WO2019043947A1 - エッチング装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents

エッチング装置、および表示装置の製造方法 Download PDF

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tank
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博己 谷山
達 岡部
信介 齋田
市川　伸治
遼佑 郡司
芳浩 仲田
彬 井上
浩治 神村
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シャープ株式会社
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    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines

Definitions

  • the present invention relates to an etching apparatus and a method of manufacturing a display device.
  • the non-fixed side substrate has a recess in which the EL element portion is positioned, and the peripheral edge of the recess is a rib, and this recess supplies the etching solution in the form of mist.
  • An organic EL display panel characterized in that it is formed by etching performed is disclosed.
  • the existing structure is a used masking material which is exposed on the surface of the semiconductor wafer, is used as a mask having etching resistance in the preceding etching step, and is to be dissolved away by mist etching.
  • a mist etching method is disclosed in which the etching solution used is in the form of micro mist formed by atomizing the etching solution and dispersing it in an inert gas in the form of mist.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to etch a substrate accurately.
  • the etching device concerning one mode of the present invention is arranged in the inside of the medical fluid processing tank by which a substrate is conveyed inside, and the medical fluid processing tank, and the direction which does not cross the surface of the substrate And an injection unit for injecting a mist-like etchant chemical solution through the blowout port.
  • a step of transporting a substrate inside a chemical treatment tank, and a step of being disposed inside the chemical treatment tank, the surface of the substrate And a step of injecting a mist-like etchant chemical solution through the blowout port to a sprayer having a blowout port facing in a direction not intersecting with the nozzle.
  • an effect is obtained that the substrate can be accurately etched.
  • FIG. 1 is a view showing the configuration of the etching apparatus 1.
  • the etching apparatus 1 is an apparatus for etching the surface of the substrate 2.
  • the substrate 2 is, for example, a substrate on which components of a display device such as an organic EL display device are formed.
  • the etching apparatus 1 wet-etches the substrate 2 in order to form a wiring made of, for example, ITO / Ag / ITO on the surface of the substrate 2.
  • the etching apparatus 1 of FIG. 1 includes a cooling tank 10, a chemical treatment tank 20, a cleaning tank 30, a drying tank 40, and an unloader 50.
  • the cooling tanks 10 to the unloader 50 are arranged in a line in order.
  • the substrate 2 is first carried into the cooling tank 10.
  • the etching apparatus 1 transports the substrate 2 in a fixed transport direction 3 using a transport roller (not shown).
  • the transport direction 3 of the substrate 2 is a linear direction from the cooling tank 10 toward the unloader 50.
  • the etching apparatus 1 transports the substrate 2 in the order of the cooling tank 10, the chemical treatment tank 20, the cleaning tank 30, the drying tank 40, and the unloader 50, and performs specific processing on the substrate 2 at each location. Apply.
  • the etching apparatus 1 cools the substrate 2 in the cooling tank 10, performs chemical treatment (etching) on the substrate 2 in the chemical treatment tank 20, cleans the substrate 2 in the cleaning tank 30, and dries the substrate 2 in the drying tank 40.
  • the etching apparatus 1 finally takes out the substrate 2 from the unloader 50 to the outside of the etching apparatus 1.
  • FIG. 2 is a view showing the configuration of the cooling tank 10.
  • the cooling tank 10 is disposed upstream of the chemical treatment tank 20 in the etching apparatus 1 and includes a cooling unit 11 (cooling unit) therein.
  • the cooling unit 11 is a kind of blower for delivering the cold air 12.
  • the outlet of the cooling unit 11 faces the substrate 2.
  • the cooling tank 10 doubles as a loader.
  • the loader is an apparatus for initially arranging the substrate 2 to be etched in the etching apparatus 1 inside the etching apparatus 1.
  • the etching apparatus 1 transports the substrate 2 by the transport roller from the inlet of the cooling tank 10 toward the outlet of the cooling tank 10. Meanwhile, the cooling unit 11 blows the cold air 12 onto the substrate 2.
  • the cold air 12 cools the substrate 2, thereby lowering the temperature of the substrate 2.
  • the etching apparatus 1 cools the substrate 2 to a temperature lower by, for example, 5 ° C. or more than room temperature.
  • the etching apparatus 1 conveys the cooled substrate 2 from the cooling tank 10 to the inside of the chemical treatment tank 20.
  • FIG. 3 is a view showing the configuration of the chemical treatment tank 20.
  • the chemical treatment tank 20 is disposed upstream of the cleaning tank 30 in the etching apparatus 1 and includes a plurality of humidification units 21 (injection units).
  • the plurality of humidifying units 21 are arranged in a line along the transport direction 3 of the substrate 2 inside the chemical treatment tank 20.
  • the humidifying unit 21 has an outlet 22 not facing the substrate 2. In FIG. 1, the outlet 22 of the humidifying unit 21 faces in the direction parallel to the transport direction 3 of the substrate 2.
  • the humidifying unit 21 is a kind of humidifier that sprays the mist-like chemical solution 23 into the inside of the chemical treatment tank 20 through the blowout port 22.
  • the chemical solution 23 is an etchant for etching the surface of the substrate 2.
  • Each humidifying unit 21 sprays the mist-like chemical solution 23 through the blowout port 22 inside the chemical solution treatment tank 20.
  • the injection timing may be before or after the substrate 2 is carried into the humidifying unit 21.
  • the etching apparatus 1 controls the temperature of the chemical solution 23 to be jetted in accordance with the type of the chemical solution 23.
  • the temperature of the chemical solution 23 is, for example, 10 ° C. or more higher than the atmospheric temperature of the etching apparatus 1 and is, for example, 40 ° C. to 42 ° C.
  • the sprayed chemical solution 23 diffuses inside the chemical solution treatment tank 20.
  • the inside of the chemical solution treatment tank 20 is filled with the chemical solution mist 24 of the saturated vapor amount.
  • the chemical solution mist 24 adheres uniformly to the surface of the substrate 2.
  • a thin liquid film 25 having a uniform thickness is formed on the surface of the substrate 2.
  • the liquid film 25 etches the surface of the substrate 2 to form a desired wiring pattern on the surface of the substrate 2.
  • the etching apparatus 1 conveys the substrate 2 in which the liquid film 25 of the chemical solution 23 is partially left on the surface from the chemical solution treatment tank 20 to the inside of the cleaning tank 30.
  • FIG. 4 is a view showing the configuration of the cleaning tank 30.
  • the cleaning tank 30 is disposed upstream of the drying tank 40 in the etching apparatus 1 and includes a plurality of cleaning units 31.
  • the cleaning unit 31 is a kind of water discharger that discharges the cleaning water 32 for cleaning the substrate 2.
  • the plurality of cleaning units 31 are arranged in a line along the transport direction 3 of the substrate 2.
  • the outlet of the cleaning unit 31 faces the substrate 2.
  • the cleaning unit 31 discharges the cleaning water 32 toward the substrate 2 carried into the cleaning tank 30.
  • the liquid film 25 on the surface of the substrate 2 is washed away by the cleaning water 32, whereby the residual chemical solution on the surface is removed.
  • the etching apparatus 1 conveys the substrate 2 wet with the cleaning water 32 from the cleaning tank 30 to the inside of the drying tank 40.
  • FIG. 5 is a view showing the configuration of the drying tank 40.
  • the drying tank 40 is disposed upstream of the unloader 50 in the etching apparatus 1 and includes a drying unit 41 therein.
  • the drying unit 41 is a kind of blower capable of delivering the dry air 42.
  • the outlet of the drying unit 41 faces the substrate 2.
  • the etching apparatus 1 sprays the drying air 42 from the drying unit 41 on the substrate 2 carried into the drying tank 40.
  • the moisture attached to the surface of the substrate 2 is evaporated by the dry air 42 blown to the surface.
  • the etching apparatus 1 continues blowing the dry air 42 for a certain period of time until the substrate 2 is sufficiently dried.
  • the etching apparatus 1 transports the substrate 2 from the drying tank 40 to the inside of the unloader 50.
  • FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the unloader 50.
  • the unloader 50 is disposed downstream of the cleaning tank 30 in the etching apparatus 1 and includes a removal mechanism 51.
  • the takeout mechanism 51 is a component for taking out the substrate 2 to the outside of the etching apparatus 1.
  • the etching apparatus 1 takes out the substrate 2 carried into the unloader 50 to the outside of the etching apparatus 1 by using the taking-out mechanism 51. Thereby, the etching of the etching apparatus 1 is completed.
  • the sprayed chemical solution 23 does not strongly collide with the surface of the substrate 2. This prevents the amount of the chemical solution mist 24 attached to the surface of the substrate 2 from becoming uneven depending on the position of the surface, so that a uniform liquid film 25 can be formed on the entire surface of the substrate 2. it can. Therefore, the amount of etching shift on the substrate 2 can be made constant regardless of the position of the surface of the substrate 2, so that the surface of the substrate 2 can be etched uniformly. As a result, the wiring having a uniform width can be formed on the surface of the substrate 2. In addition, since the process window without residue spreads on the surface of the substrate 2, the yield at the time of manufacturing the display device can be improved.
  • the amount of the chemical solution 23 used can be reduced. This can reduce the cost of etching.
  • the liquid film 25 can be stably formed on the surface of the substrate 2.
  • FIG. 7 is a view showing a more detailed configuration of the chemical treatment tank 20.
  • the chemical liquid treatment tank 20 of FIG. 7 is provided with a plurality of exhaust ports 26, a loading door 70, a unloading door 80, and a ceiling 90.
  • the plurality of exhaust ports 26 are provided on the side surface of the chemical solution treatment tank 20 disposed in the direction orthogonal to the transport direction 3.
  • the loading door 70 and the unloading door 80 are respectively disposed on the unloading side and the unloading side of the substrate 2 in the chemical treatment tank 20.
  • the ceiling 90 is disposed at the top of the chemical treatment tank 20.
  • the loading door 70 is a double door in which a void is formed.
  • an inlet 71 penetrating the double door is formed in the loading door 70.
  • the inlet 71 is a passage of the substrate 2 when the substrate 2 is carried into the chemical treatment tank 20.
  • An exhaust port 72 and an exhaust port 73 are formed in the upper and lower portions of the loading door 70, respectively.
  • the delivery door 80 is a double door in which an air gap is formed inside.
  • the discharge door 80 is formed with an outlet 81 penetrating the double door.
  • the outlet 81 is a passage for the substrate 2 when the substrate 2 is unloaded from the chemical treatment tank 20.
  • An exhaust port 82 and an exhaust port 83 are formed at the upper and lower portions of the unloading door 80, respectively.
  • the ceiling 90 has a ceiling door 91 and a ceiling door 92.
  • the inlet 71 of the loading door 70 is opened.
  • the etching apparatus 1 exhausts the chemical solution mist 24 to the outside of the etching apparatus 1 with the minimum suction force that the chemical solution mist 24 does not leak to the cooling tank 10 through the exhaust port 72 and the exhaust port 73 of the loading door 70.
  • the chemical solution mist 24 can be prevented from flowing into the cooling tank 10 at the time of unloading the substrate 2 from the cooling tank 10, so that the safety of the cooling tank 10 can be enhanced.
  • the outlet 81 of the carry-out door 80 is opened.
  • the etching apparatus 1 exhausts the chemical solution mist 24 to the outside of the etching apparatus 1 with the minimum suction force that the chemical solution mist 24 does not leak to the cleaning tank 30 through the exhaust port 82 and the exhaust port 83 of the carry-out door 80.
  • the chemical solution mist 24 can be prevented from flowing into the cleaning tank 30 at the time of unloading the substrate 2 from the chemical solution processing tank 20, so that the safety of the cleaning tank 30 can be enhanced.
  • the administrator of the etching apparatus 1 opens the ceiling door 92 at the time of maintenance of the chemical treatment tank 20. At this time, since the ceiling door 91 is closed, the chemical solution mist 24 in the chemical solution treatment tank 20 is not exposed to the manager.
  • the etching apparatus 1 exhausts the chemical solution mist 24 filled in the chemical solution processing tank 20 to the outside of the chemical solution processing tank 20 through the exhaust port 26 using the opening of the ceiling door 92 as a trigger. When the chemical solution mist 24 is sufficiently exhausted, the etching apparatus 1 unlocks the ceiling door 91.
  • the administrator can open the ceiling door 91. Since the chemical solution mist 24 does not exist in the chemical solution processing tank 20 when the ceiling door 91 is opened, the manager does not take the chemical solution mist 24. Therefore, the manager can safely maintain the inside of the chemical treatment tank 20.
  • medical-solution processing tank 20 is equipped with as many humidification units 21 as possible. As the number of the humidifying units 21 increases, the inside of the humidifying unit 21 can be more quickly filled with the chemical solution mist 24.
  • the etching apparatus 1 can control the etching depth by changing the transfer speed of the substrate 2 in the humidifying unit 21. For example, if the transport speed of the substrate 2 is made slower, the residence time of the substrate 2 in the chemical solution treatment tank 20 becomes longer, so the etching can be made deeper. The etching can also be made deeper by temporarily stopping the substrate 2 inside the mist-like chemical treatment tank 20.
  • FIG. 8 is a view showing the substrate 2 transported in an inclined state inside the chemical treatment tank 20.
  • the etching apparatus 1 can transport the substrate 2 in a state of being inclined as viewed from the transport direction 3 of the substrate 2 inside the chemical treatment tank 20.
  • the surface direction of the substrate 2 is parallel to the transport direction 3 of the substrate 2 and inclined with respect to the lower surface 101 of the chemical treatment tank 20.
  • the liquid film 25 having a uniform thickness is formed on the surface of the substrate 2 in the humidifying unit 21. Therefore, the substrate 2 is uniformly etched. be able to.
  • the humidifying unit 21 can be disposed on the side of the substrate 2 in the chemical treatment tank 20. This configuration also does not change the fact that the outlet of the humidifying unit 21 does not face the substrate 2.
  • the cooling unit 11 can also be configured as a cooler that cools the substrate 2 by applying cooling water to the back surface of the substrate 2.
  • (Summary) Aspect 1 A chemical processing tank in which a substrate is transported, a discharge port disposed inside the chemical processing tank and directed in a direction not intersecting the surface of the substrate, and a misty etchant through the discharge port
  • An etching apparatus comprising: an injection unit for injecting a chemical solution.
  • Aspect 2 The etching port of the aspect 1 is characterized in that the blowout port of the injection portion is in a direction parallel to the transport direction of the substrate.
  • Aspect 3 The etching apparatus according to aspect 1 or 2, wherein a plurality of the injection units are disposed inside the chemical treatment tank.
  • Aspect 4 The etching apparatus according to any one of Aspects 1 to 3, further comprising a cooling unit disposed upstream of the chemical treatment tank and cooling the substrate before being carried into the chemical treatment tank. .
  • Aspect 5 The etching apparatus according to Aspect 4, wherein the cooling unit cools the substrate to a temperature lower by 5 ° C. or more than an atmospheric temperature of the etching apparatus.
  • Aspect 6 The etching apparatus according to any one of aspects 1 to 5, wherein the substrate is transported in an inclined state as viewed from the transport direction of the substrate inside the chemical treatment tank.
  • Aspect 7 The etching apparatus according to any one of the aspects 1 to 6, wherein the injection section ejects the etchant chemical solution which is higher by 10 ° C. or more than an atmospheric temperature of the etching apparatus.
  • Aspect 8 The etching apparatus according to any one of aspects 1 to 7, wherein the substrate is temporarily stopped inside the chemical treatment tank.

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Abstract

エッチング装置（１）は、内部で基板（２）が搬送される薬液処理槽（２０）と、薬液処理槽（２０）の内部に配置され、基板（２）の表面と交わらない方向に向く吹き出し口（２２）を有し、かつ吹き出し口（２２）を通じて霧状のエッチャント薬液（２２）を噴射する噴射部（２１）とを備えている。

Description

エッチング装置、および表示装置の製造方法
　本発明は、エッチング装置、および表示装置の製造方法に関する。
　特許文献１に、非固定側基板は、ＥＬ素子部が内部に位置する凹部を有してこの凹部の周縁はリブとなっており、この凹部は、エッチング液を霧状にして供給することで行われたエッチングにより形成されたものであることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルが開示されている。
　特許文献２に、既存構造物は、半導体ウエハの表面に露出した、先行するエッチング工程において耐エッチング性を有するマスクとして使用され、かつミストエッチングによって溶解除去されるべき使用済みのマスキング材であり、そして使用されるエッチング液は、エッチング液を微粒子化し不活性ガス中に霧状に分散させることによって形成されたマイクロミストの形態であることを特徴とするミストエッチング方法が開示されている。
特開２００４－１８６０４２号公報 特開２００９－０１００３３号公報
　特許文献１および２の構成では、基板の表面に形成されるエッチャント液膜の厚さにばらつきが生じるので、基板を正確にエッチングすることが難しいという問題がある。
　本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板を正確にエッチングすることにある。
　本発明の一態様に係るエッチング装置は、前記の課題を解決するために、内部で基板が搬送される薬液処理槽と、前記薬液処理槽の内部に配置され、前記基板の表面と交わらない方向に向く吹き出し口を有し、かつ前記吹き出し口を通じて霧状のエッチャント薬液を噴射する噴射部とを備えていることを特徴としている。
　本発明の一態様に係る表示デバイスの製造方法は、前記の課題を解決するために、薬液処理槽の内部で基板を搬送させる工程と、前記薬液処理槽の内部に配置され、前記基板の表面と交わらない方向に向く吹き出し口を有する噴射部に、前記吹き出し口を通じて霧状のエッチャント薬液を噴射させる工程とを有することを特徴としている。
　本発明の一態様によれば、基板を正確にエッチングすることができるという効果を奏する。
エッチング装置の構成を示す図である。 冷却槽の構成を示す図である。 薬液処理槽の構成を示す図である。 洗浄槽の構成を示す図である。 乾燥槽の構成を示す図である。 アンローダの構成を示す図である。 薬液処理槽のより詳細な構成を示す図である。 薬液処理槽の内部において傾斜した状態で搬送される基板を示す図である。
　（エッチング装置１の構成）
　図１は、エッチング装置１の構成を示す図である。エッチング装置１は、基板２の表面をエッチングする装置である。基板２は、例えば、有機ＥＬ表示デバイスなどの表示デバイスの構成要素がその表面に形成される基板である。エッチング装置１は、例えばＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯを材料とする配線を基板２の表面に形成するために、基板２をウェットエッチングする。
　図１のエッチング装置１は、冷却槽１０、薬液処理槽２０、洗浄槽３０、乾燥槽４０、およびアンローダ５０を備えている。冷却槽１０～アンローダ５０は、順に一列に並んでいる。基板２は、まず冷却槽１０に搬入される。エッチング装置１は、搬送ローラー（不図示）を使用して、基板２を一定の搬送方向３に搬送させる。図１では、基板２の搬送方向３は、冷却槽１０からアンローダ５０に向かう直線方向である。
　エッチング装置１は、基板２を、冷却槽１０、薬液処理槽２０、洗浄槽３０、乾燥槽４０、およびアンローダ５０の順で搬送させ、それぞれの場所においてエッチングに関する特定の処理を基板２に対して施す。エッチング装置１は、冷却槽１０において基板２を冷却し、薬液処理槽２０において基板２を薬液処理（エッチング）し、洗浄槽３０において基板２を洗浄し、乾燥槽４０において基板２を乾燥させる。エッチング装置１は、最後にアンローダ５０から基板２をエッチング装置１の外部に取り出す。
　（基板２の冷却）
　図２は、冷却槽１０の構成を示す図である。冷却槽１０は、エッチング装置１において薬液処理槽２０の上流に配置されると共に、その内部に冷却ユニット１１（冷却部）を備えている。冷却ユニット１１は、冷風１２を送出する一種の送風機である。冷却ユニット１１の吹き出し口は、基板２の方を向いている。冷却槽１０は、ローダを兼ねている。ローダは、エッチング装置１においてエッチングされる基板２をエッチング装置１の内部に最初に配置させる装置である。エッチング装置１は、冷却槽１０の入口から冷却槽１０の出口に向けて、搬送ローラによって基板２を搬送させる。その間、冷却ユニット１１は冷風１２を基板２に吹き付ける。冷風１２によって基板２が冷却され、これにより基板２の温度が低下する。エッチング装置１は、基板２を例えば室温よりも５℃以上低い温度にまで冷却する。エッチング装置１は、冷却された基板２を冷却槽１０から薬液処理槽２０の内部に搬送する。
　（基板２の薬液処理）
　図３は、薬液処理槽２０の構成を示す図である。薬液処理槽２０は、エッチング装置１において洗浄槽３０の上流に配置されると共に、複数の加湿ユニット２１（噴射部）を備えている。複数の加湿ユニット２１は、薬液処理槽２０の内部において、基板２の搬送方向３に沿って一列に並んでいる。加湿ユニット２１は、基板２の方を向いていない吹き出し口２２を有する。図１では、加湿ユニット２１の吹き出し口２２は、基板２の搬送方向３と平行な方向に向いている。加湿ユニット２１は、吹き出し口２２を通じて霧状の薬液２３を薬液処理槽２０の内部に噴射する一種の加湿器である。薬液２３は、基板２の表面をエッチングするためのエッチャントである。
　それぞれの加湿ユニット２１は、霧状の薬液２３を、薬液処理槽２０の内部において、吹き出し口２２を通じて噴射する。噴射のタイミングは、加湿ユニット２１に基板２が搬入される前でも後でもよい。エッチング装置１は、噴射させる薬液２３の温度を、薬液２３の種類に応じて制御する。薬液２３の温度は、例えばエッチング装置１の雰囲気温度よりも１０℃以上高い温度であり、例えば４０℃～４２℃である。
　噴射された薬液２３は、薬液処理槽２０の内部で拡散する。充分な量の薬液２３が噴射されると、薬液処理槽２０の内部は、飽和蒸気量の薬液ミスト２４で満たされる。基板２の表面に薬液ミスト２４が均一に付着する。これにより、均一の厚さを有する薄い液膜２５が基板２の表面に形成される。液膜２５によって基板２の表面がエッチングされ、所望の配線パターンが基板２の表面に形成される。エッチング装置１は、薬液２３の液膜２５が表面に部分的に残された基板２を、薬液処理槽２０から洗浄槽３０の内部に搬送する。
　（基板２の洗浄）
　図４は、洗浄槽３０の構成を示す図である。洗浄槽３０は、エッチング装置１において乾燥槽４０の上流に配置されると共に、複数の洗浄ユニット３１を備えている。洗浄ユニット３１は、基板２を洗浄するための洗浄水３２を放出する一種の放水装置である。複数の洗浄ユニット３１は、基板２の搬送方向３にそって一列に並んでいる。洗浄ユニット３１の吹き出し口は、基板２の方を向いている。
　洗浄ユニット３１は、洗浄槽３０の内部に搬入された基板２に向けて、洗浄水３２を放出する。基板２の表面にある液膜２５は洗浄水３２によって洗い流され、これにより表面の残留薬液が除去される。エッチング装置１は、洗浄水３２で濡れた基板２を、洗浄槽３０から乾燥槽４０の内部に搬送する。
　（基板２の乾燥）
　図５は、乾燥槽４０の構成を示す図である。乾燥槽４０は、エッチング装置１においてアンローダ５０の上流に配置されると共に、その内部に乾燥ユニット４１を備えている。乾燥ユニット４１は、乾燥空気４２を送出することができる一種の送風機である。乾燥ユニット４１の吹き出し口は基板２を向いている。エッチング装置１は、乾燥槽４０の内部に搬入された基板２に、乾燥ユニット４１から乾燥空気４２を吹き付ける。基板２の表面に付着された水分は、表面に吹き付けされた乾燥空気４２によって蒸発する。エッチング装置１は、基板２が十分に乾燥するまでの一定時間、乾燥空気４２の吹き付けを続ける。基板２の乾燥処理が完了すると、エッチング装置１は、基板２を乾燥槽４０からアンローダ５０の内部に搬送する。
　（基板２の取り出し）
　図６は、アンローダ５０の構成を示す図である。アンローダ５０は、エッチング装置１において洗浄槽３０の下流に配置されると共に、取り出し機構５１を備えている。取り出し機構５１は、基板２をエッチング装置１の外部に取り出すための部品である。エッチング装置１は、取り出し機構５１を使用することによって、アンローダ５０内に搬入された基板２をエッチング装置１の外部に取り出す。これによりエッチング装置１のエッチングが完了する。
　（エッチング装置１による利点）
　本実施形態によれば、次のような利点が得られる。
　薬液２３の吹き出し口２２が基板２の方を向いていないので、噴射された薬液２３が基板２の表面に強くぶつかることがない。これにより、基板２の表面に付着される薬液ミスト２４の量が表面の位置に応じて不均一になることが防止されるので、均一な液膜２５を基板２の表面全体に形成することができる。したがって、基板２上のエッチングシフト量を基板２表面の位置によらず一定にすることができるので、基板２の表面を均一にエッチングすることができる。その結果、均一な幅を有する配線を基板２の表面に形成することができる。なおかつ、残渣無しのプロセスウインドウが基板２の表面に拡がるので、表示デバイスの製造時の歩留まりを向上させることができる。
　霧状の薬液２３を基板２のエッチングに使用するので、薬液２３の使用量を減らすことができる。これにより、エッチングのコストを下げることができる。
　基板２はエッチングされる前に充分に冷却されているので、薬液ミスト２４が基板２の表面に凝縮し易くなる。これにより、基板２の表面に液膜２５を安定的に形成することができる。
　（薬液処理槽２０の詳細構成）
　図７は、薬液処理槽２０のより詳細な構成を示す図である。図７の薬液処理槽２０は、図３に示す加湿ユニット２１に加えて、複数の排気口２６、搬入扉７０、搬出扉８０、および天井９０を備えている。複数の排気口２６は、薬液処理槽２０における搬送方向３と直交する方向に配置される側面に設けられている。搬入扉７０および搬出扉８０は、薬液処理槽２０における基板２の搬出側および搬出側にそれぞれ配置されている。天井９０は、薬液処理槽２０における最上部に配置されている。
　搬入扉７０は、内部に空隙が形成される二重の扉である。搬入扉７０には、二重扉を貫通する入口７１が形成されている。入口７１は、基板２が薬液処理槽２０に搬入される際の基板２の通路である。搬入扉７０の上部および下部には、排気口７２および排気口７３がそれぞれ形成されている。搬出扉８０は、内部に空隙が形成される二重の扉である。搬出扉８０には、二重扉を貫通する出口８１が形成されている。出口８１は、基板２が薬液処理槽２０から搬出される際の基板２の通り路である。搬出扉８０の上部および下部には、それぞれ排気口８２および排気口８３が形成されている。天井９０は、天井扉９１および天井扉９２を有する。
　冷却槽１０から薬液処理槽２０への基板２の搬送時、搬入扉７０における入口７１が開かれる。このとき、エッチング装置１は、搬入扉７０の排気口７２および排気口７３を通じて、薬液ミスト２４が冷却槽１０に漏れない最低限の吸引力で薬液ミスト２４をエッチング装置１の外部に排気する。これにより、冷却槽１０からの基板２の搬出時に薬液ミスト２４が冷却槽１０に流入することを防止できるので、冷却槽１０における安全性を高くすることができる。
　薬液処理槽２０から洗浄槽３０への基板２の搬送時、搬出扉８０における出口８１が開かれる。このとき、エッチング装置１は、搬出扉８０の排気口８２および排気口８３を通じて、薬液ミスト２４が洗浄槽３０に漏れない最低限の吸引力で薬液ミスト２４をエッチング装置１の外部に排気する。これにより、薬液処理槽２０からの基板２の搬出時に薬液ミスト２４が洗浄槽３０に流入することを防止できるので、洗浄槽３０における安全性を高くすることができる。
　エッチング装置１の管理者は、薬液処理槽２０のメンテナンス時に天井扉９２を空ける。このとき天井扉９１は閉じているので、薬液処理槽２０内の薬液ミスト２４が管理者に浴びせられることはない。エッチング装置１は、天井扉９２が開いたことをトリガとして、薬液処理槽２０内に充満する薬液ミスト２４を排気口２６を通じて薬液処理槽２０の外部に排気する。薬液ミスト２４が充分に排気されると、エッチング装置１は天井扉９１のロックを外す。これにより管理者は天井扉９１を開くことができる。天井扉９１が開くときに薬液処理槽２０内には薬液ミスト２４が存在しないので、管理者は薬液ミスト２４を浴びることがない。したがって、管理者は薬液処理槽２０内を安全にメンテナンスすることができる。
　（その他）
　薬液処理槽２０は、できるだけ多くの加湿ユニット２１を備えていることが好ましい。加湿ユニット２１の数が多いほど、加湿ユニット２１の内部をより素早く薬液ミスト２４で満たすことができる。
　エッチング装置１は、加湿ユニット２１内の基板２の搬送速度を変更することによって、エッチングの深さを制御することができる。例えば、基板２の搬送速度をより遅くすれば、薬液処理槽２０内の基板２の滞留時間が長くなるので、エッチングをより深くすることができる。基板２を、霧状の薬液処理槽２０の内部において一時的に停止させることによっても、エッチングをより深くすることができる。
　図８は、薬液処理槽２０の内部において傾斜した状態で搬送される基板２を示す図である。図８に示すように、エッチング装置１は、薬液処理槽２０の内部において、基板２の搬送方向３から見て傾斜した状態で基板２を搬送することができる。この場合、基板２の面方向は基板２の搬送方向３と平行であり、かつ、薬液処理槽２０の下面１０１に対して傾斜している。このように傾斜した基板２が搬送される場合も、加湿ユニット２１内において均一な厚さの液膜２５が基板２の表面に形成されることに変わりはないので、基板２を均一にエッチングすることができる。
　加湿ユニット２１は、薬液処理槽２０内における基板２の横側に配置され得る。この構成でも、加湿ユニット２１の吹き出し口が基板２に向いていないことに変わりはない。
　冷却ユニット１１は、基板２の裏面に冷却水を当てることによって基板２を冷却する冷却器としても構成され得る。
　（まとめ）
　態様１：内部で基板が搬送される薬液処理槽と、前記薬液処理槽の内部に配置され、前記基板の表面と交わらない方向に向く吹き出し口を有し、かつ前記吹き出し口を通じて霧状のエッチャント薬液を噴射する噴射部とを備えていることを特徴とするエッチング装置。
　態様２：前記噴射部の吹き出し口が、前記基板の搬送方向と平行な方向を向いていることを特徴とする態様１のエッチング装置。
　態様３：前記薬液処理槽の内部に複数の前記噴射部が配置されていることを特徴と態様１または２のエッチング装置。
　態様４：前記薬液処理槽の上流に配置され、前記薬液処理槽に搬入される前の前記基板を冷却する冷却部をさらに備えていることを特徴とする態様１～３のいずれかのエッチング装置。
　態様５：前記冷却部は、前記基板を、前記エッチング装置の雰囲気温度よりも５℃以上低い温度まで冷却することを特徴とする態様４のエッチング装置。
　態様６：前記薬液処理槽の内部において、前記基板を前記基板の搬送方向から見て傾斜した状態で搬送させることを特徴とする態様１～５のいずれかのエッチング装置。
　態様７：前記噴射部は、前記エッチング装置の雰囲気温度よりも１０℃以上高い前記エッチャント薬液を噴射することを特徴とする態様１～６のいずれかのエッチング装置。
　態様８：前記薬液処理槽の内部において、前記基板を一時的に停止させることを特徴とする態様１～７のいずれかのエッチング装置。
　態様９：薬液処理槽の内部で基板を搬送させる工程と、前記薬液処理槽の内部に配置され、前記基板の表面と交わらない方向に向く吹き出し口を有する噴射部に、前記吹き出し口を通じて霧状のエッチャント薬液を噴射させる工程とを有することを特徴とする表示デバイスの製造方法。
　本発明は前述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態も、本発明の技術的範囲に含まれる。各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることによって、新しい技術的特徴を形成することもできる。
１　エッチング装置、２　基板、３　搬送方向、１０　冷却槽、１１　冷却ユニット、１２　冷風、２０　薬液処理槽、２１　加湿ユニット、２２　吹き出し口、２３　薬液、２４　薬液ミスト、２５　液膜、２６，７２，７３，８２，８３　排気口、３０　洗浄槽、３１　洗浄ユニット、３２　洗浄水、４０　乾燥槽、４１　乾燥ユニット、４２　乾燥空気、５０　アンローダ、５１　機構、７０　搬入扉、７１　入口、８０　搬出扉、８１　出口、９０　天井、９１，９２　天井扉、１０１　薬液処理槽の下面

Claims (9)

  1. 　内部で基板が搬送される薬液処理槽と、
    　前記薬液処理槽の内部に配置され、前記基板の表面と交わらない方向に向く吹き出し口
    を有し、かつ前記吹き出し口を通じて霧状のエッチャント薬液を噴射する噴射部とを備えていることを特徴とするエッチング装置。
  2. 　前記吹き出し口が、前記基板の搬送方向と平行な方向を向いていることを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
  3. 　前記薬液処理槽の内部に複数の前記噴射部が配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載のエッチング装置。
  4. 　前記薬液処理槽の上流に配置され、前記薬液処理槽に搬入される前の前記基板を冷却する冷却部をさらに備えていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のエッチング装置。
  5. 　前記冷却部は、前記基板を、前記エッチング装置の雰囲気温度よりも５℃以上低い温度まで冷却することを特徴とする請求項４に記載のエッチング装置。
  6. 　前記薬液処理槽の内部において、前記基板を前記基板の搬送方向から見て傾斜した状態で搬送させることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載のエッチング装置。
  7. 　前記噴射部は、前記エッチング装置の雰囲気温度よりも１０℃以上高い前記エッチャント薬液を噴射することを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載のエッチング装置。
  8. 　前記薬液処理槽の内部において、前記基板を一時的に停止させることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載のエッチング装置。
  9. 　薬液処理槽の内部で基板を搬送させる工程と、
    　前記薬液処理槽の内部に配置され、前記基板の表面と交わらない方向に向く吹き出し口を有する噴射部に、前記吹き出し口を通じて霧状のエッチャント薬液を噴射させる工程とを有することを特徴とする表示デバイスの製造方法。
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