。比較例に相当する例13では、光重合開始剤(B)を増量したため、撥液性は十分であったが、酸発生剤(C)を含有しないため露光量が30mJ/cmのように低露光量の場合でも、線幅が太りやすく、パターン形成性が不足していた。
1…基板、21…塗膜、22…乾燥膜、23…露光膜、23A…露光部、23B…非露光部、4…隔壁、4A…撥インク層、5…開口部、31…マスキング部、30:フォトマスク、9…インクジェットヘッド、10…インク、11…ドット、12…光学素子。

Claims (9)

  1. 光硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂またはアルカリ可溶性単量体(A)と、光ラジカル重合開始剤(B)と、光酸発生剤(C)と、酸硬化剤(D)と、フッ素原子を有する撥インク剤(E)とを含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
  2. 分子内に2つ以上の不飽和二重結合を有し、酸性基およびフッ素原子のいずれも有しない化合物(F)をさらに含有することを特徴とする、請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  3. 前記酸硬化剤(D)がメラミン系化合物、尿素系化合物およびエポキシ系化合物から選ばれる、少なくとも1種である、請求項1または2に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  4. 有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池の製造に用いられる請求項1〜3のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成されることを特徴とする樹脂硬化膜。
  6. 基板表面をドット形成用の複数の区画に仕切る形に形成された隔壁であって、請求項5に記載の樹脂硬化膜からなることを特徴とする隔壁。
  7. 基板表面に複数のドットと隣接するドット間に位置する隔壁とを有する光学素子であって、前記隔壁が請求項6に記載の隔壁で形成されていることを特徴とする光学素子。
  8. 前記光学素子は、有機EL素子、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池である請求項7に記載の光学素子。
  9. 前記ドットがインクジェット法で形成されていることを特徴とする請求項7または8に記載の光学素子。
JP2016534467A 2014-07-18 2015-07-15 ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁、光学素子および光学素子の製造方法 Active JP6536578B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014148345 2014-07-18
JP2014148345 2014-07-18
PCT/JP2015/070289 WO2016010077A1 (ja) 2014-07-18 2015-07-15 ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁および光学素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016010077A1 true JPWO2016010077A1 (ja) 2017-04-27
JP6536578B2 JP6536578B2 (ja) 2019-07-03

Family

ID=55078564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016534467A Active JP6536578B2 (ja) 2014-07-18 2015-07-15 ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁、光学素子および光学素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6536578B2 (ja)
KR (1) KR102411740B1 (ja)
CN (1) CN106662815B (ja)
TW (1) TWI660239B (ja)
WO (1) WO2016010077A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102622857B1 (ko) * 2017-02-09 2024-01-10 동우 화인켐 주식회사 유기발광소자 및 양자점발광소자의 화소정의막 형성용 흑색 감광성 수지 조성물
CN110249264A (zh) * 2017-02-21 2019-09-17 日本瑞翁株式会社 负型感光性树脂组合物
KR102469945B1 (ko) 2017-07-14 2022-11-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102146095B1 (ko) * 2017-09-15 2020-08-19 주식회사 엘지화학 화학증폭형 포토레지스트 조성물, 포토레지스트 패턴, 및 포토레지스트 패턴 제조방법
CN110412829A (zh) * 2018-04-26 2019-11-05 东友精细化工有限公司 负型感光性树脂组合物、光固化图案及图像显示装置
KR102311491B1 (ko) * 2019-02-13 2021-10-08 삼성에스디아이 주식회사 2중층 격벽 조성물, 이를 이용한 2중층 격벽 및 2중층 격벽을 포함하는 디스플레이 소자
CN111752097A (zh) * 2019-03-29 2020-10-09 常州强力电子新材料股份有限公司 自发光感光性树脂组合物、彩色滤光片和图像显示装置
KR20200135682A (ko) 2019-05-24 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20220149673A (ko) * 2020-03-04 2022-11-08 에이지씨 가부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR20210121917A (ko) * 2020-03-31 2021-10-08 동우 화인켐 주식회사 광변환 잉크 조성물, 컬러필터 및 화상표시장치
WO2022092155A1 (ja) 2020-10-28 2022-05-05 セントラル硝子株式会社 含フッ素樹脂、撥液剤、感光性樹脂組成物、硬化物およびディスプレイ
WO2022210797A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 株式会社カネカ ネガ型感光性組成物、光半導体装置、固体撮像装置、及び電子機器
CN114203748A (zh) * 2021-12-10 2022-03-18 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板以及其制造方法
KR20240002709A (ko) 2022-06-29 2024-01-05 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 감광성 수지 조성물, 수지막, 경화물, 격벽, 유기 전계발광 소자, 파장 변환층, 디스플레이, 경화물의 제조 방법 및 격벽의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009003442A (ja) * 2007-05-23 2009-01-08 Mitsubishi Chemicals Corp 感光性樹脂組成物、液晶配向制御突起、スペーサー、カラーフィルター及び画像表示装置
JP2009251392A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Fujifilm Corp ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2011048064A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Asahi Kasei E-Materials Corp 感光性樹脂組成物及び積層体、並びにこれを用いた電磁波シールド及び透明導電性基板
JP2013167687A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Mitsubishi Chemicals Corp 感光性着色樹脂組成物、及びカラーフィルタ、及び液晶表示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1560068B1 (en) * 2002-11-06 2008-01-23 Asahi Glass Company Ltd. Barrier rib and its method of preparation
JP2004277494A (ja) 2003-03-13 2004-10-07 Asahi Glass Co Ltd 含フッ素樹脂および感光性樹脂組成物
JP4474991B2 (ja) * 2004-04-27 2010-06-09 旭硝子株式会社 レジスト組成物及びその塗膜
JP4671338B2 (ja) * 2005-06-27 2011-04-13 日本化薬株式会社 フッ素含有ポリシロキサン、それを用いる感光性樹脂組成物及びその硬化物
JP4809006B2 (ja) * 2005-07-05 2011-11-02 太陽ホールディングス株式会社 着色感光性樹脂組成物及びその硬化物
WO2010013654A1 (ja) * 2008-07-30 2010-02-04 旭硝子株式会社 隔壁と画素が形成された基板を製造する方法
JP2012014931A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Sanyo Chem Ind Ltd 感光性樹脂組成物
JP5562739B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-30 三洋化成工業株式会社 感光性樹脂組成物
JP5880445B2 (ja) * 2010-12-20 2016-03-09 旭硝子株式会社 感光性樹脂組成物、隔壁、カラーフィルタおよび有機el素子
JP2012185430A (ja) * 2011-03-08 2012-09-27 Sumitomo Chemical Co Ltd 着色硬化性樹脂組成物
JP6350287B2 (ja) * 2012-11-28 2018-07-04 旭硝子株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁及び光学素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009003442A (ja) * 2007-05-23 2009-01-08 Mitsubishi Chemicals Corp 感光性樹脂組成物、液晶配向制御突起、スペーサー、カラーフィルター及び画像表示装置
JP2009251392A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Fujifilm Corp ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
JP2011048064A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Asahi Kasei E-Materials Corp 感光性樹脂組成物及び積層体、並びにこれを用いた電磁波シールド及び透明導電性基板
JP2013167687A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Mitsubishi Chemicals Corp 感光性着色樹脂組成物、及びカラーフィルタ、及び液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI660239B (zh) 2019-05-21
TW201619694A (zh) 2016-06-01
CN106662815B (zh) 2020-06-16
CN106662815A (zh) 2017-05-10
WO2016010077A1 (ja) 2016-01-21
JP6536578B2 (ja) 2019-07-03
KR102411740B1 (ko) 2022-06-21
KR20170032318A (ko) 2017-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6536578B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁、光学素子および光学素子の製造方法
JP6905339B2 (ja) 隔壁の製造方法および隔壁の修復方法
JP6398774B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁および光学素子
JP6350287B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁及び光学素子
TW201418885A (zh) 感放射線性組成物、顯示元件用硬化膜之形成方法、顯示元件用硬化膜及顯示元件
JP7375546B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物
KR20150107639A (ko) 경화성 수지 조성물, 표시 소자용 경화막, 그의 형성 방법 및 표시 소자
CN110730790A (zh) 含氟单体、含氟聚合物与使用其的图案形成用组合物、及其图案形成方法
JP7010240B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物
JP5682572B2 (ja) 感光性組成物、隔壁および有機el素子
JP2017040869A (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁ならびに光学素子およびその製造方法
KR101744645B1 (ko) 경화막 형성용 수지 조성물, 경화막 및 그의 형성 방법, 그리고 표시 소자
KR101752448B1 (ko) 감광성 수지 조성물
WO2017033835A1 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁ならびに光学素子およびその製造方法
JP6136787B2 (ja) 表示素子の絶縁膜形成用感放射線性樹脂組成物、この組成物の調製方法、表示素子の絶縁膜、この絶縁膜の形成方法及び表示素子
WO2017033834A1 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、樹脂硬化膜、隔壁ならびに光学素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181225

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190206

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20190308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190520

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6536578

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250