CN104246988B - 药液处理装置 - Google Patents

药液处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104246988B
CN104246988B CN201380019935.8A CN201380019935A CN104246988B CN 104246988 B CN104246988 B CN 104246988B CN 201380019935 A CN201380019935 A CN 201380019935A CN 104246988 B CN104246988 B CN 104246988B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
processed substrate
medicinal liquid
spray nozzle
roof
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201380019935.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104246988A (zh
Inventor
村田亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN104246988A publication Critical patent/CN104246988A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104246988B publication Critical patent/CN104246988B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Abstract

在对被处理基板(W)表面实施蚀刻处理的蚀刻处理装置(S)中,具备:处理槽(10);搬运线(40),其对搬入到该处理槽(10)的被处理基板(W)进行搬运;上侧和下侧蚀刻喷淋器(12、18),其对由搬运线(40)搬运的被处理基板(W)表面喷射蚀刻液(L);以及顶壁用喷淋器(24),其对处理槽(10)的顶壁面(10c)喷射蚀刻液(L)。

Description

药液处理装置
技术领域
本发明涉及对构成显示面板的基板的表面等实施药液处理的药液处理装置,特别涉及由于凝结液滴从处理槽顶壁落下而造成的药液处理的不良对策。
背景技术
在显示面板的制造中,在作为面板构成构件的有源矩阵基板、彩色滤光片基板的蚀刻处理、清洗处理等工序中,进行如下:对该基板表面喷射从喷淋嘴喷射的药液来实施规定的药液处理。
作为进行这样的药液处理的装置,例如在专利文献1中公开了如下构成的基板处理装置:在药液处理槽内设置在水平方向搬运被处理基板的基板搬运装置,并且设有对由该基板搬运装置搬运的基板的上表面供应药液的上侧喷雾器喷嘴以及对基板的下表面供应药液的下侧喷雾器喷嘴。
在该基板处理装置中,通过使下侧喷雾器喷嘴的药液喷出方向相对于被处理基板的下表面倾斜,从而使从下侧喷雾器喷嘴供应的药液从横向与从上侧喷雾器喷嘴供应的药液碰撞,与使来自两个喷雾器喷嘴的药液从正面碰撞的情况相比,可抑制伴随药液彼此的干扰而产生飞沫,并防止水滴向处理槽顶壁附着。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开平7-37858号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,即使是专利文献1的基板处理装置,也不能防止药液的飞溅和雾化,因此不能避免药液的飞沫(小滴)附着于药液不会直接碰到的处理槽顶壁等。附着于处理槽顶壁的药液的飞沫由于水分 蒸发而被浓缩,在设于该顶壁的各种传感器、配管、其它凹凸部分凝结而成为高浓度的液滴,向被处理基板的表面落下。
这样的话,在药液是蚀刻液的情况下,在凝结液滴的落下部位发生蚀刻率的异常,蚀刻处理变得不均而成为导致发生显示面板的不合格品的原因。另外,在药液是包括酸性液体、碱性液体等的清洗液的情况下,有时被处理基板的表面的一部分氧化或者腐蚀而受到损伤。
本发明是鉴于该点而完成的,其目的在于:防止发生由于来自处理槽顶壁的凝结液滴的落下而造成的药液处理的不良,对被处理基板实施良好的药液处理。
用于解决问题的方案
为了达到上述目的,在本发明中,为了使附着于处理槽顶壁的药液的飞沫不会由于水分蒸发而浓缩,对处理槽顶壁也供应药液,使得迅速地生成凝结液滴并使其落下。
具体地,本发明将对被处理基板的被处理面实施药液处理的药液处理装置作为对象,并提出以下解決方案。
即,第1发明的特征在于,
具备:
药液处理槽,上述被处理基板被搬入到上述药液处理槽;
搬运单元,其以使搬入到上述药液处理槽的被处理基板的被处理面朝向上述药液处理槽的顶壁侧的方式搬运上述被处理基板;以及
药液喷射单元,其对由上述搬运单元搬运的被处理基板的被处理面喷射药液,
上述药液喷射单元还对上述药液处理槽的顶壁喷射上述药液。
在该第1发明中,构成为药液喷射单元还对药液处理槽的顶壁喷射药液。如果由该药液喷射单元在进行药液处理时对药液处理槽的顶壁喷射药液,则即使由于通过被处理基板的药液处理而产生的药液的飞溅、雾化而使药液的飞沫附着于药液处理槽的顶壁,该飞沫也在通过水分蒸发而被浓缩前与供应到药液处理槽的顶壁的药 液混合而迅速地凝结,并由于自重而落下。这样的凝结液滴的浓度与喷射到药液处理槽的顶壁时相同,因此即使向被处理基板的表面落下,也不会在药液处理中发生异常或者对被处理基板的表面带来损伤。因此,能防止发生由于来自处理槽顶壁的凝结液滴的落下而造成的药液处理的不良,能对被处理基板实施良好的药液处理。
第2发明的特征在于,在第1发明的药液处理装置中,
上述药液处理槽的顶壁面水平地形成。
在该第2发明中,药液处理槽的顶壁面是水平的。这样由药液喷射单元喷射到水平的顶壁面的药液在无规则地分散的多个部位凝结而落下,因此能避免在凝结液滴的落下部位局部地偏置的情况下所担心的缺陷,能避免例如在药液是蚀刻液的情况下蚀刻率或图案化形状的面内均匀性的恶化等。
根据第1或第2发明的药液处理装置,第3发明的特征在于,
在上述药液处理槽的顶壁以突出的方式设有原有结构物,
上述药液喷射单元对上述原有结构物喷射药液。
在该第3发明中,由药液喷射单元对设于药液处理槽的顶壁的原有结构物喷射药液,因此能使易于发生凝缩液滴的落下的附着于原有结构物的药液的飞沫在浓缩前迅速地作为凝结液滴而落下。由此,能有效地防止发生由于被浓缩的凝结液滴的落下而造成的药液处理的不良。
第4发明的特征在于,在第1~第3发明中的任一项的药液处理装置中,
上述药液喷射单元具备:供液配管,其用于供应药液;多个第1喷淋嘴,其设于该供液配管,具有朝向下方的喷出口,从该喷出口对上述被处理基板的被处理面喷射药液;以及多个第2喷淋嘴,其设于上述供液配管,具有朝向上方的喷出口,从该喷出口对上述药液处理槽的顶壁喷射药液。
根据该第4发明,也能有效地得到上述第1发明的作用效果。而且,第1喷淋嘴和第2喷淋嘴与相同供液配管连接,因此与该第1喷淋嘴和第2喷淋嘴与独立的供液配管连接的情况相比,能简化配管系统。
第5发明的特征在于,在第1~第3发明中的任一项的药液处理装置中,
上述药液喷射单元具备:第1供液配管和第2供液配管,其用于供应药液;多个第1喷淋嘴,其设于上述第1供液配管,具有朝向下方的喷出口,从该喷出口对上述被处理基板的被处理面喷射药液;以及多个第2喷淋嘴,其设于上述第2供液配管,具有朝向上方的喷出口,从该喷出口对上述药液处理槽的顶壁喷射药液。
根据该第5发明,也能有效地得到上述第1发明的作用效果。而且,第1喷淋嘴和第2喷淋嘴与独立的供液配管连接,因此能独立地控制这两个喷淋嘴的药液喷出动作。在第1喷淋嘴和第2喷淋嘴与相同供液配管连接的情况下,这两个喷淋嘴的动作成为同时喷出药液,不易进行控制,进行单独的流量调整是困难的。而根据本发明,与第1喷淋嘴的药液喷出动作独立地控制第2喷淋嘴的药液喷出动作,第2喷淋嘴能应用间歇运转等。
第6发明的特征在于,在第4或第5发明的药液处理装置中,
上述供液配管具备:主管,其沿着上述被处理基板的搬运方向延伸;以及多个分支管,其分别在上述被处理基板的搬运方向相互隔开规定间隔地连结到上述主管,从上述主管向与上述被处理基板的搬运方向交叉的方向突出,
上述第1喷淋嘴和第2喷淋嘴在各上述分支管中沿着各上述分支管的突出方向隔开规定间隔地设有多个。
在该第6发明中,第1喷淋嘴和第2喷淋嘴在被处理基板的搬运方向和与该搬运方向交叉的方向隔开规定间隔地分别设有多个。根据该构成,能一边搬运被处理基板一边从多个第1喷淋嘴对该基板的被处理面喷射药液来实施药液处理,并且能在进行该药液处理的区域内从多个第2喷淋嘴对药液处理槽的顶壁喷射药液,促进凝结液滴的生成和落下。
第7发明的特征在于,在第6发明的药液处理装置中,
各上述第2喷淋嘴在喷射药液时在上述被处理基板的搬运方向摆动。
在该第7发明中成为如下构成:各第2喷淋嘴一边在被处理基板的搬运方向摆动一边对药液处理槽的顶壁喷射药液。根据该构成,各个第2喷淋嘴的药液喷射范围与第2喷淋嘴的药液喷射方向被固定的情况相比,在被处理基板的搬运方向成为更广范围,因此能加长连接着第2喷淋嘴的分支管的配置间隔或者间隔剔除该分支管,能减少第2喷淋嘴的个数。由此,能减少向连接着第2喷淋嘴的供液配管送出的药液的流量,能抑制对在药液的送出中使用的泵施加的负荷。
第8发明的特征在于,在第6或第7发明的药液处理装置中,
各上述第1喷淋嘴在喷射药液时在上述被处理基板的搬运方向摆动。
在该第8发明中成为如下构成:各第1喷淋嘴一边在被处理基板的搬运方向摆动一边对被处理基板的表面喷射药液。根据该构成,各个第1喷淋嘴的药液喷射范围与第1喷淋嘴的药液喷射方向被固定的情况相比,在被处理基板的搬运方向成为更广范围,因此能加长连接着第1喷淋嘴的分支管的配置间隔或者间隔剔除该分支管,能减少第1喷淋嘴的个数。由此,能减少向连接着第1喷淋嘴的供液配管送出的药液的流量,能抑制对在药液的送出中使用的泵施加的负荷。
发明效果
根据本发明,为了使附着于药液处理槽的顶壁的药液的飞沫不会通过水分蒸发而浓缩,还对药液处理槽的顶壁供应药液,并迅速地生成凝结液滴而使其落下,因此能防止发生由于凝结液滴从处理槽顶壁落下而造成的药液处理的不良,能对被处理基板实施良好的药液处理。
附图说明
图1是示出实施方式1的蚀刻处理装置的示意图。
图2是示出实施方式1的蚀刻处理槽内部的构成的示意图。
图3是从下侧示出实施方式1的上侧蚀刻喷淋器的构成的示意图。
图4是从上侧示出实施方式1的顶壁用喷淋器的构成的示意图。
图5是示出用实施方式1的蚀刻处理装置进行蚀刻处理时的情况的示意图。
图6是示出实施方式2的蚀刻处理槽内部的构成的示意图。
图7是示出实施方式4的蚀刻处理槽内部的构成的示意图。
图8是从上侧示出实施方式4的上侧蚀刻喷淋器的构成的示意图。
图9是示出实施方式3的蚀刻处理槽内部的构成的示意图。
图10是示出用参考例的蚀刻处理装置进行蚀刻处理时的情况的示意图。
具体实施方式
以下基于附图详细地说明本发明的实施方式。此外,本发明不限于以下各实施方式。
《发明的实施方式1》
在该实施方式1中,作为本发明的药液处理装置的一例说明蚀刻处理装置S。
本实施方式的蚀刻处理装置S用于例如在制作构成液晶表示装置等显示面板的有源矩阵基板时在作为底基板的绝缘性基板上形成配线、电极、半导体层等图案。
作为该蚀刻处理装置S的处理对象的被处理基板W例如是一边为1000mm~3200mm程度的大小的矩形平板状的玻璃基板。此外,该被处理基板W可以为一张显示面板的大小,也可以为多张显示面板的母基板的大小。
蚀刻处理装置 S 的构成
图1是示出蚀刻处理装置S的概略构成的示意图。
蚀刻处理装置S是以双面喷淋方式对被处理基板W的表面实施湿蚀刻处理的装置。该蚀刻处理装置S如图1所示,具备:作为 连续设置的药液处理槽的蚀刻处理槽10、清洗槽30以及干燥槽35;以及作为搬运单元的搬运线40,其搬运被处理基板W,使其在各上述槽10、30、35内和各槽10、30、35之间移动。以下将被处理基板W的搬运方向100简称为基板搬运方向100。
蚀刻处理槽10构成为:对搬入到槽内的被处理基板W的表面供应蚀刻液L作为药液来实施蚀刻处理。清洗槽30构成为:与蚀刻处理槽10的基板搬运方向100的下游侧相邻配置,将进行了蚀刻处理的被处理基板W的表面置于纯水等清洗水中进行清洗。另外,干燥槽35构成为:与清洗槽30的基板搬运方向100的下游侧相邻配置,利用热风等使残留于进行了清洗处理的被处理基板W的表面的水分迅速干燥。
搬运线40构成为:作为细长圆筒状的旋转体的搬运辊42(在后面参照的图2中图示)在水平方向并排设置有多个。该多个搬运辊42以各自的轴向成为与基板搬运方向100正交的方向的方式沿着基板搬运方向100按等间隔相互平行地配置,将被处理基板W以其被处理面朝向蚀刻处理槽10的顶壁侧的姿势水平搬运。
上述搬运线40以经过形成于各槽10、30、35的搬入口和搬出口(未图示)并贯通蚀刻处理装置S的方式设置,将被处理基板W从蚀刻处理装置S的外部搬入到内部,并在使其按顺序经由蚀刻处理槽10、清洗槽30以及干燥槽35后搬出到该处理装置S的外部。
本发明在上述蚀刻处理槽10、清洗槽30以及干燥槽35中、特别是在蚀刻处理槽10的构成上具有特征,因此以下一边参照图2~图4一边详述该蚀刻处理槽10的构成。
图2是示出蚀刻处理槽10内部的构成的示意图。
在蚀刻处理槽10中,如图2所示,分别在基板搬运方向100的上游端设有搬入口10a,在该方向100的下游端设有搬出口10b。并且,在该搬入口10a和搬出口10b之间,构成上述搬运线40的多个搬运辊42在水平方向并排设置有多个。
在该蚀刻处理槽10内部的搬运线40上方设置有上侧蚀刻喷淋器12,上侧蚀刻喷淋器12对由搬运辊42水平搬运的被处理基板 W的作为被处理面的上表面喷射蚀刻液L。另外,在蚀刻处理槽10内部的搬运线40下方设置有下侧蚀刻喷淋器18,下侧蚀刻喷淋器18对被水平搬运的被处理基板W的下表面喷射蚀刻液L。
图3是从下侧示出上侧蚀刻喷淋器12的构成的示意图。
上侧蚀刻喷淋器12如图3所示具备:作为第1供液配管的上侧供液配管14,其用于供应蚀刻液;以及作为第1喷淋嘴的多个上表面处理用喷淋嘴16,其喷洒通过该上侧供液配管14供应的蚀刻液L。
上侧供液配管14具备:主管14a,其在与基板搬运位置对应的部位的侧方沿着基板搬运方向100延伸;以及多个分支管14b,其分别与该主管14a连结,从该主管14a向与基板搬运方向100交叉的方向(例如正交的方向)突出。
主管14a与在蚀刻处理槽10外部的储存有蚀刻液L的药液罐(未图示)连通连接。在该主管14a中设有:开闭阀(未图示),其打开关闭主管14a的流路;以及供液泵(未图示),其用于在该开闭阀处于打开状态时将储存于药液罐的蚀刻液L通过主管14a向各分支管14b、进而向各上表面处理用喷淋嘴16供应液体。
分支管14b以位于搬运中的被处理基板W上方的方式在基板搬运方向100上隔开等间隔地配设在与基板搬运位置对应的部位,相对于主管14a形成梳齿状。各上述分支管14b固定于主管14a。
并且,上表面处理用喷淋嘴16以向下方突出的方式设置在各上述分支管14b的下侧部分,并且以沿着分支管14b的突出方向排列的方式从该管14b的基端到顶端隔开等间隔地设有多个。在各上述上表面处理用喷淋嘴16的顶端设有朝向下方的蚀刻液L的喷出口16a。
另外,各上表面处理用喷淋嘴16相对于设于相邻的分支管14b的上表面处理用喷淋嘴16在其排列方向错开半齿距地配置,作为整体构成锯齿状排列。作为该上表面处理用喷淋嘴16,例如优选采用喷射图案成为圆形的全锥形类型的喷淋嘴。
上述构成的上侧蚀刻喷淋器12通过供液泵的驱动使蚀刻液L 从供液罐经过上侧供液配管14向各上表面处理用喷淋嘴16供应液体,并从各上述上表面处理用喷淋嘴16顶端的喷出口16a向搬运中的被处理基板W上表面喷射蚀刻液L,对该基板W上表面实施蚀刻处理。
另外,下侧蚀刻喷淋器18与上侧蚀刻喷淋器12虽然在设置位置和喷淋嘴的方向上不同,但具有与其同样的构成。
即,下侧蚀刻喷淋器18具备:作为用于供应蚀刻液的第1供液配管的下侧供液配管20,其具有主管20a和固定于主管20a而与其连结的多个分支管20b;以及作为第1喷淋嘴的多个下表面处理用喷淋嘴22,其喷洒通过该下侧供液配管20供应的蚀刻液L。
上述主管20a和各分支管20b例如分别配设在与上侧蚀刻喷淋器12的主管14a和各分支管14b的下方对应的位置。另外,下表面处理用喷淋嘴22以向上方突出的方式设置在各分支管20b的上侧部分,并且以沿着分支管20b的突出方向排列的方式从该管20b的基端到顶端隔开等间隔地设有多个。在各上述下表面处理用喷淋嘴22的顶端设有朝向上方的蚀刻液L的喷出口22a。
各上述下表面处理用喷淋嘴22沿着分支管14b、20b的突出方向以与上表面处理用喷淋嘴16交错地配置的方式设置在与蚀刻处理槽10的上下方向对应的位置,作为整体构成锯齿状排列。作为该下表面处理用喷淋嘴22,例如优选采用喷射图案成为圆形的全锥形类型的喷淋嘴。
并且,下侧蚀刻喷淋器18的主管20a也与上侧蚀刻喷淋器12的主管14a同样,在蚀刻处理槽10的外部经由开闭阀和供液泵与药液罐连通连接。
上述构成的下侧蚀刻喷淋器18通过供液泵的驱动将蚀刻液L从药液罐经过下侧供液配管14向各下表面处理用喷淋嘴22供应液体,从各上述下表面处理用喷淋嘴22顶端的喷出口22a向搬运中的被处理基板W下表面喷射蚀刻液。
这样,在本实施方式的蚀刻处理槽10中,从上侧和下侧蚀刻喷淋器12、18的各喷淋嘴16、22对被处理基板W的两面喷射蚀 刻液L,因此,即使从上表面处理用喷淋嘴16供应到被处理基板W上表面的蚀刻液L在基板W表面产生难溶的反应产物,也能防止包括该产物的蚀刻液L进入被处理基板W的下面(里面),能在短时间内执行高质量的蚀刻处理。
并且,在本实施方式中,在上侧蚀刻喷淋器12的上方设置有顶壁用喷淋器24,顶壁用喷淋器24对蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射蚀刻液L。由该顶壁用喷淋器24喷射蚀刻液L的蚀刻处理槽10的顶壁面10c水平地形成。在本实施方式中,上侧蚀刻喷淋器12、下侧蚀刻喷淋器18以及顶壁用喷淋器24构成本发明的药液喷射单元。
图4是示出顶壁用喷淋器24的构成的示意图。
虽然顶壁用喷淋器24也与上侧蚀刻喷淋器12在设置位置和喷淋嘴的方向上不同,但具有与其同样的构成。
即,顶壁用喷淋器24如图4所示具备:作为第2供液配管的顶壁用供液配管26,其用于供应蚀刻液;以及作为第2喷淋嘴的多个顶壁用喷淋嘴28,其将通过该顶壁用供液配管26供应的蚀刻液L朝向蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷洒。
顶壁用供液配管26具备:主管26a,其在与基板搬运位置对应的部位的侧方沿着基板搬运方向延伸;以及多个分支管26b,其分别与该主管26a连结而向该主管26a的侧方突出。
顶壁用喷淋器24的主管26a也与上侧蚀刻喷淋器12的主管14a同样,在蚀刻处理槽10的外部经由开闭阀和供液泵与药液罐连通连接。该顶壁用喷淋器24的开闭阀和供液泵与上述基板处理用蚀刻喷淋器(上侧和下侧蚀刻喷淋器)12、18的开闭阀和供液泵是独立的装置,顶壁用喷淋器24和基板处理用蚀刻喷淋器12、18构成为能独立地分别驱动。
分支管26b在基板搬运方向100上隔开等间隔地配设在与基板搬运位置对应的部位,相对于主管26a形成梳齿状。在本实施方式中,各上述分支管26b固定于主管26a。
并且,顶壁用喷淋嘴28以向上方突出的方式设置在各上述分 支管26b的上侧部分,并且以沿着分支管26b的突出方向排列的方式从该管26b的基端到顶端隔开规定间隔地配置有多个。在各上述顶壁用喷淋嘴28的顶端设有朝向上方的蚀刻液L的喷出口28a。
另外,各顶壁用喷淋嘴28相对于设于相邻的分支管26b的顶壁用喷淋嘴28错开半齿距地设置,作为整体构成锯齿状排列。作为该顶壁用喷淋嘴28,例如优选采用喷射图案成为圆形的全锥形类型的喷淋嘴。
这样,顶壁用喷淋器24在进行被处理基板W上表面的蚀刻处理时,通过供液泵的驱动将蚀刻液L从药液罐经过顶壁用供液配管26向各顶壁用喷淋嘴28供应液体,遍及与由上侧蚀刻喷淋器12喷射蚀刻液L执行蚀刻处理的范围对应的整个部位,将蚀刻液L从各顶壁用喷淋嘴28顶端的喷出口28a向蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射。由此,促进凝结液滴X在蚀刻处理槽10的顶壁面10c的生成和落下,能防止发生由于该凝结液滴X的落下而造成的蚀刻处理的不良。
即,在进行蚀刻处理时对蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射蚀刻液L,因此,即使由于通过被处理基板W的蚀刻处理、例如向该基板W喷射蚀刻液L而产生的蚀刻液L的飞溅、雾化使蚀刻液L的飞沫X’附着于蚀刻处理槽10的顶壁面10c,该飞沫X’也在由于水分蒸发而被浓缩前与由顶壁用喷淋器24向蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射的蚀刻液L混合而迅速地凝结,并由于自重落下。这样的凝结液滴X与喷射到蚀刻处理槽10的顶壁面10c时浓度相同,因此,即使向被处理基板W的表面落下,也能对被处理基板W实施良好的蚀刻处理而不会发生蚀刻率的异常等。
在上述蚀刻处理槽10的内部还设有作为能检测被处理基板W有无存在的检测单元的基板检测传感器(未图示)。该基板检测传感器与设置在蚀刻处理槽10的外部的控制系统(未图示)连接。
控制系统还与上侧蚀刻喷淋器12、下侧蚀刻喷淋器18以及顶壁用喷淋器24的开闭阀和供液泵连接,基于由基板检测传感器进行的被处理基板W是否经过了蚀刻处理槽10内的判断来控制蚀刻 液L从各喷淋嘴16、22、28的喷出。
蚀刻处理方法
下面说明使用上述蚀刻处理装置S制作有源矩阵基板时的蚀刻处理方法。图5是示出用蚀刻处理装置S进行蚀刻处理时的情况的示意图。图10是示出用参考例的蚀刻处理装置进行蚀刻处理时的情况的示意图。此外,在图10中为了方便而针对相当于本实施方式的蚀刻处理装置S的各构成的部分标注相同附图标记。
首先,将在蚀刻处理装置S中进行蚀刻处理的处理对象的被处理基板W置于搬运线40进行搬运,并从搬入口10a搬入到蚀刻处理槽10。在此,置于搬运线40的被处理基板W是已经实施了基板清洗处理、光致抗蚀剂涂敷处理、预烘焙处理、图案曝光处理、显影处理以及后烘焙处理并在其上表面形成有薄膜的基板。
在被处理基板W被搬入蚀刻处理槽10时,基板检测传感器检测到被处理基板W的存在,由此控制系统动作,由上侧蚀刻喷淋器12、下侧蚀刻喷淋器18以及顶壁用喷淋器24开始蚀刻液L的喷洒。并且,在被处理基板W在蚀刻处理槽10内从上游端被搬运到下游端的期间,如图5所示,从上侧和下侧蚀刻喷淋器12、18的各喷淋嘴16、22对被处理基板W的两面喷射蚀刻液L来执行湿蚀刻处理。另外,在该期间,从顶壁用淋浴器24的各喷淋嘴28对蚀刻处理槽10的顶壁面10c也喷射蚀刻液L。
在执行上述蚀刻处理时,发生由于喷射蚀刻液L而造成的该蚀刻液L的飞溅或雾200,因此蚀刻液L的飞沫X’附着于蚀刻处理槽10的顶壁面10c。在如图10所示在蚀刻处理槽10是没有顶壁用喷淋器24的构成的情况下,附着于处理槽10顶壁的蚀刻液L的飞沫X’由于水分蒸发而被浓缩为高浓度的凝结液滴X,有时向搬运中的被处理基板W上表面落下,在该凝结液滴X在被处理基板W上的落下部位发生蚀刻率的异常,在蚀刻处理中产生不良。
而在本实施方式中,对蚀刻处理槽10的顶壁面10c也喷射蚀刻液L,由此附着于处理槽10顶壁的飞沫X’与从各顶壁用喷淋嘴28喷射的蚀刻液L混合而在被浓缩前迅速地成为液滴X并落下, 因此,即使向被处理基板W的表面落下,也能对被处理基板W实施良好的蚀刻处理而不会发生蚀刻率的异常等缺陷。
在上述蚀刻处理完成且被处理基板W到达搬出口10b时,被处理基板W经过该搬出口10b从蚀刻处理槽10搬出,然后搬入到相邻的清洗槽30。
在被处理基板W被搬入到清洗槽30时,设于清洗槽30的纯水喷淋嘴工作,对被处理基板W的表面喷射纯水,清洗残留于该基板W表面的蚀刻液L。这样被清洗的被处理基板W从清洗槽30搬出,然后搬入到相邻的干燥槽35。
在被处理基板W被搬入到干燥槽35时,设于干燥槽35的烤箱工作,利用热风扫描被处理基板W的表面,由此,该基板W表面被迅速干燥。这样被干燥的被处理基板W从干燥槽35搬出,完成蚀刻处理。
实施方式 1 的效果
根据该实施方式1,在对被处理基板W正在实施蚀刻处理的期间,利用顶壁用喷淋器24对蚀刻处理槽10的顶壁面10c也喷射蚀刻液L,由此,附着于处理槽10顶壁面10c的蚀刻液L的飞沫X’在被浓缩前生成凝结液滴X而迅速地落下,因此能防止发生由于凝结液滴X从处理槽10顶壁面10c落下而造成的蚀刻处理的不良,能对被处理基板W上表面实施良好的蚀刻处理。
而且,蚀刻处理槽10的顶壁面10c是水平的,因此喷射到该顶壁面10c的蚀刻液L在无规则地分散的多个部位凝结而落下,因此能避免在凝结液滴X的落下部位局部地偏置的情况下所担心的蚀刻率或者图案化形状的面内均匀性的恶化等。
另外,上表面处理用喷淋嘴16和顶壁用喷淋嘴28设于独立的供液配管14、26,因此能独立地控制这两个喷淋嘴16、28的蚀刻液L的喷出动作。在上表面处理用喷淋嘴16和顶壁用喷淋嘴28与相同供液配管连接的情况下,这两个喷淋嘴16、28的动作成为同时喷出蚀刻液L,难以进行控制,进行单个的流量调整是困难的。而根据本实施方式,与上表面处理用喷淋嘴16的蚀刻液L的喷出 动作独立地控制顶壁用喷淋嘴28的蚀刻液L的喷出动作,顶壁用喷淋嘴28能应用间歇运转等。
《发明的实施方式2》
图6是示出该实施方式2的蚀刻处理槽10内部的构成的示意图。此外,在以后的各实施方式中,除了蚀刻处理槽10内部的构成与上述实施方式1不同以外,蚀刻处理装置S与上述实施方式1同样地构成,因此仅说明构成不同的蚀刻处理槽10内部的构成,相同构成部分转移到基于图1~图5的上述实施方式1的说明中,省略其详细的说明。
在上述实施方式1中,说明了与上侧蚀刻喷淋器12独立地具备顶壁用喷淋器24的构成,但在本实施方式中,成为上侧蚀刻喷淋器12成为还兼备顶壁用喷淋器24的功能的构成。
即,在本实施方式的蚀刻处理槽10内部的搬运线40的上方设置有上侧蚀刻喷淋器50,上侧蚀刻喷淋器50对利用搬运辊42水平搬运的被处理基板W的上表面喷射蚀刻液L,并且对蚀刻处理槽10的顶壁面10c也喷射蚀刻液L。
该上侧蚀刻喷淋器50具有与上述实施方式1的上侧蚀刻喷淋器12同样的构成,在该构成的基础上成为如下构成:在上侧供液配管14的各分支管14b的上侧部分以沿着分支管14b的突出方向排列的方式从分支管14b的基端到顶端隔开等间隔地设置有多个顶壁用喷淋嘴28。各上述顶壁用喷淋嘴28与上述实施方式1同样,以作为整体构成锯齿状排列的方式配置。
实施方式 2 的效果
根据该实施方式2,可以得到与上述实施方式1同样的效果,而且顶壁用喷淋嘴28和上表面处理用喷淋嘴16连接到相同供液配管14,上侧蚀刻喷淋器50兼备对蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射蚀刻液L的功能,因此和与上侧蚀刻喷淋器12独立地具备顶壁用喷淋器24的情况相比,能简化配管系统。
《发明的实施方式3》
图7是示出该实施方式3的蚀刻处理槽10内部的构成的示意图。图8是从上侧示出该实施方式3的上侧蚀刻喷淋器50的构成的示意图。
在本实施方式中,与上述实施方式2同样地,如图7和图8所示,成为上侧蚀刻喷淋器50还兼用作顶壁用喷淋器24的构成,分别在上侧蚀刻喷淋器50中的各分支管14b的下侧部分设有多个上表面处理用喷淋嘴16,在各上述分支管14b的上侧部分设有多个顶壁用喷淋嘴28。
并且,上侧蚀刻喷淋器50的供液配管14具备用于使各分支管14b进行转动动作的转动机构(未图示)和电机29,各分支管14b构成为绕其轴向转动。由此,在喷射蚀刻液L时,各上表面处理用喷淋嘴16一边沿基板搬运方向100摆动一边向被处理基板W的上表面喷射蚀刻液,且各顶壁用喷淋嘴28一边在基板搬运方向100摆动一边向蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射蚀刻液L。
实施方式 3 的效果
根据该实施方式3,各个上表面处理用喷淋嘴16和顶壁用喷淋嘴28中的蚀刻液L的喷射范围与该喷淋嘴16、28的蚀刻液L的喷射方向固定的情况相比在基板搬运方向100上成为更广范围,因此能加长分支管14b的配置间隔或者间隔剔除该分支管14b,能减少上表面处理用喷淋嘴16和顶壁用喷淋嘴28的个数。由此,能减少向连结着该喷淋嘴16、28的供液配管14送出的蚀刻液L的流量,能抑制对在蚀刻液L的送出中使用的供液泵施加的负荷。
《发明的实施方式4》
图9是示出该实施方式4的蚀刻处理槽10内部的构成的示意图。
在上述实施方式1中,说明了成为如下构成的情况,即:顶壁用喷淋器24在与利用上侧蚀刻喷淋器12对被处理基板W上表面喷射蚀刻液L的范围对应的整个部位,对蚀刻处理槽10的顶壁面10c喷射蚀刻液L,但在本实施方式中成为如下构成:顶壁用喷淋器24对在蚀刻处理槽10的顶壁面10c易于发生飞沫X’的凝结而易于发生凝结液滴X的落下的特定部位局部地喷射蚀刻液L。
具体地,如图9所示,在蚀刻处理槽10的顶壁面10c设有在上述基板检测传感器、配管系统等的下方形成凸部的原有结构物300。在设有这样的原有结构物300的部位,易于发生凝结液滴X的生成和落下。因此,本实施方式的顶壁用喷淋器24具备延伸到该原有结构物300的下方位置的供液配管26(主管26a和分支管26b)以及设于该供液配管26的上侧部分的多个顶壁用喷淋嘴28,构成为从各上述顶壁用喷淋嘴28对上述原有结构物300喷射蚀刻液L。
实施方式 4 的效果
根据该实施方式4,能使易于发生凝结液滴X的落下的附着于原有结构物300的蚀刻液L的飞沫X’在浓缩前迅速地作为凝结液滴X落下,因此能有效地防止发生由于被浓缩的凝结液滴X的落下而造成的蚀刻处理的不良。
此外,在上述实施方式1和4中,也是供液配管14、26构成为使各分支管14b、26b能绕其轴向转动,也可以构成为各上表面处理用喷淋嘴16和各顶壁用喷淋嘴28在喷射蚀刻液L时在基板搬运方向100摆动。另外,也可以构成为:仅上述上表面处理用喷淋嘴16和顶壁用喷淋嘴28中的任一方在喷射蚀刻液L时在基板搬运方向100摆动。
另外,在上述实施方式1中,设为顶壁用喷淋器24具有与上侧蚀刻喷淋器12同样的构成,但本发明不限于此,顶壁用喷淋器24可以是供液配管26的配置、顶壁用喷淋嘴28的构成等与上侧蚀刻喷淋器12不同的构成,只要是能对蚀刻处理槽10的顶壁喷射蚀刻液L的构成即可。
以上说明了本发明优选的实施方式,但本发明的技术范围不限于上述各实施方式所记载的范围。本领域技术人员可理解上述各实施方式是例示,在其各构成要素、各处理工序的组合中还能有各种变形例,另外,该变形例也在本发明的范围内。
例如,在上述各实施方式中,作为本发明的药液处理装置将蚀刻处理装置S举为例子进行了说明,但本发明不限于此,当然也能 应用于在使用光刻的图案化工序中对具有用作掩模的抗蚀剂层的被处理基板W的被处理面喷射抗蚀剂剥离液作为药液的抗蚀剂剥离装置、对被处理基板的被处理面喷射包括酸性液体、碱性液体等清洗液的清洗装置等其它药液处理装置,只要是对被处理基板W的表面喷射药液来实施规定的处理的装置,就能广泛地应用。
工业上的可利用性
如以上说明的那样,本发明针对蚀刻处理装置、抗蚀剂剥离装置、清洗装置等药液处理装置是有用的,特别是适于希望防止发生由于来自处理槽顶壁的凝结液滴的落下而造成的药液处理的不良、对被处理基板实施良好的药液处理的药液处理装置。
附图标记说明
L 蚀刻液(药液)
S 蚀刻处理装置(药液处理装置)
W 被处理基板
10 蚀刻处理槽(药液处理槽)
10c 蚀刻处理槽的顶壁面
12 上侧蚀刻喷淋器(药液喷射单元)
14 上侧供液配管
14a 主管
14b 分支管
16 上表面处理用喷淋嘴(第1喷淋嘴)
18 下侧蚀刻喷淋器(药液喷射单元)
20 下侧供液配管
20a 主管
20b 分支管
22 下表面处理用喷淋嘴(第1喷淋嘴)
24 顶壁用喷淋器(药液喷射单元)
26 顶壁用供液配管
26a 主管
26b 分支管
28 顶壁用喷淋嘴(第2喷淋嘴)
40 搬运线
42 搬运辊
100 被处理基板的搬运方向
300 原有结构物

Claims (8)

1.一种药液处理装置,对被处理基板的被处理面实施药液处理,其特征在于,
具备:
药液处理槽,上述被处理基板被搬入到上述药液处理槽;
搬运单元,其以使搬入到上述药液处理槽的被处理基板的被处理面朝向上述药液处理槽的顶壁侧的方式搬运上述被处理基板;以及
药液喷射单元,其对由上述搬运单元搬运的被处理基板的被处理面喷射药液,
上述药液喷射单元还对上述药液处理槽的顶壁喷射上述药液。
2.根据权利要求1所述的药液处理装置,其特征在于,
上述药液处理槽的顶壁面水平地形成。
3.根据权利要求1或2所述的药液处理装置,其特征在于,
在上述药液处理槽的顶壁以向下方突出的方式设有凸部,
上述药液喷射单元对上述凸部喷射药液。
4.根据权利要求1所述的药液处理装置,其特征在于,
上述药液喷射单元具备:供液配管,其用于供应药液;多个第1喷淋嘴,其设于该供液配管,具有朝向下方的喷出口,从该喷出口对上述被处理基板的被处理面喷射药液;以及多个第2喷淋嘴,其设于上述供液配管,具有朝向上方的喷出口,从该喷出口对上述药液处理槽的顶壁喷射药液。
5.根据权利要求1所述的药液处理装置,其特征在于,
上述药液喷射单元具备:第1供液配管和第2供液配管,其用于供应药液;多个第1喷淋嘴,其设于上述第1供液配管,具有朝向下方的喷出口,从该喷出口对上述被处理基板的被处理面喷射药液;以及多个第2喷淋嘴,其设于上述第2供液配管,具有朝向上方的喷出口,从该喷出口对上述药液处理槽的顶壁喷射药液。
6.根据权利要求4或5所述的药液处理装置,其特征在于,
上述供液配管具备:主管,其沿着上述被处理基板的搬运方向延伸;以及多个分支管,其分别在上述被处理基板的搬运方向相互隔开规定间隔地连结到上述主管,从上述主管向与上述被处理基板的搬运方向交叉的方向突出,
上述第1喷淋嘴和第2喷淋嘴在各上述分支管中沿着各上述分支管的突出方向隔开规定间隔地设有多个。
7.根据权利要求6所述的药液处理装置,其特征在于,
各上述第2喷淋嘴在喷射药液时在上述被处理基板的搬运方向摆动。
8.根据权利要求6所述的药液处理装置,其特征在于,
各上述第1喷淋嘴在喷射药液时在上述被处理基板的搬运方向摆动。
CN201380019935.8A 2012-06-06 2013-05-30 药液处理装置 Expired - Fee Related CN104246988B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012129190 2012-06-06
JP2012-129190 2012-06-06
PCT/JP2013/003410 WO2013183260A1 (ja) 2012-06-06 2013-05-30 薬液処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104246988A CN104246988A (zh) 2014-12-24
CN104246988B true CN104246988B (zh) 2016-09-14

Family

ID=49711668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380019935.8A Expired - Fee Related CN104246988B (zh) 2012-06-06 2013-05-30 药液处理装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5890018B2 (zh)
CN (1) CN104246988B (zh)
WO (1) WO2013183260A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104282598A (zh) * 2014-09-23 2015-01-14 安徽省大富光电科技有限公司 蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备及方法
CN111096071A (zh) * 2017-09-04 2020-05-01 夏普株式会社 蚀刻装置以及显示装置的制造方法
CN110586552A (zh) * 2019-10-17 2019-12-20 攀钢集团矿业有限公司 一种往复式高梯度磁选机冲洗装置
JP2022138907A (ja) * 2021-03-11 2022-09-26 キオクシア株式会社 基板洗浄装置および基板洗浄方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03284386A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Shibaura Eng Works Co Ltd 洗浄用処理槽
JPH04196425A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Sigma Merutetsuku Kk 薬液処理装置
JPH0737858A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03284386A (ja) * 1990-03-30 1991-12-16 Shibaura Eng Works Co Ltd 洗浄用処理槽
JPH04196425A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Sigma Merutetsuku Kk 薬液処理装置
JPH0737858A (ja) * 1993-07-19 1995-02-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5890018B2 (ja) 2016-03-22
WO2013183260A1 (ja) 2013-12-12
CN104246988A (zh) 2014-12-24
JPWO2013183260A1 (ja) 2016-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104246988B (zh) 药液处理装置
US7951244B2 (en) Liquid cleaning apparatus for cleaning printed circuit boards
TW201230225A (en) Substrate processing apparatus
CN101219427A (zh) 基板处理装置
WO2014079078A1 (zh) 一种配向膜列印机喷头的清洁方法及装置
KR20150144423A (ko) 기판 건조 장치
CN104952765A (zh) 基板处理装置、喷嘴以及基板处理方法
US20130125930A1 (en) Surface treatment apparatus
CN104246989B (zh) 药液处理装置
TW554391B (en) Device for processing substrate
JP4675113B2 (ja) 基板洗浄装置
TWI227035B (en) Substrate processing device of transporting type
WO2002049087A1 (fr) Dispositif de traitement de substrat de transfert à douche oscillante
CN104550157B (zh) 清洗装置
TWI745830B (zh) 液處理裝置及液處理方法
CN105190833B (zh) 入口及具有所述入口的反应系统
CN101374763A (zh) 用于处理或加工硅材料的方法和设备
JP4064729B2 (ja) 基板処理装置
JP4861970B2 (ja) 基板処理装置
US20110284162A1 (en) Apparatus for wet processing substrate
KR101150022B1 (ko) 에칭장치
JP2004275989A (ja) 基板処理装置
KR100684048B1 (ko) 유체분사장치
WO2002049086A1 (fr) Dispositif de traitement de substrat de transfert
JP2002184749A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160914

Termination date: 20200530