TWM482444U - 流體噴頭及流體噴頭裝置 - Google Patents
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Description
本新型是有關於一種流體噴頭及流體噴頭裝置，特別是指一種能保持半導體晶圓或顯示器用基板等基板清潔的流體噴頭及流體噴頭裝置。
半導體晶圓是經過多個製程步驟。由於每道晶圓製程步驟都有潛在性的污染源，晶圓表面會有殘留物，會導致缺陷生成及元件特性失效。在清洗製程中，而利用清洗液對晶圓進行處理，清除顆粒及污染物，而保持晶圓表面的清潔。然而使用單一噴頭清洗晶圓表面，導致清洗效果不佳，而影響後續製程的良率。
本新型的一目的，即在提供一種提升清潔效果的流體噴頭。
於是，流體噴頭，包括：一噴頭本體，包括一第一內側壁面、一與該第一內側壁面且沿一第一方向相間隔的第二內側壁面、一連接該第一內側壁面及該第二內側壁面的內底壁面，及一相反於該內底壁面的外底壁面；一容室，形成於該噴頭本體且沿該第一方向延
伸，該容室的兩相反側分別為該第一內側壁面及該第二內側壁面，該容室的底側為該內底壁面；一進氣管，設置於該噴頭本體的上方並連通該容室；一進液管，沿該第一方向延伸且一端連接該第二內側壁面，並包括一鄰近該第一內側壁面的進液口，及至少一相反該進氣管一側且相連通該容室且沿該第一方向延伸的噴出口；及多數個噴射流道，彼此沿該第一方向相間隔地形成於該噴頭本體，且連通該噴頭本體的該內底壁面及該外底壁面。
本新型又一目的，即在提供一種提升清潔效果的流體噴頭裝置。
於是，流體噴頭裝置，包含：二流體噴頭，左右設置，各該流體噴頭包括一噴頭本體，包括一第一內側壁面、一與該第一內側壁面且沿一第一方向相間隔的第二內側壁面、一連接該第一內側壁面及該第二內側壁面的內底壁面，及一相反於該內底壁面的外底壁面，一容室，形成於該噴頭本體且沿該第一方向延伸，該容室的兩相反側分別為該第一內側壁面及該第二內側壁面，該容室的底側為該內底壁面，一進氣管，設置於該噴頭本體的上方並連通該容室，
一進液管，沿該第一方向延伸且一端連接該第二內側壁面，並包括一鄰近該第一內側壁面的進液口，及至少一相反該進氣管一側且相連通該容室且沿該第一方向延伸的噴出口，及多數個噴射流道，彼此沿該第一方向相間隔地形成於該噴頭本體，且連通該噴頭本體的該內底壁面及該外底壁面。
其中，各該進液管包括二背離該進氣管並與該容室相連通，且彼此相間隔地沿該第一方向延伸的噴出口。
其中，各該進氣管設置於對應的該噴頭本體中央的上方，並定義一通過對應的該進氣管的軸線，各該噴出口相對於對應的該軸線傾斜一傾角。
其中，各該噴射流道呈狹長狀，且各該噴頭本體還包括一第一外側面，該二噴頭本體的各該第一外側面位於該流體噴頭裝置的兩相反側，該等噴射流道由該內底壁面傾斜延伸至該外底壁面，並逐漸靠向對應的第一外側面。
本新型之功效在於：透過流體噴頭的設計，以及供應二次處理液及氣體至流體噴頭，使二次處理液流出噴射流道能加速，從而增加清洗或去除基板表面的塗佈物質或汙染物質的能力和效率，有助於後續製程處理，進而提升產品良率。
1‧‧‧流體噴頭
2‧‧‧噴頭本體
210‧‧‧第一外側面
211‧‧‧第二外側面
212‧‧‧連接面
213‧‧‧第一內側壁面
214‧‧‧第二內側壁面
215‧‧‧內頂壁面
216‧‧‧內底壁面
217‧‧‧外底壁面
3‧‧‧容室
4‧‧‧進氣管
5‧‧‧進液管
51‧‧‧進液口
52‧‧‧噴出口
6‧‧‧噴射流道
7‧‧‧二次處理液
71‧‧‧二氧化碳
72‧‧‧處理液
8‧‧‧氣體
9‧‧‧基板
α‧‧‧傾角
D1‧‧‧第一方向
L‧‧‧軸線
本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的較佳實施例詳細說明中清楚地呈現，其中：圖1是一立體圖，說明本新型流體噴頭裝置的一較佳實施例；圖2對應圖1的俯視圖；圖3是一沿圖2中的線III-III所截取的剖視圖；圖4是一容室連通多數個噴射流道的部分剖視圖；圖5是一局部放大的剖視圖，說明二噴出口的傾角；圖6是一剖視示意圖，說明該氣體平均推進二次處理液流經對應的噴射流道而加速噴出至一基板；圖7是一另一視角的剖視示意圖，說明該氣體平均推進二次處理液流經對應的噴射流道而加速噴出至一基板；圖8是一剖視示意圖，說明該流體噴頭裝置還可調整角度清洗基板；及圖9是一對應圖8的局部放大示意圖。
在本新型被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。
下列較佳實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本新型可用以實施之特定實施例。本新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而非用來限制本新型。
參閱圖1至圖4，本新型流體噴頭裝置，適用對
一基板9(見圖6)清洗，該流體噴頭裝置包含：二個左右並列設置的流體噴頭1。各流體噴頭1包括一噴頭本體2、一容室3、一進氣管4、一進液管5與多數個噴射流道6。
噴頭本體2外觀概呈長方體，並包括一第一外側面210、一相反於第一外側面210的第二外側面211、二分別連接第一外側面210與第二外側面211的連接面212、一第一內側壁面213、一沿著一第一方向D1與第一內側壁面213相間隔的第二內側壁面214、連接第一內側壁面213及第二內側壁面214的一內頂壁面215與一內底壁面216，及一相反於內底壁面216的外底壁面217。
容室3概呈矩形空間，並形成於噴頭本體2內且沿第一方向D1延伸，容室3的兩相反側分別為第一內側壁面213及第二內側壁面214，容室3的頂側為內頂壁面215，容室3的底側為內底壁面216。
進氣管4設置於噴頭本體2的上方，並連接內頂壁面215且連通容室3。
參閱圖4、圖5與圖6，進液管5自鄰近噴頭本體2的其中一連接面212向第一方向D1延伸且一端連接第二內側壁面214。進液管5包括一鄰近第一內側壁面213的進液口51，及二背離進氣管4並與容室3相連通，且彼此相間隔地沿第一方向D1延伸的噴出口52。進氣管4設置於噴頭本體2中央的上方，定義一通過進氣管4的軸線L，二噴出口52皆相對於軸線L傾斜一傾角α。在本實施例中，進液管5包括二噴出口52，但不此為限，進液管
5也可僅包括一相反進氣管4一側且相連通容室3且沿第一方向D1延伸的噴出口52；再者，傾角α為30度，但不以此為限，可依實際需求調整傾角α。
多數個噴射流道6，彼此沿第一方向D1相間隔地形成於噴頭本體2，且連通噴頭本體2的內底壁面216及外底壁面217。較佳地，該等噴射流道6自內底壁面216朝第一外側面210傾斜延伸至外底壁面217。該等噴射流道6的管徑與長度設計呈狹長狀，有助於流體流經噴射流道6，使流體速度提升。
需要說明的是，如圖3所示，位於右側之流體噴頭1的該等噴射流道6自內底壁面216朝第一外側面210傾斜延伸至外底壁面217，也就是該等噴射流道6向右傾斜，位於左側之流體噴頭1與右側流體噴頭1大致相同，差異處在於該等噴射流道6的設置方向，左側為流體噴頭1的該等噴射流道6自內底壁面216延伸至該外底壁面217，且由上往下逐漸靠向該第一外側面210，也就是該等噴射流道6向左傾斜。具體來說，二流體噴頭1的該等噴射流道6皆由上往下逐漸向外傾斜。
參閱圖1與圖3，須說明的是，二流體噴頭1是以二噴頭本體2之相鄰近的第二外側面211相靠近並列設置，使得二噴頭本體的各第一外側面210位於該流體噴頭裝置的兩相反側，二流體噴頭1主要是增加清洗或去除基板9(見圖8)表面的塗佈物質或汙染物質的效率，以提升產能。在本實施例中，二流體噴頭1是並列設置，但不
以此為限，二流體噴頭1也可是彼此相間隔設置。
參閱圖1、圖6與圖7，以下說明利用本實施例是利用雙流體通過流體噴頭裝置的清洗基板9過程，且為方便說明，是以配合一個流體噴頭1為例作說明。
在本實施例中雙流體是為二次處理液7及氣體8。二次處理液7是將二氧化碳71溶解於處理液72。具體來說，處理液72為去離子水(Deionzied Water,DIW)，但不此為限，處理液72也可為純水。當然，二氧化碳71也可省略，仍可以實施。
氣體8藉由進氣管4進入容室3時，因進液管5位於進氣管4下方的設置方式，使得氣體8流經進液管5起到了阻礙而分成兩股，再使氣體8往下流，避免氣體8直接向下衝擊，而能達到平均推力；同時，由於是大量二次處理液7通入進液管5，進液管5先往第一方向D1流，接著透過二噴出口52，而使二次處理液7更易擴散向下流至容室3，二次處理液7會平均蓄積在容室3，氣體8平均推進二次處理液7流經對應的噴射流道6而加速噴出，透過前述設計可使鄰近進液口51的噴射流道6與遠離進液口51的噴射流道6的二次處理液7的噴出速率相同，大幅提升噴射均勻度。
具體來說，二次處理液7流出噴射流道6時，此時二次處理液7接觸大氣而壓力下降，使得二氧化碳71溶解度下降，二氧化碳71從二次處理液7中釋出，二氧化碳71快速體積膨脹而逸散至大氣中，而處理液72會隨二
氧化碳71逸散噴發，幫助處理液72清洗或去除基板9表面的塗佈物質或汙染物質的能力和效率，使得基板9的清潔效率大幅提升，以增加處理液72接觸基板9表面的衝擊力，有助於後續製程處理，進而提升產品良率。
由於清洗基板方法是利用二次處理液7為去離子水(Deionzied Water,DIW)添加二氧化碳71，氣體8為乾燥壓縮空氣(Clean Dry Air,CDA)，該二種流體於清洗後並無難以處理的廢液問題，製程上更為環保。
另一方面，在處理液72中添加二氧化碳71而形成二次處理液7的方式，是將二氧化碳71直接接入處理液管(圖未示)。當處理液72流動時，二氧化碳71會均勻的打入處理液72中，又因流體噴頭裝置是屬於間歇性噴射二次處理液7，也就是處理清洗完一片基板9等待下一片基板9時，二次處理液7流入進液管5的管路是被閉鎖的，此時二氧化碳71還會均勻的打入處理液72中，而使二次處理液7中含內一定比例的二氧化碳71，待下一片基板9來到時，流體噴頭裝置會開啟二次處理液7流入進液管5的管路，依前述方式清洗該基板9，定量的二氧化碳71會幫助二次處理液7清洗該基板9，而使清洗製程穩定，因此不會有二氧化碳71從處理液72中析出，造成二次處理液7中的二氧化碳71含量不均，而影響清洗效率。
補充說明的是，該等噴射流道6的數量及分佈可以對應基板9的直徑尺寸而做調整，因此本實施例流體噴頭裝置可一次平移清潔基板9的一狹長區塊，有助於清
潔效率的提升。
參閱圖8與圖9，更進一步的，本新型流體噴頭裝置還可調整角度清洗基板9，也就是利用一支架(圖未示)懸掛支撐流體噴頭裝置，使得噴頭本體2的軸線L相對基板9產生了一夾角，如圖8所示，右側流體噴頭1的該等噴射流道6調整相對基板9為90度時，此時，右側流體噴頭1的該等噴射流道6與左側流體噴頭1的該等噴射流道6是以兩個不同角度噴洗基板9表面，互相補償不同角度的清洗效果，且如圖9所示，由於基板9表面並非平整，而是有起伏突起的區塊，透過流體噴頭裝置的傾斜設置更可清潔因地形上難以伸入的區域。在本實施例中，流體噴頭裝置調整角度是以右側為流體噴頭1的該等噴射流道6調整相對基板9為90度為例說明，但不此為限，可依實際需求調整角度。
綜上所述，透過流體噴頭1的設計，以及供應二次處理液7及氣體8至流體噴頭1，使二次處理液7流出噴射流道6能加速，從而增加清洗或去除基板9表面的塗佈物質或汙染物質的能力和效率，有助於後續製程處理，進而提升產品良率，故確實能達成本新型之目的。
惟以上所述者，僅為本新型之較佳實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，即大凡依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。
1‧‧‧流體噴頭
215‧‧‧內頂壁面
216‧‧‧內底壁面
217‧‧‧外底壁面
3‧‧‧容室
4‧‧‧進氣管
5‧‧‧進液管
52‧‧‧噴出口
6‧‧‧噴射流道
7‧‧‧二次處理液
71‧‧‧二氧化碳
72‧‧‧處理液
8‧‧‧氣體
9‧‧‧基板
L‧‧‧軸線
Claims (8)
- 一種流體噴頭，包括：一噴頭本體，包括一第一內側壁面、一與該第一內側壁面且沿一第一方向相間隔的第二內側壁面、一連接該第一內側壁面及該第二內側壁面的內底壁面，及一相反於該內底壁面的外底壁面；一容室，形成於該噴頭本體且沿該第一方向延伸，該容室的兩相反側分別為該第一內側壁面及該第二內側壁面，該容室的底側為該內底壁面；一進氣管，設置於該噴頭本體的上方並連通該容室；一進液管，沿該第一方向延伸且一端連接該第二內側壁面，並包括一鄰近該第一內側壁面的進液口，及至少一相反該進氣管一側且相連通該容室且沿該第一方向延伸的噴出口；及多數個噴射流道，彼此沿該第一方向相間隔地形成於該噴頭本體，且連通該噴頭本體的該內底壁面及該外底壁面。
- 如請求項1所述的流體噴頭，其中，該進液管包括二背離該進氣管並與該容室相連通，且彼此相間隔地沿該第一方向延伸的噴出口。
- 如請求項2所述的流體噴頭，其中，該進氣管設置於該噴頭本體中央的上方，定義一通過該進氣管的軸線，該二噴出口分別相對於該軸線傾斜一傾角。
- 如請求項1所述的流體噴頭，其中，該等噴射流道呈狹 長狀。
- 一種流體噴頭裝置，包含：二流體噴頭，左右設置，各該流體噴頭包括一噴頭本體，包括一第一內側壁面、一與該第一內側壁面且沿一第一方向相間隔的第二內側壁面、一連接該第一內側壁面及該第二內側壁面的內底壁面，及一相反於該內底壁面的外底壁面，一容室，形成於該噴頭本體且沿該第一方向延伸，該容室的兩相反側分別為該第一內側壁面及該第二內側壁面，該容室的底側為該內底壁面，一進氣管，設置於該噴頭本體的上方並連通該容室，一進液管，沿該第一方向延伸且一端連接該第二內側壁面，並包括一鄰近該第一內側壁面的進液口，及至少一相反該進氣管一側且相連通該容室且沿該第一方向延伸的噴出口，及多數個噴射流道，彼此沿該第一方向相間隔地形成於該噴頭本體，且連通該噴頭本體的該內底壁面及該外底壁面。
- 如請求項5所述的流體噴頭裝置，其中，各該進液管包括二背離該進氣管並與該容室相連通，且彼此相間隔地沿該第一方向延伸的噴出口。
- 如請求項6所述的流體噴頭裝置，其中，各該進氣管設置於對應的該噴頭本體中央的上方，並定義一通過對應 的該進氣管的軸線，各該噴出口相對於對應的該軸線傾斜一傾角。
- 如請求項5所述的流體噴頭裝置，其中，各該噴射流道呈狹長狀，且各該噴頭本體還包括一第一外側面，該二噴頭本體的各該第一外側面位於該流體噴頭裝置的兩相反側，該等噴射流道由該內底壁面傾斜延伸至該外底壁面，並逐漸靠向對應的第一外側面。
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| TW103200843U TWM482444U (zh) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | 流體噴頭及流體噴頭裝置 |
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| TW103200843U TWM482444U (zh) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | 流體噴頭及流體噴頭裝置 |
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| TW103200843U TWM482444U (zh) | 2014-01-15 | 2014-01-15 | 流體噴頭及流體噴頭裝置 |
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|---|---|
| TW (1) | TWM482444U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107175175A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 亿力鑫系统科技股份有限公司 | 多喷头装置 |
| TWI690990B (zh) * | 2014-09-29 | 2020-04-11 | 日商思可林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
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2014
- 2014-01-15 TW TW103200843U patent/TWM482444U/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI690990B (zh) * | 2014-09-29 | 2020-04-11 | 日商思可林集團股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
| CN107175175A (zh) * | 2016-03-11 | 2017-09-19 | 亿力鑫系统科技股份有限公司 | 多喷头装置 |
| CN107175175B (zh) * | 2016-03-11 | 2019-11-26 | 亿力鑫系统科技股份有限公司 | 多喷头装置 |
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| MK4K | Expiration of patent term of a granted utility model |