JPWO2015198877A1 - 撮像素子および撮像素子の駆動方法、電子機器、並びにプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本技術を適用した撮像素子の駆動回路の一実施の形態の構成例を示している。図1の駆動回路は、撮像装置や携帯電話機等の電子機器に搭載される撮像素子を駆動する駆動回路であり、オフにされている読み出しトランジスタに対して負電圧VRLを供給する回路である。
次に、図1の駆動回路の動作を説明するにあたって、一般的な駆動回路の構成と、その動作について説明する。
次に、図2の一般的な駆動回路の動作を説明する。
・・・(1)
・・・(2)
次に、図1の駆動回路における動作について説明する。
以上においては、ストリーキングを抑制する動作例について説明してきたが、有効領域のシャッタ負荷と、ダミー領域のシャッタ負荷との違いにより生じるシャッタ段差を抑制するように動作させるようにしてもよい。
以上においては、シャッタ段差に対策する例について説明してきたが、同様の技術を応用することにより、グローバルシャッタにおける負電圧VRLの復帰時間による読み出しに対する影響を対策することが可能となる。
以上においては、チャージポンプ回路を2系統設けて、負電圧VRLが変動するタイミングにおいて、一方に切り替え、それ以外のタイミングで他方に切り替えることにより、オフセットおよびデータを読み出すタイミングにおいて、負電圧VRLが変動しないようにする例について説明してきた。しかしながら、読み出し行のフローティングディフュージョンを共有する行と、非選択行とで、予め負電圧を分けて、それぞれ独立した負電圧VRL1,VRL2を供給するようにしてもよい。
次に、図10の撮像素子の駆動回路による調整処理について説明する。
(1) 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含み、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
撮像素子。
(2) 前記フォトダイオードの露光を開始するとき、およびリセットするとき、前記第1の負電圧供給部により、それ以外のとき、前記第2の負電圧供給部より、それぞれ切り替えられて前記負電圧が供給される
(1)に記載の撮像素子。
(3) パルス信号を発生するパルス発生部をさらに含み、
前記パルス発生部により発生されるパルスにより、前記フォトダイオードの露光を開始するとき、およびリセットするとき、前記第1の負電圧供給部により、それ以外のとき、前記第2の負電圧供給部より、それぞれ切り替えられて前記負電圧が供給される
(2)に記載の撮像素子。
(4) 前記第1の負電圧供給部、および第2の負電圧供給部は、それぞれ第1の負電圧容量、および第2の負電圧容量である
(1)乃至(3)のいずれかに記載の撮像素子。
(5) 前記第1の負電圧容量、および第2の負電圧容量は、チャージポンプ回路により充電される
(4)に記載の撮像素子。
(6) オンにされていない前記読み出しトランジスタのうち、読み出し行のトランジスタとフローティングディフュージョンを共有する行の前記読み出しトランジスタに対して、前記第1の負電圧供給部より、それ以外の非選択行の前記読み出しトランジスタに対して、前記第2の負電圧供給部より、それぞれ切り替えて前記負電圧が供給される
(1)に記載の撮像素子。
(7) 前記非選択行のうちの、所定の割合の行に、所定の間隔で、前記第1の負電圧供給部より、前記負電圧が供給される
(6)に記載の撮像素子。
(8) 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含む撮像素子の駆動方法であり、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
撮像素子の駆動方法。
(9) 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含む撮像素子を制御するコンピュータに、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
処理を実行させるプログラム。
(10) 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含み、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
電子機器。
Claims (10)
- 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含み、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
撮像素子。 - 前記フォトダイオードの露光を開始するとき、およびリセットするとき、前記第1の負電圧供給部により、それ以外のとき、前記第2の負電圧供給部より、それぞれ切り替えられて前記負電圧が供給される
請求項1に記載の撮像素子。 - パルス信号を発生するパルス発生部をさらに含み、
前記パルス発生部により発生されるパルスにより、前記フォトダイオードの露光を開始するとき、およびリセットするとき、前記第1の負電圧供給部により、それ以外のとき、前記第2の負電圧供給部より、それぞれ切り替えられて前記負電圧が供給される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記第1の負電圧供給部、および第2の負電圧供給部は、それぞれ第1の負電圧容量、および第2の負電圧容量である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の負電圧容量、および第2の負電圧容量は、チャージポンプ回路により充電される
請求項4に記載の撮像素子。 - オンにされていない前記読み出しトランジスタのうち、読み出し行のトランジスタとフローティングディフュージョンを共有する行の前記読み出しトランジスタに対して、前記第1の負電圧供給部より、それ以外の非選択行の前記読み出しトランジスタに対して、前記第2の負電圧供給部より、それぞれ切り替えて前記負電圧が供給される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記非選択行のうちの、所定の割合の行に、所定の間隔で、前記第1の負電圧供給部より、前記負電圧が供給される
請求項6に記載の撮像素子。 - 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含む撮像素子の駆動方法であり、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
撮像素子の駆動方法。 - 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含む撮像素子を制御するコンピュータに、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
処理を実行させるプログラム。 - 画素毎に入射光の強度に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードにより発生された電荷を読み出す読み出しトランジスタと、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第1の負電圧供給部と、
前記読み出しトランジスタがオンにされない場合、前記読み出しトランジスタに負電圧を供給する第2の負電圧供給部とを含み、
前記第1の負電圧発生部と、前記第2の負電圧発生部とが、切り替えられて前記負電圧が供給される
電子機器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014129949 | 2014-06-25 | ||
JP2014129949 | 2014-06-25 | ||
PCT/JP2015/066831 WO2015198877A1 (ja) | 2014-06-25 | 2015-06-11 | 撮像素子および撮像素子の駆動方法、電子機器、並びにプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015198877A1 true JPWO2015198877A1 (ja) | 2017-04-20 |
JP6609553B2 JP6609553B2 (ja) | 2019-11-20 |
Family
ID=54937968
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016529286A Active JP6609553B2 (ja) | 2014-06-25 | 2015-06-11 | 撮像素子および撮像素子の駆動方法、電子機器、並びにプログラム |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10021332B2 (ja) |
JP (1) | JP6609553B2 (ja) |
KR (1) | KR102383184B1 (ja) |
CN (1) | CN106464821B (ja) |
WO (1) | WO2015198877A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102502955B1 (ko) * | 2016-04-12 | 2023-02-27 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 단위 픽셀 및 그 동작 방법과 그를 이용한 씨모스 이미지 센서 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3011209B1 (ja) | 1998-11-16 | 2000-02-21 | 日本電気株式会社 | イメージセンサ |
JP3951994B2 (ja) * | 2003-09-16 | 2007-08-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラシステム |
US7129883B2 (en) * | 2004-02-23 | 2006-10-31 | Sony Corporation | Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus |
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JP4848739B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2011-12-28 | ソニー株式会社 | 物理量検出装置および撮像装置 |
JP4692262B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-06-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP2008136047A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sony Corp | 固体撮像装置及び撮像装置 |
JP4494492B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2010-06-30 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
CN101814912B (zh) * | 2009-02-25 | 2012-01-04 | 北京兆易创新科技有限公司 | 一种负电压电平转换电路 |
US7733126B1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-06-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Negative voltage generation |
CN101924324B (zh) * | 2010-09-07 | 2012-05-23 | 凯钰科技股份有限公司 | 用以控制激光二极管的偏压电流的自动功率控制回路 |
-
2015
- 2015-06-11 WO PCT/JP2015/066831 patent/WO2015198877A1/ja active Application Filing
- 2015-06-11 JP JP2016529286A patent/JP6609553B2/ja active Active
- 2015-06-11 US US15/318,773 patent/US10021332B2/en active Active
- 2015-06-11 CN CN201580031849.8A patent/CN106464821B/zh active Active
- 2015-06-11 KR KR1020167031833A patent/KR102383184B1/ko active IP Right Grant
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CN102595059A (zh) * | 2012-02-27 | 2012-07-18 | 天津大学 | 一种像素结构及其多次曝光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170023795A (ko) | 2017-03-06 |
WO2015198877A1 (ja) | 2015-12-30 |
US10021332B2 (en) | 2018-07-10 |
KR102383184B1 (ko) | 2022-04-06 |
CN106464821A (zh) | 2017-02-22 |
JP6609553B2 (ja) | 2019-11-20 |
US20170127004A1 (en) | 2017-05-04 |
CN106464821B (zh) | 2020-11-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170623 |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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