JPWO2015025525A1 - 透明導電体 - Google Patents
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Abstract
Description
[1]透明基板と、前記透明基板の波長570nmの光の屈折率より、波長570nmの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、厚みが10nm以下である透明金属膜と、厚みが15nm以上であり、かつZnSを含む第二高屈折率層と、をこの順に含み、波長400〜1000nmの光の平均透過率が80%以上である、透明導電体。
[2]前記透明金属膜がスパッタ膜である、[1]に記載の透明導電体。
[3]前記第一高屈折率層は、厚みが15nm以上であり、かつZnSを含む、[1]または[2]に記載の透明導電体。
[4]前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、[1]〜[3]のいずれかに記載の透明導電体。
1−1)透明基板
透明導電体100に含まれる透明基板1は、各種表示デバイスの透明基板と同様でありうる。透明基板1は、ガラス基板や、セルロースエステル樹脂(例えば、トリアセチルセルロース、ジアセチルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース等)、ポリカーボネート樹脂(例えばパンライト、マルチロン(いずれも帝人社製))、シクロオレフィン樹脂(例えばゼオノア(日本ゼオン社製)、アートン(JSR社製)、アペル(三井化学社製))、アクリル樹脂(例えばポリメチルメタクリレート、「アクリライト(三菱レイヨン社製)、スミペックス(住友化学社製)」)、ポリイミド、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル(PPE)樹脂、ポリエステル樹脂(例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート)、ポリエーテルスルホン、ABS/AS樹脂、MBS樹脂、ポリスチレン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール/EVOH(エチレンビニルアルコール樹脂)、スチレン系ブロックコポリマー樹脂等からなる透明樹脂フィルムでありうる。透明基板1が透明樹脂フィルムである場合、当該フィルムには2種以上の樹脂が含まれてもよい。
第一高屈折率層2は、透明導電体100の導通領域a、つまり透明金属膜3が成膜されている領域の光透過性(光学アドミッタンス)を調整する層である。したがって、第一高屈折率層2は、透明導電体100の導通領域aに形成される。第一高屈折率層2は、透明導電体100の絶縁領域bにも形成されていてもよいが、後述するように、導通領域a及び絶縁領域bからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域aのみに形成されていることが好ましい。
透明金属膜3は、透明導電体100において電気を導通させるための膜である。透明金属膜3は、前述のように、透明基板1の全面に形成されていてもよく、また所望の形状にパターニングされていてもよい。
(i)ガラス基板上に、白金パラジウムをマグネトロンスパッタ装置にて0.1nm成膜する。白金パラジウムの平均厚みは、スパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度等から算出する。その後、白金パラジウムが付着した基板上にスパッタ法にて金属からなる膜を20nm成膜する。
第二高屈折率層4は、透明導電体100の導通領域a、つまり透明金属膜3が成膜されている領域の光透過性(光学アドミッタンス)を調整し、かつ透明金属膜3を外部の水分等から保護するための層である。したがって、第二高屈折率層4は、透明導電体100の導通領域aに形成される。第二高屈折率層4は、透明導電体100の絶縁領域bに形成されてもよいが、後述するように、導通領域a及び絶縁領域bからなるパターンを視認され難くするとの観点から、導通領域aのみに形成されていることが好ましい。
前述のように、第一高屈折率層2と透明金属膜3との間に、透明金属膜3の成膜時に成長核となる下地層が含まれてもよい。下地層は、少なくとも透明導電体100の導通領域aに成膜されていることが好ましく、透明導電体100の絶縁領域bに成膜されていてもよい。
前述のように、本発明の透明導電体100には、第二高屈折率層4上に、透明導電体100の導通領域aの光透過性(光学アドミッタンス)を調整する低屈折率層が含まれてもよい。低屈折率層は、透明導電体100の導通領域aにのみ成膜されていてもよく、透明導電体100の導通領域a及び絶縁領域bの両方に成膜されていてもよい。
前述のように、本発明の透明導電体100には、低屈折率層上にさらに、透明導電体100の導通領域aの光透過性(光学アドミッタンス)を調整する第三高屈折率層が含まれてもよい。第三高屈折率層は、透明導電体100の導通領域aにのみ成膜されていてもよく、透明導電体100の導通領域a及び絶縁領域bの両方に成膜されていてもよい。
本発明の透明導電体100では、透明金属膜3が、第一高屈折率層2及び第二高屈折率層4に挟み込まれている。その結果、透明金属膜3が含まれる領域;つまり導通領域aの表面の反射が抑制され、導通領域aの光の透過性が高まる。その理由を以下に説明する。
本発明の透明導電体100の波長400〜1000nmの光の平均透過率は80%以上であり、好ましくは83%以上、さらに好ましくは85%以上である。なお、透明金属膜3がパターニングされており、透明導電体100に導通領域a及び絶縁領域bが含まれる場合、いずれの領域においても、上記平均透過率は80%以上である。波長400〜1000nmの光の平均透過率が80%以上であると、広い波長範囲の光に対して透明性が要求される用途、例えば太陽電池用の透明導電膜等にも透明導電体100を適用することができる。
前述の透明導電体100は、液晶、プラズマ、有機エレクトロルミネッセンス、フィールドエミッションなど各種方式のディスプレイをはじめ、タッチパネルや携帯電話、電子ペーパー、各種太陽電池、各種エレクトロルミネッセンス調光素子など様々なオプトエレクトロニクスデバイスの基板等に好ましく用いることができる。
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、下記の方法で、第一高屈折率層(41nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(8.2nm)/第二高屈折率層(41nm)を順に積層した。その後、当該積層体を下記の方法でパターニングした。各層の厚みは、J.A.Woollam Co.Inc.製のVB−250型VASEエリプソメーターで測定した。ただし、下地層の平均厚みはスパッタ装置のメーカー公称値の成膜速度から算出した。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図4Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図4Bに示す。
前記透明基板上に、大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ar 20sccm、スパッタ圧0.1Pa、室温下、ターゲット側電力150W、成膜レート3.8Å/sでZnSをRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は90mmであった。このとき、スパッタ装置内には、酸素を導入しなかった。ZnSの波長570nmの光の屈折率は、2.37であり、第一高屈折率層の波長570nmの光の屈折率も2.37とした。
前記第一高屈折率層上に、アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、スパッタ圧0.5Pa、室温下、ターゲット側電力50W、成膜レート0.4Å/sでMoをDCスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。
FTSコーポレーション社の対向スパッタ機を用い、Ar 20sccm、スパッタ圧0.5Pa、室温下、ターゲット側電力150W、成膜レート14Å/sでAgを対向スパッタした。ターゲット−基板間距離は90mmであった。得られた透明金属膜のプラズモン吸収率は、波長400nm〜800nmにわたって10%以下であった。
前記透明金属膜上に、第一高屈折率層と同様にZnSからなる第二高屈折率層を成膜した。ZnSの波長570nmの光の屈折率は、2.37であり、第二高屈折率層の波長570nmの光の屈折率も2.37とした。
得られた積層体上にレジスト層をパターン状に成膜し、第一高屈折率層、下地層、透明金属膜、及び第二高屈折率層を図3に示されるパターン(複数の導通領域aと、これを区切るライン状の絶縁領域bとを含むパターン)状にITOエッチング液(林純薬製)でパターニングした。絶縁領域には、透明基板のみが含まれるものとした。また、ライン状の絶縁領域bの幅は16μmとした。
コニカミノルタ製TACフィルム(透明基板)上に、第一高屈折率層(40nm)/透明金属膜(8nm)/第二高屈折率層(44nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜時のターゲットをAg合金(Ag−Bi(コベルコ社製))とした以外は、実施例1と同様に成膜した。
そして、得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図6Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図6Bに示す。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(36nm)/透明金属膜(10nm)/第二高屈折率層(36nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
透明金属膜は、成膜時のターゲットをAg合金(Ag−Nd−Bi−Au(コベルコ社製))とした以外は、実施例1と同様に成膜した。
そして、得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図7Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図7Bに示す。
ポリカーボネートからなる透明基板上に、第一高屈折率層(45nm)/下地層(0.2nm)/透明金属膜(5.5nm)/第二高屈折率層(47nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
下地層は、以下の方法で成膜した。
透明金属膜は、成膜時のターゲットをAg合金(APC−TR(フルヤ金属社製))とした以外は、実施例1と同様の方法で成膜した。
そして得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図8Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図8Bに示す。
真空デバイス社製のマグネトロンスパッタ装置(MSP−1S)で、パラジウムを0.4秒間成膜し、平均厚み0.2nmの成長核を形成した。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(36nm)/透明金属膜(10nm)/第二高屈折率層(36nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
そして得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図9Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図9Bに示す。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(47nm)/透明金属膜(10nm)/第二高屈折率層(42nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図10Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図10Bに示す。
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層(52nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(5.8nm)/第二高屈折率層(34nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例4と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は成膜時のターゲットをAg合金(Ag−Nd−Bi−Au(コベルコ社製))とした以外は、実施例1と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例1と同様に成膜した。得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図11Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図11Bに示す。
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ar 20sccm、O2 0sccm、スパッタ圧0.1Pa、室温下、ターゲット側電力150W、成膜レート1.1Å/sでZnOをRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は90mmであった。
コニカミノルタ製TACフィルム(透明基板)上に、第一高屈折率層(43nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(7.6nm)/第二高屈折率層(36nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例4と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は成膜時のターゲットをAg合金(Ag−Nd−Bi−Au(コベルコ社製))とした以外は、実施例1と同様に成膜した。
第二高屈折率層は、実施例1と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図12Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図12Bに示す。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、O2 5sccm、スパッタ圧0.3Pa、室温下、ターゲット側電力150W、成膜レート2.0Å/sでITOをDCスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。ITOの波長570nmの光の屈折率は、2.12であり、第一高屈折率層の波長570nmの光の屈折率も2.12とした。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(36nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(10nm)/第二高屈折率層(36nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例4と同様の方法で成膜した。
透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図13Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図13Bに示す。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、O2 1sccm、スパッタ圧0.5Pa、室温下、ターゲット側電力150W、成膜レート1.2Å/sでNb2O5をDCスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。Nb2O5の波長570nmの光の屈折率は、2.31であり、第一高屈折率層の波長570nmの光の屈折率も2.31とした。
コニカミノルタ製TACフィルム(透明基板)上に、第一高屈折率層(48nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(7nm)/第二高屈折率層(44nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例4と同様の方法で成膜した。
透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図14Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図14Bに示す。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、O2 1sccm、スパッタ圧0.5Pa、室温下、ターゲット側電力150W、成膜レート0.5Å/sでZrO2をRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。ZrO2の波長570nmの光の屈折率は、2.05であった。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(45nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(6.7nm)/第二高屈折率層(42nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は以下の方法で成膜した。
下地層は実施例4と同様の方法で成膜した。
透明金属膜、及び第二高屈折率層はそれぞれ実施例1と同様に成膜した。
得られた積層体を実施例1と同様にパターニングした。得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図15Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図15Bに示す。
Optorun社のGener 1300により、蒸着装置内の全圧が2.0×10−2Paとなるように酸素導入し、400mA、成膜レート4Å/sでTa2O5をイオンアシストせずに電子ビーム(EB)蒸着した。Ta2O5の波長570nmの光の屈折率は2.16であり、第一高屈折率層の屈折率も2.16とした。
シクロオレフィンポリマーからなる透明基板上に、第一高屈折率層(47nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(9nm)/第二高屈折率層(42nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、下地層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図16Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図16Bに示す。
ポリカーボネートからなる透明基板上に、第一高屈折率層(34nm)/透明金属膜(10nm)/第二高屈折率層(24nm)/低屈折率層(35nm)/第三高屈折率層(10nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
低屈折率層、及び第三高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図17Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図17Bに示す。
大阪真空社のマグネトロンスパッタ装置を用い、Ar 20sccm、O2 0sccm、スパッタ圧0.1Pa、室温下、ターゲット側電力300W、成膜レート1.6Å/sでSiO2をRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は90mmであった。SiO2の波長570nmの光の屈折率は1.46であり、低屈折率層の波長570nmの光の屈折率も1.46とした。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、O2 1sccm、スパッタ圧0.5Pa、室温下、ターゲット側電力150W、でBi2O3をRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。Bi2O3の波長570nmの光の屈折率は、1.91であった。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(43nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(6.5nm)/第二高屈折率層(15nm)/低屈折率層(45nm)/第三高屈折率層(10nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は、実施例7と同様に成膜した。
第二高屈折率層、及び第三高屈折率層は、それぞれ実施例1の第一高屈折率層と同様に成膜した。
透明金属膜は実施例2と同様に成膜した。
下地層は実施例4と同様に成膜した。
低屈折率層は実施例13と同様に成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図18Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図18Bに示す。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(45nm)/下地層(0.1nm)/透明金属膜(9nm)/第二高屈折率層(41nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は、実施例8と同様に成膜した。
下地層は実施例4と同様に成膜した。
透明金属膜及び第二高屈折率層は、それぞれ実施例1と同様に成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図19Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図19Bに示す。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(40nm)/透明金属膜(7.5nm)/第二高屈折率層(40nm)を順に積層した。
第一高屈折率層は、以下の方法で成膜した。
透明金属膜、及び第二高屈折率層は、実施例1と同様に成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図20Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図20Bに示す。
Optorun社のGener 1300により、320mA、成膜レート3Å/sでTiO2を、イオンアシストしながら電子ビーム(EB)蒸着した。イオンビームは電流500mA、電圧500V、加速電圧400Vで照射した。イオンビーム装置内には、O2ガス:50sccm、及びArガス:8sccmを導入した。TiO2の波長570nmの光の屈折率は2.35でり、第一高屈折率層の波長570nmの光の屈折率も2.35とした。
石英からなる透明基板上に、第一高屈折率層(40nm)/透明金属膜(12nm)/第二高屈折率層(40nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層は、それぞれ以下の方法で成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図21Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図21Bに示す。
第一高屈折率層及び第二高屈折率層は、それぞれシンクロン製のBMC−800T蒸着機を用いて、抵抗加熱でZnSからなる膜を成膜した。このときの投入電流値は210A、成膜レートは5Å/sとした。
第一高屈折率層上に、シンクロン製のBMC−800T蒸着機を用いて、抵抗加熱で銀を12nm成膜した。このときの投入電流値は210A、成膜レートは5Å/sとした。
EAGLE Glassからなる透明基板上に、第一高屈折率層(32nm)/透明金属膜(8.5nm)/第二高屈折率層(32nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層の成膜方法は、実施例1と同様とした。
透明金属膜は、比較例1と同様に成膜した。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(27.7nm)/透明金属膜(7.3nm)/第二高屈折率層(36nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層はそれぞれ以下の方法で成膜した。
得られた透明導電体の波長570nmにおけるアドミッタンス軌跡を図22Aに示し、当該透明導電体の分光特性を図22Bに示す。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、O2 5sccm、スパッタ圧0.3Pa、室温下、ターゲット側電力300W、成膜レート0.74Å/sでNb2O5をRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。Nb2O5の波長570nmの光の屈折率は2.31であるが、第一高屈折率層の波長570nmの光の屈折率は2.35とした。
日本真空技術株式会社の小型スパッタ装置(BC4279)でDCスパッタした。このとき、ターゲット側電力200Wとした。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、O2 5sccm、スパッタ圧0.3Pa、室温下、ターゲット側電力300W、成膜レート2.2Å/sでIZOをRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。IZOの波長570nmの光の屈折率は2.05であるが、第二高屈折率層の波長570nmの光の屈折率は1.98とした。
コニカミノルタ製TACフィルム(透明基板)上に、第一高屈折率層(27nm)/下地層(0.8nm)/透明金属膜(9nm+0.8nm)/第二高屈折率層(20nm)/低屈折率層(40nm)/フッ素系材料層(6nm)を順に積層した。
低屈折率層は、実施例13と同様に成膜した。それ以外の各層は、それぞれ以下の方法で成膜した。
ターゲットをインジウム中にセリウムが10原子%含まれる材料(ICO)とした以外は、比較例3の第二高屈折率層と同様に成膜した。ICOの波長570nmの光の屈折率は2.2であり、第一高屈折率層及び第二高屈折率層の波長570nmの光の屈折率も2.2とした。
ターゲットをNiCrとした以外は、実施例1の下地層(Mo)と同様に成膜した。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、スパッタ圧0.3Pa、室温下、ターゲット側電力100W、成膜レート2.5Å/sでAg合金(Ag中にAuが1.5原子%、Cuが0.5原子%含まれる合金)をRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。さらに、前記下地層と同様に、NiCrを成膜した。
Optorun社のGener 1300によって、190mA、成膜レート10Å/sでフッ素系材料(信越化学工業社製:KP801M)を抵抗加熱蒸着した。
東洋紡製PET(コスモシャインA4300 厚み50μm)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(40nm)/透明金属膜(9nm)/第二高屈折率層(40nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、及び第二高屈折率層はそれぞれ実施例15の第一高屈折率層と同様の方法で成膜した。
透明金属膜は、以下の方法で成膜した。
アネルバ社のL−430S−FHSを用い、Ar 20sccm、スパッタ圧0.3Pa、室温下、ターゲット側電力100W、成膜レート2.5Å/sでAgとPdとCuとの合金(Ag:Pd:Cu=99:1:1(質量比))をRFスパッタした。ターゲット−基板間距離は86mmであった。
コーニング社製ガラス基板(#7059、厚み1.1mmt)からなる透明基板上に、第一高屈折率層(50nm)/透明金属膜(10nm)/第二高屈折率層(50nm)を順に積層した。
第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層はそれぞれ以下の方法で成膜した。
O2ガスを混入したArガス0.6Paの雰囲気中、2.2W/cm2の電力密度で、GaとInの酸化物焼結体を直流スパッタした。導入するO2ガスの割合は、8〜12体積%とした。
Arガス0.6Paの雰囲気中、0.55W/cm2の電力密度で純度4NのAgターゲットを直流スパッタした。
(腐食評価)
実施例及び比較例で得られた透明導電体の腐食耐性を評価した。腐食耐性は、実施例または比較例で得られた透明導電体を、2個ずつ、65℃、95%Rh中に100時間保存した後の外観で評価した。評価は、以下の基準とした。
○:30mm×30mmの領域において、サイズ20μm以上の腐食箇所が0個
△:30mm×30mmの領域において、サイズ20μm以上の腐食箇所が1個以上10個未満
×:30mm×30mmの領域において、サイズ20μm以上の腐食箇所が10個以上
実施例1〜11の透明導電体表面については、以下のように光の透過率、反射率、及び吸収率を測定した。
各実施例で得られた透明導電体の第二高屈折率層上に、マッチングオイル(ニコン社製 屈折率=1.515)を塗布した。そして、透明導電体とコーニング社製無アルカリガラス基板(EAGLE XG(厚さ7mm×縦30mm×横30mm))とを貼り合わせた。そして、無アルカリガラス基板側から、透明導電体の透過率及び反射率を測定した。このとき、無アルカリガラス基板の表面の法線に対して、5°傾けた角度から、導通領域に測定光(例えば、波長450nm〜800nmの光)を入射させ、日立株式会社製:分光光度計 U4100にて、光の透過率及び反射率を測定した。そして、吸収率は、100−(透過率+反射率)の計算式より算出した。
各透明導電体の視感反射率は、分光光度計(U4100;日立ハイテクノロジーズ社製)で測定した。表中のΔRは、導通領域の視感率と絶縁領域の視感率との差の絶対値を表す。
各透明導電体のL*a*b*表色系におけるa*値及びb*値は、日立株式会社製:分光光度計 U4100で測定した。実施例1〜11については、導通領域のa*値及びb*値をそれぞれ測定した。
各透明導電体の導通領域に三菱化学アナリテック製のロレスタEP MCP−T360を接触させて、導通領域の表面電気抵抗を測定した。
実施例及び比較例で得られた透明導電体の光学アドミッタンスを特定した。透明金属の第一高屈折率層側の表面の波長570nmの光学アドミッタンスをY1=x1+iy1、透明金属膜の前記第二高屈折率層側の表面の波長570nmの光学アドミッタンスをY2=x2+iy2としたときの(x1,y1)、及び(x2,y2)の値を表2に示す。
また、第一高屈折率層、透明金属膜、及び第二高屈折率層をパターニングした透明導電体については、前記透明金属膜を含む積層体(導通領域)表面の波長570nmの光の等価アドミッタンスをYE=xE+iyEで表し、前記透明金属膜を含まない積層体(絶縁領域)表面;つまり透明基板表面の波長570nmの光の等価アドミッタンスをYsub=xsub+iysubで表したときの(xE,yE)、及び(xsub,ysub)の値をそれぞれ表2に示す。さらに、((xE−xsub)2+(yE)2)0.5の値、積層体の第二高屈折率層側の表面に接する部材の屈折率をnenvとしたときの|((xsub−xenv)/(xsub+xenv))2−((xE−xenv)/(xE+xenv))2|の値を、それぞれ表2に示す。
2 第一高屈折率層
3 透明金属膜
4 第二高屈折率層
100 透明導電体
Claims (4)
- 透明基板と、
前記透明基板の波長570nmの光の屈折率より、波長570nmの光の屈折率が高い誘電性材料または酸化物半導体材料を含む第一高屈折率層と、
厚みが10nm以下である透明金属膜と、
厚みが15nm以上であり、かつZnSを含む第二高屈折率層と、をこの順に含み、
波長400〜1000nmの光の平均透過率が80%以上である、透明導電体。 - 前記透明金属膜がスパッタ膜である、請求項1に記載の透明導電体。
- 前記第一高屈折率層は、厚みが15nm以上であり、かつZnSを含む、請求項1または2に記載の透明導電体。
- 前記透明金属膜が、所定の形状にパターニングされた金属パターンである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の透明導電体。
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---|---|---|---|---|
JPH06278244A (ja) * | 1993-01-29 | 1994-10-04 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 積層体 |
JP2000106044A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムの表面抵抗低下方法 |
JP2008171637A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 透明導電膜積層体、該透明導電膜積層体を用いた有機el素子、並びに、これらの製造方法 |
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JP2012042726A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nippon Shinku Kogaku Kk | テラヘルツ帯光学素子 |
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JP2000106044A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Nitto Denko Corp | 透明導電性フィルムの表面抵抗低下方法 |
JP2008171637A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 透明導電膜積層体、該透明導電膜積層体を用いた有機el素子、並びに、これらの製造方法 |
JP2010198921A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 透明導電膜積層体を用いた有機el素子、並びに、これらの製造方法 |
JP2012042726A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Nippon Shinku Kogaku Kk | テラヘルツ帯光学素子 |
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