JPWO2014199737A1 - イオンミリング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2 遮蔽板保持部
3 遮蔽板固定ねじ
4 試料台
5 試料
6 試料台保持部
7 試料保持材
8 遮蔽板の冷却用板
9 液体窒素
10 編組線
11 遮蔽板保持部の溝
12 溝穴
13 バネ
14 固定ねじ
15 試料台の溝
16 イオンビーム
17 試料台押し板
18 遮蔽板端部
19 遮蔽板溝部
20 熱伝導の良い物質
21 板
22 粉体試料
23 樹脂またはペースト状のもの
24 イオン源
25 試料室
26 真空排気用ポンプ
27 試料ステージ
28 液体窒素用デュアー
29 編組線1
30 ヒーター1
31 編組線2
32 制御部1
33 配線5
34 温度センサー1
35 配線1
36 操作パネル
37 配線7
38 主制御部
39 配線3
40 試料台の冷却用板
41 編組線4
42 ヒーター2
43 編組線3
44 配線4
45 配線6
46 温度センサー2
47 配線2
48 液面検知センサー
49 配線9
50 配線8
51 LED
52 加工部
Claims (13)
- イオンビームが照射される試料を支持する試料台を備えたイオンミリング装置において、
前記試料の一部を前記イオンビームに曝しつつ当該試料をイオンビームに対して遮蔽する遮蔽材を支持する遮蔽材支持部材と、当該遮蔽材支持部材と前記試料台の少なくとも一方の温度を制御する温度制御機構を有し、前記イオンビームの照射中、前記試料台の試料との接触面を前記試料の変形に追従して移動させる移動機構と、前記遮蔽材と試料との間に配置され、前記イオンビームの照射中、前記試料の変形に追従して変形する試料保持部材の少なくとも1つを備えたことを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記移動機構は、前記試料を前記遮蔽材に向かって押圧する押圧部材を含むことを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項2において、
前記押圧部材は、前記試料を押圧する弾性体を含むことを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項3において、
前記弾性体がバネであることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項2において、
前記遮蔽材支持部材には、前記押圧部材の押圧によって前記遮蔽材支持部材を変形させる溝が設けられていることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記試料保持部材は、多孔部材によって構成されていることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項6において、
前記試料保持部材の孔には、熱を伝達する液体が充填されていることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記温度制御機構は、前記試料を冷却する冷却機構であることを特徴とするイオンミリング装置。 - イオンビームが照射される試料を支持する試料台を備えたイオンミリング装置において、
当該試料台の前記試料との接触面側と、前記試料の一部を前記イオンビームに曝しつつ当該試料をイオンビームに対して遮蔽する遮蔽材の前記試料との接触面側の少なくとも一方に設けられる温度計と、前記試料台と前記遮蔽材の少なくとも一方の温度を制御する温度制御機構を備え、当該温度制御機構は、前記温度計による温度計測結果に応じて、前記試料台と前記遮蔽材の少なくとも1つの温度を制御することを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項9において、
前記温度計は、前記試料に接触すると共に、前記イオンビームが照射されない位置に配置されることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項10において、
前記温度制御機構は、前記温度計によって測定された温度を校正し、当該校正された温度に基づいて、前記温度の制御を実行することを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項9において、
前記温度制御機構は、前記試料のイオンビームが照射される面側に配置される第1の温度計、当該イオンビームが照射される面とは逆の面側に配置される第2の温度計、前記第1の温度計によって得られる計測結果に基づいて前記試料のイオンビームが照射される面側の温度を制御する第1の温度制御機構、及び前記第2の温度計によって得られる計測結果に基づいて前記試料のイオンビームが照射される面とは逆の面側の温度を制御する第2の温度制御機構を備えていることを特徴とするイオンミリング装置。 - 請求項9において、
前記温度制御機構は、前記試料を加熱する加熱機構と、前記試料を冷却する冷却機構を含んでいることを特徴とするイオンミリング装置。
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