JPWO2014133189A1 - 積層板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

打抜き加工性及び曲げ加工性に優れる金属ベース回路基板を提供する。圧延法により得られた金属板と、前記金属板上に設けられ、樹脂を含む絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた金属箔とを有する積層板であって、前記金属板は、前記絶縁層に接する面における圧延方向の十点平均粗さＲｚ（ＭＤ）及び前記圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さＲｚ（ＴＤ）が、それぞれ独立に、４〜２０μｍであり、前記Ｒｚ（ＭＤ）に対する前記Ｒｚ（ＴＤ）の割合（Ｒｚ（ＴＤ）／Ｒｚ（ＭＤ））が１．５以下である金属板である積層板とする。

Description

本発明は、積層板及びその製造方法に関する。

近年、電気・電子機器の小型化、高性能化及びハイパワー化に伴い、回路基板には、実装された素子から発生する熱が放散し易いこと、すなわち放熱性に優れることが求められている。この要求に対応しうる回路基板として、金属板と、その上に設けられた絶縁層と、その上に設けられた回路パターンとを有する金属ベース回路基板が検討されている。この金属ベース回路基板は、金属板と、その上に設けられた絶縁層と、その上に設けられた金属箔とを有する積層板から、その金属箔をパターン化することにより、得られる（例えば特許文献１〜８参照）。

特開平５−１６７２１２号公報 国際公開第２０１０／１１７０２３号 特開２０１１−３２３１６号公報 特開２０１１−７７２７０号公報 特開２０１１−１８１８３３号公報 特開２０１１−２１９７４９号公報 特開２０１１−２４９６０６号公報 特開２０１２−４３２３号公報

前記従来の金属ベース回路基板は、打抜き加工する際、絶縁層が欠け易いことがある。また、曲げ加工する際、絶縁層が金属板から剥がれ易いことがある。そこで、本発明の目的は、打抜き加工性及び曲げ加工性に優れる積層板を提供し、延いては打抜き加工性及び曲げ加工性に優れる金属ベース回路基板を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明は、圧延法により得られた金属板と、前記金属板上に設けられ、樹脂を含む絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた金属箔とを有する積層板であって、前記金属板は、前記絶縁層に接する面における圧延方向の十点平均粗さＲｚ（ＭＤ）及び前記圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さＲｚ（ＴＤ）が、それぞれ独立に、４〜２０μｍであり、前記Ｒｚ（ＭＤ）に対する前記Ｒｚ（ＴＤ）の割合（Ｒｚ（ＴＤ）／Ｒｚ（ＭＤ））が１．５以下である金属板である積層板を提供する。また、本発明によれば、前記積層板の製造方法であって、圧延法により得られた原料金属板の少なくとも一方の面を粗面化することにより、前記金属板を得る工程を有する積層板の製造方法も提供される。

本発明の積層板は、打抜き加工性及び曲げ加工性に優れ、放熱性にも優れている。

本発明の積層板は、金属板と、その上に設けられた絶縁層と、その上に設けられた金属箔とを有する積層板である。
本発明では、金属板として、圧延法により得られた金属板であって、少なくとも一方の面は、圧延方向の十点平均粗さ及び圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さがそれぞれ独立に４〜２０μｍであり、かつ、圧延方向の十点平均粗さに対する圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さの割合（圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さ／圧延方向の十点平均粗さ）が１．５以下である粗面である金属板を用い、この粗面が絶縁層に接するように積層する。すなわち、金属板の絶縁層に接する面において、圧延方向の十点平均粗さをＲｚ（ＭＤ）とし、圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さをＲｚ（ＴＤ）としたとき、Ｒｚ（ＭＤ）及びＲｚ（ＴＤ）がそれぞれ独立に４〜２０μｍであり、かつ、Ｒｚ（ＴＤ）／Ｒｚ（ＭＤ）が１．５以下であるようにする。これにより、打抜き加工性及び曲げ加工性に優れ、放熱性にも優れる積層板を得ることができる。
金属板のもう一方の面、すなわち、絶縁層に接する面と反対側の面は、鏡面であってもよいし、粗面であってもよく、粗面である場合、絶縁層に接する面と同様、圧延方向の十点平均粗さ及び圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さがそれぞれ独立に４〜２０μｍであり、かつ、圧延方向の十点平均粗さに対する圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さの割合（圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さ／圧延方向の十点平均粗さ）が１．５以下である粗面であってもよいし、これ以外の粗面であってもよい。
Ｒｚ（ＭＤ）及びＲｚ（ＴＤ）は、それぞれ独立に、４〜１０μｍであることが好ましく、Ｒｚ（ＴＤ）／Ｒｚ（ＭＤ）は１．２以下であることが好ましく、これにより、積層板の打抜き加工性や曲げ加工性がより向上する。
金属板の面の十点平均粗さは、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に準拠して測定される。
このような金属板は、圧延法により得られた原料金属板の少なくとも一方の面を、前記所定の粗面になるように、均一かつ適度に粗面化することにより、得ることができる。粗面化は、両面に行ってもよいし、一方の面のみに行ってもよいが、積層板の打抜き加工性や曲げ加工性がより向上することから、両面に行うことが好ましい。
粗面化は、ブラスト処理、研磨処理等の乾式の粗面化方法により行ってもよいし、陽極酸化処理、エッチング処理等の湿式の粗面化方法により行ってもよい。中でも、ブラスト処理により粗面化することが好ましく、これにより、積層板の打抜き加工性や曲げ加工性がより向上する。ブラスト処理は、アルミナ、鋼粒、砂、ガラスビーズ等の研磨剤を、空気圧又は遠心力によって金属板に吹き付けることにより、金属板を粗面化する方法である。
金属板の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄及び銅が挙げられ、アルミニウム合金やステンレス等の合金であってもよい。中でも、銅及びアルミニウム合金が好ましい。金属板は、炭素等の非金属を含んでいてもよく、例えば、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。金属板は、高い熱伝導率を有していることが好ましく、その熱伝導率は、６０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であることが好ましい。
金属板の厚さは、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．５ｍｍ以上であり、これにより、積層板の放熱性が向上し易くなる。また、金属板の厚さは、通常５ｍｍ以下、好ましくは１．５ｍｍ以下であり、これにより、積層板の打抜き加工性や曲げ加工性が向上し易くなる。金属板は、可撓性を有していてもよいし、可撓性を有していなくてもよい。金属板は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
絶縁層は、金属板上に設けられており、樹脂を含む。樹脂は、金属板と金属箔とを接着する接着剤としての役割と、絶縁層の表面を平坦にする役割とを果たしている。
樹脂としては、例えば、ポリプロピレン、ポリアミド、液晶ポリエステル以外のポリエステル、液晶ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂；及びフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられ、それらの２種以上を用いてもよい。中でも、耐熱性が高く、誘電損失が低いことから、液晶ポリエステルが好ましい。
液晶ポリエステルは、溶融状態で液晶性を示すポリエステルであり、４５０℃以下の温度で溶融する液晶ポリエステルであることが好ましい。なお、液晶ポリエステルは、液晶ポリエステルアミドであってもよいし、液晶ポリエステルエーテルであってもよいし、液晶ポリエステルカーボネートであってもよいし、液晶ポリエステルイミドであってもよい。液晶ポリエステルは、原料モノマーとして芳香族化合物のみを用いてなる全芳香族液晶ポリエステルであることが好ましい。
液晶ポリエステルの典型的な例としては、芳香族ヒドロキシカルボン酸と芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを重合（重縮合）させてなる液晶ポリエステル、複数種の芳香族ヒドロキシカルボン酸を重合させてなる液晶ポリエステル、芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを重合させてなる液晶ポリエステル、及びポリエチレンテレフタレート等のポリエステルと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを重合させてなる液晶ポリエステルが挙げられる。ここで、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンは、それぞれ独立に、その一部又は全部に代えて、その重合可能な誘導体が用いられてもよい。
芳香族ヒドロキシカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸のようなカルボキシル基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、カルボキシル基をアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基に変換してなる誘導体（エステル）、カルボキシル基をハロホルミル基に変換してなる誘導体（酸ハロゲン化物）、及びカルボキシル基をアシルオキシカルボニル基に変換してなる誘導体（酸無水物）が挙げられる。芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシアミンのようなヒドロキシル基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、ヒドロキシル基をアシル化してアシルオキシル基に変換してなる誘導体（アシル化物）が挙げられる。芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンのようなアミノ基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、アミノ基をアシル化してアシルアミノ基に変換してなる誘導体（アシル化物）が挙げられる。
液晶ポリエステルは、下記式（１）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（１）」ということがある。）を有することが好ましく、繰返し単位（１）と、下記式（２）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（２）」ということがある。）と、下記式（３）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（３）」ということがある。）とを有することがより好ましい。
（１）−Ｏ−Ａｒ^１−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ^３−Ｙ−
（Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基（−ＮＨ−）を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
（４）−Ａｒ^４−Ｚ−Ａｒ^５−
（Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。）
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。前記アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基及びｎ−デシル基が挙げられ、その炭素数は、通常１〜１０である。前記アリール基の例としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、１−ナフチル基及び２−ナフチル基が挙げられ、その炭素数は、通常６〜２０である。前記水素原子がこれらの基で置換されている場合、その数は、Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基毎に、それぞれ独立に、通常２個以下であり、好ましくは１個以下である。
前記アルキリデン基の例としては、メチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、ｎ−ブチリデン基及び２−エチルヘキシリデン基が挙げられ、その炭素数は通常１〜１０である。
繰返し単位（１）は、所定の芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位である。繰返し単位（１）としては、Ａｒ^１がｐ−フェニレン基である繰返し単位（１）（ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位）、及びＡｒ^１が２，６−ナフチレン基である繰返し単位（１）（６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する繰返し単位）が好ましい。
繰返し単位（２）は、所定の芳香族ジカルボン酸に由来する繰返し単位である。繰返し単位（２）としては、Ａｒ^２がｐ−フェニレン基である繰返し単位（２）（テレフタル酸に由来する繰返し単位）、Ａｒ^２がｍ−フェニレン基である繰返し単位（２）（イソフタル酸に由来する繰返し単位）、Ａｒ^２が２，６−ナフチレン基である繰返し単位（２）（２，６−ナフタレンジカルボン酸に由来する繰返し単位）、及びＡｒ^２がジフェニルエーテル−４，４’−ジイル基である繰返し単位（２）（ジフェニルエーテル−４，４’−ジカルボン酸に由来する繰返し単位）が好ましい。
繰返し単位（３）は、所定の芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシルアミン又は芳香族ジアミンに由来する繰返し単位である。繰返し単位（３）としては、Ａｒ^３がｐ−フェニレン基である繰返し単位（３）（ヒドロキノン、ｐ−アミノフェノール又はｐ−フェニレンジアミンに由来する繰返し単位）が好ましい。
繰返し単位（１）の含有量は、全繰返し単位の合計量（液晶ポリエステルを構成する各繰返し単位の質量をその各繰返し単位の式量で割ることにより、各繰返し単位の物質量相当量（モル）を求め、それらを合計した値）に対して、通常３０モル％以上、好ましくは３０〜８０モル％、より好ましくは３０〜６０モル％、さらに好ましくは３０〜４０モル％である。繰返し単位（２）の含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、通常３５モル％以下、好ましくは１０〜３５モル％、より好ましくは２０〜３５モル％、さらに好ましくは３０〜３５モル％である。繰返し単位（３）の含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、通常３５モル％以下、好ましくは１０〜３５モル％、より好ましくは２０〜３５モル％、さらに好ましくは３０〜３５モル％である。繰返し単位（１）の含有量が多いほど、耐熱性や強度・剛性が向上し易いが、あまり多いと、溶媒に対する溶解性が低くなり易い。
繰返し単位（２）の含有量と繰返し単位（３）の含有量との割合は、［繰返し単位（２）の含有量］／［繰返し単位（３）の含有量］（モル／モル）で表して、通常０．９／１〜１／０．９、好ましくは０．９５／１〜１／０．９５、より好ましくは０．９８／１〜１／０．９８である。
なお、液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）〜（３）を、それぞれ独立に、２種以上有してもよい。また、液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）〜（３）以外の繰返し単位を有してもよいが、その含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、通常１０モル％以下、好ましくは５モル％以下である。
液晶ポリエステルは、繰返し単位（３）として、Ｘ及び／又はＹがイミノ基である繰返し単位（３）を有すること、すなわち、所定の芳香族ヒドロキシルアミンに由来する繰返し単位及び／又は芳香族ジアミンに由来する繰返し単位を有することが、溶媒に対する溶解性が優れるので、好ましく、繰返し単位（３）として、Ｘ及び／又はＹがイミノ基である繰返し単位（３）のみを有することが、より好ましい。
液晶ポリエステルは、それを構成する繰返し単位に対応する原料モノマーを溶融重合させ、得られた重合物（プレポリマー）を固相重合させることにより、製造することが好ましい。これにより、耐熱性や強度・剛性が高い高分子量の液晶ポリエステルを操作性良く製造することができる。溶融重合は、触媒の存在下に行ってもよく、この触媒の例としては、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属化合物や、４−（ジメチルアミノ）ピリジン、１−メチルイミダゾール等の含窒素複素環式化合物が挙げられ、含窒素複素環式化合物が好ましく用いられる。
液晶ポリエステルは、その流動開始温度が、通常２５０℃以上、好ましくは２５０℃〜３５０℃、より好ましくは２６０℃〜３３０℃である。流動開始温度が高いほど、耐熱性や強度・剛性が向上し易いが、あまり高いと、溶媒に対する溶解性が低くなり易かったり、液状組成物の粘度が高くなり易かったりする。
なお、流動開始温度は、フロー温度又は流動温度とも呼ばれ、毛細管レオメーターを用いて、９．８ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ^２）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリエステルを溶融させ、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルから押し出すときに、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００ポイズ）の粘度を示す温度であり、液晶ポリエステルの分子量の目安となる（小出直之編、「液晶ポリマー−合成・成形・応用−」、株式会社シーエムシー、１９８７年６月５日、ｐ．９５参照）。
絶縁層に占める樹脂の割合は、好ましくは３０〜６０体積％、より好ましくは３５〜５５体積％である。この割合をあまり小さくすると、絶縁層と金属板又は金属箔との密着性が低下したり、絶縁層の表面平坦性が低下したりする。また、この割合をあまり大きくすると、積層板の放熱性が低下する。
絶縁層は、さらに酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の無機充填材を含むことが好ましい。絶縁層に前記無機充填材が含まれることにより、積層板の放熱性が向上する。
前記無機充填材の少なくとも一部として、樹脂との密着性や後述の液状組成物中での分散性を向上させるべく、表面処理を施した無機充填材を用いてもよい。この表面処理に使用可能な表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコニウムカップリング剤、長鎖脂肪酸、イソシアネート化合物、及び、エポキシ基、メトキシシリル基、アミノ基又はヒドロキシル基を有する高分子が挙げられる。
絶縁層に占める前記無機充填材の割合は、好ましくは４０〜７０体積％、より好ましくは４５〜６５体積％である。この割合をあまり小さくすると、積層板の放熱性が低下する。また、この割合をあまり大きくすると、積層板の打抜き加工性や曲げ加工性が低下する。
なお、絶縁層は、樹脂及び前記無機充填材以外の成分、例えば有機充填材や添加剤を含んでもよいが、その絶縁層に占める割合は、複数種含まれる場合は合計で、通常０〜１０体積％である。有機充填材の例としては、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂及び架橋アクリル樹脂が挙げられる。添加剤の例としては、レベリング剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤及び着色剤が挙げられる。
また、絶縁層には、無機充填材として、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウム以外の無機充填材が含まれていてもよいが、その無機充填材に占める割合は、複数種含まれる場合は合計で、通常０〜１０体積％である。
金属箔は、絶縁層上に設けられており、絶縁層を間に挟んで金属板と向き合っている。金属箔の材料としては、例えば、銅及びアルミニウムが挙げられ、合金であってもよい。金属箔の厚さは、通常１０〜５００μｍである。
本発明の積層板の製造は、（Ａ）：まず、金属箔と絶縁層との積層中間体を製造し、次いで、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、金属板の粗面と熱圧着等により貼り合わせることにより行ってもよいし、（Ｂ）：まず、金属板の粗面を貼合面として、金属板と絶縁層との積層中間体を製造し、次いで、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、金属箔と熱圧着等により貼り合わせることにより行ってもよいし、（Ｃ）：まず、絶縁層となる絶縁フィルムを製造し、次いで、この絶縁フィルムを、金属板の粗面を貼合面として、金属板と金属箔とで挟んで、これらを熱圧着等により貼り合わせることにより行ってもよい。
絶縁層の形成は、樹脂と溶媒とを含む液状組成物を、支持体に塗布し、得られた塗膜を乾燥（溶媒除去）することにより行うことが好ましい。その際、支持体として金属箔を用いることにより、前記（Ａ）における金属箔と絶縁層との積層中間体を製造することができる。また、支持体として金属板を用いることにより、前記（Ｂ）における金属板と絶縁層との積層中間体を製造することができる。また、支持体として金属箔及び金属板以外の支持体、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等の樹脂フィルムを用いる場合は、支持体上に形成された絶縁層を支持体から金属箔に熱圧着等により転写することにより、前記（Ａ）における金属箔と絶縁層との積層中間体を製造することができ、支持体上に形成された絶縁層を支持体から金属板に熱圧着等により転写することにより、前記（Ｂ）における金属板と絶縁層との積層中間体を製造することができ、支持体上に形成された絶縁層を支持体から剥がすことにより、前記（Ｃ）における絶縁フィルムを製造することができる。
溶媒としては、用いる樹脂が溶解可能な溶媒、具体的には５０℃にて１質量％以上の濃度（［樹脂］／［樹脂＋溶媒］）で溶解可能な溶媒が、適宜選択して用いられる。
溶媒の例としては、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ｐ−クロロフェノール、ペンタクロロフェノール、ペンタフルオロフェノール等のハロゲン化フェノール；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル；アセトン、シクロヘキサノン等のケトン；酢酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート；トリエチルアミン等のアミン；ピリジン等の含窒素複素環芳香族化合物；アセトニトリル、スクシノニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド、テトラメチル尿素等の尿素化合物；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物；及びヘキサメチルリン酸アミド、トリ−ｎ−ブチルリン酸等のリン化合物が挙げられ、それらの２種以上を用いてもよい。
溶媒としては、腐食性が低く、取り扱い易いことから、非プロトン性化合物、特にハロゲン原子を有しない非プロトン性化合物を主成分とする溶媒が好ましく、溶媒全体に占める非プロトン性化合物の割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％、さらに好ましくは９０〜１００質量％である。また、前記非プロトン性化合物としては、樹脂を溶解し易いことから、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミドを用いることが好ましい。
また、溶媒としては、樹脂を溶解し易いことから、双極子モーメントが３〜５である化合物を主成分とする溶媒が好ましく、溶媒全体に占める双極子モーメントが３〜５である化合物の割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％、さらに好ましくは９０〜１００質量％であり、前記非プロトン性化合物として、双極子モーメントが３〜５である化合物を用いることが好ましい。
また、溶媒としては、除去し易いことから、１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物を主成分とするとする溶媒が好ましく、溶媒全体に占める１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物の割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％、さらに好ましくは９０〜１００質量％であり、前記非プロトン性化合物として、１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物を用いることが好ましい。
液状組成物中の樹脂の含有量は、樹脂及び溶媒の合計量に対して、通常５〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは１５〜４５質量％であり、所望の粘度の液状組成物が得られるように、適宜調整される。
液状組成物の調製は、樹脂及び必要に応じて他の成分を溶媒に溶解させてなる溶液に、無機充填材及び必要に応じて他の成分を分散させることにより行うことが好ましい。無機充填材は、ボールミル、３本ロール、遠心攪拌機、ビーズミル等により粉砕しつつ、前記溶液に分散させてもよい。
液状組成物を支持体に塗布する方法としては、例えば、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、ダイスコーター法及びコンマコータ法が挙げられ、連続式であってもよいし、回分式（単板式）であってもよい。
塗膜の乾燥は、塗膜から溶媒を蒸発させることにより行うことが好ましい。支持体として金属箔及び金属板以外の支持体を用い、支持体上に形成された塗膜を乾燥し、得られた乾燥膜を支持体から金属箔又は金属板に熱圧着等により転写する場合は、溶媒の一部が乾燥膜中に残存するように行うことが好ましい。この場合、乾燥膜中の溶媒量は、好ましくは１〜２５質量％である。乾燥温度は、通常５０〜１８０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。
支持体上に形成された乾燥膜や金属箔又は金属板に転写された乾燥膜は、樹脂として熱可塑性樹脂を用いる場合は、熱処理することが好ましく、これにより、その分子量や結晶化度を調節することができ、接着性や熱伝導性に優れる絶縁層が得られる。熱処理は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下、通常２５０〜３５０℃、好ましくは２７０〜３２０℃で行われる。
こうして金属箔と絶縁層との積層中間体を得た場合、前記（Ａ）のとおり、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、金属板の粗面と熱圧着等により貼り合わせることにより、本発明の積層板が得られる。また、金属板の粗面を貼合面として、金属板と絶縁層との積層中間体を得た場合、前記（Ｂ）のとおり、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、金属箔と熱圧着等により貼り合わせることにより、本発明の積層板が得られる。また、支持体上に形成された絶縁層を支持体から剥がして絶縁フィルムを得た場合、前記（Ｃ）のとおり、この絶縁フィルムを、金属板の粗面を張合面として、金属板と金属箔とで挟んで、これらを熱圧着等により貼り合わせることにより、本発明の積層板が得られる。
こうして得られる積層板から、その金属箔をパターン化して、回路パターンを形成し、必要に応じて、切断加工、穴あけ加工の如き打抜き加工、曲げ加工等の加工を行うことにより、金属ベース回路基板が得られる。金属箔のパターン化は、例えば、金属箔上にマスクパターンを形成し、金属箔の露出部をエッチングで除去することにより行われる。

〔液晶ポリエステルの流動開始温度の測定〕
フローテスター（（株）島津製作所の「ＣＦＴ−５００型」）を用いて、液晶ポリエステル約２ｇを、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルを有するダイを取り付けたシリンダーに充填し、９．８ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ^２）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリエステルを溶融させ、ノズルから押し出し、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００Ｐ）の粘度を示す温度を測定した。
〔液晶ポリエステル溶液の粘度の測定〕
Ｂ型粘度計（東機産業（株）の「ＴＶＬ−２０型」）を用いて、Ｎｏ．２１のローターにより、回転数２０ｒｐｍで測定した。
〔金属板の面の十点平均粗さの測定〕
表面粗さ測定装置（ケーエルエー・テンコール（株）、算出規格ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４）を用いて、ＪＩＳ Ｂ０６０１：１９９４に準拠して、測定速度：５μｍ／秒、評価長さ：１．０ｍｍの条件下で測定した。
〔金属板〕
金属板として、圧延法により得られた両面が鏡面（圧延方向の十点平均粗さ：１．２μｍ、圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さ：２．４μｍ）である厚さ１．０ｍｍのアルミニウム合金板の一方の面を、ブラスト処理により粗面化して得られた金属板であって、一方の面が表１に示す十点平均粗さを有する粗面であり、もう一方の面が鏡面のままである厚さ１．０ｍｍの金属板（１）〜（４）を用いた。また、前記アルミニウム合金板を、そのまま金属板（５）として用いた。

〔打抜き加工性〕
アルミニウム板用の総抜き型を用いて、積層板をプレス機（アイダエンジニアリング（株）の「８０トンプレス」）により、ホルダ圧力２０ｋＮ、ノックアウト力５９ｋＮ、プレス速度６０ＳＰＮの条件下で打抜き加工した後、その切削面の絶縁層の欠けの有無を光学顕微鏡により確認した。
〔曲げ加工性〕
１０ｍｍ×３０ｍｍの寸法に切断した積層板の金属箔をエッチングにより除去し、得られた金属板と絶縁層との積層体を、絶縁層を外側として、曲げ部が直径１５ｍｍとなるように１８０°に曲げ加工した後、金属板からの絶縁層の剥れの有無を目視で観察した。
〔絶縁層の放熱性〕
３０ｍｍ×４０ｍｍの寸法に切断した積層板の金属箔をエッチングにより部分的に除去して、１４ｍｍ×１０ｍｍのランドを形成した。このランドに半田を用いてトランジスタ（（株）東芝の「Ｃ２２３３」）を取り付け、得られたトランジスタ付き積層板を、水冷却装置に、金属板がシリコーングリース層を介して水冷却装置の冷却面と向き合うように、セットした。次いで、トランジスタに３０Ｗの電力Ｐを供給して、トランジスタの温度Ｔ１と水冷却装置の冷却面の温度Ｔ２とを測定し、電力Ｐに対する温度Ｔ１と温度Ｔ２との差Ｔ１−Ｔ２の比の値（Ｔ１−Ｔ２）／Ｐを熱抵抗とした。
実施例１及び２並びに比較例１〜３
〔液晶ポリエステルの製造〕
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸１９７６ｇ（１０．５モル）、４−ヒドロキシアセトアニリド１４７４ｇ（９．７５モル）、イソフタル酸１６２０ｇ（９．７５モル）及び無水酢酸２３７４ｇ（２３．２５モル）を入れ、反応器内のガスを窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から１５０℃まで１５分かけて昇温し、１５０℃で３時間還流させた。次いで、副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら、１５０℃から３００℃まで２時間５０分かけて昇温し、３００℃で１時間保持した後、反応器から内容物を取り出し、室温まで冷却した。得られた固形物を、粉砕機で粉砕して、粉末状のプレポリマーを得た。このプレポリマーの流動開始温度は、２３５℃であった。次いで、このプレポリマーを、窒素雰囲気下、室温から２２３℃まで６時間かけて昇温し、２２３℃で３時間保持することにより、固相重合させた後、冷却して、粉末状の液晶ポリエステルを得た。この液晶ポリエステルの流動開始温度は、２７０℃であった。
〔液晶ポリエステル溶液の調製〕
液晶ポリエステル２２００ｇを、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７８００ｇに加え、１００℃で２時間加熱して、液晶ポリエステル溶液を得た。この溶液の粘度は４００ｃＰであった。
〔液状組成物の調製〕
液晶ポリエステル溶液に、窒化ホウ素及び酸化アルミニウムを加え、遠心攪拌脱泡機で５分間攪拌して、液状組成物を得た。ここで、液晶ポリエステルと窒化ホウ素と酸化アルミニウムとの割合は、それぞれの比重（液晶ポリエステル１．３７ｇ／ｃｍ^３、酸化アルミニウム３．９８ｇ／ｃｍ^３、窒化ホウ素２．２８ｇ／ｃｍ^３）から、液晶ポリエステル５０体積％、酸化アルミニウム２５体積％、窒化ホウ素２５体積％となるように、質量基準で調整した。
〔銅箔と絶縁層との積層中間体の製造〕
厚さ１００μｍのポリエステルフィルムに、液状組成物をその塗膜の厚さが約９０μｍになるように塗布した後、１００℃で２０分乾燥した。得られたポリエステルフィルムと乾燥膜との積層中間体を、厚さ３５μｍの銅箔と、乾燥膜が銅箔に接触するように、重ね合わせ、１５０℃に加熱した一対の熱ロール間に通過させて、乾燥膜と銅箔とを熱圧着した。次いで、ポリエステルフィルムを剥がし、得られた銅箔と乾燥膜との積層中間体を、２９０℃で３時間熱処理して、銅箔と絶縁層との積層中間体を得た。
〔積層板の製造〕
銅箔と絶縁層との積層中間体を、金属板と重ね合わせた。その際、金属板として金属板（１）〜（４）を用いた場合は、金属板の粗面が絶縁層に接触するようにし、金属板として金属板（５）を用いた場合は、金属板の一方の面が絶縁層に接触するようにした。次いで、２０ＭＰａの圧力を加えながら３４０℃で２０分熱処理して、絶縁層と金属板とを熱圧着した。得られた積層板について、打抜き加工性及び曲げ加工性の評価、並びに絶縁層の熱抵抗の測定をし、表２に示した。

Claims (7)

1. 圧延法により得られた金属板と、前記金属板上に設けられ、樹脂を含む絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた金属箔とを有する積層板であって、前記金属板は、前記絶縁層に接する面における圧延方向の十点平均粗さＲｚ（ＭＤ）及び前記圧延方向に垂直な方向の十点平均粗さＲｚ（ＴＤ）が、それぞれ独立に、４〜２０μｍであり、前記Ｒｚ（ＭＤ）に対する前記Ｒｚ（ＴＤ）の割合（Ｒｚ（ＴＤ）／Ｒｚ（ＭＤ））が１．５以下である金属板である積層板。
2. 前記樹脂が液晶ポリエステルである請求項１に記載の積層板。
3. 前記液晶ポリエステルが、下記式（１）で表される繰返し単位と、下記式（２）で表される繰返し単位と、下記式（３）で表される繰返し単位とを有する液晶ポリエステルである請求項２に記載の積層板。
   （１）−Ｏ−Ａｒ^１−ＣＯ−
   （２）−ＣＯ−Ａｒ^２−ＣＯ−
   （３）−Ｘ−Ａｒ^３−Ｙ−
   （Ａｒ^１は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ａｒ^２及びＡｒ^３は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２又はＡｒ^３で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
   （４）−Ａｒ^４−Ｚ−Ａｒ^５−
   （Ａｒ^４及びＡｒ^５は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。）
4. 前記液晶ポリエステルが、それを構成する全繰返し単位の合計量に対して、前記式（１）で表される繰返し単位を３０〜８０モル％、前記式（２）で表される繰返し単位を１０〜３５モル％、前記式（３）で示される繰返し単位を１０〜３５モル％有する液晶ポリエステルである請求項３に記載の積層板。
5. Ｘ及び／又はＹがそれぞれイミノ基である請求項３又は４に記載の積層板。
6. 前記絶縁層が、さらに酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の無機充填材を含む絶縁層である請求項１〜５のいずれかに記載の積層板。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の積層板の製造方法であって、圧延法により得られた原料金属板の少なくとも一方の面を粗面化することにより、前記金属板を得る工程を有する積層板の製造方法。