TWI622492B - 積層板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供一種鑿穿加工性及彎曲加工性優異之金屬基底電路基板。
本發明之積層板係具有：藉壓延法所得之金屬板、設置在前述金屬板上且含有樹脂之絕緣層、以及設置在前述絕緣層上之金屬箔之積層板，前述金屬板為：相接於前述絕緣層之面之壓延方向的十點平均粗糙度Rz(MD)及垂直於前述壓延方向之方向的十點平均粗糙度Rz(TD)分別獨立地為4至20μm，且前述Rz(TD)對前述Rz(MD)之比率(Rz(TD)/Rz(MD))為1.5以下之金屬板。

Description

積層板及其製造方法
本發明係關於積層板及其製造方法。
近年來，隨著電氣‧電子機器的小型化、高性能化及高功率化，對於電路基板，係要求從被封裝之元件產生的熱容易逸散，亦即散熱性優異。可應付此要求之電路基板，係正研究一種具有金屬板、設置於其上之絕緣層、以及設置於其上之電路圖案之金屬基底電路基板。該金屬基底電路基板，係可藉由從具有金屬板、設置於其上之絕緣層、以及設置於其上之金屬箔之積層板，使該金屬箔進行圖案化而得到(例如參考專利文獻1至8)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平5-167212號公報
專利文獻2：日本國際公開第2010/117023號
專利文獻3：日本特開2011-32316號公報
專利文獻4：日本特開2011-77270號公報
專利文獻5：日本特開2011-181833號公報
專利文獻6：日本特開2011-219749號公報
專利文獻7：日本特開2011-249606號公報
專利文獻8：日本特開2012-4323號公報
前述習知之金屬基底電路基板，於鑿穿加工時，有時容易使絕緣層產生缺損。此外，於彎曲加工時，有時容易使絕緣層從金屬板剝離。因此，本發明之目的在於提供一種鑿穿加工性及彎曲加工性優異之積層板，甚至提供一種鑿穿加工性及彎曲加工性優異之金屬基底電路基板。
為了達成前述目的，本發明係提供一種積層板，其係具有：藉壓延法所得之金屬板、設置在前述金屬板上且含有樹脂之絕緣層、以及設置在前述絕緣層上之金屬箔之積層板，前述金屬板係為：相接於前述絕緣層之面之壓延方向上的十點平均粗糙度Rz(MD)及垂直於前述壓延方向之方向的十點平均粗糙度Rz(TD)分別獨立地為4至20μm，且前述Rz(TD)對前述Rz(MD)之比率(Rz(TD)/Rz(MD))為1.5以下之金屬板。此外，根據本發明，亦提供一種積層板的製造方法，其係前述積層板的製造方法，具有：使藉壓延法所得之原料金屬板之至少一面粗面化，俾得到前述金屬板之步驟。
本發明之積層板，係鑿穿加工性及彎曲加工性優異，且散熱性亦優異。
本發明之積層板，為具有金屬板、設置在其上之絕緣層、以及設置在其上之金屬箔之積層板。
在本發明中，係使用下述金屬板，亦即為藉壓延法所得之金屬板，其至少一面為壓延方向的十點平均粗糙度及垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度分別獨立地為4至20μm，且垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度對壓延方向的十點平均粗糙度之比率(垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度/壓延方向的十點平均粗糙度)為1.5以下之粗面的金屬板，以使該粗面相接於絕緣層之方式積層。亦即，於金屬板之相接於絕緣層之面上，以壓延方向的十點平均粗糙度為Rz(MD)，以垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度為Rz(TD)時，Rz(MD)及Rz(TD)分別獨立地為4至20μm，且Rz(TD)/Rz(MD)為1.5以下。藉此，可得到鑿穿加工性及彎曲加工性優異，且散熱性亦優異之積層板。
金屬板之另一面，亦即與相接於絕緣層之面為相反側的面，係可為鏡面或粗面，為粗面時，可與相接於絕緣層之面相同地，壓延方向的十點平均粗糙度及垂 直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度分別獨立地為4至20μm，且垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度對壓延方向的十點平均粗糙度之比率(垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度/壓延方向的十點平均粗糙度)為1.5以下之粗面，或是除此之外的粗面。
Rz(MD)及Rz(TD)較佳係分別獨立地為4至10μm，Rz(TD)/Rz(MD)較佳為1.2以下，藉此，可進一步提升積層板的鑿穿加工性或彎曲加工性。
金屬板之面的十點平均粗糙度，係依據JIS B0601：1994來測定。
如此的金屬板，係以成為前述既定粗面之方式，使藉壓延法所得之原料金屬板之至少一面均一且適度地粗面化而得到。粗面化係可對雙面進行或是僅對一面進行，但為了更提升積層板的鑿穿加工性或彎曲加工性，較佳係對雙面進行。
粗面化係可藉由噴砂處理、研磨處理等之乾式粗面化方法來進行，或是藉由陽極氧化處理、蝕刻處理等之濕式粗面化方法來進行。其中，較佳藉由噴砂處理來進行粗面化，藉此，可進一步提升積層板的鑿穿加工性或彎曲加工性。噴砂處理，係可藉由空氣壓或離心力將氧化鋁、鋼粒、砂、玻璃珠等研磨劑吹送至金屬板，以使金屬板粗面化之方法。
金屬板的材料，例如可列舉出鋁、鐵及銅，亦可為鋁合金或不銹鋼等合金。其中，較佳為銅及鋁合金。 金屬板可含有碳等之非金屬，例如可含有與碳複合化之鋁。金屬板較佳具有高導熱率，該導熱率較佳為60W‧m-1‧K-1以上。
金屬板的厚度一般為0.2mm以上，較佳為0.5mm以上，藉此，可容易提升積層板的散熱性。此外，金屬板的厚度一般為5mm以下，較佳為1.5mm以下，藉此，可容易提升積層板的鑿穿加工性或彎曲加工性。金屬板係可具有可撓性或不具有可撓性。金屬板可具有單層構造或多層構造。
絕緣層係設置在金屬板上，且含有樹脂。樹脂可發揮作為黏著金屬板與金屬箔之黏著劑的功能，以及使絕緣層的表面平坦化之功能。
樹脂係例如可列舉出聚丙烯、聚醯胺、液晶聚酯以外的聚酯、液晶聚酯、聚苯硫醚、聚醚酮、聚碳酸酯、聚醚碸、聚苯醚、聚醚醯亞胺等之熱塑性樹脂；以及酚樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、氰酸酯樹脂等之熱硬化性樹脂，亦可使用此等2種以上。其中，由於耐熱性高且介電損耗低，故較佳為液晶聚酯。
液晶聚酯為在熔融狀態下顯示液晶性之聚酯，較佳為在450℃以下的溫度熔融之液晶聚酯。液晶聚酯可為液晶聚酯醯胺、或液晶聚酯醚、液晶聚酯碳酸酯、液晶聚酯醯亞胺。液晶聚酯較佳為僅使用芳香族化合物作為原料單體之全芳香族液晶聚酯。
液晶聚酯的典型例，可列舉出：使芳香族 羥基羧酸與芳香族二羧酸與選自由芳香族二醇、芳香族羥基胺及芳香族二胺所組成之群之至少1種化合物聚合(聚縮合)而成之液晶聚酯，使複數種芳香族羥基羧酸聚合而成之液晶聚酯，使芳香族二羧酸與選自由芳香族二醇、芳香族羥基胺及芳香族二胺所組成之群之至少1種化合物聚合而成之液晶聚酯，以及使聚對苯二甲酸乙二酯等之聚酯與芳香族羥基羧酸聚合而成之液晶聚酯。在此，芳香族羥基羧酸、芳香族二羧酸、芳香族二醇、芳香族羥基胺及芳香族二胺，係可分別獨立地使用其可聚合的衍生物來取代其一部分或全部。
如芳香族羥基羧酸及芳香族二羧酸之具有羧基之化合物的可聚合之衍生物的例子，係可列舉出：將羧基轉換為烷氧羰基或芳氧羰基而成之衍生物(酯)、將羧基轉換為鹵甲醯基而成之衍生物(氧鹵化物)、及羧基轉換為醯氧羰基而成之衍生物(酸酐)。如芳香族羥基羧酸、芳香族二醇及芳香族羥基胺般之具有羥基的化合物之可聚合的衍生物的例子，係可列舉出使羥基醯基化而轉換為醯氧基所成之衍生物(醯化物)。如芳香族羥基胺及芳香族二胺般之具有胺基的化合物之可聚合的衍生物的例子，係可列舉出使胺基醯基化而轉換為醯胺基所成之衍生物(醯化物)。
液晶聚酯較佳係具有以下述式(1)表示之重複單位(以下，有時稱為「重複單位(1)」)，尤佳係具有重複單位(1)、以下述式(2)表示之重複單位(以下，有時稱為 「重複單位(2)」)、及以下列式(3)表示之重複單位(以下，有時稱為「重複單位(3)」)。
(1)-O-Ar1-CO-
(2)-CO-Ar2-CO-
(3)-X-Ar3-Y-
(Ar1表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基；Ar2及Ar3分別獨立地表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或以下列式(4)表示之基；X及Y分別獨立地表示氧原子或亞胺基(-NH-)；位於以Ar1、Ar2或Ar3表示之前述基之氫原子，係可分別獨立地被鹵素原子、烷基或芳基所取代)
(4)-Ar4-Z-Ar6-
(Ar4及Ar6分別獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)
前述鹵素原子係可列舉出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。前述烷基的例子，係可列舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正己基、2-乙基己基、正辛基及正癸基，該碳數一般為1至10。前述芳基的例子，可列舉出苯基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、1-萘基及2-萘基，該碳數一般為6至20。當前述氫原子被此等基所取代時，其數係於以Ar1、Ar2或Ar3表示之前述基的每個基，一般分別獨立地為2個以下，較佳為1個以下。
前述亞烷基的例子，可列舉出亞甲基、亞乙基、亞異丙基、亞正丁基及2-乙基亞己基，其碳數一般 為1至10。
重複單位(1)係來自既定芳香族羥基羧酸之重複單位。重複單位(1)較佳係Ar1為對伸苯基之重複單位(1)(來自對羥基苯甲酸之重複單位)、以及Ar1為2,6-萘基之重複單位(1)(來自6-羥基-2-萘甲酸之重複單位)。
重複單位(2)為來自既定芳香族二羧酸之重複單位。重複單位(2)較佳係Ar2為對伸苯基之重複單位(2)(來自對苯二甲酸之重複單位)、Ar2為間伸苯基之重複單位(2)(來自間苯二甲酸之重複單位)、Ar2為對伸苯基之重複單位(2)(來自對苯二甲酸之重複單位)、Ar2為2,6-伸萘基之重複單位(2)(來自2,6-萘二羧酸之重複單位)、以及Ar2為二苯基醚-4,4’-二基之重複單位(2)(來自二苯基醚-4,4’-二羧酸之重複單位)。
重複單位(3)為來自既定之芳香族二醇、芳香族羥基胺或芳香族二胺之重複單位。重複單位(3)較佳係Ar3為對伸苯基之重複單位(3)(來自對苯二酚、對胺基酚或對苯二胺之重複單位)。
重複單位(1)的含量係相對於全部重複單位的合計量(藉由以其各重複單位的式量除構成液晶聚酯之各重複單位的質量，求取各重複單位的物質量當量(莫耳)，並將此等予以合計之值)，一般為30莫耳%以上，較佳為30至80莫耳%，尤佳為30至60莫耳%，更佳為30至40莫耳%。重複單位(2)的含量，係相對於全部重複單位的合計量，一般為35莫耳%以上，較佳為10至35莫耳%， 尤佳為20至35莫耳%，更佳為30至35莫耳%。重複單位(3)的含量，相對於全部重複單位的合計量，一般為35莫耳%以上，較佳為10至35莫耳%，尤佳為20至35莫耳%，更佳為30至35莫耳%。重複單位(1)的含量愈多，愈容易提升耐熱性或強度、剛性，若過多，對於溶劑之溶解性容易降低。
重複單位(2)的含量與重複單位(3)的含量之比率，係以[重複單位(2)的含量]/[重複單位(3)的含量](莫耳/莫耳)表示，一般為0.9/1至1/0.9，較佳為0.95/1至1至0.95，尤佳為0.98/1至1/0.98。
液晶聚酯係可分別獨立地具有重複單位(1)至(3)2種以上。此外，液晶聚酯係亦可具有重複單位(1)至(3)以外的重複單位，該含量係相對於全部重複單位的合計量，一般為10莫耳%以下，較佳為5莫耳%以下。
液晶聚酯係具有X及/或Y為亞胺基之重複單位(3)作為重複單位(3)者，亦即，具有來自既定之芳香族羥基胺之重複單位及/或來自芳香族二胺之重複單位者，對於溶劑之溶解性優異，故較佳，尤佳為僅具有X及/或Y為亞胺基之重複單位(3)作為重複單位(3)。
液晶聚酯較佳係藉由使對應於構成此之重複單位之原料單體熔融聚合，並使所得之聚合物(預聚物)固相聚合而製造。藉此，能夠操作性佳地製造耐熱性或強度、剛性高之高分子量的液晶聚酯。熔融聚合可在觸媒的存在下進行，該觸媒的例子，可列舉出乙酸鎂、乙酸亞錫、 四丁基鈦酸酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀、三氧化銻等之金屬化合物，或4-(二甲基胺基)吡啶、1-甲基咪唑等之含氮雜環型化合物，較佳係使用含氮雜環型化合物。
液晶聚酯係其流動起始溫度一般為250℃以上，較佳為250至350℃，尤佳為260至330℃。流動起始溫度愈高，愈容易提升耐熱性或強度、剛性，若過高，對於溶劑之溶解性容易降低，或液狀組成物的黏度容易變高。
流動起始溫度亦稱為熔流溫度或流動溫度，使用毛細流變儀，一邊在9.8MPa(100kg/cm2)的荷重下以4℃/分的速度升溫，一邊使液晶聚酯熔融，並從內徑1mm及長度10mm的噴嘴擠壓出時，顯示4800Pa‧s(48000泊)的黏度之溫度，為液晶聚酯的分子量之標準(參考小出直之編，「液晶聚合物-合成、成形及應用-(日文原文：液晶-合成‧成形‧応用-」，CMC股份有限公司，1987年6月5日，p.95)。
樹脂佔絕緣層之比率，較佳為30至60體積%，尤佳為35至55體積%。若過度降低該比率，絕緣層與金屬板或金屬箔之密著性降低，或絕緣層的表面平坦性降低。此外，若過度增大該比率，積層板的散熱性降低。
絕緣層較佳係進一步含有選自由氧化鋁、氧化矽、氮化硼及氮化鋁所組成之群的至少1種無機填料。藉由於絕緣層含有前述無機填料，可提升積層板的散熱性。
前述無機填料的至少一部分，為了提升與樹脂之密著性或於後述樹脂組成物中的分散性，可使用施以表面處理之無機填料。可使用於其表面處理之表面處理劑，例如可列舉出矽烷偶合劑、鈦偶合劑、鋁偶合劑、鋯偶合劑、長鏈脂肪酸、異氰酸酯化合物、及具有環氧基、甲氧基矽烷基、胺基或羥基之高分子。
前述無機填料佔絕緣層之比率，較佳為40至70體積%，尤佳為45至65體積%。若過度降低該比率，積層板的散熱性降低。此外，若過度增大該比率，積層板的鑿穿加工性或彎曲加工性降低。
絕緣層係亦可含有樹脂及前述無機填料以外的成分，例如有機填料或添加劑，佔絕緣層之比率，含有複數種時，該合計一般為0至10體積%。有機填料的例子，可列舉出硬化環氧樹脂、交聯苯并胍胺樹脂及交聯丙烯酸樹脂。添加劑的例子，可列舉出流平劑、消泡劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、難燃劑及著色劑。
此外，於絕緣層中，亦可含有氧化鋁、氧化矽、氮化硼及氮化鋁以外的無機填料，佔無機填料之比率，含有複數種時，該合計一般為0至10體積%。
金屬箔係設置在絕緣層上，並將絕緣層夾持於其間而與金屬板相向。金屬箔的材料，例如可列舉出銅及鋁，亦可為合金。金屬箔的厚度一般為10至500μm。
本發明之積層板的製造，可藉由(A)：首先製作金屬箔與絕緣層之積層中間體，接著，以該絕緣層面 作為貼合面，而藉由熱壓合等將該積層中間體與金屬板的粗面貼合而進行；或(B)：首先以金屬板的粗面作為貼合面，製作金屬板與絕緣層之積層中間體，接著，以該絕緣層面作為貼合面，並藉由熱壓合等將該積層中間體與金屬箔貼合而進行；或是(C)：首先製造成為絕緣層之絕緣薄膜，接著，以金屬板的粗面作為貼合面，以金屬板與金屬箔夾持該絕緣薄膜並藉由熱壓合等來貼合此等而進行。
絕緣層的形成，較佳係將含有樹脂及溶劑之液狀組成物塗佈於支撐體並將所得之塗膜乾燥(除去溶劑)來進行。此時，藉由使用金屬箔作為支撐體，可製造前述(A)中之金屬箔與絕緣層之積層中間體。此外，藉由使用金屬板作為支撐體，可製造前述(B)中之金屬板與絕緣層之積層中間體。此外，當使用金屬箔及金屬板以外的支撐體，例如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、氟樹脂薄膜、尼龍薄膜、聚甲基戊烯薄膜等之樹脂薄膜作為支撐體時，藉由熱壓合等，將形成於支撐體上之絕緣層從支撐體轉印至金屬箔，藉此，可製造前述(A)中之金屬箔與絕緣層之積層中間體，或是藉由熱壓合等，將形成於支撐體上之絕緣層從支撐體轉印至金屬板，藉此，可製造前述(B)中之金屬板與絕緣層之積層中間體，或是從支撐體將形成於支撐體上之絕緣層剝離，藉此可製造前述(C)中之絕緣薄膜。
溶劑係可適當地選擇能夠溶解所使用的樹脂之溶劑，具體而言，能夠於50℃以1質量%以上的濃度([樹脂]/[樹脂+溶劑])溶解之溶劑而使用。
溶劑的例子，可列舉出二氯甲烷、三氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、鄰二氯苯等之鹵化烴；對氯酚五氯酚、五氟酚等之鹵化酚；二乙醚、四氫呋喃、1,4-二噁烷等之醚；丙酮、環己酮等之酮；乙酸乙酯、γ-丁內酯等之酯；碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯等之碳酸酯；三乙胺等之胺；吡啶等之含氮雜環芳香族化合物；乙腈、琥珀腈等之腈；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺；四甲基脲等之脲化物；硝基甲烷、硝基苯等之硝基化物；二甲基亞碸、環丁碸等之硫化物；以及六甲基磷酸醯胺、三正丁基磷酸等之磷化物，亦可使用此等2種以上。
溶劑係由於腐蝕性低且容易處理，故較佳是以非質子性化合物，尤其是不具有鹵素原子之非質子性化合物為主成分之溶劑，非質子性化合物佔溶劑全體之比率，較佳為50至100質量%，尤佳為70至100質量%，更佳為90至100質量%。此外，前述非質子性化合物，由於容易溶解樹脂，故較佳為使用N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等之醯胺。
此外，溶劑係由於容易溶解樹脂，故較佳是以偶極矩為3至5的化合物為主成分之溶劑，偶極矩為3至5的化合物佔溶劑全體之比率，較佳為50至100質量%，尤佳為70至100質量%，更佳為90至100質量%，前述非質子性化合物，較佳係使用偶極矩為3至5的化合物。
此外，溶劑係由於容易除去，故較佳是以1 大氣壓時的沸點為220℃以下之化合物作為主成分之溶劑，1大氣壓時的沸點為220℃以下之化合物佔溶劑全體之比率，較佳為50至100質量%，尤佳為70至100質量%，更佳為90至100質量%，前述非質子性化合物，較佳係使用1大氣壓時的沸點為220℃以下之化合物。
液狀組成物中之樹脂的含量，相對於樹脂及溶劑的合計量，一般為5至60質量%，較佳為10至50質量%，尤佳為15至45質量%，可適當地調整成可得到期望黏度的液狀組成物。
液狀組成物的調製，較佳係藉由將無機填料及依需要的其他成分，分散於在溶劑中溶解有樹脂及依需要的其他成分所成之溶液中而進行。無機填料係可藉由球磨機、三輥機、離心攪拌機、珠磨機等，一邊粉碎一邊分散於前述溶液。
將液狀組成物塗佈於支撐體之方法，例如可列舉出輥塗佈法、棒塗佈法、網版印刷法、模頭塗佈法及缺角輪塗佈法，可為連續式或分批式(單板式)。
塗膜的乾燥較佳係藉由從塗膜使溶劑蒸發而進行。當使用金屬箔及金屬板以外的支撐體作為支撐體，使形成於支撐體上之塗膜乾燥，並藉由熱壓合等，將所得之乾燥膜從支撐體轉印至金屬箔或金屬板時，較佳以使溶劑的一部分殘存於乾燥膜中之方式來進行。此時，乾燥膜中的溶劑量，較佳為1至25質量%。乾燥溫度一般為50至180℃，較佳為80至150℃。
形成於支撐體上之乾燥膜或轉印至金屬箔或金屬板之乾燥膜，當使用熱塑性樹脂作為樹脂時，較佳係進行熱處理，藉此，可調節其分子量及結晶化度，而得到黏著性或導熱性優異之絕緣膜。熱處理係在氮氣等之惰性氣體環境下，一般於250至350℃，較佳於270至320℃進行。
當如此做法而得到金屬箔與絕緣層之積層中間體時，如前述(A)所述，以該絕緣層面作為貼合面，並藉由熱壓合等將該積層中間體與金屬板的粗面貼合，藉此，可得到本發明之積層板。此外，在以金屬板的粗面作為貼合面而得到金屬板與絕緣層之積層中間體時，如前述(B)所述，以其絕緣層面作為貼合面，並藉由熱壓合等將該積層中間體與金屬箔貼合，藉此，可得到本發明之積層板。此外，在將形成於支撐體上之絕緣層從支撐體剝離而得到絕緣薄膜時，如前述(C)所述，以金屬板的粗面作為貼合面，以金屬板與金屬箔夾持該絕緣薄膜並藉由熱壓合等來貼合此等，藉此可得到本發明之積層板。
從如此做法所得到之積層板，使其金屬箔進行圖案化而形成電路圖案，依需要而進行切斷加工、開孔加工般之鑿穿加工、彎曲加工等之加工，藉此得到金屬基底電路基板。金屬箔的圖案化，例如可在金屬箔上形成遮罩圖案，並使金屬箔的露出部以蝕刻進行除去。
實施例 [液晶聚酯之流動起始溫度的測定]
使用熔流試驗機(島津製作所股份有限公司的「CFT-500型」)，將液晶聚酯約2g裝填於安裝有具有內徑1mm及長度10mm的噴嘴之模頭之壓缸，一邊在9.8MPa(100kg/cm2)的荷重下以4℃/分的速度升溫，一邊使液晶聚酯熔融，從噴嘴中擠壓出，並測定顯示4800Pa‧s(48000P)的黏度之溫度。
[液晶聚酯溶液之黏度的測定]
使用B型黏度計(東機產業股份有限公司的「TVL-20型」)，藉由No.21的轉子，以旋轉數20rpm測定。
[金屬板的面之十點平均粗糙度的測定]
使用表面粗糙度測定裝置(KLA Tencor股份有限公司，計算規格JIS B0601-1994)，依據JIS B0601：1994，於測定速度：5μm/秒、評估長度：1.0mm的條件下測定。
[金屬板]
金屬板係使用：藉由噴砂處理，使藉壓延法所得之雙面為鏡面(壓延方向的十點平均粗糙度：1.2μm、垂直於壓延方向之方向的十點平均粗糙度：2.4μm)且厚度為1.0mm之鋁合金板之一面粗面化所得到之金屬板，一面為具有第1表所示的十點平均粗糙度之粗面，且另一面為鏡面之厚度1.0mm的金屬板(1)至(4)。此外，直接使用前述鋁合金板作為金屬板(5)。
[鑿穿加工性]
使用鋁合金板用的總鑿穿模，藉由模壓機(Aida Engineering股份有限公司的「80 Ton Press」)，於夾持具壓力20kN、脫模力59kN、模壓速度60SPN的條件下對積層板進行鑿穿加工後，以光學顯微鏡來確認出該切削面的絕緣層是否產生缺損。
[彎曲加工性]
藉由蝕刻來去除被切斷為10mm×30mm的尺寸之積層板的金屬箔，並以絕緣層作為外側，以使彎曲部成為直徑15mm之方式將所得之金屬板與絕緣層之積層體彎曲加工成180°後，以目視來觀察絕緣層是否從金屬板產生剝離。
[絕緣層的散熱性]
藉由蝕刻來部分地去除被切斷成30mm×40mm的尺寸之積層板的金屬箔，而形成14mm×10mm的島部。使用焊錫將電晶體(東芝股份有限公司的「C2233」)安裝於該島 部，將所得之附有電晶體的積層板，以使金屬板介由聚矽氧滑脂層而與水冷卻裝置的冷卻面相對向之方式安裝於水冷卻裝置。接著將30W的電力P供給至電晶體，測定電晶體的溫度T1與水冷卻裝置之冷卻面的溫度T2，並以溫度T1與溫度T2的差T1-T2對電力P之比的值(T1-T2)/P作為熱阻。
實施例1及2以及比較例1至3 [液晶聚酯的製造]
將6-羥基-2-萘甲酸1976g(10.5莫耳)、4-羥基乙腈1474g(9.75莫耳)、間苯二甲酸1620g(9.75莫耳)及乙酸酐2374g(23.25莫耳)，裝入於具備有攪拌裝置、扭矩計、氮氣導入管、溫度計及迴流冷卻器之反應器中，以氮氣取代反應器內的氣體後，於氮氣迴流下，一邊攪拌一邊於15分鐘內從室溫升溫至150℃，以150℃迴流3小時。接著，一邊餾除副產物的乙酸及未反應的乙酸酐，一邊於2小時50分鐘內從150℃升溫至300℃，於300℃保持1小時後，從反應器中取出內容物，並冷卻至室溫。以粉碎機將所得之固形物予以粉碎，而得到粉末狀的預聚物。該預聚物的流動起始溫度為235℃。接著，於氮氣環境下，將該預聚物於6小時內從室溫升溫至223℃，於223℃保持3小時並藉此進行固相聚合後，進行冷卻而得到粉末狀的液晶聚酯。該液晶聚酯的流動起始溫度為270℃。
[液晶聚酯溶液的調製]
將液晶聚酯2200g加入於N,N-二甲基乙醯胺7800g， 於100℃加熱2小時，得到液晶聚酯溶液。該溶液的黏度為400cP。
[液狀組成物的調製]
將氮化硼及氧化鋁加入於液晶聚酯溶液，藉由離心攪拌脫泡機攪拌5分鐘，而得到液狀組成物。在此，液晶聚酯與氮化硼與氧化鋁之比率，以質量基準計，從各比重(液晶聚酯1.37g/cm3、氧化鋁3.98g/cm3、氮化硼2.28g/cm3)分別調整為液晶聚酯50體積%、氧化鋁25體積%、氮化硼25體積%。
[銅箔與絕緣層之積層中間體的製造]
以該塗膜的厚度成為約90μm之方式將液狀組成物塗佈於厚度100μm的聚酯薄膜後，於100℃乾燥20分鐘。將所得之聚酯薄膜與乾燥膜之積層中間體，以使乾燥膜與銅箔接觸之方式與厚度35μm的銅箔疊合，通過被加熱至150℃之一對熱輥間，將乾燥膜與銅箔熱壓合。接著，剝離聚酯薄膜，於290℃對所得之銅箔與乾燥膜之積層中間體進行3小時的熱處理，而得到銅箔與絕緣層之積層中間體。
[積層板的製造]
將銅箔與絕緣層之積層中間體與金屬板疊合。此時，當使用金屬板(1)至(4)作為金屬板時，以使金屬板的粗面接觸於絕緣層，當使用金屬板(5)作為金屬板時，以使金屬板之一面接觸於絕緣層。接著，一邊施加20MPa的壓力一邊於340℃進行20分鐘的熱處理，以將絕緣層與金屬板熱壓合。對所得之積層板進行鑿穿加工性及彎曲加工性的評 估，並測定絕緣層的熱阻，結果如第2表所示。

Claims (8)

  1. 一種積層板，其係具有：藉壓延法所得之金屬板、設置在前述金屬板上且含有樹脂之絕緣層、以及設置在前述絕緣層上之金屬箔，該積層板之特徵為：前述金屬板係：接於前述絕緣層之面之壓延方向的十點平均粗糙度Rz(MD)及垂直於前述壓延方向之方向的十點平均粗糙度Rz(TD)分別獨立地為4至20μm，且前述Rz(TD)對前述Rz(MD)之比率(Rz(TD)/Rz(MD))為1.5以下之金屬板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之積層板，其中前述樹脂為液晶聚酯。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之積層板，其中前述液晶聚酯為具有以下述式(1)表示之重複單位、以下述式(2)表示之重複單位、及以下述式(3)表示之重複單位之液晶聚酯，(1)-O-Ar1-CO- (2)-CO-Ar2-CO- (3)-X-Ar3-Y-(Ar1表示伸苯基、伸萘基或伸聯苯基；Ar2及Ar3分別獨立地表示伸苯基、伸萘基、伸聯苯基或以下述式(4)表示之基；X及Y分別獨立地表示氧原子或亞胺基；位於以Ar1、Ar2或Ar3表示之前述基之氫原子，可分別獨立地被鹵素原子、烷基或芳基所置換)(4)-Ar4-Z-Ar6- (Ar4及Ar6分別獨立地表示伸苯基或伸萘基；Z表示氧原子、硫原子、羰基、磺醯基或亞烷基)。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之積層板，其中相對於構成前述液晶聚酯之全部重複單位的合計量，前述液晶聚酯具有以前述式(1)表示之重複單位30至80莫耳%、以前述式(2)表示之重複單位10至35莫耳%、及以前述式(3)表示之重複單位10至35莫耳%之液晶聚酯。
  5. 如申請專利範圍第3或4項所述之積層板，其中X及/或Y分別為亞胺基。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之積層板，其中前述絕緣層為進一步包含選自由氧化鋁、氧化矽、氮化硼及氮化鋁所組成之群的至少1種無機填料之絕緣層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之積層板，其中前述絕緣層為進一步包含選自由氧化鋁、氧化矽、氮化硼及氮化鋁所組成之群的至少1種無機填料之絕緣層。
  8. 一種積層板的製造方法，其係如申請專利範圍第1至7項中任一項所述之積層板的製造方法，其具有：藉由使以壓延法所得之原料金屬板之至少一面進行粗面化，而得到前述金屬板之步驟。
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