KR102388290B1 - 패턴 형성 방법 - Google Patents

패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102388290B1
KR102388290B1 KR1020167025936A KR20167025936A KR102388290B1 KR 102388290 B1 KR102388290 B1 KR 102388290B1 KR 1020167025936 A KR1020167025936 A KR 1020167025936A KR 20167025936 A KR20167025936 A KR 20167025936A KR 102388290 B1 KR102388290 B1 KR 102388290B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon
containing film
group
film
forming
Prior art date
Application number
KR1020167025936A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160135216A (ko
Inventor
마사요시 이시카와
히로미츠 다나카
도모하루 가와즈
준야 스즈키
도모아키 세코
요시오 다키모토
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20160135216A publication Critical patent/KR20160135216A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102388290B1 publication Critical patent/KR102388290B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판의 한쪽 면측에 레지스트 하층막을 형성하는 공정, 상기 레지스트 하층막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 규소 함유막을 형성하는 공정, 및 염기성 수용액에 의하여 상기 규소 함유막을 제거하는 공정을 갖고, 상기 규소 함유막 형성 공정 후 및 상기 규소 함유막 제거 공정 전에, 상기 규소 함유막을, 산 또는 불소 화합물을 함유하는 처리액에 의하여 처리하는 공정을 갖지 않는 패턴 형성 방법이다. 상기 규소 함유막은, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물을 전체 규소 화합물 중 60몰% 이상 포함하는 조성물의 가수분해 축합물로 형성되는 것이 바람직하다.
SiX4 (1)
(식 (1) 중, X는 할로겐 원자 또는 -OR2이다. R2는 1가의 유기 기이다)

Description

패턴 형성 방법 {PATTERN FORMING METHOD}
본 발명은 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 등의 제조 분야에 있어서는, 보다 높은 집적도를 얻기 위하여 다층 레지스트 프로세스를 이용한 패턴의 미세화가 진행되고 있다. 이 다층 레지스트 프로세스에서는, 먼저 기판 상에 규소 함유막 등의 무기 막을 형성한 후, 이 무기 막 상에 레지스트 조성물 등을 사용하여, 무기 막과는 에칭 선택비가 상이한 레지스트막을 형성한다. 이어서, 노광에 의하여 마스크 패턴을 전사하고 현상액으로 현상함으로써 레지스트 패턴을 얻는다. 계속해서, 건식 에칭에 의하여 이 레지스트 패턴을 무기 막에 전사하고, 이 무기 막의 패턴을 최종적으로 기판에 전사함으로써, 원하는 패턴이 형성된 기판이 얻어진다.
실제의 반도체 등의 제조 공정에 있어서는, 상기 규소 함유막이나 상기 레지스트막을 패터닝했을 때 문제가 발생했을 경우에 재가공을 행하는 경우가 있다. 재가공 시, 무기 막이 규소 함유막인 경우, 이 규소 함유막을 박리하기 위하여, 황산 이온 및/또는 불소 이온을 함유하는 산성 박리액으로 처리하는 공정 후, 알칼리성 박리액으로 처리하는 습식 박리 방법(일본 특허 공개 제2010-139764호 공보 참조)이나, 불화물원과 암모늄염을 포함하는 습식 박리 조성물(일본 특허 공표 제2010-515107호 공보 참조), 고농도 불화수소수를 사용한 습식 박리나 건식 박리(일본 특허 공개 제2010-85912호 공보 참조) 등이 제안되어 있다. 그러나 상기 종래의 건식 박리나, 산성 박리액이나 불소 이온을 함유하는 액을 사용하는 습식 박리 방법에 있어서는, 기판이 큰 손상을 입는다는 문제가 있다. 또한 건식 에칭 후의 규소 함유막 또는 그의 잔사는 습식 박리성이 저하되는 경향이 있으며, 이의 개선도 요구되고 있다.
일본 특허 공개 제2010-139764호 공보 일본 특허 공표 제2010-515107호 공보 일본 특허 공개 제2010-85912호 공보
본 발명은 상술한 바와 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이며, 그의 목적은, 기판에 입히는 손상이 큰 산성 박리액이나 불소 화합물을 사용하지 않고, 또한 에칭 전후를 막론하고 규소 함유막을 제거할 수 있는 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 이루어진 발명은, 기판의 한쪽 면측에 레지스트 하층막을 형성하는 공정(이하, 「레지스트 하층막 형성 공정」이라고도 함), 상기 레지스트 하층막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 규소 함유막을 형성하는 공정(이하, 「규소 함유막 형성 공정」이라고도 함), 및 염기성 수용액에 의하여 상기 규소 함유막을 제거하는 공정(이하, 「규소 함유막 제거 공정」이라고도 함)을 갖는 패턴 형성 방법이다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 따르면, 기판에 입히는 손상이 큰 산성 박리액이나 불소 화합물을 사용하지 않고, 또한 에칭 전후를 막론하고 규소 함유막을 제거할 수 있다. 이것에 의하여, 규소 함유막을 다시 형성하여 재가공할 수 있다. 따라서 당해 패턴 형성 방법은, 앞으로 더욱 미세화가 진행될 것으로 예상되는 반도체 디바이스의 제조에 적용할 수 있다.
<패턴 형성 방법>
본 발명의 패턴 형성 방법은, 레지스트 하층막 형성 공정, 규소 함유막 형성 공정, 및 규소 함유막 제거 공정을 갖는다. 당해 패턴 형성 방법은, 통상, 상기 규소 함유막 형성 공정 후 및 상기 규소 함유막 제거 공정 전에, 상기 규소 함유막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 레지스트 패턴을 형성하는 공정(이하, 「레지스트 패턴 형성 공정」이라고도 함), 및 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 규소 함유막을 에칭하는 공정(이하, 「에칭 공정」이라고도 함)을 더 갖는다. 단, 상기 규소 함유막 형성 공정 후 및 상기 규소 함유막 제거 공정 전에, 상기 규소 함유막을, 산 또는 불소 화합물을 함유하는 처리액에 의하여 처리하는 공정을 갖지 않는다.
당해 패턴 형성 방법에 따르면, 염기성 수용액을 사용하므로, 기판에 입히는 손상이 큰 산성 박리액이나 불소 화합물을 사용하지 않고, 또한 에칭 전후를 막론하고 규소 함유막을 제거할 수 있다. 따라서 규소 함유막을 다시 형성하여 재가공할 수 있다. 이하, 각 공정에 대하여 설명한다.
[레지스트 하층막 형성 공정]
본 공정에서는, 기판의 한쪽 면측에 레지스트 하층막을 형성한다. 상기 기판으로서는, 예를 들어 산화실리콘, 질화실리콘, 산질화실리콘, 폴리실록산 등의 절연막, 및 시판품인 AMAT사의 「블랙 다이아몬드」, 다우 케미컬사의 「실크」, JSR사의 「LKD5109」 등의 저유전체 절연막으로 피복한 웨이퍼 등의 층간 절연막을 들 수 있다. 폴리실리콘이나, 폴리실리콘 중에 금속 성분을 주입한, 소위 메탈 게이트막 등도 포함된다. 또한 이 기판으로서는, 배선 홈(트렌치), 플러그 홈(비아) 등의 패턴화된 기판을 사용할 수도 있다.
상기 레지스트 하층막으로서는, 예를 들어 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 형성하는 유기 막, 종래 공지된 CVD(Chemical Vapor Deposition)법에 의하여 형성되는 탄소막 등을 들 수 있다. 레지스트 하층막 형성 조성물로서는 종래 공지된 것을 사용할 수 있으며, 예를 들어 JSR사의 NFC HM8005 등을 들 수 있다. 레지스트 하층막의 형성 방법으로서는, 기판 상에 도포함으로써 레지스트 하층막 형성 조성물의 도막을 형성하고, 이 도막을 가열 처리, 또는 자외광의 조사 및 가열 처리를 행함으로써 경화시킴으로써 형성할 수 있다. 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하는 방법으로서는, 예를 들어 스핀 코트법, 롤 코트법, 침지법 등을 들 수 있다. 또한 가열 온도의 하한으로서는 150℃가 바람직하고, 180℃가 보다 바람직하다. 가열 시간의 상한으로서는 500℃가 바람직하고, 350℃가 보다 바람직하다. 가열 시간의 하한으로서는 30초가 바람직하고, 45초가 보다 바람직하다. 가열 시간의 상한으로서는 1,200초가 바람직하고, 600초가 보다 바람직하다. 레지스트 하층막의 평균 두께의 하한으로서는 50㎚가 바람직하다. 상기 평균 두께의 상한으로서는 500㎚가 바람직하다.
또한 상기 기판 표면 또는 상기 레지스트 하층막 상에는, 이 레지스트 하층막과는 상이한 다른 하층막이 형성되어 있을 수도 있다. 이 외의 하층막은, 반사 방지 기능, 도포막 평탄성, CF4 등의 불소계 가스에 대한 고에칭 내성 등이 부여된 막이다. 이 외의 하층막으로서는, 예를 들어 JSR사의 NFC HM8005 등의 시판품을 사용하여 형성할 수 있다.
[규소 함유막 형성 공정]
본 공정에서는, 상기 레지스트 하층막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 규소 함유막을 형성한다. 규소 함유막은, 예를 들어 규소 함유막 형성 조성물 등을 상기 레지스트 하층막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 도포함으로써 형성된다. 규소 함유막 형성 조성물에 대해서는 후술한다. 규소 함유막 형성 조성물의 도포 방법으로서는, 예를 들어 회전 도포, 유연 도포, 롤 도포 등을 들 수 있다. 또한 형성되는 규소 함유막의 평균 두께의 하한으로서는 10㎚가 바람직하고, 20㎚가 보다 바람직하다. 상기 평균 두께의 상한으로서는 1,000㎚가 바람직하고, 500㎚가 보다 바람직하며, 300㎚가 더욱 바람직하다.
<규소 함유막 형성 조성물>
규소 함유막 형성 조성물은 [A] 폴리실록산 및 [B] 유기 용매를 함유한다. 또한 상기 규소 함유막 형성 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 적합 성분으로서 가교 촉진제 등의 기타 임의 성분을 함유할 수도 있다. 이하, 각 성분에 대하여 설명한다.
<[A] 폴리실록산>
[A] 폴리실록산으로서는 구조가 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하기 식 (2)로 표시되는 실란 화합물(이하, 「실란 화합물 (a)」라고도 함)을 포함하는 화합물의 가수분해 축합물이 바람직하다. 이러한 [A] 폴리실록산을 사용함으로써, 형성되는 레지스트 패턴의 패턴 도괴 내성을 향상시킬 수 있음과 함께, 얻어지는 규소 함유막을 후술하는 규소 함유막 제거 공정에 있어서 더 효과적으로 제거할 수 있다.
R1 aSiX4 - a (2)
상기 식 (2) 중, R1은 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시아노기, 시아노알킬기, 알킬카르보닐옥시기, 산 무수물기, 알케닐기, 아릴기 또는 아르알킬기이다. 이 알킬기는 불소 원자로 치환되어 있을 수도 있고, 아릴기 및 아르알킬기는 치환되어 있을 수도 있다. X는 할로겐 원자 또는 -OR2이다. R2는 1가의 유기 기이다. a는 0 내지 3의 정수이다. R1 및 X가 각각 복수인 경우, 복수의 R1은 동일할 수도, 상이할 수도 있고, 복수의 X는 동일할 수도, 상이할 수도 있다
상기 R1로 표시되는 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-펜틸기 등의 직쇄상의 알킬기;
이소프로필기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 이소아밀기 등의 분지쇄상의 알킬기 등을 들 수 있다.
상기 R1로 표시되는, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기로서는, 예를 들어 플루오로메틸기, 디플루오로메틸기, 트리플루오로메틸기, 플루오로에틸기, 디플루오로에틸기, 트리플루오로에틸기, 퍼플루오로에틸기, 퍼플루오로n-프로필기, 헥사플루오로-i-프로필기, 퍼플루오로부틸기 등을 들 수 있다.
상기 R1로 표시되는 시아노알킬기로서는, 예를 들어 시아노에틸기, 시아노프로필기 등을 들 수 있다.
상기 R1로 표시되는 알킬카르보닐옥시기로서는, 예를 들어 메틸카르보닐옥시기, 에틸카르보닐옥시기, 프로필카르보닐옥시기, 부틸카르보닐옥시기 등을 들 수 있다.
상기 R1로 표시되는 알케닐기로서는, 예를 들어 하기 식 (ⅰ-1)로 표시되는 기 등을 들 수 있다.
CH2=CH-(CH2)n-* (ⅰ-1)
상기 식 (ⅰ-1) 중, n은 0 내지 4의 정수이다. *는 결합손을 나타낸다.
상기 n으로서는, 바람직하게는 0 또는 1이고, 더욱 바람직하게는 0(비닐기)이다.
상기 R1로 표시되는 아릴기로서는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기, 메틸페닐 기, 에틸페닐기 등을 들 수 있다.
상기 R1로 표시되는 아르알킬기로서는, 예를 들어 벤질기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.
상기 아릴기 및 아르알킬기가 가질 수도 있는 치환기로서는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등의 할로겐 원자, 히드록실기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 아미노기, 치환 아미노기 등을 들 수 있다.
상기 X로 표시되는 할로겐 원자로서는, 예를 들어 불소 원자, 염소 원자 등을 들 수 있다.
상기 -OR2에 있어서의 R2로 표시되는 1가의 유기 기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기 등의 탄소수 1 내지 4의 알킬기 등을 들 수 있다.
상기 a로서는 0 내지 2의 정수가 바람직하다.
실란 화합물 (a)로서는, 방향환 함유 트리알콕시실란, 알킬트리알콕시실란, 알킬트리아릴옥시실란, 알케닐트리알콕시실란, 알킬트리할로게노실란, 산 무수물기 함유 트리알콕시실란 등의 3관능 실란 화합물, 테트라알콕시실란, 테트라아릴옥시실란, 테트라할로게노실란 등의 4관능 실란 화합물 등이 예시된다.
상기 방향환 함유 트리알콕시실란의 구체예로서는, 예를 들어 페닐트리메톡시실란, 벤질트리메톡시실란, 페네틸트리메톡시실란, 메틸페닐트리메톡시실란, 에틸페닐트리메톡시실란, 메톡시페닐트리메톡시실란, 페녹시페닐트리메톡시실란, 히드록시페닐트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 디메틸아미노페닐트리메톡시실란, 아세틸아미노페닐트리메톡시실란, 2,4,6-트리메틸페닐트리메톡시실란, 메틸벤질트리메톡시실란, 에틸벤질트리메톡시실란, 메톡시벤질트리메톡시실란, 페녹시벤질트리메톡시실란, 히드록시벤질트리메톡시실란, 아미노벤질트리메톡시실란, 디메틸아미노벤질트리메톡시실란, 아세틸아미노벤질트리메톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 알킬트리알콕시실란의 구체예로서는, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리스(디메틸실록시)실란, 메틸트리스(메톡시에톡시)실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 알케닐트리알콕시실란의 구체예로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 알릴트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
상기 산 무수물기 함유 트리알콕시실란의 구체예로서는, (트리메톡시실릴)에틸숙신산 무수물, (트리에톡시실릴)프로필숙신산 무수물 등을 들 수 있다.
상기 외의 3관능 실란 화합물의 구체예로서는, 메틸트리아세톡시실란, 메틸트리클로로실란, 에틸트리아세톡시실란, 에틸트리클로로실란, 메틸트리페녹시실란, 에틸트리페녹시실란, 비닐트리페녹시실란, 알릴트리페녹시실란 등을 들 수 있다.
상기 4관능 실란 화합물의 구체예로서는, 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 테트라-n-프로폭시실란, 테트라-iso-프로폭시실란, 테트라-n-부톡시실란, 테트라-sec-부톡시실란, 테트라-tert-부톡시실란 등의 테트라알콕시실란류;
테트라페녹시실란, 테트라클로로실란 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 규소 함유막의 박리성의 관점에서, 방향환을 갖는 실란 화합물 또는 산 무수물기를 갖는 실란 화합물이 바람직하고, 페닐트리알콕시실란 및 (트리에톡시실릴)프로필숙신산 무수물이 보다 바람직하다.
[A] 폴리실록산을 얻기 위한 실란 화합물로서는, 필요에 따라, 다른 실란 화합물로서, 헥사메톡시디실란, 헥사에톡시디실란, 헥사페녹시디실란, 1,1,1,2,2-펜타메톡시-2-메틸디실란, 1,1,1,2,2-펜타페녹시-2-페닐디실란, 1,1,2,2-테트라메톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라에톡시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2,2-테트라페녹시-1,2-디메틸디실란, 1,1,2-트리메톡시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리에톡시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,1,2-트리페녹시-1,2,2-트리메틸디실란, 1,2-디메톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디에톡시-1,1,2,2-테트라메틸디실란, 1,2-디페녹시-1,1,2,2-테트라메틸디실란 등의 디실란류;
비스(트리메톡시실릴)메탄, 비스(트리에톡시실릴)메탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-1-(트리메톡시실릴)메탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-1-(트리에톡시실릴)메탄, 비스(디메톡시메틸실릴)메탄, 비스(디에톡시메틸실릴)메탄, 비스(디메틸메톡시실릴)메탄, 비스(디메틸에톡시실릴)메탄, 1-(디메톡시메틸실릴)-2-(트리메틸실릴)에탄, 1-(디에톡시메틸실릴)-2-(트리메틸실릴)에탄 등의 비스실릴기 함유 실란류;
1,2-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,2-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리메톡시실릴)벤젠, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠 등의 디실란류;
폴리디메톡시메틸카르보실란, 폴리디에톡시메틸카르보실란 등의 폴리카르보실란 등을 들 수 있다. 이들 실란 화합물은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.
[A] 폴리실록산은 규소 함유막 형성 조성물에 1종만 함유되어 있을 수도 있고, 2종 이상 함유되어 있을 수도 있다.
[A] 폴리실록산의 겔 투과 크로마토그래피(GPC)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)의 하한으로서는 1,000이 바람직하고, 1,200이 보다 바람직하며, 1,500이 더욱 바람직하다. 상기 Mw의 상한으로서는 20,000이 바람직하고, 15,000이 보다 바람직하며, 7,000이 더욱 바람직하다. 또한 본 명세서에 있어서의 Mw는, 단분산 폴리스티렌을 표준 물질로서 사용한 겔 투과 크로마토그래피에 의하여 측정한 값이다. 구체적인 측정 조건에 대해서는 후술한다.
실란 화합물 (a) 및 필요에 따라 사용하는 다른 실란 화합물을 가수분해 축합하는 방법으로서는, 공지된 가수분해 축합의 방법을 이용할 수 있다.
[A] 폴리실록산의 함유량의 하한으로서는, 규소 함유막 형성 조성물의 전체 고형분에 대하여 70질량%가 바람직하고, 80질량%가 보다 바람직하며, 90질량%가 더욱 바람직하다.
<[B] 유기 용매>
상기 규소 함유막 형성 조성물은 [B] 유기 용매를 함유한다. [B] 유기 용매로서는, [A] 폴리실록산 및 후술하는 임의 성분을 용해 또는 분산시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
[B] 유기 용매로서는, 예를 들어 알코올계 용매, 케톤계 용매, 아미드계 용매, 에테르계 용매, 에스테르계 용매, 탄화수소계 용매, 및 그의 혼합 용매 등을 들 수 있다. 이들 용매는 단독 또는 2종 이상을 병용할 수 있다.
상기 알코올계 용매로서는, 예를 들어
4-메틸-2-펜탄올, n-헥산올 등의 탄소수 1 내지 18의 지방족 모노알코올계 용매;
시클로헥산올 등의 탄소수 3 내지 18의 지환식 모노알코올계 용매;
1,2-프로필렌글리콜 등의 탄소수 2 내지 18의 다가 알코올계 용매;
프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 탄소수 3 내지 19의 다가 알코올 부분 에테르계 용매 등을 들 수 있다.
상기 에테르계 용매로서는, 예를 들어
디에틸에테르, 디프로필에테르, 디부틸에테르, 디펜틸에테르, 디이소아밀에테르, 디헥실에테르, 디헵틸에테르 등의 디알킬에테르계 용매;
테트라히드로푸란, 테트라히드로피란 등의 환상 에테르계 용매;
디페닐에테르, 아니솔 등의 방향환 함유 에테르계 용매 등을 들 수 있다.
상기 케톤계 용매로서는, 예를 들어
아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케톤, 디에틸케톤, 메틸-iso-부틸케톤, 2-헵타논, 에틸-n-부틸케톤, 메틸-n-헥실케톤, 디-iso-부틸케톤, 트리메틸노나논 등의 쇄상 케톤계 용매:
시클로펜타논, 시클로헥사논, 시클로헵타논, 시클로옥타논, 메틸시클로헥사논 등의 환상케톤계 용매:
2,4-펜탄디온, 아세토닐아세톤, 아세토페논 등을 들 수 있다.
상기 아미드계 용매로서는, 예를 들어
N,N'-디메틸이미다졸리디논, N-메틸피롤리돈 등의 환상 아미드계 용매;
N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸프로피온아미드 등의 쇄상 아미드계 용매 등을 들 수 있다.
상기 에스테르계 용매로서는, 예를 들어
아세트산부틸, 락트산에틸, 아세트산부톡시메틸 등의 모노카르복실산에스테르계 용매;
프로필렌글리콜아세테이트 등의 다가 알코올 카르복실레이트계 용매;
프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 등의 다가 알코올 부분 에테르카르복실레이트계 용매;
옥살산디에틸 등의 다가 카르복실산디에스테르계 용매;
디메틸카르보네이트, 디에틸카르보네이트, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트 등의 카르보네이트계 용매 등을 들 수 있다.
상기 탄화수소계 용매로서는, 예를 들어
n-펜탄, n-헥산 등의 탄소수 5 내지 12의 지방족 탄화수소계 용매;
톨루엔, 크실렌 등의 탄소수 6 내지 16의 방향족 탄화수소계 용매 등을 들 수 있다.
이들 [B] 유기 용매 중, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 바람직하다.
<임의 성분>
(가교 촉진제)
가교 촉진제는, 상기 규소 함유막 형성 조성물로 규소 함유막을 형성할 때 등에, [A] 폴리실록산의 분자쇄 간 또는 분자쇄 중에 있어서의 가교 반응을 촉진할 수 있는 화합물이다. 가교 촉진제로서는, 상기 성질을 갖는 한 특별히 한정되지 않으며, 종래 공지된 것을 사용할 수 있는데, 예를 들어 산, 염기, 금속 착체, 금속염 화합물, 오늄염 화합물 등을 들 수 있다. 가교 촉진제는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 규소 함유막 형성 조성물은 상기 성분 이외에도, 임의 성분으로서 산 발생제, 염기 발생제, 계면 활성제, β-디케톤, 콜로이드상 실리카, 콜로이드상 알루미나, 유기 중합체 등을 더 함유할 수도 있다.
<규소 함유막 형성 조성물의 조제 방법>
상기 규소 함유막 형성 조성물은, 예를 들어 [A] 폴리실록산, [B] 유기 용매, 및 필요에 따라 임의 성분을 혼합하고, [B] 유기 용매에 용해 또는 분산시켜 얻어진다. 상기 규소 함유막 형성 조성물의 고형분 농도의 하한으로서는 0.5질량%가 바람직하고, 1질량%가 보다 바람직하다. 상기 규소 함유막 형성 조성물의 고형분 농도의 상한으로서는 20질량%가 바람직하고, 15질량%가 보다 바람직하며, 10질량%가 더욱 바람직하다.
상기 규소 함유막의 순수에 대한 접촉각의 하한으로서는 40°가 바람직하고, 45°가 특히 바람직하다. 상기 접촉각의 상한으로서는 80°가 바람직하고, 75°가 특히 바람직하다. 또한 본 명세서에 있어서는, 특별히 언급하지 않는 한 접촉각은 25℃에서의 측정값을 가리킨다. 규소 함유막의 접촉각을 상기 범위로 함으로써, 후술하는 규소 함유막 제거 공정에서의 염기성 수용액의 번짐성이나, 통상, 규소 함유막 상에 형성되는 레지스트 패턴의 밀착성을 양호하게 할 수 있다.
상기 규소 함유막은, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물을 전체 규소 화합물 중 60몰% 이상 포함하는 조성물의 가수분해 축합물로 형성되는 것이 바람직하다.
SiX4 (1)
상기 식 (1) 중, X는 할로겐 원자 또는 -OR2이다. R2는 1가의 유기 기이다.
즉, 상기 규소 함유막은, 4관능 실란 단량체를 60몰% 이상 포함하는 화합물의 가수분해 축합물로 형성되는 것이 바람직하다. 또한 본 명세서에 있어서 4관능 실란 단량체란, 규소 원자 상에 가수분해성의 기를 4개 갖고 있는 것을 말한다. 가수분해성기로서는, 알콕시기, 아릴옥시기, 할로게노기 등을 들 수 있다. 마찬가지로, 3관능 실란 단량체나 2관능 실란 단량체 등에 대해서도 이에 준한다.
상기 규소 함유막 형성 조성물을 도포한 후, 필요에 따라, 프리베이크(PB)에 의하여 도막 중의 용매를 휘발시킬 수도 있다. PB 온도로서는 상기 조성물의 배합 조성에 따라 적절히 선택되지만, 그의 하한으로서는 50℃가 바람직하다. PB 온도의 상한으로서는 450℃가 바람직하다. PB 시간의 하한으로서는 5초가 바람직하다. PB 시간의 상한으로서는 600초가 바람직하다.
[규소 함유막 제거 공정]
본 공정에서는, 염기성 수용액에 의하여 상기 규소 함유막을 제거한다. 상기 규소 함유막 제거 공정은 100℃ 미만에서 행해지는 것이 바람직하다. 본 공정의 규소 함유막의 제거는, 예를 들어 가온한 염기성 수용액에, 규소 함유막이 형성된 기판을 침지시켜 처리함으로써, 행할 수 있다. 염기성 수용액의 온도 하한으로서는 30℃가 바람직하고, 40℃가 보다 바람직하며, 50℃가 더욱 바람직하다. 상기 온도의 상한으로서는 100℃가 바람직하고, 95℃가 보다 바람직하고, 90℃가 더욱 바람직하다. 침지 시간의 하한으로서는 1초가 바람직하고, 10초가 보다 바람직하다. 침지 시간의 상한으로서는 1시간이 바람직하고, 30분이 보다 바람직하다. 그 후, 순수 린스 등을 행하여, 사용한 염기성 수용액을 제거한다.
상기 염기성 수용액으로서는, 예를 들어 암모니아, 유기 아민 및 테트라알킬암모늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 질소 화합물을 함유하는 수용액 등을 들 수 있으며, 구체적으로는, 암모니아, 메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드 등의 질소 화합물의 수용액 등을 들 수 있다. 상기 염기성 수용액으로서는, 불화수소 및 그의 염, 그리고 불소 화합물의 염을 어느 것도 포함하지 않는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 염기성 수용액에 있어서의 물의 함유량의 하한으로서는 40질량%가 바람직하고, 60질량%가 보다 바람직하며, 80질량%가 더욱 바람직하다.
이들 염기성 수용액의 농도 하한으로서는 0.1질량%가 바람직하고, 0.5질량%가 보다 바람직하다. 상기 농도의 상한으로서는 40질량%가 바람직하고, 30질량%가 보다 바람직하다.
또한 상기 염기성 수용액은 과산화수소를 더 함유함으로써 규소 함유막의 제거성이 더욱 향상되기 때문에 바람직하다. 과산화수소의 함유 비율로서는, 염기성 수용액 중의 질소 화합물에 대한 과산화수소의 질량비의 하한으로서는 1/500이 바람직하다. 상기 질량비의 상한으로서는 500이 바람직하다.
상기 염기성 수용액으로서는, 암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합에 의하여 얻어지는 액이 바람직하다. 이 액은 암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합에 의하여 얻어지는 것이면 되며, 암모니아와 과산화수소의 반응 등에 의하여 암모니아 및/또는 과산화수소가 검출되지 않는 것도 포함된다. 즉, 암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합에 의하여 얻어지는 액으로서는, 암모니아 및 과산화수소 또는 암모니아와 과산화수소의 반응 생성물, 그리고 물을 포함하는 액이 바람직하며, 그의 구체예로서는,
암모니아, 과산화수소 및 물을 포함하는 액;
암모니아와 과산화수소의 반응 생성물, 암모니아 및 물을 포함하는 액;
암모니아와 과산화수소의 반응 생성물, 과산화수소 및 물을 포함하는 액;
암모니아와 과산화수소의 반응 생성물 및 물을 포함하는 액 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합에 의하여 얻어지는 액으로서는, 암모니아, 과산화수소 및 물을 포함하는 액이 바람직하다.
본 공정은, 후술하는 [레지스트 패턴 형성 공정] 후에 행함으로써, 적절히 패터닝되지 않은 레지스트막을, 규소 함유막을 제거함으로써 규소 함유막과 함께 박리할 수 있어, 규소 함유막과 레지스트막을 다시 형성하는 등의 재가공이 가능해진다. 또한 본 공정은, 후술하는 [에칭 공정]에서 규소 함유막에 패턴을 형성한 후에 행할 수도 있다. 이것에 의하여, 적절히 패터닝되지 않은 규소 함유막 등을 상술한 규소 함유막 제거 공정에 의하여 박리할 수 있기 때문에, 규소 함유막과 레지스트막을 다시 형성하는 등의 재가공이 가능해진다. 또한 본 공정은, 후술하는 [에칭 공정]에서 레지스트 하층막에 패턴을 형성한 후에 행할 수도 있고, 기판에 패턴을 형성한 후에 행할 수도 있다.
[레지스트 패턴 형성 공정]
본 공정에서는, [규소 함유막 형성 공정]에서 형성한 규소 함유막 상에 레지스트 패턴을 형성한다. 본 공정에 있어서 레지스트 패턴을 형성하는 방법으로서는, 예를 들어 레지스트 조성물을 사용하는 방법, 나노임프린트 리소그래피법을 이용하는 방법 등의 종래 공지된 방법으로 형성할 수 있다.
[에칭 공정]
본 공정에서는, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 규소 함유막을 에칭하여, 실리콘 함유막에 패턴을 형성한다. 당해 패턴 형성 방법에 따르면, 에칭 후에도, 적절히 패터닝되지 않은 레지스트막 및 규소 함유막을 상술한 규소 함유막 제거 공정에 의하여 박리할 수 있기 때문에, 규소 함유막과 레지스트막을 다시 형성하여 패턴 형성할 수 있다.
본 공정에서는, 레지스트 하층막을 더 에칭하여 레지스트 하층막에 패턴을 형성하는 공정을 가질 수도 있다. 그 후, 상술한 규소 함유막 제거 공정에 있어서 규소 함유막이 제거되므로, 패터닝된 레지스트 하층막을 갖는 기판을 얻을 수 있으며, 이를 사용하여 기판에 패턴을 형성할 수 있다.
본 공정에서는, 기판을 더 에칭하는 공정을 가질 수도 있다.
상기 에칭으로서는 1회 또는 복수 회의 건식 에칭이 적절히 이용된다. 건식 에칭은 공지된 건식 에칭 장치를 사용하여 행할 수 있다. 또한 건식 에칭 시의 소스 가스로서는, 피에칭물의 원소 조성에 따라 상이하지만, O2, CO, CO2 등의 산소 원자를 포함하는 가스, He, N2, Ar 등의 불활성 가스, Cl2, BCl3 등의 염소계 가스, CHF3, CF4 등의 불소계 가스, H2, NH3의 가스 등을 사용할 수 있다. 또한 이들 가스는 혼합하여 사용할 수도 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 각종 물성값의 측정 방법을 이하에 나타낸다.
[[A] 화합물의 구조 확인]
[A] 화합물의 구조는, MALDI-TOF-MS(시마즈 세이사쿠쇼사의 「시마즈/크라토스(SHIMAZU/KRATOS) 매트릭스 지원 레이저 이온화 비행 시간형 질량 분석 장치 KOMPACT MALDI Ⅳ tDE」)에 의하여 분자량을, FT-IR(니혼 분코사의 「420형」)에 의하여 적외선 흡수 스펙트럼(IR)을, 핵자기 공명 장치(니혼 덴시사의 「JNM-ECA-500형」)(측정 용매: DMSO-d6)에 의하여 1H-NMR 스펙트럼을 각각 측정함으로써, 확인하였다.
[중량 평균 분자량(Mw)]
중량 평균 분자량(Mw)은, 단분산 폴리스티렌을 표준으로 하는 겔 투과 크로마토그래프에 의하여 측정하였다. GPC 칼럼으로서 도소사의 「G2000HXL」: 2개 및 「G3000HXL: 1개」를, 검출기로서 시차 굴절계를, 용리액으로서 테트라히드로푸란을 사용하였다. 유량 1.0mL/분, 칼럼 온도는 40℃로 하였다.
<화합물의 합성>
[합성예 1]((A-1)의 합성)
1,000mL의 3구 가지형 플라스크에 부틸아크릴레이트 13.28g과 메틸이소부틸케톤(MIBK) 75g을 첨가하였다. 별도 적하조를 설치하고, 거기에 2-비닐나프탈렌 54.22g, 비닐벤질알코올 32.50g 및 라디칼 중합 개시제(와코 준야쿠 고교사의 「V-601」) 11.91g을 MIBK 75g에 용해시켰다. 솥 온도 80℃에서 3시간에 걸쳐 적하하고, 그 후 3시간 숙성 후, 플라스크 솥을 용액 온도가 실온이 되기까지 냉각하였다. 그 후, 용액을 5배 질량의 헵탄에 적하하고 여과 후, 백색의 분체인 화합물 (A-1) 50.5g을 얻었다.
[합성예 2]((A-2)의 합성)
1,000mL의 3구 가지형 플라스크에 레조르시놀 35g, 아세트알데히드 39g 및 에탄올 450g을 투입하고, 질소 분위기 하에서 실온에서 용해시켰다. 얻어진 용액에, 용액 온도 40℃에서 농염산 95.6g을 1시간에 걸쳐 적하하고, 용액 온도를 80℃로 하여 11시간 숙성시켰다. 숙성 후, 플라스크 솥을 용액 온도가 실온이 되기까지 냉각하였다. 그 후, 석출되어 온 적갈색의 고형물을, 여과로 에탄올 용액을 제거함으로써 회수하였다. 메탄올/물 혼합 용액(각 300g)을 사용하여 방류식 세정을 행하고 60℃에서 밤새 감압 건조하여, 말단기가 히드록시기인 갈색의 고형물 45.6g을 얻었다. 1H-NMR로 목적으로 하는 전구체 Y가 얻어져 있음을 확인하였다.
다음으로, 500mL의 둥근 바닥 플라스크를 사용하여, 질소 분위기 하에서 N,N-디메틸아세트아미드 200mL에, 상기 얻어진 전구체 Y 10.0g을 자기 교반 막대에 의하여 교반하면서 용해시켰다. 교반 하에서, 얻어진 용액에 클로로메틸스티렌을 20.0g 첨가 후, 탄산칼륨 28.4g을 더 추가하고 80℃에서 18시간 반응을 행하였다. 반응 종료 후, 이 반응 용액을, 아세트산 14mL를 첨가한 물 2L에 첨가하였다. 상청액을 제거하고 남은 고점성물을 최소량의 아세톤에 용해시키고, 500mL의 물에 투입하여 재침전을 행하였다. 얻어진 고점성물을 65℃에서 밤새 감압 건조하여, 황토색의 고체인 중합체 (A-2) 10.5g을 얻었다.
[합성예 3]((A-3)의 합성)
10질량% 옥살산 23.87g과 물 14.34g을 혼합하여 옥살산 수용액을 조제하였다. 그 후, 테트라에톡시실란 55.24g, 페닐트리메톡시실란 7.01g, 3-(트리에톡시실릴)프로필숙신산 무수물 16.14g 및 메탄올 33.39g을 넣은 플라스크에, 냉각관과, 상기 조제한 옥살산 수용액을 넣은 적하 깔때기를 세팅하였다. 이어서, 오일 배스에서 60℃로 가열한 후, 옥살산 수용액을 천천히 적하하고 60℃에서 4시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 용액이 든 플라스크를 방냉하고 난 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 치환하고, 증발기에 세팅하여 메탄올을 제거하여, 수지 용액 473g을 얻었다. 이 수지 용액 중에 있어서의 고형분을 폴리실록산 (A-3)으로 한다. 얻어진 수지 용액 중의 고형분의 함유 비율은, 소성법에 의하여 측정한 결과, 7.5질량%였다. 또한 폴리실록산 (A-3)의 Mw는 2,000이었다.
[합성예 4]((A-4)의 합성)
10질량% 옥살산 31.10g과 물 9.35g을 혼합하여 옥살산 수용액을 조제하였다. 그 후, 테트라에톡시실란 64.07g, 메틸트리메톡시실란 12.89g, 페닐트리메톡시실란 14.07g 및 메탄올 68.53g을 넣은 플라스크에, 냉각관과, 상기 조제한 옥살산 수용액을 넣은 적하 깔때기를 세팅하였다. 이어서, 오일 배스에서 60℃로 가열한 후, 옥살산 수용액을 천천히 적하하고 60℃에서 4시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응 용액이 든 플라스크를 방냉하고 난 후 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 치환하고, 증발기에 세팅하여 메탄올을 제거하여, 수지 용액 262g을 얻었다. 이 수지 용액 중에 있어서의 고형분을 폴리실록산 (A-4)로 한다. 얻어진 수지 용액 중의 고형분의 함유 비율은, 소성법에 의하여 측정한 결과, 7.5질량%였다. 또한 폴리실록산 (A-4)의 Mw는 1,800이었다.
[합성예 5]((A-5)의 합성)
메탄올 200g, 이온 교환수 200g 및 35질량% 염산 1g을 1,000mL 유리 플라스크에 투입하고, 테트라에톡시실란 50g, 메틸트리메톡시실란 100g 및 페닐트리메톡시실란 10g의 혼합물을 실온에서 첨가하였다. 그대로 8시간 실온에서 가수분해 축합시킨 후, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 300mL를 첨가하고 감압으로 농축하여 수지 용액 300g(중합체 농도 21질량%)을 얻었다. 이 수지 용액 중에 있어서의 고형분을 폴리실록산 (A-5)로 한다. 또한 폴리실록산 (A-5)의 Mw는 2,000이었다.
[합성예 6]((A-6)의 합성)
메탄올 200g, 이온 교환수 200g 및 35질량% 염산 1g을 1,000mL 유리 플라스크에 투입하고, 메틸트리메톡시실란100g 및 페닐트리메톡시실란 20g의 혼합물을 실온에서 첨가하였다. 그대로 8시간 실온에서 가수분해 축합시킨 후, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 300mL를 첨가하고 감압으로 농축하여 수지 용액 300g(중합체 농도 19질량%)을 얻었다. 이 수지 용액 중에 있어서의 고형분을 폴리실록산 (A-6)으로 한다. 또한 폴리실록산 (A-6)의 Mw는 3,000이었다.
[합성예 7]((A-7)의 합성)
이온 교환수 260g, 65질량% 질산 5g, 테트라메톡시실란 70g, 메틸트리메톡시실란 70g 및 페닐트리메톡시실란 10g의 혼합물을 실온에서 첨가하였다. 그대로 8시간 실온에서 가수분해 축합시킨 후, 부탄디올모노메틸에테르 300mL를 첨가하고 감압으로 농축하여 수지 용액 300g(중합체 농도 20질량%)을 얻었다. 이 수지 용액 중에 있어서의 고형분을 폴리실록산 (A-7)로 한다. 또한 폴리실록산 (A-7)의 Mw는 2,500이었다.
<조성물의 조제>
레지스트 하층막 형성용 조성물 또는 규소 함유막 형성용 조성물의 조제에 사용한 각 성분에 대하여 이하에 나타낸다.
[[B] 유기 용매]
B-1: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
B-2: 프로필렌글리콜모노에틸에테르
B-3: 부탄디올모노메틸에테르
[[D] 산 발생제]
D-1: 비스(4-t-부틸페닐)요오도늄노나플루오로n-부탄술포네이트(하기 식 (D-1)로 표시되는 화합물)
Figure 112016091262180-pct00001
[[E] 가교제]
E-1: 1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리콜우릴(하기 식 (E-1)로 표시되는 화합물)
Figure 112016091262180-pct00002
[합성예 8](레지스트 하층막 형성용 조성물 (U-1)의 조제)
합성예 1에서 얻어진 (A-1) 5질량부를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(유기 용매 (B-1)) 95질량부에 용해시켜 혼합 용액을 얻었다. 그 후, 이 혼합 용액을 구멍 직경 0.1㎛의 멤브레인 필터로 여과하여 레지스트 하층막 형성용 조성물 (U-1)을 조제하였다.
[합성예 9](레지스트 하층막 형성용 조성물 (U-2)의 조제)
하기 표 1에 기재된 종류 및 함유량의 성분을 사용한 것 이외에는 합성예 8과 마찬가지로 하여 레지스트 하층막 형성용 조성물 (U-2)를 조제하였다. 또한 표 1 중의 「-」는 해당하는 성분을 사용하지 않았음을 나타낸다.
[합성예 10](규소 함유막 형성용 조성물 (U-3)의 조제)
합성예 3에서 얻어진 (A-3) 2질량부를 프로필렌글리콜모노에틸에테르(유기 용매 (B-2)) 98질량부에 용해시켜 혼합 용액을 얻었다. 그 후, 이 혼합 용액을 구멍 직경 0.1㎛의 멤브레인 필터로 여과하여 규소 함유막 형성용 조성물 (U-3)을 조제하였다.
[합성예 11 내지 14](규소 함유막 형성용 조성물 (U-4) 내지 (U-7)의 조제)
하기 표 1에 기재된 종류 및 함유량의 성분을 사용한 것 이외에는 합성예 10과 마찬가지로 하여 규소 함유막 형성용 조성물 (U-4) 내지 (U-7)을 조제하였다. 또한 표 1 중의 「-」는 해당하는 성분을 사용하지 않았음을 나타낸다.
Figure 112016091262180-pct00003
<레지스트 하층막 및 규소 함유막의 형성>
[실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 3]
상기 조제한 각 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 각 규소 함유막 형성용 조성물을 실리콘 웨이퍼(기판) 상에 스핀 코트법에 의하여 도포하였다. 그 후, 대기 분위기 하에서, 표 2에 기재된 베이크 조건에서 각각 「레지스트 하층막 및 규소 함유막을 갖는 기판」을 각각 얻었다.
Figure 112016091262180-pct00004
<평가>
상기 얻어진 각 기판을 사용하여, 하기 항목에 대하여 하기 방법으로 평가를 행하였다. 평가 결과를 표 3에 나타낸다.
[접촉각(°)]
상기 얻어진 각 기판의 규소 함유막의 순수에 대한 접촉각을 25℃에서 측정하였다.
[용매 내성]
상기 얻어진 각 기판을 시클로헥사논(실온)에 10초 간 침지시켰다. 침지 전후의 막의 평균 두께를 분광 엘립소미터(KLA-TENCOR사의 「UV1280E」)를 사용하여 측정하고, 측정값으로부터 막 두께 변화율을 산출하였다. 막 두께 변화율은 하기 식 (a)로부터 구하였다.
막 두께 변화율(%)=100×(침지 후의 막의 평균 두께와 침지 전의 막의 평균 두께의 차의 절댓값)/(침지 전의 막의 평균 두께) (a)
용매 내성은, 막 두께 변화율이 1% 미만인 경우에는 「A」(양호)로, 1% 이상인 경우에는 「B」(불량)로 평가하였다.
[TMAH 현상액 내성]
상기 얻어진 각 기판을 2.38질량% TMAH 현상액(실온)에 60초 간 침지시켰다. 침지 전후의 막의 평균 두께를 분광 엘립소미터(KLA-TENCOR사의 「UV1280E」)를 사용하여 측정하고, 측정값으로부터 막 두께 변화율을 산출하였다. 막 두께 변화율은 상기 식 (a)로부터 구하였다. 용매 내성은, 막 두께 변화율이 1% 미만인 경우에는 「A」(양호)로, 1% 이상인 경우에는 「B」(불량)로 평가하였다.
[고온 TMAH 현상액 용해성]
상기 얻어진 각 기판을, 80℃로 가온한 2.38질량% TMAH 현상액에 5분 간 침지시켰다. 침지 전후의 기판을 단면 SEM으로 관찰하여, 하층만 잔존하고 있는 경우에는 「A」(양호)로, 규소 함유막이 잔존하고 있는 경우에는 「B」(불량)로 평가하였다.
[알칼리성 박리액 용해성]
상기 얻어진 각 기판을, 65℃로 가온한 알칼리성 박리액 A(25질량% 암모니아 수용액/30질량% 과산화수소수 용액/물=1/1/5(체적비) 혼합 수용액)에 5분 간 침지시켰다. 침지 전후의 기판을 단면 SEM으로 관찰하여, 하층만 잔존하고 있는 경우에는 「A」(양호)로, 규소 함유막이 잔존하고 있는 경우에는 「B」(불량)로 평가하였다.
Figure 112016091262180-pct00005
표 3의 결과로부터 나타낸 바와 같이, 본 발명의 패턴 형성 방법에 따르면, 기판에 입히는 손상이 큰 산성 박리액이나 불소 화합물을 사용하지 않고, TMAH 현상액, 암모니아 수용액을 성분으로 하는 염기성 수용액에 의하여 규소 함유막을 제거할 수 있다.
본 발명의 패턴 형성 방법에 따르면, 기판에 입히는 손상이 큰 산성 박리액이나 불소 화합물을 사용하지 않고, 또한 에칭 전후를 막론하고 규소 함유막을 제거할 수 있다. 이것에 의하여, 규소 함유막을 다시 형성하여 재가공할 수 있다. 따라서 당해 패턴 형성 방법은, 앞으로 더욱 미세화가 진행될 것으로 예상되는 반도체 디바이스의 제조에 적용할 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판의 한쪽 면측에 레지스트 하층막을 형성하는 공정,
    상기 레지스트 하층막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 규소 함유막을 형성하는 공정, 및
    염기성 수용액에 의하여 상기 규소 함유막을 제거하는 공정
    을 갖고,
    상기 규소 함유막 형성 공정 후 및 상기 규소 함유막 제거 공정 전에, 상기 규소 함유막을, 산 또는 불소 화합물을 함유하는 처리액에 의하여 처리하는 공정을 갖지 않고,
    상기 규소 함유막이, 하기 식 (1)로 표시되는 화합물을 전체 규소 화합물 중 60몰% 이상 포함하는 조성물의 가수분해 축합물로 형성되는 것인 패턴 형성 방법.
    SiX4 (1)
    (식 (1) 중, X는 할로겐 원자 또는 -OR2이다. R2는 1가의 유기 기이다)
  2. 제1항에 있어서, 상기 염기성 수용액이, 테트라알킬암모늄히드록시드 및 물을 포함하는 액, 또는 암모니아, 과산화수소 및 물의 혼합에 의하여 얻어지는 액인 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 염기성 수용액이 불화수소 및 그의 염, 그리고 불소 화합물의 염을 어느 것도 포함하지 않는 것인 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 규소 함유막 제거 공정이 100℃ 미만에서 행해지는 것인 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 규소 함유막 형성 공정 후 및 상기 규소 함유막 제거 공정 전에,
    상기 규소 함유막에 있어서의 상기 기판과는 반대의 면측에 레지스트 패턴을 형성하는 공정, 및
    상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 규소 함유막을 에칭하는 공정
    를 더 갖는 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 규소 함유막이,
    하기 식 (2)로 표시되는 화합물을 포함하는 실란 화합물의 가수분해 축합물, 및
    유기 용매
    를 함유하는 조성물에 의하여 형성되는 것인 패턴 형성 방법.
    R1 aSiX4-a (2)
    (식 (2) 중, R1은 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 5의 알킬기, 시아노기, 시아노알킬기, 알킬카르보닐옥시기, 산 무수물기, 알케닐기, 아릴기 또는 아르알킬기이다. 이 알킬기는 불소 원자로 치환되어 있을 수도 있고, 상기 아릴기 및 아르알킬기는 치환되어 있을 수도 있다. X는 할로겐 원자 또는 -OR2이다. R2는 1가의 유기 기이다. a는 0 내지 3의 정수이다. R1 및 X가 각각 복수인 경우, 복수의 R1은 동일할 수도, 상이할 수도 있고, 복수의 X는 동일할 수도, 상이할 수도 있다)
  7. 제6항에 있어서, 상기 실란 화합물이 방향환을 갖는 것인 패턴 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 실란 화합물이 산 무수물기를 갖는 것인 패턴 형성 방법.
  9. 삭제
KR1020167025936A 2014-03-24 2015-03-04 패턴 형성 방법 KR102388290B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-060959 2014-03-24
JP2014060959 2014-03-24
PCT/JP2015/056437 WO2015146524A1 (ja) 2014-03-24 2015-03-04 パターン形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160135216A KR20160135216A (ko) 2016-11-25
KR102388290B1 true KR102388290B1 (ko) 2022-04-20

Family

ID=54195054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167025936A KR102388290B1 (ko) 2014-03-24 2015-03-04 패턴 형성 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10234762B2 (ko)
JP (1) JP6477687B2 (ko)
KR (1) KR102388290B1 (ko)
TW (1) TWI654489B (ko)
WO (1) WO2015146524A1 (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6565649B2 (ja) * 2015-11-06 2019-08-28 Jsr株式会社 ケイ素含有膜除去方法
CN106024893B (zh) * 2016-05-30 2019-03-19 上海华力微电子有限公司 高k金属栅器件及其制备方法
CN108946656A (zh) * 2017-05-25 2018-12-07 联华电子股份有限公司 半导体制作工艺
US11042090B2 (en) 2017-08-04 2021-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Composition for forming organic film
US10514605B2 (en) 2017-08-04 2019-12-24 International Business Machines Corporation Resist multilayer film-attached substrate and patterning process
JP6810667B2 (ja) * 2017-08-08 2021-01-06 信越化学工業株式会社 洗浄溶剤及び半導体装置製造用基板の製造方法
WO2019049795A1 (ja) 2017-09-07 2019-03-14 Jsr株式会社 組成物、膜、膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法
KR102611256B1 (ko) * 2018-02-05 2023-12-08 제이에스알 가부시끼가이샤 반도체 리소그래피 프로세스용 막 형성 조성물, 규소 함유막 및 레지스트 패턴 형성 방법
US10780682B2 (en) * 2018-12-20 2020-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid adhesion composition, multi-layer structure and method of making said structure

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012043403A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 Jsr株式会社 パターン形成方法、レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物
JP2012511742A (ja) * 2008-12-10 2012-05-24 ダウ コーニング コーポレーション 湿式エッチング可能な反射防止膜
KR101993006B1 (ko) 2011-09-29 2019-06-25 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법 및 폴리실록산 조성물

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7238462B2 (en) 2002-11-27 2007-07-03 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Undercoating material for wiring, embedded material, and wiring formation method
US7326523B2 (en) * 2004-12-16 2008-02-05 International Business Machines Corporation Low refractive index polymers as underlayers for silicon-containing photoresists
JP2006208658A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd フォトレジスト組成物
US7375172B2 (en) * 2005-07-06 2008-05-20 International Business Machines Corporation Underlayer compositions containing heterocyclic aromatic structures
US8026201B2 (en) 2007-01-03 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Stripper for coating layer
JP2009175465A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd 平版印刷版
JP2009241300A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd プロセスレス感光性平版印刷版
JP5015892B2 (ja) 2008-10-02 2012-08-29 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜形成基板及びパターン形成方法
JP4790786B2 (ja) 2008-12-11 2011-10-12 信越化学工業株式会社 塗布型ケイ素含有膜の剥離方法
JP5612531B2 (ja) * 2010-04-30 2014-10-22 富士フイルム株式会社 平版印刷版用支持体、および平版印刷版原版
US8741553B2 (en) * 2010-12-28 2014-06-03 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aromatic hydrocarbon resin, underlayer film forming composition for lithography, and method for forming multilayer resist pattern
JP5874722B2 (ja) * 2011-02-28 2016-03-02 Jsr株式会社 パターン形成方法
KR102086405B1 (ko) * 2012-03-07 2020-03-09 제이에스알 가부시끼가이샤 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 패턴 형성 방법
WO2014038680A1 (ja) * 2012-09-10 2014-03-13 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物及びパターン形成方法
US9348228B2 (en) * 2013-01-03 2016-05-24 Globalfoundries Inc. Acid-strippable silicon-containing antireflective coating
JP6119668B2 (ja) * 2013-06-11 2017-04-26 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法
JP6215777B2 (ja) * 2013-06-27 2017-10-18 信越化学工業株式会社 塗布型ｂｐｓｇ膜形成用組成物、該組成物で膜を形成した基板、及び前記組成物を用いたパターン形成方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012511742A (ja) * 2008-12-10 2012-05-24 ダウ コーニング コーポレーション 湿式エッチング可能な反射防止膜
WO2012043403A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 Jsr株式会社 パターン形成方法、レジスト下層膜及びレジスト下層膜形成用組成物
KR101993006B1 (ko) 2011-09-29 2019-06-25 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법 및 폴리실록산 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
JP6477687B2 (ja) 2019-03-06
KR20160135216A (ko) 2016-11-25
US10234762B2 (en) 2019-03-19
TWI654489B (zh) 2019-03-21
WO2015146524A1 (ja) 2015-10-01
JPWO2015146524A1 (ja) 2017-04-13
TW201610590A (zh) 2016-03-16
US20170003592A1 (en) 2017-01-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102388290B1 (ko) 패턴 형성 방법
EP1520891B1 (en) Film forming composition, process for producing film forming composition, insulating film forming material, process for forming film, and silica-based film
JP2001354904A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
TWI431040B (zh) Organic silicon dioxide film and method for forming the same, composition for forming insulating film of semiconductor device and manufacturing method thereof, and wiring structure
KR20060053974A (ko) 실리카계 막 및 그의 형성 방법, 반도체 장치의 절연막형성용 조성물, 및 배선 구조체 및 반도체 장치
IL156231A (en) Preparations for the preparation of materials with low dielectric properties
KR102364126B1 (ko) 패턴 형성 방법, 수지 및 레지스트 하층막 형성 조성물
WO2012133597A1 (ja) 多層レジストプロセスパターン形成方法及び多層レジストプロセス用無機膜形成組成物
JP2009091582A (ja) 溶剤を含有する低誘電体材料を調製するための組成物
JP5970933B2 (ja) パターン形成方法
JP2002020689A (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4530113B2 (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2002129103A (ja) 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
JP4117439B2 (ja) 膜形成用組成物およびシリカ系膜
WO2007119554A1 (ja) ポリマーの製造方法、ポリマー、ポリマー膜形成用組成物、ポリマー膜の形成方法およびポリマー膜
JP2003041191A (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2003064305A (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2007262256A (ja) ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜
JP2015197596A (ja) ケイ素含有膜形成組成物及びパターン形成方法
JP4798329B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、およびその形成方法
JP4117436B2 (ja) 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP2006352118A (ja) 層間絶縁膜形成用組成物、層間絶縁膜の形成方法およびシリカ系層間絶縁膜
JP4483015B2 (ja) 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
JP4840547B2 (ja) 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の形成方法およびシリカ系膜
JP3994258B2 (ja) 形成用組成物の製造方法および膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right