CN105190833B - 入口及具有所述入口的反应系统 - Google Patents

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Abstract

披露一种入口和一种具有所述入口的反应系统。所述入口包括:本体,该本体内设有传输管道,该传输管道允许流体经过其中流动;至少一个第一喷嘴,该至少一个第一喷嘴连接到本体的侧表面的一个区域,并且适于将清洁溶液喷入传输管道;以及设置成在传输管道中以与传输管道的内壁间隔开的挡片,其中从第一喷嘴喷出的清洁溶液被阻挡而不被引入传输管道的位于挡片内部的一个区域。

Description

入口及具有所述入口的反应系统
技术领域
本发明涉及洗涤器的入口以及具有所述入口的反应系统,其中该洗涤器用于半导体制造工艺中的气体处理。
背景技术
用于在晶片上形成薄膜的半导体工艺的各种反应气体含有氧化成分、易燃成分和有害成分。因此,如果废气——排出的反应气体——直接排放到大气,将会毒害人体以及污染环境。
用于从废气去除有害成分的洗涤器可以安装在用于排出废气的半导体设备的排出管路内。为了通过净化工艺(使废气的有害成分含量降低至等于或低于许可浓度的浓度)将废气排放至大气,使用了洗涤器,该洗涤器可以是包括燃烧洗涤器、燃烧和湿式洗涤器、燃烧和干燥洗涤器、干燥洗涤器以及湿式洗涤器在内的各种洗涤器中的一种。
需要入口以连接半导体设备的排出管路与洗涤器。该入口可以将被引入排出管路的废气与用以清除包含在所述废气中的污染物的清洁溶液一起引入洗涤器。这时,借助清洁溶液与污染物之间的反应可产生反应产物。因此,所述入口可能被所产生的反应产物堵塞。
发明内容
发明所要解决的技术问题
设计成解决该问题的本发明的目的是一种入口以及具有该入口的反应系统,该入口可以延长更换周期和减少反应系统停机的时间,这有助于提高产量。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的目的可以这样来实现:提供一入口,该入口包括:本体,本体内设有传输管道,该传输管道允许流体经过其中流动;至少一个第一喷嘴,该至少一个第一喷嘴连接到本体的侧表面的一个区域,并且适于将清洁溶液喷入传输管道;以及挡片,该挡片设置成在传输管道中与传输管道的内壁间隔开,其中从第一喷嘴喷出的清洁溶液被阻挡而不被引入传输管道的位于挡片内部的一个区域。
挡片的上端可以位于第一喷嘴的上侧,而挡片的下端可以位于第一喷嘴的下侧。
本体可以设有固定部分,该固定部分位于传输管道中第一喷嘴的上侧,以支撑挡片的上端。
固定部分可以是本体的位于第一喷嘴上侧的一部分,其中固定部分的内径可以小于本体其它部分的内径。
至少一个第一喷嘴可以包括布置为彼此间隔开的多个第一喷嘴。
各第一喷嘴与本体的位于各第一喷嘴上侧的外壁所成的角度可以在50°与70°之间。
挡片可以由树脂材料形成,树脂材料的摩擦系数小于本体的摩擦系数。挡片可以由聚四氟乙烯形成。
挡片可以具有上端、下端和位于上端与下端之间的侧表面,以及可以形成为筒形并且上端和下端处是开放的。
挡片的上端可以形成为直径大于侧表面的直径的环形,以被固定部分保持住。挡片的上端可以从侧表面突出。
入口可以进一步地包括至少一个第二喷嘴,该至少一个第二喷嘴连接到位于挡片下面的本体的侧表面的另一区域,并且适于将惰性气体喷入传输管道。至少一个第二喷嘴可以包括布置为彼此间隔开的多个第二喷嘴。
各第二喷嘴与位于各第二喷嘴上侧的本体的外壁所成的角度可以在50°与70°之间。
各第二喷嘴可以沿着传输管道的内壁喷射惰性气体。
各第二喷嘴喷射惰性气体所沿的方向与传输管道的内壁的法线之间形成的角度大于0°并且小于10°
入口可进一步包括至少一个喷射喷嘴,该至少一个喷射喷嘴以预定的喷射压力将气体或液体喷射到沉积在挡片的下端或沉积在挡片下面的传输管道的内壁上的反应产物上,其中该反应产物是根据被引入传输管道的流体与清洁溶液之间的反应的产物。
所述至少一个第一喷嘴与所述至少一个喷射喷嘴喷射去离子水,所述至少一个喷射喷嘴包括多个喷射喷嘴。
从第一喷嘴喷出的去离子水的喷射压力与从喷射喷嘴喷出的去离子水的喷射压力的比可以是1:1.5至1:3。
在本发明的另一方面中,在此提供的是一反应系统,该反应系统包括:用以供给源气体的气体引入管、使用通过气体引入管供给的源气体以形成反应产物的反应器、用以使来自反应器且在形成反应产物之后产生的气体流出的气体流出管、使用清洁溶液以清洁从气体流出管流出的气体的洗涤器、以及用以将气体流出管连接到洗涤器的入口,其中该入口包括:本体,该本体内设有传输管道,该传输管道允许流体经过其中流动;至少一个第一喷嘴,该至少一个第一喷嘴连接到本体的侧表面的一个区域,并适于将清洁溶液喷入传输管道;以及挡片,该挡片设置成在传输管道中与传输管道的内壁间隔开,其中从第一喷嘴喷出的清洁溶液被阻挡而不被引入位于挡片内部的传输管道的一个区域。
发明的有利效果
根据一个实施例,更换周期可以延长,反应系统为更换入口而停机的时间缩短。由此产量可以提高。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解,附图示出本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中:
图1示出包括洗涤器和反应器的反应系统,其中洗涤器装配有根据示例性实施例的入口;
图2是根据第一实施例的入口的正视图;
图3是示出图2所示入口的剖视图;
图4示出图3所示的挡片;
图5是示出图3所示挡片的功能的概念图;
图6A示出未提供挡片的情况中的反应产物的形成;
图6B示出提供了挡片的情况中的反应产物的形成。
图7是示出根据第二实施例的入口的正视图;
图8是示出图7所示入口的剖视图;
图9是示出图8所示第二喷嘴的功能的概念图;
图10是示出图8所示第二喷嘴的喷射方向的视图;
图11A和图11B示出根据一个实施例的第二喷嘴的喷射方向;
图12是示出根据第三实施例的入口的正视图;
图13是示出图12所示入口的剖视图;
图14示出图12所示入口的喷射喷嘴的设置;以及
图15是示出图13所示喷射喷嘴的功能的概念图。
具体实施方式
现在将具体参照本发明的优选实施例,这些实施例的实例在附图中示出。在各实施例的披露中,当层(膜)、区域、格局、或结构被描述为在结构、层(膜)、区域、垫、或者格局“上面”或者“下面”形成时,术语“在上面”和“在下面”不仅意味着“直接在上面”和“直接在下面”,还意味着带有插入层而“间接在上面”和“间接在下面”。
至于附图中示出的构成物的尺寸,为了清楚、容易的描述,该构成物被放大、省略、或示例性地示出。此外,每个构成物的尺寸不完全反映实际尺寸。只要可以,在所有附图中尽可能地用相同的附图标记标示相同或类似的部件。下面,将参照附图来描述根据实施例的洗涤器和入口。
图1示出反应系统100,反应系统100包括洗涤器30和反应器10,洗涤器30装配有根据示例性实施例的入口20,图2是示出根据第一实施例的入口20的正视图。图3是示出图2所示入口的剖视图。反应系统100可以是外延反应装置。但各实施例不限于此。
参照图1至图3,反应系统100可以包括气体引入管5、反应器10、气体流出管15、入口20和洗涤器30。
气体引入管5连接到反应器10以向反应器10提供各种源气体。
反应器10可以使用通过气体引入管5供给的源气体来进行具体的反应,并可以形成反应产物作为反应的结果。例如,反应器10可以通过外延反应在晶片上形成薄膜。
气体流出管15可以连接到反应器10。反应产物形成后所产生的气体可以通过气体流出管15从反应器10流出。在此,通过气体流出管15流出的气体可以是未反应的气体(例如,TCS、B2H6、HCL和H2)和污染物。
入口20可以用作通路,将气体流出管15连接至洗涤器30,通过气体流出管15流出的未反应气体和污染物通过入口20转移至洗涤器30。
当入口20被反应产物堵塞时,未反应气体和污染物不能转移至洗涤器30。这种情况下,入口30需要被拆卸以清除反应产物或者更换一个新的入口。
使用清洁溶液,洗涤器30能够清洁从气体流出管15流出的未反应气体和气态污染物。
引入洗涤器30的污染物可以与存储于洗涤器30中的清洁溶液紧密接触以溶解于清洁溶液中或者和通过清洁溶液扩散的试剂反应以被中和。
入口20包括引入部分110、流出部分120、本体130、第一喷嘴140和挡片160。
引入部分110可以连接到本体130的一端,并且设有中空内部空间以允许流体被引入其中。
流出部分120可以连接到本体130的另一端,并且设有中空内部空间以允许流体通过其流出。例如,引入部分110、本体130和流出部分120可以彼此形成一体。但各实施例不限于此。
本体130可以包括传输管道108,传输管道108允许流体通过其中。
例如,本体130可以包括形成为中空圆柱管状的传输管道108,传输管道108允许流体通过其中。
本体130可以由塑性材料,例如聚氯乙烯(PVC)构成。但各实施例不限于此。
第一喷嘴140连接到本体130的侧表面132的一个区域,由此将清洁溶液,例如去离子水喷入本体130的传输管道108。
开口101和102设置在本体130的侧表面132的一个区域。第一喷嘴140可以连接到开口101和102。由此,第一喷嘴140可以将清洁溶液通过开口101和102喷入本体130的传输管道108。
可以提供至少一个第一喷嘴140和至少一个开口101、102。图2和图3示出具有两个第一喷嘴140和两个开口101与102的实例。但各实施例不限于此。多个第一喷嘴142和144可以布置成彼此间隔开。
例如,喷嘴142可以与喷嘴144间隔180°。
喷嘴142可以连接到第一开口101。由此,喷嘴142可以通过第一开口101将清洁溶液喷入本体130的传输管道108。喷嘴144可以连接到第二开口102。由此,喷嘴144可以通过第二开口102将清洁溶液喷入本体130的传输管道108。
挡片160可以这样设置在本体130的传输管道180中,使得挡片160的一端162位于第一喷嘴140的上侧,另一端164位于第一喷嘴140的下侧。
例如,挡片160的一端可以是挡片160的上端,挡片160的另一端可以是挡片160的下端。挡片160可以设置为在传输管道108中与本体130的传输管道108的内壁192间隔开。
第一喷嘴140可以设置在挡片160的一端162及其另一端之间,并且可以朝向挡片160的侧表面166喷射清洁溶液。
本体130可以包括位于传输管道108中、在第一喷嘴140上侧的固定部分134以支撑和固定挡片160的一端162。
例如,固定部分134可以是本体130的位于第一喷嘴140上侧的一个区域。固定部分134的内径D1可以比本体130的其他部分的内径D2小。挡片160可以被固定部分134固定,这样可以阻止挡片160从本体130的传输管道180脱落。
图4示出图3所示的挡片160。
参照图4,挡片160的形状可以根据本体130的传输管道108的形状来确定。
图3所示的挡片160包括上端162、下端164和位于上端162和下端164之间的侧表面166。挡片160筒状地形成,并且上端162和下端164处是开放的。但各实施例不限于此。
挡片160的一端162可以形成为直径比侧表面166的直径大的环形,以由固定部分134保持住。例如,挡片160的一端162可以形成为从侧表面166突出。
挡片160可以由树脂材料,例如聚四氟乙烯形成,该树脂材料的摩擦系数小于本体130的摩擦系数。但各实施例不限于此。
图5是示出图3所示挡片160的功能的概念图。
参照图5,挡片160的侧表面166的至少一部分可以邻近开口101和102。
挡片160阻挡从第一喷嘴142和144喷出的清洁溶液使之不被引入传输管道180的位于挡片160内部的的一个区域P。由此,位于挡片160内的流体,例如未反应气体408可以被阻止与清洁溶液直接接触和反应。
例如,从第一喷嘴142和144喷出的清洁溶液401可以被清洁溶液401所撞击的挡片160的外壁阻挡而不被供给到挡片160的内部。此外,撞击挡片160的清洁溶液402可以从第一喷嘴142和144的下部向下沿着传输管道108的内壁192或挡片160的外壁移动。
从第一喷嘴142和144喷出的清洁溶液与引入传输管道108的未反应气体408之间的反应被挡片160阻止发生在传输管道108的邻近第一喷嘴142和144的内部。由此不产生反应产物。此外,沿挡片160向下移动的清洁溶液402可以在传输管道108的挡片160的下端164以下的部分与未反应气体反应,这会产生反应产物410。
为了允许喷入传输管道108的清洁溶液沿着传输管道108顺利地向下流动,第一喷嘴142和144可以倾斜某一角度。
第一喷嘴142和144与本体130的位于第一喷嘴142和144上侧的外壁所成的角度可以在50°与70°之间。
图6A示出未设置挡片160的情况中的反应产物的形成,以及图6B示出设置了挡片160的情况中的反应产物的形成。
参照图6A,挡片不存在,因此清洁溶液与未反应气体之间的反应在传输管道108邻近第一喷嘴142和144(清洁溶液从其中喷射出)的开口101和102的内侧可以活跃地发生。由此,反应产物512和514可以沉积在传输管道108的位于开口101和102的上侧的内壁上。
根据公式1,具有高粘附性、高易燃性的粉末状SiO2可以作为反应产物512和514产生。
[公式1]
反应产物512和514可以在传输管道108的位于第一喷嘴142和144的上侧的内壁192上生长,内壁192充当生长界面。由于从第一喷嘴142和144喷出的清洁溶液,反应产物沿纵向方向的生长会受到限制。因此,反应产物512和514的生长主要沿横向方向530发生。随着反应产物沿着横向方向530持续生长,传输管道108的内部空间会逐渐变窄,最终入口会被堵塞。
如果入口被堵塞,则用在反应系统100中的气体的量会增加,以及温度会急剧下降。此外,反应系统100内的压力会增加。
参照图6B,由于挡片160,清洁溶液和未反应气体之间的反应不会发生在传输管道108的邻近第一喷嘴142和144的孔101和102的内部,反应产物522和524会在挡片160的下端164的下面产生。
也就是说,由于挡片160,反应产物产生的地点可以从第一喷嘴142和144周围的位置转移到挡片160的下端或传输管道108的位于挡片160下面的内壁。
反应产物522和524可以在生长界面上生长。在这种情况下,传输管道108的位于挡片160的下面的内壁192或挡片160的下端164是生长界面。
由于由聚四氟乙烯形成的挡片160的表面比由PVC形成的传输管道108的内壁192光滑,在作为生长界面的挡片160的侧表面上的反应产物的生长会被抑制。
由于挡片160的下端164位于第一喷嘴142和144的下面,反应产物522和524沿纵向方向的生长不被抑制。因此,反应产物522和524可以沿横向方向530和纵向方向540均匀地生长。
图6B所示的反应产物522和524的厚度H2会比图6A所示的反应产物512和514的厚度H1大。由此,图6B所示的入口20被反应产物522和524堵塞所花费的时间会比图6A所示的入口20被反应产物512和514堵塞所花费的时间更长。
在这个实施例中,通过设置挡片160,被反应产物堵塞的入口的更换周期会延长,反应系统为更换入口而停机的时间会缩短。由此产量可以提高。
图7是示出根据第二实施例的入口20-1的正视图,图8是示出图7所示入口20-1的剖视图。在图2和图3中使用的相同的附图标记代表相同的构成物,对相同的构成物的描述将被省略。
与图2和图3所示的入口20相比,图7和图8所示的入口20-1包括第二喷嘴150。
第二喷嘴150连接到本体130的侧表面132位于挡片160的下端164的下面的另一个区域。第二喷嘴150可以将惰性气体,例如Ar、Ne、He、N2和CO2喷入传输管道108。
设置至少一个第二喷嘴150。图7和图8示出设有两个第二喷嘴150的实施例。但各实施例不限于此。多个第二喷嘴152和154可以布置成彼此间隔开。
例如,在设有两个第二喷嘴150的情况下,喷嘴152可以与喷嘴154间隔180°。
开口103和104可以设置在本体130-1的侧表面132位于第一开口101和第二开口102下面的另一个区域。第二喷嘴150可以连接到开口103和孔104。由此,第二喷嘴150可以通过开口103和104朝向传输管道108的内壁192喷射惰性气体。
例如,第二喷嘴152可以连接到第三开口103。由此,第二喷嘴152可以通过第三开口103朝向传输管道108的内壁192喷射惰性气体。此外,第二喷嘴154可以连接到第四开口104。由此,第二喷嘴154可以通过第四开口104朝向传输管道108的内壁192喷射惰性气体。
图9是示出图8所示第二喷嘴150的功能的概念图。
参考图9,为了抑制在传输管道108的位于挡片160下面的内壁192上的反应产物140的沉积,第二喷嘴152和154可以倾斜某一角度。
例如,第二喷嘴152和154与本体130的位于第二喷嘴152和154上侧的外壁所成的角度可以在50°与70°之间。
图10是示出图8所示第二喷嘴150的喷射方向的视图。参照图10,第二喷嘴150不朝向传输管道108的中心喷射惰性气体。而是,第二喷嘴150可以沿着传输管道108的位于挡片160下面的内壁192喷射惰性气体601。
第二喷嘴152和154可以沿相同的方向沿着传输管道108的内壁喷射惰性气体601。例如,第二喷嘴152和154可以喷射惰性气体601使得惰性气体601沿着传输管道108的内壁192顺时针流动。
图11A和图11B示出根据一个实施例的第二喷嘴152和154的喷射方向。参照图11A,第二喷嘴152和154的喷射方向可以平行于传输管道108的邻近第二喷嘴150和开口103和104的内壁192的法线701。参照图11B,第二喷嘴154的喷射方向可以与传输管道108的邻近第二喷嘴150与开口103和104的内壁192的法线701形成某一角度(例如,0≤θ≤10°)。
从第二喷嘴150喷出并沿着传输管道的位于挡片160下面的内壁192流动的惰性气体601可以抑制反应产物410在传输管道108的内壁192上沉积。
由于第二实施例设有第二喷嘴150,在传输管道108的内壁192上的反应产物410的沉积会被抑制。因此,与第一实施例相比,在第二实施例中,入口的更换周期会进一步延长,反应系统为更换入口而停机的时间会进一步缩短。由此,产量进一步提高。
图12是示出根据第三实施例的入口20-2的正视图,以及图13是示出图12所示入口20-2的剖视图。图14示出图12所示入口的喷射喷嘴182、184和186的设置。用在图2和图3的相同的附图标记代表相同的构成物,因此将简要给出或省略相同构成物的描述。
参照图图12至图14,入口20-2可以包括引入部分110、流出部分120、本体130、第一喷嘴140、挡片160和喷射喷嘴182、184与186。
喷射喷嘴182、184和186可以是本体130的侧表面132的其它区域,并且可以将高压液体(例如去离子水)或气体(例如空气)喷入传输管道108的位于挡片160的下端164的下面的一部分。其中,喷射喷嘴182、184和186可以位于挡片160的下端164的下面。
喷射喷嘴182、184和186可以将高压液体或气体喷射到沉积在传输管道108处于挡片160的下端164的侧壁192上的反应产物上,以将反应产物从传输管道108的侧壁192上分离或者溶解反应产物。
此外,喷射喷嘴182、184和186可以将高压液体或气体喷射到沉积在挡片160的下端164的反应产物上。喷射喷嘴182、184和186可以将预定的液体或气体喷射到沉积在挡片160的下端164的反应产物上,以将反应产物从挡片160的下端164分离或者溶解反应产物。在这种情况中,与图12至图13所示的情况相比,喷射喷嘴182、184和186可以与挡片160的下端164位于同一高度。
此外,喷射喷嘴182、184和186可以将高压液体或气体喷射到挡片160的侧表面166上。借助将高压液体或气体喷射到挡片160的侧表面166上,喷射喷嘴182、184和186可以使挡片160振动。借助挡片160的振动,堆积于挡片160的下端164的反应产物可以从挡片160分离。在这种情况中,与图12至图13所示的情况相比,喷射喷嘴182、184和186可以位于挡片160的下端164上。
从挡片160到喷射喷嘴182、184和186的距离可以在2mm至5mm之间。在从挡片160到喷射喷嘴182、184和186的距离小于2mm的情况中会产生水蒸气,由此反应产物会容易沉积在挡片160上。在所述距离大于5mm的情况中,分离或溶解反应产物所需的喷射压力会增加。
为了将反应产物从传输管道108的侧壁192或挡片160的下端164分离,以及溶解反应产物,从喷射喷嘴182、184和186喷出的去离子水的喷射压力可以设定为高于从第一喷嘴140喷出的去离子水的喷射压力。
例如,从第一喷嘴140喷出的去离子水的喷射压力与从喷射喷嘴182、184和186喷出的去离子水的喷射压力的比可以是1:1.5至1:3。
可以提供至少一个喷射喷嘴182、184、186。多个喷射喷嘴182、184和186可以布置成彼此间隔开。
在图14中,三个喷射喷嘴182、184和186彼此间隔120°。但各实施例不限于此。
借助从第一喷嘴140喷出的去离子水,可以形成沿着传输管道108的内壁192沿某一方向403旋转的水壁194。喷射喷嘴182、184和186的每一个可以不从传输管道108的内壁192突出。这是为了阻止喷射喷嘴182、184和186的每一个的一端从水壁194伸出。在喷射喷嘴182、184和186的每一个的一端从水壁194伸出的情况中,所述端会充当生长界面,这样反应产物会沉积在其上。
图15是示出图13所示喷射喷嘴182、184和186的功能的概念图。
参照图15,喷射喷嘴182、184和186会以一预定的压力将气体或液体(例如,去离子水)喷射到沉积在传输管道108的位于挡片160的下端或在挡片160的下端下面的内壁上的反应产物410上,由此将反应产物从挡片160的下端或传输管道108的内壁分离,或者溶解反应产物。
通过反应产物的这样的物理分离或破坏,可以阻止入口被反应产物堵塞,并且可以半永久性地使用该入口。此外,反应系统不需要为了更换入口而停机,因此产量可以提高。
在实施本发明的最佳方式中各种实施例已被描述。
工业应用性
根据一个实施例,入口的更换周期可以延长,反应系统为更换入口而停机的时间缩短。由此产量可以提高。
对于本领域技术人员来说明显的是,可在本发明内作出各种修改和变型而不脱离本发明的精神或范围。因此,本发明旨在涵盖其任何改型和变型,只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内即可。

Claims (20)

1.一种入口,所述入口包括:
本体,所述本体内设有传输管道,所述传输管道允许流体通过其流动,其中第一开口设置在所述本体的侧表面的一区域内;
至少一个第一喷嘴,所述至少一个第一喷嘴连接到所述第一开口,并适于通过所述第一开口将清洁溶液喷入所述传输管道;
挡片,所述挡片设置在所述传输管道中,并与所述传输管道的内壁间隔开,其中所述挡片的上端定位在所述第一开口的上侧,且所述挡片的下端定位在所述第一开口的下侧;以及
至少一个第二喷嘴,所述至少一个第二喷嘴连接到定位在所述挡片的下端下方的所述本体的侧表面的另一区域,并将气体或液体喷射到所述传输管道内,
其中,从所述第一喷嘴喷出的所述清洁溶液被阻挡而不被引入所述传输管道的位于所述挡片内部的一个区域,
其中所述挡片的外壁与所述传输管道的内壁间隔开。
2.如权利要求1所述的入口,其特征在于,第二开口设置在所述本体的所述侧表面的另一区域内并连接到至少一个第二喷嘴,以及
其中至少一个第二喷嘴通过所述第二开口将气体或液体喷射到所述传输管道内。
3.如权利要求1所述的入口,其特征在于,所述本体设有固定部分,所述固定部分位于所述传输管道中所述第一喷嘴的所述上侧,以支撑所述挡片的上端。
4.如权利要求3所述的入口,其特征在于,所述固定部分是所述本体的位于所述第一喷嘴的所述上侧的一部分,其中所述固定部分的内径小于所述本体其它部分的内径。
5.如权利要求1所述的入口,其特征在于,至少一个第一喷嘴包括布置为彼此间隔开的多个第一喷嘴。
6.如权利要求2所述的入口,其特征在于,所述各第一喷嘴与所述本体的位于所述各第一喷嘴上侧的外壁之间形成的角度在50°与70°之间,以及
其中所述第二开口定位在所述第一开口和所述挡片的所述下端下方。
7.如权利要求1所述的入口,其特征在于,
所述挡片由树脂材料形成,所述树脂材料的摩擦系数小于所述本体的摩擦系数。
8.如权利要求7所述的入口,其特征在于,所述挡片由聚四氟乙烯形成。
9.如权利要求1所述的入口,其特征在于,所述挡片设有上端、下端和位于所述上端与所述下端之间的侧表面,以及所述挡片形成为筒状并且所述上端与所述下端处是开放的。
10.如权利要求3所述的入口,其特征在于,所述挡片设有上端、下端和位于所述上端与所述下端之间的侧表面,所述挡片的所述上端形成为直径大于所述挡片的所述侧表面的直径的环状以被所述固定部分保持住。
11.如权利要求10所述的入口,其特征在于,所述挡片的所述上端从所述挡片的所述侧表面突出。
12.如权利要求2所述的入口,至少一个第二喷嘴喷射惰性气体。
13.如权利要求1所述的入口,其特征在于,所述至少一个第二喷嘴包括布置为彼此间隔开的多个第二喷嘴。
14.如权利要求1所述的入口,其特征在于,各所述第二喷嘴与所述本体的位于各所述第二喷嘴上侧的外壁间形成的角度在50°与70°之间。
15.如权利要求13所述的入口,其特征在于,各所述第二喷嘴沿着所述传输管道的内壁喷射惰性气体。
16.如权利要求15所述的入口,其特征在于,所述第二喷嘴喷射所述惰性气体所沿的方向与所述传输管道的内壁的法线之间形成的角度大于0°并且小于10°。
17.如权利要求1所述的入口,至少一个喷射喷嘴以预定的喷射压力将所述气体或所述液体喷射到沉积在所述传输管道的位于所述挡片的下端或沉积在所述挡片下面的所述内壁上的反应产物上,其中所述反应产物是根据被引入所述传输管道的流体与所述清洁溶液之间的反应的产物。
18.如权利要求17所述的入口,其特征在于,所述至少一个第一喷嘴与所述至少一个第二喷嘴喷射去离子水,所述至少一个喷射喷嘴包括多个第二喷嘴。
19.如权利要求18所述的入口,其特征在于,从所述第一喷嘴喷出的所述去离子水的喷射压力与从多个所述喷射喷嘴喷出的所述去离子水的喷射压力的比是1:1.5至1:3。
20.一种反应系统,所述反应系统包括:
气体引入管,所述气体引入管用以供给源气体;
反应器,所述反应器使用通过所述气体引入管供给的所述源气体以形成反应产物;
气体流出管,所述气体流出管用以使来自所述反应器的、在形成所述反应产物之后产生的气体流出;
洗涤器,所述洗涤器使用清洁溶液以清洁从所述气体流出管流出的所述气体;以及
如权利要求1至19中任一项所述的入口,所述入口用以将所述气体流出管连接到所述洗涤器。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101580368B1 (ko) * 2013-11-08 2016-01-06 엠에이티플러스 주식회사 스크러버용 인렛
KR20190002318A (ko) * 2017-06-29 2019-01-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 배기계 설비 시스템
CN111790248B (zh) * 2020-07-13 2022-07-29 上海卓鼎模具有限公司 一种恒温净化进风装置及其系统
KR102513887B1 (ko) * 2021-01-18 2023-03-24 엠에이티플러스 주식회사 압력자동제어 벤츄리를 구비한 스크러버 시스템

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775094A (en) * 1971-03-19 1973-11-27 Copper Range Co Collection of sulfur values from flue gasses generated by metallic sulfide smelting and converting
JPS51148673A (en) * 1975-06-16 1976-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd A wet treatment process for exhaust gas
KR970006837B1 (ko) * 1994-03-02 1997-04-30 금성일렉트론 주식회사 반도체 제조장비의 배기가스 중화용 스크러버 연결배관 세정장치
US5935283A (en) * 1996-12-31 1999-08-10 Atmi Ecosys Corporation Clog-resistant entry structure for introducing a particulate solids-containing and/or solids-forming gas stream to a gas processing system
EP0954366A4 (en) * 1996-12-31 2001-06-20 Atmi Ecosys Corp INPUT STRUCTURES FOR INTRODUCING A GAS STREAM CONTAINING SOLID MATERIALS AND / OR PRODUCING PARTICULATE SOLID MATERIALS IN A GAS TREATMENT SYSTEM
US5955037A (en) * 1996-12-31 1999-09-21 Atmi Ecosys Corporation Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases
JP2002316015A (ja) 2001-04-18 2002-10-29 Sony Corp 排ガス処理装置
US6830730B2 (en) * 2001-09-11 2004-12-14 Spectrolanalytical Instruments Method and apparatus for the on-stream analysis of total sulfur and/or nitrogen in petroleum products
US20040185661A1 (en) * 2003-03-17 2004-09-23 Sherer John Michael Scrubber system for pretreatment of an effluent waste stream containing arsenic
KR200366263Y1 (ko) * 2004-07-21 2004-11-04 비씨엔씨 주식회사 배기관
JP2006116470A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Applied Materials Inc 排ガス処理方法及び排ガス処理装置
KR100724738B1 (ko) * 2005-08-02 2007-06-04 이희권 접촉여재 필터를 이용한 고밀도 여과장치
KR100847656B1 (ko) * 2006-12-21 2008-07-21 동부일렉트로닉스 주식회사 파우더 트랩이 설치된 드라이 가스 스크러버
KR100934478B1 (ko) * 2008-01-25 2009-12-30 한국기계연구원 유해가스처리장치
KR100992752B1 (ko) * 2008-11-14 2010-11-05 주식회사 동부하이텍 반도체 제조 공정의 폐가스 처리장치

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