JPWO2013183260A1 - 薬液処理装置 - Google Patents

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Abstract

被処理基板(W)表面に対してエッチング処理を施すエッチング処理装置(S)において、処理槽(10)と、該処理槽(10)に搬入された被処理基板(W)を搬送する搬送ライン(40)と、搬送ライン(40)により搬送される被処理基板(W)表面に対してエッチング液(L)を吹き付ける上側及び下側エッチングシャワー(12,18)と、処理槽(10)の天井面(10c)に対してエッチング液(L)を吹き付ける天井用シャワー(24)とを備える。

Description

本発明は、表示パネルを構成する基板の表面などに薬液処理を施す薬液処理装置に関し、特に、処理槽天井からの凝集液滴の落下に起因する薬液処理の不良対策に関するものである。
表示パネルの製造では、パネル構成部材であるアクティブマトリクス基板やカラーフィルタ基板のエッチング処理や洗浄処理などの工程において、その基板表面に対しシャワーノズルから噴射した薬液を吹き付けて所定の薬液処理を施すことが行われている。
このような薬液処理を行う装置として、例えば特許文献1には、薬液処理槽内に、被処理基板を水平方向に搬送する基板搬送装置を設けると共に、その基板搬送装置で搬送される基板の上面に薬液を供給する上側スプレーノズルと、基板の下面に薬液を供給する下側スプレーノズルとを設けた構成の基板処理装置が開示されている。
この基板処理装置では、下側スプレーノズルの薬液吹き出し方向を被処理基板の下面に対して傾斜させることにより、上側スプレーノズルから供給される薬液に下側スプレーノズルから供給される薬液を横方向から衝突させ、両スプレーノズルからの薬液を正面衝突させる場合に比べて、薬液同士の干渉に伴う飛沫の発生を抑制し、処理槽天井への水滴付着を防止するようになっている。
特開平7−37858号公報
しかし、特許文献1の基板処理装置であっても、薬液の飛散及びミスト化を防止することはできないため、薬液が直接かからない処理槽天井などに薬液の飛沫(小滴)が付着することは回避できない。処理槽天井に付着した薬液の飛沫は、水分の蒸発により濃縮され、その天井に設けられた各種センサーや配管、その他の凹凸部分で凝集されて高濃度の液滴となり、被処理基板の表面に落下することになる。
そうなると、薬液がエッチング液である場合には、凝集液滴の落下箇所でエッチングレートの異常が生じ、エッチング処理が不均一となって表示パネルの不良品発生を招く要因となる。また、薬液が酸性液体やアルカリ性液体などからなる洗浄液である場合には、被処理基板の表面が一部酸化したり腐食したりしてダメージを受けることがある。
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、処理槽天井からの凝集液滴の落下に起因する薬液処理の不良発生を防止して、被処理基板に良好な薬液処理を施すことにある。
上記の目的を達成するために、この発明では、処理槽天井に付着した薬液の飛沫が水分の蒸発により濃縮しないように処理槽天井にも薬液を供給し、速やかに凝集液滴を生成して落下させるようにした。
具体的には、本発明は、被処理基板の被処理面に対して薬液処理を施す薬液処理装置を対象とし、以下の解決手段を講じたものである。
すなわち、第1の発明は、
上記被処理基板が搬入される薬液処理槽と、
上記薬液処理槽に搬入された被処理基板をその被処理面を上記薬液処理槽の天井側に向けて搬送する搬送手段と、
上記搬送手段により搬送される被処理基板の被処理面に対して薬液を吹き付ける薬液吹付手段とを備え、
上記薬液吹付手段は、上記薬液処理槽の天井にも上記薬液を吹き付ける
ことを特徴とする。
この第1の発明では、薬液吹付手段が薬液処理槽の天井にも薬液を吹き付けるように構成されている。この薬液吹付手段により薬液処理時に薬液処理槽の天井に薬液を吹き付ければ、被処理基板の薬液処理によって生じる薬液の飛散やミスト化により薬液処理槽の天井に薬液の飛沫が付着しても、その飛沫は、水分の蒸発により濃縮される前に、薬液処理槽の天井に供給された薬液と混じり速やかに凝集して自重により落下する。このような凝集液滴は、薬液処理槽の天井に吹き付けたときと同じ濃度であるので、被処理基板の表面に落下しても、薬液処理に異常が生じたり、被処理基板の表面にダメージを与えることがない。したがって、処理槽天井からの凝集液滴の落下に起因する薬液処理の不良発生を防止して、被処理基板に良好な薬液処理を施すことが可能になる。
第2の発明は、第1の発明の薬液処理装置において、
上記薬液処理槽の天井面は水平に形成されている
ことを特徴とする。
この第2の発明では、薬液処理槽の天井面が水平である。このように水平な天井面に薬液吹付手段によって吹き付けられた薬液は、ランダムに分散した複数箇所で凝集して落下するので、凝集液滴の落下箇所が局所的に偏った場合に懸念される不具合、例えば薬液がエッチング液の場合にはエッチングレート又はパターニング形状の面内均一性の悪化などを回避することが可能になる。
第3の発明は、第1又は第2の発明の薬液処理装置において、
上記薬液処理槽の天井には、既存の構造物が突出するように設けられ、
上記薬液吹付手段は、上記既存の構造物に薬液を吹き付ける
ことを特徴とする。
この第3の発明では、薬液吹付手段によって薬液処理槽の天井に設けられた既存の構造物に薬液が吹き付けられるので、凝縮液滴の落下が生じやすい既存の構造物に付着した薬液の飛沫を濃縮する前に速やかに凝集液滴として落下させることができる。これによって、濃縮された凝集液滴の落下に起因する薬液処理の不良発生を効果的に防止することができる。
第4の発明は、第1〜第3の発明のいずれか1つの薬液処理装置において、
上記薬液吹付手段は、薬液供給用の送液配管と、該送液配管に設けられて下方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記被処理基板の被処理面に薬液を吹き付ける複数の第1シャワーノズルと、上記送液配管に設けられて上方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記薬液処理槽の天井に薬液を吹き付ける複数の第2シャワーノズルとを備える
ことを特徴とする。
この第4の発明によっても、上記第1の発明の作用効果を有効に得ることができる。さらに、第1シャワーノズル及び第2シャワーノズルが同一の送液配管に接続されているので、これら第1シャワーノズルと第2シャワーノズルとが別個の送液配管に接続されている場合に比べて、配管系統を簡略化することができる。
第5の発明は、第1〜第3の発明のいずれか1つの薬液処理装置において、
上記薬液吹付手段は、薬液供給用の第1送液配管及び第2送液配管と、上記第1送液配管に設けられて下方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記被処理基板の被処理面に薬液を吹き付ける複数の第1シャワーノズルと、上記第2送液配管に設けられて下方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記薬液処理槽の天井に薬液を吹き付ける複数の第2シャワーノズルとを備える
ことを特徴とする。
この第5の発明によっても、上記第1の発明の作用効果を有効に得ることができる。さらに、第1シャワーノズルと第2シャワーノズルとが別個の送液配管に接続されているので、これら両シャワーノズルの薬液吹き出し動作を独立に制御することができる。第1シャワーノズルと第2シャワーノズルとが同一の送液配管に接続されている場合には、これら両シャワーノズルが薬液を同時に吹き出す動作となり、コントロールしづらく、個別の流量調整が困難である。これに対して、本発明によれば、第2シャワーノズルの薬液吹き出し動作を第1シャワーノズルの薬液吹き出し動作とは別個に制御し、第2シャワーノズルについて間欠運転などの運用が可能になる。
第6の発明は、第4又は第5の発明の薬液処理装置において、
上記送液配管は、上記被処理基板の搬送方向に沿って延びる主管と、各々該主管に対して上記被処理基板の搬送方向に互いに所定の間隔をあけて連結され上記主管から上記被処理基板の搬送方向と交差する方向に突出する複数本の分岐管を備え、
上記第1シャワーノズル及び第2シャワーノズルは、上記各分岐管にその突出方向に沿って所定の間隔をあけて複数設けられている
ことを特徴とする。
この第6の発明では、第1シャワーノズル及び第2シャワーノズルが被処理基板の搬送方向及び該搬送方向に交差する方向に所定の間隔をあけてそれぞれ多数設けられている。このような構成によれば、被処理基板を搬送しながら同基板の被処理面に対して多数の第1シャワーノズルから薬液を吹き付けて薬液処理を施すと共に、この薬液処理を実行する領域において、薬液処理槽の天井に対し多数の第2シャワーノズルから薬液を吹き付けて凝集液滴の生成及び落下を促すことができる。
第7の発明は、第6の発明の薬液処理装置において、
上記各第2シャワーノズルは、薬液吹き付け時に、上記被処理基板の搬送方向にスイングする
ことを特徴とする。
この第7の発明では、各第2シャワーノズルが被処理基板の搬送方向にスイングしながら薬液処理槽の天井に薬液を吹き付ける構成となっている。この構成によると、個々の第2シャワーノズルによる薬液吹き付け範囲が、第2シャワーノズルの薬液吹き付け方向が固定されている場合に比べて被処理基板の搬送方向に広範囲となるので、第2シャワーノズルが接続された分岐管の配置間隔を長くしたり当該分岐管を間引いて、第2シャワーノズルの個数を減らすことができる。これにより、第2シャワーノズルが接続された送液配管に送り出す薬液の流量を少なくすることができ、薬液の送り出しに使用するポンプにかかる負荷を抑えることができる。
第8の発明は、第6又は第7の発明の薬液処理装置において、
上記各第1シャワーノズルは、薬液吹き付け時に、上記被処理基板の搬送方向にスイングする
ことを特徴とする。
この第8の発明では、各第1シャワーノズルが被処理基板の搬送方向にスイングしながら被処理基板の表面に薬液を吹き付ける構成となっている。この構成によると、個々の第1シャワーノズルによる薬液吹き付け範囲が、第1シャワーノズルの薬液吹き付け方向が固定されている場合に比べて被処理基板の搬送方向に広範囲となるので、第1シャワーノズルが接続された分岐管の配置間隔を長くしたり当該分岐管を間引いて、第1シャワーノズルの個数を減らすことができる。これにより、第1シャワーノズルが接続された送液配管に送り出す薬液の流量を少なくすることができ、薬液の送り出しに使用するポンプにかかる負荷を抑えることができる。
本発明によれば、薬液処理槽の天井に付着した薬液の飛沫が水分の蒸発により濃縮しないように薬液処理槽の天井にも薬液を供給し、速やかに凝集液滴を生成して落下させるので、処理槽天井からの凝集液滴の落下に起因する薬液処理の不良発生を防止して、被処理基板に良好な薬液処理を施すことができる。
図1は、実施形態1に係るエッチング処理装置を示す模式図である。 図2は、実施形態1に係るエッチング処理槽内部の構成を示す模式図である。 図3は、実施形態1に係る上側エッチングシャワーの構成を下側から示す模式図である。 図4は、実施形態1に係る天井用シャワーの構成を上側から示す模式図である。 図5は、実施形態1に係るエッチング処理装置でのエッチング処理時の様子を示す模式図である。 図6は、実施形態2に係るエッチング処理槽内部の構成を示す模式図である。 図7は、実施形態4に係るエッチング処理槽内部の構成を示す模式図である。 図8は、実施形態4に係る上側エッチングシャワーの構成を上側から示す模式図である。 図9は、実施形態3に係るエッチング処理槽内部の構成を示す模式図である。 図10は、参考例のエッチング処理装置でのエッチング処理時の様子を示す模式図である。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《発明の実施形態1》
この実施形態1では、本発明に係る薬液処理装置の一例として、エッチング処理装置Sについて説明する。
本実施形態のエッチング処理装置Sは、例えば、液晶表示装置などの表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を作製する際にベース基板である絶縁性基板上に配線や電極、半導体層などのパターンを形成するのに用いられるものである。
このエッチング処理装置Sの処理対象である被処理基板Wは、例えば、一辺が1000mm〜3200mm程度の大きさの矩形平板状のガラス基板である。なお、この被処理基板Wは、表示パネル一枚分の大きさであってもよいし、表示パネル数枚分のマザー基板の大きさであっても構わない。
−エッチング処理装置Sの構成−
図1は、エッチング処理装置Sの概略構成を示す模式図である。
エッチング処理装置Sは、両面シャワー方式で被処理基板Wの表面にウェットエッチング処理を施す装置である。このエッチング処理装置Sは、図1に示すように、連設された薬液処理槽であるエッチング処理槽10、洗浄槽30及び乾燥槽35と、被処理基板Wを搬送してこれら各槽10,30,35内及び各槽10,30,35間を移動させる搬送手段としての搬送ライン40とを備えている。以下、被処理基板Wの搬送方向100を単に基板搬送方向100と称する。
エッチング処理槽10は、槽内に搬入された被処理基板Wの表面に対し薬液としてエッチング液Lを供給してエッチング処理を施すように構成されている。洗浄槽30は、エッチング処理槽10の基板搬送方向100下流側に隣接して配置されており、エッチング処理された被処理基板Wの表面を純水などの洗浄水に晒して洗浄するように構成されている。また、乾燥槽35は、洗浄槽30の基板搬送方向100下流側に隣接して配置されており、洗浄処理された被処理基板Wの表面に残る水分を熱風などにより高速乾燥させるように構成されている。
搬送ライン40は、細長円筒状の回転体である搬送ローラ42(後に参照する図2に図示)が水平方向に複数並設されて構成されている。これら複数の搬送ローラ42は、各々の軸方向が基板搬送方向100に直交する方向となるように、基板搬送方向100に沿って等間隔で互いに平行に配置されていて、被処理基板Wを、その被処理面がエッチング処理槽10の天井側に向いた姿勢で水平搬送するようになっている。
上記搬送ライン40は、各槽10,30,35に形成された搬入口及び搬出口(不図示)を通って、エッチング処理装置Sを貫通するように設置されており、被処理基板Wをエッチング処理装置Sの外部から内部に搬入し、エッチング処理槽10、洗浄槽30及び乾燥槽35を順に経由した後、同処理装置Sの外部に搬出するようになっている。
本発明は、上記エッチング処理槽10、洗浄槽30及び乾燥槽35のうち、特にエッチング処理槽10の構成に特徴を有するので、以下に、このエッチング処理槽10の構成について図2〜図4を参照しながら詳述する。
図2は、エッチング処理槽10内部の構成を示す模式図である。
エッチング処理槽10には、図2に示すように、基板搬送方向100の上流端に搬入口10aが、同方向100の下流端に搬出口10bがそれぞれ設けられている。そして、これら搬入口10aと搬出口10bとの間には、上記搬送ライン40を構成する複数の搬送ローラ42が水平方向に複数並設されている。
このエッチング処理槽10内部の搬送ライン40上方には、搬送ローラ42によって水平搬送される被処理基板Wの被処理面である上面に対しエッチング液Lを吹き付ける上側エッチングシャワー12が設置されている。また、エッチング処理槽10内部の搬送ライン40下方には、水平搬送される被処理基板Wの下面に対してエッチング液Lを吹き付ける下側エッチングシャワー18が設置されている。
図3は、上側エッチングシャワー12の構成を下側から示す模式図である。
上側エッチングシャワー12は、図3に示すように、エッチング液供給用の第1送液配管である上側送液配管14と、該上側送液配管14を通して供給されるエッチング液Lを散布する第1シャワーノズルとしての多数の上面処理用シャワーノズル16とを備えている。
上側送液配管14は、基板搬送位置対応箇所の側方に基板搬送方向100に沿って延びる主管14aと、各々該主管14aに連結されて当該主管14aから基板搬送方向100と交差する方向(例えば直交する方向)に突出した複数本の分岐管14bとを備えている。
主管14aは、エッチング液Lが貯留された薬液タンク(不図示)とエッチング処理槽10の外部で連通接続されている。この主管14aには、主管14aの流路を開閉する開閉バルブ(不図示)と、該開閉バルブが開状態のときに薬液タンクに貯留されたエッチング液Lを主管14aを通して各分岐管14b、ひいては各上面処理用シャワーノズル16に送液するための送液ポンプ(不図示)とが介設されている。
分岐管14bは、搬送中の被処理基板W上方に位置するように基板搬送位置対応箇所に基板搬送方向100に等間隔をあけて配設され、主管14aに対して櫛歯状をなしている。これら各分岐管14bは主管14aに対して固定されている。
そして、上面処理用シャワーノズル16は、これら各分岐管14bの下側部分に下方に突出するように設けられていると共に、分岐管14bの突出方向に沿って配列するように同管14bの基端から先端に亘り等間隔をあけて複数設けられている。これら各上面処理用シャワーノズル16の先端には、下方に向いたエッチング液Lの吹出口16aが設けられている。
また、各上面処理用シャワーノズル16は、隣り合う分岐管14bに設けられた上面処理用シャワーノズル16に対してその配列方向に半ピッチずれて配置されていて、全体として千鳥状配列を構成している。この上面処理用シャワーノズル16としては、例えば、吹き付けパターンが円形状になるフルコーンタイプのシャワーノズルが好適に採用される。
上記構成の上側エッチングシャワー12は、送液ポンプの駆動によって送液タンクからエッチング液Lを上側送液配管14を通して各上面処理用シャワーノズル16に送液し、これら各上面処理用シャワーノズル16先端の吹出口16aから搬送中の被処理基板W上面にエッチング液Lを吹き付けて、同基板W上面にエッチング処理を施すようになっている。
また、下側エッチングシャワー18は、上側エッチングシャワー12と設置位置及びシャワーノズルの向きが異なるものの、これと同様な構成を有している。
すなわち、下側エッチングシャワー18は、主管20a及びこれに固定して連結された複数本の分岐管20bを有するエッチング液供給用の第1送液配管である下側送液配管20と、該下側送液配管20を通して供給されるエッチング液Lを散布する第1シャワーノズルとしての多数の下面処理用シャワーノズル22を備えている。
上記主管20a及び各分岐管20bは、例えば、上側エッチングシャワー12の主管14a及び各分岐管14bの下方に対応する位置にそれぞれ配設されている。また、下面処理用シャワーノズル22は、各分岐管20bの上側部分に上方に突出するように設けられていると共に、分岐管20bの突出方向に沿って配列するように同管20bの基端から先端に亘り等間隔をあけて複数設けられている。これら各下面処理用シャワーノズル22の先端には、上方に向いたエッチング液Lの吹出口22aが設けられている。
これら各下面処理用シャワーノズル22は、エッチング処理槽10の上下方向対応位置で、分岐管14b,20b突出方向に沿って上面処理用シャワーノズル16と交互に配置するように設けられて、全体として千鳥状配列を構成している。この下面処理用シャワーノズル22としては、例えば、吹き付けパターンが円形状になるフルコーンタイプのシャワーノズルが好適に採用される。
そして、下側エッチングシャワー18の主管20aも、上側エッチングシャワー12の主管14aと同様に、エッチング処理槽10の外部で開閉バルブ及び送液ポンプを介して薬液タンクに連通接続されている。
上記構成の下側エッチングシャワー18は、送液ポンプの駆動によって薬液タンクからエッチング液Lを下側送液配管14を通して各下面処理用シャワーノズル22に送液し、これら各下面処理用シャワーノズル22先端の吹出口22aから搬送中の被処理基板W下面にエッチング液を吹き付けるようになっている。
このように、本実施形態のエッチング処理槽10では、上側及び下側エッチングシャワー12,18の各シャワーノズル16,22から被処理基板Wの両面に対してエッチング液Lを吹き付けるので、上面処理用シャワーノズル16から被処理基板W上面に供給されたエッチング液Lが基板W表面で難溶性の反応生成物を生じさせたとしても、その生成物を含むエッチング液Lが被処理基板Wの下面(裏面)に回り込むことを防止し、短時間で高品質なエッチング処理を実行可能になっている。
そして、本実施形態では、上側エッチングシャワー12の上方に、エッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lを吹き付ける天井用シャワー24が設置されている。この天井用シャワー24によりエッチング液Lが吹き付けられるエッチング処理槽10の天井面10cは水平に形成されている。本実施形態では、上側エッチングシャワー12、下側エッチングシャワー18及び天井用シャワー24が本発明の薬液吹付手段を構成している。
図4は、天井用シャワー24の構成を示す模式図である。
天井用シャワー24も、上側エッチングシャワー12と設置位置及びシャワーノズルの向きが異なるものの、これと同様な構成を有している。
すなわち、天井用シャワー24は、図4に示すように、エッチング液供給用の第2送液配管である天井用送液配管26と、該天井用送液配管26を通して供給されるエッチング液Lをエッチング処理槽10の天井面10cに向かって散布する第2シャワーノズルとしての多数の天井用シャワーノズル28とを備えている。
天井用送液配管26は、基板搬送位置対応箇所の側方に基板搬送方向に沿って延びる主管26aと、各々該主管26aに連結されて当該主管26aの側方に突出した複数本の分岐管26bとを備えている。
天井用シャワー24の主管26aも、上側エッチングシャワー12の主管14aと同様に、エッチング処理槽10の外部で開閉バルブ及び送液ポンプを介して薬液タンクに連通接続されている。この天井用シャワー24の開閉バルブ及び送液ポンプは、上記の基板処理用のエッチングシャワー(上側及び下側エッチングシャワー)12,18の開閉バルブ及び送液ポンプとは別個のものであり、天井用シャワー24と基板処理用のエッチングシャワー12,18とは独立して別々に駆動可能に構成されている。
分岐管26bは、基板搬送方向100に等間隔をあけて基板搬送位置対応箇所に配設され、主管26aに対して櫛歯状をなしている。本実施形態では、これら各分岐管26bは主管26aに対して固定されている。
そして、天井用シャワーノズル28は、これら各分岐管26bの上側部分に上方に突出するように設けられていると共に、分岐管26bの突出方向に沿って配列するように同管26bの基端から先端に亘り所定の間隔をあけて複数配置されている。これら各天井用シャワーノズル28の先端には、上方に向いたエッチング液Lの吹出口28aが設けられている。
また、各天井用シャワーノズル28は、隣り合う分岐管26bに設けられた天井用シャワーノズル28に対して半ピッチずれて配置されていて、全体として千鳥状配列を構成している。この天井用シャワーノズル28としては、例えば、吹き付けパターンが円形状になるフルコーンタイプのシャワーノズルが好適に採用される。
こうして、天井用シャワー24は、被処理基板W上面のエッチング処理時において、送液ポンプの駆動によって薬液タンクからエッチング液Lを天井用送液配管26を通して各天井用シャワーノズル28に送液し、上側エッチングシャワー12によりエッチング液Lを吹き付けてエッチング処理を実行する範囲の対応箇所全体に亘って、各天井用シャワーノズル28先端の吹出口28aからエッチング液Lをエッチング処理槽10の天井面10cに吹き付けるようになっている。これにより、エッチング処理槽10の天井面10cでの凝集液滴Xの生成及び落下を促して、該凝集液滴Xの落下に起因するエッチング処理の不良発生を防止することができる。
つまり、エッチング処理時にエッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lが吹き付けられるので、被処理基板Wのエッチング処理、例えば同基板Wへのエッチング液Lの吹き付けによって生じるエッチング液Lの飛散やミスト化によりエッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lの飛沫X’が付着しても、その飛沫X’は、水分の蒸発により濃縮される前に、天井用シャワー24によってエッチング処理槽10の天井面10cに吹き付けられるエッチング液Lと混じり速やかに凝集して自重により落下する。このような凝集液滴Xは、エッチング処理槽10の天井面10cに吹き付けたときと同じ濃度であるので、被処理基板Wの表面に落下しても、エッチングレートの異常などが生じることがなく、被処理基板Wに対して良好なエッチング処理を施すことができる。
上記エッチング処理槽10の内部にはさらに、被処理基板Wの存在の有無を検知可能な検知手段としての基板検出センサ(不図示)が設けられている。この基板検出センサは、エッチング処理槽10の外部に設置された制御システム(不図示)に接続されている。
制御システムは、上側エッチングシャワー12、下側エッチングシャワー18及び天井用シャワー24の開閉バルブ及び送液ポンプにも接続されていて、基板検出センサによるエッチング処理槽10内を被処理基板Wが通過したかどうかの判断に基づき、各シャワーノズル16,22,28からのエッチング液Lの吹き出しを制御するようになっている。
エッチング処理方法−
次に、上記エッチング処理装置Sを用いてアクティブマトリクス基板を作製する際のエッチング処理方法について説明する。図5は、エッチング処理装置Sでのエッチング処理時の様子を示す模式図である。図10は、参考例のエッチング処理装置でのエッチング処理時の様子を示す模式図である。なお、図10では、便宜上、本実施形態のエッチング処理装置Sの各構成に相当する部分については、同一符合を付している。
まず、エッチング処理装置Sにおいてエッチング処理がなされる処理対象の被処理基板Wを、搬送ライン40に載せて搬送し、搬入口10aからエッチング処理槽10に搬入する。ここで、搬送ライン40に載せられた被処理基板Wは、基板洗浄処理、フォトレジスト塗布処理、プリベーク処理、パターン露光処理、現像処理、及びポストベーク処理が既に施されて、その上面に薄膜が形成されたものである。
被処理基板Wがエッチング処理槽10に搬入されると、基板検出センサが被処理基板Wの存在を検知することにより制御システムが動作して、上側エッチングシャワー12、下側エッチングシャワー18及び天井用シャワー24によるエッチング液Lの散布が開始される。そして、被処理基板Wがエッチング処理槽10内を上流端から下流端まで搬送される間、図5に示すように、上側及び下側エッチングシャワー12,18の各シャワーノズル16,22から被処理基板Wの両面に対してエッチング液Lが吹き付けられてウェットエッチング処理が実行される。また、その間、天井用シャワー24の各シャワーノズル28からエッチング処理槽10の天井面10cに対してもエッチング液Lが吹き付けられる。
上記エッチング処理の実行時には、エッチング液Lの吹き付けによる同液Lの飛散やミスト200が発生するため、エッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lの飛沫X’が付着する。仮に、図10に示すようにエッチング処理槽10が天井用シャワー24のない構成である場合には、処理槽10天井に付着したエッチング液Lの飛沫X’が水分の蒸発により濃縮されて高濃度の凝集液滴Xとなり、搬送中の被処理基板W上面に落下することがあり、その凝集液滴Xの被処理基板W上の落下箇所でエッチングレートの異常が生じてエッチング処理に不良が発生してしまう。
これに対して、本実施形態では、エッチング処理槽10の天井面10cに対してもエッチング液Lを吹き付けていることにより、処理槽10天井に付着した飛沫X’は、各天井用シャワーノズル28から吹き付けられたエッチング液Lと混じり濃縮される前に速やかに液滴Xとなって落下するので、被処理基板Wの表面に落下しても、エッチングレートの異常などの不具合が生じることがなく、被処理基板Wに対して良好なエッチング処理を施すことができる。
上記エッチング処理が完了し、被処理基板Wが搬出口10bに到達すると、該搬出口10bを通して被処理基板Wがエッチング処理槽10から搬出され、続いて、隣接する洗浄槽30に搬入される。
被処理基板Wが洗浄槽30に搬入されると、洗浄槽30に設けられた純水シャワーノズルが作動して被処理基板Wの表面に純水が噴射され、該基板W表面に残ったエッチング液Lが洗浄される。こうして洗浄された被処理基板Wは、洗浄槽30から搬出され、続いて、隣接する乾燥槽35に搬入される。
被処理基板Wが乾燥槽35に搬入されると、乾燥槽35に設けられたオーブンが作動して被処理基板Wの表面が熱風により走査され、これにより該基板W表面が高速乾燥される。こうして乾燥された被処理基板Wは、乾燥槽35から搬出され、エッチング処理を完了する。
−実施形態1の効果−
この実施形態1によると、被処理基板Wにエッチング処理を施している間、天井用シャワー24によりエッチング処理槽10の天井面10cにもエッチング液Lを吹き付けることにより、処理槽10天井面10cに付着したエッチング液Lの飛沫X’が濃縮される前に凝集液滴Xを生成して速やかに落下するので、処理槽10天井面10cからの凝集液滴Xの落下に起因するエッチング処理の不良発生を防止でき、被処理基板W上面に良好なエッチング処理を施すことができる。
しかも、エッチング処理槽10の天井面10cが水平であるので、該天井面10cに吹き付けられたエッチング液Lは、ランダムに分散した複数箇所で凝集して落下するので、凝集液滴Xの落下箇所が局所的に偏った場合に懸念されるエッチングレート又はパターニング形状の面内均一性の悪化などを回避することができる。
また、上面処理用シャワーノズル16と天井用シャワーノズル28とが別個の送液配管14,26に設けられているので、これら両シャワーノズル16,28のエッチング液Lの吹き出し動作を独立に制御することができる。上面処理用シャワーノズル16と天井用シャワーノズル28とが同一の送液配管に接続されている場合には、これら両シャワーノズル16,28がエッチング液Lを同時に吹き出す動作となり、コントロールしづらく、個別の流量調整が困難である。これに対して、本実施形態によれば、天井用シャワーノズル28のエッチング液Lの吹き出し動作を上面処理用シャワーノズル16のエッチング液Lの吹き出し動作とは別個に制御し、天井用シャワーノズル28について間欠運転などの運用が可能になる。
《発明の実施形態2》
図6は、この実施形態2のエッチング処理槽10内部の構成を示す模式図である。なお、以降の各実施形態では、エッチング処理槽10内部の構成が上記実施形態1と異なる他はエッチング処理装置Sについて上記実施形態1と同様に構成されているので、構成の異なるエッチング処理槽10内部の構成についてのみ説明し、同一の構成箇所は、図1〜図5に基づく上記実施形態1の説明に譲ることにして、その詳細な説明を省略する。
上記実施形態1では、上側エッチングシャワー12とは別個に天井用シャワー24を備える構成について説明したが、本実施形態では、上側エッチングシャワー12が天井用シャワー24の機能も兼ねる構成となっている。
すなわち、本実施形態のエッチング処理槽10内部の搬送ライン40上方に、搬送ローラ42によって水平搬送される被処理基板Wの上面に対しエッチング液Lを吹き付けると共に、エッチング処理槽10の天井面10cにもエッチング液Lを吹き付ける上側エッチングシャワー50が設置されている。
この上側エッチングシャワー50は、上記実施形態1の上側エッチングシャワー12と同様な構成を有し、この構成に加えて、上側送液配管14の各分岐管14bの上側部分に複数の天井用シャワーノズル28が分岐管14bの突出方向に沿って配列するように分岐管14bの基端から先端に亘り等間隔をあけて設けられた構成となっている。これら各天井用シャワーノズル28は、上記実施形態1と同様に全体として千鳥状配列を構成するように配置されている。
−実施形態2の効果−
この実施形態2によると、上記実施形態1と同様な効果を得ることができる上に、天井用シャワーノズル28が上面処理用シャワーノズル16と同一の送液配管14に接続されて、上側エッチングシャワー50がエッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lを吹き付ける機能を兼ねているので、上側エッチングシャワー12とは別個に天井用シャワー24を備える場合に比べて、配管系統を簡略化することができる。
《発明の実施形態3》
図7は、この実施形態3に係るエッチング処理槽10内部の構成を示す模式図である。図8は、この実施形態3に係る上側エッチングシャワー50の構成を上側から示す模式図である。
本実施形態では、上記実施形態2と同様に、図7及び図8に示すように、上側エッチングシャワー50が天井用シャワー24も兼ねる構成となっていて、上側エッチングシャワー50における各分岐管14bの下側部分に複数の上面処理用シャワーノズル16が、これら各分岐管14bの上側部分に複数の天井用シャワーノズル28がそれぞれ設けられている。
そして、上側エッチングシャワー50の送液配管14は、各分岐管14bを回動動作させるための回動機構(不図示)及びモータ29を備え、各分岐管14bがその軸方向周りに回動するよう構成されている。これにより、エッチング液Lの吹き付け時に、各上面処理用シャワーノズル16が基板搬送方向100にスイングしながら被処理基板Wの上面にエッチングを吹き付け、且つ、各天井用シャワーノズル28が基板搬送方向100にスイングしながらエッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lを吹き付けるようになっている。
−実施形態3の効果−
この実施形態3によると、個々の上面処理用シャワーノズル16及び天井用シャワーノズル28におけるエッチング液Lの吹き付け範囲が、これらシャワーノズル16,28のエッチング液Lの吹き付け方向が固定されている場合に比べて基板搬送方向100に広範囲となるので、分岐管14bの配置間隔を長くしたり当該分岐管14bを間引いて、上面処理用シャワーノズル16及び天井用シャワーノズル28の個数を減らすことができる。これにより、これらのシャワーノズル16,28が連結された送液配管14に送り出すエッチング液Lの流量を少なくすることができ、エッチング液Lの送り出しに使用する送液ポンプにかかる負荷を抑えることができる。
《発明の実施形態4》
図9は、この実施形態4に係るエッチング処理槽10内部の構成を示す模式図である。
上記実施形態1では、天井用シャワー24が、上側エッチングシャワー12により被処理基板W上面に対しエッチング液Lを吹き付ける範囲の対応箇所全体において、エッチング処理槽10の天井面10cにエッチング液Lを吹き付ける構成となっている場合について説明したが、本実施形態では、天井用シャワー24は、エッチング処理槽10の天井面10cで飛沫X’の凝集が生じやすく凝集液滴Xの落下を発生させやすい特定箇所に局所的にエッチング液Lを吹き付ける構成となっている。
具体的には、図9に示すように、エッチング処理槽10の天井面10cには、上記基板検出センサや配管系統などの下方に凸部をなす既存の構造物300が設けられている。このような既存の構造物300が設けられた箇所では、凝集液滴Xの生成及び落下が生じやすくなっている。そこで、本実施形態の天井用シャワー24は、このような既存の構造物300の下方位置にまで延びる送液配管26(主管26a及び分岐管26b)と、該送液配管26の上側部分に設けられた数個の天井用シャワーノズル28とを備え、これら各天井用シャワーノズル28から上記既存の構造物300に対してエッチング液Lを吹き付けるように構成されている。
−実施形態4の効果−
この実施形態4によると、凝集液滴Xの落下を発生させやすい既存の構造物300に付着したエッチング液Lの飛沫X’を濃縮する前に速やかに凝集液滴Xとして落下させることができるので、濃縮された凝集液滴Xの落下に起因するエッチング処理の不良発生を効果的に防止することができる。
なお、上記実施形態1及び4においても、送液配管14,26が各分岐管14b,26bをその軸方向周りに回動可能に構成され、各上面処理用シャワーノズル16及び各天井用シャワーノズル28がエッチング液Lの吹き付け時に基板搬送方向100にスイングするように構成されていてもよい。また、これら上面処理用シャワーノズル16及び天井用シャワーノズル28のいずれか一方だけがエッチング液Lの吹き付け時に基板搬送方向100にスイングするように構成されていてもよい。
また、上記実施形態1では、天井用シャワー24が上側エッチングシャワー12と同様な構成を有するとしたが、本発明はこれに限らず、天井用シャワー24は、上側エッチングシャワー12とは送液配管26の配置や天井用シャワーノズル28の構成などが異なる構成のものであってもよく、エッチング処理槽10の天井にエッチング液Lの吹き付けが可能なものであれば構わない。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は上記各実施形態に記載の範囲に限定されない。上記各実施形態が例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せに、さらにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
例えば、上記各実施形態では、本発明の薬液処理装置としてエッチング処理装置Sを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限らず、フォトリソグラフィーを用いるパターニング工程でマスクとして使用したレジスト層を有する被処理基板Wの被処理面に対しレジスト剥離液を薬液として吹き付けるレジスト剥離装置や、被処理基板の被処理面に対し酸性液体やアルカリ性液体などからなる洗浄液を吹き付ける洗浄装置などの他の薬液処理装置にも勿論適用することができ、被処理基板Wの表面に薬液を吹き付けて所定の処理を施す装置であれば広く適用することが可能である。
以上説明したように、本発明は、エッチング処理装置やレジスト剥離装置、洗浄装置などの薬液処理装置について有用であり、特に、処理槽天井からの凝集液滴の落下に起因する薬液処理の不良発生を防止して、被処理基板に良好な薬液処理を施すことが要望される薬液処理装置に適している。
L エッチング液(薬液)
S エッチング処理装置(薬液処理装置)
W 被処理基板
10 エッチング処理槽(薬液処理槽)
10c エッチング処理槽の天井面
12 上側エッチングシャワー(薬液吹付手段)
14 上側送液配管
14a 主管
14b 分岐管
16 上面処理用シャワーノズル(第1シャワーノズル)
18 下側エッチングシャワー(薬液吹付手段)
20 下側送液配管
20a 主管
20b 分岐管
22 下面処理用シャワーノズル(第1シャワーノズル)
24 天井用シャワー(薬液吹付手段)
26 天井用送液配管
26a 主管
26b 分岐管
28 天井用シャワーノズル(第2シャワーノズル)
40 搬送ライン
42 搬送ローラ
100 被処理基板の搬送方向
300 既存の構造物

Claims (8)

  1. 被処理基板の被処理面に対して薬液処理を施す薬液処理装置であって、
    上記被処理基板が搬入される薬液処理槽と、
    上記薬液処理槽に搬入された被処理基板をその被処理面を上記薬液処理槽の天井側に向けて搬送する搬送手段と、
    上記搬送手段により搬送される被処理基板の被処理面に対して薬液を吹き付ける薬液吹付手段とを備え、
    上記薬液吹付手段は、上記薬液処理槽の天井にも上記薬液を吹き付ける
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  2. 請求項1に記載の薬液処理装置において、
    上記薬液処理槽の天井面は水平に形成されている
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  3. 請求項1又は2に記載の薬液処理装置において、
    上記薬液処理槽の天井には、既存の構造物が突出するように設けられ、
    上記薬液吹付手段は、上記既存の構造物に薬液を吹き付ける
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の薬液処理装置において、
    上記薬液吹付手段は、薬液供給用の送液配管と、該送液配管に設けられて下方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記被処理基板の被処理面に薬液を吹き付ける複数の第1シャワーノズルと、上記送液配管に設けられて上方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記薬液処理槽の天井に薬液を吹き付ける複数の第2シャワーノズルとを備える
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  5. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の薬液処理装置において、
    上記薬液吹付手段は、薬液供給用の第1送液配管及び第2送液配管と、上記第1送液配管に設けられて下方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記被処理基板の被処理面に薬液を吹き付ける複数の第1シャワーノズルと、上記第2送液配管に設けられて下方に向いた吹出口を有し該吹出口から上記薬液処理槽の天井に薬液を吹き付ける複数の第2シャワーノズルとを備える
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  6. 請求項4又は5に記載の薬液処理装置において、
    上記送液配管は、上記被処理基板の搬送方向に沿って延びる主管と、各々該主管に対して上記被処理基板の搬送方向に互いに所定の間隔をあけて連結され上記主管から上記被処理基板の搬送方向と交差する方向に突出する複数本の分岐管を備え、
    上記第1シャワーノズル及び第2シャワーノズルは、上記各分岐管にその突出方向に沿って所定の間隔をあけて複数設けられている
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  7. 請求項6に記載の薬液処理装置において、
    上記各第2シャワーノズルは、薬液吹き付け時に、上記被処理基板の搬送方向にスイングする
    ことを特徴とする薬液処理装置。
  8. 請求項6又は7に記載の薬液処理装置において、
    上記各第1シャワーノズルは、薬液吹き付け時に、上記被処理基板の搬送方向にスイングする
    ことを特徴とする薬液処理装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104282598A (zh) * 2014-09-23 2015-01-14 安徽省大富光电科技有限公司 蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备及方法
CN111096071A (zh) * 2017-09-04 2020-05-01 夏普株式会社 蚀刻装置以及显示装置的制造方法
CN110586552A (zh) * 2019-10-17 2019-12-20 攀钢集团矿业有限公司 一种往复式高梯度磁选机冲洗装置
JP2022138907A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 キオクシア株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03284386A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Shibaura Eng Works Co Ltd 洗浄用処理槽
JPH04196425A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Sigma Merutetsuku Kk 薬液処理装置
JPH0737858A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03284386A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Shibaura Eng Works Co Ltd 洗浄用処理槽
JPH04196425A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Sigma Merutetsuku Kk 薬液処理装置
JPH0737858A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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