JPWO2015146524A1 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2015146524A1 JPWO2015146524A1 JP2016510193A JP2016510193A JPWO2015146524A1 JP WO2015146524 A1 JPWO2015146524 A1 JP WO2015146524A1 JP 2016510193 A JP2016510193 A JP 2016510193A JP 2016510193 A JP2016510193 A JP 2016510193A JP WO2015146524 A1 JPWO2015146524 A1 JP WO2015146524A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- containing film
- group
- film
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 107
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 claims abstract description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 3
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 50
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 15
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 7
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 4
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005196 alkyl carbonyloxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 125000004966 cyanoalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 37
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 24
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 23
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 22
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 8
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 7
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical group 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- APFRUMUZEFOCFO-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutan-1-ol Chemical compound CCCC(O)OC APFRUMUZEFOCFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MKZHZHRXBKRYRP-UHFFFAOYSA-N 3-propyl-3-triethoxysilyloxolane-2,5-dione Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1(CCC)CC(=O)OC1=O MKZHZHRXBKRYRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N Dimethyl sulfoxide Chemical compound [2H]C([2H])([2H])S(=O)C([2H])([2H])[2H] IAZDPXIOMUYVGZ-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 2
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical compound COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCIWKVYUSWPZEF-UHFFFAOYSA-N 1-[dimethoxy(phenyl)silyl]oxy-n,n-dimethylmethanamine Chemical compound CN(C)CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 WCIWKVYUSWPZEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 1-heptoxyheptane Chemical compound CCCCCCCOCCCCCCC UJEGHEMJVNQWOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 1-pentoxypentane Chemical compound CCCCCOCCCCC AOPDRZXCEAKHHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHHJQVRGRPHIMR-UHFFFAOYSA-N 1-phenylprop-2-en-1-ol Chemical compound C=CC(O)C1=CC=CC=C1 MHHJQVRGRPHIMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001731 2-cyanoethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C#N 0.000 description 1
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 2-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C21 KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXDMUOPCQNLBCZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-triethoxysilylpropyl)oxolane-2,5-dione Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC1CC(=O)OC1=O GXDMUOPCQNLBCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 3-chloroprop-1-enylbenzene Chemical compound ClCC=CC1=CC=CC=C1 IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMZXVEFLFBLDEM-UHFFFAOYSA-N 3-ethyl-3-trimethoxysilyloxolane-2,5-dione Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1(C(=O)OC(C1)=O)CC AMZXVEFLFBLDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(N)C=C1 CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMWWGEBUTXJDFV-UHFFFAOYSA-N CN(C)CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 Chemical compound CN(C)CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 FMWWGEBUTXJDFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQDDASRILBRILN-UHFFFAOYSA-N COC(OC)[SiH2]CC[Si](C)(C)C Chemical compound COC(OC)[SiH2]CC[Si](C)(C)C JQDDASRILBRILN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPZRFKBLQTZZFD-UHFFFAOYSA-N COC(OC)[SiH2]C[SiH2]C(OC)OC.C(C)OC(OCC)[SiH2]C[Si](OCC)(OCC)OCC Chemical compound COC(OC)[SiH2]C[SiH2]C(OC)OC.C(C)OC(OCC)[SiH2]C[Si](OCC)(OCC)OCC DPZRFKBLQTZZFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 COCN(C1N(C*)C(C=O)N(C*)C1N1COC)C1=O Chemical compound COCN(C1N(C*)C(C=O)N(C*)C1N1COC)C1=O 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQWTWQQJATWAD-UHFFFAOYSA-N N-[[benzyl(dimethoxy)silyl]oxymethyl]acetamide Chemical compound C(C)(=O)NCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 LFQWTWQQJATWAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- QFTIKVPGAKSOJO-UHFFFAOYSA-N [benzyl(dimethoxy)silyl]oxymethanamine Chemical compound NCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 QFTIKVPGAKSOJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBRJQMSXLPHGGM-UHFFFAOYSA-N [benzyl(dimethoxy)silyl]oxymethanol Chemical compound OCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 NBRJQMSXLPHGGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGISVIDNIBCUTN-UHFFFAOYSA-N [bis[(dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy]-methylsilyl]oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)(O[Si](C)C)O[Si](C)C BGISVIDNIBCUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC)(OC(C)=O)OC(C)=O KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPLIEAVLKBXZCM-UHFFFAOYSA-N [diethoxy(methyl)silyl]-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)[Si](C)(OCC)OCC VPLIEAVLKBXZCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOXVSHDJQLZMFJ-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(methyl)silyl]-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)[Si](C)(OC)OC BOXVSHDJQLZMFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PDLPLFQFMXKADM-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(phenyl)silyl]oxymethanol Chemical compound OCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 PDLPLFQFMXKADM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N acetic acid;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)CO JABXMSSGPHGCII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GQVVQDJHRQBZNG-UHFFFAOYSA-N benzyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 GQVVQDJHRQBZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJBQWFSPJVPVFD-UHFFFAOYSA-N benzyl-dimethoxy-(methoxymethoxy)silane Chemical compound COCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 ZJBQWFSPJVPVFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBDGLVODXQKJHH-UHFFFAOYSA-N benzyl-dimethoxy-(phenoxymethoxy)silane Chemical compound O(C1=CC=CC=C1)CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 PBDGLVODXQKJHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLQARAHXZZYFKA-UHFFFAOYSA-N benzyl-dimethoxy-propoxysilane Chemical compound C(C)CO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 ZLQARAHXZZYFKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNGJEOMPQGBANN-UHFFFAOYSA-N benzyl-ethoxy-dimethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)CC1=CC=CC=C1 DNGJEOMPQGBANN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N bis(4-tert-butylphenyl)iodanium Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXANATZLMNZGEV-UHFFFAOYSA-N butoxymethyl acetate Chemical compound CCCCOCOC(C)=O VXANATZLMNZGEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical compound CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000003950 cyclic amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000001983 dialkylethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- XWXBXCRTPJXEEE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[ethoxy(dimethyl)silyl]-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)[Si](C)(OCC)OCC XWXBXCRTPJXEEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYROPPYCYUGLLK-UHFFFAOYSA-N diethoxymethyl(diethoxymethylsilylmethyl)silane Chemical compound CCOC(OCC)[SiH2]C[SiH2]C(OCC)OCC NYROPPYCYUGLLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006001 difluoroethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- UXEMKWTVMQUHEH-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-(methoxymethoxy)-phenylsilane Chemical compound COCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 UXEMKWTVMQUHEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYKMXPLFVHNTTQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[methoxy(dimethyl)silyl]-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)[Si](C)(OC)OC ZYKMXPLFVHNTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISRAHSWMKHSHAG-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-trimethoxysilylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)[Si](OC)(OC)OC ISRAHSWMKHSHAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCAMEKJCKPXJHO-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-phenyl-propoxysilane Chemical compound CCCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 YCAMEKJCKPXJHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKPOQTZQHIWYJM-UHFFFAOYSA-N dimethoxymethylsilylmethyl(trimethoxy)silane Chemical compound COC(OC)[SiH2]C[Si](OC)(OC)OC AKPOQTZQHIWYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAXCVGVJXLYDKZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl-[methyl(diphenoxy)silyl]-phenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](C)(OC=1C=CC=CC=1)[Si](C)(C)OC1=CC=CC=C1 OAXCVGVJXLYDKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKRWTGXFGXJSKZ-UHFFFAOYSA-N diphenoxy-phenyl-triphenoxysilylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 MKRWTGXFGXJSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEHYCIQPPPQNMI-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C=C)OC1=CC=CC=C1 FEHYCIQPPPQNMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHPRUQCZUHFSAZ-UHFFFAOYSA-N ethoxy-[[ethoxy(dimethyl)silyl]methyl]-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C[Si](C)(C)OCC JHPRUQCZUHFSAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWIVSKPSMYHUAK-UHFFFAOYSA-N ethoxy-[ethoxy(dimethyl)silyl]-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)[Si](C)(C)OCC GWIVSKPSMYHUAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBXRNQWZWLYUFD-UHFFFAOYSA-N ethoxy-dimethoxy-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 CBXRNQWZWLYUFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGWSCXYVBZYYDK-UHFFFAOYSA-N ethyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(CC)OC1=CC=CC=C1 HGWSCXYVBZYYDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003784 fluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(F)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000816 matrix-assisted laser desorption--ionisation Methods 0.000 description 1
- TZPAJACAFHXKJA-UHFFFAOYSA-N methoxy-[[methoxy(dimethyl)silyl]methyl]-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C[Si](C)(C)OC TZPAJACAFHXKJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFAPVFASCCOTID-UHFFFAOYSA-N methyl-[methyl(diphenoxy)silyl]-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](C)(OC=1C=CC=CC=1)OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 PFAPVFASCCOTID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002762 monocarboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- GKRTWSNISHEFIV-UHFFFAOYSA-N n-[[dimethoxy(phenyl)silyl]oxymethyl]acetamide Chemical compound CC(=O)NCO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 GKRTWSNISHEFIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004923 naphthylmethyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C* 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000286 phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004344 phenylpropyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 description 1
- OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutan-2-yl silicate Chemical compound CCC(C)O[Si](OC(C)CC)(OC(C)CC)OC(C)CC OQTSOKXAWXRIAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N tetraphenyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N triethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC=C)(OCC)OCC UMFJXASDGBJDEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKYUXYJGXHZKLL-UHFFFAOYSA-N triethoxy(triethoxysilyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)[Si](OCC)(OCC)OCC AKYUXYJGXHZKLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIINUVYELHEORX-UHFFFAOYSA-N triethoxy(triethoxysilylmethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C[Si](OCC)(OCC)OCC NIINUVYELHEORX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIOGKDWMNMIDEY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(2-triethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1[Si](OCC)(OCC)OCC JIOGKDWMNMIDEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYJNCOSWWOMZHX-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(4-triethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=C([Si](OCC)(OCC)OCC)C=C1 YYJNCOSWWOMZHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004205 trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=C1 UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(prop-2-enyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC=C LFRDHGNFBLIJIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMQGXNPPTQOGDG-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trimethoxysilyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)[Si](OC)(OC)OC LMQGXNPPTQOGDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJYGUVIGOGFJOF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(trimethoxysilylmethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C[Si](OC)(OC)OC DJYGUVIGOGFJOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHSVAMPZUHRVHF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(2,4,6-trimethylphenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=C(C)C=C(C)C=C1C YHSVAMPZUHRVHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNYWDHFOQZZIDQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(2-trimethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1[Si](OC)(OC)OC KNYWDHFOQZZIDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YIRZROVNUPFFNZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(4-trimethoxysilylphenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C([Si](OC)(OC)OC)C=C1 YIRZROVNUPFFNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N trimethyl(methylsilyl)silane Chemical compound C[SiH2][Si](C)(C)C VIPCDVWYAADTGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUCRQDBOUNQJFE-UHFFFAOYSA-N triphenoxy(triphenoxysilyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]([Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 MUCRQDBOUNQJFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLTVTFUBQOLTND-UHFFFAOYSA-N tris(2-methoxyethoxy)-methylsilane Chemical compound COCCO[Si](C)(OCCOC)OCCOC OLTVTFUBQOLTND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
- G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Architecture (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明のパターン形成方法は、レジスト下層膜形成工程、ケイ素含有膜形成工程、及びケイ素含有膜除去工程を有する。当該パターン形成方法は、通常、上記ケイ素含有膜形成工程後かつ上記ケイ素含有膜除去工程前に、上記ケイ素含有膜における上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程(以下、「レジストパターン形成工程」ともいう)、及び上記レジストパターンをマスクとして上記ケイ素含有膜をエッチングする工程(以下、「エッチング工程」ともいう)をさらに有する。但し、上記ケイ素含有膜形成工程の後かつ上記ケイ素含有膜除去工程前に、上記ケイ素含有膜を酸又はフッ素化合物を含有する処理液により処理する工程を有しない。
本工程では、基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する。上記基板としては、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリシロキサン等の絶縁膜、並びに市販品であるAMAT社の「ブラックダイヤモンド」、ダウケミカル社の「シルク」、JSR社の「LKD5109」等の低誘電体絶縁膜で被覆したウェハ等の層間絶縁膜が挙げられる。ポリシリコンや、ポリシリコン中へ金属成分を注入したいわゆるメタルゲート膜等も含まれる。また、この基板としては、配線溝(トレンチ)、プラグ溝(ビア)等のパターン化された基板を用いてもよい。
本工程では、上記レジスト下層膜における上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する。ケイ素含有膜は、例えばケイ素含有膜形成組成物等を上記レジスト下層膜における上記基板とは反対の面側に塗布することにより形成される。ケイ素含有膜形成組成物については後述する。ケイ素含有膜形成組成物の塗布方法としては、例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等が挙げられる。なお、形成されるケイ素含有膜の平均厚みの下限としては、10nmが好ましく、20nmがより好ましい。上記平均厚みの上限としては、1,000nmが好ましく、500nmがより好ましく、300nmがさらに好ましい。
ケイ素含有膜形成組成物は、[A]ポリシロキサン及び[B]有機溶媒を含有する。また、上記ケイ素含有膜形成組成物は、本発明の効果を損なわない限り、好適成分として、架橋促進剤等のその他の任意成分を含有してもよい。以下、各成分について説明する。
[A]ポリシロキサンとしては、構造が特に限定されるものではないが、下記式(2)で表されるシラン化合物(以下「シラン化合物(a)」ともいう)を含む化合物の加水分解縮合物が好ましい。このような[A]ポリシロキサンを用いることにより、形成されるレジストパターンのパターン倒れ耐性を向上させることができると共に、得られるケイ素含有膜を後述するケイ素含有膜除去工程において、より効果的に除去することができる。
イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソアミル基等の分岐鎖状のアルキル基等が挙げられる。
CH2=CH−(CH2)n−* (i−1)
上記式(i−1)中、nは、0〜4の整数である。*は、結合手を示す。
上記nとしては、好ましくは0又は1であり、更に好ましくは0(ビニル基)である。
テトラフェノキシシラン、テトラクロロシラン等が挙げられる。
ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリル)メタン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジメチルメトキシシリル)メタン、ビス(ジメチルエトキシシリル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−(トリメチルシリル)エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリメチルシリル)エタン等のビスシリル基含有シラン類;
1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン等のジシラン類;
ポリジメトキシメチルカルボシラン、ポリジエトキシメチルカルボシラン等のポリカルボシラン等が挙げられる。これらのシラン化合物は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記ケイ素含有膜形成組成物は、[B]有機溶媒を含有する。[B]有機溶媒としては、[A]ポリシロキサン及び後述する任意成分を溶解又は分散できるものであれば特に限定されない。
4−メチル−2−ペンタノール、n−ヘキサノール等の炭素数1〜18の脂肪族モノアルコール系溶媒;
シクロヘキサノール等の炭素数3〜18の脂環式モノアルコール系溶媒;
1,2−プロピレングリコール等の炭素数2〜18の多価アルコール系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテル等の炭素数3〜19の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジペンチルエーテル、ジイソアミルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジヘプチルエーテル等のジアルキルエーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒;
ジフェニルエーテル、アニソール等の芳香環含有エーテル系溶媒等が挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−iso−ブチルケトン、2−ヘプタノン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−iso−ブチルケトン、トリメチルノナノン等の鎖状ケトン系溶媒:
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒:
2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン等が挙げられる。
N,N’−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルピロリドン等の環状アミド系溶媒;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒等が挙げられる。
酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸ブトキシメチル等のモノカルボン酸エステル系溶媒;
プロピレングリコールアセテート等の多価アルコールカルボキシレート系溶媒;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の多価アルコール部分エーテルカルボキシレート系溶媒;
シュウ酸ジエチル等の多価カルボン酸ジエステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒などが挙げられる。
n−ペンタン、n−ヘキサン等の炭素数5〜12の脂肪族炭化水素系溶媒;
トルエン、キシレン等の炭素数6〜16の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
(架橋促進剤)
架橋促進剤は、上記ケイ素含有膜形成組成物からケイ素含有膜を形成する際等に、[A]ポリシロキサンの分子鎖間又は分子鎖内における架橋反応を促進することができる化合物である。架橋促進剤としては、上記性質を有する限り、特に限定されず、従来公知のものを使用することができるが、例えば酸、塩基、金属錯体、金属塩化合物、オニウム塩化合物等が挙げられる。架橋促進剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
上記ケイ素含有膜形成組成物は、例えば[A]ポリシロキサン、[B]有機溶媒及び必要に応じて任意成分を混合し、[B]有機溶媒に溶解又は分散して得られる。上記ケイ素含有膜形成組成物の固形分濃度の下限としては、0.5質量%が好ましく、1質量%がより好ましい。上記ケイ素含有膜形成組成物の固形分濃度の上限としては、20質量%が好ましく、15質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましい。
本工程では、塩基性水溶液により上記ケイ素含有膜を除去する。上記ケイ素含有膜除去工程は100℃未満で行われることが好ましい。本工程のケイ素含有膜の除去は、例えば加温した塩基性水溶液にケイ素含有膜が形成された基板を浸漬させて処理することにより行うことができる。塩基性水溶液の温度の下限としては、30℃が好ましく、40℃がより好ましく、50℃がさらに好ましい。上記温度の上限としては、100℃が好ましく、95℃がより好ましく、90℃がさらに好ましい。浸漬時間の下限としては、1秒が好ましく、10秒がより好ましい。浸漬時間の上限としては、1時間が好ましく、30分がより好ましい。その後、純水リンス等を行い、使用した塩基性水溶液を除去する。
アンモニア、過酸化水素及び水を含む液;
アンモニアと過酸化水素との反応生成物、アンモニア及び水を含む液;
アンモニアと過酸化水素との反応生成物、過酸化水素及び水を含む液;
アンモニアと過酸化水素との反応生成物及び水を含む液等が挙げられる。これらの中でも、アンモニア、過酸化水素及び水の混合により得られる液としては、アンモニア、過酸化水素及び水を含む液が好ましい。
本工程では、[ケイ素含有膜形成工程]で形成したケイ素含有膜上にレジストパターンを形成する。本工程において、レジストパターンを形成する方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法、ナノインプリントリソグラフィー法を用いる方法等の従来公知の方法で形成することができる。
本工程では、上記レジストパターンをマスクとして上記ケイ素含有膜をエッチングして、シリコン含有膜にパターンを形成する。当該パターン形成方法によれば、エッチング後であっても、適正にパターニングされなかったレジスト膜及びケイ素含有膜を、上述のケイ素含有膜除去工程によって剥離できるため、ケイ素含有膜とレジスト膜とを再度形成してパターン形成することができる。
[A]化合物の構造は、MALDI−TOF−MS(島津製作所社の「SHIMAZU/KRATOSマトリックス支援レーザーイオン化飛行時間型質量分析装置 KOMPACT MALDI IV tDE」)により分子量を、FT−IR(日本分光社の「420型」)により赤外線吸収スペクトル(IR)を、核磁気共鳴装置(日本電子社の「JNM−ECA−500型」)(測定溶媒:DMSO−d6)により1H−NMRスペクトルをそれぞれ測定することにより確認した。
重量平均分子量(Mw)は、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフにより測定した。GPCカラムとして東ソー社の「G2000HXL」:2本及び「G3000HXL:1本」を、検出器として示差屈折計を、溶離液としてテトラヒドロフランを用いた。流量1.0mL/分、カラム温度は40℃とした。
[合成例1]((A−1)の合成)
1,000mLの三口ナス型フラスコに、ブチルアクリレート13.28gとメチルイソブチルケトン(MIBK)75gとを加えた。別途滴下槽を設け、そこに2−ビニルナフタレン54.22g、ビニルベンジルアルコール32.50g、及びラジカル重合開始剤(和光純薬工業社の「V−601」)11.91gをMIBK75gに溶解させた。釜温度80℃にて3時間かけて滴下し、その後3時間熟成後、フラスコ釜を溶液温度が室温になるまで冷却した。その後、溶液を5倍質量のヘプタンに滴下し濾過後白色の粉体である化合物(A−1)50.5gを得た。
1,000mLの三口ナス型フラスコに、レゾルシノール35g、アセトアルデヒド39g及びエタノール450gを仕込み、窒素雰囲気下、室温にて溶解させた。得られた溶液に、溶液温度40℃にて、濃塩酸95.6gを1時間かけて滴下し、溶液温度を80℃にして11時間熟成させた。熟成後、フラスコ釜を溶液温度が室温になるまで冷却した。その後、析出してきた赤茶色の固形物を、ろ過にてエタノール溶液を除去することにより回収した。メタノール/水混合溶液(各300g)を用いて掛け流し洗浄を行い、60℃で一晩減圧乾燥し、末端基がヒドロキシ基である茶色の固形物45.6gを得た。1H−NMRにて目的の前駆体Yが得られていることを確認した。
10質量%シュウ酸23.87gと水14.34gを混合し、シュウ酸水溶液を調製した。その後、テトラエトキシシラン55.24g、フェニルトリメトキシシラン7.01g、3−(トリエトキシシリル)プロピルサクシニックアンハイドライド16.14g及びメタノール33.39gを入れたフラスコに、冷却管と、上記調製したシュウ酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。次いで、オイルバスにて60℃に加熱した後、シュウ酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで置換し、エバポレーターにセットし、メタノールを除去して樹脂溶液473gを得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサン(A−3)とする。得られた樹脂溶液中の固形分の含有割合は、焼成法により測定した結果、7.5質量%であった。また、ポリシロキサン(A−3)のMwは2,000であった。
10質量%シュウ酸31.10gと水9.35gを混合し、シュウ酸水溶液を調製した。その後、テトラエトキシシラン64.07g、メチルトリメトキシシラン12.89g、フェニルトリメトキシシラン14.07g及びメタノール68.53gを入れたフラスコに、冷却管と、上記調製したシュウ酸水溶液を入れた滴下ロートをセットした。次いで、オイルバスにて60℃に加熱した後、シュウ酸水溶液をゆっくり滴下し、60℃で4時間反応させた。反応終了後、反応溶液の入ったフラスコを放冷してからプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートで置換し、エバポレーターにセットし、メタノールを除去して樹脂溶液262gを得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサン(A−4)とする。得られた樹脂溶液中の固形分の含有割合は、焼成法により測定した結果、7.5質量%であった。また、ポリシロキサン(A−4)のMwは1,800であった。
メタノール200g、イオン交換水200g、及び35質量%塩酸1gを1,000mLガラスフラスコに仕込み、テトラエトキシシラン50g、メチルトリメトキシシラン100g及びフェニルトリメトキシシラン10gの混合物を室温で加えた。そのまま、8時間室温で加水分解縮合させた後、プロピレングリコールモノエチルエーテル300mLを加え、減圧で濃縮して樹脂溶液300g(ポリマー濃度21質量%)を得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサン(A−5)とする。また、ポリシロキサン(A−5)のMwは2,000であった。
メタノール200g、イオン交換水200g、及び35質量%塩酸1gを1,000mLガラスフラスコに仕込み、メチルトリメトキシシラン100g及びフェニルトリメトキシシラン20gの混合物を室温で加えた。そのまま8時間室温で加水分解縮合させた後、プロピレングリコールモノエチルエーテル300mLを加え、減圧で濃縮して樹脂溶液300g(ポリマー濃度19質量%)を得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサン(A−6)とする。また、ポリシロキサン(A−6)のMwは3,000であった。
イオン交換水260g、65質量%硝酸5g、テトラメトキシシラン70g、メチルトリメトキシシラン70g、及びフェニルトリメトキシシラン10gの混合物を室温で加えた。そのまま、8時間室温で加水分解縮合させた後、ブタンジオールモノメチルエーテル300mLを加え、減圧で濃縮して樹脂溶液300g(ポリマー濃度20質量%)を得た。この樹脂溶液中における固形分をポリシロキサン(A−7)とする。また、ポリシロキサン(A−7)のMwは2,500であった。
レジスト下層膜形成用組成物又はケイ素含有膜形成用組成物の調製に用いた各成分について以下に示す。
B−1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
B−2:プロピレングリコールモノエチルエーテル
B−3:ブタンジオールモノメチルエーテル
D−1:ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロn−ブタンスルホネート(下記式(D−1)で表される化合物)
E−1:1,3,4,6−テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル(下記式(E−1)で表される化合物)
合成例1で得られた(A−1)5質量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(有機溶媒(B−1))95質量部に溶解させて混合溶液を得た。その後、この混合溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過してレジスト下層膜形成用組成物(U−1)を調製した。
下記表1に記載の種類及び含有量の成分を用いた以外は、合成例8と同様にしてレジスト下層膜形成用組成物(U−2)を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を用いなかったことを示す。
合成例3で得られた(A−3)2質量部をプロピレングリコールモノエチルエーテル(有機溶媒(B−2))98質量部に溶解させて混合溶液を得た。その後、この混合溶液を孔径0.1μmのメンブランフィルターでろ過してケイ素含有膜形成用組成物(U−3)を調製した。
下記表1に記載の種類及び含有量の成分を用いた以外は、合成例10と同様にしてケイ素含有膜形成用組成物(U−4)〜(U−7)を調製した。なお、表1中の「−」は、該当する成分を用いなかったことを示す。
[実施例1〜4及び比較例1〜3]
上記調製した各レジスト下層膜形成用組成物及び各ケイ素含有膜形成用組成物を、シリコンウェハー(基板)上に、スピンコート法により塗布した。その後、大気雰囲気下にて、表2に記載のベーク条件にて各々「レジスト下層膜及びケイ素含有膜付き基板」をそれぞれ得た。
上記得られた各基板を用い、下記項目について、下記方法で評価を行った。評価結果を表3に示す。
上記得られた各基板のケイ素含有膜の純水に対する接触角を、25℃にて測定した。
上記得られた各基板を、シクロヘキサノン(室温)に10秒間浸漬した。浸漬前後の膜の平均厚みを分光エリプソメーター(KLA−TENCOR社の「UV1280E」)を用いて測定し、測定値から膜厚変化率を算出した。膜厚変化率は、下記式(a)より求めた。
膜厚変化率(%)=100×(浸漬後の膜の平均厚みと浸漬前の膜の平均厚みとの差の絶対値)/(浸漬前の膜の平均厚み) (a)
溶媒耐性は、膜厚変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
上記得られた各基板を、2.38質量%TMAH現像液(室温)に60秒間浸漬した。浸漬前後の膜の平均厚みを分光エリプソメーター(KLA−TENCOR社の「UV1280E」)を用いて測定し、測定値から膜厚変化率を算出した。膜厚変化率は上記式(a)より求めた。溶媒耐性は、膜厚変化率が1%未満の場合は「A」(良好)と、1%以上の場合は「B」(不良)と評価した。
上記得られた各基板を、80℃に加温した2.38質量%TMAH現像液に5分間浸漬した。浸漬前後の基板を断面SEMにて観察し、下層のみ残存している場合は「A」(良好)と、ケイ素含有膜が残存している場合は「B」(不良)と評価した。
上記得られた各基板を、65℃に加温したアルカリ性剥離液A(25質量%アンモニア水溶液/30質量%過酸化水素水溶液/水=1/1/5(体積比)混合水溶液)に5分間浸漬した。浸漬前後の基板を断面SEMにて観察し、下層のみ残存している場合は「A」(良好)と、ケイ素含有膜が残存している場合は「B」(不良)と評価した。
Claims (9)
- 基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程、
上記レジスト下層膜における上記基板とは反対の面側にケイ素含有膜を形成する工程、及び
塩基性水溶液により上記ケイ素含有膜を除去する工程
を有し、
上記ケイ素含有膜形成工程の後かつ上記ケイ素含有膜除去工程前に、上記ケイ素含有膜を酸又はフッ素化合物を含有する処理液により処理する工程を有しないパターン形成方法。 - 上記塩基性水溶液が、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド及び水を含む液、又はアンモニア、過酸化水素及び水の混合により得られる液である請求項1に記載のパターン形成方法。
- 上記塩基性水溶液がフッ化水素及びその塩並びにフッ素化合物の塩をいずれも含まない請求項1に記載のパターン形成方法。
- 上記ケイ素含有膜除去工程が100℃未満で行われる請求項1に記載のパターン形成方法。
- 上記ケイ素含有膜形成工程後かつ上記ケイ素含有膜除去工程前に、
上記ケイ素含有膜における上記基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程、及び
上記レジストパターンをマスクとして上記ケイ素含有膜をエッチングする工程
をさらに有する請求項1に記載のパターン形成方法。 - 上記ケイ素含有膜が、
下記式(2)で表される化合物を含むシラン化合物の加水分解縮合物、及び
有機溶媒
を含有する組成物により形成される請求項1に記載のパターン形成方法。
- 上記シラン化合物が芳香環を有する請求項7に記載のパターン形成方法。
- 上記シラン化合物が酸無水物基を有する請求項7に記載のパターン形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014060959 | 2014-03-24 | ||
JP2014060959 | 2014-03-24 | ||
PCT/JP2015/056437 WO2015146524A1 (ja) | 2014-03-24 | 2015-03-04 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015146524A1 true JPWO2015146524A1 (ja) | 2017-04-13 |
JP6477687B2 JP6477687B2 (ja) | 2019-03-06 |
Family
ID=54195054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016510193A Active JP6477687B2 (ja) | 2014-03-24 | 2015-03-04 | パターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10234762B2 (ja) |
JP (1) | JP6477687B2 (ja) |
KR (1) | KR102388290B1 (ja) |
TW (1) | TWI654489B (ja) |
WO (1) | WO2015146524A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6565649B2 (ja) * | 2015-11-06 | 2019-08-28 | Jsr株式会社 | ケイ素含有膜除去方法 |
CN106024893B (zh) * | 2016-05-30 | 2019-03-19 | 上海华力微电子有限公司 | 高k金属栅器件及其制备方法 |
CN108946656A (zh) * | 2017-05-25 | 2018-12-07 | 联华电子股份有限公司 | 半导体制作工艺 |
US11042090B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-06-22 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Composition for forming organic film |
US10514605B2 (en) | 2017-08-04 | 2019-12-24 | International Business Machines Corporation | Resist multilayer film-attached substrate and patterning process |
JP6810667B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2021-01-06 | 信越化学工業株式会社 | 洗浄溶剤及び半導体装置製造用基板の製造方法 |
JP7115487B2 (ja) | 2017-09-07 | 2022-08-09 | Jsr株式会社 | 組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法 |
WO2019151153A1 (ja) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Jsr株式会社 | 半導体リソグラフィープロセス用膜形成組成物、ケイ素含有膜及びレジストパターン形成方法 |
US10780682B2 (en) * | 2018-12-20 | 2020-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid adhesion composition, multi-layer structure and method of making said structure |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012043403A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | Jsr株式会社 | パターン形成方法、レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物 |
JP2012511742A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | ダウ コーニング コーポレーション | 湿式エッチング可能な反射防止膜 |
JP2015028145A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-02-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型bpsg膜形成用組成物、該組成物で膜を形成した基板、及び前記組成物を用いたパターン形成方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI258635B (en) | 2002-11-27 | 2006-07-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method |
US7326523B2 (en) * | 2004-12-16 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Low refractive index polymers as underlayers for silicon-containing photoresists |
JP2006208658A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
US7375172B2 (en) * | 2005-07-06 | 2008-05-20 | International Business Machines Corporation | Underlayer compositions containing heterocyclic aromatic structures |
US8026201B2 (en) | 2007-01-03 | 2011-09-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Stripper for coating layer |
JP2009175465A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 平版印刷版 |
JP2009241300A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | プロセスレス感光性平版印刷版 |
JP5015892B2 (ja) | 2008-10-02 | 2012-08-29 | 信越化学工業株式会社 | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法 |
JP4790786B2 (ja) | 2008-12-11 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型ケイ素含有膜の剥離方法 |
JP5612531B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2014-10-22 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版用支持体、および平版印刷版原版 |
CN103282396B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-03-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 芳烃树脂、光刻法用底层膜形成组合物以及形成多层抗蚀图案的方法 |
KR101860170B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2018-05-21 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 형성용 조성물, 패턴 형성 방법 및 레지스트 하층막 |
JP6065497B2 (ja) | 2011-09-29 | 2017-01-25 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びポリシロキサン組成物 |
KR102086405B1 (ko) * | 2012-03-07 | 2020-03-09 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법 |
JP6094587B2 (ja) * | 2012-09-10 | 2017-03-22 | Jsr株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 |
US9348228B2 (en) * | 2013-01-03 | 2016-05-24 | Globalfoundries Inc. | Acid-strippable silicon-containing antireflective coating |
JP6119668B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-04-26 | 信越化学工業株式会社 | 下層膜材料及びパターン形成方法 |
-
2015
- 2015-03-04 WO PCT/JP2015/056437 patent/WO2015146524A1/ja active Application Filing
- 2015-03-04 KR KR1020167025936A patent/KR102388290B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-04 JP JP2016510193A patent/JP6477687B2/ja active Active
- 2015-03-23 TW TW104109181A patent/TWI654489B/zh active
-
2016
- 2016-09-16 US US15/267,840 patent/US10234762B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012511742A (ja) * | 2008-12-10 | 2012-05-24 | ダウ コーニング コーポレーション | 湿式エッチング可能な反射防止膜 |
WO2012043403A1 (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-05 | Jsr株式会社 | パターン形成方法、レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物 |
JP2015028145A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-02-12 | 信越化学工業株式会社 | 塗布型bpsg膜形成用組成物、該組成物で膜を形成した基板、及び前記組成物を用いたパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160135216A (ko) | 2016-11-25 |
KR102388290B1 (ko) | 2022-04-20 |
US10234762B2 (en) | 2019-03-19 |
WO2015146524A1 (ja) | 2015-10-01 |
TWI654489B (zh) | 2019-03-21 |
US20170003592A1 (en) | 2017-01-05 |
JP6477687B2 (ja) | 2019-03-06 |
TW201610590A (zh) | 2016-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6477687B2 (ja) | パターン形成方法 | |
KR100709644B1 (ko) | 실리카계 막 및 그의 형성 방법, 반도체 장치의 절연막형성용 조성물, 및 배선 구조체 및 반도체 장치 | |
KR101203225B1 (ko) | 막 형성용 조성물, 막 형성용 조성물의 제조 방법, 절연막형성용 재료, 막의 형성 방법 및 실리카계 막 | |
TWI431040B (zh) | Organic silicon dioxide film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and manufacturing method thereof, and wiring structure | |
JP2001354904A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
WO2005108468A1 (ja) | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 | |
JP6458799B2 (ja) | パターン形成方法 | |
WO2005108469A1 (ja) | 有機シリカ系膜の形成方法、有機シリカ系膜、配線構造体、半導体装置、および膜形成用組成物 | |
WO2012133597A1 (ja) | 多層レジストプロセスパターン形成方法及び多層レジストプロセス用無機膜形成組成物 | |
JP5970933B2 (ja) | パターン形成方法 | |
WO2005057646A1 (ja) | 絶縁膜およびその形成方法、ならびに膜形成用組成物 | |
JP5099302B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP4821404B2 (ja) | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP2001098218A (ja) | シリカ系被膜、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品 | |
JP6163770B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法 | |
JP2002020688A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2002038090A (ja) | 膜形成用組成物およびシリカ系膜 | |
JP6503630B2 (ja) | ケイ素含有膜形成組成物及びパターン形成方法 | |
JP2007262256A (ja) | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP2010117439A (ja) | ポジ型感放射線性組成物、硬化パターン形成方法及び硬化パターン | |
JP5099301B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物、ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP4798329B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、およびその形成方法 | |
JP4101989B2 (ja) | ポリオルガノシロキサン系組成物の製造方法、ポリオルガノシロキサン系組成物、および膜 | |
JP2004059738A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2001294809A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170721 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180821 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181010 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6477687 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |